JPH0766163A - スピンスクラバー装置 - Google Patents
スピンスクラバー装置Info
- Publication number
- JPH0766163A JPH0766163A JP21539193A JP21539193A JPH0766163A JP H0766163 A JPH0766163 A JP H0766163A JP 21539193 A JP21539193 A JP 21539193A JP 21539193 A JP21539193 A JP 21539193A JP H0766163 A JPH0766163 A JP H0766163A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ultrapure water
- cleaning
- static electricity
- time
- jetted
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 洗浄時に発生する静電気を洗浄効果を落とす
ことなく除去する。 【構成】 超純水の噴射と同時に正電荷のイオンを噴射
する手段１０を備える。 【効果】 試料表面の塵埃除去効果を落とすことなく、
洗浄時に発生する静電気を除去し、静電破壊を防ぐ。
ことなく除去する。 【構成】 超純水の噴射と同時に正電荷のイオンを噴射
する手段１０を備える。 【効果】 試料表面の塵埃除去効果を落とすことなく、
洗浄時に発生する静電気を除去し、静電破壊を防ぐ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置、特にス
ピンスクラバー装置に関する。
ピンスクラバー装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体製造において超音波によっ
て振動させた超純水を半導体基板に噴射させることによ
り、半導体基板表面に付着した微小なゴミを除去するス
ピンスクラバー装置が用いられている。
て振動させた超純水を半導体基板に噴射させることによ
り、半導体基板表面に付着した微小なゴミを除去するス
ピンスクラバー装置が用いられている。
【０００３】しかし、このスピンスクラバー装置におい
て噴射された絶縁物である超純水と絶縁膜に覆われた半
導体基板が衝突あるいは擦過することにより、静電気が
発生し、その静電気により、半導体基板表面に形成され
た絶縁膜を突き破る静電気破壊が起こり、製品歩留りを
下げる問題点があった。例えばＭＯＳトランジスタ等の
製造においては、ゲート絶縁膜の静電破壊が起こる。
又、洗浄する半導体基板が帯電することによる集塵作用
により、浮遊する塵埃を付着するおそれがあり、これも
製品歩留りを低下する原因となる。
て噴射された絶縁物である超純水と絶縁膜に覆われた半
導体基板が衝突あるいは擦過することにより、静電気が
発生し、その静電気により、半導体基板表面に形成され
た絶縁膜を突き破る静電気破壊が起こり、製品歩留りを
下げる問題点があった。例えばＭＯＳトランジスタ等の
製造においては、ゲート絶縁膜の静電破壊が起こる。
又、洗浄する半導体基板が帯電することによる集塵作用
により、浮遊する塵埃を付着するおそれがあり、これも
製品歩留りを低下する原因となる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上の点に
鑑み、洗浄時に発生する静電気を洗浄効果を落とすこと
なく除去し、よって半導体基板上に形成された絶縁膜等
の静電破壊を防ぐ、あるいは、半導体基板の帯電による
集塵を防止するスピンスクラバー装置を提供することを
目的とする。
鑑み、洗浄時に発生する静電気を洗浄効果を落とすこと
なく除去し、よって半導体基板上に形成された絶縁膜等
の静電破壊を防ぐ、あるいは、半導体基板の帯電による
集塵を防止するスピンスクラバー装置を提供することを
目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、超音波によっ
て振動させた超純水を半導体基板等の試料に噴射させる
際、正電荷のイオン雰囲気を同時に噴射させることによ
って、洗浄時に発生する静電気を除去することを特徴と
する。
て振動させた超純水を半導体基板等の試料に噴射させる
際、正電荷のイオン雰囲気を同時に噴射させることによ
って、洗浄時に発生する静電気を除去することを特徴と
する。
【０００６】
【作用】洗浄時に発生する（負電荷を持つ）静電気に、
（正電荷を持つ）イオン化エアーを噴射させることによ
り、半導体基板にかかる静電気を防ぐことができる。
（正電荷を持つ）イオン化エアーを噴射させることによ
り、半導体基板にかかる静電気を防ぐことができる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照して説
明する。図１は、本発明の実施例によるスピンスクラバ
ー装置の概略構成図である。図１に示すようにステージ
１上に載置された半導体ウェハー２はステージ１ととも
に回転するようになっている。そして、このステージ１
の上方には超純水供給手段８が設けられている。この超
純水供給手段８には超音波発振器５によって超音波振動
が与えられる振動板３が具備されるとともに、超純水４
を供給するための管９が備えられている。
明する。図１は、本発明の実施例によるスピンスクラバ
ー装置の概略構成図である。図１に示すようにステージ
１上に載置された半導体ウェハー２はステージ１ととも
に回転するようになっている。そして、このステージ１
の上方には超純水供給手段８が設けられている。この超
純水供給手段８には超音波発振器５によって超音波振動
が与えられる振動板３が具備されるとともに、超純水４
を供給するための管９が備えられている。
【０００８】前記半導体ウェハー２に前記振動板（超音
波）３によって振動させた超純水６を噴射させることに
より、半導体ウェハー２表面に存在するゴミを除去す
る。そして、この実施例においては洗浄時、超純水供給
手段８と別に設けられたイオン化エアー供給手段１０か
らエアー７を同時に噴射させている。洗浄時に発生する
のは通常負電荷に帯電した静電気であるため、前記イオ
ン化エアーは正電荷に帯電したものである。又、図２に
