JPH05152277A - ウエツトエツチング装置 - Google Patents
ウエツトエツチング装置Info
- Publication number
- JPH05152277A JPH05152277A JP31220891A JP31220891A JPH05152277A JP H05152277 A JPH05152277 A JP H05152277A JP 31220891 A JP31220891 A JP 31220891A JP 31220891 A JP31220891 A JP 31220891A JP H05152277 A JPH05152277 A JP H05152277A
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- JP
- Japan
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- etching
- wafer
- etchant
- ultrasonic
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＧａＡｓウェーハやＩｎＰウェーハ等を例え
ば硫酸系エッチング液で処理する場合において、超音波
のキャビテーションを利用して、ウェーハ上またはエッ
チング液中の気泡を取り除くことにより、ウェーハのエ
ッチングむらの抑制を図る。 【構成】 超音波発振器４と接続された圧電振動子５が
水６を満たして超音波槽７の底に取り付けられており、
その超音波槽７内にエッチング槽１を設置している。エ
ッチング槽１内にはエッチング液２を供給しておき、そ
の中へウェーハ３を表面上向きにして浸し、発振器４を
０．１ＭＨｚ〜２ＭＨｚの周波数で発振することによっ
て、圧電振動子５の振動が水６，そしてエッチング液
２，ウェーハ３に順次伝わり、ウェーハ３上に付着した
気泡を取り除きまた、エッチング液２中の気泡は、合体
してエッチング液２面に浮上していく。 【効果】 これによって、ウェーハ３表面上は、気泡の
ないエッチング液２となり、エッチングむらを抑制でき
る。
ば硫酸系エッチング液で処理する場合において、超音波
のキャビテーションを利用して、ウェーハ上またはエッ
チング液中の気泡を取り除くことにより、ウェーハのエ
ッチングむらの抑制を図る。 【構成】 超音波発振器４と接続された圧電振動子５が
水６を満たして超音波槽７の底に取り付けられており、
その超音波槽７内にエッチング槽１を設置している。エ
ッチング槽１内にはエッチング液２を供給しておき、そ
の中へウェーハ３を表面上向きにして浸し、発振器４を
０．１ＭＨｚ〜２ＭＨｚの周波数で発振することによっ
て、圧電振動子５の振動が水６，そしてエッチング液
２，ウェーハ３に順次伝わり、ウェーハ３上に付着した
気泡を取り除きまた、エッチング液２中の気泡は、合体
してエッチング液２面に浮上していく。 【効果】 これによって、ウェーハ３表面上は、気泡の
ないエッチング液２となり、エッチングむらを抑制でき
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＧａＡｓウェーハやＩ
ｎＰウェーハ等の化合物半導体ウェーハのウェットエッ
チング装置において、ウェーハのエッチングむらを抑制
した半導体ウェットエッチング装置に関するものであ
る。
ｎＰウェーハ等の化合物半導体ウェーハのウェットエッ
チング装置において、ウェーハのエッチングむらを抑制
した半導体ウェットエッチング装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のウェットエッチング装置
は、図３に示すようにエッチング槽１に例えば、Ｈ2 Ｓ
Ｏ4 系のエッチング液２を収容しておき、その中にウェ
ーハ３を表面上向きにして浸す方式を採っており、浸し
た状態のままでウェーハ３がエッチングされる。
は、図３に示すようにエッチング槽１に例えば、Ｈ2 Ｓ
Ｏ4 系のエッチング液２を収容しておき、その中にウェ
ーハ３を表面上向きにして浸す方式を採っており、浸し
た状態のままでウェーハ３がエッチングされる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たウェットエッチング装置では、エッチングにおいてウ
ェーハ３とエッチング液２との反応で発生した気泡ｆが
ウェーハ３の表面３ａに付着し、その箇所でのウェーハ
３とエッチング液２の接触を妨げることになり、エッチ
ング作用を停止させてしまうため、ウェーハ２の表面３
ａ上でエッチングむらを生じていた。
たウェットエッチング装置では、エッチングにおいてウ
ェーハ３とエッチング液２との反応で発生した気泡ｆが
ウェーハ３の表面３ａに付着し、その箇所でのウェーハ
３とエッチング液２の接触を妨げることになり、エッチ
ング作用を停止させてしまうため、ウェーハ２の表面３
ａ上でエッチングむらを生じていた。
【０００４】この発明は、上述の問題点を解決するため
になされたもので、ウェーハのエッチングむらの抑制を
目的とする。
になされたもので、ウェーハのエッチングむらの抑制を
目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記問題を
解決するための手段として、化合物半導体ウェーハ等を
浸すエッチング液を収容するエッチング槽に、超音波発
生手段を取り付けたことを特徴としている。
