JPS63110640A - 基板洗浄装置 - Google Patents
基板洗浄装置Info
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- JPS63110640A JPS63110640A JP25735386A JP25735386A JPS63110640A JP S63110640 A JPS63110640 A JP S63110640A JP 25735386 A JP25735386 A JP 25735386A JP 25735386 A JP25735386 A JP 25735386A JP S63110640 A JPS63110640 A JP S63110640A
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Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体製造プロセスで用いる基板洗浄装置に
関するものである。
関するものである。
第２図は従来のシリコン基板洗浄装置の一例を示す。図
において、５はアンモニア水槽、６は渦中の薬液の温度
を７０〜８０℃にするためのヒータ、３はシリコン基板
、４は基板力セントである。
において、５はアンモニア水槽、６は渦中の薬液の温度
を７０〜８０℃にするためのヒータ、３はシリコン基板
、４は基板力セントである。
シリコン及び酸化ケイ素等の化合物はアンモニアと反応
して水溶化するため、アンモニアによりシリコン基板表
面の被膜が除去される。同時に、過酸化水素が酸化剤と
して働き表面酸化を行なう。
して水溶化するため、アンモニアによりシリコン基板表
面の被膜が除去される。同時に、過酸化水素が酸化剤と
して働き表面酸化を行なう。
この２つの反応が同時に進むことにより、基板表面は徐
々に削られていき、表面に付着した汚染物が除去される
。ただし、常温下では反応が緩慢で洗浄が不十分となる
ため、工業的には液温を７０〜８０℃に上げ、反応速度
を速めている。
々に削られていき、表面に付着した汚染物が除去される
。ただし、常温下では反応が緩慢で洗浄が不十分となる
ため、工業的には液温を７０〜８０℃に上げ、反応速度
を速めている。
従来の基板洗浄装置は以上のように構成されており、反
応速度を速めるため薬液の液温を７０〜８０℃に設定し
ているが、７０〜８０℃という液温状況下ではアンモニ
ア及び過酸化水素の液中濃度が急激に減衰して反応速度
が変化するため、プロセスを制御することが困難である
という問題点があった。
応速度を速めるため薬液の液温を７０〜８０℃に設定し
ているが、７０〜８０℃という液温状況下ではアンモニ
ア及び過酸化水素の液中濃度が急激に減衰して反応速度
が変化するため、プロセスを制御することが困難である
という問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、常温下でも十分な洗浄能力を維持でき、プロ
セスの制御を容易に行なうことができる基板洗浄装置を
得ることを目的とする。
たもので、常温下でも十分な洗浄能力を維持でき、プロ
セスの制御を容易に行なうことができる基板洗浄装置を
得ることを目的とする。
この発明に係る基板洗浄装置は、洗浄槽中にて超音波を
発生させる超音波発生装置を設けたものである。
発生させる超音波発生装置を設けたものである。
この発明においては、基板が侵食される過程で、超音波
が加えられるので、基板表面と汚染物との間に高周波の
振動が加わり、両者間の付着力が弱まって汚染物の脱離
が促進されることとなる。従って、常温下であっても十
分な洗浄能力を発揮でき、かつ常温下で行なえるので、
薬液の濃度制御を容易にでき、プロセス制御を容易に行
なうことができる。
が加えられるので、基板表面と汚染物との間に高周波の
振動が加わり、両者間の付着力が弱まって汚染物の脱離
が促進されることとなる。従って、常温下であっても十
分な洗浄能力を発揮でき、かつ常温下で行なえるので、
薬液の濃度制御を容易にでき、プロセス制御を容易に行
なうことができる。
以下、この発明の実施例を図について説明する。
第１図はこの発明の一実施例による基板洗浄装置を示し
、図において、１はアンモニア水及び過酸化水素水から
なる薬液で満たされた、基板の洗浄を行なうための洗浄
槽、３は洗浄されるシリコン基板、４はシリコン基板３
を保持する基板カセット、５は洗浄槽１へ供給されるア
ンモニア水を貯えるアンモニア水槽、６は洗浄槽１へ供
給される過酸化水素水を蓄える過酸化水素水槽、７は洗
浄槽中にて超音波を発生させる超音波発生装置である。
、図において、１はアンモニア水及び過酸化水素水から
なる薬液で満たされた、基板の洗浄を行なうための洗浄
槽、３は洗浄されるシリコン基板、４はシリコン基板３
を保持する基板カセット、５は洗浄槽１へ供給されるア
ンモニア水を貯えるアンモニア水槽、６は洗浄槽１へ供
給される過酸化水素水を蓄える過酸化水素水槽、７は洗
浄槽中にて超音波を発生させる超音波発生装置である。
このような構成になる基板洗浄装置では、従来装置と同
様、洗浄槽１中にて、アンモニア水槽５及び過酸化水素
水槽６から供給された薬液により基板カセット４に収め
られたシリコン基板３が洗浄されるが、このとき同時に
超音波発生装置７により洗浄槽１中に超音波が加えられ
るので、超音波による高周波振動によって汚染物の基板
表面に付着しようとする力が弱められ、汚染物がすみや
かに基板から脱離することとなる。従って、常温下で洗
浄処理を行なっても十分な洗浄能力を発揮することがで
き、しかも常温下で行なえるので、薬液の濃度制御を容
易に行なうことができ、プロセスの制御が容易となって
高品位な洗浄結果を得ることができる。
様、洗浄槽１中にて、アンモニア水槽５及び過酸化水素
水槽６から供給された薬液により基板カセット４に収め
られたシリコン基板３が洗浄されるが、このとき同時に
超音波発生装置７により洗浄槽１中に超音波が加えられ
るので、超音波による高周波振動によって汚染物の基板
表面に付着しようとする力が弱められ、汚染物がすみや
かに基板から脱離することとなる。従って、常温下で洗
