JPH07302776A - 半導体基板の表面洗浄方法及びシステム - Google Patents
半導体基板の表面洗浄方法及びシステムInfo
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 液化ガスを使用した半導体ウェーハの洗浄シ
ステム及び方法を提供する。 【構成】 半導体処理システム１０は洗浄室１２及びロ
ードロックウェーハハンドラー室１４を具備している。
洗浄剤３４が洗浄槽２８内に入れられる。半導体基板１
６が洗浄剤３４と接触して配置される。洗浄剤３４は最
初は液相であり気相へ変えられて被洗浄面のトポロジー
の内部へ入り込めるようにされる。次ぎに洗浄剤３４は
液相へ戻され最後にフラッシュ蒸発されて洗浄工程が完
了する。
ステム及び方法を提供する。 【構成】 半導体処理システム１０は洗浄室１２及びロ
ードロックウェーハハンドラー室１４を具備している。
洗浄剤３４が洗浄槽２８内に入れられる。半導体基板１
６が洗浄剤３４と接触して配置される。洗浄剤３４は最
初は液相であり気相へ変えられて被洗浄面のトポロジー
の内部へ入り込めるようにされる。次ぎに洗浄剤３４は
液相へ戻され最後にフラッシュ蒸発されて洗浄工程が完
了する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は一般的に半導体処理分野
に関し、特に液化ガスを使用して半導体基板を洗浄する
改良型システム及び方法に関する。
に関し、特に液化ガスを使用して半導体基板を洗浄する
改良型システム及び方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体基板の表面を洗浄するのは集積回
路製造工程における重要なステップである。表面洗浄に
より粒子及び有機及び金属不純物等の微量表面汚染物質
が除去される。従来、これらの洗浄技術はほとんど全て
化学試薬に基づいており、ウェーハ表面を腐食させたり
化学的に変えてしまうことなく表面汚染物質及び粒子が
選択的に除去される。デバイスの集積密度が高くなって
汚染物質の許容濃度がスケールダウンするにつれ、これ
ら従来の“ウェット”洗浄は次第に気相媒体を洗浄に利
用する“ドライ”洗浄に取り替えられつつある。ウェッ
ト洗浄技術にはまたモダンな集積回路で見かける小さな
ジオメトリに関連する複雑なトポロジーの内部へ液体洗
浄材料が入り込めないという制約がある。ドライ洗浄に
は製造シーーケンス中に制御されない環境からウェーハ
を隔離する必要性を強調する一体型枚様式処理概念とコ
ンパチブルであるという利点もある。これにたいして、
ウェット洗浄は大気圧環境で実施される。ウェーハ表面
はこのような雰囲気において汚染される可能性が高い。
さらに、ウェット洗浄工程により発生する化学廃棄物は
入念かつ高価な廃棄物管理を必要とする。
路製造工程における重要なステップである。表面洗浄に
より粒子及び有機及び金属不純物等の微量表面汚染物質
が除去される。従来、これらの洗浄技術はほとんど全て
化学試薬に基づいており、ウェーハ表面を腐食させたり
化学的に変えてしまうことなく表面汚染物質及び粒子が
選択的に除去される。デバイスの集積密度が高くなって
汚染物質の許容濃度がスケールダウンするにつれ、これ
ら従来の“ウェット”洗浄は次第に気相媒体を洗浄に利
用する“ドライ”洗浄に取り替えられつつある。ウェッ
ト洗浄技術にはまたモダンな集積回路で見かける小さな
ジオメトリに関連する複雑なトポロジーの内部へ液体洗
浄材料が入り込めないという制約がある。ドライ洗浄に
は製造シーーケンス中に制御されない環境からウェーハ
を隔離する必要性を強調する一体型枚様式処理概念とコ
ンパチブルであるという利点もある。これにたいして、
ウェット洗浄は大気圧環境で実施される。ウェーハ表面
はこのような雰囲気において汚染される可能性が高い。
さらに、ウェット洗浄工程により発生する化学廃棄物は
入念かつ高価な廃棄物管理を必要とする。
【０００３】ある形状の汚染物質を除去するのに有効な
ドライすなわち気相洗浄の開発に著しい進展が見られ
る。特に、気相洗浄は天然酸化物及び有機不純物を除去
するのに有効である。しかしながら、ニッケル、クロ
ム、鉄、亜鉛、等の金属汚染物質及び一般的粒子の除去
についてはあまり進展が見られない。このような形状の
汚染物質を除去するのに通常ウェット洗浄ステップが使
用されている。
ドライすなわち気相洗浄の開発に著しい進展が見られ
る。特に、気相洗浄は天然酸化物及び有機不純物を除去
するのに有効である。しかしながら、ニッケル、クロ
ム、鉄、亜鉛、等の金属汚染物質及び一般的粒子の除去
についてはあまり進展が見られない。このような形状の
汚染物質を除去するのに通常ウェット洗浄ステップが使
用されている。
【０００４】従来のウェット洗浄システムでは溶剤槽内
でメガソニック撹拌が行われ続いてリンス及びスピン乾
燥を行ってウェーハ表面から粒子及び汚染物質が除去さ
れる。粒子及び汚染物質が蒸発できない限り、従来の気
相処理では粒子及び汚染物質を除去することができな
い。有効に除去するには金属汚染物質の除去に使用され
る気相化学により不純物を蒸発させなければならない。
ある種の微量金属汚染物質を除去するのにハロゲンガス
が有効である。Ｏ２／Ｏ３によりある種の有機汚染物質
を除去することができＨＦ／アルコールにより天然酸化
物を除去することができる。しかしながら、ドライ洗浄
の利点をウェット洗浄の効果と組み合わせた洗浄工程は
存在しない。
でメガソニック撹拌が行われ続いてリンス及びスピン乾
燥を行ってウェーハ表面から粒子及び汚染物質が除去さ
れる。粒子及び汚染物質が蒸発できない限り、従来の気
相処理では粒子及び汚染物質を除去することができな
い。有効に除去するには金属汚染物質の除去に使用され
る気相化学により不純物を蒸発させなければならない。
ある種の微量金属汚染物質を除去するのにハロゲンガス
が有効である。Ｏ２／Ｏ３によりある種の有機汚染物質
を除去することができＨＦ／アルコールにより天然酸化
物を除去することができる。しかしながら、ドライ洗浄
の利点をウェット洗浄の効果と組み合わせた洗浄工程は
存在しない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】したがって、従来シス
テムの欠点を実質的に解消もしくは低減する半導体処理
システム及び動作方法に対するニーズが生じている。本
発明の一実施例により、半導体基板の表面洗浄方法が提
供されそれは半導体基板の表面へ液相の洗浄剤を導入す
るステップを含んでいる。次にウェーハは被洗浄面を液
相洗浄剤と接触させながら撹拌される。洗浄剤は気相へ
変えられその温度もしくは圧力を調整することによりフ
ラッシュ蒸発される。この工程を繰り返して汚染物質及
び粒子を完全に除去することができる。
テムの欠点を実質的に解消もしくは低減する半導体処理
システム及び動作方法に対するニーズが生じている。本
発明の一実施例により、半導体基板の表面洗浄方法が提
供されそれは半導体基板の表面へ液相の洗浄剤を導入す
るステップを含んでいる。次にウェーハは被洗浄面を液
相洗浄剤と接触させながら撹拌される。洗浄剤は気相へ
変えられその温度もしくは圧力を調整することによりフ
ラッシュ蒸発される。この工程を繰り返して汚染物質及
び粒子を完全に除去することができる。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の別の実施例によ
り、半導体処理システムが提供されそれは洗浄剤槽内に
半導体基板を保持するウェーハチャックを具備してい
る。メガソニックバイブレータが設けられていて槽及び
ウェーハ半導体基板をメガソニックに撹拌する。ウェー
ハチャック槽及び半導体基板は脱気洗浄室内に配置され
る。洗浄剤を槽内へ導入するソースガスシステムが設け
られている。洗浄剤をフラッシュ蒸発させた後で洗浄室
から迅速に除去するために脱気システムが設けられてい
る。脱気ポンプが洗浄室に連結されていて洗浄室内の圧
力を急速に変化させて洗浄剤を液相から気相へ変える。
洗浄槽室及び半導体基板の温度を制御して洗浄剤のフラ
ッシュ蒸発を制御するシステムも設けられている。
り、半導体処理システムが提供されそれは洗浄剤槽内に
半導体基板を保持するウェーハチャックを具備してい
る。メガソニックバイブレータが設けられていて槽及び
ウェーハ半導体基板をメガソニックに撹拌する。ウェー
ハチャック槽及び半導体基板は脱気洗浄室内に配置され
る。洗浄剤を槽内へ導入するソースガスシステムが設け
られている。洗浄剤をフラッシュ蒸発させた後で洗浄室
から迅速に除去するために脱気システムが設けられてい
る。脱気ポンプが洗浄室に連結されていて洗浄室内の圧
力を急速に変化させて洗浄剤を液相から気相へ変える。
洗浄槽室及び半導体基板の温度を制御して洗浄剤のフラ
ッシュ蒸発を制御するシステムも設けられている。
【０００７】
【実施例】図１を参照して、半導体洗浄システムを一般
的に番号１０に示す。洗浄システム１０は洗浄室１２及
びロードロックウェーハハンドラー室１４を具備してい
る。洗浄室１２は本発明の教示を使用して図１に示す半
導体基板１−６の表面から表面汚染物質を除去するよう
に機能する。ロードロックウェーハハンドラー１４は洗
浄室１２から基板１６を回収して大気汚染物質に曝すこ
となく他の半導体工程へ送るように機能する。洗浄室内
の圧力は一部脱気ポンプ１８により制御される。同様
に、ロードロックウェーハハンドラー室１４内の圧力は
脱気ポンプ２０により制御される。
的に番号１０に示す。洗浄システム１０は洗浄室１２及
びロードロックウェーハハンドラー室１４を具備してい
る。洗浄室１２は本発明の教示を使用して図１に示す半
導体基板１−６の表面から表面汚染物質を除去するよう
に機能する。ロードロックウェーハハンドラー１４は洗
浄室１２から基板１６を回収して大気汚染物質に曝すこ
