JP4335042B2 - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents
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Description
以下、この発明の第1の実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法について説明する。この第1の実施の形態では、基板に対して現像液を供給して所定時間現像反応を行わせた後、当該基板に対していわゆるスリットスキャン方式にて帯電防止処理液を供給する基板処理装置及び基板処理方法について説明する。
この発明の第2の実施の形態に係る基板処理装置について説明する。なお、本実施形態の説明において、上記第1実施形態との相違点を中心に説明し、同様構成要素については同一符号を用いてその説明を省略する。
なお、上記各実施形態では、処理液供給ノズル40と半導体ウエハSWとの双方を回転させた例について述べたが、図19に示すように、半導体ウエハSWを静止状態に保ったままで、処理液供給ノズル40を、その半導体ウエハSWの一端側から他端側に向けて直線的に移動させるようにしてもよい。
20 現像液供給ノズル
30 現像液供給ノズル走査機構
40 処理液供給ノズル
42 吐出口
50 処理液供給ノズル回動機構
60 制御部
70 最終リンス液供給ノズル
85 処理液タンク
86 第1処理液系配管
87 第2処理液系配管
88 第3処理液系配管
89 ガス溶解部
185 処理液タンク
186 第1帯電防止洗浄液系配管
187 第2帯電防止洗浄液系配管
188 第3帯電防止洗浄液系配管
189 ガス溶解部
SW 基板
Claims (6)
- 現像処理後の基板の主面に処理液を供給する基板処理装置であって、
基板を略水平姿勢で保持する基板保持手段と、
前記基板の幅寸法と実質的に同寸法又はそれ以上の吐出幅で第1の処理液を吐出する吐出部を有する第1の処理液供給ノズルと、
前記第1の処理液供給ノズルに、前記第1の処理液として現像反応を停止させる現像停止液を供給する現像停止液供給手段と、
前記基板の上方を通過するように、前記第1の処理液供給ノズルを前記基板の一端側から他端側に向けて移動させるノズル移動手段と、
前記基板上に第2の処理液を吐出する第2の処理液供給ノズルと、
前記第2の処理液供給ノズルに、前記第2の処理液として帯電防止洗浄液を供給する帯電防止洗浄液供給手段と、
を備え、
前記基板上に、前記第1の処理液供給ノズルから前記現像停止液を供給した後に、前記第2の処理液供給ノズルから前記帯電防止洗浄液を供給する、基板処理装置。 - 請求項1記載の基板処理装置であって、
前記現像停止液は、純水である、基板処理装置。 - 請求項1又は請求項2記載の基板処理装置であって、
前記帯電防止洗浄液は、気泡を発生させない程度の濃度で、イオンが溶解した液である、基板処理装置。 - 現像処理後の基板の主面に処理液を供給する基板処理方法であって、
現像処理後の前記基板に現像停止液を供給した後、前記基板に帯電防止洗浄液を供給する、基板処理方法。 - 請求項4記載の基板処理方法であって、
前記現像停止液は、純水である、基板処理方法。 - 請求項4又は請求項5記載の基板処理方法であって、
前記帯電防止洗浄液は、気泡を発生させない程度の濃度で、イオンが溶解した液である、基板処理方法。
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