JP2002203831A - 洗浄物の乾燥方法及び乾燥装置及び並びに洗浄乾燥装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体ウエハやガラス基板などの基板の洗
浄、すすぎ、及び乾燥に適した洗浄物の乾燥方法及び乾
燥装置並びに洗浄乾燥装置を提供すること。 【解決手段】 純水槽内の純水に洗浄物が浸漬された状
態で純水槽内の純水を低速で排出し、この純水を排出す
る工程中に窒素ガスを順次供給して純水が排出された後
に有機溶剤ミストを供給して洗浄物の表面上の純水を有
機溶剤に置換すると共に、加温した窒素ガスを供給して
有機溶剤を気化して乾燥する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】本発明は、洗浄物の乾燥方法及び乾燥装置
及び並びに洗浄乾燥装置に関し、特に半導体ウエハやガ
ラス基板等の基板の洗浄、すすぎ、及び乾燥に適した洗
浄物の乾燥方法及び乾燥装置及び並びに洗浄乾燥装置に
関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、微細化したウエハやガラス基板等
（以下、基板とも称する。）の洗浄物の精密基板洗浄後
の乾燥としては、トレンチに入り込んだ水分の除去が重
要な要素であり、有機溶剤ベ一パー（蒸気）を用いた乾
燥装置が使用されている。この有機溶剤ペーパーを用い
た乾燥装置としては、図１１に示す装置が知られてい
る。

【０００３】図１１に示すように、乾燥装置１０１は、
上部が開口して断面略コ字状の箱状からなる乾燥槽１０
２と、この乾燥槽１０２の底面１０２ａに装着された加
熱装置（ヒータ）１０３と、乾燥槽１０２の上部に設け
られた冷却コイル１０４と、冷却コイル１０４の下部に
設けられた溶液溜まり部１０５と、乾燥槽１０２内に配
置され洗浄物であるウエハ１０６を載置するウエハ載置
台１０７と、ウエハ載置台１０７の下部に配された溶液
受部１０８とからなる。

【０００４】乾燥装置１０１は、乾燥槽１０２内に注入
された有機溶剤１０９をヒータ１０３により沸点まで加
熱上昇させて上層に有機溶剤ベーパーを生成し、そのベ
ーパー中に水等で洗浄、すすぎが行われたウエハ１０６
を乾燥槽１０２内に挿入配置する。

【０００５】乾燥槽１０２内に挿入配置されたウエハ１
０６は、ウエハ１０６の表面で有機溶剤の凝縮が起こ
り、ウエハ１０６の表面に付着していた水分はより蒸発
しやすい有機溶剤で置換されて乾燥が進行する。

【０００６】有機溶剤ベーパー中のウエハ１０６は、次
第にベーパー温度（沸点）に達してミスト雰囲気外に取
り出されることによって、付着された溶剤成分はその低
い蒸発潜熱のため急速に蒸発して乾燥が終了する。

【０００７】また、乾燥槽１０２の上部に配置されてい
る冷却コイル１０４によって加熱されてベーパーとなっ
た有機溶剤は、凝縮されて溶液溜まり部１０５に滴下し
て回収再利用が可能である。また、同様に、ウエハ１０
６から滴下した水分を含む溶液も溶液受部１０８での回
収が行われる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところが、従来の乾燥
装置１０１は、有機溶剤をヒータ１０３により加熱する
ので火気に十分な注意が必要であり、また、加熱冷却を
行うのでエネルギーの消費が大きい。また、ヒータ１０
３によって加熱させてベーパー層を形成するまでの時間
がかかり、蒸発による有機溶剤の消耗量が多く、また、
洗浄物がミスト層に触れると、ペーパー（気相）の熱が
洗浄物に奪われて急激な相変化（気体-→液体）が起こ
りベーパー層が減少して洗浄物が大気に曝露され、汚
染、乾燥不良等が起こりやすくなる。

【０００９】本発明は、短時間で洗浄物の乾燥を行うこ
とが可能であり、しかも洗浄物の汚染のおそれがなく、
エネルギー損失などのない洗浄物の乾燥方法及び乾燥装
置並びに洗浄乾燥装置の提供を目的とするものである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明による洗浄物の乾
燥方法は、純水槽内の純水（ＤＩＷ）に洗浄物が浸漬さ
れた状態で純水槽内の純水（ＤＩＷ）を低速で排出する
第１の工程と、前記第１の工程により前記純水槽内の純
水（ＤＩＷ）を排出する工程中に不活性ガスを順次供給
して密閉空間内に不活性ガス雰囲気を形成する第２の工
程と、前記第１の工程により前記純水槽内の純水（ＤＩ
Ｗ）が排出された後に有機溶剤ミストを供給して前記洗
浄物の表面上の純水（ＤＩＷ）を有機溶剤に置換する第
３の工程と、前記第３の工程により前記洗浄物の表面上
の純水（ＤＩＷ）が前記有機溶剤に置換され、更に不活
性ガスを供給して前記有機溶剤を気化し乾燥する第４の
工程とを有するものである。

【００１１】また、本発明による洗浄物の乾燥方法の前
記第１の工程による不活性ガスは、常温の窒素ガス（Ｎ
２）である。

【００１２】また、本発明による洗浄物の乾燥方法の前
記第４の工程による不活性ガスは、加温された窒素ガス
（Ｎ２）である。

【００１３】また、本発明による洗浄物の乾燥方法の前
記有機溶剤は、ＩＰＡ（Ｉｓｏ−ｐｒｏｐｙｌ ａｌｃ
ｏｈｏｌ）である。

【００１４】また、本発明による洗浄物の乾燥方法は、
純水槽内の純水（ＤＩＷ）に洗浄物が浸漬された状態で
純水槽内の純水（ＤＩＷ）を低速で排出する第１の工程
と、前記第１の工程により前記純水槽内の純水（ＤＩ
Ｗ）を排出する工程中に不活性ガスを順次供給して密閉
空間内に不活性ガス雰囲気を形成する第２の工程と、前
記第１の工程により前記純水槽内の純水（ＤＩＷ）が排
出された後に有機溶剤ミスト及び不活性ガスを供給して
前記洗浄物の表面上の純水（ＤＩＷ）を有機溶剤に置換
させて気化させて乾燥する第３の工程とを有するもので
ある。

【００１５】また、本発明による洗浄物の乾燥方法は、
薬液が供給されていない槽内に洗浄物を搬送手段により
支持台上に搬送する工程と、前記槽内に薬液を供給して
前記洗浄物を薬液中に浸漬してエッチング処理を行うエ
ッチング処理工程と、前記エッチング処理工程完了後に
前記薬液を排出した後、純水（ＤＩＷ）を前記槽内に供
給して前記薬液を徐々に純水（ＤＩＷ）に置換してリン
スする工程と、前記槽内の純水（ＤＩＷ）に前記洗浄物
が浸漬された状態で前記槽内の純水（ＤＩＷ）を低速で
排出する工程と、前記槽内の純水（ＤＩＷ）が排出され
る工程中に不活性ガスを順次供給して密閉空間内に不活
性ガス雰囲気を形成する工程と、前記槽内の純水（ＤＩ
Ｗ）が排出された後に有機溶剤ミストを供給して前記洗
浄物の表面上の純水（ＤＩＷ）を有機溶剤に置換する工
程と、前記洗浄物の表面上の純水（ＤＩＷ）が前記有機
溶剤に置換され、更に不活性ガスを供給して前記有機溶
剤を気化し乾燥する工程とを有するものである。

