JPH04199713A - ウェハ洗浄方法 - Google Patents
ウェハ洗浄方法Info
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- JPH04199713A JPH04199713A JP33470190A JP33470190A JPH04199713A JP H04199713 A JPH04199713 A JP H04199713A JP 33470190 A JP33470190 A JP 33470190A JP 33470190 A JP33470190 A JP 33470190A JP H04199713 A JPH04199713 A JP H04199713A
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- wafer
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- activating agent
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Links
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Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、半導体装置の製造工程で、ウェハを洗浄する
洗浄方法に関するものである。
洗浄方法に関するものである。
〈従来の技術〉
ＬＳＩの高集積化が進むにつれ、回路の線幅がサブミク
ロン領域になっている。このようなデバイスでは、微小
なダストの存在が、歩留りを大きく左右する。デバイス
製造工程において、ウェハに付着し尼ヲトについて、従
来からウェハの洗浄を行い、ダストの除去を行なってい
る。
ロン領域になっている。このようなデバイスでは、微小
なダストの存在が、歩留りを大きく左右する。デバイス
製造工程において、ウェハに付着し尼ヲトについて、従
来からウェハの洗浄を行い、ダストの除去を行なってい
る。
洗浄方法としては、ブラシにより基板表面を擦る洗浄方
法、超音波の高周波振動による洗浄方法、高圧ジェット
噴流を基板表面に当てる洗浄方法、あるいはこれらを組
み合わせた方法が知られている。
法、超音波の高周波振動による洗浄方法、高圧ジェット
噴流を基板表面に当てる洗浄方法、あるいはこれらを組
み合わせた方法が知られている。
〈発明が解決しようとする課題〉
しかしながら、一般に上記の洗浄方法のうち、ブラシに
より、ウェハ表面を擦る洗浄方法以外の方法では、ウェ
ハ表面に強固に付着したダス１を除去するのが困難であ
る。強固に付着したダストは、ウェハにブラシを複数回
擦ってやらないと除去できず、擦る回数を増やすと、ウ
ェハ表面に損傷を与えるという問題がある。
より、ウェハ表面を擦る洗浄方法以外の方法では、ウェ
ハ表面に強固に付着したダス１を除去するのが困難であ
る。強固に付着したダストは、ウェハにブラシを複数回
擦ってやらないと除去できず、擦る回数を増やすと、ウ
ェハ表面に損傷を与えるという問題がある。
それ故に、本発明は、上記の問題に対して、強固に付着
したダストを効率よく除去することができ、被洗浄体の
表面に損傷を与えることのない洗浄方法を提供すること
を目的とする。
したダストを効率よく除去することができ、被洗浄体の
表面に損傷を与えることのない洗浄方法を提供すること
を目的とする。
く課題を解決するための手段〉
本発明であるウェハ洗浄方法は、ブラシスクラブを行っ
ているときに、界面活性剤を含む洗浄腋をウェハーＬに
噴射することを特徴とする。
ているときに、界面活性剤を含む洗浄腋をウェハーＬに
噴射することを特徴とする。
く作 用〉
−１−記発明を用いることにより、半導体基板上に強固
に付着したダストに、界面活性剤を添加することにより
、基板とダストの吸着力が弱まり、少ない回数のブラシ
スクラブにより、ダクトが除去できる。
に付着したダストに、界面活性剤を添加することにより
、基板とダストの吸着力が弱まり、少ない回数のブラシ
スクラブにより、ダクトが除去できる。
〈実施例〉
以下、一実施例に基づいて本発明について詳細に説明す
る。
る。
第１図１ａ）乃至（ｃ）にブラシスクラブ洗浄工程図を
第２図にブラン走査回数と粒子除去率との関係図を示し
、以下の表にブランヌクラブ前後におけるウェハーにの
ダストの数と洗浄方法との関係を示す。
第２図にブラン走査回数と粒子除去率との関係図を示し
、以下の表にブランヌクラブ前後におけるウェハーにの
ダストの数と洗浄方法との関係を示す。
第１図に於いて、Ｉはウェハチャック、２はウェハ、３
はブラシ、４は純水ノズル、５は界面活性剤ノズルを示
す。
はブラシ、４は純水ノズル、５は界面活性剤ノズルを示
す。
次に、洗浄工程について述べる。ウェハ表面を下向きに
して、あるｒ、ｓｒｓ造装置で搬送してダストを付着さ
せ、異物検査機で一定以上の大きさのダス１〜の個数を
検査したところ、表のブラシスクラブ前の欄に示すよう
になった。
して、あるｒ、ｓｒｓ造装置で搬送してダストを付着さ
せ、異物検査機で一定以上の大きさのダス１〜の個数を
検査したところ、表のブラシスクラブ前の欄に示すよう
になった。
表
このウェハを利用して、第１図（ａ）乃至（ｃ）のよう
にブラシスクラブ洗浄を行う。ウェハ２は、ウェハチャ
ック１で固定されてお５、ｌ０００ｒｐｒｎの回転をし
ている。そこに、ブラシ３を５０ｒｐｒｎで回転しなか
らつエバ２の中心に下ろし、端に向けて移動させる。こ
の時に同時１て純水ノズル４から純水を、界面活性剤ノ
ズル５かも界面活性剤を噴射させる（第１図（ａ） ）
、その後ウェハ上に残っているダクトと活性剤を純水
ノズ／Ｉ／４から純水を噴射させて除去する（第１図（
ｂ））。次に、ウェハ２を５０００ｒｐｍ回転させて乾
燥する（第１図（ｃ）ン。
にブラシスクラブ洗浄を行う。ウェハ２は、ウェハチャ
ック１で固定されてお５、ｌ０００ｒｐｒｎの回転をし
ている。そこに、ブラシ３を５０ｒｐｒｎで回転しなか
らつエバ２の中心に下ろし、端に向けて移動させる。こ
の時に同時１て純水ノズル４から純水を、界面活性剤ノ
