JPH07928A - 種々の対象物をクリーニングする方法及び装置 - Google Patents

種々の対象物をクリーニングする方法及び装置

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JPH07928A
JPH07928A JP5343308A JP34330893A JPH07928A JP H07928 A JPH07928 A JP H07928A JP 5343308 A JP5343308 A JP 5343308A JP 34330893 A JP34330893 A JP 34330893A JP H07928 A JPH07928 A JP H07928A
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SUPESHIYARUTEI KOOTEINGU SYST
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    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
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    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/12Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations

Abstract

(57)【要約】 【目的】 種々の対象物の表面から、対象物を粒子の存
在に対して敏感な引き続く種々の工程段階に直接先立っ
て使用できるようにクリーニングするための、1ミクロ
ン以下の微小粒子を効果的に除去する方法及びその装置
を提供する。 【構成】a)堰を備えた第1貯槽の中に入れられていて
上方液面を有する液態のクリーニング用流体の中に、上
記流体の上方液面が堰の上方に少なくとも0.5mm上
昇して上記流体が堰を越えて第2貯槽の中へ流入するこ
とをもたらすのに有効な超超音波振動を導入し、そして b)堰よりも上の上記流体の上方液面を、上記流体の少
なくとも1部が堰を超えて第2貯槽の中へ流れ込むに先
立って対象物の表面と接触するように堰の上方に配置さ
れている対象物表面と接触させる

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は種々の物体をクリーニン
グする方法に関する。より特別には、本発明は、種々の
曲面や平坦面を有する物体を超超音波(megasonic)振動
の利用のもとにクリーニングする方法及び装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】例えばラップトップ型コンピュータ、高
精細度テレビション及びコンピュータブラウン管等にお
いて用いられる平坦パネルディスプレー、例えばレン
ズ、色フィルタ及び鏡等の光学機器類、ハイブリッド回
路板、シリコンウエハ及びゲルマニウムウエハ等の種々
の製品の製造において、例えば約10ミクロン以下のよ
うな薄い薄層塗膜の塗装がますます重要な工程段階にな
ってきている。
【0003】このような塗装の厚さが例えば約1ミクロ
ン又はそれ以下に低下するにつれてその対象物の表面は
その塗装に最低の欠陥を保証するために極めて清浄にな
るように塗装されることが必要である。例えば或種の活
性ディスプレーパネルは、それぞれが約500オングス
トロームないし5ミクロンの厚さを有している10ない
し15層の塗装を有する。或種のウエハは約0.5ミク
ロンのオーダーの導電性線間隔を有している。従って約
1ミクロン以下と言うような小さな粒子でさえこれらの
極端に薄い塗装を阻害し、また塗装内に欠陥を生ずるこ
とができる。
【0004】超音波トランスジューサがクリーニング用
溶液の中に振動を導入して対象物の表面から粒子を除去
するのを促進するためにしばしば用いられる。超音波ト
ランスジューサは約10から約40キロヘルツ(KH
z)の振動数で振動する。超音波クリーニングは比較的
大きな粒子を動かすのに有効であるけれども、これは約
1ミクロン以下の粒度を有する粒子の除去には実際上無
効である。
【0005】超超音波クリーニングは超音波クリーニン
グと類似の方法であるが、これは約800KHzから
1.8メガヘルツ(MHz)の振動周波数を用いる。超
超音波クリーニングは約1ミクロン以下の粒度を有する
粒子の除去に極めて有効であることがある。
【0006】超音波クリーニング法及び超超音波クリー
ニング法は通常、各対象物を液態クリーニング用流体の
浴液の中に浸漬し、そしてその超音波振動又は超超音波
振動をそのクリーニング用流体を通して導入し、それに
よりその対象物の表面に付着している粒子を脱落させる
ことを含む。このようなクリーニング方法は通常、バッ
チ式の方法で行われ、それにより各対象物のクリーニン
グの後及び次の、例えば塗装等の工程段階に先立ってロ
ボット又は人手による処理を必要とする。従って小さな
粒子はそのような処理の間に容易にそれらの表面に付着
できる。
【0007】種々の対象物に薄い塗装を施すための特に
有効な方法の1つが、1983年1月25日に発行され
た米国特許第4,370,376号公報に記述されてい
る。その特許権者は公報第1欄、41ないし57行に次
のように記述している:「本発明によれば基材のような
対象物のメニスカス塗装が、塗装材料を透過性で傾斜し
た表面を通して、その傾斜した表面の外側の上で塗装材
料の下向きの層流が作り出されるように流すことにより
行われる。塗装されるべき表面を有する対象物は、その
塗装されるべき表面がその流れている塗装材料の傾斜し
た透過性表面のメニスカスの頂部のところで塗装材料の
層流をさえぎるようにその塗装材料の下向きの層流に対
して切線方向へ前進させられ、そしてその塗装されるべ
き表面と接触している塗装材料の先行端及び末尾端のと
ころでともに支持される。その塗装された表面からの沈
着した過剰の塗装材料の均一な分離及び抜き出しはそれ
ぞれの一様なメニスカス及びその傾斜面の外側上での塗
装材料の定常的な下向きの層流によって確保される。」
【0008】その特許権者は更に、対象物の表面を塗装
