JPH06232103A - 洗浄方法 - Google Patents
洗浄方法Info
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- JPH06232103A JPH06232103A JP1445793A JP1445793A JPH06232103A JP H06232103 A JPH06232103 A JP H06232103A JP 1445793 A JP1445793 A JP 1445793A JP 1445793 A JP1445793 A JP 1445793A JP H06232103 A JPH06232103 A JP H06232103A
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- cleaned
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 洗浄方法に関し、Ａｌからなる配線など、半
導体装置の諸部分を損傷することなく、しかも、充分な
パーティクルの除去を行うことを可能にする。 【構成】 溶質７内に於いて被洗浄物である半導体ウエ
ハ８を相対向する電極３と電極４との間に配置し且つ電
極３と電極４との間に電源６から交流電圧を印加するこ
とで半導体ウエハ８に交流電界を加えてパーティクルの
静電気を除去すると共に振動容器２内の発振回路及び振
動子を動作させて超音波洗浄するようにしている。
導体装置の諸部分を損傷することなく、しかも、充分な
パーティクルの除去を行うことを可能にする。 【構成】 溶質７内に於いて被洗浄物である半導体ウエ
ハ８を相対向する電極３と電極４との間に配置し且つ電
極３と電極４との間に電源６から交流電圧を印加するこ
とで半導体ウエハ８に交流電界を加えてパーティクルの
静電気を除去すると共に振動容器２内の発振回路及び振
動子を動作させて超音波洗浄するようにしている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体装置を製
造する工程中に行われる洗浄に適用して有効な洗浄方法
に関する。
造する工程中に行われる洗浄に適用して有効な洗浄方法
に関する。
【０００２】一般に、半導体装置を製造する場合、ウエ
ハ表面のカーボンや二酸化シリコンなどの粉、所謂、パ
ーティクルを除去することは、良品を得る上で重要なこ
とであるが、半導体装置を構成する材料が多岐に亙る
為、その洗浄は簡単ではなく、未だ充分な洗浄を行うこ
とができない状態である。
ハ表面のカーボンや二酸化シリコンなどの粉、所謂、パ
ーティクルを除去することは、良品を得る上で重要なこ
とであるが、半導体装置を構成する材料が多岐に亙る
為、その洗浄は簡単ではなく、未だ充分な洗浄を行うこ
とができない状態である。
【０００３】
【従来の技術】通常、半導体装置は製造途中で洗浄する
ことが必要であり、その場合、パーティクルを除去する
旨の目的を達成できる観点だけから洗浄剤を選択するわ
けにはゆかない。
ことが必要であり、その場合、パーティクルを除去する
旨の目的を達成できる観点だけから洗浄剤を選択するわ
けにはゆかない。
【０００４】図４は従来の技術を解説するのに必要な製
造工程要所に於ける半導体装置を表す要部切断側面図で
ある。図に於いて、２１はＳｉ基板、２２はＳｉ能動
層、２３は層間絶縁膜、２４はＡｌからなる配線をそれ
ぞれ示している。
造工程要所に於ける半導体装置を表す要部切断側面図で
ある。図に於いて、２１はＳｉ基板、２２はＳｉ能動
層、２３は層間絶縁膜、２４はＡｌからなる配線をそれ
ぞれ示している。
【０００５】このようなウエハには、勿論、パーティク
ルが被着しているので、洗浄・除去しなければならない
が、Ａｌからなる配線２４が形成された状態のウエハで
は、強酸や強アルカリの洗浄液を用いることはできな
い。
ルが被着しているので、洗浄・除去しなければならない
が、Ａｌからなる配線２４が形成された状態のウエハで
は、強酸や強アルカリの洗浄液を用いることはできな
い。
【０００６】そこで、従来の技術では、例えばウエハを
