JPH1062965A - フォトマスクの洗浄装置及びフォトマスクの洗浄方法 - Google Patents
フォトマスクの洗浄装置及びフォトマスクの洗浄方法Info
- Publication number
- JPH1062965A JPH1062965A JP22234496A JP22234496A JPH1062965A JP H1062965 A JPH1062965 A JP H1062965A JP 22234496 A JP22234496 A JP 22234496A JP 22234496 A JP22234496 A JP 22234496A JP H1062965 A JPH1062965 A JP H1062965A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning
- photomask
- ice
- water
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Cleaning In General (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】使用する薬品の危険性が高く、しかも強固に付
着した異物の除去が容易でない。 【解決手段】フォトマスクを、オゾン洗浄部１１とアイ
ススクライブ洗浄部１２と超音波洗浄部１３と温水引き
上げ乾燥部１４を有する洗浄装置により洗浄する。
着した異物の除去が容易でない。 【解決手段】フォトマスクを、オゾン洗浄部１１とアイ
ススクライブ洗浄部１２と超音波洗浄部１３と温水引き
上げ乾燥部１４を有する洗浄装置により洗浄する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトマスクの洗
浄装置及びフォトマスクの洗浄方法に関する。
浄装置及びフォトマスクの洗浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路のリソグラフィ工程に
は、フォトマスクを使用した密着露光法もしくは等倍・
縮少投影露光法が用いられるが、このフォトマスクの洗
浄方法としては、純水，酸，アルカリ性薬品などによる
湿式の洗浄方法や、回転ブラン，超音波などによる物理
力による洗浄方法があり、又乾燥方法としてはイソプロ
ピルアルコール（ＩＰＡ）などの有機溶剤による蒸気乾
燥が広く用いられている。
は、フォトマスクを使用した密着露光法もしくは等倍・
縮少投影露光法が用いられるが、このフォトマスクの洗
浄方法としては、純水，酸，アルカリ性薬品などによる
湿式の洗浄方法や、回転ブラン，超音波などによる物理
力による洗浄方法があり、又乾燥方法としてはイソプロ
ピルアルコール（ＩＰＡ）などの有機溶剤による蒸気乾
燥が広く用いられている。
【０００３】図３はサブミクロンサイズの異物除去を目
的としたフォトマスク洗浄方法の一例を示す工程図であ
る。まず、フォトマスクの表面の有機物除去を目的とし
て、硝酸，硫酸，硫酸と過酸化水素等による酸洗浄６を
行う。次に、純水によるリンス７Ａにより表面に付着し
た薬液を純水で置換する。次に、洗剤を使用したブラシ
スクラブ洗浄８により、付着力の強い表面異物を除去す
る。次に、純水による第２のリンス７Ｂにより表面に付
着した薬液を純水で置換する。次に、アンモニアと過酸
化水素等のアルカリ水溶液中でメガヘルツ周波数の超音
波洗浄３を行い、サブミクロンサイズの表面異物を除去
する。次に、第３のリンス７Ｃにより表面に付着した薬
液を純水で置換する。最後にイソプロピルアルコールの
蒸気中で乾燥９を行う。以上の工程にてフォトマスクを
洗浄した結果を図８に示す。この従来の洗浄方法により
０．５μｍサイズ以上の異物は完全に除去されているこ
とが分る。
的としたフォトマスク洗浄方法の一例を示す工程図であ
る。まず、フォトマスクの表面の有機物除去を目的とし
て、硝酸，硫酸，硫酸と過酸化水素等による酸洗浄６を
行う。次に、純水によるリンス７Ａにより表面に付着し
た薬液を純水で置換する。次に、洗剤を使用したブラシ
スクラブ洗浄８により、付着力の強い表面異物を除去す
る。次に、純水による第２のリンス７Ｂにより表面に付
着した薬液を純水で置換する。次に、アンモニアと過酸
化水素等のアルカリ水溶液中でメガヘルツ周波数の超音
波洗浄３を行い、サブミクロンサイズの表面異物を除去
する。次に、第３のリンス７Ｃにより表面に付着した薬
液を純水で置換する。最後にイソプロピルアルコールの