に先立ってクリーニングしておいてもよいと述べてい
る。この特許権者はまたその第6欄、38ないし46行
において次のように述べている:「各クリーニング法は
ブラシ、超音波スクラッビング及び/又は他の機械的な
スクラッビング法による溶剤洗浄を含むことができる。
次に基材は溶剤の乾燥と除去とに先立って高純水及び/
又は溶剤によりすすぎを行うことができる。また多孔質
円筒状のアプリケータをその基材を溶剤でクリーニング
し、すすぐために用いてもよい。溶剤の乾燥は、制御さ
れたガスの流れ及び/又は真空法による蒸発的操作を含
むことができる。」
【0009】しかしながら、このようなクリーニング方
法は例えば約1ミクロンよりも大きな比較的大きな粒子
を除去するには典型的に有効ではあるけれども、それら
の方法はしばしば約1ミクロンよりも小さな粒度を有す
る粒子を除去するには無効である。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】従って、例えば約1ミ
クロンよりも小さな微小粒子を除去するためにそれら対
象物の表面をクリーニングするための方法と装置とが望
まれる。加えて、そのような対象物を粒子の存在に対し
て敏感な引き続く種々の工程段階に直接先立って使用で
きるようにクリーニングするための方法及び装置が望ま
れる。
【0011】本発明によれば、例えば約1ミクロンより
も小さな微小粒子を除くために対象物の表面をクリーニ
ングする方法と装置とが提供される。本発明により、い
まや例えば塗装等のような粒子の存在に対して敏感な工
程段階に先立って対象物を中間的に処理する必要なくそ
れらの表面をクリーニングすることが可能である。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明の様相(アスペク
ト)の1つにおいて、対象物をクリーニングするための
方法が提供される。この方法は a)堰を備えた第1貯槽の中に入れられていて上方液面
を有する液態のクリーニング用流体の中に、上記流体の
上方液面が堰の上方に少なくとも0.5mm上昇して上
記流体が堰を越えて第2貯槽の中へ流入することをもた
らすのに有効な超超音波振動を導入し、そして b)堰よりも上の流体の上方液面を、この流体の少なく
とも1部が堰を超えて第2貯槽の中へ流れ込むに先立っ
て対象物の表面と接触するように堰の上方に配置されて
いる対象物表面と接触させる各工程段階を含む。
【0013】本発明のもう一つのアスペクトにおいては
対象物をクリーニングするための装置が提供される。こ
の装置は a)少なくとも部分的に開放している上側端と、少なく
とも部分的に閉じている底部端と、少なくとも1つの側
壁と、及び上側端に配置された堰とを有する第1貯槽、 b)少なくとも部分的に開放している上側端と、少なく
とも部分的に閉じている底部端と、及び少なくとも1つ
の側壁とを有する第2貯槽〔但しこの第2貯槽はこのも
のの上側端が第1貯槽の上側端よりも下方にあって、第
1貯槽から堰を超えて流れる液態のクリーニング用流体
を受け取るように整列して配置されている〕、及び c)第1貯槽の底部端に配置され、そしてこの底部から
第1貯槽の上側端へ向かい一般に垂直の方向へ超超音波
振動を発生させることのできるトランスジューサを含
む。
【0014】
【作用】クリーニングされる個々の対象物は本発明にと
っては重要ではない。典型的にはクリーニングは、例え
ば種々の塗装操作における前処理段階として、又は或る
表面の接着特性を改善するための前処理段階として、或
いは或る対象物の表面濡れ特性を改善するための前処理
段階として必要である。本発明の方法及び装置は中で
も、必ずしもそれに限定されるものではないが、平坦
な、又は弯曲した種々の表面を有する対象物をクリーニ
ングするのに適している。このような対象物の例は、必
ずしもそれらに限定されるものではないが、例えばラッ
プトップ型コンピュータ、高精細度テレビジョン及びコ
ンピュータブラウン管等において用いられる平坦なパネ
ルディスプレー、例えばレンズ、色フィルター及び鏡の
ような光学機器類、ハイブリッド回路板、シリコーンや
ゲルマニウムのウエハ(その技術分野で半導体とも呼ば
れている)及びメモリーディスク等を包含する。加え
て、それら対象物の表面は例えばガラス板のように平滑
であるか、又は例えばシリコンウエハやゲルマニウムウ
エハのように段差のある形状を有して不規則な場合があ
る。それら対象物の典型的な材料は、例えばガラス、セ
ラミック、金属、プラスチック及びそれらの組み合わせ
を含む。
【0015】以下において「粒子物質」とも呼ばれる微
粒子は一般に約10ミクロン以下の粒度を有する。好ま
しくはこの粒度は約1ミクロン以下であり、そして最も
好ましくは約0.1ないし1ミクロンである。このよう
な粒子物質はしばしばその製造工程が実施されていると
ころの大気の中に、またクリーンルームの環境内でさえ
存在する。このような粒子物質の発生源は例えば、塵
埃、微生物及び有機性蒸気を包含する。
【0016】個々の液態クリーニング用流体は本発明に
とって重要ではない。典型的なクリーニング用流体は、
例えば種々の溶剤及び洗浄剤を含む。しかしながら溶剤
類が一般に好ましく、と言うのはそれらは水性洗浄剤よ
りも一般に揮発性が高く、従ってそれら溶剤を蒸発させ
るために要する時間が少なくて済むからである。例えば
1ないし4個の炭素原子を有するもののような低級アル
コールは溶剤の好ましい1群である。エタノールやイソ
プロピルアルコールは本発明に従い使用するのに特に好
ましいクリーニング用流体である。
【0017】
【実施例】以下、本発明を添付の図面の参照のもとに更
に詳細に記述するが、これらは説明のためにのみあげて
あるものであって、この出願の特許請求の範囲を制限し
ようとするものではない。当業者にはこれらの図面が単
純化された形で示されており、そして例えば弁類、スイ
ッチ類、プロセス制御手段、結線、加熱要素等のような
当業者によく知られたものを示していないことが認めら
れるであろう。
【0018】図1は本発明に従うクリーニング方法を図
式的に説明するものである。好ましくは第1貯槽12の
中に入れられている液態のクリーニング用流体11の中
へ約800KHzから1.8MHzまでの振動周波数を
有する超超音波振動を導入するためにトランスジューサ
