JPH09199464A - 超音波洗浄装置 - Google Patents
超音波洗浄装置Info
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- JPH09199464A JPH09199464A JP580896A JP580896A JPH09199464A JP H09199464 A JPH09199464 A JP H09199464A JP 580896 A JP580896 A JP 580896A JP 580896 A JP580896 A JP 580896A JP H09199464 A JPH09199464 A JP H09199464A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 粒径が０．５μｍ以下や１μｍ以上の微粒子
を効率良く除去することのできる超音波洗浄装置を提供
する。 【解決手段】 洗浄液２を貯溜した洗浄槽１に、周波数
帯域が１ＭＨｚ〜４ＭＨｚの超音波を発振する圧電素子
５ａ，５ｂ，５ｃを設けると共に周波数帯域が４００ｋ
Ｈｚ〜８００ｋＨｚの超音波を発振する圧電素子６ａ，
６ｂ，６ｃを設けたことを特徴とする。
を効率良く除去することのできる超音波洗浄装置を提供
する。 【解決手段】 洗浄液２を貯溜した洗浄槽１に、周波数
帯域が１ＭＨｚ〜４ＭＨｚの超音波を発振する圧電素子
５ａ，５ｂ，５ｃを設けると共に周波数帯域が４００ｋ
Ｈｚ〜８００ｋＨｚの超音波を発振する圧電素子６ａ，
６ｂ，６ｃを設けたことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、たとえば半導体ウ
エハの製造プロセス等で用いられる超音波洗浄装置に関
するものである。
エハの製造プロセス等で用いられる超音波洗浄装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に半導体ウエハはシリコン基板の表
面に半導体膜や絶縁膜等を形成して構成されているが、
このような半導体ウエハを製造する場合にシリコン基板
の表面に塵等の微粒子が付着していると、半導体膜や絶
縁膜の特性が低下し、所望の半導体特性や絶縁特性を得
ることが困難になる。したがって、シリコン基板の表面
に半導体膜や絶縁膜等を形成する場合には、その前工程
でシリコン基板を洗浄して微粒子を除去しておく必要が
ある。
面に半導体膜や絶縁膜等を形成して構成されているが、
このような半導体ウエハを製造する場合にシリコン基板
の表面に塵等の微粒子が付着していると、半導体膜や絶
縁膜の特性が低下し、所望の半導体特性や絶縁特性を得
ることが困難になる。したがって、シリコン基板の表面
に半導体膜や絶縁膜等を形成する場合には、その前工程
でシリコン基板を洗浄して微粒子を除去しておく必要が
ある。
【０００３】ところで、シリコン基板やその他の各種基
板（例えば液晶基板等）に付着した微粒子を除去する手
段として、超音波を利用した洗浄装置が従来から知られ
ている。この種の超音波洗浄装置は、洗浄槽と、この洗
浄槽に貯えられた洗浄液に超音波を付与する圧電素子と
を備えており、シリコン基板等の被洗浄物を洗浄液に浸
漬した状態で圧電素子から超音波を発振させて被洗浄物
に付着した微粒子を除去するように構成されている。
板（例えば液晶基板等）に付着した微粒子を除去する手
段として、超音波を利用した洗浄装置が従来から知られ
ている。この種の超音波洗浄装置は、洗浄槽と、この洗
浄槽に貯えられた洗浄液に超音波を付与する圧電素子と
を備えており、シリコン基板等の被洗浄物を洗浄液に浸
漬した状態で圧電素子から超音波を発振させて被洗浄物
に付着した微粒子を除去するように構成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の超音波洗浄装置では、圧電素子から発振される
