JPH04164324A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH04164324A JPH04164324A JP29156390A JP29156390A JPH04164324A JP H04164324 A JPH04164324 A JP H04164324A JP 29156390 A JP29156390 A JP 29156390A JP 29156390 A JP29156390 A JP 29156390A JP H04164324 A JPH04164324 A JP H04164324A
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- JP
- Japan
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- wafers
- cleaning
- high frequency
- particles
- wafer
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- Pending
Links
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
- B28D5/0076—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for removing dust, e.g. by spraying liquids; for lubricating, cooling or cleaning tool or work
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体製造装置に関し、特に高周波音波をかけ
、洗浄液により半導体基板（ウェハースと称す）の洗浄
処理を行う半導体製造装置に関する。
、洗浄液により半導体基板（ウェハースと称す）の洗浄
処理を行う半導体製造装置に関する。
従来この種の半導体製造装置は、第４図の継断面図に示
すように、高周波を発振する高周波発振器４と、高周波
の音響出力を増幅するパワーユニット３と、高周波音波
を発振する振動子２と、洗浄液７中でキャリア６内のウ
ェハース５を洗浄処理する洗浄槽１とを有している。高
周波発振器４で発生した高周波は、パワーユニット３に
より増幅され、洗浄槽１の下面槽壁に位置する振動子２
より発振する。
すように、高周波を発振する高周波発振器４と、高周波
の音響出力を増幅するパワーユニット３と、高周波音波
を発振する振動子２と、洗浄液７中でキャリア６内のウ
ェハース５を洗浄処理する洗浄槽１とを有している。高
周波発振器４で発生した高周波は、パワーユニット３に
より増幅され、洗浄槽１の下面槽壁に位置する振動子２
より発振する。
振動子２より発振された高周波音波は、ウェハース５上
に付着した粒子を振動させ、ウェハース５上面と粒子と
の付着界面が粒子の振動によって変動する際に、洗浄液
７が界面へ侵入する。新しく濡れた液分子がくさびの作
用をして、−層界面への液の湿潤を促進し、ついに全界
面が液に濡れて粒子は液中へ離脱する。すなわち、ウェ
ハース５上に付着した粒子の洗浄処理を行う。
に付着した粒子を振動させ、ウェハース５上面と粒子と
の付着界面が粒子の振動によって変動する際に、洗浄液
７が界面へ侵入する。新しく濡れた液分子がくさびの作
用をして、−層界面への液の湿潤を促進し、ついに全界
面が液に濡れて粒子は液中へ離脱する。すなわち、ウェ
ハース５上に付着した粒子の洗浄処理を行う。
上述した従来の半導体製造装置では、高周波音波の音響
出力を、洗浄処理中に変化させる機構を有していない。
出力を、洗浄処理中に変化させる機構を有していない。
音響出力を増加させる程、ウェハ−ス上に付着した粒子
の除去能力は向上するが、同時に、ウェハースより離脱
した粒子の振動も大きい為、離脱した粒子の再付着率も
増すという問題がある。特にウェハース裏面の粒子の、
隣接するウェハース表面への再付着は大きな問題となる
。
の除去能力は向上するが、同時に、ウェハースより離脱
した粒子の振動も大きい為、離脱した粒子の再付着率も
増すという問題がある。特にウェハース裏面の粒子の、
隣接するウェハース表面への再付着は大きな問題となる
。
又、音響出力を増す事により、ウェハースへのダメージ
も無視できない問題となる。逆に、粒子の再付着及びダ
メージを少なくする為に音響出力を減少させると、期待
する付着粒子の除去率が得られない。上記ウェハース上
への粒子の再付着及びダメージの問題は、近年のＬＳＩ
集積回路の高集積化、微細加工化、大口径化の折り、無
視できない問題となっている。
も無視できない問題となる。逆に、粒子の再付着及びダ
メージを少なくする為に音響出力を減少させると、期待
する付着粒子の除去率が得られない。上記ウェハース上