10が用いられている。超超音波振動の導入に先立って
この流体は第1貯槽内で「水準1」のところに上方液面
を有している。
【0019】トランスジューサ10を賦勢させると超超
音波振動が流体を通して上向きに進み、そして上方液面
を堰13の上方の「水準2」まで押しあげる。典型的に
は上方液面すなわち「水準2」と堰との間の高さの差は
少なくとも約0.5mm、好ましくは約1ないし10m
m、そして最も好ましくは約2ないし5mmである。好
ましくはこの超超音波振動の発生は第1貯槽の或る低い
位置からであり、そしてその音波は流体を通して第1貯
槽の底部端から上側端へ向かい、一般に垂直の方向へ進
行する。流体の移動を達成するのに必要な入力エネルギ
ーの水準は第1貯槽内の流体の容積に依存し、そして当
業者によって決定することができる。例えば、約2リッ
トルのオーダーの流体容積に対しては、典型的な入力エ
ネルギー水準は約20から100ワットまでの範囲であ
る。
【0020】液面が堰13の上方へ上昇したならば、流
体14の1部は堰を越えて第2貯槽15の中に流入し、
そしてこの溢流はこれに捕集される。流体の上方液面、
すなわち堰の上方の流体は次にそのクリーニングされる
べき対象物16の表面と接触するに至るが、このものは
一般にその流体の少なくとも1部が堰13を越えて第2
貯槽15の中に流入するに先立って上記表面と接触する
ように堰の上方に配置されている。対象物16の向きは
好ましくはクリーニング用流体の上方液面に対して逆向
きであるのがよい。接触は、例えば第1貯槽12を流体
の上方液面が対象物と接触する水準まで持ちあげるか、
又はその代わりに対象物のその表面を流体の上方液面と
接触するまで下降させることによって行なうことができ
る。好ましくはこの接触は第1貯槽を堰13がほとんど
その対象物16の表面と接触し、そしてメニスカス17
が形成されるのに充分な水準まで上昇させるようにして
行なわれるが、このメニスカスは対象物16の表面と第
1貯槽12の上側端との間の、例えば約1ないし5mm
の高さの液柱を含む。次に第1貯槽12を、メニスカス
17はなお維持されるけれども堰13の上方で流体14
の実質的に自由な流れが存在するような高さまで降下さ
せる。典型的には第1貯槽の上側端、すなわち堰13と
対象物16の表面との間の距離は、第1貯槽12を下降
させてしまった後で約1mmよりも大きく、そして好ま
しくは約2ないし10mmである。
【0021】クリーニングは或る静止位置において行な
ってもよく、又はそのかわりに対象物16を第1貯槽1
2に対して前進させてもよい。対象物16か、又は第1
貯槽12か、或いはその両者を物理的に移動させてこの
前進を行なうことができる。対象物16を一般に水平の
方向へ、第1貯槽12に対して前進させるのが好まし
い。しかしながら対象物16の向きは所望の場合には傾
斜させてもよい。典型的な前進速度は1分間当り約10
ないし1000mmであり、そしてより典型的には1分
間当り約25ないし250mmである。対象物16は矢
印の方向へ前進させて溶剤18の液膜を提供するように
し、この溶剤は好ましくは対象物16の前進速度に対応
するか、又はそれよりも速く蒸発する。所望の場合、溶
剤の蒸発速度の上昇のために加熱及び/又は例えば窒素
ガスのような不活性ガスによるパージングを用いること
ができる。このような技術は当業者によく知られてい
る。
【0022】流体は第2貯槽15からライン19を介し
て抜き出され、そしてこの流体を第1貯槽12へ戻して
再循環するためにポンプ20へ送られる。好ましくはこ
の再循環は第1貯槽12の中の流体11が堰13を超え
て第2貯槽15の中へ流れ込むことをもたらす。これが
超超音波振動のクリーニング作用を高めると信じられ
る。従って好ましくはポンプ20を通る流量は堰13を
越える流体の流れを作り出すのに充分であるのがよい。
循環速度は一般に100分間当り約1容積の流体から1
分間当り約1容積の流体までの範囲である。クリーニン
グ用流体の容積は本発明にとっては重要ではないけれど
も、典型的には約10mlから約10リットルまでであ
る。再循環段階は好ましくは超超音波振動の導入及びそ
の流体の対象物16表面との接触の各段階の間に連続的
に行なわれる。ライン21内の流体の圧力は典型的には
濾過装置の空孔の大きさ及びそのクリーニング用流体の
粘度に依存して約2ないし6psigである。なお、p
siは0.07kg/cm2 として大略換算する。以下の
記載についても同様である。
【0023】第2貯槽15から抜き出された流体はしば
しば粒子物質を含んでいる。従ってこの抜き出された流
体をポンプ20からライン21を経て濾過装置22へ送
り込むのが好ましい。典型的にはその濾過段階はライン
21中の約0.1ミクロンよりも大きな粒度を有する粒
子物質の少なくとも約90%、そしてより好ましくは少
なくとも約99%を除去するのに有効であるのがよい。
濾過されて加圧された流体は濾過装置22からライン2
3を介して抜き出され、加熱−冷却用要素24を通過
し、そしてライン25を介して第1貯槽12の中に導入
される。
【0024】本発明のクリーニング方法は各対象物の表
面から約1ミクロンよりも小さな粒度を有する粒子を除
去するのに有効であることができる。好ましくはクリー
ニングの後でその対象物の表面上の約90%よりも少な
く、そしてより好ましくは約99%よりも少ない粒子が
約0.1ミクロンよりも大きな粒度を有する。クリーニ
ングの後でその表面の上に残留する粒子の量及び粒度の
測定方法は当業者に知られている。
【0025】クリーニングの実施される温度は本発明に
とって重要ではないが、一般にその方法をクリーニング
用流体の沸点以下の温度において実施するのが好まし
い。典型的な実施温度は約60ないし150度Fの範囲
である。好ましくはクリーニングをほぼ外気温度、すな
わち室温ないし外気温度よりも約15度F高い温度で実
施し、それにより周囲の大気中から水分が対象物の表面
上に凝縮するのを防ぐのが好ましい。本発明の利点の1
つは、超超音波振動がしばしばその対象物の表面温度を
約15度Fまで上昇させるのに有効であると言うことで
ある。この温度上昇はクリーニングの後でその表面の上
に残留しているクリーニング用流体の蒸発速度を高める
ことが見出されている。上述した加熱−冷却要素24は