超音波の周波数帯域が８００ｋＨｚ〜１ＭＨｚであるこ
とから、０．５μｍ以下の微粒子や１μｍ以上の微粒子
を効率良く除去することが困難であった。
た従来の超音波洗浄装置では、圧電素子から発振される
超音波の周波数帯域が８００ｋＨｚ〜１ＭＨｚであるこ
とから、０．５μｍ以下の微粒子や１μｍ以上の微粒子
を効率良く除去することが困難であった。
【０００５】本発明は上記のような問題点に鑑みてなさ
れたもので、その目的は粒径が０．５μｍ以下や１μｍ
以上の微粒子を効率良く除去することのできる超音波洗
浄装置を提供しようとするものである。
れたもので、その目的は粒径が０．５μｍ以下や１μｍ
以上の微粒子を効率良く除去することのできる超音波洗
浄装置を提供しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１の発明は、洗浄液に超音波を付与して被洗
浄物に付着した微粒子を除去する超音波洗浄装置におい
て、前記洗浄液に周波数の高い超音波を付与する第１の
超音波付与手段と、前記洗浄液に周波数の低い超音波を
付与する第２の超音波付与手段とを具備したことを特徴
とするものである。
に、請求項１の発明は、洗浄液に超音波を付与して被洗
浄物に付着した微粒子を除去する超音波洗浄装置におい
て、前記洗浄液に周波数の高い超音波を付与する第１の
超音波付与手段と、前記洗浄液に周波数の低い超音波を
付与する第２の超音波付与手段とを具備したことを特徴
とするものである。
【０００７】請求項２の発明は、洗浄液に超音波を付与
して被洗浄物に付着した微粒子を除去する超音波洗浄装
置において、前記被洗浄物を前記洗浄液に浸漬するため
の洗浄槽と、前記洗浄槽に設けられ前記洗浄液に周波数
の高い超音波を付与する第１の超音波付与手段と、前記
洗浄槽に設けられ前記洗浄液に周波数の低い超音波を付
与する第２の超音波付与手段とを具備したことを特徴と
するものである。
して被洗浄物に付着した微粒子を除去する超音波洗浄装
置において、前記被洗浄物を前記洗浄液に浸漬するため
の洗浄槽と、前記洗浄槽に設けられ前記洗浄液に周波数
の高い超音波を付与する第１の超音波付与手段と、前記
洗浄槽に設けられ前記洗浄液に周波数の低い超音波を付
与する第２の超音波付与手段とを具備したことを特徴と
するものである。
【０００８】請求項３の発明は、請求項１または請求項
２記載の発明において、前記第１の超音波付与手段から
前記洗浄液に付与される超音波の周波数帯域は１ＭＨｚ
〜４ＭＨｚであり、前記第２の超音波付与手段から前記
洗浄液に付与される超音波の周波数帯域は４００ｋＨｚ
〜８００ｋＨｚであることを特徴とするものである。
２記載の発明において、前記第１の超音波付与手段から
前記洗浄液に付与される超音波の周波数帯域は１ＭＨｚ
〜４ＭＨｚであり、前記第２の超音波付与手段から前記
洗浄液に付与される超音波の周波数帯域は４００ｋＨｚ
〜８００ｋＨｚであることを特徴とするものである。
【０００９】請求項４の発明は、請求項１または請求項
２記載の発明において、前記第１の超音波付与手段およ
び前記第２の超音波付与手段は、前記洗浄液に超音波を
同時に付与することを特徴とするものである。
２記載の発明において、前記第１の超音波付与手段およ
び前記第２の超音波付与手段は、前記洗浄液に超音波を
同時に付与することを特徴とするものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。図１は本発明の一実施形態に係る
超音波洗浄装置の縦断面図で、図中１は洗浄槽を示して
いる。この洗浄槽１は金属または樹脂等で形成されてお
り、その内部には洗浄液２が貯溜されている。
を参照して説明する。図１は本発明の一実施形態に係る
超音波洗浄装置の縦断面図で、図中１は洗浄槽を示して
いる。この洗浄槽１は金属または樹脂等で形成されてお