【００１６】また、本発明による洗浄物の乾燥方法の前
記薬液は、ＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ₂Ｏ）（希釈フッ酸）であ
る。

【００１７】また、本発明による洗浄物の乾燥方法の前
記純水（ＤＩＷ）に置換してリンスする工程では、超音
波振動を印加して洗浄可能である。

【００１８】また、本発明による洗浄物の乾燥方法の前
記エッチング処理工程では、前記洗浄物を一定時間若し
くは予め設定した時間薬液中に浸漬するものである。

【００１９】また、本発明による洗浄物の乾燥方法の前
記槽は、１槽で構成されてなるものである。

【００２０】また、本発明による洗浄物の乾燥方法は、
薬液が供給されていない槽内に洗浄物を搬送手段により
支持台上に搬送する工程と、前記槽内に薬液を供給して
前記洗浄物を薬液中に浸漬してエッチング処理を行うエ
ッチング処理工程と、前記エッチング処理工程完了後に
前記薬液を排出した後、純水（ＤＩＷ）を前記槽内に供
給して前記薬液を徐々に純水（ＤＩＷ）に置換してリン
スする工程と、前記槽内の純水（ＤＩＷ）に前記洗浄物
が浸漬された状態で前記槽内の純水（ＤＩＷ）を低速で
排出する工程と、前記槽内の純水（ＤＩＷ）が排出され
る工程中に不活性ガスを順次供給して密閉空間内に不活
性ガス雰囲気を形成する工程と、前記槽内の純水（ＤＩ
Ｗ）が排出された後に有機溶剤ミスト及び不活性ガスを
供給して前記洗浄物の表面上の純水（ＤＩＷ）を有機溶
剤に置換して気化し乾燥する工程とを有するものであ
る。

【００２１】また、本発明による洗浄物の乾燥装置は、
純水と窒素ガスのそれぞれを給排水、給排気自在に構成
した純水槽と、前記純水槽の上方から常温の有機溶剤ミ
ストを発生して純水槽内に供給する有機溶剤ミスト発生
手段とを備える洗浄物の乾燥装置であって、前記純水槽
内の純水（ＤＩＷ）に洗浄物が浸漬された状態で純水槽
内の純水（ＤＩＷ）を低速で排出し、前記純水槽内の純
水（ＤＩＷ）を排出する工程中に不活性ガスを順次供給
して密閉空間内に不活性ガス雰囲気を形成し、前記純水
槽内の純水（ＤＩＷ）が排出された後に有機溶剤ミスト
を供給して前記洗浄物の表面上の純水（ＤＩＷ）を有機
溶剤に置換すると共に不活性ガスを供給して前記有機溶
剤を気化して乾燥する構成としたものである。

【００２２】また、本発明による洗浄物の乾燥装置の前
記有機溶剤ミスト発生手段は、高周波超音波を発生する
装置である。

【００２３】また、本発明による洗浄物の乾燥装置の前
記有機溶剤ミスト発生手段は、スプレー式若しくは超音
波シャワー式の装置であり、しかもミスト粒径が１００
μｍ以下のミストを噴霧可能である。

【００２４】また、本発明による洗浄物の乾燥装置は、
前記純水槽の上部を可変密閉できる構成としたものであ
る。

【００２５】また、本発明による洗浄物の洗浄乾燥装置
は、洗浄物を支持可能な支持台を有し、該支持台上で前
記洗浄物を支持して密閉空間内を形成して洗浄が可能な
槽と、前記槽内の支持台上に前記洗浄物を搬送して収容
する搬送手段と、前記槽内に薬液を供給し該薬液内に前
記洗浄物を浸漬して洗浄を行い、該洗浄後は該薬液を排
出し、更に前記洗浄物に吸着している前記薬液を純水
（ＤＩＷ）に置換してすすぎ洗浄が可能な液供給排出手
段と、前記槽内の純水（ＤＩＷ）に洗浄物が浸漬された
状態で前記槽内の純水（ＤＩＷ）を前記液供給排出手段
により低速で排出し、前記槽内の純水（ＤＩＷ）を排出
する工程中に不活性ガスを順次供給して密閉空間内に不
活性ガス雰囲気を形成し、前記槽内の純水（ＤＩＷ）が
排出された後に有機溶剤ミストを供給して前記洗浄物の
表面上の純水（ＤＩＷ）を有機溶剤に置換すると共に不
活性ガスを供給して前記有機溶剤を気化して乾燥する構
成としたものである。

【００２６】また、本発明による洗浄物の洗浄乾燥装置
は、前記薬液による洗浄は、ＡＰＭ洗浄であり、該ＡＰ
Ｍは、ＮＨ₄ＯＨ（アンモニア）／Ｈ₂Ｏ₂（過水）／Ｈ₂
Ｏ（純水）である。

【００２７】また、本発明による洗浄物の洗浄乾燥装置
の前記液供給排出手段には、複数のシャワーパイプを含
むものである。

【００２８】また、本発明による洗浄物の洗浄乾燥装置
の前記槽には、洗浄のための高周波超音波を発生する装
置が設けられているものである。

【００２９】また、本発明による洗浄物の洗浄乾燥装置
は、洗浄物を支持可能な支持台を有し、該支持台上で前
記洗浄物を支持して密閉空間内を形成して洗浄が可能な
洗浄槽と、前記洗浄槽内の支持台上に前記洗浄物を搬送
して収容する搬送手段と、前記洗浄槽内に薬液を供給し
該薬液内に前記洗浄物を浸漬して洗浄可能とする第１の
液供給排出手段と、前記洗浄槽での洗浄が完了した前記
洗浄物を前記搬送手段により搬送して前記洗浄物を支持
可能な支持台上に支持して密閉空間内で前記洗浄物に吸
着している薬液を純水（ＤＩＷ）に置換するすすぎ洗浄
が可能なリンス槽と、前記リンス槽に純水（ＤＩＷ）の
供給、排出が可能な第２の液供給排出手段と、前記リン
ス槽で純水（ＤＩＷ）に置換された前記洗浄物を前記搬
送手段により支持台上に搬送収容して乾燥を行う純水槽
と、前記純水槽内の純水（ＤＩＷ）に前記洗浄物が浸漬
された状態で純水槽内の純水（ＤＩＷ）を低速で排出
し、前記純水槽内の純水（ＤＩＷ）を排出する工程中に
不活性ガスを順次供給して密閉空間内に不活性ガス雰囲
気を形成し、前記純水槽内の純水（ＤＩＷ）が排出され
た後に有機溶剤ミストを供給して前記洗浄物の表面上の
純水（ＤＩＷ）を有機溶剤に置換すると共に不活性ガス
を供給して前記有機溶剤を気化し乾燥する構成としたも
のである。