となく他の半導体工程へ送るように機能する。洗浄室内
の圧力は一部脱気ポンプ１８により制御される。同様
に、ロードロックウェーハハンドラー室１４内の圧力は
脱気ポンプ２０により制御される。
【０００８】半導体基板１６はウェーハチャック１８内
に保持される。ウェーハチャック１８は圧電超音波励振
器２２，２４を介してウェーハチャックマニピュレータ
２０に接続されている。励振器２２，２４はメガソニッ
ク励振器２６に電気的に接続されておりそれは励振器２
２，２４へ電気信号を送って励振器２２，２４がメガソ
ニック励振器２６により活性化される時にウェーハチャ
ック１８及び半導体基板１６をメガソニックに振動させ
る。ウェーハチャックマニピュレータ２０は洗浄室１２
に可動接続されていて半導体基板１６が洗浄槽２８に対
して垂直方向にに出入り出来るようにさせる。一実施例
では、ウェーハチャックマニピュレータ２０は洗浄工程
中にウェーハチャック１８及び基板１６を急速にスピン
させることもできる。一実施例では、ウェーハチャック
１８に埋設されたヒーターを使用してウェーハチャック
１８及び基板１６の温度制御を行うこともできる。
に保持される。ウェーハチャック１８は圧電超音波励振
器２２，２４を介してウェーハチャックマニピュレータ
２０に接続されている。励振器２２，２４はメガソニッ
ク励振器２６に電気的に接続されておりそれは励振器２
２，２４へ電気信号を送って励振器２２，２４がメガソ
ニック励振器２６により活性化される時にウェーハチャ
ック１８及び半導体基板１６をメガソニックに振動させ
る。ウェーハチャックマニピュレータ２０は洗浄室１２
に可動接続されていて半導体基板１６が洗浄槽２８に対
して垂直方向にに出入り出来るようにさせる。一実施例
では、ウェーハチャックマニピュレータ２０は洗浄工程
中にウェーハチャック１８及び基板１６を急速にスピン
させることもできる。一実施例では、ウェーハチャック
１８に埋設されたヒーターを使用してウェーハチャック
１８及び基板１６の温度制御を行うこともできる。
【０００９】洗浄槽２８は制御弁３２を介してガス源３
０に接続されている。ガス源３０は液化ガスを選択的に
洗浄槽２８へ導入する。図１のシステム１０は洗浄槽２
８内に番号３４で示す少量の液化ガスを有して示されて
いる。洗浄剤３４の位相は一部洗浄室１２内の圧力によ
り制御されそれはポンプ１８及びガス源３０の吐出圧に
より制御される。洗浄剤３４の位相は洗浄槽２８及び洗
浄剤３４の温度を制御することによっても制御される。
図示するように発熱体３６が洗浄槽２８のベースに配置
されている。発熱体３６はヒーター制御ユニット３８に
電気的に接続されている。洗浄槽 ２８の温度はさらに
冷媒流路４０へ冷媒を循環させて制御される。冷媒流路
４０は冷媒ライン４２，４４により冷媒制御ユニット４
６に接続されている。冷媒制御器４６により液体窒素等
の冷媒は洗浄槽２８のベースを循環して洗浄剤３４の温
度を急速に低減する。
０に接続されている。ガス源３０は液化ガスを選択的に
洗浄槽２８へ導入する。図１のシステム１０は洗浄槽２
８内に番号３４で示す少量の液化ガスを有して示されて
いる。洗浄剤３４の位相は一部洗浄室１２内の圧力によ
り制御されそれはポンプ１８及びガス源３０の吐出圧に
より制御される。洗浄剤３４の位相は洗浄槽２８及び洗
浄剤３４の温度を制御することによっても制御される。
図示するように発熱体３６が洗浄槽２８のベースに配置
されている。発熱体３６はヒーター制御ユニット３８に
電気的に接続されている。洗浄槽 ２８の温度はさらに
冷媒流路４０へ冷媒を循環させて制御される。冷媒流路
４０は冷媒ライン４２，４４により冷媒制御ユニット４
６に接続されている。冷媒制御器４６により液体窒素等
の冷媒は洗浄槽２８のベースを循環して洗浄剤３４の温
度を急速に低減する。
【００１０】洗浄槽２８は付加圧電超音波励振器４８，
５０を介して洗浄室１２に接続されている。励振器４
８，５０はメガソニック励振器２６に電気的に接続され
ており励振器２２と同様に機能して洗浄槽２８をメガソ
ニツクに撹拌し同時に槽２８内の洗浄剤３４をメガソニ
ックに励振する。
５０を介して洗浄室１２に接続されている。励振器４
８，５０はメガソニック励振器２６に電気的に接続され
ており励振器２２と同様に機能して洗浄槽２８をメガソ
ニツクに撹拌し同時に槽２８内の洗浄剤３４をメガソニ
ックに励振する。
【００１１】後記するように、本発明のシステム１０は
洗浄剤３４が液相である間に基板１６の表面を洗浄する
ように機能する。表面洗浄中に、基板１６上の汚染物質
は洗浄剤３４中に溶解もしくは懸濁される。次に洗浄剤
３４はフラッシュ蒸発により気相へ変えられ洗浄剤中に
溶解もしくは懸濁された汚染物質が除去される。このフ
ラッシュ蒸発は洗浄槽２８の内部と直接連絡されている
排気ポンプ５２を使用して洗浄剤３４が除去される時に
ポンプ１８を使用して急速に降圧することにより行われ
る。この洗浄サイクルを繰り返して汚染物質の完全除去
を保証することができる。マルチサイクルの場合には、
サイクル間で洗浄室１２を完全に脱気しなくてもよい。
次に残留ガスにより基板１６のトポグラフィーの微細な
造作が充填される。新たな１回分の液化ガスが導入され
る次サイクル中にこれらの残留ガスはこれらの微細な造
作の内側で凝縮する。これにより洗浄剤３４は基板１６
の全面と密着することが保証される。従来のウェット洗
浄法では表面張力により洗浄剤３４は基板１６上の微細
な造作へ入り込むのを防止される。これにより基板１６
上の微細な造作の内側から有効に汚染物質を除去するこ
とが防止される。
洗浄剤３４が液相である間に基板１６の表面を洗浄する
ように機能する。表面洗浄中に、基板１６上の汚染物質
は洗浄剤３４中に溶解もしくは懸濁される。次に洗浄剤
３４はフラッシュ蒸発により気相へ変えられ洗浄剤中に
溶解もしくは懸濁された汚染物質が除去される。このフ
ラッシュ蒸発は洗浄槽２８の内部と直接連絡されている
排気ポンプ５２を使用して洗浄剤３４が除去される時に
ポンプ１８を使用して急速に降圧することにより行われ
る。この洗浄サイクルを繰り返して汚染物質の完全除去
を保証することができる。マルチサイクルの場合には、
サイクル間で洗浄室１２を完全に脱気しなくてもよい。
次に残留ガスにより基板１６のトポグラフィーの微細な
造作が充填される。新たな１回分の液化ガスが導入され
る次サイクル中にこれらの残留ガスはこれらの微細な造
作の内側で凝縮する。これにより洗浄剤３４は基板１６
の全面と密着することが保証される。従来のウェット洗
浄法では表面張力により洗浄剤３４は基板１６上の微細
な造作へ入り込むのを防止される。これにより基板１６
上の微細な造作の内側から有効に汚染物質を除去するこ
とが防止される。
【００１２】動作に関して、ガス源３０から弁３２を介
して洗浄槽２８へ洗浄剤が導入される。通常、洗浄剤は
液相で導入され洗浄室１２内の圧力は洗浄剤３４を液相
に維持するのに適切な圧力に維持される。あるいは、ガ
スを気相で導入し洗浄室１２内の圧力、及び洗浄漕２
８、ウェーハチャック１８及び基板１６の温度を調整し
てガスを液相へ凝縮させて洗浄剤３４を形成することが
できる。この実施例では、最初の洗浄サイクルについて
も洗浄剤３４と基板１６間の密着が保証される。半導体
基板１６は液体洗浄剤３４中へ降下される。
して洗浄槽２８へ洗浄剤が導入される。通常、洗浄剤は
液相で導入され洗浄室１２内の圧力は洗浄剤３４を液相
に維持するのに適切な圧力に維持される。あるいは、ガ
スを気相で導入し洗浄室１２内の圧力、及び洗浄漕２
８、ウェーハチャック１８及び基板１６の温度を調整し
てガスを液相へ凝縮させて洗浄剤３４を形成することが
できる。この実施例では、最初の洗浄サイクルについて
も洗浄剤３４と基板１６間の密着が保証される。半導体
基板１６は液体洗浄剤３４中へ降下される。
【００１３】一実施例において、次にさまざまな方法に
より半導体基板１６と洗浄剤３４間の界面が撹拌され
る。前記したように、一実施例では圧電超音波励振器２
２，２４，４８，５０を使用してウェーハチャック１８
及び洗浄槽２８がメガソニックに撹拌される。さらに、
ウェーハチャックハンドラー２０を急速に回転させて液
体洗浄剤３４内で半導体基板１６をスピンさせることが
できる。洗浄剤及び半導体基板１６の急速な撹拌によ
り、温度及び圧力が特定洗浄剤の液相及び気相間の相転
移条件に近ければガスが形成される。洗浄剤３４の温度
及び洗浄室１２内の圧力を調整することにより洗浄剤３
４は相転移に近く維持することができる。撹拌により少
量のガスが形成されそれは半導体基板１６の表面に関連
する小さなトポグラフィーへ入る。撹拌中止後、ガスは
液相へ戻る。
より半導体基板１６と洗浄剤３４間の界面が撹拌され
る。前記したように、一実施例では圧電超音波励振器２
２，２４，４８，５０を使用してウェーハチャック１８
及び洗浄槽２８がメガソニックに撹拌される。さらに、
ウェーハチャックハンドラー２０を急速に回転させて液
体洗浄剤３４内で半導体基板１６をスピンさせることが
できる。洗浄剤及び半導体基板１６の急速な撹拌によ
り、温度及び圧力が特定洗浄剤の液相及び気相間の相転
移条件に近ければガスが形成される。洗浄剤３４の温度
及び洗浄室１２内の圧力を調整することにより洗浄剤３
４は相転移に近く維持することができる。撹拌により少
量のガスが形成されそれは半導体基板１６の表面に関連
する小さなトポグラフィーへ入る。撹拌中止後、ガスは
液相へ戻る。
【００１４】このようにして、気相洗浄剤を使用するド
ライ洗浄技術の利点がウェット洗浄技術の利点と結合さ
れる。気相洗浄剤は半導体基板表面の複雑なトポグラフ
ィーの内部に入り込み次に液相へ戻って粒子や汚染物質
を除去することができる。この実施例では、次に排気ポ
ンプ５２及びポンプ１８を使用して急速に降圧して洗浄