り、その内部には洗浄液２が貯溜されている。
【００１１】前記洗浄液２はシリコン基板等の被洗浄物
３を洗浄するためのもので、この洗浄液２には第１の超
音波付与手段としての圧電素子５ａ，５ｂ，５ｃおよび
第２の超音波付与手段としての圧電素子６ａ，６ｂ，６
ｃから超音波が洗浄槽１を介して付与されるようになっ
ている。なお、図中４は被洗浄物３を垂直に保持する保
持体を示している。
３を洗浄するためのもので、この洗浄液２には第１の超
音波付与手段としての圧電素子５ａ，５ｂ，５ｃおよび
第２の超音波付与手段としての圧電素子６ａ，６ｂ，６
ｃから超音波が洗浄槽１を介して付与されるようになっ
ている。なお、図中４は被洗浄物３を垂直に保持する保
持体を示している。
【００１２】前記圧電素子５ａ，５ｂ，５ｃは洗浄槽１
の外表面に取付けられており、これらの圧電素子５ａ，
５ｂ，５ｃには、第１の高周波発生回路８ａが給電線７
ａを介して接続されている。
の外表面に取付けられており、これらの圧電素子５ａ，
５ｂ，５ｃには、第１の高周波発生回路８ａが給電線７
ａを介して接続されている。
【００１３】前記圧電素子６ａ，６ｂ，６ｃは圧電素子
５ａ，５ｂ，５ｃと同様に洗浄槽１の外表面に取付けら
れており、これらの圧電素子６ａ，６ｂ，６ｃには、第
２の高周波発生回路８ｂが給電線７ｂを介して接続され
ている。
５ａ，５ｂ，５ｃと同様に洗浄槽１の外表面に取付けら
れており、これらの圧電素子６ａ，６ｂ，６ｃには、第
２の高周波発生回路８ｂが給電線７ｂを介して接続され
ている。
【００１４】なお、第１の超音波付与手段としての圧電
素子５ａ，５ｂ，５ｃから発振される超音波の周波数を
ｆ1 、第２の超音波付与手段としての圧電素子６ａ，６
ｂ，６ｃから発振される超音波の周波数をｆ2 とする
と、洗浄槽１の厚さｔは ｔ＝０．５（ｃ／ｆ1 ）×ｎ＝０．５（ｃ／ｆ2 ）×ｎ ただし、ｃ；は音速、ｎ；整数となっている。
素子５ａ，５ｂ，５ｃから発振される超音波の周波数を
ｆ1 、第２の超音波付与手段としての圧電素子６ａ，６
ｂ，６ｃから発振される超音波の周波数をｆ2 とする
と、洗浄槽１の厚さｔは ｔ＝０．５（ｃ／ｆ1 ）×ｎ＝０．５（ｃ／ｆ2 ）×ｎ ただし、ｃ；は音速、ｎ；整数となっている。
【００１５】上記のように構成される超音波洗浄装置に
より被洗浄物３を超音波洗浄する場合には、被洗浄物３
を洗浄液２に浸漬した状態で第１の高周波発生回路８ａ
から圧電素子５ａ，５ｂ，５ｃに１ＭＨｚ〜４ＭＨｚの
高周波電圧を印加するとともに、第２の高周波発生回路
８ｂから圧電素子６ａ，６ｂ，６ｃに４００ｋＨｚ〜８
００ｋＨｚの高周波電圧を印加する。このとき、圧電素
子５ａ，５ｂ，５ｃからは１ＭＨｚ〜４ＭＨｚの超音波
が発振され、また圧電素子６ａ，６ｂ，６ｃからき４０
０ｋＨｚ〜８００ｋＨｚの超音波が発振される。そし
て、これらの圧電素子５ａ，５ｂ，５ｃ，６ａ，６ｂ，
６ｃから発振された超音波は洗浄槽１を介して洗浄液２
に付与される。
より被洗浄物３を超音波洗浄する場合には、被洗浄物３
を洗浄液２に浸漬した状態で第１の高周波発生回路８ａ
から圧電素子５ａ，５ｂ，５ｃに１ＭＨｚ〜４ＭＨｚの
高周波電圧を印加するとともに、第２の高周波発生回路
８ｂから圧電素子６ａ，６ｂ，６ｃに４００ｋＨｚ〜８
００ｋＨｚの高周波電圧を印加する。このとき、圧電素
子５ａ，５ｂ，５ｃからは１ＭＨｚ〜４ＭＨｚの超音波
が発振され、また圧電素子６ａ，６ｂ，６ｃからき４０
０ｋＨｚ〜８００ｋＨｚの超音波が発振される。そし
て、これらの圧電素子５ａ，５ｂ，５ｃ，６ａ，６ｂ，
６ｃから発振された超音波は洗浄槽１を介して洗浄液２
に付与される。
【００１６】図２は被洗浄物３に付着した微粒子の除去
効率と洗浄液２に付与される超音波の周波数帯域との関
係を示す線図であり、図中実線ａは被洗浄物３に付着し
た微粒子の粒径が１μｍ〜１０μｍのときの除去効率を