への粒子の再付着及びダメージの問題は、近年のＬＳＩ
集積回路の高集積化、微細加工化、大口径化の折り、無
視できない問題となっている。
本発明の半導体製造袋！は、高周波の音響出力を半導体
基板の洗浄中に変化させなり、あるいは断続的にかける
ためのコントローラーを有している。
基板の洗浄中に変化させなり、あるいは断続的にかける
ためのコントローラーを有している。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。
本実施例では、例えば洗浄液７として、アンモニア過酸
化水素溶液（ＮＨ４０Ｈ： Ｈ２Ｏ：Ｈ２Ｏ２＝１：１
：５）にて、ウェハース５を洗浄処理した。高周波発振
器４で発生した０、８ｋＨｚ〜ＩＭＨｚの高周波は、パ
ワーユニット３にて０．１ｋｗ〜１０ｋｗの音響出力に
増幅され、洗浄中のパワーユニット３の出力及び出力発
生の断続時間は、コントローラー８で制御される。コン
トローラー８により制御された高周波は、洗浄槽１の下
面槽壁に取り付けられた振動子２より発振し、キャリア
６内のウェハース５上に付着した粒子を振動させ、ウェ
ハース５上面と粒子との付着界面に洗浄液７を侵入せし
め、粒子を液中に離脱させ、ウェハース５を洗浄する。
化水素溶液（ＮＨ４０Ｈ： Ｈ２Ｏ：Ｈ２Ｏ２＝１：１
：５）にて、ウェハース５を洗浄処理した。高周波発振
器４で発生した０、８ｋＨｚ〜ＩＭＨｚの高周波は、パ
ワーユニット３にて０．１ｋｗ〜１０ｋｗの音響出力に
増幅され、洗浄中のパワーユニット３の出力及び出力発
生の断続時間は、コントローラー８で制御される。コン
トローラー８により制御された高周波は、洗浄槽１の下
面槽壁に取り付けられた振動子２より発振し、キャリア
６内のウェハース５上に付着した粒子を振動させ、ウェ
ハース５上面と粒子との付着界面に洗浄液７を侵入せし
め、粒子を液中に離脱させ、ウェハース５を洗浄する。
第２図は、洗浄中にコントローラー８により、高周波を
断続的に発振５秒、無発振５秒をくり返しかけた場合の
本実施例の半導体製造装置の音響出力と、粒子除去率及
び粒子再付着率の相関図、第３図は従来の半導体製造装
置の高周波出力と。
断続的に発振５秒、無発振５秒をくり返しかけた場合の
本実施例の半導体製造装置の音響出力と、粒子除去率及
び粒子再付着率の相関図、第３図は従来の半導体製造装
置の高周波出力と。
粒子除去率及び粒子再付着率の相関図である。
第２図及び第３図から、本実施例の半導体製造装置では
、高周波を断続的にかける事により、高周波発生時にウ
ェハース５より離脱した粒子が、高周波をかけていない
間に洗浄液７の循環により、ウェハース５上に再付着す
る前にフィルトレージョンされ、このサイクルのくり返
しにより、ウェハース５上の粒子除去率向上と、離脱粒
子の再付着防止とを両立させていることがわかる。
、高周波を断続的にかける事により、高周波発生時にウ
ェハース５より離脱した粒子が、高周波をかけていない
間に洗浄液７の循環により、ウェハース５上に再付着す
る前にフィルトレージョンされ、このサイクルのくり返
しにより、ウェハース５上の粒子除去率向上と、離脱粒
子の再付着防止とを両立させていることがわかる。
又、従来の半導体製造装置に比べ、高周波出力を上げて
粒子除去率を増しても、粒子の再付着率は増加していな
い、上述した効果は、高周波の出力を洗浄中に変化させ
る事によっても同様の効果が得られる。
粒子除去率を増しても、粒子の再付着率は増加していな
い、上述した効果は、高周波の出力を洗浄中に変化させ
る事によっても同様の効果が得られる。
以上説明したように本発明は、コントローラーにより、
洗浄中に高周波の出力を変化させたり、あるいは断続的
にかける事により、ウェハース上への粒子の再付着を大
幅に低減させ、ウェハースの洗浄効果を飛躍的に向上さ
せ、ウェハースへのダメージのない音響出力範囲におい
て、従来の半導体製造装置よりウェハースの洗浄効率を
高める効果がある。上述した洗浄効果の向上及びダメー
ジの低減は、近年のＬＳＩの高集積化、微細加工化、大
口径化の折り、製造歩留り向上、信頼性向上にとって多
大な効果がある。
洗浄中に高周波の出力を変化させたり、あるいは断続的
にかける事により、ウェハース上への粒子の再付着を大
幅に低減させ、ウェハースの洗浄効果を飛躍的に向上さ
せ、ウェハースへのダメージのない音響出力範囲におい
て、従来の半導体製造装置よりウェハースの洗浄効率を
高める効果がある。上述した洗浄効果の向上及びダメー
ジの低減は、近年のＬＳＩの高集積化、微細加工化、大
口径化の折り、製造歩留り向上、信頼性向上にとって多
大な効果がある。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図、第２図は本発明
の半導体製造装置の音響出力と粒子除去率及び再付着率
の相関図、第３図は従来の半導体製造装置の音響出力と
粒子除去率及び再付着率の相関図、第４図は従来の半導