剤３４をフラッシュ蒸発させ粒子及び汚染物質を基板１
６の表面から強制的に放逐する。フラッシュ蒸発により
粒子は基板１６の表面上に再堆積されないように表面か
ら放逐される。
ライ洗浄技術の利点がウェット洗浄技術の利点と結合さ
れる。気相洗浄剤は半導体基板表面の複雑なトポグラフ
ィーの内部に入り込み次に液相へ戻って粒子や汚染物質
を除去することができる。この実施例では、次に排気ポ
ンプ５２及びポンプ１８を使用して急速に降圧して洗浄
剤３４をフラッシュ蒸発させ粒子及び汚染物質を基板１
６の表面から強制的に放逐する。フラッシュ蒸発により
粒子は基板１６の表面上に再堆積されないように表面か
ら放逐される。
【００１５】また、ヒーター制御器３８、発熱体３６、
冷媒制御器４６、冷媒流路４０及びウェーハチャック１
８内の発熱体を使用して基板１６の温度を急速に変え同
様な洗浄剤の逐次凝縮及びフラッシュ蒸発を行うことが
できる。さらに、温度及び圧力サイクリングを組み合わ
せて使用すれば基板１６の表面からより高速かつ完全な
洗浄剤３４のフラッシュ蒸発を行うことができる。
冷媒制御器４６、冷媒流路４０及びウェーハチャック１
８内の発熱体を使用して基板１６の温度を急速に変え同
様な洗浄剤の逐次凝縮及びフラッシュ蒸発を行うことが
できる。さらに、温度及び圧力サイクリングを組み合わ
せて使用すれば基板１６の表面からより高速かつ完全な
洗浄剤３４のフラッシュ蒸発を行うことができる。
【００１６】別の実施例では、洗浄剤３４は液相で導入
される。次にポンプ１８及び発熱体３６を使用して洗浄
室１２内のの圧力が降下されかつ温度が上昇されて洗浄
剤は一時的に気相へ変わる。この工程により洗浄剤は半
導体基板１６の表面の複雑なトポグラフィーの内部に入
り込むことができる。短時間後に、洗浄室１２内の圧力
が再び高められ冷媒制御器４６及び冷媒流路４０を使用
して洗浄剤は液相へ戻される。液相では、洗浄剤３４は
前記したように撹拌することができる。前記した方法で
洗浄剤３４をフラッシュ蒸発することにより洗浄サイク
ルが完了する。
される。次にポンプ１８及び発熱体３６を使用して洗浄
室１２内のの圧力が降下されかつ温度が上昇されて洗浄
剤は一時的に気相へ変わる。この工程により洗浄剤は半
導体基板１６の表面の複雑なトポグラフィーの内部に入
り込むことができる。短時間後に、洗浄室１２内の圧力
が再び高められ冷媒制御器４６及び冷媒流路４０を使用
して洗浄剤は液相へ戻される。液相では、洗浄剤３４は
前記したように撹拌することができる。前記した方法で
洗浄剤３４をフラッシュ蒸発することにより洗浄サイク
ルが完了する。
【００１７】図１に示す洗浄剤３４の量は基板１６の寸
法に対して自由縮尺であることを理解されたい。本発明
の洗浄操作を実施するのに実際上非常に少量の洗浄剤し
か必要ではない。半導体基板の表面から粒子汚染物質を
除去するのに薄い液体膜しか必要ではない。最小量の洗
浄剤を使用するだけで洗浄剤３４の急速な蒸発が非常に
向上される。
法に対して自由縮尺であることを理解されたい。本発明
の洗浄操作を実施するのに実際上非常に少量の洗浄剤し
か必要ではない。半導体基板の表面から粒子汚染物質を
除去するのに薄い液体膜しか必要ではない。最小量の洗
浄剤を使用するだけで洗浄剤３４の急速な蒸発が非常に
向上される。
【００１８】本発明のシステムはガス源３０から供給さ
れるさまざまな洗浄剤３４を使用することができる。例
えば、粒子物質を除去するのに液化アルゴンもしくは窒
素を使用することができる。メガソニック撹拌もしくは
液体を使用した散布洗浄による粒子の除去は主として液
体の表面張力、液体分子が極性であるか非極性である
か、及び液体のｐＨによって決まる。代表的に粒子除去
効率は表面張力が低く非極性すなわちアルカリ性液体の
ほうが高い。表面張力の低い液体は粒子を濡らしこの濡
れ作用により粒子が表面から引き上げられて粒子と表面
間の付着力が低下する。表面張力は温度上昇と共に低下
し沸点においてゼロとなる。したがって、特に沸点に近
づくでメガソニック撹拌が行われる場合、液化ガスは従
来の液化試薬よりも粒子の除去において有効である。し
たがって、特に沸点に近づく温度でメガソニック撹拌が
行われる場合、液化ガスは粒子の除去において従来の試
薬よりも有効である。さらに、沸騰に伴う２相（液体／
ガス）流状態によりウェーハ表面から取り除く粒子へ付
加エネルギーを与えることができる。熱泳動力も粒子除
去に寄与する。いくつかの非極性（例えば、Ｎ２，Ｏ２
ＣＯ２）もしくはアルカリ性（例えば、ＮＨ３）液化ガ
スが粒子除去に適している。
れるさまざまな洗浄剤３４を使用することができる。例
えば、粒子物質を除去するのに液化アルゴンもしくは窒
素を使用することができる。メガソニック撹拌もしくは
液体を使用した散布洗浄による粒子の除去は主として液
体の表面張力、液体分子が極性であるか非極性である
か、及び液体のｐＨによって決まる。代表的に粒子除去
効率は表面張力が低く非極性すなわちアルカリ性液体の
ほうが高い。表面張力の低い液体は粒子を濡らしこの濡
れ作用により粒子が表面から引き上げられて粒子と表面
間の付着力が低下する。表面張力は温度上昇と共に低下
し沸点においてゼロとなる。したがって、特に沸点に近
づくでメガソニック撹拌が行われる場合、液化ガスは従
来の液化試薬よりも粒子の除去において有効である。し
たがって、特に沸点に近づく温度でメガソニック撹拌が
行われる場合、液化ガスは粒子の除去において従来の試
薬よりも有効である。さらに、沸騰に伴う２相（液体／
ガス）流状態によりウェーハ表面から取り除く粒子へ付
加エネルギーを与えることができる。熱泳動力も粒子除
去に寄与する。いくつかの非極性（例えば、Ｎ２，Ｏ２
ＣＯ２）もしくはアルカリ性（例えば、ＮＨ３）液化ガ
スが粒子除去に適している。
【００１９】有機汚染物質を除去するのに、液化炭酸ガ
スや任意のフレオンファミリーガスを使用することがで
きる。他のさまざまな有機ガスを使用して有機汚染物質
を融解除去することができる。また本発明のシステムに
より液化塩酸、フッ酸もしくは二酸化硫黄を使用して金
属汚染物質を除去することができる。（例えば、ＨＣ
Ｌ，ＨＢｒ，ＨＦＳＯ３等の）いくつかの酸性液化ガス
のイオン解離が低温において重要になる。ＨＣＬ等の場
合にはイオン濃度が高くなり過ぎることがある。したが
って、他の不活性液化ガスやアンモニア等のアルカリ性
液化ガスにより希釈もしくは緩衝する必要がある。これ
らの高苛性度化合物は液化アンモニアその他のアルカリ
性試剤により緩衝して洗浄剤の酸性度を平衡させること
ができる。この緩衝により洗浄剤が洗浄室１２の内面を
腐食することが防止されまた洗浄工程中に生じる半導体
基板１６の損傷を慎重に抑制することができる。
スや任意のフレオンファミリーガスを使用することがで
きる。他のさまざまな有機ガスを使用して有機汚染物質
を融解除去することができる。また本発明のシステムに
より液化塩酸、フッ酸もしくは二酸化硫黄を使用して金
属汚染物質を除去することができる。（例えば、ＨＣ
Ｌ，ＨＢｒ，ＨＦＳＯ３等の）いくつかの酸性液化ガス
のイオン解離が低温において重要になる。ＨＣＬ等の場
合にはイオン濃度が高くなり過ぎることがある。したが
って、他の不活性液化ガスやアンモニア等のアルカリ性
液化ガスにより希釈もしくは緩衝する必要がある。これ
らの高苛性度化合物は液化アンモニアその他のアルカリ
性試剤により緩衝して洗浄剤の酸性度を平衡させること
ができる。この緩衝により洗浄剤が洗浄室１２の内面を
腐食することが防止されまた洗浄工程中に生じる半導体
基板１６の損傷を慎重に抑制することができる。
【００２０】本発明による洗浄システム１０の重要な技
術的利点は洗浄に液相洗浄動作を利用するが制御された
周囲環境で行われるという事実である。したがって、洗
浄室１２はロードロックウェーハハンドラー１４を介し
てたの雰囲気制御された工程に接続することができる。
例えば、ロードロックウェーハハンドラー１４は半導体
基板１６を洗浄室１２からエッチ工程、急速熱工程、も
しくは紫外光線等を使用するプラズマ洗浄操作等の他の
洗浄工程を含むさまざまな他の工程へ転送するのに使用
することができる。
術的利点は洗浄に液相洗浄動作を利用するが制御された
周囲環境で行われるという事実である。したがって、洗
浄室１２はロードロックウェーハハンドラー１４を介し
てたの雰囲気制御された工程に接続することができる。
例えば、ロードロックウェーハハンドラー１４は半導体
基板１６を洗浄室１２からエッチ工程、急速熱工程、も
しくは紫外光線等を使用するプラズマ洗浄操作等の他の
洗浄工程を含むさまざまな他の工程へ転送するのに使用
することができる。
【００２１】本発明のもう一つの技術的利点はドライ及
びウェット操作の両方の最善の特質を利用しているとい
う事実である。本発明のシステムにより洗浄剤は洗浄操
作中にガス及び液体間の相転移を行う。気相は被洗浄面
の複雑なトポロジーの内部へ入り込むのに使用され次に
洗浄剤は液相へ戻されて汚染物質及び粒子の除去が行わ
れる。本発明のシステムで使用される洗浄剤が液相であ
る場合にはメガソニック及び従来のウェット洗浄で使用
される他の撹拌方法を本発明のシステムと連係して使用
することができる。さらに、洗浄剤をフラッシュ蒸発さ
せて工程を完了し表面に洗浄剤や汚染物質を残さずにウ
ェーハを他の工程へ転送することができる。
びウェット操作の両方の最善の特質を利用しているとい
う事実である。本発明のシステムにより洗浄剤は洗浄操
作中にガス及び液体間の相転移を行う。気相は被洗浄面
の複雑なトポロジーの内部へ入り込むのに使用され次に
洗浄剤は液相へ戻されて汚染物質及び粒子の除去が行わ
れる。本発明のシステムで使用される洗浄剤が液相であ
る場合にはメガソニック及び従来のウェット洗浄で使用
される他の撹拌方法を本発明のシステムと連係して使用
することができる。さらに、洗浄剤をフラッシュ蒸発さ