【００３０】また、本発明による洗浄物の洗浄乾燥装置
の前記洗浄槽と前記リンス槽とは、別個独立した槽であ
る。

【００３１】また、本発明による洗浄物の洗浄乾燥装置
の前記洗浄槽と前記リンス槽とは、１つの槽である。

【００３２】

【発明の実施の形態】以下図面を参照して、本発明によ
る洗浄物の乾燥方法及び乾燥装置及び並びに洗浄乾燥装
置の実施の形態について説明する。

【００３３】図１は、本発明による実施の形態である乾
燥装置の一部断面を含む図である。

【００３４】図１に示すように、乾燥装置１０は、純水
槽２０と有機溶剤ミスト発生槽３０とを有する。

【００３５】有機溶剤ミスト発生槽３０は、内槽３１ａ
と外槽３１ｂの２重構造からなり、外槽３１ｂの槽底面
には超音波振動子が接着された振動板３２が設けられ、
内槽３１ａの槽底３１ａ１の厚さは超音波エネルギーを
通過させるに適した厚さで構成されている。また、内槽
３１ａと外槽３１ｂとの間には超音波エネルギーを伝播
すると共に有機溶剤（ＩＰＡ：Ｉｓｏ−ｐｒｏｐｙｌ
ａｌｃｏｈｏｌ）保温用の循環保温水３３が供給可能な
構成となっている。

【００３６】内槽３１ａ内には、有機溶剤（ＩＰＡ）３
４が注入されており、この有機溶剤３４は、図示せぬ加
温手段により加温された循環保温水３３中に配置された
配管３５内を通って循環保温されている。この循環保温
水３３によって有機溶剤（ＩＰＡ）３４は保温される
が、有機溶剤ミストの温度は２０°Ｃ〜６０°Ｃ以下の
温度で制御される。循環保温水３３による有機溶剤（Ｉ
ＰＡ）３４の保温は、超音波エネルギーによる有機溶剤
ミストの発生を容易にするためである。また、内槽３１
ａ内の中央部には飛沫防止板３６が設けられ、中央やや
下側には窒素ガス供給口３７が配設されている。また、
内槽３１ａの上部は、密閉された閉塞空間となってお
り、連通路３８を介して純水槽２０の上部と連通し、連
通路３８内には内槽３１ａから純水槽２０の方向のみ開
となる弁３９が設けられている。

【００３７】純水槽２０は、下部に三方弁（若しくは四
方弁）からなる液供給排出弁２１（２１₁，２１₂，２１
₃）と純水を低速度で排出するための低速排水弁２２
ａ、２２ｂが配設されている。液供給排出弁２１（２１
₁，２１₂，２１₃）及び低速排水弁２２ａ、２２ｂを液
供給排出手段と称する。

【００３８】純水槽２０内の液面が、低速排水弁２２ｂ
の配管の開口部位置より下がると、低速排水弁２２ｂか
らの排水は停止し、排水は低速排水弁２２ａのみからと
なり、排水速度が遅くなる。なお、低速排水弁２２ａ、
２２ｂ両方からの排水の場合、液面の下降速度は２〜４
ｍｍ／ｓｅｃ前後で、低速排水弁２２ａのみによる排水
の場合は１ｍｍ／ｓｅｃ前後である。また、液面が下が
り、液面センサー２９が液面を検知すると、液供給排出
弁２１（２１₂，２１₃）を開いて高速排水を行う構成と
なっている。

【００３９】なお、液供給排出弁２１（２１₁，２１₂，
２１₃）の給液若しくは排出の速度制御は、弁の開閉を
コンピュータなどからなる制御手段（図示せず）により
制御する構成となっている。

【００４０】純水槽２０の内部には、液供給排出弁２１
（２１₁，２１₂）から純水を供給し、純水槽２０内の純
水が一定量に達すると、それ以上はオーバーフローす
る。したがって、純水槽２０内の上部には気相部２３が
形成され、この気相部２３には窒素ガス供給口２４が設
けられると共に、外気に連通する排気管２５が設けられ
ている。この排気管２５内には、弁２６が配設されてお
り、弁２６は純水槽２０から外気方向にのみ開となるよ
うに構成されている。また、純水槽２０の上部には、洗
浄物の出し入れを行うための完全密閉型の開閉蓋２７が
設けられ、これによって密閉空間を形成可能である。

【００４１】また、純水槽２０の内部には、半導体ウエ
ハやガラス基板等の基板からなる洗浄物５０を複数支持
することが可能な支持台２８が備えられている。

【００４２】支持台２８は、通常、半導体ウエハであれ
ば、例えば、直径が８インチのウエハを１００枚載置可
能である。

【００４３】また、純水槽２０内の下部には、液面セン
サー２９が設けられており、液面センサー２９の位置
は、低速排水弁２２ａから純水槽２０内部に延出開口す
る配管の開口部にほぼ一致すると共に、内部に挿入配置
されたウエハ５０の下端部にもほぼ一致するか若しくは
僅かに下側に配置されている。なお、もう一方の低速排
水弁２２ｂから純水槽２０内部に延出開口する配管の開
口部は低速排水弁２２ａの配管の開口部よりも１〜２ｍ
ｍ高くなっている。

【００４４】以上のような構成からなる本発明による実
施の形態である洗浄物の乾燥装置を用いた乾燥方法につ
いて以下に説明する。

【００４５】図１に示すように、乾燥装置１０を始動す
る前に乾燥のための準備を行う。すなわち、有機溶剤
（ＩＰＡ）３４が有機溶剤ミスト発生槽３０の内槽３１
ａ内に所定量投入され、外槽３１ｂの振動板３２の超音
波振動子に５００ｋＨｚ以上の高周波による超音波を加
えて振動させ、超音波キャビテーション現象により内槽
３１ａ内に有機溶剤ミストの温度は２０°Ｃ〜６０°Ｃ
以下の温度での有機溶剤ミストを発生させておく。

【００４６】また、内槽３１ａと外槽３１ｂとの間に
は、循環保温水３３が循環するようにし、有機溶剤３４
を底面から保温させると共に、配管３５内を循環させて
均一な温度で保温する構成としている。すなわち、有機
溶剤ミストの温度は２０°Ｃ〜６０°Ｃ以下の温度であ
るが、循環保温水３３は、例えば、２０°Ｃで一定の温
度になるように設定される。循環保温水３３が２０°Ｃ
であっても超音波振動が印加されることによる温度の上
昇があるため、有機溶剤ミストは、２０°Ｃよりも上昇
する場合がある。

【００４７】次に、純水槽２０の蓋２７を開けて洗浄若
しくはすすぎ（リンス）が完了したウエハなどの洗浄物
５０を図示せぬ搬送手段により支持台２８に収納して載
置支持させる。

【００４８】前述した準備が完了後、本発明による乾燥
装置を用いて乾燥を行う。

【００４９】本発明による乾燥装置を用いた乾燥方法
は、図２に示すようなマランゴニ効果を用いた乾燥方法
ではない点に特徴を有するものである。図２は、ＤＨＦ
（ＨＦ／Ｈ₂Ｏ）（希釈フッ酸）によるエッチング処理
後の裏面転写の状態を示す図である。