そのクリーニング用流体の温度を所望の温度に制御する
のに有用である。なお、°Fは9/5×℃+32℃によって
換算する。以下の記載においても同様である。
【0026】クリーニングの実施される圧力も本発明に
とっては重要ではない。大気圧以上の圧力及び真空圧力
を使用することもできるが、典型的にはこの方法はほぼ
大気圧の圧力において実施される。例えばクリーニング
段階をパージガスを用い、窒素、ヘリウム又はアルゴン
のような不活性雰囲気中で例えば2ないし5psigの
僅かに大気圧以上の圧力において実施するのが好ましい
ことがある。同様に、このクリーニング段階を、その蒸
発している溶剤の流れを所望の位置へ指向させるために
例えば約1psigよりも低い僅かな真空の条件のもと
で実施するのも好ましい場合がある。
【0027】本発明の方法は対象物の表面を引き続く例
えば塗装、接着促進又は濡れ特性改善のような処理段階
に先立ってクリーニングするのに用いることができる。
それらの方法はそのクリーニング段階を後続の工程段階
に直接先立って実施するように1つの工程に総合した場
合に特に有用である。本発明のクリーニング方法を実施
するのに、その塗装段階が逆向きにされた或る対象物の
上で実施されるので例えば前に引用した米国特許第4,
370,356号に記述されている塗装方法を容易に適
合させることができる。すなわち本発明の方法はその塗
装段階に直接先立ってインライン(in line)において実
施することができる。その塗装段階が直立した表面上
で、例えばスピン塗装、スプレー塗装又はローラ塗装等
により行われるような他の種々のプロセスにおいてさ
え、本発明の方法は対象物を保持するための回転チャッ
クを用いることによって容易に組み入れ、総合化するこ
とができる。このような回転チャックについての詳細は
当業者に知られている。
【0028】図2は本発明に従う装置を図式的に示すも
のである。この装置は少なくとも部分的に開放されてい
る上側端31を有する第1貯槽30と、少なくとも部分
的に閉じられている底部端32と、少なくとも1つの側
壁33と、及び上記上側端に配置された堰34とを含
む。好ましくは上側端31は完全に開放されている。好
ましくは底部端32はライン46を介しての流体の移送
を許容する通路を除いて閉じられており、その供給源は
後で記述する。これと異なって、底部端32が完全に閉
じられていてライン46のための開口が側壁内に存在す
るようにすることもできる。側壁33の数は第1貯槽の
断面形状に依存する。上方から見て第1貯槽は例えば円
形、正方形、矩形、三角形又は楕円形の断面を有するこ
とができるが、もちろん他の断面形状も本発明の技術範
囲内にある。好ましくは例えば円形断面の1つの側壁が
存在するか、又は例えば矩形断面で4つの側壁が存在す
る。好ましくは1つ又はいくつかの側壁の上側端が堰を
形成する。すなわち例えば第1貯槽30が矩形の断面を
有している場合は、各側壁の上側端がその堰を形成す
る。例えばもし第1貯槽30が円形断面を有している場
合は、連続した1つの側壁が存在し、これがその上側端
において堰を形成している。これと異なって、その堰は
例えば1つの側壁に取りつけられた別個の要素として存
在していることもできる。
【0029】この装置はまた、少なくとも部分的に開放
している上側端36と、少なくとも部分的に閉じている
底部端37と、及び少なくとも1つの側壁とを有する第
2貯槽35をも含む。好ましくは上側端36は完全に閉
じられているのがよい。好ましくは底部端37はライン
40を介しての流体の移送を許容するための通路を除い
て閉じられているのがよく、その供給源は後述する。こ
れと異なって、底部端37が完全に閉じられていてライ
ン40のための開口が側壁内に存在するようにすること
もできる。側壁33の数は第1貯槽30と同様にその断
面形状に依存する。好ましくは第2貯槽35は第1貯槽
30と同じ断面形状を有し、その際第1貯槽30は第2
貯槽35内に一般に同心的に配置されているのがよい。
好ましくは第2貯槽35は、その上側端36が第1貯槽
30の上側端31よりも低い位置に配置されて、第1貯
槽30から堰34を越えて流入する液態クリーニング用
流体を受けるために整列しているように配置されている
のがよい。第2貯槽35は第1貯槽30と物理的に分離
された要素であるか、又はそれに取りつけられている
か、或いは例えば鋳造されたもののようにこのものの一
体化された部分であることができる。当業者は第2貯槽
35が第1貯槽30からのクリーニング用流体の第2貯
槽35への流れを許容するために種々の態様で第1貯槽
30とともに形成されていることができるのを認めるで
あろう。
【0030】第1貯槽30及び第2貯槽35を構成する
材料は本発明にとっては重要ではない。典型的な構造材
は例えば金属、ガラス、セラミック、プラスチック及び
それらの組み合わせを含む。好ましくは濡れを生じない
材料、すなわちクリーニング用流体に対して非親和性
の、すなわち「疎液性」の材料が第1貯槽30の内側上
方部分において用いられてこの流体の逆転メニスカス又
は負のメニスカスを作り出すようにするのがよく、それ
によってその第1貯槽30が流体で満たされたときにこ
の流体は堰34の上方へ盛り上がる。
【0031】この装置はまたトランスジューサ39をも
含んでいるが、これは前述したように超超音波振動を放
射することのできる装置である。トランスジューサ39
の断面形状は本発明にとって重要ではないけれども、一
般にこのトランスジューサは第1貯槽30と同じ断面形
状を有しているのが好ましい。このような超超音波トラ
ンスジューサについての詳細は当業者に知られている。
本発明の装置において用いるのに適した超超音波トラン
スジューサは例えばコネチカット州ダムバリーのBra
nson Ultrsonics Corporati
onから入手できる。トランスジューサは底部端32か
ら上側端31へ向けて一般に垂直方向への超超音波振動
を生ずるように第1貯槽30の底部端32に配置され
る。トランスジューサ39はまた例えば底部端32の下
方に取りつけることもでき、そしてこの底部端32は超
超音波振動に対して透過性の、例えば石英のような物質
よりなることができる。
【0032】好ましくはこの装置は更に、第2貯槽35
