JPS61207022A - 純水洗浄装置 - Google Patents

純水洗浄装置

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Publication number
JPS61207022A
JPS61207022A JP4771385A JP4771385A JPS61207022A JP S61207022 A JPS61207022 A JP S61207022A JP 4771385 A JP4771385 A JP 4771385A JP 4771385 A JP4771385 A JP 4771385A JP S61207022 A JPS61207022 A JP S61207022A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
function
pure water
semiconductor substrate
vessel
activator
Prior art date
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Pending
Application number
JP4771385A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuya Kauchi
加内　一也
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS61207022A publication Critical patent/JPS61207022A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H01L21/3046—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting using blasting, e.g. sand-blasting

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔腫業上の利用分野〕 本発明は半導体及び半導体集積回路の轡造過程で繰返し
固剤されるカスケード洗浄装置等の純水洗浄装置に関す
る。
〔従来の技術〕
従来、半導体及び半導体集積回路の製造過程に於て、薬
品によるエツチング後の最終洗１や絶縁膜等の気相成長
後のゴミ除去工程として、カスケード洗浄装置′４によ
る純水洗浄が一般的に実施されていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来の洗浄方法では、楽液の置換が遅い、外部
から付層したゴミ・汚れが除去されにくい等の問題があ
った。
この対策として、槽内の純水に空気を送り込みアジテー
ク１ン効果により置換を早める方法や超音波宛撮を利用
した機械的振動により、ゴミ・汚れ除去を促進する方法
も個々には用いられていた。
しかしながら、上記従来の洗浄方法では、Ｌ８Ｉ製造上
、問題となる微小なゴミまでは完全に除去出来ないとい
う欠点があった。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の純水洗浄装置は、半導体基板上面に付着または
積層した固形物、被膜状異物を積極的に除去するための
機能として、超音波発振機能と小気泡発生機能と非イオ
ン系界面活性剤調子機能とを有している。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
＃！１図は本発明の一実施例の縦断面図である。
カスケード下段槽の底面には１０−％−５０ｋＨｙ　　
の超音波発振板１をＪ１２りつける。
カスケード下段槽内には、数μｍ〜数十μｍの望素ガス
等の小気泡を発生させるための配管２を設置する。
さらに、カスケード槽上部には非イオン系界面活性剤を
カスケード槽内で０．１％〜１．０％の濃度に制御出来
る滴下機構３を設置する。
純水４を数百ｌ　／　Ｈｒ流し上記各機能を作動させた
状態の槽内に半導体基板等を浸漬すると、０．１〜１　
ｗ／Ｃ１１程度の超音波エネルギーによる小気泡の消滅
時のエネルギーにより（キャビティーシ１ン効果）基板
上面に強固に付層した異物を解離除去することができる
と同時に、活性剤により、半導体基板表面の洗浄効果を
高める事ができる。
〔発明の効果〕
以上、説明したように本発明の純水洗浄装置を用いれば
、超ｆ波発撮機能と小気泡発生機能との相互作用により
、半纏体上面に付層したゴミ・汚れ寺の異物を容易に除
去する事が出来、さらに非イオン系界面活性剤を添加す
ることにより楽品等の置換がすみやかに行われると同時
に基板洗浄効果を高める事か出来、実用上その効果は非
常に大である、
【図面の簡単な説明】
第１図に本発明の一夷鬼例の縦断面図である。 １・・・・・・超音波発振板能、２・・・・・・小気泡
発生機能、３・・・・・・非イオン界面活性滴下機能、
４・・・・・・カスケード槽純水、５・・・・−・純水
給水口、６・・・・・・純水排水口、７・・・・・・フ
ィルター、８・・−・・・霊素供給口。 代理人　弁理士　　内　原　　　晋１　　）＼。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　半導体基板等の純水洗浄装置に於て、超音波発振機能
    と、小気泡発生機能と、非イオン系界面活性剤滴下機能
    とを有する事を特徴とする純水洗浄装置。
JP4771385A 1985-03-11 1985-03-11 純水洗浄装置 Pending JPS61207022A (ja)

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JP4771385A JPS61207022A (ja) 1985-03-11 1985-03-11 純水洗浄装置

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JPS61207022A true JPS61207022A (ja) 1986-09-13

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4971920A (en) * 1987-11-28 1990-11-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Gettering method for semiconductor wafers
US4980300A (en) * 1987-11-28 1990-12-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Gettering method for a semiconductor wafer
JP2010240529A (ja) * 2009-04-01 2010-10-28 Kao Corp 超音波洗浄方法

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