示し、図中実線ｂは被洗浄物３に付着した微粒子の粒径
が０．１μｍ〜０．５μｍのときの除去効率を示してい
る。
効率と洗浄液２に付与される超音波の周波数帯域との関
係を示す線図であり、図中実線ａは被洗浄物３に付着し
た微粒子の粒径が１μｍ〜１０μｍのときの除去効率を
示し、図中実線ｂは被洗浄物３に付着した微粒子の粒径
が０．１μｍ〜０．５μｍのときの除去効率を示してい
る。
【００１７】同図に示すように、洗浄液２に付与される
超音波の周波数帯域が４００ｋＨｚ〜８００ｋＨｚのと
きには１μｍ〜１０μｍの微粒子を効率良く除去できる
のに対し、洗浄液２に付与される超音波の周波数帯域が
１ＭＨｚ〜４ＭＨｚのときには０．１μｍ〜０．５μｍ
の微粒子を効率良く除去することができる。
超音波の周波数帯域が４００ｋＨｚ〜８００ｋＨｚのと
きには１μｍ〜１０μｍの微粒子を効率良く除去できる
のに対し、洗浄液２に付与される超音波の周波数帯域が
１ＭＨｚ〜４ＭＨｚのときには０．１μｍ〜０．５μｍ
の微粒子を効率良く除去することができる。
【００１８】したがって、本発明の一実施形態では第１
の高周波発生回路８ａから圧電素子５ａ，５ｂ，５ｃに
所定の高周波電圧を印加すると、洗浄液２に１ＭＨｚ〜
４ＭＨｚの超音波が付与され、また第２の高周波発生回
路８ｂから圧電素子６ａ，６ｂ，６ｃに所定の高周波電
圧を印加する洗浄液２に４００ｋＨｚ〜８００ｋＨｚの
超音波が付与されるので、粒径が０．５μｍ以下や１μ
ｍ以上の微粒子を被洗浄物３から効率良く除去すること
ができる。
の高周波発生回路８ａから圧電素子５ａ，５ｂ，５ｃに
所定の高周波電圧を印加すると、洗浄液２に１ＭＨｚ〜
４ＭＨｚの超音波が付与され、また第２の高周波発生回
路８ｂから圧電素子６ａ，６ｂ，６ｃに所定の高周波電
圧を印加する洗浄液２に４００ｋＨｚ〜８００ｋＨｚの
超音波が付与されるので、粒径が０．５μｍ以下や１μ
ｍ以上の微粒子を被洗浄物３から効率良く除去すること
ができる。
【００１９】また、本発明の一実施形態では圧電素子５
ａ，５ｂ，５ｃから発振される超音波の周波数ｆ1 、圧
電素子６ａ，６ｂ，６ｃから発振される超音波の周波数
ｆ2としたとき、洗浄槽１の厚さｔが ｔ＝０．５（ｃ／ｆ1 ）×ｎ＝０．５（ｃ／ｆ2 ）×ｎ となっているので、圧電素子５ａ，５ｂ，５ｃから発振
される超音波の波長と圧電素子６ａ，６ｂ，６ｃから発
振される超音波の波長とを洗浄槽１の内壁面で一致させ
ることができ、これにより洗浄液２に超音波を効率的に
付与することができる。
ａ，５ｂ，５ｃから発振される超音波の周波数ｆ1 、圧
電素子６ａ，６ｂ，６ｃから発振される超音波の周波数
ｆ2としたとき、洗浄槽１の厚さｔが ｔ＝０．５（ｃ／ｆ1 ）×ｎ＝０．５（ｃ／ｆ2 ）×ｎ となっているので、圧電素子５ａ，５ｂ，５ｃから発振
される超音波の波長と圧電素子６ａ，６ｂ，６ｃから発
振される超音波の波長とを洗浄槽１の内壁面で一致させ
ることができ、これにより洗浄液２に超音波を効率的に
付与することができる。
【００２０】さらに、本発明の一実施形態では圧電素子
５ａ，５ｂ，５ｃおよび圧電素子６ａ，６ｂ，６ｃから
洗浄液２に周波数帯域の高い超音波と周波数帯域の低い
超音波が同時に付与されるので、被洗浄物３を短時間で
洗浄することができる。
５ａ，５ｂ，５ｃおよび圧電素子６ａ，６ｂ，６ｃから
洗浄液２に周波数帯域の高い超音波と周波数帯域の低い
超音波が同時に付与されるので、被洗浄物３を短時間で
洗浄することができる。
【００２１】なお、本発明は上述した一実施形態に限定
されるものではない。たとえば上述した一実施形態では
圧電素子５ａ，５ｂ，５ｃおよび圧電素子６ａ，６ｂ，
６ｃを洗浄槽１の外側に設けたが、圧電素子５ａ，５
ｂ，５ｃおよび圧電素子６ａ，６ｂ，６ｃを洗浄槽１の
内側に設けても同様の効果を得ることができる。
されるものではない。たとえば上述した一実施形態では