から流体を抜き出してこの抜き出された流体を第1貯槽
32へ再循環するための手段を含む。この装置は更に、
その抜き出された流体を濾過して粒子物質を除去するた
めの手段をも含んでいるのが好ましい。第1導管40が
設けられていて、これは第2貯槽35の底部端37に連
結され、かつ第2貯槽35の内部と連通している第1端
部及びポンプ41の入口に連結された第2端部を有して
いる。第2導管42が設けられており、これはポンプ4
1の出口と連結された第1端部及び濾過装置43の入口
と連結された第2端部を有している。第3導管44が設
けられており、これは濾過装置43の出口に連結されて
いる第1端部及び加熱−冷却要素45の入口と連結され
ている第2端部を有している。第4導管46は加熱−冷
却要素45の出口端部に連結された第1端部及び第1貯
槽30の底部端32に連結されかつ第1貯槽30の内部
に連通している第2端部を有している。
【0033】本発明の装置において使用するのに適した
ポンプ、濾過装置及び加熱−冷却要素についての詳細は
当業者に知られており、そして市販において入手するこ
とができる。本発明に従って用いられる好ましい濾過装
置は約0.1ないし10ミクロンの範囲の粒度を有する
深層フィルタである。このような深層フィルタは例えば
マサチューセッツ州ベッドフォードの Millipo
re Corp.から市販で入手することができる。粒
子物質を除去するための他の手段としては、膜濾過によ
るものがあり、それらの詳細は当業者に知られている。
【0034】好ましくは、装置を使用しないときにクリ
ーニング用流体の蒸発を最小限に抑えるために蓋47が
設けられているのがよい。
【0035】装置の全体の大きさは本発明にとって重要
ではない。クリーニングはその対象物のクリーニング用
溶液に対する相対的な運動によって引き起こされ得るの
で、この装置は対象物自身よりも小さくてもよい。本発
明に従う典型的な装置は第1及び第2貯槽を収容するた
めに約1から6インチまでの長さ、すなわち図2のA点
からB点までの距離、を有する。幅は典型的には塗装さ
れる対象物の幅に依存するが、これはしばしば約6ない
し24インチの範囲である(図2には示されていな
い)。なお、インチは2.54cmとして大略換算する。
【0036】以上、本発明はいくつかの特別なアスペク
トについて詳細に説明したが、当業者には本発明の技術
的範囲内において多くの変更が可能であることは明らか
であろう。例えばここに記述したそれぞれの塗装方法に
加えて、当業者には、例えば金属化のように基材に金属
被覆を施す前、又はその後におけるクリーニング段階等
のように本発明を他の種々のプロセスに適用できること
は明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に従うクリーニング方法の図式説明図。
【図2】本発明に従うクリーニング装置の図式説明図。
【符号の説明】 10 トランスジューサ 11 クリーニング用流体 12 第1貯槽 13 堰 14 流体 15 第2貯槽 16 対象物 17 メニスカス 18 溶剤膜 20 ポンプ 22 濾過装置 24 加熱−冷却要素 30 第1貯槽 31 上側端 32 底部端 33 側壁 34 堰 35 第2貯槽 36 上側端 37 底部端 38 側壁 39 トランスジューサ 40 第1導管 41 ポンプ 42 第2導管 43 濾過装置 44 第3導管 45 加熱−冷却要素 46 第4導管 47 蓋

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 種々の対象物をクリーニングする方法に
    おいて、 a)堰を備えた第1貯槽の中に入れられていて上方液面
    を有する液態のクリーニング用流体の中に、上記流体の
    上方液面が堰の上方に少なくとも0.5mm離れて上昇
    して上記流体が堰を越えて第2貯槽の中へ流入すること
    をもたらすのに有効な超超音波振動を導入し、そして b)堰よりも上の上記流体の上方液面を、上記流体の少
    なくとも1部が堰を超えて第2貯槽の中へ流れ込むに先
    立って対象物の表面と接触するように堰の上方に配置さ
    れている対象物表面と接触させることを含む方法。
  2. 【請求項2】 更に、堰に対してその対象物の上記表面
    をだいたい水平の方向へ前進させることを含む、請求項
    1の方法。
  3. 【請求項3】 更に、上記流体を第2貯槽から抜き出し
    てこの抜き出された流体を第1貯槽へ導入することによ
    り上記流体を循環させることを含む、請求項1の方法。
  4. 【請求項4】 上記振動が、上記流体の上方液面を堰の
    上方へ約1から10ミクロンの高さまで上昇させるのに
    有効である、請求項1の方法。
  5. 【請求項5】 約800KHzから1.8MHzまでの
    振動数で超超音波振動を導入する、請求項1の方法。
  6. 【請求項6】 種々の対象物をクリーニングする装置に
    おいて、 a)少なくとも部分的に開放している上側端と、少なく
    とも部分的に閉じている底部端と、少なくとも1つの側
    壁と、及び上側端に配置された堰とを有する第1貯槽、 b)少なくとも部分的に開放している上側端と、少なく
    とも部分的に閉じている底部端と、及び少なくとも1つ
    の側壁とを有する第2貯槽〔但しこの第2貯槽はこのも
    のの上側端が第1貯槽の上側端よりも下方にあって、第
    1貯槽から堰を超えて流れる液態のクリーニング用流体
    を受け取るように整列して配置されている〕、及び c)第1貯槽の底部端に配置され、そしてこの底部から
    第1貯槽の上側端へ向かいだいたい垂直の方向へ超超音
    波振動を発生させることのできるトランスジューサを含
    む装置。
  7. 【請求項7】 上記少なくとも1つの側壁が上記堰を含
    む上側端を有する、請求項6の装置。
  8. 【請求項8】 第1貯槽が4つの側壁を有し、そして各
    側壁の上側端が上記堰を形成する、請求項7の装置。
  9. 【請求項9】 第1貯槽が円形の断面を形成する1つの
    連続側壁を有し、その際この側壁の上側端が堰を形成し
    ている、請求項7の装置。