純水に浸漬して超音波洗浄を行ったり、スクラバ装置を
用いてウエハの表面に純水を供給しながら払拭すること
でパーティクルを除去している。
純水に浸漬して超音波洗浄を行ったり、スクラバ装置を
用いてウエハの表面に純水を供給しながら払拭すること
でパーティクルを除去している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】前記したように、ウエ
ハを純水に浸漬して超音波洗浄を行ったり、或いは、ス
クラバ装置を用いてウエハの表面に純水を供給しながら
払拭するなどの従来の技術では、パーティクルの除去を
充分に行うことはできない。
ハを純水に浸漬して超音波洗浄を行ったり、或いは、ス
クラバ装置を用いてウエハの表面に純水を供給しながら
払拭するなどの従来の技術では、パーティクルの除去を
充分に行うことはできない。
【０００８】本発明は、Ａｌからなる配線など、半導体
装置の諸部分を損傷することなく、しかも、充分なパー
ティクルの除去を行うことを可能にする。
装置の諸部分を損傷することなく、しかも、充分なパー
ティクルの除去を行うことを可能にする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】一般に、半導体装置に於
けるパーティクルは、静電気に依って吸着されているこ
とが多いので、本発明では、その静電気を除去すると共
に洗浄を行うことが基本になっている。
けるパーティクルは、静電気に依って吸着されているこ
とが多いので、本発明では、その静電気を除去すると共
に洗浄を行うことが基本になっている。
【００１０】このようなことから、本発明に依る洗浄方
法に於いては、 （１）溶質（例えば溶質７）内に於いて被洗浄物（例え
ば半導体ウエハ８）を相対向する電極（例えば電極３及
び電極４）間に配置し且つ前記各電極の間に交流電圧
（例えば電源６からの交流電圧）を印加することで被洗
浄物に交流電界を加えて静電気を除去すると共に超音波
洗浄（例えば振動容器２内の発振回路に電源５から電力
を加えて振動子を振動させて超音波を発生させる）する
ことを特徴とするか、或いは、
法に於いては、 （１）溶質（例えば溶質７）内に於いて被洗浄物（例え
ば半導体ウエハ８）を相対向する電極（例えば電極３及
び電極４）間に配置し且つ前記各電極の間に交流電圧
（例えば電源６からの交流電圧）を印加することで被洗
浄物に交流電界を加えて静電気を除去すると共に超音波
洗浄（例えば振動容器２内の発振回路に電源５から電力
を加えて振動子を振動させて超音波を発生させる）する
ことを特徴とするか、或いは、
【００１１】（２）被洗浄物（例えば半導体ウエハ１
７）を相対向する電極（例えば電極１３）及びスクラバ
（例えばスクラバ１４）間に配置し且つ前記電極とスク
ラバとの間に交流電圧（例えば電源１６からの交流電
圧）を印加することで被洗浄物に交流電界を加えて静電
気を除去すると共にブラシ（例えばブラシ１４Ａ）を回
転させながら移動するスクラバから被洗浄物表面に溶質
を供給しつつ前記ブラシで払拭して洗浄することを特徴
とするか、或いは、
７）を相対向する電極（例えば電極１３）及びスクラバ
（例えばスクラバ１４）間に配置し且つ前記電極とスク
ラバとの間に交流電圧（例えば電源１６からの交流電
圧）を印加することで被洗浄物に交流電界を加えて静電
気を除去すると共にブラシ（例えばブラシ１４Ａ）を回
転させながら移動するスクラバから被洗浄物表面に溶質
を供給しつつ前記ブラシで払拭して洗浄することを特徴
とするか、或いは、
【００１２】（３）前記（２）に於いて、溶質に超音波
を伝えて超音波洗浄（例えば振動容器１２内の発振回路
に電源１５から電力を加えて振動子を振動させて超音波
を発生させる）を併用することを特徴とするか、或い
は、
を伝えて超音波洗浄（例えば振動容器１２内の発振回路
に電源１５から電力を加えて振動子を振動させて超音波
を発生させる）を併用することを特徴とするか、或い
は、
【００１３】（４）前記（１）或いは（３）に於いて、
超音波洗浄の振動周波数ｆV と静電気を除去する為の交
流電圧に於ける周波数ｆe との関係をｆV ＞ｆe とする
ことを特徴とするか、或いは、