【００５０】図１及び図２に示すように、純水槽２０内
の純水（ＤＩＷ）を低速排出弁２２ａ、２２ｂからゆる
やかに排水する。純水が排出されるにしたがって、純水
槽２０内の内圧が下がる。そして、純水槽２０と有機溶
剤ミスト発生槽３０との間を連通している連通路３８の
弁３９を開いて、有機溶剤ミスト発生槽３０から純水槽
２０内に濃度の高い有機溶剤ミストを導入する。なお、
純水槽２０は、乾燥槽としての作用を果たすものであ
る。弁３９の開閉は、自動若しくは手動の何れの構成で
あってもよい。

【００５１】本発明による乾燥装置は、有機溶剤ミスト
発生槽３０内で発生する有機溶剤ミストの温度は２０°
Ｃ〜６０°Ｃ以下の温度で制御されるが、連通路３８の
弁３９を開いて純水槽２０内に導入された有機溶剤ミス
トの温度は、窒素ガス供給口３７から供給されるキャリ
アガスとしての窒素ガス（Ｎ２）により有機溶剤ミスト
発生槽３０内で常温になり、純水槽２０の槽内温度に順
次供給される。

【００５２】いうところの常温とは、洗浄物５０、この
場合ウエハの表面温度と有機溶剤ミストの温度に温度差
のない状態を意味する。

【００５３】したがって、洗浄物５０の表面には、常温
でかつ高濃度の有機溶剤ミストが供給され、しかも、常
温の不活性ガスである窒素ガス（Ｎ２）が供給されて純
水が急速に有機溶剤（ＩＰＡ）３４に置換される。

【００５４】しかして、本発明による乾燥装置によれ
ば、純水槽２０内の気相、不活性ガスである窒素ガス
（Ｎ２）、有機溶剤ミストのそれぞれの体積比により、
純水槽２０の槽内は、最終的に槽内温度及びウエハ（洗
浄物５０）の表面温度が不活性ガスである窒素ガス（Ｎ
２）の温度に同化されて常温となる。

【００５５】図１０は、有機溶剤ミスト発生槽３０内で
生成される有機溶剤ミストがキャリアガスである窒素ガ
ス（Ｎ２）により常温となる様子を示す装置及び該装置
により測定された実験例を示す図である。

【００５６】図１０は、有機溶剤ミスト発生槽３０内
に、窒素ガス供給口３７から供給されるキャリアガスと
しての窒素ガス（Ｎ２）が供給され、連通路３８の近傍
に熱電対を介して温度計を取り付けた装置である。そし
て、この装置により、横軸に時間（秒）を示し、縦軸に
温度（°Ｃ）を測定したものである。

【００５７】窒素ガス（Ｎ２）は、約２２．５°Ｃの温
度であり、図１０に示すように、０秒から６００秒（約
１０分）を測定しても、約２２°Ｃ〜２３°Ｃの範囲で
一定となっていることが分かる。この場合、有機溶剤ミ
ストの発生量は、０．１７ｍｌ（ミリリットル）／ｓｅ
ｃ（秒）に対して、窒素ガス（Ｎ２）の流量は、０．４
２ｌ（リットル））／ｓｅｃ（秒）であることから、圧
倒的に窒素ガス（Ｎ２）の流量が多く、有機溶剤ミスト
発生槽３０内の槽内温度及びウエハの表面温度が同化さ
れて常温となることが分かる。

【００５８】有機溶剤ミストの侵入によって、洗浄物５
０の表面上の水膜は、有機溶剤ミストが水膜に吸着する
ことによって、水膜が有機溶剤に置換され下方に落下す
る。

【００５９】しかし、図２に示すように、一方の面に酸
化膜（ＳｉＯ２）が形成されている基板と、この基板と
対向する面がベア（Ｓｉ）である基板を乾燥する場合、
膜エッチング処理により生成されたパーティクルは、水
面に大量に解離された状態となっているため、マランゴ
ニ効果によるパーティクルの付着抑止効果がなく、ベア
面にパーティクルが転写されて付着されることとなる。
けだし、水面に大量に解離されたパーティクルをマラン
ゴニ効果では除去しきれないからである。

【００６０】そこで、本発明による乾燥装置を用いた乾
燥方法は、マランゴニ効果を用いることなく、図２に示
すような酸化膜（ＳｉＯ２）が形成されている基板と、
この基板と対向する面がベア（Ｓｉ）である基板を乾燥
するような場合であってもＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ₂Ｏ）（希
釈フッ酸）によるエッチング処理後のパーティクルが転
写することのない乾燥方法についてのものである。

【００６１】図３（ａ）乃至図３（ｃ）は、本発明によ
る乾燥方法の乾燥工程を説明する図である。

【００６２】図１に示すように、純水槽２０内の純水
（ＤＩＷ）にウエハなどの洗浄物５０が浸漬された状態
から、以下のような乾燥が行われる。

【００６３】まず、図３（ａ）に示すように、液供給排
出手段としての低速排出弁２２ａ、２２ｂを開けて純水
槽２０内の純水（ＤＩＷ）を低速で排出し、更に、液供
給排出手段としての液供給排出弁２１（２１₂，２１₃）
から高速排水を行う。純水槽２０内の純水（ＤＩＷ）の
排出工程では、有機溶剤（ＩＰＡ）３４を供給しない。

【００６４】しかしながら、窒素ガス供給口２４から常
温の不活性ガスである窒素ガス（Ｎ２）を供給して純水
槽２０内を不活性ガス雰囲気に保ち、ウエハ、例えばシ
リコン（Ｓｉ）表面の再酸化の防止を図る。

【００６５】次に、図３（ｂ）に示すように、純水槽２
０内の純水（ＤＩＷ）の排水が終了すると、液供給排出
手段としての低速排出弁２２ａ、２２ｂ、液供給排出弁
２１（２１₂，２１₃）を閉めてから弁３９を開けて、有
機溶剤ミスト発生槽３０で生成される有機溶剤（ＩＰ
Ａ）３４の有機溶剤ミストを供給する。この有機溶剤ミ
ストは、常温の不活性ガスである窒素ガス（Ｎ２）、す
なわち、キャリアガスにより純水槽２０内に移送されて
洗浄物５０であるウエハの表面上に吸着反応により付着
している純水（ＤＩＷ）を急速に有機溶剤（ＩＰＡ）３
４に置換する。

【００６６】次に、図３（ｃ）に示すように、洗浄物５
０であるウエハの表面上の有機溶剤（ＩＰＡ）３４の置
換が完了した場合には、弁３９を閉めて有機溶剤（ＩＰ
Ａ）３４の供給を停止する。そして、窒素ガス供給口２
４を開けて加温した不活性ガスである窒素ガス（Ｎ２）
を純水槽２０内に供給してウエハの表面上の有機溶剤
（ＩＰＡ）３４を気化させて乾燥する。

【００６７】本発明による乾燥方法では、有機溶剤ミス
トのキャリアガスとしての作用をなす不活性ガスである
窒素ガス（Ｎ２）は、常温のガスを使用する。常温の雰
囲気を維持するためである。しかして、有機溶剤（ＩＰ
Ａ）３４を気化させて乾燥する不活性ガスである窒素ガ
ス（Ｎ２）は、加温したものを使用する。急速な乾燥を
行うことができるからである。この加温する温度は、実
験例によれば２０℃〜１００℃の範囲がよい。しかし、
加温せずに常温のものも洗浄物によって使用することが
できる。