ズル５かも界面活性剤を噴射させる（第１図（ａ） ）
、その後ウェハ上に残っているダクトと活性剤を純水
ノズ／Ｉ／４から純水を噴射させて除去する（第１図（
ｂ））。次に、ウェハ２を５０００ｒｐｍ回転させて乾
燥する（第１図（ｃ）ン。
上記のブラシスクラブ洗浄で活性剤が無い場合、ブラン
の走査回数が１回の時は、ダクトの除去率はＯでほとん
ど除去できないが、４回走査すると、タメトの除去率は
約９０％になる。ところが、活性剤を】５ｍｌ添加する
と、ブラシの走査回数が３回で除去率は約９０％になる
（表、第２図）。
の走査回数が１回の時は、ダクトの除去率はＯでほとん
ど除去できないが、４回走査すると、タメトの除去率は
約９０％になる。ところが、活性剤を】５ｍｌ添加する
と、ブラシの走査回数が３回で除去率は約９０％になる
（表、第２図）。
したがって、従来に比べてウェハ表面に付着したダスト
を効率よ［相］去することができ、かつ表面を摩擦する
回数が減るので、ウェハ表面に損傷を与えることが軽減
できる。
を効率よ［相］去することができ、かつ表面を摩擦する
回数が減るので、ウェハ表面に損傷を与えることが軽減
できる。
本実施例で使用した界面活性剤は、フッ素系界面活性剤
（和光純薬ＮＣＷ−６０１Ｂ ）であるが、使用可能な
界面活性剤は、上記のものに限られるものでなく、他の
フッ素系界面活性剤や炭化水素系の界面活性剤を使用し
ても同様の効果が得られる。
（和光純薬ＮＣＷ−６０１Ｂ ）であるが、使用可能な
界面活性剤は、上記のものに限られるものでなく、他の
フッ素系界面活性剤や炭化水素系の界面活性剤を使用し
ても同様の効果が得られる。
〈発明の効果〉
本発明の洗浄方法では、従来に比べて、基板に付着した
ダストを効率よく除去することができ、かつ基板に損傷
を与えることが軽減できる。したがって、半導体製造工
程において、生産性の向上を図ることができる。
ダストを効率よく除去することができ、かつ基板に損傷
を与えることが軽減できる。したがって、半導体製造工
程において、生産性の向上を図ることができる。
第１図は本発明の一実施例の工程図である。第２図はブ
ラシ走査回数と粒子除去率との関係を示す図である。 符号の説明 】：ウェハチャック、 ２：ウェハ、 ３：ブラシ、
４：純水ノズル、 ５：界面活性剤ノズル０
ラシ走査回数と粒子除去率との関係を示す図である。 符号の説明 】：ウェハチャック、 ２：ウェハ、 ３：ブラシ、
４：純水ノズル、 ５：界面活性剤ノズル０
Claims (1)
- １、ウェハ上に付着した異物をブラシスクラブによって
除去する洗浄方法に於いて、界面活性剤を含む洗浄液を
ウェハ上に噴射しながらブラシスクラブを行うことを特
徴とするウェハ洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33470190A JPH04199713A (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | ウェハ洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33470190A JPH04199713A (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | ウェハ洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04199713A true JPH04199713A (ja) | 1992-07-20 |
Family
ID=18280249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33470190A Pending JPH04199713A (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | ウェハ洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04199713A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990004568A (ko) * | 1997-06-28 | 1999-01-15 | 김영환 | 반도체 소자의 평탄화 방법 |
| JP2001319902A (ja) * | 2000-05-09 | 2001-11-16 | Fujikoshi Mach Corp | ウェーハの研磨装置 |
| US6405399B1 (en) * | 1999-06-25 | 2002-06-18 | Lam Research Corporation | Method and system of cleaning a wafer after chemical mechanical polishing or plasma processing |
-
1990
- 1990-11-29 JP JP33470190A patent/JPH04199713A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990004568A (ko) * | 1997-06-28 | 1999-01-15 | 김영환 | 반도체 소자의 평탄화 방법 |
| US6405399B1 (en) * | 1999-06-25 | 2002-06-18 | Lam Research Corporation | Method and system of cleaning a wafer after chemical mechanical polishing or plasma processing |
| JP2001319902A (ja) * | 2000-05-09 | 2001-11-16 | Fujikoshi Mach Corp | ウェーハの研磨装置 |
| JP4642183B2 (ja) * | 2000-05-09 | 2011-03-02 | 不二越機械工業株式会社 | ウェーハの研磨装置 |
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