示すようにイオン化エアー供給手段１０ａを超純水供給
手段８と一体化し、イオン化エアー７を振動された超純
水６に混入するようにしても静電気を除去する効果は変
らない。又、イオン化エアーをイオン化した窒素、アル
ゴンなどの不活性ガスにしても除電効果は変らない。
波）３によって振動させた超純水６を噴射させることに
より、半導体ウェハー２表面に存在するゴミを除去す
る。そして、この実施例においては洗浄時、超純水供給
手段８と別に設けられたイオン化エアー供給手段１０か
らエアー７を同時に噴射させている。洗浄時に発生する
のは通常負電荷に帯電した静電気であるため、前記イオ
ン化エアーは正電荷に帯電したものである。又、図２に
示すようにイオン化エアー供給手段１０ａを超純水供給
手段８と一体化し、イオン化エアー７を振動された超純
水６に混入するようにしても静電気を除去する効果は変
らない。又、イオン化エアーをイオン化した窒素、アル
ゴンなどの不活性ガスにしても除電効果は変らない。
【０００９】前述した本発明の実施例装置によって、酸
化膜（絶縁膜）：１０００オングストロームに覆われた
半導体ウェハーを洗浄し、その表面を静電気測定器で測
定すると±０Ｖと半導体ウェハーに帯電した負電荷は全
て除去できるとともに、塵埃除去効果は従来の場合とほ
とんど変らなかった。
化膜（絶縁膜）：１０００オングストロームに覆われた
半導体ウェハーを洗浄し、その表面を静電気測定器で測
定すると±０Ｖと半導体ウェハーに帯電した負電荷は全
て除去できるとともに、塵埃除去効果は従来の場合とほ
とんど変らなかった。
【００１０】又、比較例として従来のウェハー表面洗浄
装置で洗浄した半導体ウェハー表面の静電気を測定した
所−３０００Ｖ〜−４０００Ｖと帯電しており、本発明
の実施例による効果が確認された。
装置で洗浄した半導体ウェハー表面の静電気を測定した
所−３０００Ｖ〜−４０００Ｖと帯電しており、本発明
の実施例による効果が確認された。
【００１１】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば半導体
基板等の試料の表面の塵埃除去効果を落とすることな
く、洗浄時に発生する静電気を除去し、静電破壊を防ぐ
スピンスクラバー装置を得ることができる。
基板等の試料の表面の塵埃除去効果を落とすることな
く、洗浄時に発生する静電気を除去し、静電破壊を防ぐ
スピンスクラバー装置を得ることができる。
【図１】 本発明の一実施例に係わるスピンスクラバー
の構造を示す図面。
の構造を示す図面。
【図２】 他の実施例に係わる構造を示す図面。
１…ステージ ２…半導体ウェハー ３…振動板 ４…
超純水 ５…超音波発振器 ６…超音波によって振動さ
せられた超純水 ７…イオン化エアー
超純水 ５…超音波発振器 ６…超音波によって振動さ
せられた超純水 ７…イオン化エアー
Claims (1)
- 【請求項１】超音波により振動させた超純水を噴射する
ノズルと、試料を載置するとともに回転せしめるステー
ジとを備えた表面洗浄装置において、前記ノズルから超
純水を噴射するのと同時にイオンを噴射するイオン供給
手段を具備したことを特徴とするスピンスクラバー装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21539193A JPH0766163A (ja) | 1993-08-31 | 1993-08-31 | スピンスクラバー装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21539193A JPH0766163A (ja) | 1993-08-31 | 1993-08-31 | スピンスクラバー装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0766163A true JPH0766163A (ja) | 1995-03-10 |
Family
ID=16671542
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21539193A Pending JPH0766163A (ja) | 1993-08-31 | 1993-08-31 | スピンスクラバー装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0766163A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100044738A1 (en) * | 2007-04-20 | 2010-02-25 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Preparation of organic light emitting diodes by a vapour deposition method combined with vacuum lamination |
| CN113506725A (zh) * | 2021-09-13 | 2021-10-15 | 广州粤芯半导体技术有限公司 | 晶圆清洗方法及半导体器件的制造方法 |
-
1993
- 1993-08-31 JP JP21539193A patent/JPH0766163A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100044738A1 (en) * | 2007-04-20 | 2010-02-25 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Preparation of organic light emitting diodes by a vapour deposition method combined with vacuum lamination |
| CN113506725A (zh) * | 2021-09-13 | 2021-10-15 | 广州粤芯半导体技术有限公司 | 晶圆清洗方法及半导体器件的制造方法 |
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