圧電素子５ａ，５ｂ，５ｃおよび圧電素子６ａ，６ｂ，
６ｃを洗浄槽１の外側に設けたが、圧電素子５ａ，５
ｂ，５ｃおよび圧電素子６ａ，６ｂ，６ｃを洗浄槽１の
内側に設けても同様の効果を得ることができる。
【００２２】また、上述した本発明の一実施形態では被
洗浄物３を超音波洗浄する際に圧電素子５ａ，５ｂ，５
ｃおよび圧電素子６ａ，６ｂ，６ｃから超音波を同時に
発振させたが、たとえば圧電素子５ａ，５ｂ，５ｃから
１ＭＨｚ〜４ＭＨｚの超音波を発振させて０．１μｍ〜
０．５μｍの微粒子を被洗浄物３から除去した後に圧電
素子６ａ，６ｂ，６ｃから４００ｋＨｚ〜８００ｋＨｚ
の超音波を発振させて１μｍ〜１０μｍの微粒子を被洗
浄物３から除去しても良いし、あるいは圧電素子６ａ，
６ｂ，６ｃから４００ｋＨｚ〜８００ｋＨｚの超音波を
発振させて１μｍ〜１０μｍの微粒子を被洗浄物３から
除去した後に圧電素子５ａ，５ｂ，５ｃから１ＭＨｚ〜
４ＭＨｚの超音波を発振させて０．１μｍ〜０．５μｍ
の微粒子を被洗浄物３から除去するようにしても良い。
洗浄物３を超音波洗浄する際に圧電素子５ａ，５ｂ，５
ｃおよび圧電素子６ａ，６ｂ，６ｃから超音波を同時に
発振させたが、たとえば圧電素子５ａ，５ｂ，５ｃから
１ＭＨｚ〜４ＭＨｚの超音波を発振させて０．１μｍ〜
０．５μｍの微粒子を被洗浄物３から除去した後に圧電
素子６ａ，６ｂ，６ｃから４００ｋＨｚ〜８００ｋＨｚ
の超音波を発振させて１μｍ〜１０μｍの微粒子を被洗
浄物３から除去しても良いし、あるいは圧電素子６ａ，
６ｂ，６ｃから４００ｋＨｚ〜８００ｋＨｚの超音波を
発振させて１μｍ〜１０μｍの微粒子を被洗浄物３から
除去した後に圧電素子５ａ，５ｂ，５ｃから１ＭＨｚ〜
４ＭＨｚの超音波を発振させて０．１μｍ〜０．５μｍ
の微粒子を被洗浄物３から除去するようにしても良い。
【００２３】さらに、上述した本発明の一実施形態では
本発明をディップ方式の超音波洗浄装置に適用した場合
について説明したが、本発明はディップ方式の超音波洗
浄装置に限定されるものではなく、シャワー方式の超音
波洗浄装置にも適用できる。
本発明をディップ方式の超音波洗浄装置に適用した場合
について説明したが、本発明はディップ方式の超音波洗
浄装置に限定されるものではなく、シャワー方式の超音
波洗浄装置にも適用できる。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１乃至請求
項３の発明によれば、粒径が０．５μｍ以下や１μｍ以
上の微粒子を効率良く除去することのできる超音波洗浄
装置を提供できる。請求項４の発明によれば、請求項１
の発明による効果を加えて、被洗浄物を短時間で洗浄す
ることができる。
項３の発明によれば、粒径が０．５μｍ以下や１μｍ以
上の微粒子を効率良く除去することのできる超音波洗浄
装置を提供できる。請求項４の発明によれば、請求項１
の発明による効果を加えて、被洗浄物を短時間で洗浄す
ることができる。
【図１】本発明の一実施形態に係る超音波洗浄装置の縦
断面図。
断面図。
【図２】被洗浄物に付着した微粒子の除去効率と洗浄液
に付与される超音波の周波数帯域との関係を示す線図。
に付与される超音波の周波数帯域との関係を示す線図。
１…洗浄槽 ２…洗浄液 ３…被洗浄物 ５ａ，５ｂ，５ｂ…圧電素子（第１の超音波付与手段） ６ａ，６ｂ，６ｂ…圧電素子（第２の超音波付与手段） ８ａ…第１の高周波発生回路 ８ｂ…第２の高周波発生回路
Claims (4)
- 【請求項１】 洗浄液に超音波を付与して被洗浄物に付
着した微粒子を除去する超音波洗浄装置において、 前記洗浄液に周波数帯域の高い超音波を付与する第１の
超音波付与手段と、 前記洗浄液に周波数帯域の低い超音波を付与する第２の
超音波付与手段とを具備したことを特徴とする超音波洗
浄装置。 - 【請求項２】 洗浄液に超音波を付与して被洗浄物に付