超音波洗浄の振動周波数ｆV と静電気を除去する為の交
流電圧に於ける周波数ｆe との関係をｆV ＞ｆe とする
ことを特徴とするか、或いは、
【００１４】（５）前記（１）或いは（２）或いは
（３）或いは（４）に於いて、溶質が電解質であること
を特徴とする。
（３）或いは（４）に於いて、溶質が電解質であること
を特徴とする。
【００１５】
【作用】前記手段を採ることに依り、被洗浄物上のパー
ティクルは静電気に依る帯電がなくなるので、簡単且つ
容易に除去することができ、しかも、被洗浄物が製造途
中の半導体装置などである場合にも、Ａｌ配線などの諸
部分が損傷されることは皆無である。
ティクルは静電気に依る帯電がなくなるので、簡単且つ
容易に除去することができ、しかも、被洗浄物が製造途
中の半導体装置などである場合にも、Ａｌ配線などの諸
部分が損傷されることは皆無である。
【００１６】
【実施例】図１は本発明の第一実施例を解説する為の超
音波洗浄装置を表す要部切断説明図である。図に於い
て、１は洗浄容器、２は発振回路並びに振動子を内蔵し
た振動容器、３及び４は電極、５及び６は電源、７は溶
質、８は半導体ウエハをそれぞれ示している。
音波洗浄装置を表す要部切断説明図である。図に於い
て、１は洗浄容器、２は発振回路並びに振動子を内蔵し
た振動容器、３及び４は電極、５及び６は電源、７は溶
質、８は半導体ウエハをそれぞれ示している。
【００１７】振動容器２内には、フェライト振動子や圧
電セラミック振動子などの振動子及び振動子を駆動する
トランジスタ発振回路やサイリスタ発振回路などの発振
回路が設置されている。
電セラミック振動子などの振動子及び振動子を駆動する
トランジスタ発振回路やサイリスタ発振回路などの発振
回路が設置されている。
【００１８】電極３及び４間には、電源６から交流電力
が供給され、その交流電界は半導体ウエハ８に加わり、
その静電気を除去する働きをする。電源５は振動容器２
に内蔵された発振回路に電力を供給して発振させるよう
動作する。
が供給され、その交流電界は半導体ウエハ８に加わり、
その静電気を除去する働きをする。電源５は振動容器２
に内蔵された発振回路に電力を供給して発振させるよう
動作する。
【００１９】溶質７は電解質にすると電流を流すことが
できるので、パーティクルの除去効果を向上させること
が可能であり、そして、電解質としては、ＨＣｌ，ＮＨ
4 ＯＨ，Ｈ2 ＳＯ4 などを用いれば良いが、被洗浄物で
ある例えば半導体装置が損傷されないようにする必要が
あり、若し、その虞がある場合は純水を用いた方が良
い。
できるので、パーティクルの除去効果を向上させること
が可能であり、そして、電解質としては、ＨＣｌ，ＮＨ
4 ＯＨ，Ｈ2 ＳＯ4 などを用いれば良いが、被洗浄物で
ある例えば半導体装置が損傷されないようにする必要が
あり、若し、その虞がある場合は純水を用いた方が良
い。
【００２０】この超音波洗浄装置に於いては、電極３と
電極４との間に加える交流電圧の実効電圧は３〔Ｖ〕、
交流電圧の周波数は２５〔ｋＨｚ〕であり、振動子の振
動数は１００〔ｋＨｚ〕、パワーは３５０〔Ｗ〕であ
る。尚、交流電圧の周波数ｆeと振動子の振動周波数ｆ
V との間に、ｆV ＞ｆe 、の条件を維持するとパーティ
クルの静電気を効率良く除去することができる。
電極４との間に加える交流電圧の実効電圧は３〔Ｖ〕、
交流電圧の周波数は２５〔ｋＨｚ〕であり、振動子の振
動数は１００〔ｋＨｚ〕、パワーは３５０〔Ｗ〕であ
る。尚、交流電圧の周波数ｆeと振動子の振動周波数ｆ
V との間に、ｆV ＞ｆe 、の条件を維持するとパーティ
クルの静電気を効率良く除去することができる。
【００２１】パワー密度が同じであれば、振動子の振動
周波数は小さい方が洗浄効果が大きいので、５０〔ｋＨ
ｚ〕程度にすることは良いが、超音波洗浄では広い周波
数範囲に亙って白色雑音が発生することが知られ、ま
た、基本周波数の半分の周波数に強いピークが現れるこ
とがあるので、周波数を４０〔ｋＨｚ〕以下にすると、
可聴音が発生して作業者に不快感を与えることになる。
周波数は小さい方が洗浄効果が大きいので、５０〔ｋＨ