せて工程を完了し表面に洗浄剤や汚染物質を残さずにウ
ェーハを他の工程へ転送することができる。
【００２２】本発明を詳細に説明してきたが、特許請求
の範囲によってのみ規定される本発明の精神及び範囲を
逸脱することなくここに記載されたシステム及び方法に
さまざまな変更、置換及び修正を行えることを理解され
たい。
の範囲によってのみ規定される本発明の精神及び範囲を
逸脱することなくここに記載されたシステム及び方法に
さまざまな変更、置換及び修正を行えることを理解され
たい。
【００２３】以上の説明に関して更に以下の項を開示す
る。 （１）．半導体基板の表面洗浄方法であって、該方法
は、液相の洗浄剤を洗浄槽へ導入するステップと、半導
体基板の表面を液体洗浄剤に接触させるステップと、洗
浄剤を気相へ変えて洗浄剤が基板表面のトポロジーの内
部ヘ入り込めるようにするステップと、洗浄剤を液相へ
戻すステップと、洗浄剤をフラッシュ蒸発させて蒸発さ
れた洗浄剤及び基板表面から取り除かれた汚染物質を洗
浄槽から除去するステップと、からなる半導体基板の表
面洗浄方法。
る。 （１）．半導体基板の表面洗浄方法であって、該方法
は、液相の洗浄剤を洗浄槽へ導入するステップと、半導
体基板の表面を液体洗浄剤に接触させるステップと、洗
浄剤を気相へ変えて洗浄剤が基板表面のトポロジーの内
部ヘ入り込めるようにするステップと、洗浄剤を液相へ
戻すステップと、洗浄剤をフラッシュ蒸発させて蒸発さ
れた洗浄剤及び基板表面から取り除かれた汚染物質を洗
浄槽から除去するステップと、からなる半導体基板の表
面洗浄方法。
【００２４】（２）．第１項記載の方法であって、洗浄
剤の位相を変えるステップは洗浄剤を撹拌してその一部
を局部的に気相へ変え基板表面から粒子を取り除くステ
ップを含む半導体基板の表面洗浄方法。
剤の位相を変えるステップは洗浄剤を撹拌してその一部
を局部的に気相へ変え基板表面から粒子を取り除くステ
ップを含む半導体基板の表面洗浄方法。
【００２５】（３）．第２項記載の方法であって、洗浄
剤を撹拌するステップは洗浄槽をメガソニックに励振し
て半導体基板をメガソニックに励振するステップを含
む、半導体基板の表面洗浄方法。
剤を撹拌するステップは洗浄槽をメガソニックに励振し
て半導体基板をメガソニックに励振するステップを含
む、半導体基板の表面洗浄方法。
【００２６】（４）．第２項記載の方法であって、洗浄
剤を撹拌するステップは半導体基板が洗浄剤と接触して
いる時に半導体基板を急速にスピンさせるステップを含
む、半導体基板の表面洗浄方法。
剤を撹拌するステップは半導体基板が洗浄剤と接触して
いる時に半導体基板を急速にスピンさせるステップを含
む、半導体基板の表面洗浄方法。
【００２７】（５）．第１項記載の方法であって、洗浄
剤の位相を変えるステップは洗浄剤の環境の圧力を変え
て洗浄剤を気相へ変えるステップを含む、半導体基板の
表面洗浄方法。
剤の位相を変えるステップは洗浄剤の環境の圧力を変え
て洗浄剤を気相へ変えるステップを含む、半導体基板の
表面洗浄方法。
【００２８】（６）．第１項記載の方法であって、洗浄
剤の位相を変えるステップは洗浄剤の温度を変えて洗浄
剤を気相へ変えるステップを含む、半導体基板の表面洗
浄方法。
剤の位相を変えるステップは洗浄剤の温度を変えて洗浄
剤を気相へ変えるステップを含む、半導体基板の表面洗
浄方法。
【００２９】（７）．第１項記載の方法であって、洗浄
剤を導入するステップは洗浄槽へ非極性材料を導入して
基板の表面から粒子物質を除去するステップを含む、半
導体基板の表面洗浄方法。
剤を導入するステップは洗浄槽へ非極性材料を導入して
基板の表面から粒子物質を除去するステップを含む、半
導体基板の表面洗浄方法。
【００３０】（８）．第１項記載の方法であって、洗浄
剤を導入するステップは洗浄槽へ極性材料を導入して基
板の表面から粒子物質を除去するステップを含む、半導
体基板の表面洗浄方法。
剤を導入するステップは洗浄槽へ極性材料を導入して基
板の表面から粒子物質を除去するステップを含む、半導
体基板の表面洗浄方法。
【００３１】（９）．第１項記載の方法であって、洗浄
剤を導入するステップはアルカリ性材料により緩衝され
る液体酸性材料を導入するステップを含む、半導体基板
の表面洗浄方法。
剤を導入するステップはアルカリ性材料により緩衝され
る液体酸性材料を導入するステップを含む、半導体基板
の表面洗浄方法。
【００３２】（１０）．第１項記載の方法であって、洗
浄剤を導入するステップはアンモニアにより緩衝される
液体フッ酸を導入するステップを含む、半導体基板の表
面洗浄方法。
浄剤を導入するステップはアンモニアにより緩衝される
液体フッ酸を導入するステップを含む、半導体基板の表
面洗浄方法。
【００３３】（１１）．第１項記載の方法であって、洗
浄剤を導入するステップは液体有機材料を導入するステ
ップを含む、半導体基板の表面洗浄方法。
浄剤を導入するステップは液体有機材料を導入するステ
ップを含む、半導体基板の表面洗浄方法。
【００３４】（１２）．半導体基板の表面洗浄方法であ
って、該方法は、液相の洗浄剤を洗浄槽へ導入するステ
ップと、半導体基板の表面を液体洗浄剤に接触させるス
テップと、洗浄槽をメガソニックに励振することにより
洗浄剤を一時的に気相へ変え洗浄剤が基板表面のトポロ
ジーの内部へ入り込めるように半導体基板をメガソニッ
クに励振するステップと、洗浄剤を液相へ戻すステップ
と、洗浄剤をフラッシュ蒸発させて蒸発された洗浄剤及
び基板表面から取り除かれた汚染物質を洗浄槽から除去
するステップと、からなる半導体基板の表面洗浄方法。
って、該方法は、液相の洗浄剤を洗浄槽へ導入するステ
ップと、半導体基板の表面を液体洗浄剤に接触させるス
テップと、洗浄槽をメガソニックに励振することにより
洗浄剤を一時的に気相へ変え洗浄剤が基板表面のトポロ
ジーの内部へ入り込めるように半導体基板をメガソニッ
クに励振するステップと、洗浄剤を液相へ戻すステップ
と、洗浄剤をフラッシュ蒸発させて蒸発された洗浄剤及
び基板表面から取り除かれた汚染物質を洗浄槽から除去
するステップと、からなる半導体基板の表面洗浄方法。
【００３５】（１３）．第１２項記載の方法であって、
洗浄剤の位相を変えるステップはさらに洗浄剤の圧力を
変えて洗浄剤を気相へ変えるステップを含む、半導体基
板の表面洗浄方法。
洗浄剤の位相を変えるステップはさらに洗浄剤の圧力を
変えて洗浄剤を気相へ変えるステップを含む、半導体基
板の表面洗浄方法。
【００３６】（１４）．第１２項記載の方法であって、
洗浄剤の位相を変えるステップは洗浄剤の温度を変えて
洗浄剤を気相へ変えるステップを含む、半導体基板の表
面洗浄方法。
洗浄剤の位相を変えるステップは洗浄剤の温度を変えて
洗浄剤を気相へ変えるステップを含む、半導体基板の表
面洗浄方法。
【００３７】（１５）．半導体基板の表面洗浄システム
であって、該システムは、洗浄剤を液相に保持するよう
に作動する洗浄槽と、半導体基板を保持するように作動
するウェーハチャックと、ウェーハチャックに結合され
て半導体基板の表面を液体洗浄剤と接触させるように作
動するウェーハチャックマニピュレータと、洗浄剤を気
相へ変えて基板表面のトポロジーの内部へ入り込めるよ
うに作動し、かつ洗浄剤を液相へ戻してフラッシュ蒸発
させるように作動する位相制御システムと、洗浄槽に接
続され蒸発された洗浄剤及び基板の表面から取り除かれ
た汚染物質を洗浄槽から除去するように作動する排気シ
ステムと、を具備する半導体基板の表面洗浄システム。
であって、該システムは、洗浄剤を液相に保持するよう
に作動する洗浄槽と、半導体基板を保持するように作動
するウェーハチャックと、ウェーハチャックに結合され
て半導体基板の表面を液体洗浄剤と接触させるように作
動するウェーハチャックマニピュレータと、洗浄剤を気
相へ変えて基板表面のトポロジーの内部へ入り込めるよ
うに作動し、かつ洗浄剤を液相へ戻してフラッシュ蒸発
させるように作動する位相制御システムと、洗浄槽に接
続され蒸発された洗浄剤及び基板の表面から取り除かれ
た汚染物質を洗浄槽から除去するように作動する排気シ
ステムと、を具備する半導体基板の表面洗浄システム。
【００３８】（１６）．第１５項記載のシステムであっ
て、位相制御システムはウェーハチャック及び洗浄槽に
接続され洗浄剤及び基板を撹拌して洗浄剤の一部を局部
的に気相へ変えるように作動するメガソニック励振器及
び圧電コンタクトを具備する、半導体基板の表面洗浄シ
ステム。
て、位相制御システムはウェーハチャック及び洗浄槽に
接続され洗浄剤及び基板を撹拌して洗浄剤の一部を局部
的に気相へ変えるように作動するメガソニック励振器及
び圧電コンタクトを具備する、半導体基板の表面洗浄シ
ステム。
【００３９】（１７）．第１５項記載のシステムであっ
て、ウェーハチャックマニピュレータはウェーハチャッ
ク及び半導体基板をスピンさせるように作動することが
できる、半導体基板の表面洗浄システム。
て、ウェーハチャックマニピュレータはウェーハチャッ
ク及び半導体基板をスピンさせるように作動することが
できる、半導体基板の表面洗浄システム。
【００４０】（１８）．第１５項記載のシステムであっ
て、位相制御システムは洗浄剤の環境の圧力を変えて洗
浄剤を液相及び気相間で可逆変化させるように作動する
ことができる圧力制御システムを具備する、半導体基板
の表面洗浄システム。
て、位相制御システムは洗浄剤の環境の圧力を変えて洗
浄剤を液相及び気相間で可逆変化させるように作動する
ことができる圧力制御システムを具備する、半導体基板
の表面洗浄システム。
【００４１】（１９）．第１５項記載のシステムであっ
て、位相制御システムは洗浄剤及び基板の温度を変えて
洗浄剤を液相及び気相間で可逆変化させるように作動す
ることができる温度制御システムを具備する、半導体基
板の表面洗浄システム。