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TW (1) TW252932B (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005311354A (ja) * 2004-04-01 2005-11-04 Lam Res Corp 近接ヘッドを用いたウエハ乾燥中の周囲環境の制御
JP2005328038A (ja) * 2004-03-31 2005-11-24 Lam Res Corp 近接ヘッドの加熱方法および装置
JP2006326429A (ja) * 2005-05-24 2006-12-07 Japan Organo Co Ltd 流体供給システム
JP2012228654A (ja) * 2011-04-26 2012-11-22 Kaken Tec Kk 部分洗浄装置および部分洗浄方法
JP2015195411A (ja) * 2006-10-16 2015-11-05 マテリアルズ・アンド・テクノロジーズ・コーポレーション 流体メニスカスを使う湿式処理装置および方法
KR20230142289A (ko) * 2022-04-01 2023-10-11 세메스 주식회사 기판처리장치 및 기판처리방법

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5289838A (en) * 1991-12-27 1994-03-01 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Ultrasonic cleaning of interior surfaces
JPH06320744A (ja) * 1993-04-19 1994-11-22 Xerox Corp 全巾インクジェットプリンタ用の湿式拭い保守装置
JP2900788B2 (ja) * 1994-03-22 1999-06-02 信越半導体株式会社 枚葉式ウェーハ処理装置
US5574485A (en) * 1994-10-13 1996-11-12 Xerox Corporation Ultrasonic liquid wiper for ink jet printhead maintenance
JP3351924B2 (ja) * 1995-01-06 2002-12-03 忠弘 大見 洗浄方法
WO1996022844A1 (en) * 1995-01-27 1996-08-01 Trustees Of Boston University Acoustic coaxing methods and apparatus
US5601655A (en) * 1995-02-14 1997-02-11 Bok; Hendrik F. Method of cleaning substrates
US5660642A (en) * 1995-05-26 1997-08-26 The Regents Of The University Of California Moving zone Marangoni drying of wet objects using naturally evaporated solvent vapor
US6039059A (en) 1996-09-30 2000-03-21 Verteq, Inc. Wafer cleaning system
JPH1133506A (ja) * 1997-07-24 1999-02-09 Tadahiro Omi 流体処理装置及び洗浄処理システム
US6471328B1 (en) * 1997-07-07 2002-10-29 International Business Machines Corporation Fluid head cleaning system
JPH11230989A (ja) * 1997-12-10 1999-08-27 Mitsubishi Electric Corp プローブカード用プローブ針のクリーニング方法およびクリーニング装置とそれに用いる洗浄液
US5937878A (en) * 1997-12-18 1999-08-17 Vanguard International Semiconductor Corporation Apparatus for removing particles from a wafer and for cleaning the wafer
US20010013355A1 (en) * 1998-10-14 2001-08-16 Busnaina Ahmed A. Fast single-article megasonic cleaning process for single-sided or dual-sided cleaning
AU2867299A (en) * 1998-10-14 2000-05-01 Ahmed A. Busnaina Fast single-article megasonic cleaning process
US6350007B1 (en) * 1998-10-19 2002-02-26 Eastman Kodak Company Self-cleaning ink jet printer using ultrasonics and method of assembling same
JP3806537B2 (ja) * 1999-03-10 2006-08-09 株式会社カイジョー 超音波洗浄機及びそれを具備するウエット処理ノズル
US6314974B1 (en) 1999-06-28 2001-11-13 Fairchild Semiconductor Corporation Potted transducer array with matching network in a multiple pass configuration
US7122126B1 (en) * 2000-09-28 2006-10-17 Materials And Technologies Corporation Wet processing using a fluid meniscus, apparatus and method