浄処理を行なっても十分な洗浄能力を発揮することがで
き、しかも常温下で行なえるので、薬液の濃度制御を容
易に行なうことができ、プロセスの制御が容易となって
高品位な洗浄結果を得ることができる。
なお、上記実施例では、洗浄される基板をシリコン基板
としたが、これは薬液のみでは高温下で洗浄しなければ
ならない他の成分の基板であってもよく、同様の効果を
奏する。
としたが、これは薬液のみでは高温下で洗浄しなければ
ならない他の成分の基板であってもよく、同様の効果を
奏する。
以上のようにこの発明の基板洗浄装置によれば、洗浄槽
中にて超音波を発生させる超音波発生装置を設けたので
、常温下でも十分な洗浄能力を発揮でき、かつ、薬液の
濃度制御を容易にして高品位な洗浄結果を得ることがで
きる効果がある。
中にて超音波を発生させる超音波発生装置を設けたので
、常温下でも十分な洗浄能力を発揮でき、かつ、薬液の
濃度制御を容易にして高品位な洗浄結果を得ることがで
きる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による基板洗浄装置を示す
概略図、第２図は従来の基板洗浄装置を示す概略図であ
る。 図において、■は洗浄槽、３はシリコン基板、４は基板
カセット、５はアンモニア水槽、６は過酸化水素水槽、
７は超音波発生装置である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
概略図、第２図は従来の基板洗浄装置を示す概略図であ
る。 図において、■は洗浄槽、３はシリコン基板、４は基板
カセット、５はアンモニア水槽、６は過酸化水素水槽、
７は超音波発生装置である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）洗浄を行なうための薬液で満たされた、基板を洗
浄するための洗浄槽を備えた基板洗浄装置において、 上記洗浄槽中にて超音波を発生させる超音波発生装置を
備えたことを特徴とする基板洗浄装置。 - （２）上記基板はシリコン基板であり、上記薬液はアン
モニア水及び過酸化水素水からなるものであることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の基板洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25735386A JPS63110640A (ja) | 1986-10-28 | 1986-10-28 | 基板洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25735386A JPS63110640A (ja) | 1986-10-28 | 1986-10-28 | 基板洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63110640A true JPS63110640A (ja) | 1988-05-16 |
Family
ID=17305201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25735386A Pending JPS63110640A (ja) | 1986-10-28 | 1986-10-28 | 基板洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63110640A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03159123A (ja) * | 1989-11-16 | 1991-07-09 | Mitsubishi Materials Corp | 半導体ウエーハの洗浄方法 |
| US5647327A (en) * | 1995-04-07 | 1997-07-15 | Nippon Soken, Inc. | Injection timing control device for fuel injection pump |
| US5655502A (en) * | 1995-01-24 | 1997-08-12 | Nippon Soken, Inc. | Injection timing control device for fuel injection pump |
| US6479400B2 (en) | 2000-07-27 | 2002-11-12 | Nec Corporation | Manufacturing method of system-on-chip and manufacturing method of semiconductor device |
-
1986
- 1986-10-28 JP JP25735386A patent/JPS63110640A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03159123A (ja) * | 1989-11-16 | 1991-07-09 | Mitsubishi Materials Corp | 半導体ウエーハの洗浄方法 |
| US5655502A (en) * | 1995-01-24 | 1997-08-12 | Nippon Soken, Inc. | Injection timing control device for fuel injection pump |
| US5647327A (en) * | 1995-04-07 | 1997-07-15 | Nippon Soken, Inc. | Injection timing control device for fuel injection pump |
| US6479400B2 (en) | 2000-07-27 | 2002-11-12 | Nec Corporation | Manufacturing method of system-on-chip and manufacturing method of semiconductor device |
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