て、位相制御システムは洗浄剤及び基板の温度を変えて
洗浄剤を液相及び気相間で可逆変化させるように作動す
ることができる温度制御システムを具備する、半導体基
板の表面洗浄システム。
【００４２】（２０）．半導体処理システム１０が提供
されそれは洗浄室１２及びロードロックウェーハハンド
ラー室１４を具備している。洗浄剤３４が洗浄槽２８内
に入れられる。半導体基板１６が洗浄剤３４と接触して
配置される。洗浄剤３４は最初は液相であり気相へ変え
られて被洗浄面のトポロジーの内部へ入り込めるように
される。次ぎに洗浄剤３４は液相へ戻され最後にフラッ
シュ蒸発されて洗浄工程が完了する。
されそれは洗浄室１２及びロードロックウェーハハンド
ラー室１４を具備している。洗浄剤３４が洗浄槽２８内
に入れられる。半導体基板１６が洗浄剤３４と接触して
配置される。洗浄剤３４は最初は液相であり気相へ変え
られて被洗浄面のトポロジーの内部へ入り込めるように
される。次ぎに洗浄剤３４は液相へ戻され最後にフラッ
シュ蒸発されて洗浄工程が完了する。
【図１】本発明の教示に従って構成される半導体処理シ
ステムの略断面図。
ステムの略断面図。
１０ 半導体洗浄システム １２ 洗浄室 １４ ロードロックウェーハハンドラー室 １６ 半導体基板 １８ 脱気ポンプ ２０ 脱気ポンプ ２２ 励振器 ２４ 励振器 ２６ メガソニック励振器 ２８ 洗浄槽 ３０ ガス源 ３２ 制御弁 ３４ 液化ガス ３６ 発熱体 ３８ ヒーター制御ユニット ４０ 冷媒流路 ４２ 冷媒ライン ４４ 冷媒ライン ４６ 冷媒制御ユニット ４８ 圧電超音波励振器 ５０ 圧電超音波励振器 ５２ 排気ポンプ
【手続補正書】
【提出日】平成７年６月２８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正内容】
【書類名】 明細書
【発明の名称】 半導体基板の表面洗浄方法及びシステ
ム
ム
【特許請求の範囲】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は一般的に半導体処理分野
に関し、特に液化ガスを使用して半導体基板を洗浄する
改良型システム及び方法に関する。
に関し、特に液化ガスを使用して半導体基板を洗浄する
改良型システム及び方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体基板の表面を洗浄するのは集積回
路製造工程における重要なステップである。表面洗浄に
より粒子及び有機及び金属不純物等の微量表面汚染物質
が除去される。従来、これらの洗浄技術はほとんど全て
化学試薬に基づいており、ウェーハ表面を腐食させたり
化学的に変えてしまうことなく表面汚染物質及び粒子が
選択的に除去される。デバイスの集積密度が高くなって
汚染物質の許容濃度がスケールダウンするにつれ、これ
ら従来の“ウェット”洗浄は次第に気相媒体を洗浄に利
用する“ドライ”洗浄に取り替えられつつある。ウェッ
ト洗浄技術にはまたモダンな集積回路で見かける小さな
ジオメトリに関連する複雑なトポロジーの内部へ液体洗
浄材料が入り込めないという制約がある。ドライ洗浄に
は製造シーケンス中に制御されない環境からウェーハを
隔離する必要性を強調する一体型枚様式処理概念とコン
パチブルであるという利点もある。これにたいして、ウ
ェット洗浄は大気圧環境で実施される。ウェーハ表面は
このような雰囲気において汚染される可能性が高い。さ
らに、ウェット洗浄工程により発生する化学廃棄物は入
念かつ高価な廃棄物管理を必要とする。
路製造工程における重要なステップである。表面洗浄に
より粒子及び有機及び金属不純物等の微量表面汚染物質
が除去される。従来、これらの洗浄技術はほとんど全て
化学試薬に基づいており、ウェーハ表面を腐食させたり
化学的に変えてしまうことなく表面汚染物質及び粒子が
選択的に除去される。デバイスの集積密度が高くなって
汚染物質の許容濃度がスケールダウンするにつれ、これ
ら従来の“ウェット”洗浄は次第に気相媒体を洗浄に利
用する“ドライ”洗浄に取り替えられつつある。ウェッ
ト洗浄技術にはまたモダンな集積回路で見かける小さな
ジオメトリに関連する複雑なトポロジーの内部へ液体洗
浄材料が入り込めないという制約がある。ドライ洗浄に
は製造シーケンス中に制御されない環境からウェーハを
隔離する必要性を強調する一体型枚様式処理概念とコン
パチブルであるという利点もある。これにたいして、ウ
ェット洗浄は大気圧環境で実施される。ウェーハ表面は
このような雰囲気において汚染される可能性が高い。さ
らに、ウェット洗浄工程により発生する化学廃棄物は入
念かつ高価な廃棄物管理を必要とする。
【０００３】ある形状の汚染物質を除去するのに有効な
ドライすなわち気相洗浄の開発に著しい進展が見られ
る。特に、気相洗浄は天然酸化物及び有機不純物を除去
するのに有効である。しかしながら、ニッケル、クロ
ム、鉄、亜鉛、等の金属汚染物質及び一般的粒子の除去
についてはあまり進展が見られない。このような形状の
汚染物質を除去するのに通常ウェット洗浄ステップが使
用されている。
ドライすなわち気相洗浄の開発に著しい進展が見られ
る。特に、気相洗浄は天然酸化物及び有機不純物を除去
するのに有効である。しかしながら、ニッケル、クロ
ム、鉄、亜鉛、等の金属汚染物質及び一般的粒子の除去
についてはあまり進展が見られない。このような形状の
汚染物質を除去するのに通常ウェット洗浄ステップが使
用されている。
【０００４】従来のウェット洗浄システムでは溶剤槽内
でメガソニック撹拌が行われ続いてリンス及びスピン乾
燥を行ってウェーハ表面から粒子及び汚染物質が除去さ
れる。粒子及び汚染物質が蒸発できない限り、従来の気
相処理では粒子及び汚染物質を除去することができな
い。有効に除去するには金属汚染物質の除去に使用され
る気相化学により不純物を蒸発させなければならない。
ある種の微量金属汚染物質を除去するのにハロゲンガス
が有効である。Ｏ２／Ｏ３によりある種の有機汚染物質
を除去することができＨＦ／アルコールにより天然酸化
物を除去することができる。しかしながら、ドライ洗浄
の利点をウェット洗浄の効果と組み合わせた洗浄工程は
存在しない。
でメガソニック撹拌が行われ続いてリンス及びスピン乾
燥を行ってウェーハ表面から粒子及び汚染物質が除去さ
れる。粒子及び汚染物質が蒸発できない限り、従来の気
相処理では粒子及び汚染物質を除去することができな
い。有効に除去するには金属汚染物質の除去に使用され
る気相化学により不純物を蒸発させなければならない。
ある種の微量金属汚染物質を除去するのにハロゲンガス
が有効である。Ｏ２／Ｏ３によりある種の有機汚染物質
を除去することができＨＦ／アルコールにより天然酸化
物を除去することができる。しかしながら、ドライ洗浄
の利点をウェット洗浄の効果と組み合わせた洗浄工程は
存在しない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】したがって、従来シス
テムの欠点を実質的に解消もしくは低減する半導体処理
システム及び動作方法に対するニーズが生じている。本
発明の一実施例により、半導体基板の表面洗浄方法が提
供されそれは半導体基板の表面へ液相の洗浄剤を導入す
るステップを含んでいる。次にウェーハは被洗浄面を液
相洗浄剤と接触させながら撹拌される。洗浄剤は気相へ
変えられその温度もしくは圧力を調整することによりフ
ラッシュ蒸発される。この工程を繰り返して汚染物質及
び粒子を完全に除去することができる。
テムの欠点を実質的に解消もしくは低減する半導体処理
システム及び動作方法に対するニーズが生じている。本
発明の一実施例により、半導体基板の表面洗浄方法が提
供されそれは半導体基板の表面へ液相の洗浄剤を導入す
るステップを含んでいる。次にウェーハは被洗浄面を液
相洗浄剤と接触させながら撹拌される。洗浄剤は気相へ
変えられその温度もしくは圧力を調整することによりフ
ラッシュ蒸発される。この工程を繰り返して汚染物質及
び粒子を完全に除去することができる。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の別の実施例によ
り、半導体処理システムが提供されそれは洗浄剤槽内に
半導体基板を保持するウェーハチャックを具備してい
る。メガソニックバイブレータが設けられていて槽及び
ウェーハ半導体基板をメガソニックに撹拌する。ウェー
ハチャック槽及び半導体基板は脱気洗浄室内に配置され
る。洗浄剤を槽内へ導入するソースガスシステムが設け
られている。洗浄剤をフラッシュ蒸発させた後で洗浄室
から迅速に除去するために脱気システムが設けられてい
る。脱気ポンプが洗浄室に連結されていて洗浄室内の圧
力を急速に変化させて洗浄剤を液相から気相へ変える。
洗浄槽室及び半導体基板の温度を制御して洗浄剤のフラ
ッシュ蒸発を制御するシステムも設けられている。
り、半導体処理システムが提供されそれは洗浄剤槽内に
半導体基板を保持するウェーハチャックを具備してい
る。メガソニックバイブレータが設けられていて槽及び
ウェーハ半導体基板をメガソニックに撹拌する。ウェー
ハチャック槽及び半導体基板は脱気洗浄室内に配置され
る。洗浄剤を槽内へ導入するソースガスシステムが設け
られている。洗浄剤をフラッシュ蒸発させた後で洗浄室
から迅速に除去するために脱気システムが設けられてい
る。脱気ポンプが洗浄室に連結されていて洗浄室内の圧
力を急速に変化させて洗浄剤を液相から気相へ変える。
洗浄槽室及び半導体基板の温度を制御して洗浄剤のフラ
ッシュ蒸発を制御するシステムも設けられている。
【０００７】
【実施例】図１を参照して、半導体洗浄システムを一般
的に番号１０に示す。洗浄システム１０は洗浄室１２及
びロードロックウェーハハンドラー室１４を具備してい
る。洗浄室１２は本発明の教示を使用して図１に示す半