WO2001099156A1 (en) 2000-06-16 2001-12-27 Applied Materials, Inc. Configurable single substrate wet-dry integrated cluster cleaner
JP2002075947A (ja) 2000-08-30 2002-03-15 Alps Electric Co Ltd ウェット処理装置
US6899111B2 (en) * 2001-06-15 2005-05-31 Applied Materials, Inc. Configurable single substrate wet-dry integrated cluster cleaner
US6398875B1 (en) 2001-06-27 2002-06-04 International Business Machines Corporation Process of drying semiconductor wafers using liquid or supercritical carbon dioxide
US6726848B2 (en) * 2001-12-07 2004-04-27 Scp Global Technologies, Inc. Apparatus and method for single substrate processing
US20040031167A1 (en) 2002-06-13 2004-02-19 Stein Nathan D. Single wafer method and apparatus for drying semiconductor substrates using an inert gas air-knife
US7147721B2 (en) * 2002-12-30 2006-12-12 Asm Assembly Automation Ltd. Apparatus and method for cleaning electronic packages
US20060027248A1 (en) * 2004-08-09 2006-02-09 Applied Materials, Inc. Megasonic cleaning with minimized interference
JP4576270B2 (ja) * 2005-03-29 2010-11-04 昭和電工株式会社 ハンダ回路基板の製造方法
WO2007007865A1 (en) * 2005-07-11 2007-01-18 Showa Denko K.K. Method for attachment of solder powder to electronic circuit board and solder-attached electronic circuit board
WO2007029866A1 (en) * 2005-09-09 2007-03-15 Showa Denko K.K. Method for attachment of solder powder to electronic circuit board and soldered electronic circuit board
DE102006033372B4 (de) * 2006-02-17 2010-04-29 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Ultraschallaktor zur Reinigung von Objekten
TWI352628B (en) * 2006-07-21 2011-11-21 Akrion Technologies Inc Nozzle for use in the megasonic cleaning of substr
US8978673B2 (en) * 2007-08-09 2015-03-17 Asm Assembly Automation Ltd Megasonic cleaning system
FR2924815B1 (fr) * 2007-12-06 2010-02-12 Ceprim Technologies Dispositif et procede de nettoyage a ultrasons des pointes de contact des cartes de test de circuits integres ou des cartes de circuits imprimes
US7975710B2 (en) * 2009-07-06 2011-07-12 Asm Assembly Automation Ltd Acoustic cleaning system for electronic components
JP5470186B2 (ja) * 2010-07-30 2014-04-16 日本発條株式会社 被検査物の清浄度検査装置と、清浄度検査方法
CN102891078A (zh) * 2011-07-18 2013-01-23 商先创光伏股份有限公司 用于衬底圆片的单面湿处理的装置和方法
US9505036B2 (en) * 2013-03-15 2016-11-29 Lam Research Corporation Portable sonic particle removal tool with a chemically controlled working fluid
US9808840B2 (en) * 2014-10-15 2017-11-07 Saudi Arabian Oil Company Air filter ultrasonic cleaning systems and the methods of using the same
JP2022068575A (ja) * 2020-10-22 2022-05-10 株式会社ディスコ 洗浄装置
CN114082729B (zh) * 2022-01-18 2022-04-01 季华实验室 一种外延炉反应腔的清洗系统、方法、设备和存储介质

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1289507A (en) * 1917-12-06 1918-12-31 Barrett Co Method and apparatus for treating coated roofing materials.