蒸気中で乾燥９を行う。以上の工程にてフォトマスクを
洗浄した結果を図８に示す。この従来の洗浄方法により
０．５μｍサイズ以上の異物は完全に除去されているこ
とが分る。
【０００４】又、特開平２−９６６号公報には薬品やブ
ラシを使用しないフォトマスク洗浄装置が記載されてい
る。この装置を用いた洗浄方法を図４に示す工程図によ
り説明する。まず、フォトマスク表面の有機物除去を目
的として、紫外線照射洗浄１６によりオゾンを発生さ
せ、表面の有機物を灰化する。次に、純水を使用したス
プレー式によるメガヘルツ周波数の超音波洗浄３Ａによ
り、表面異物を除去する。最後に、イソプロピルアルコ
ール又はフレオン等による有機溶剤蒸気乾燥１７を行う
ものである。
ラシを使用しないフォトマスク洗浄装置が記載されてい
る。この装置を用いた洗浄方法を図４に示す工程図によ
り説明する。まず、フォトマスク表面の有機物除去を目
的として、紫外線照射洗浄１６によりオゾンを発生さ
せ、表面の有機物を灰化する。次に、純水を使用したス
プレー式によるメガヘルツ周波数の超音波洗浄３Ａによ
り、表面異物を除去する。最後に、イソプロピルアルコ
ール又はフレオン等による有機溶剤蒸気乾燥１７を行う
ものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のフォトマスク洗
浄装置において、薬品による洗浄、乾燥を実施している
が、酸・アルカリ・有機溶剤等危険性が高い薬品を使用
する為、取り扱いや管理が厳しく制限されると同時に、
薬品の給廃液施設及び安全対策等が必要となり、装置の
規模が大きく高価なものとなるという欠点がある。ま
た、洗浄後の残留薬品がフォトマスク使用時に欠陥発生
の要因となる可能性もあった。
浄装置において、薬品による洗浄、乾燥を実施している
が、酸・アルカリ・有機溶剤等危険性が高い薬品を使用
する為、取り扱いや管理が厳しく制限されると同時に、
薬品の給廃液施設及び安全対策等が必要となり、装置の
規模が大きく高価なものとなるという欠点がある。ま
た、洗浄後の残留薬品がフォトマスク使用時に欠陥発生
の要因となる可能性もあった。
【０００６】又、ブラシスクラブ洗浄においては、物理
的に回転ブラシがフォトマスクに接触し擦れが起こる
為、経時的にブラシ材料が摩耗し微細な塵埃が発生す
る。従って、ブラシの管理及び調整を慎重に行う必要が
あった。
的に回転ブラシがフォトマスクに接触し擦れが起こる
為、経時的にブラシ材料が摩耗し微細な塵埃が発生す
る。従って、ブラシの管理及び調整を慎重に行う必要が
あった。
【０００７】更に特開平２−９６６号公報での洗浄装置
を用いる方法では、乾燥部に有機溶剤を使用しているた
め、薬品の給廃液施設及び安全対策が必要となる。又、
紫外線照射洗浄は、立体的な有機物に対しては有機物自
体が架橋反応を起こしてフォトマスク表面に強固に付着
したり、塩化物イオンが存在すると遮光膜がクロム膜の
場合、この膜がエッチングされる危険性がある。又、フ
ォトマスク表面に強固に付着した異物を除去する工程が
ないためフォトマスク表面が極端に汚染されている場合
の洗浄は困難である。
を用いる方法では、乾燥部に有機溶剤を使用しているた
め、薬品の給廃液施設及び安全対策が必要となる。又、
紫外線照射洗浄は、立体的な有機物に対しては有機物自
体が架橋反応を起こしてフォトマスク表面に強固に付着
したり、塩化物イオンが存在すると遮光膜がクロム膜の
場合、この膜がエッチングされる危険性がある。又、フ
ォトマスク表面に強固に付着した異物を除去する工程が
ないためフォトマスク表面が極端に汚染されている場合
の洗浄は困難である。
【０００８】本発明の目的は、危険性の高い薬品を使用
することがなく、しかも強固に付着した異物を容易に除
去することのできるフォトマスクの洗浄装置及びフォト
マスクの洗浄方法を提供することにある。
することがなく、しかも強固に付着した異物を容易に除
去することのできるフォトマスクの洗浄装置及びフォト
マスクの洗浄方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】第１の発明のフォトマス
クの洗浄装置は、オゾン水洗浄部とアイススクライブ洗
浄部と超音波洗浄部と温水引き上げ乾燥部とを有するこ
とを特徴とするものである。
クの洗浄装置は、オゾン水洗浄部とアイススクライブ洗
浄部と超音波洗浄部と温水引き上げ乾燥部とを有するこ
とを特徴とするものである。
【００１０】第２の発明のフォトマスクの洗浄方法は、