【００６８】図３（ａ）乃至図３（ｃ）に示すように、
本発明の実施の形態による乾燥方法は、純水（ＤＩＷ）
の排出時には、有機溶剤（ＩＰＡ）３４の有機溶剤ミス
トを供給せずに、常温の不活性ガスである窒素ガス（Ｎ
２）のみを供給することによって、酸化膜及びパターン
付きウエハからのパーティクルの付着を抑制し、かつシ
リコン（Ｓｉ）表面の再酸化を防止することが可能であ
る。

【００６９】図４は、本発明による乾燥方法で処理する
前後におけるパーティクル数の変化を示すグラフであ
る。

【００７０】図４に示すように、横軸に示すＳ１は、ウ
エハ２５枚を乾燥する場合の１枚目を示しており、Ｓ２
５は、２５枚目を示している。縦軸は、パーティクル数
である。Ｓ１，Ｓ２におけるパーティクル数の変化をみ
ても分かるように、乾燥処理の前後によるパーティクル
数の変化が少ないことが理解できる。

【００７１】図５は、温度とミスト粒径の関係を示すグ
ラフである。

【００７２】図５に示すように、横軸に有機溶剤（ＩＰ
Ａ）の温度変化を表しており、縦軸に有機溶剤（ＩＰ
Ａ）のミスト粒径の変化を示している。

【００７３】図５から分かるように、有機溶剤（ＩＰ
Ａ）の温度が変化しても有機溶剤（ＩＰＡ）のミスト粒
径がほぼ一定であることが分かる。したがって、図５か
らは、粒径は８μｍで一定であることが分かる。

【００７４】図６は、ＭＳ出力と有機溶剤（ＩＰＡ）の
ミスト粒径の関係を示すグラフであり、横軸にＭＳ出力
（Ｗ／ｃｍ²）、縦軸に有機溶剤（ＩＰＡ）のミスト粒
径（μｍ）が示されている。したがって、図６から粒径
は８μｍで一定であることが分かる。

【００７５】なお、本発明による実施の形態によれば、
有機溶剤（ＩＰＡ）のミストの発生は、有機溶剤ミスト
発生槽３０の超音波振動子が接着された振動板３２によ
る超音波を発生して生成されるものであるが、スプレー
式の装置などを用いて噴霧して生成するものであっても
よい。このスプレー式の装置の噴霧可能なミスト粒径
は、１００μｍ以下のものがよい。

【００７６】また、不活性ガスとして窒素ガス（Ｎ２）
を用いているが、その他のガスとしては、アルゴンガス
を用いてもよい。

【００７７】次に、図３（ａ）乃至図３（ｃ）に示す本
発明による装置による乾燥方法に洗浄機能が付加された
洗浄乾燥装置の実施の形態について、以下図面を参照し
て説明する。図７（ａ）乃至（ｄ）は、ＤＨＦ洗浄の工
程を示す図であり、図７（ｅ）乃至（ｇ）は、図３
（ａ）乃至図３（ｃ）と同一の乾燥方法を示す図であ
る。

【００７８】まず、図７（ａ）に示すように、純水槽２
０内に薬液が供給されていない槽内にウエハなどの洗浄
物５０を図示せぬ搬送手段により搬送して支持台２８
（図１に図示）上に収納載置する。

【００７９】しかしながら、本発明による洗浄乾燥装置
で洗浄されるウエハなどの洗浄物５０は、搬送手段によ
り搬送される前に、既に、前段階で洗浄機能を有する処
理工程により清浄な状態となっているので、本発明によ
る実施の形態である洗浄乾燥装置は、ＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ
₂Ｏ）（希釈フッ酸）洗浄によるエッチング処理工程で
発生する微量なエッチング残査（図２参照）を図７
（ｄ）に示すように、純水（ＤＩＷ）による置換及びリ
ンス工程で除去するものである。この時、図１、図７に
示すように、振動板４５から発生する超音波振動を印加
することによって洗浄効果を更に向上させるようにして
もよい。

【００８０】図７（ａ）に示すように、純水槽２０内に
薬液が供給されていない槽内にウエハなどの洗浄物５０
が図示せぬ搬送手段により搬送されて支持台２８（図１
に図示）上に収納載置される。

【００８１】次に、図７（ｂ）に示すように、液供給排
出手段としての液供給排出弁２１（２１₁，２１₂，２１
₃）から予め調合されたＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ₂Ｏ）（希釈フ
ッ酸）を純水槽２０内に十分な量を供給する。この場合
の純水槽２０は、薬液槽としての作用をなす槽となって
いるが、純水槽としての呼称を使用している。したがっ
て、単に槽とも称する。

【００８２】槽としての純水槽２０内へのＤＨＦ（ＨＦ
／Ｈ₂Ｏ）（希釈フッ酸）の供給が完了すると、図７
（ｃ）に示すように、ウエハなどの洗浄物５０をＤＨＦ
に浸漬してエッチング処理を行う。この浸漬処理は、例
えば一定時間行われるが、時間を予め設定して、例えば
１５０秒浸漬するなどのようにしてもよい。

【００８３】図７（ｃ）のエッチングが完了すると、図
７（ｄ）に示すように、液供給排出手段としての液供給
排出弁２１（２１₁，２１₂）から純水（ＤＩＷ）を供給
して純水槽２０内の純水が一定量以上の量まで供給して
オーバーフローさせ、純水槽２０内のＤＨＦを徐々に純
水（ＤＩＷ）に置換してリンスする。次に、図７（ｅ）
乃至図７（ｇ）の工程を行うが、図３（ａ）乃至図３
（ｃ）に示す工程と同一であるので、詳細な説明は省略
し、簡略な説明に止める。

【００８４】まず、図７（ｅ）に示すように、液供給排
出手段としての低速排出弁２２ａ、２２ｂを開けて純水
槽２０内の純水（ＤＩＷ）を低速で排出する。純水槽２
０内の純水（ＤＩＷ）の排出工程では、有機溶剤（ＩＰ
Ａ）３４を供給しない。また、液面が下がり、液面セン
サー２９が液面を検知すると、液供給排出弁２１（２１
₂，２１₃）を開いて高速排水を行う。

【００８５】次に、図７（ｆ）に示すように、純水槽２
０内の純水（ＤＩＷ）の排水が終了すると、液供給排出
手段としての低速排出弁２２ａ、２２ｂ、液供給排出弁
２１（２１₂，２１₃）を閉めて弁３９を開けて有機溶剤
ミスト発生槽３０で生成される有機溶剤（ＩＰＡ）３４
の有機溶剤ミストを供給する。この有機溶剤ミストは、
常温の不活性ガスである窒素ガス（Ｎ２）、すなわち、
キャリアガスにより純水槽２０内に移送されて洗浄物５
０であるウエハの表面上に吸着反応により付着している
純水（ＤＩＷ）を急速に有機溶剤（ＩＰＡ）３４に置換
する。

【００８６】図７（ｇ）に示すように、洗浄物５０であ
るウエハの表面上の有機溶剤（ＩＰＡ）３４の置換が完
了した場合には、弁３９を閉めて有機溶剤（ＩＰＡ）３
４の供給を停止する。そして、窒素ガス供給口２４を開
けて加温された不活性ガスである窒素ガス（Ｎ２）を純
水槽２０内に供給してウエハの表面上の有機溶剤（ＩＰ
Ａ）３４を急速に気化させて乾燥する。