体製造装置の縦断面図である。 １・・・洗浄槽、２・・・振動子、３・・・パワーユニ
ット、４・・・高周波発振器、５・・・ウェハース、６
・・・キャリア、７・・・洗浄液、８・・・コントロー
ラー。
の半導体製造装置の音響出力と粒子除去率及び再付着率
の相関図、第３図は従来の半導体製造装置の音響出力と
粒子除去率及び再付着率の相関図、第４図は従来の半導
体製造装置の縦断面図である。 １・・・洗浄槽、２・・・振動子、３・・・パワーユニ
ット、４・・・高周波発振器、５・・・ウェハース、６
・・・キャリア、７・・・洗浄液、８・・・コントロー
ラー。
Claims (1)
- 高周波を発振する事により半導体基板の洗浄処理を行
う半導体製造装置において、高周波音波の音響出力を洗
浄処理中に変化させたり、あるいは断続的にかけるため
のコントローラーを備えたことを特徴とする半導体製造
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29156390A JPH04164324A (ja) | 1990-10-29 | 1990-10-29 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29156390A JPH04164324A (ja) | 1990-10-29 | 1990-10-29 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04164324A true JPH04164324A (ja) | 1992-06-10 |
Family
ID=17770543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29156390A Pending JPH04164324A (ja) | 1990-10-29 | 1990-10-29 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04164324A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5950643A (en) * | 1995-09-06 | 1999-09-14 | Miyazaki; Takeshiro | Wafer processing system |
| US7378355B2 (en) | 1997-05-09 | 2008-05-27 | Semitool, Inc. | System and methods for polishing a wafer |
| WO2011089673A1 (ja) * | 2010-01-25 | 2011-07-28 | 信越半導体株式会社 | 超音波洗浄方法 |
| CN102513304A (zh) * | 2011-12-30 | 2012-06-27 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 半导体硅片的清洗方法 |
| CN108015277A (zh) * | 2017-11-24 | 2018-05-11 | 北京遥感设备研究所 | 一种3d打印冷板流道自动清洗装置 |
-
1990
- 1990-10-29 JP JP29156390A patent/JPH04164324A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5950643A (en) * | 1995-09-06 | 1999-09-14 | Miyazaki; Takeshiro | Wafer processing system |
| US7378355B2 (en) | 1997-05-09 | 2008-05-27 | Semitool, Inc. | System and methods for polishing a wafer |
| WO2011089673A1 (ja) * | 2010-01-25 | 2011-07-28 | 信越半導体株式会社 | 超音波洗浄方法 |
| CN102513304A (zh) * | 2011-12-30 | 2012-06-27 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 半导体硅片的清洗方法 |
| CN102513304B (zh) * | 2011-12-30 | 2015-07-15 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 半导体硅片的清洗方法 |
| CN108015277A (zh) * | 2017-11-24 | 2018-05-11 | 北京遥感设备研究所 | 一种3d打印冷板流道自动清洗装置 |
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