解決するための手段として、化合物半導体ウェーハ等を
浸すエッチング液を収容するエッチング槽に、超音波発
生手段を取り付けたことを特徴としている。
【０００６】
【作用】上記の構成によると、エッチング液とウェーハ
に伝わった超音波振動は、エッチング液中にてキャビテ
ーションを発生し、エッチング液中の気泡またはウェー
ハ上に付着した気泡が相互衝突して合体し、エッチング
液面上に浮上していく。
に伝わった超音波振動は、エッチング液中にてキャビテ
ーションを発生し、エッチング液中の気泡またはウェー
ハ上に付着した気泡が相互衝突して合体し、エッチング
液面上に浮上していく。
【０００７】この結果、エッチング液中の気泡はウェー
ハに付着しにくくなる一方、ウェーハに付着した気泡は
取り除かれるため、ウェーハのエッチングむらを抑制す
ることができる。また、使用する超音波周波数が０．１
ＭＨｚ〜１０ＭＨｚのため、ウェーハへのダメージは少
なく、エッチングを行うことができる。
ハに付着しにくくなる一方、ウェーハに付着した気泡は
取り除かれるため、ウェーハのエッチングむらを抑制す
ることができる。また、使用する超音波周波数が０．１
ＭＨｚ〜１０ＭＨｚのため、ウェーハへのダメージは少
なく、エッチングを行うことができる。
【０００８】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の実施例１の図面である。超音波発振
器４と接続された圧電振動子５が水６を満たした超音波
槽７の底に取り付けられており、その超音波槽７内にエ
ッチング槽１を設置している。エッチング槽１内には所
望のＨ2 ＳＯ4 やＨ2 Ｏ2 等のエッチング液２を収容し
ておき、その中へウェーハ３を表面上向きにして浸し、
超音波発振器４を０．１ＭＨｚ〜２ＭＨｚの周波数で発
振することによって、圧電振動子５の振動が水６，そし
てエッチング液２，ウェーハ３に順次伝わり、ウェーハ
３上に付着した気泡を取り除き、またエッチング液２中
の気泡は合体してエッチング液２の表面に浮上してい
き、破製して消滅する。
る。図１は本発明の実施例１の図面である。超音波発振
器４と接続された圧電振動子５が水６を満たした超音波
槽７の底に取り付けられており、その超音波槽７内にエ
ッチング槽１を設置している。エッチング槽１内には所
望のＨ2 ＳＯ4 やＨ2 Ｏ2 等のエッチング液２を収容し
ておき、その中へウェーハ３を表面上向きにして浸し、
超音波発振器４を０．１ＭＨｚ〜２ＭＨｚの周波数で発
振することによって、圧電振動子５の振動が水６，そし
てエッチング液２，ウェーハ３に順次伝わり、ウェーハ
３上に付着した気泡を取り除き、またエッチング液２中
の気泡は合体してエッチング液２の表面に浮上してい
き、破製して消滅する。
【０００９】また、発振器４の周波数が０．１ＭＨｚよ
り低い場合は大きなキャビテーションの発生によってウ
ェーハにダメージを与える理由で、また２ＭＨｚより高
い場合は、キャビテーション発生に必要な最低音波強度
の増大によってキャビテーションが発生せず、気泡の除
去が困難になる理由で不適切である。
り低い場合は大きなキャビテーションの発生によってウ
ェーハにダメージを与える理由で、また２ＭＨｚより高
い場合は、キャビテーション発生に必要な最低音波強度
の増大によってキャビテーションが発生せず、気泡の除
去が困難になる理由で不適切である。
【００１０】これにより、ウェーハ３表面上は気泡のな
い良好なエッチング液２となり、エッチングむらを抑制
できる。
い良好なエッチング液２となり、エッチングむらを抑制
できる。
【００１１】
【実施例２】図２は本発明の実施例の図面である。
【００１２】この実施例は前記実施例１の超音波槽７に
代えて、直接エッチング槽１に圧電振動子５を設置した
点を除いて実施例１と同様であるため、同一部分には同
一参照符号を付してその説明を省略する。この実施例で
は圧電振動子５をエッチング槽支え８にて支えられたエ
ッチング槽１に直接設置したことにより、水６による減
衰がなくなり、小さな超音波強度の超音波によって極め
て微小な気泡をエッチング液２面に浮上させることがで
きる。
代えて、直接エッチング槽１に圧電振動子５を設置した
点を除いて実施例１と同様であるため、同一部分には同
一参照符号を付してその説明を省略する。この実施例で
は圧電振動子５をエッチング槽支え８にて支えられたエ
ッチング槽１に直接設置したことにより、水６による減
衰がなくなり、小さな超音波強度の超音波によって極め
て微小な気泡をエッチング液２面に浮上させることがで
きる。
【００１３】
【発明の効果】以上、説明したように、この発明を採用
したことにより、ウェットエッチングされる化合物半導
体ウェーハ等の表面のエッチングむらを抑制することが
でき、ウェーハ加工処理作業の能率改善や半導体装置製
造における信頼性向上に大きく貢献できる。
したことにより、ウェットエッチングされる化合物半導
体ウェーハ等の表面のエッチングむらを抑制することが
でき、ウェーハ加工処理作業の能率改善や半導体装置製
造における信頼性向上に大きく貢献できる。
【図１】 この発明に係る実施例１のウェットエッチン
グ装置の断面図
グ装置の断面図
【図２】 この発明に係る実施例２のウェットエッチン
グ装置の断面図
グ装置の断面図
【図３】 従来技術におけるウェットエッチング装置の
断面図
断面図