【００８７】以上のように、本発明による乾燥装置を備
えた洗浄乾燥装置の実施の形態によれば、有機溶剤ミス
ト発生槽３０を含む純水槽２０で構成された１槽式の洗
浄乾燥装置である。このような構成からなる１槽式の洗
浄乾燥装置は、省スペース化を図ることができる。

【００８８】しかしながら、本発明による乾燥装置を備
えた洗浄乾燥装置は、１槽式に限らず、２槽式、３槽式
の洗浄乾燥装置としても構成することが可能である。以
下に、それらの実施の形態について説明する。なお、図
７に示す装置と基本的な構成及び機能は実質的に同一で
あるので、相違する点について説明することとする。

【００８９】図８（ａ）乃至（ｃ）は、３槽式の洗浄乾
燥装置による処理工程を示す図である。なお、図８
（ｃ）は、図７（ａ）乃至（ｇ）に示す１槽式の洗浄乾
燥装置と同一の構成及び機能を有するので、詳細な説明
を省略する。

【００９０】図８（ａ）は、ＳＣ−１(Ｓｔａｎｄａｒ
ｄ Ｃｌｅａｎｉｎｇ １)（ＡＰＭ）洗浄液による洗
浄工程を示す図である。

【００９１】ＳＣ−１(Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｃｌｅａｎ
ｉｎｇ １，ＡＰＭ)洗浄液による洗浄は、有機物とパ
ーティクルの除去を行う工程である。洗浄物であるウエ
ハ表面に有機物が付着していると、洗浄剤とウエハとの
濡れ性が悪くなり、十分な洗浄効果が得られなくなる。
また、前工程から持ち込まれてくるパーティクルの除去
を行う必要がある。ＡＰＭは、ＮＨ₄ＯＨ（アンモニ
ア）／Ｈ₂Ｏ₂（過水）／Ｈ₂Ｏ（純水）からなり、この
洗浄液は、強い酸化性があるのでウエハ表面の有機物を
除去することが可能である。

【００９２】図８（ａ）に示すように、洗浄槽６１内に
は、ウエハなどの洗浄物５０が図示せぬ搬送手段により
搬送されて支持台上に載置された状態で、液供給排出手
段（図示せず）から給液されたＡＰＭ洗浄液が洗浄槽６
１内に十分給液され加温される。そして、洗浄槽６１内
のＡＰＭ洗浄液は、約６０°Ｃ〜８０°Ｃ前後の温度で
加温されており、洗浄槽６１の上部には、ＡＰＭ洗浄液
の雰囲気を外部に出さないように完全密閉を形成するこ
とが可能な蓋６２が設けられている。蓋６２は、洗浄物
５０が洗浄槽６１内にロード若しくはアンロードされる
ときには、自動若しくは手動により開閉可能な構成であ
る。図８（ａ）に示す処理工程では、有機物とパーティ
クルの除去を行う。

【００９３】図８（ｂ）は、ＡＰＭ洗浄が行われると、
蓋６２を開けて洗浄槽６１内に収納されている洗浄物５
０を搬送手段により搬送して２槽目の洗浄槽６５に搬送
して支持台上に受け渡す。洗浄槽６５内に収納されてい
る洗浄物５０は、洗浄槽６５内に給液された純水（ＤＩ
Ｗ）によりＡＰＭ洗浄液を洗浄して純水（ＤＩＷ）に置
換してリンスする。洗浄槽６５内の純水（ＤＩＷ）は、
オーバーフローすることによって洗浄物５０の表面から
パーティクルを除去する。また、洗浄槽６５内に収容載
置された洗浄物５０を外方から効果的にリンスすること
ができるように複数のシャワーパイプ６６が配設されて
おり、このシャワーパイプ６６からのシャワーも併用さ
れてリンスされる。

【００９４】なお、純水（ＤＩＷ）でリンスする洗浄槽
６５は、リンス槽とも称し、また、シャワーパイプ６６
は、液供給排出手段に含まれるものである。

【００９５】また、純水（ＤＩＷ）は、常温のものを使
用することができるが、加温して使用することもでき
る。加温する場合は、常温〜８０°Ｃ程度の温度のもの
を使用することができる。

【００９６】次に、図８（ｃ）は、図７（ａ）乃至図７
（ｇ）に示すＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ₂Ｏ）（希釈フッ酸）洗
浄によるエッチング処理工程と同じであるので、説明を
省略する。

【００９７】図９（ａ）は、図８（ａ）に示すＳＣ−１
(Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｃｌｅａｎｉｎｇ １)（ＡＰＭ）
洗浄液による工程と、図８（ｂ）に示す純水（ＤＩＷ）
によるリンス工程とを１槽の洗浄槽で行い、図９（ｂ）
は、図７（ａ）乃至図７（ｇ）に示すＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ
₂Ｏ）（希釈フッ酸）洗浄によるエッチング処理工程を
１槽で行う２槽式の構成を有する洗浄乾燥装置である。

【００９８】図９（ａ）及び図９（ｂ）に示す洗浄乾燥
装置は、図８（ａ）乃至（ｃ）に示す装置よりも省スペ
ース化を図ることが可能である。

【００９９】本発明による乾燥方法によれば、洗浄物５
０の乾燥を有機溶剤による常温乾燥で行うため、加熱冷
却が必要でなく、有機溶剤の消費も少ないので、省エネ
ルギー化が図られ、火気への注意の必要がないので作業
が容易である。また、常温処理のため、洗浄物がミスト
層に触れた場合でも、ミストの熱が洗浄物に奪われると
いうことがなく、また、洗浄物が大気に暴露されるおそ
れがない。また、高濃度かつ微細な粒径を有する有機溶
剤ミストの吸着反応によりウエハ表面の水分を一気に置
換するため、優れた乾燥性を発揮することができ、さら
に、有機溶剤ミスト雰囲気を窒素による不活性ガス雰囲
気にするので、酸素が排除され、ウォーターマークの防
止が行えるとともに、ヒータで加熱しないので短時間で
の処理が可能であり、生産性の向上が図れる。また、密
閉構造で処理するので、洗浄物への汚染がない。

【０１００】なお、洗浄物５０として、ウエハを用いて
いるが、液晶ガラスなどの平板形状物やハードデイスク
基板、レンズ等の小型形状物の乾燥も可能である。ま
た、また、液供給排出弁２１を三方弁（若しくは四方
弁）としたのは、四方弁を用いて、純水以外に薬剤を供
給して薬剤処理を行う場合も考慮したものである。

【０１０１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
洗浄物の乾燥を有機溶剤による常温乾燥で行うため、加
熱冷却が必要でなく、有機溶剤の消費も少ないので、省
エネルギー化が図られ、火気への注意の必要がないので
作業が容易である。また、常温処理のため、洗浄物がミ
スト層に触れた場合でも、ミストの熱が洗浄物に奪われ
るということがなく、また、洗浄物が大気に暴露される
おそれがない。また、高濃度かつ微細な粒径を有する有
機溶剤ミストの吸着反応によりウエハ表面の水分を一気
に置換するため、優れた乾燥性を発揮することができ、
さらに、有機溶剤ミスト雰囲気を窒素による不活性ガス
雰囲気にするので、酸素が排除され、ウォーターマーク
の防止が行えるとともに、ヒータで加熱しないので短時
間での処理が可能であり、生産性の向上が図れ、また、
密閉構造で処理するので、洗浄物への汚染がないという
効果を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による実施の形態である乾燥装置の一部
断面を含む図である。