着した微粒子を除去する超音波洗浄装置において、 前記被洗浄物を前記洗浄液に浸漬するための洗浄槽と、 前記洗浄槽に設けられ前記洗浄液に周波数帯域の高い超
音波を付与する第１の超音波付与手段と、 前記洗浄槽に設けられ前記洗浄液に周波数帯域の低い超
音波を付与する第２の超音波付与手段とを具備したこと
を特徴とする超音波洗浄装置。 - 【請求項３】 前記第１の超音波付与手段から前記洗浄
液に付与される超音波の周波数帯域は１ＭＨｚ〜４ＭＨ
ｚであり、前記第２の超音波付与手段から前記洗浄液に
付与される超音波の周波数帯域は４００ｋＨｚ〜８００
ｋＨｚである請求項１または請求項２記載の超音波洗浄
装置。 - 【請求項４】 前記第１の超音波付与手段および前記第
２の超音波付与手段は、前記洗浄液に超音波を同時に付
与することを特徴とする請求項１または請求項２記載の
超音波洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP580896A JPH09199464A (ja) | 1996-01-17 | 1996-01-17 | 超音波洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP580896A JPH09199464A (ja) | 1996-01-17 | 1996-01-17 | 超音波洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09199464A true JPH09199464A (ja) | 1997-07-31 |
Family
ID=11621393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP580896A Pending JPH09199464A (ja) | 1996-01-17 | 1996-01-17 | 超音波洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09199464A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010033702A (ko) * | 1997-12-31 | 2001-04-25 | 페터 옐리히 | 기판을 처리하기 위한 방법 및 장치 |
| WO2005044440A3 (en) * | 2003-11-05 | 2007-05-10 | Crest Group Inc | Ultrasonic apparatus with multiple frequency transducers |
| US7598654B2 (en) | 2004-11-05 | 2009-10-06 | Goodson J Michael | Megasonic processing apparatus with frequency sweeping of thickness mode transducers |
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| WO2013139047A1 (zh) * | 2012-03-19 | 2013-09-26 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Tft-lcd玻璃基板清洗方法 |
| JP2014045188A (ja) * | 2012-08-27 | 2014-03-13 | Imec | 液体への超音波エネルギー伝達システム、及び固体部洗浄用のその使用 |
-
1996
- 1996-01-17 JP JP580896A patent/JPH09199464A/ja active Pending
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