オゾン水中にフォトマスクを浸漬して洗浄する第１の工
程と、氷粒子を前記フォトマスク上に吹き付けて異物を
除去するアイススクライブ洗浄を行う第２の工程と、前
記フォトマスクを純水中に浸し超音波洗浄を行う第３の
工程と、前記フォトマスクを温水中に浸したのち引上げ
て乾燥させる第４の工程とを含むことを特徴とするもの
である。
オゾン水中にフォトマスクを浸漬して洗浄する第１の工
程と、氷粒子を前記フォトマスク上に吹き付けて異物を
除去するアイススクライブ洗浄を行う第２の工程と、前
記フォトマスクを純水中に浸し超音波洗浄を行う第３の
工程と、前記フォトマスクを温水中に浸したのち引上げ
て乾燥させる第４の工程とを含むことを特徴とするもの
である。
【００１１】
【発明の実施の形態】次に本発明について図面を参照し
て説明する。図１は本発明の第１の実施の形態を説明す
る為のフォトマスクの洗浄装置の構成図である。
て説明する。図１は本発明の第１の実施の形態を説明す
る為のフォトマスクの洗浄装置の構成図である。
【００１２】図１を参照すると洗浄装置は、ローダ１１
と、オゾン水を満した水槽を有するオゾン水洗浄部１１
と、アイススクライブ洗浄装置を有するアイススクライ
ブ洗浄部１２と、超音波洗浄部１３と、温水槽を有する
温水引き上げ乾燥部１４と、アンローダ１５とがフォト
マスクの流れに従って順次配置されて構成されている。
次に図２の工程図を併用して第２の実施の形態のフォト
マスクの洗浄方法について説明する。
と、オゾン水を満した水槽を有するオゾン水洗浄部１１
と、アイススクライブ洗浄装置を有するアイススクライ
ブ洗浄部１２と、超音波洗浄部１３と、温水槽を有する
温水引き上げ乾燥部１４と、アンローダ１５とがフォト
マスクの流れに従って順次配置されて構成されている。
次に図２の工程図を併用して第２の実施の形態のフォト
マスクの洗浄方法について説明する。
【００１３】まず、ローダ１０にセットされたフォトマ
スクをオゾン水槽中に順次送り、５〜１０分間浸してオ
ゾン水洗浄１を行う。オゾン水中では水酸基イオンによ
る塩基触媒反応により酸化力の強いヒドロキシラジカ
ル，ヒドロペリオキシラジカルが生成されているが、こ
の生成したラジカルと未溶解のオゾンとがフォトマスク
表面の有機物を酸化し、純水中に溶解させ除去する。
スクをオゾン水槽中に順次送り、５〜１０分間浸してオ
ゾン水洗浄１を行う。オゾン水中では水酸基イオンによ
る塩基触媒反応により酸化力の強いヒドロキシラジカ
ル，ヒドロペリオキシラジカルが生成されているが、こ
の生成したラジカルと未溶解のオゾンとがフォトマスク
表面の有機物を酸化し、純水中に溶解させ除去する。
【００１４】次に、このフォトマスクをアイススクライ
ブ洗浄部１２に送り、１〜５分間のアイススクライブ洗
浄２を行う。アイススクライブ洗浄装置は、図５の構成
図に示すように、液体窒素１０を用いて形成した冷気中
でスプレーノズル１９からの純水１８の蒸気を冷やして
０．１〜３０μｍの氷粒子２１として凍結させ、窒素２
２を用いた噴射ノズル２３によりその氷粒子２１を回転
させたフォトマスク２４に吹きつけることによって、表
面の汚れを水で濡らして凍結させ、更にこの凍結物に氷
粒子２１で衝撃を与えて強固に付着した異物を破砕する
ように構成されており、０．３μｍサイズ以上の粒子で
９５％の除去率がある。
ブ洗浄部１２に送り、１〜５分間のアイススクライブ洗
浄２を行う。アイススクライブ洗浄装置は、図５の構成
図に示すように、液体窒素１０を用いて形成した冷気中
でスプレーノズル１９からの純水１８の蒸気を冷やして
０．１〜３０μｍの氷粒子２１として凍結させ、窒素２
２を用いた噴射ノズル２３によりその氷粒子２１を回転
させたフォトマスク２４に吹きつけることによって、表
面の汚れを水で濡らして凍結させ、更にこの凍結物に氷
粒子２１で衝撃を与えて強固に付着した異物を破砕する
ように構成されており、０．３μｍサイズ以上の粒子で
９５％の除去率がある。
【００１５】次に、フォトマスクを超音波洗浄部１２に
送り、デップ式の超音波洗浄装置の純水中でメガヘルツ
周波数の超音波洗浄３を５〜１０分間行う。純水中に１
ＭＨz 近辺の周波数を発振させることにより、振動加速
度を発生させ、その強い作用力を汚れ粒子に与えてゆり
動かし、接触点の移動が起こっている間に純水分子が界
面を濡らし、粒子を剥脱していく。この洗浄はキャビテ
ーションが発生しないため、フォトマスクに対してダメ
ージを与えることなく、サブミクロンサイズの表面異物