【図２】ＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ₂Ｏ）（希釈フッ酸）による
エッチング処理後の裏面転写の状態を示す図である。

【図３】（ａ）乃至（ｃ）は、本発明による乾燥方法の
乾燥工程を説明する図である。

【図４】本発明による乾燥方法で処理する前後における
パーティクル数の変化を示すグラフである。

【図５】温度とミスト粒径の関係を示すグラフである。

【図６】ＭＳ出力と有機溶剤（ＩＰＡ）のミスト粒径の
関係を示すグラフである。

【図７】（ａ）乃至（ｄ）は、ＤＨＦ洗浄の工程を示す
図であり、（ｅ）乃至（ｇ）は、図３（ａ）乃至図３
（ｃ）と同一の乾燥方法を示す図である。

【図８】（ａ）乃至（ｃ）は、３槽式の洗浄乾燥装置に
よる処理工程を示す図である。

【図９】（ａ）は、図８（ａ）に示すＳＣ−１(Ｓｔａ
ｎｄａｒｄ Ｃｌｅａｎｉｎｇ１)（ＡＰＭ）洗浄液に
よる工程と、図８（ｂ）に示す純水（ＤＩＷ）によるリ
ンス工程とを１槽の洗浄槽で行い、（ｂ）は、図７
（ａ）乃至図７（ｇ）に示すＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ₂Ｏ）
（希釈フッ酸）洗浄によるエッチング処理工程を１槽で
行う２槽式の処理工程を示す図である。

【図１０】図１０は、有機溶剤ミスト発生槽内に、窒素
ガス供給口から供給されるキャリアガスとしての窒素ガ
ス（Ｎ２）が供給され、連通路の近傍に熱電対を介して
温度計を取り付けた装置及び該装置により測定したデー
タを示す図である。

【図１１】従来の乾燥装置を示す図である。

【符号の説明】

１０ 乾燥装置 ２０ 純水槽 ２１ 液供給排出弁 ２２ 低速排水弁 ２３ 気相部 ２４ 窒素ガス供給口 ２５ 排気管 ２６ 弁 ２７ 開閉蓋 ２８ 支持台 ２９ 液面センサ ３０ 有機溶剤ミスト発生槽 ３２ 振動板 ３３ 循環保温水 ３４ 有機溶剤 ３７ 窒素ガス供給口 ３８ 連通路 ３９ 弁 ４５ 振動板 ５０ 洗浄物 ６１ 洗浄槽 ６５ 洗浄槽 ６７ 洗浄槽

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ０８Ｂ 3/08 Ｂ０８Ｂ 3/08 Ｚ 3/12 3/12 Ａ Ｆ２６Ｂ 3/06 Ｆ２６Ｂ 3/06 9/06 9/06 Ａ Ｆターム(参考） 3B201 AA02 AA03 AB42 BB04 BB21 BB82 BB85 BB92 BB93 BB95 BB96 CB12 CB15 CC01 CC12 CD11 CD33 3L113 AA05 AB02 BA34 DA10