導体基板１６の表面から表面汚染物質を除去するように
機能する。ロードロックウェーハハンドラー１４は洗浄
室１２から基板１６を回収して大気汚染物質に曝すこと
なく他の半導体工程へ送るように機能する。洗浄室内の
圧力は一部脱気ポンプ１８により制御される。同様に、
ロードロックウェーハハンドラー室１４内の圧力は脱気
ポンプ２０により制御される。
的に番号１０に示す。洗浄システム１０は洗浄室１２及
びロードロックウェーハハンドラー室１４を具備してい
る。洗浄室１２は本発明の教示を使用して図１に示す半
導体基板１６の表面から表面汚染物質を除去するように
機能する。ロードロックウェーハハンドラー１４は洗浄
室１２から基板１６を回収して大気汚染物質に曝すこと
なく他の半導体工程へ送るように機能する。洗浄室内の
圧力は一部脱気ポンプ１８により制御される。同様に、
ロードロックウェーハハンドラー室１４内の圧力は脱気
ポンプ２０により制御される。
【０００８】半導体基板１６はウェーハチャック１８内
に保持される。ウェーハチャック１８は圧電超音波励振
器２２，２４を介してウェーハチャックマニピュレータ
２０に接続されている。励振器２２，２４はメガソニッ
ク励振器２６に電気的に接続されておりそれは励振器２
２，２４へ電気信号を送って励振器２２，２４がメガソ
ニック励振器２６により活性化される時にウェーハチャ
ック１８及び半導体基板１６をメガソニックに振動させ
る。ウェーハチャックマニピュレータ２０は洗浄室１２
に可動接続されていて半導体基板１６が洗浄槽室２８に
対して垂直方向にに出入り出来るようにさせる。一実施
例では、ウェーハチャックマニピュレータ２０は洗浄工
程中にウェーハチャック１８及び基板１６を急速にスピ
ンさせることもできる。一実施例では、ウェーハチャッ
ク１８に埋設されたヒーターを使用してウェーハチャッ
ク１８及び基板１６の温度制御を行うこともできる。
に保持される。ウェーハチャック１８は圧電超音波励振
器２２，２４を介してウェーハチャックマニピュレータ
２０に接続されている。励振器２２，２４はメガソニッ
ク励振器２６に電気的に接続されておりそれは励振器２
２，２４へ電気信号を送って励振器２２，２４がメガソ
ニック励振器２６により活性化される時にウェーハチャ
ック１８及び半導体基板１６をメガソニックに振動させ
る。ウェーハチャックマニピュレータ２０は洗浄室１２
に可動接続されていて半導体基板１６が洗浄槽室２８に
対して垂直方向にに出入り出来るようにさせる。一実施
例では、ウェーハチャックマニピュレータ２０は洗浄工
程中にウェーハチャック１８及び基板１６を急速にスピ
ンさせることもできる。一実施例では、ウェーハチャッ
ク１８に埋設されたヒーターを使用してウェーハチャッ
ク１８及び基板１６の温度制御を行うこともできる。
【０００９】洗浄槽２８は制御弁３２を介してガス源３
０に接続されている。ガス源３０は液化ガスを選択的に
洗浄槽２８へ導入する。図１のシステム１０は洗浄槽２
８内に番号３４で示す少量の液化ガスを有して示されて
いる。洗浄剤３４の位相は一部洗浄室１２内の圧力によ
り制御されそれはポンプ１８及びガス源３０の吐出圧に
より制御される。洗浄剤３４の位相は洗浄槽２８及び洗
浄剤３４の温度を制御することによっても制御される。
図示するように発熱体３６が洗浄槽２８のベースに配置
されている。発熱体３６はヒーター制御ユニット３８に
電気的に接続されている。洗浄槽２８の温度はさらに冷
媒流路４０へ冷媒を循環させて制御される。冷媒流路４
０は冷媒ライン４２，４４により冷媒制御ユニット４６
に接続されている。冷媒制御器４６により液体窒素等の
冷媒は洗浄槽２８のベースを循環して洗浄剤３４の温度
を急速に低減する。
０に接続されている。ガス源３０は液化ガスを選択的に
洗浄槽２８へ導入する。図１のシステム１０は洗浄槽２
８内に番号３４で示す少量の液化ガスを有して示されて
いる。洗浄剤３４の位相は一部洗浄室１２内の圧力によ
り制御されそれはポンプ１８及びガス源３０の吐出圧に
より制御される。洗浄剤３４の位相は洗浄槽２８及び洗
浄剤３４の温度を制御することによっても制御される。
図示するように発熱体３６が洗浄槽２８のベースに配置
されている。発熱体３６はヒーター制御ユニット３８に
電気的に接続されている。洗浄槽２８の温度はさらに冷
媒流路４０へ冷媒を循環させて制御される。冷媒流路４
０は冷媒ライン４２，４４により冷媒制御ユニット４６
に接続されている。冷媒制御器４６により液体窒素等の
冷媒は洗浄槽２８のベースを循環して洗浄剤３４の温度
を急速に低減する。
【００１０】洗浄槽２８は付加圧電超音波励振器４８，
５０を介して洗浄室１２に接続されている。励振器４
８，５０はメガソニック励振器２６に電気的に接続され
ており励振器２２と同様に機能して洗浄槽２８をメガソ
ニックに撹拌し同時に槽２８内の洗浄剤３４をメガソニ
ックに励振する。
５０を介して洗浄室１２に接続されている。励振器４
８，５０はメガソニック励振器２６に電気的に接続され
ており励振器２２と同様に機能して洗浄槽２８をメガソ
ニックに撹拌し同時に槽２８内の洗浄剤３４をメガソニ
ックに励振する。
【００１１】後記するように、本発明のシステム１０は
洗浄剤３４が液相である間に基板１６の表面を洗浄する
ように機能する。表面洗浄中に、基板１６上の汚染物質
は洗浄剤３４中に溶解もしくは懸濁される。次に洗浄剤
３４はフラッシュ蒸発により気相へ変えられ洗浄剤中に
溶解もしくは懸濁された汚染物質が除去される。このフ
ラッシュ蒸発は洗浄槽２８の内部と直接連絡されている
排気ポンプ５２を使用して洗浄剤３４が除去される時に
ポンプ１８を使用して急速に降圧することにより行われ
る。この洗浄サイクルを繰り返して汚染物質の完全除去
を保証することができる。マルチサイクルの場合には、
サイクル間で洗浄室１２を完全に脱気しなくてもよい。
次に残留ガスにより基板１６のトポグラフィーの微細な
造作が充填される。新たな１回分の液化ガスが導入され
る次サイクル中にこれらの残留ガスはこれらの微細な造
作の内側で凝縮する。これにより洗浄剤３４は基板１６
の全面と密着することが保証される。従来のウェット洗
浄法では表面張力により洗浄剤３４は基板１６上の微細
な造作へ入り込むのを防止される。これにより基板１６
上の微細な造作の内側から有効に汚染物質を除去するこ
とが防止される。
洗浄剤３４が液相である間に基板１６の表面を洗浄する
ように機能する。表面洗浄中に、基板１６上の汚染物質
は洗浄剤３４中に溶解もしくは懸濁される。次に洗浄剤
３４はフラッシュ蒸発により気相へ変えられ洗浄剤中に
溶解もしくは懸濁された汚染物質が除去される。このフ
ラッシュ蒸発は洗浄槽２８の内部と直接連絡されている
排気ポンプ５２を使用して洗浄剤３４が除去される時に
ポンプ１８を使用して急速に降圧することにより行われ
る。この洗浄サイクルを繰り返して汚染物質の完全除去
を保証することができる。マルチサイクルの場合には、
サイクル間で洗浄室１２を完全に脱気しなくてもよい。
次に残留ガスにより基板１６のトポグラフィーの微細な
造作が充填される。新たな１回分の液化ガスが導入され
る次サイクル中にこれらの残留ガスはこれらの微細な造
作の内側で凝縮する。これにより洗浄剤３４は基板１６
の全面と密着することが保証される。従来のウェット洗
浄法では表面張力により洗浄剤３４は基板１６上の微細
な造作へ入り込むのを防止される。これにより基板１６
上の微細な造作の内側から有効に汚染物質を除去するこ
とが防止される。
【００１２】動作に関して、ガス源３０から弁３２を介
して洗浄槽２８へ洗浄剤が導入される。通常、洗浄剤は
液相で導入され洗浄室１２内の圧力は洗浄剤３４を液相
に維持するのに適切な圧力に維持される。あるいは、ガ
スを気相で導入し洗浄室１２内の圧力、及び洗浄室槽２
８、ウェーハチャック１８及び基板１６の温度を調整し
てガスを液相へ凝縮させて洗浄剤３４を形成することが
できる。この実施例では、最初の洗浄サイクルについて
も洗浄剤３４と基板１６間の密着が保証される。半導体
基板１６は液体洗浄剤３４中へ降下される。
して洗浄槽２８へ洗浄剤が導入される。通常、洗浄剤は
液相で導入され洗浄室１２内の圧力は洗浄剤３４を液相
に維持するのに適切な圧力に維持される。あるいは、ガ
スを気相で導入し洗浄室１２内の圧力、及び洗浄室槽２
８、ウェーハチャック１８及び基板１６の温度を調整し
てガスを液相へ凝縮させて洗浄剤３４を形成することが
できる。この実施例では、最初の洗浄サイクルについて
も洗浄剤３４と基板１６間の密着が保証される。半導体
基板１６は液体洗浄剤３４中へ降下される。
【００１３】一実施例において、次にさまざまな方法に
より半導体基板１６と洗浄剤３４間の界面が撹拌され
る。前記したように、一実施例では圧電超音波励振器２
２，２４，４８，５０を使用してウェーハチャック１８
及び洗浄槽２８がメガソニックに撹拌される。さらに、
ウェーハチャックハンドラー２０を急速に回転させて液
体洗浄剤３４内で半導体基板１６をスピンさせることが
できる。洗浄剤及び半導体基板１６の急速な撹拌によ
り、温度及び圧力が特定洗浄剤の液相及び気相間の相転
移条件に近ければガスが形成される。洗浄剤３４の温度
及び洗浄室１２内の圧力を調整することにより洗浄剤３
４は相転移に近く維持することができる。撹拌により少
量のガスが形成されそれは半導体基板１６の表面に関連
する小さなトポグラフィーへ入る。撹拌中止後、ガスは
液相へ戻る。
より半導体基板１６と洗浄剤３４間の界面が撹拌され
る。前記したように、一実施例では圧電超音波励振器２
２，２４，４８，５０を使用してウェーハチャック１８
及び洗浄槽２８がメガソニックに撹拌される。さらに、
ウェーハチャックハンドラー２０を急速に回転させて液
体洗浄剤３４内で半導体基板１６をスピンさせることが
できる。洗浄剤及び半導体基板１６の急速な撹拌によ
り、温度及び圧力が特定洗浄剤の液相及び気相間の相転