ｚ〕程度にすることは良いが、超音波洗浄では広い周波
数範囲に亙って白色雑音が発生することが知られ、ま
た、基本周波数の半分の周波数に強いピークが現れるこ
とがあるので、周波数を４０〔ｋＨｚ〕以下にすると、
可聴音が発生して作業者に不快感を与えることになる。
【００２２】さて、直径約１０〔ｃｍ〕（４〔イン
チ〕）の半導体ウエハ８をウエット酸化することで厚さ
１〔μｍ〕の二酸化シリコン膜を形成し、次いで、プラ
ズマ・エッチング装置を用い、ＣＦ4 ／ＣＨＦ2 の雰囲
気内で１〔秒〕間のプラズマ処理を行って試料を作成
し、この試料を図１について説明した超音波洗浄装置に
依って洗浄を行ったところ、後に従来の技術と比較した
データを示すが、極めて良好な結果が得られた。
チ〕）の半導体ウエハ８をウエット酸化することで厚さ
１〔μｍ〕の二酸化シリコン膜を形成し、次いで、プラ
ズマ・エッチング装置を用い、ＣＦ4 ／ＣＨＦ2 の雰囲
気内で１〔秒〕間のプラズマ処理を行って試料を作成
し、この試料を図１について説明した超音波洗浄装置に
依って洗浄を行ったところ、後に従来の技術と比較した
データを示すが、極めて良好な結果が得られた。
【００２３】図２は本発明の第二実施例を解説する為の
スクラバ装置を表す要部切断説明図であり、図１に於い
て用いた記号と同記号は同部分を表すか或いは同じ意味
を持つものとする。図に於いて、１１は洗浄容器、１１
Ａは排水口、１２は発振回路並びに振動子を内蔵した振
動容器、１３は電極、１４はスクラバ、１５及び１６は
電源、１７は半導体ウエハをそれぞれ示している。
スクラバ装置を表す要部切断説明図であり、図１に於い
て用いた記号と同記号は同部分を表すか或いは同じ意味
を持つものとする。図に於いて、１１は洗浄容器、１１
Ａは排水口、１２は発振回路並びに振動子を内蔵した振
動容器、１３は電極、１４はスクラバ、１５及び１６は
電源、１７は半導体ウエハをそれぞれ示している。
【００２４】振動容器１２内には、フェライト振動子や
圧電セラミック振動子などの振動子及び振動子を駆動す
るトランジスタ発振回路やサイリスタ発振回路などの発
振回路が設置されている。
圧電セラミック振動子などの振動子及び振動子を駆動す
るトランジスタ発振回路やサイリスタ発振回路などの発
振回路が設置されている。
【００２５】電源１５は、振動容器１２に内蔵された発
振回路に電力を供給して発振させ、振動子に超音波を発
生させるのであるが、本実施例では、スクラバ１４から
供給される溶質の量如何に依って、超音波を発生させて
も、それ程の効果は得られない場合もあるから、前記振
動子や振動回路は動作を停止しておくか、或いは、それ
等を設けなくても良い。
振回路に電力を供給して発振させ、振動子に超音波を発
生させるのであるが、本実施例では、スクラバ１４から
供給される溶質の量如何に依って、超音波を発生させて
も、それ程の効果は得られない場合もあるから、前記振
動子や振動回路は動作を停止しておくか、或いは、それ
等を設けなくても良い。
【００２６】スクラバ１４は柔軟な導電体からなるブラ
シ１４Ａを有し、半導体ウエハ１７の表面上をブラシ１
４Ａを回転させて払拭しながら移動すると共に溶質を供
給してパーティクルの除去を行うのであるが、本実施例
では、これに加えブラシ１４Ａに第一実施例で説明した
電極４の役目もさせることで静電気の除去を行ってい
る。
シ１４Ａを有し、半導体ウエハ１７の表面上をブラシ１
４Ａを回転させて払拭しながら移動すると共に溶質を供
給してパーティクルの除去を行うのであるが、本実施例
では、これに加えブラシ１４Ａに第一実施例で説明した
電極４の役目もさせることで静電気の除去を行ってい
る。
【００２７】即ち、電極１３及びスクラバ１４間には、
電源１６から交流電圧が印加され、それに依る交流電界
が半導体ウエハ１７に加わり、その静電気を除去するよ
うにしている。
電源１６から交流電圧が印加され、それに依る交流電界
が半導体ウエハ１７に加わり、その静電気を除去するよ
うにしている。
【００２８】本実施例に於いて、スクラバ１４から供給
する溶質は純水でも良いが、電解質にするとパーティク
ルの除去効果は向上する。