Claims (22)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 純水槽内の純水（ＤＩＷ）に洗浄物が浸
   漬された状態で純水槽内の純水（ＤＩＷ）を低速で排出
   する第１の工程と、 前記第１の工程により前記純水槽内の純水（ＤＩＷ）を
   排出する工程中に不活性ガスを順次供給して密閉空間内
   に不活性ガス雰囲気を形成する第２の工程と、 前記第１の工程により前記純水槽内の純水（ＤＩＷ）が
   排出された後に有機溶剤ミストを供給して前記洗浄物の
   表面上の純水（ＤＩＷ）を有機溶剤に置換する第３の工
   程と、 前記第３の工程により前記洗浄物の表面上の純水（ＤＩ
   Ｗ）が前記有機溶剤に置換され、更に不活性ガスを供給
   して前記有機溶剤を気化し乾燥する第４の工程とを有す
   ることを特徴とする洗浄物の乾燥方法。
2. 【請求項２】 前記第１の工程による不活性ガスは、常
   温の窒素ガス（Ｎ２）であることを特徴とする請求項１
   に記載の洗浄物の乾燥方法。
3. 【請求項３】 前記第４の工程による不活性ガスは、加
   温された窒素ガス（Ｎ２）であることを特徴とする請求
   項１に記載の洗浄物の乾燥方法。
4. 【請求項４】 前記有機溶剤は、ＩＰＡ（Ｉｓｏ−ｐｒ
   ｏｐｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）であることを特徴とする請
   求項１に記載の洗浄物の乾燥方法。
5. 【請求項５】 純水槽内の純水（ＤＩＷ）に洗浄物が浸
   漬された状態で純水槽内の純水（ＤＩＷ）を低速で排出
   する第１の工程と、 前記第１の工程により前記純水槽内の純水（ＤＩＷ）を
   排出する工程中に不活性ガスを順次供給して密閉空間内
   に不活性ガス雰囲気を形成する第２の工程と、 前記第１の工程により前記純水槽内の純水（ＤＩＷ）が
   排出された後に有機溶剤ミスト及び不活性ガスを供給し
   て前記洗浄物の表面上の純水（ＤＩＷ）を有機溶剤に置
   換させて気化させて乾燥する第３の工程とを有すること
   を特徴とする洗浄物の乾燥方法。
6. 【請求項６】 薬液が供給されていない槽内に洗浄物を
   搬送手段により支持台上に搬送する工程と、 前記槽内に薬液を供給して前記洗浄物を薬液中に浸漬し
   てエッチング処理を行うエッチング処理工程と、 前記エッチング処理工程完了後に前記薬液を排出した
   後、純水（ＤＩＷ）を前記槽内に供給して前記薬液を徐
   々に純水（ＤＩＷ）に置換してリンスする工程と、 前記槽内の純水（ＤＩＷ）に前記洗浄物が浸漬された状
   態で前記槽内の純水（ＤＩＷ）を低速で排出する工程
   と、 前記槽内の純水（ＤＩＷ）が排出される工程中に不活性
   ガスを順次供給して密閉空間内に不活性ガス雰囲気を形
   成する工程と、 前記槽内の純水（ＤＩＷ）が排出された後に有機溶剤ミ
   ストを供給して前記洗浄物の表面上の純水（ＤＩＷ）を
   有機溶剤に置換する工程と、 前記洗浄物の表面上の純水（ＤＩＷ）が前記有機溶剤に
   置換され、更に不活性ガスを供給して前記有機溶剤を気
   化し乾燥する工程とを有することを特徴とする洗浄物の
   乾燥方法。
7. 【請求項７】 前記薬液は、ＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ₂Ｏ）
   （希釈フッ酸）であることを特徴とする請求項６に記載
   の洗浄物の乾燥方法。
8. 【請求項８】 前記純水（ＤＩＷ）に置換してリンスす
   る工程では、超音波振動を印加して洗浄可能であること
   を特徴とする請求項６に記載の洗浄物の乾燥方法。
9. 【請求項９】 前記エッチング処理工程では、前記洗浄
   物を一定時間若しくは予め設定した時間薬液中に浸漬す
   ることを特徴とする請求項６に記載の洗浄物の乾燥方
   法。
10. 【請求項１０】 前記槽は、１槽で構成されてなること
    を特徴とする請求項６に記載の洗浄物の乾燥方法。
11. 【請求項１１】 薬液が供給されていない槽内に洗浄
    物を搬送手段により支持台上に搬送する工程と、前記槽
    内に薬液を供給して前記洗浄物を薬液中に浸漬してエッ
    チング処理を行うエッチング処理工程と、 前記エッチング処理工程完了後に前記薬液を排出した
    後、純水（ＤＩＷ）を前記槽内に供給して前記薬液を徐
    々に純水（ＤＩＷ）に置換してリンスする工程と、 前記槽内の純水（ＤＩＷ）に前記洗浄物が浸漬された状
    態で前記槽内の純水（ＤＩＷ）を低速で排出する工程
    と、 前記槽内の純水（ＤＩＷ）が排出される工程中に不活性
    ガスを順次供給して密閉空間内に不活性ガス雰囲気を形
    成する工程と、 前記槽内の純水（ＤＩＷ）が排出された後に有機溶剤ミ
    スト及び不活性ガスを供給して前記洗浄物の表面上の純
    水（ＤＩＷ）を有機溶剤に置換して気化し乾燥する工程
    とを有することを特徴とする洗浄物の乾燥方法。
12. 【請求項１２】 純水と窒素ガスのそれぞれを給排水、
    給排気自在に構成した純水槽と、 前記純水槽の上方から常温の有機溶剤ミストを発生して
    純水槽内に供給する有機溶剤ミスト発生手段とを備える
    洗浄物の乾燥装置であって、 前記純水槽内の純水（ＤＩＷ）に洗浄物が浸漬された状
    態で純水槽内の純水（ＤＩＷ）を低速で排出し、前記純
    水槽内の純水（ＤＩＷ）を排出する工程中に不活性ガス
    を順次供給して密閉空間内に不活性ガス雰囲気を形成
    し、前記純水槽内の純水（ＤＩＷ）が排出された後に有
    機溶剤ミストを供給して前記洗浄物の表面上の純水（Ｄ
    ＩＷ）を有機溶剤に置換すると共に不活性ガスを供給し
    て前記有機溶剤を気化して乾燥する構成としたことを特
    徴とする洗浄物の乾燥装置。
13. 【請求項１３】 前記有機溶剤ミスト発生手段は、高周
    波超音波を発生する装置であることを特徴とする請求項
    １２記載の洗浄物の乾燥装置。
14. 【請求項１４】 前記有機溶剤ミスト発生手段は、スプ
    レー式若しくは超音波シャワー式の装置であり、しかも
    ミスト粒径が１００μｍ以下のミストを噴霧可能である
    ことを特徴とする請求項１２記載の洗浄物の乾燥装置。
15. 【請求項１５】 前記純水槽の上部を可変密閉できる構
    成としたことを特徴とする請求項１２に記載の洗浄物の
    乾燥装置。
16. 【請求項１６】 洗浄物を支持可能な支持台を有し、該
    支持台上で前記洗浄物を支持して密閉空間内を形成して
    洗浄が可能な槽と、 前記槽内の支持台上に前記洗浄物を搬送して収容する搬
    送手段と、 前記槽内に薬液を供給し該薬液内に前記洗浄物を浸漬し
    て洗浄を行い、該洗浄後は該薬液を排出し、更に前記洗
    浄物に吸着している前記薬液を純水（ＤＩＷ）に置換し
    てすすぎ洗浄が可能な液供給排出手段と、 前記槽内の純水（ＤＩＷ）に洗浄物が浸漬された状態で
    前記槽内の純水（ＤＩＷ）を前記液供給排出手段により
    低速で排出し、前記槽内の純水（ＤＩＷ）を排出する工
    程中に不活性ガスを順次供給して密閉空間内に不活性ガ
    ス雰囲気を形成し、前記槽内の純水（ＤＩＷ）が排出さ
    れた後に有機溶剤ミストを供給して前記洗浄物の表面上
    の純水（ＤＩＷ）を有機溶剤に置換すると共に不活性ガ
    スを供給して前記有機溶剤を気化して乾燥する構成とし
    たことを特徴とする洗浄物の洗浄乾燥装置。
17. 【請求項１７】 前記薬液による洗浄は、ＡＰＭ洗浄で
    あり、該ＡＰＭは、ＮＨ₄ＯＨ（アンモニア）／Ｈ₂Ｏ₂
    （過水）／Ｈ₂Ｏ（純水）であることを特徴とする請求
    項１６記載の洗浄物の洗浄乾燥装置。
18. 【請求項１８】 前記液供給排出手段には、複数のシャ
    ワーパイプを含むことを特徴とする請求項１６記載の洗
    浄物の洗浄乾燥装置。
19. 【請求項１９】 前記槽には、洗浄のための高周波超音
    波を発生する装置が設けられていることを特徴とする請
    求項１６記載の洗浄物の洗浄乾燥装置。
20. 【請求項２０】 洗浄物を支持可能な支持台を有し、該
    支持台上で前記洗浄物を支持して密閉空間内を形成して
    洗浄が可能な洗浄槽と、 前記洗浄槽内の支持台上に前記洗浄物を搬送して収容す
    る搬送手段と、 前記洗浄槽内に薬液を供給し該薬液内に前記洗浄物を浸
    漬して洗浄可能とする第１の液供給排出手段と、 前記洗浄槽での洗浄が完了した前記洗浄物を前記搬送手
    段により搬送して前記洗浄物を支持可能な支持台上に支
    持して密閉空間内で前記洗浄物に吸着している薬液を純
    水（ＤＩＷ）に置換するすすぎ洗浄が可能なリンス槽
    と、 前記リンス槽に純水（ＤＩＷ）の供給、排出が可能な第
    ２の液供給排出手段と、 前記リンス槽で純水（ＤＩＷ）に置換された前記洗浄物
    を前記搬送手段により支持台上に搬送収容して乾燥を行
    う純水槽と、 前記純水槽内の純水（ＤＩＷ）に前記洗浄物が浸漬され
    た状態で純水槽内の純水（ＤＩＷ）を低速で排出し、前
    記純水槽内の純水（ＤＩＷ）を排出する工程中に不活性
    ガスを順次供給して密閉空間内に不活性ガス雰囲気を形
    成し、前記純水槽内の純水（ＤＩＷ）が排出された後に
    有機溶剤ミストを供給して前記洗浄物の表面上の純水
    （ＤＩＷ）を有機溶剤に置換すると共に不活性ガスを供
    給して前記有機溶剤を気化し乾燥する構成としたことを
    特徴とする洗浄物の洗浄乾燥装置。
21. 【請求項２１】 前記洗浄槽と前記リンス槽とは、別個
    独立した槽であることを特徴とする洗浄物の洗浄乾燥装
    置。
22. 【請求項２２】 前記洗浄槽と前記リンス槽とは、１つ
    の槽であることを特徴とする洗浄物の洗浄乾燥装置。