DE1071906B (de) * 1956-03-12 1959-12-24 Societc Anonyme des Manufactures des Glaces et Produits Chimiques de Saint-Gobain, Chaumy S. Cirey, Paris Verfahren zum Überziehen von Glasgegenständen mit glas'urartigen, einzubrennenden Überzügen
NL111993C (ja) * 1959-08-26
US3294576A (en) * 1963-01-14 1966-12-27 First Safe Deposit Nat Bank Of Method of producing printed circuit structures
US3429741A (en) * 1965-06-11 1969-02-25 Eastman Kodak Co Method of coating using a bead coater
US3367791A (en) * 1966-07-11 1968-02-06 Addressograph Multigraph Liquid development of electrostatic images
US3589975A (en) * 1967-03-23 1971-06-29 Reynolds Metals Co Composite sheet of plastic and metallic material and method of making the same
US3473955A (en) * 1967-05-05 1969-10-21 Eastman Kodak Co Coating process
US3535157A (en) * 1967-12-18 1970-10-20 Shipley Co Method of coating printed circuit board having through-holes
GB1246749A (en) * 1968-08-22 1971-09-15 Asahi Glass Co Ltd Method of and apparatus for coating glass surfaces
DE1947512A1 (de) * 1969-09-19 1971-04-08 Kleinewefers Soehne J Vorrichtung zum kontinuierlichen Befeuchten einer laufenden Bahn aus Papier,Gewebe oder anderen Materialien
UST893001I4 (en) * 1970-03-12 1971-12-14 Ultrasonic cleaning process and apparatus
US4004045A (en) * 1974-08-09 1977-01-18 Stelter Manfred K Method for fluid film application
US4082868A (en) * 1976-03-18 1978-04-04 Armco Steel Corporation Method for continuously contact-coating one side only of a ferrous base metal strip with a molten coating metal
US4154193A (en) * 1976-11-16 1979-05-15 Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. Glass frit mixture coating apparatus
US4370356A (en) * 1981-05-20 1983-01-25 Integrated Technologies, Inc. Method of meniscus coating
JPS6070126A (ja) * 1983-09-27 1985-04-20 Nippon Kokan Kk <Nkk> 金属板の下面冷却装置
US4676404A (en) * 1983-10-17 1987-06-30 Nippon Zeon Co., Ltd. Method and apparatus for feeding drug liquid from hermetic returnable can
JPH0644098Y2 (ja) * 1989-02-27 1994-11-14 黒谷 信子 半導体ウェハーの洗浄用バブラー
US4979994A (en) * 1989-04-06 1990-12-25 Branson Ultrasonics Corporation Method and apparatus for cleaning by ultrasonic wave energy
DE69020634T2 (de) * 1989-04-21 1996-04-04 Idemitsu Kosan Co Herstellungsverfahren für ein mit einem Film aus flüssigkristallinem Material überzogenes Substrat sowie Verfahren und Gerät zur Herstellung einer optischen Vorrichtung mit einem Flüssigkristall.
JPH0377319A (ja) * 1989-08-21 1991-04-02 Dan Kagaku:Kk 超音波洗浄装置
JPH03109733A (ja) * 1989-09-25 1991-05-09 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体ウエハの洗浄装置及びその洗浄方法
JPH03124027A (ja) * 1989-10-06 1991-05-27 Nec Corp 高周波超音波水洗方法
JPH03191523A (ja) * 1989-12-20 1991-08-21 Nec Corp 半導体製造装置
JPH03237717A (ja) * 1990-02-14 1991-10-23 Matsushita Electron Corp 半導体基板洗浄装置
JP2915955B2 (ja) * 1990-03-02 1999-07-05 井関農機株式会社 酸素欠陥マグネタイトの製造方法
JP3072121B2 (ja) * 1990-10-01 2000-07-31 松下電器産業株式会社 洗浄槽と洗浄システム及び洗浄方法
US5090432A (en) * 1990-10-16 1992-02-25 Verteq, Inc. Single wafer megasonic semiconductor wafer processing system
US5148823A (en) * 1990-10-16 1992-09-22 Verteg, Inc. Single chamber megasonic energy cleaner
JPH04253332A (ja) * 1991-01-28 1992-09-09 Toshiba Corp 半導体ウェーハ処理装置
JPH04290432A (ja) * 1991-03-19 1992-10-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体製造装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005328038A (ja) * 2004-03-31 2005-11-24 Lam Res Corp 近接ヘッドの加熱方法および装置
JP4621052B2 (ja) * 2004-03-31 2011-01-26 ラム リサーチ コーポレーション 近接ヘッドの加熱方法および装置
JP2005311354A (ja) * 2004-04-01 2005-11-04 Lam Res Corp 近接ヘッドを用いたウエハ乾燥中の周囲環境の制御
JP4630103B2 (ja) * 2004-04-01 2011-02-09 ラム リサーチ コーポレーション 近接ヘッドを用いたウエハ乾燥中の周囲環境の制御
JP2006326429A (ja) * 2005-05-24 2006-12-07 Japan Organo Co Ltd 流体供給システム
JP2015195411A (ja) * 2006-10-16 2015-11-05 マテリアルズ・アンド・テクノロジーズ・コーポレーション 流体メニスカスを使う湿式処理装置および方法
JP2012228654A (ja) * 2011-04-26 2012-11-22 Kaken Tec Kk 部分洗浄装置および部分洗浄方法
KR20230142289A (ko) * 2022-04-01 2023-10-11 세메스 주식회사 기판처리장치 및 기판처리방법

Also Published As

Publication number Publication date
CA2111784C (en) 1997-08-05
CA2111784A1 (en) 1994-06-19
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JP3323310B2 (ja) 2002-09-09
DE69313597T2 (de) 1998-03-26
TW252932B (ja) 1995-08-01
US5339842A (en) 1994-08-23
DE69313597D1 (de) 1997-10-09
EP0603008A1 (en) 1994-06-22
MX9308186A (es) 1995-01-31

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