移条件に近ければガスが形成される。洗浄剤３４の温度
及び洗浄室１２内の圧力を調整することにより洗浄剤３
４は相転移に近く維持することができる。撹拌により少
量のガスが形成されそれは半導体基板１６の表面に関連
する小さなトポグラフィーへ入る。撹拌中止後、ガスは
液相へ戻る。
【００１４】このようにして、気相洗浄剤を使用するド
ライ洗浄技術の利点がウェット洗浄技術の利点と結合さ
れる。気相洗浄剤は半導体基板表面の複雑なトポグラフ
ィーの内部に入り込み次に液相へ戻って粒子や汚染物質
を除去することができる。この実施例では、次に排気ポ
ンプ５２及びポンプ１８を使用して急速に降圧して洗浄
剤３４をフラッシュ蒸発させ粒子及び汚染物質を基板１
６の表面から強制的に放逐する。フラッシュ蒸発により
粒子は基板１６の表面上に再堆積されないように表面か
ら放逐される。
ライ洗浄技術の利点がウェット洗浄技術の利点と結合さ
れる。気相洗浄剤は半導体基板表面の複雑なトポグラフ
ィーの内部に入り込み次に液相へ戻って粒子や汚染物質
を除去することができる。この実施例では、次に排気ポ
ンプ５２及びポンプ１８を使用して急速に降圧して洗浄
剤３４をフラッシュ蒸発させ粒子及び汚染物質を基板１
６の表面から強制的に放逐する。フラッシュ蒸発により
粒子は基板１６の表面上に再堆積されないように表面か
ら放逐される。
【００１５】また、ヒーター制御器３８、発熱体３６、
冷媒制御器４６、冷媒流路４０及びウェーハチャック１
８内の発熱体を使用して基板１６の温度を急速に変え同
様な洗浄剤の逐次凝縮及びフラッシュ蒸発を行うことが
できる。さらに、温度及び圧力サイクリングを組み合わ
せて使用すれば基板１６の表面からより高速かつ完全な
洗浄剤３４のフラッシュ蒸発を行うことができる。
冷媒制御器４６、冷媒流路４０及びウェーハチャック１
８内の発熱体を使用して基板１６の温度を急速に変え同
様な洗浄剤の逐次凝縮及びフラッシュ蒸発を行うことが
できる。さらに、温度及び圧力サイクリングを組み合わ
せて使用すれば基板１６の表面からより高速かつ完全な
洗浄剤３４のフラッシュ蒸発を行うことができる。
【００１６】別の実施例では、洗浄剤３４は液相で導入
される。次にポンプ１８及び発熱体３６を使用して洗浄
室１２内のの圧力が降下されかつ温度が上昇されて洗浄
剤は一時的に気相へ変わる。この工程により洗浄剤は半
導体基板１６の表面の複雑なトポグラフィーの内部に入
り込むことができる。短時間後に、洗浄室１２内の圧力
が再び高められ冷媒制御器４６及び冷媒流路４０を使用
して洗浄剤は液相へ戻される。液相では、洗浄剤３４は
前記したように撹拌することができる。前記した方法で
洗浄剤３４をフラッシュ蒸発することにより洗浄サイク
ルが完了する。
される。次にポンプ１８及び発熱体３６を使用して洗浄
室１２内のの圧力が降下されかつ温度が上昇されて洗浄
剤は一時的に気相へ変わる。この工程により洗浄剤は半
導体基板１６の表面の複雑なトポグラフィーの内部に入
り込むことができる。短時間後に、洗浄室１２内の圧力
が再び高められ冷媒制御器４６及び冷媒流路４０を使用
して洗浄剤は液相へ戻される。液相では、洗浄剤３４は
前記したように撹拌することができる。前記した方法で
洗浄剤３４をフラッシュ蒸発することにより洗浄サイク
ルが完了する。
【００１７】図１に示す洗浄剤３４の量は基板１６の寸
法に対して自由縮尺であることを理解されたい。本発明
の洗浄操作を実施するのに実際上非常に少量の洗浄剤し
か必要ではない。半導体基板の表面から粒子汚染物質を
除去するのに薄い液体膜しか必要ではない。最小量の洗
浄剤を使用するだけで洗浄剤３４の急速な蒸発が非常に
向上される。
法に対して自由縮尺であることを理解されたい。本発明
の洗浄操作を実施するのに実際上非常に少量の洗浄剤し
か必要ではない。半導体基板の表面から粒子汚染物質を
除去するのに薄い液体膜しか必要ではない。最小量の洗
浄剤を使用するだけで洗浄剤３４の急速な蒸発が非常に
向上される。
【００１８】本発明のシステムはガス源３０から供給さ
れるさまざまな洗浄剤３４を使用することができる。例
えば、粒子物質を除去するのに液化アルゴンもしくは窒
素を使用することができる。メガソニック撹拌もしくは
液体を使用した散布洗浄による粒子の除去は主として液
体の表面張力、液体分子が極性であるか非極性である
か、及び液体のｐＨによって決まる。代表的に粒子除去
効率は表面張力が低く非極性すなわちアルカリ性液体の
ほうが高い。表面張力の低い液体は粒子を濡らしこの濡
れ作用により粒子が表面から引き上げられて粒子と表面
間の付着力が低下する。表面張力は温度上昇と共に低下
し沸点においてゼロとなる。したがって、特に沸点に近
づくでメガソニック撹拌が行われる場合、液化ガスは従
来の液化試薬よりも粒子の除去において有効である。し
たがって、特に沸点に近づく温度でメガソニック撹拌が
行われる場合、液化ガスは粒子の除去において従来の試
薬よりも有効である。さらに、沸騰に伴う２相（液体／
ガス）流状態によりウェーハ表面から取り除く粒子へ付
加エネルギーを与えることができる。熱泳動力も粒子除
去に寄与する。いくつかの非極性（例えば、Ｎ２，
Ｏ２，ＣＯ２）もしくはアルカリ性（例えば、ＮＨ３）
液化ガスが粒子除去に適している。
れるさまざまな洗浄剤３４を使用することができる。例
えば、粒子物質を除去するのに液化アルゴンもしくは窒
素を使用することができる。メガソニック撹拌もしくは
液体を使用した散布洗浄による粒子の除去は主として液
体の表面張力、液体分子が極性であるか非極性である
か、及び液体のｐＨによって決まる。代表的に粒子除去
効率は表面張力が低く非極性すなわちアルカリ性液体の
ほうが高い。表面張力の低い液体は粒子を濡らしこの濡
れ作用により粒子が表面から引き上げられて粒子と表面
間の付着力が低下する。表面張力は温度上昇と共に低下
し沸点においてゼロとなる。したがって、特に沸点に近
づくでメガソニック撹拌が行われる場合、液化ガスは従
来の液化試薬よりも粒子の除去において有効である。し
たがって、特に沸点に近づく温度でメガソニック撹拌が
行われる場合、液化ガスは粒子の除去において従来の試
薬よりも有効である。さらに、沸騰に伴う２相（液体／
ガス）流状態によりウェーハ表面から取り除く粒子へ付
加エネルギーを与えることができる。熱泳動力も粒子除
去に寄与する。いくつかの非極性（例えば、Ｎ２，
Ｏ２，ＣＯ２）もしくはアルカリ性（例えば、ＮＨ３）
液化ガスが粒子除去に適している。
【００１９】有機汚染物質を除去するのに、液化炭酸ガ
スや任意のフレオンファミリーガスを使用することがで
きる。他のさまさまな有機ガスを使用して有機汚染物質
を融解除去することができる。また本発明のシステムに
より液化塩酸、フッ酸もしくは二酸化硫黄を使用して金
属汚染物質を除去することができる。（例えば、ＨＣ
Ｌ，ＨＢｒ，ＨＦ，ＳＯ３等の）いくつかの酸性液化ガ
スのイオン解離が低温において重要になる。ＨＣＬ等の
場合にはイオン濃度が高くなり過ぎることがある。した
がって、他の不活性液化ガスやアンモニア等のアルカリ
性液化ガスにより希釈もしくは緩衝する必要がある。こ
れらの高苛性度化合物は液化アンモニアその他のアルカ
リ性試剤により緩衝して洗浄剤の酸性度を平衡させるこ
とができる。この緩衝により洗浄剤が洗浄室１２の内面
を腐食することが防止されまた洗浄工程中に生じる半導
体基板１６の損傷を慎重に抑制することができる。
スや任意のフレオンファミリーガスを使用することがで
きる。他のさまさまな有機ガスを使用して有機汚染物質
を融解除去することができる。また本発明のシステムに
より液化塩酸、フッ酸もしくは二酸化硫黄を使用して金
属汚染物質を除去することができる。（例えば、ＨＣ
Ｌ，ＨＢｒ，ＨＦ，ＳＯ３等の）いくつかの酸性液化ガ
スのイオン解離が低温において重要になる。ＨＣＬ等の
場合にはイオン濃度が高くなり過ぎることがある。した
がって、他の不活性液化ガスやアンモニア等のアルカリ
性液化ガスにより希釈もしくは緩衝する必要がある。こ
れらの高苛性度化合物は液化アンモニアその他のアルカ
リ性試剤により緩衝して洗浄剤の酸性度を平衡させるこ
とができる。この緩衝により洗浄剤が洗浄室１２の内面
を腐食することが防止されまた洗浄工程中に生じる半導
体基板１６の損傷を慎重に抑制することができる。
【００２０】本発明による洗浄システム１０の重要な技
術的利点は洗浄に液相洗浄動作を利用するが制御された
周囲環境で行われるという事実である。したがって、洗
浄室１２はロードロックウェーハハンドラー１４を介し
てたの雰囲気制御された工程に接続することができる。
例えば、ロードロックウェーハハンドラー１４は半導体
基板１６を洗浄室１２からエッチ工程、急速熱工程、も
しくは紫外光線等を使用するプラズマ洗浄操作等の他の
洗浄工程を含むさまざまな他の工程へ転送するのに使用
することができる。
術的利点は洗浄に液相洗浄動作を利用するが制御された
周囲環境で行われるという事実である。したがって、洗
浄室１２はロードロックウェーハハンドラー１４を介し
てたの雰囲気制御された工程に接続することができる。
例えば、ロードロックウェーハハンドラー１４は半導体
基板１６を洗浄室１２からエッチ工程、急速熱工程、も
しくは紫外光線等を使用するプラズマ洗浄操作等の他の
洗浄工程を含むさまざまな他の工程へ転送するのに使用
することができる。
【００２１】本発明のもう一つの技術的利点はドライ及
びウェット操作の両方の最善の特質を利用しているとい
う事実である。本発明のシステムにより洗浄剤は洗浄操
作中にガス及び液体間の相転移を行う。気相は被洗浄面
の複雑なトポロジーの内部へ入り込むのに使用され次に
洗浄剤は液相へ戻されて汚染物質及び粒子の除去が行わ
れる。本発明のシステムで使用される洗浄剤が液相であ
る場合にはメガソニック及び従来のウェット洗浄で使用
される他の撹拌方法を本発明のシステムと連係して使用