する溶質は純水でも良いが、電解質にするとパーティク
ルの除去効果は向上する。
【００２９】このスクラバ装置に於いては、電極１３及
びスクラバ１４間に加える実効電圧は３〔Ｖ〕、交流周
波数は２５〔ｋＨｚ〕であり、振動子の振動数は１００
〔ｋＨｚ〕、パワーは３５０〔Ｗ〕である。
びスクラバ１４間に加える実効電圧は３〔Ｖ〕、交流周
波数は２５〔ｋＨｚ〕であり、振動子の振動数は１００
〔ｋＨｚ〕、パワーは３５０〔Ｗ〕である。
【００３０】ここで、第一実施例と全く同じ試料を作成
し、この試料を図２について説明したスクラバ装置に依
って洗浄を行ったところ、後に従来の技術と比較したデ
ータを示すが、極めて良好な結果が得られた。
し、この試料を図２について説明したスクラバ装置に依
って洗浄を行ったところ、後に従来の技術と比較したデ
ータを示すが、極めて良好な結果が得られた。
【００３１】図３は第一実施例、第二実施例、従来の技
術に依って洗浄を行った結果を表すデータである。ここ
で、従来の技術は、超音波洗浄のみを実施したものであ
る。
術に依って洗浄を行った結果を表すデータである。ここ
で、従来の技術は、超音波洗浄のみを実施したものであ
る。
【００３２】Ｓ，Ｍ，Ｌはパーティクルの粒径であり、
Ｓ＝０．２〔μｍ〕以上０．５〔μｍ〕以下、Ｍ＝０．
５〔μｍ〕を越え１．０〔μｍ〕未満、Ｌ＝１．０〔μ
ｍ〕以上を意味する。
Ｓ＝０．２〔μｍ〕以上０．５〔μｍ〕以下、Ｍ＝０．
５〔μｍ〕を越え１．０〔μｍ〕未満、Ｌ＝１．０〔μ
ｍ〕以上を意味する。
【００３３】粒径以外の各数値は、酸化膜が形成された
約１０〔cm〕（４〔インチ〕）径のウエハに於ける表面
のパーティクル数をウエハ１０枚について測定し、その
平均値を表したものであり、パーティクルの測定はパー
ティクル・カウンタ（ＷＭ３：キャノン製）を用いて行
った。
約１０〔cm〕（４〔インチ〕）径のウエハに於ける表面
のパーティクル数をウエハ１０枚について測定し、その
平均値を表したものであり、パーティクルの測定はパー
ティクル・カウンタ（ＷＭ３：キャノン製）を用いて行
った。
【００３４】図３からすると、全体的に見て、第二実施
例に依った場合が最良で、以下、第一実施例、従来の技
術の順になっていることが看取される。特に、パーティ
クルの粒径が小さいものについては、静電気を除去する
手段を採った場合、即ち、本発明に依った場合、際立っ
て良い結果が得られている。
例に依った場合が最良で、以下、第一実施例、従来の技
術の順になっていることが看取される。特に、パーティ
クルの粒径が小さいものについては、静電気を除去する
手段を採った場合、即ち、本発明に依った場合、際立っ
て良い結果が得られている。
【００３５】
【発明の効果】本発明に依る洗浄方法に於いては、被洗
浄物を相対向する電極間に配置し且つ各電極の間に交流
電圧を印加することで被洗浄物に交流電界を加えて静電
気を除去すると共に超音波洗浄したり、或いは、被洗浄
物を相対向する電極及びスクラバ間に配置し且つ電極と
スクラバとの間に交流電圧を印加することで被洗浄物に
交流電界を加えて静電気を除去すると共にブラシを回転
させながら移動するスクラバから被洗浄物表面に溶質を
供給しつつブラシで払拭して洗浄する。
浄物を相対向する電極間に配置し且つ各電極の間に交流
電圧を印加することで被洗浄物に交流電界を加えて静電
気を除去すると共に超音波洗浄したり、或いは、被洗浄
物を相対向する電極及びスクラバ間に配置し且つ電極と
スクラバとの間に交流電圧を印加することで被洗浄物に
交流電界を加えて静電気を除去すると共にブラシを回転
させながら移動するスクラバから被洗浄物表面に溶質を
供給しつつブラシで払拭して洗浄する。
【００３６】前記構成を採ることに依り、被洗浄物上の
パーティクルは静電気に依る帯電がなくなるので、簡単
且つ容易に除去することができ、しかも、被洗浄物が製
造途中の半導体装置などである場合にも、Ａｌ配線など
の諸部分が損傷されることは皆無である。
パーティクルは静電気に依る帯電がなくなるので、簡単
且つ容易に除去することができ、しかも、被洗浄物が製
造途中の半導体装置などである場合にも、Ａｌ配線など
の諸部分が損傷されることは皆無である。