を除去することが可能であり、０．３μｍサイズの粒子
で８０％の除去率がある。
送り、デップ式の超音波洗浄装置の純水中でメガヘルツ
周波数の超音波洗浄３を５〜１０分間行う。純水中に１
ＭＨz 近辺の周波数を発振させることにより、振動加速
度を発生させ、その強い作用力を汚れ粒子に与えてゆり
動かし、接触点の移動が起こっている間に純水分子が界
面を濡らし、粒子を剥脱していく。この洗浄はキャビテ
ーションが発生しないため、フォトマスクに対してダメ
ージを与えることなく、サブミクロンサイズの表面異物
を除去することが可能であり、０．３μｍサイズの粒子
で８０％の除去率がある。
【００１６】最後にフォトマスクを温水引き上げ乾燥部
１４に送り、温水引き上げ乾燥４を行う。フォトマスク
を約８０℃の超純水の温水に浸漬し、液面と垂直に引き
上げることによって、引き上げた表面を濡らす薄い水膜
は蒸発によって失われ乾燥する。次で乾燥したフォトマ
スクをアンローダ１５に収容する。
１４に送り、温水引き上げ乾燥４を行う。フォトマスク
を約８０℃の超純水の温水に浸漬し、液面と垂直に引き
上げることによって、引き上げた表面を濡らす薄い水膜
は蒸発によって失われ乾燥する。次で乾燥したフォトマ
スクをアンローダ１５に収容する。
【００１７】以上の工程にてフォトマスクを洗浄した結
果を図７に示す。図７に示したように実施の形態による
洗浄によっても０．５μｍサイズ以上の異物は完全に除
去され、０．３〜０．５μｍサイズのものも従来の洗浄
方法以上に除去されていることが分る。
果を図７に示す。図７に示したように実施の形態による
洗浄によっても０．５μｍサイズ以上の異物は完全に除
去され、０．３〜０．５μｍサイズのものも従来の洗浄
方法以上に除去されていることが分る。
【００１８】尚、上記実施の形態においては、デップ式
の超音波洗浄装置を用いたが、図６に示すスプレー式超
音波洗浄装置を用いてもよい。スプレー式超音波洗浄装
置は、スプレーヘッド２５中の超音波振動子２６により
導入した純水に１〜２ＭＨzの音波エネルギーを与え、
ノズル先端よりこの純水１８を加速度を伴って、フォト
マスク２４に衝突させるように構成されている。
の超音波洗浄装置を用いたが、図６に示すスプレー式超
音波洗浄装置を用いてもよい。スプレー式超音波洗浄装
置は、スプレーヘッド２５中の超音波振動子２６により
導入した純水に１〜２ＭＨzの音波エネルギーを与え、
ノズル先端よりこの純水１８を加速度を伴って、フォト
マスク２４に衝突させるように構成されている。
【００１９】スプレー式超音波洗浄は、表面から一旦剥
離した異物が再付着しないうちに速やかにフォトマスク
２４から洗い流すためディップ方式を利用した場合より
もサブミクロンサイズの異物に対する除去率が高く、か
つ、処理部分はスプレーなので、アイススクライブ洗浄
部１２と同じ場所で行えるので、装置の小型化が可能で
ある。
離した異物が再付着しないうちに速やかにフォトマスク
２４から洗い流すためディップ方式を利用した場合より
もサブミクロンサイズの異物に対する除去率が高く、か
つ、処理部分はスプレーなので、アイススクライブ洗浄
部１２と同じ場所で行えるので、装置の小型化が可能で
ある。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、オゾン水
洗浄により表面の有機物を除去する第１の工程とアイス
スクライブ洗浄により付着力の強い表面異物を除去する
第２の工程と純水を使用したメガヘルツ周波数の超音波
洗浄によりサブミクロンサイズの表面異物を除去する第
３の工程と温水引き上げで乾燥させる第４の工程を有す
る洗浄方法でフォトマスク洗浄を行うことにより、薬品
やブラシを使用することなく水のみを使用して洗浄でき
る為、安全性及び経済性が向上し、装置や使用液等の調
整及び管理の簡便化をはかることができる。しかもサブ
ミクロンサイズの異物に対して従来と同等以上の洗浄効
果を容易に得ることができる。
洗浄により表面の有機物を除去する第１の工程とアイス
スクライブ洗浄により付着力の強い表面異物を除去する
第２の工程と純水を使用したメガヘルツ周波数の超音波
洗浄によりサブミクロンサイズの表面異物を除去する第
３の工程と温水引き上げで乾燥させる第４の工程を有す
る洗浄方法でフォトマスク洗浄を行うことにより、薬品
やブラシを使用することなく水のみを使用して洗浄でき
る為、安全性及び経済性が向上し、装置や使用液等の調
整及び管理の簡便化をはかることができる。しかもサブ