１ エッチング槽 ２ エッチング液 ３ ウェーハ ４ 超音波発振器 ５ 圧電振動子 ６ 水 ７ 超音波槽 ８ エッチング槽支え
Claims (2)
- 【請求項１】半導体ウェーハを浸すエッチング液を収容
するエッチング槽に、超音波発生手段を取り付けたこと
を特徴とするウェットエッチング装置。 - 【請求項２】超音波発生手段の周波数が０．１ＭＨｚ〜
２ＭＨｚである請求項１記載のウェットエッチング装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31220891A JPH05152277A (ja) | 1991-11-27 | 1991-11-27 | ウエツトエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31220891A JPH05152277A (ja) | 1991-11-27 | 1991-11-27 | ウエツトエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05152277A true JPH05152277A (ja) | 1993-06-18 |
Family
ID=18026503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31220891A Pending JPH05152277A (ja) | 1991-11-27 | 1991-11-27 | ウエツトエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05152277A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6033994A (en) * | 1997-05-16 | 2000-03-07 | Sony Corporation | Apparatus and method for deprocessing a multi-layer semiconductor device |
| US6337030B1 (en) | 1997-02-04 | 2002-01-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer processing apparatus, wafer processing method, and SOI wafer fabrication method |
| US6391067B2 (en) | 1997-02-04 | 2002-05-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer processing apparatus and method, wafer convey robot, semiconductor substrate fabrication method, and semiconductor fabrication apparatus |
| KR100524156B1 (ko) * | 1998-12-17 | 2006-01-12 | 엘지마이크론 주식회사 | 금속시트재의 프리에칭 방법 및 그 장치_ |
-
1991
- 1991-11-27 JP JP31220891A patent/JPH05152277A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6337030B1 (en) | 1997-02-04 | 2002-01-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer processing apparatus, wafer processing method, and SOI wafer fabrication method |
| US6391067B2 (en) | 1997-02-04 | 2002-05-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer processing apparatus and method, wafer convey robot, semiconductor substrate fabrication method, and semiconductor fabrication apparatus |
| KR100355919B1 (ko) * | 1997-02-04 | 2002-10-11 | 캐논 가부시끼가이샤 | 반도체기판의 제조방법 |
| KR100416963B1 (ko) * | 1997-02-04 | 2004-03-26 | 캐논 가부시끼가이샤 | 웨이퍼처리장치와그방법및에스오아이웨이퍼제조방법 |
| US6033994A (en) * | 1997-05-16 | 2000-03-07 | Sony Corporation | Apparatus and method for deprocessing a multi-layer semiconductor device |
| KR100524156B1 (ko) * | 1998-12-17 | 2006-01-12 | 엘지마이크론 주식회사 | 금속시트재의 프리에칭 방법 및 그 장치_ |
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