【図１】本発明の第一実施例を解説する為の超音波洗浄
装置を表す要部切断説明図である。
装置を表す要部切断説明図である。
【図２】本発明の第二実施例を解説する為のスクラバ装
置を表す要部切断説明図である。
置を表す要部切断説明図である。
【図３】第一実施例、第二実施例、従来の技術に依って
洗浄を行った結果を表すデータである。
洗浄を行った結果を表すデータである。
【図４】従来の技術を解説するのに必要な製造工程要所
に於ける半導体装置を表す要部切断側面図である。
に於ける半導体装置を表す要部切断側面図である。
１ 洗浄容器 ２ 発振回路並びに振動子を内蔵した振動容器 ３ 電極 ４ 電極 ５ 電源 ６ 電源 ７ 溶質 ８ 半導体ウエハ １１ 洗浄容器 １１Ａ 排水口 １２ 発振回路並びに振動子を内蔵した振動容器 １３ 電極 １４ スクラバ １５ 電源 １６ 電源 １７ 半導体ウエハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮田 典幸 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】溶質内に於いて被洗浄物を相対向する電極
間に配置し且つ前記各電極の間に交流電圧を印加するこ
とで被洗浄物に交流電界を加えて静電気を除去すると共
に超音波洗浄することを特徴とする洗浄方法。 - 【請求項２】被洗浄物を相対向する電極及びスクラバ間
に配置し且つ前記電極とスクラバとの間に交流電圧を印
加することで被洗浄物に交流電界を加えて静電気を除去
すると共にブラシを回転させながら移動するスクラバか
ら被洗浄物表面に溶質を供給しつつ前記ブラシで払拭し
て洗浄することを特徴とする洗浄方法。 - 【請求項３】溶質に超音波を伝えて超音波洗浄を併用す
ることを特徴とする請求項２記載の洗浄方法。 - 【請求項４】超音波洗浄の振動周波数ｆV と静電気を除
去する為の交流電圧に於ける周波数ｆe との関係をｆV
＞ｆe とすることを特徴とする請求項１或いは請求項３
記載の洗浄方法。 - 【請求項５】溶質が電解質であることを特徴とする請求
項１或いは請求項２或いは請求項３或いは請求項４記載
の洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1445793A JPH06232103A (ja) | 1993-02-01 | 1993-02-01 | 洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1445793A JPH06232103A (ja) | 1993-02-01 | 1993-02-01 | 洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06232103A true JPH06232103A (ja) | 1994-08-19 |
Family
ID=11861578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1445793A Withdrawn JPH06232103A (ja) | 1993-02-01 | 1993-02-01 | 洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06232103A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2008147233A (ja) * | 2006-12-06 | 2008-06-26 | Seiko Epson Corp | アクチュエータ装置の製造方法及び液体噴射ヘッド |
| JP2009503852A (ja) * | 2005-07-29 | 2009-01-29 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | ドライエッチプロセスを使用してアンダーバンプメタル層を効率的にパターニングする技術 |
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