ミクロンサイズの異物に対して従来と同等以上の洗浄効
果を容易に得ることができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態を説明する為のフォ
トマスク洗浄装置の構成図。
トマスク洗浄装置の構成図。
【図２】本発明の第２の実施の形態を説明する為の工程
図。
図。
【図３】従来のフォトマスクの洗浄方法を説明する為の
工程図。
工程図。
【図４】従来の他のフォトマスクの洗浄方法を説明する
為の工程図。
為の工程図。
【図５】実施の形態で用いられるアイススクライブ洗浄
装置の構成図。
装置の構成図。
【図６】実施の形態で用いられるスプレー式超音波洗浄
装置の構成図。
装置の構成図。
【図７】実施の形態による効果を説明する為の異物の除
去状態を示す図。
去状態を示す図。
【図８】従来例による効果を説明する為の異物の除去状
態を示す図。
態を示す図。
１ オゾン洗浄 ２ アイススクライブ洗浄 ３，３Ａ 超音波洗浄 ４ 温水引き上げ乾燥 ６ 酸洗浄 ７Ａ〜７Ｃ リンス ８ ブラシスクライブ洗浄 ９ ＩＰＡ乾燥 １０ ローダ １１ オゾン水洗浄部 １２ アイススクライブ洗浄部 １３ 超音波洗浄部 １４ 温水引き上げ乾燥部 １５ アンローダ １６ 紫外線照射洗浄 １７ 有機溶剤蒸気乾燥 １８ 純水 １９ スプレーノズル ２０ 液体窒素 ２１ 氷粒子 ２２ 窒素 ２３ 噴射ノズル ２４ フォトマスク
Claims (2)
- 【請求項１】 オゾン水洗浄部とアイススクライブ洗浄
部と超音波洗浄部と温水引き上げ乾燥部とを有すること
を特徴とするフォトマスクの洗浄装置。 - 【請求項２】 オゾン水中にフォトマスクを浸漬して洗
浄する第１の工程と、氷粒子を前記フォトマスク上に吹
き付けて異物を除去するアイススクライブ洗浄を行う第
２の工程と、前記フォトマスクを純水中に浸し超音波洗
浄を行う第３の工程と、前記フォトマスクを温水中に浸
したのち引上げて乾燥させる第４の工程とを含むことを
特徴とするフォトマスクの洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22234496A JPH1062965A (ja) | 1996-08-23 | 1996-08-23 | フォトマスクの洗浄装置及びフォトマスクの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22234496A JPH1062965A (ja) | 1996-08-23 | 1996-08-23 | フォトマスクの洗浄装置及びフォトマスクの洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1062965A true JPH1062965A (ja) | 1998-03-06 |
Family
ID=16780880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22234496A Pending JPH1062965A (ja) | 1996-08-23 | 1996-08-23 | フォトマスクの洗浄装置及びフォトマスクの洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1062965A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100456760B1 (ko) * | 2001-04-18 | 2004-11-10 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 포토마스크의 세정 방법 |
| JP2009122313A (ja) * | 2007-11-14 | 2009-06-04 | Dainippon Printing Co Ltd | マスク基板の洗浄方法 |
| JP2016505371A (ja) * | 2012-12-18 | 2016-02-25 | ポステック アカデミー‐インダストリー ファウンデーション | 高速粒子ビームを用いた液膜の除去方法 |
| CN110449398A (zh) * | 2019-07-02 | 2019-11-15 | 成都拓维高科光电科技有限公司 | 一种掩膜版精密再生工艺及其系统 |
| KR20230154493A (ko) * | 2022-05-02 | 2023-11-09 | 아레텍 주식회사 | 반도체 리소그래피용 포토 마스크에 이용되는 오존수를 이용한 스핀 세정방법 |
-
1996
- 1996-08-23 JP JP22234496A patent/JPH1062965A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100456760B1 (ko) * | 2001-04-18 | 2004-11-10 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 포토마스크의 세정 방법 |
| US7001470B2 (en) | 2001-04-18 | 2006-02-21 | Renesas Technology Corp. | Cleaning process for photomasks |
| JP2009122313A (ja) * | 2007-11-14 | 2009-06-04 | Dainippon Printing Co Ltd | マスク基板の洗浄方法 |
| JP2016505371A (ja) * | 2012-12-18 | 2016-02-25 | ポステック アカデミー‐インダストリー ファウンデーション | 高速粒子ビームを用いた液膜の除去方法 |
| CN110449398A (zh) * | 2019-07-02 | 2019-11-15 | 成都拓维高科光电科技有限公司 | 一种掩膜版精密再生工艺及其系统 |
| KR20230154493A (ko) * | 2022-05-02 | 2023-11-09 | 아레텍 주식회사 | 반도체 리소그래피용 포토 마스크에 이용되는 오존수를 이용한 스핀 세정방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3690619B2 (ja) | 洗浄方法及び洗浄装置 | |
| JP3939077B2 (ja) | 基板洗浄装置 | |
| TWI447799B (zh) | 基板洗淨方法及基板洗淨裝置 | |
| JP3185753B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3940742B2 (ja) | 洗浄方法 | |
| KR20020000201A (ko) | 레이저와 기상을 이용한 엘씨디 세정 방법 | |
| JP2006229198A (ja) | 紫外線内設洗浄器具のための方法および装置 | |
| US20070066071A1 (en) | Novel organic remover for advanced reticle contamination cleaning | |
| JPH1062965A (ja) | フォトマスクの洗浄装置及びフォトマスクの洗浄方法 | |
| JPH10116809A (ja) | 洗浄方法及び洗浄システム | |
| JPH02966A (ja) | レチクル洗浄装置 | |
| JP2001203182A (ja) | 物品表面の清浄化方法およびそのための清浄化装置 | |
| JPH04116928A (ja) | 半導体ウェハの洗浄方法 | |
| JP2777570B2 (ja) | 洗浄方法及び洗浄装置 | |
| JPH10189526A (ja) | レチクルの洗浄方法及びその装置 | |
| JP2002045806A (ja) | 洗浄装置 | |
| JP2002131891A (ja) | フォトマスクの洗浄方法およびそれに用いられる洗浄液 | |
| JPH08298253A (ja) | ペリクル膜の製造時に使用した基板の洗浄方法 | |
| JPH04281884A (ja) | 洗浄ブラシの洗浄方法 | |
| JP2003173999A (ja) | 半導体基板洗浄装置、半導体基板洗浄方法および半導体装置の製造方法 | |
| KR20020003411A (ko) | 레이저와 리모트 플라스마를 이용한 웨이퍼 세정 방법 | |
| JPH05259137A (ja) | マスク洗浄装置 | |
| JPH04199713A (ja) | ウェハ洗浄方法 | |
| CN115023790A (zh) | 基板清洗方法和装置 | |
| KR20020000206A (ko) | 레이저와 리모트 플라스마를 이용한 엘씨디 세정 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990831 |