することができる。さらに、洗浄剤をフラッシュ蒸発さ
せて工程を完了し表面に洗浄剤や汚染物質を残さずにウ
ェーハを他の工程へ転送することができる。
びウェット操作の両方の最善の特質を利用しているとい
う事実である。本発明のシステムにより洗浄剤は洗浄操
作中にガス及び液体間の相転移を行う。気相は被洗浄面
の複雑なトポロジーの内部へ入り込むのに使用され次に
洗浄剤は液相へ戻されて汚染物質及び粒子の除去が行わ
れる。本発明のシステムで使用される洗浄剤が液相であ
る場合にはメガソニック及び従来のウェット洗浄で使用
される他の撹拌方法を本発明のシステムと連係して使用
することができる。さらに、洗浄剤をフラッシュ蒸発さ
せて工程を完了し表面に洗浄剤や汚染物質を残さずにウ
ェーハを他の工程へ転送することができる。
【００２２】本発明を詳細に説明してきたが、特許請求
の範囲によってのみ規定される本発明の精神及び範囲を
逸脱することなくここに記載されたシステム及び方法に
さまさまな変更、置換及び修正を行えることを理解され
たい。
の範囲によってのみ規定される本発明の精神及び範囲を
逸脱することなくここに記載されたシステム及び方法に
さまさまな変更、置換及び修正を行えることを理解され
たい。
【００２３】以上の説明に関して更に以下の項を開示す
る。 （１）．半導体基板の表面洗浄方法であって、該方法
は、液相の洗浄剤を洗浄槽へ導入するステップと、半導
体基板の表面を液体洗浄剤に接触させるステップと、洗
浄剤を気相へ変えて洗浄剤が基板表面のトポロジーの内
部へ入り込めるようにするステップと、洗浄剤を液相へ
戻すステップと、洗浄剤をフラッシュ蒸発させて蒸発さ
れた洗浄剤及び基板表面から取り除かれた汚染物質を洗
浄槽から除去するステップと、からなる半導体基板の表
面洗浄方法。
る。 （１）．半導体基板の表面洗浄方法であって、該方法
は、液相の洗浄剤を洗浄槽へ導入するステップと、半導
体基板の表面を液体洗浄剤に接触させるステップと、洗
浄剤を気相へ変えて洗浄剤が基板表面のトポロジーの内
部へ入り込めるようにするステップと、洗浄剤を液相へ
戻すステップと、洗浄剤をフラッシュ蒸発させて蒸発さ
れた洗浄剤及び基板表面から取り除かれた汚染物質を洗
浄槽から除去するステップと、からなる半導体基板の表
面洗浄方法。
【００２４】（２）．第１項記載の方法であって、洗浄
剤の位相を変えるステップは洗浄剤を撹拌してその一部
を局部的に気相へ変え基板表面から粒子を取り除くステ
ップを含む半導体基板の表面洗浄方法。
剤の位相を変えるステップは洗浄剤を撹拌してその一部
を局部的に気相へ変え基板表面から粒子を取り除くステ
ップを含む半導体基板の表面洗浄方法。
【００２５】（３）．第２項記載の方法であって、洗浄
剤を撹拌するステップは洗浄槽をメガソニックに励振し
て半導体基板をメガソニックに励振するステップを含
む、半導体基板の表面洗浄方法。
剤を撹拌するステップは洗浄槽をメガソニックに励振し
て半導体基板をメガソニックに励振するステップを含
む、半導体基板の表面洗浄方法。
【００２６】（４）．第２項記載の方法であって、洗浄
剤を撹拌するステップは半導体基板が洗浄剤と接触して
いる時に半導体基板を急速にスピンさせるステップを含
む、半導体基板の表面洗浄方法。
剤を撹拌するステップは半導体基板が洗浄剤と接触して
いる時に半導体基板を急速にスピンさせるステップを含
む、半導体基板の表面洗浄方法。
【００２７】（５）．第１項記載の方法であって、洗浄
剤の位相を変えるステップは洗浄剤の環境の圧力を変え
て洗浄剤を気相へ変えるステップを含む、半導体基板の
表面洗浄方法。
剤の位相を変えるステップは洗浄剤の環境の圧力を変え
て洗浄剤を気相へ変えるステップを含む、半導体基板の
表面洗浄方法。
【００２８】（６）．第１項記載の方法であって、洗浄
剤の位相を変えるステップは洗浄剤の温度を変えて洗浄
剤を気相へ変えるステップを含む、半導体基板の表面洗
浄方法。
剤の位相を変えるステップは洗浄剤の温度を変えて洗浄
剤を気相へ変えるステップを含む、半導体基板の表面洗
浄方法。
【００２９】（７）．第１項記載の方法であって、洗浄
剤を導入するステップは洗浄槽へ非極性材料を導入して
基板の表面から粒子物質を除去するステップを含む、半
導体基板の表面洗浄方法。
剤を導入するステップは洗浄槽へ非極性材料を導入して
基板の表面から粒子物質を除去するステップを含む、半
導体基板の表面洗浄方法。
【００３０】（８）．第１項記載の方法であって、洗浄
剤を導入するステップは洗浄槽へ極性材料を導入して基
板の表面から粒子物質を除去するステップを含む、半導
体基板の表面洗浄方法。
剤を導入するステップは洗浄槽へ極性材料を導入して基
板の表面から粒子物質を除去するステップを含む、半導
体基板の表面洗浄方法。
【００３１】（９）．第１項記載の方法であって、洗浄
剤を導入するステップはアルカリ性材料により緩衝され
る液体酸性材料を導入するステップを含む、半導体基板
の表面洗浄方法。
剤を導入するステップはアルカリ性材料により緩衝され
る液体酸性材料を導入するステップを含む、半導体基板
の表面洗浄方法。
【００３２】（１０）．第１項記載の方法であって、洗
浄剤を導入するステップはアンモニアにより緩衝される
液体フッ酸を導入するステップを含む、半導体基板の表
面洗浄方法。
浄剤を導入するステップはアンモニアにより緩衝される
液体フッ酸を導入するステップを含む、半導体基板の表
面洗浄方法。
【００３３】（１１）．第１項記載の方法であって、洗
浄剤を導入するステップは液体有機材料を導入するステ
ップを含む、半導体基板の表面洗浄方法。
浄剤を導入するステップは液体有機材料を導入するステ
ップを含む、半導体基板の表面洗浄方法。
【００３４】（１２）．半導体基板の表面洗浄方法であ
って、該方法は、液相の洗浄剤を洗浄槽へ導入するステ
ップと、半導体基板の表面を液体洗浄剤に接触させるス
テップと、洗浄槽をメガソニックに励振することにより
洗浄剤を一時的に気相へ変え洗浄剤が基板表面のトポロ
ジーの内部へ入り込めるように半導体基板をメガソニッ
クに励振するステップと、洗浄剤を液相へ戻すステップ
と、洗浄剤をフラッシュ蒸発させて蒸発された洗浄剤及
び基板表面から取り除かれた汚染物質を洗浄槽から除去
するステップと、からなる半導体基板の表面洗浄方法。
って、該方法は、液相の洗浄剤を洗浄槽へ導入するステ
ップと、半導体基板の表面を液体洗浄剤に接触させるス
テップと、洗浄槽をメガソニックに励振することにより
洗浄剤を一時的に気相へ変え洗浄剤が基板表面のトポロ
ジーの内部へ入り込めるように半導体基板をメガソニッ
クに励振するステップと、洗浄剤を液相へ戻すステップ
と、洗浄剤をフラッシュ蒸発させて蒸発された洗浄剤及
び基板表面から取り除かれた汚染物質を洗浄槽から除去
するステップと、からなる半導体基板の表面洗浄方法。
【００３５】（１３）．第１２項記載の方法であって、
洗浄剤の位相を変えるステップはさらに洗浄剤の圧力を
変えて洗浄剤を気相へ変えるステップを含む、半導体基
板の表面洗浄方法。
洗浄剤の位相を変えるステップはさらに洗浄剤の圧力を
変えて洗浄剤を気相へ変えるステップを含む、半導体基
板の表面洗浄方法。
【００３６】（１４）．第１２項記載の方法であって、
洗浄剤の位相を変えるステップは洗浄剤の温度を変えて
洗浄剤を気相へ変えるステップを含む、半導体基板の表
面洗浄方法。
洗浄剤の位相を変えるステップは洗浄剤の温度を変えて
洗浄剤を気相へ変えるステップを含む、半導体基板の表
面洗浄方法。
【００３７】（１５）．半導体基板の表面洗浄システム
であって、該システムは、洗浄剤を液相に保持するよう
に作動する洗浄槽と、半導体基板を保持するように作動
するウェーハチャックと、ウェーハチャックに結合され
て半導体基板の表面を液体洗浄剤と接触させるように作
動するウェーハチャックマニピュレータと、洗浄剤を気
相へ変えて基板表面のトポロジーの内部へ入り込めるよ
うに作動し、かつ洗浄剤を液相へ戻してフラッシュ蒸発
させるように作動する位相制御システムと、洗浄槽に接
続され蒸発された洗浄剤及び基板の表面から取り除かれ
た汚染物質を洗浄槽から除去するように作動する排気シ
ステムと、を具備する半導体基板の表面洗浄システム。
であって、該システムは、洗浄剤を液相に保持するよう
に作動する洗浄槽と、半導体基板を保持するように作動
するウェーハチャックと、ウェーハチャックに結合され
て半導体基板の表面を液体洗浄剤と接触させるように作
動するウェーハチャックマニピュレータと、洗浄剤を気
相へ変えて基板表面のトポロジーの内部へ入り込めるよ
うに作動し、かつ洗浄剤を液相へ戻してフラッシュ蒸発
させるように作動する位相制御システムと、洗浄槽に接
続され蒸発された洗浄剤及び基板の表面から取り除かれ
た汚染物質を洗浄槽から除去するように作動する排気シ
ステムと、を具備する半導体基板の表面洗浄システム。
【００３８】（１６）．第１５項記載のシステムであっ
て、位相制御システムはウェーハチャック及び洗浄槽に
接続され洗浄剤及び基板を撹拌して洗浄剤の一部を局部
的に気相へ変えるように作動するメガソニック励振器及
び圧電コンタクトを具備する、半導体基板の表面洗浄シ
ステム。
て、位相制御システムはウェーハチャック及び洗浄槽に
接続され洗浄剤及び基板を撹拌して洗浄剤の一部を局部
的に気相へ変えるように作動するメガソニック励振器及
び圧電コンタクトを具備する、半導体基板の表面洗浄シ
ステム。
【００３９】（１７）．第１５項記載のシステムであっ
て、ウェーハチャックマニピュレータはウェーハチャッ
ク及び半導体基板をスピンさせるように作動することが
できる、半導体基板の表面洗浄システム。
て、ウェーハチャックマニピュレータはウェーハチャッ
ク及び半導体基板をスピンさせるように作動することが
できる、半導体基板の表面洗浄システム。
【００４０】（１８）．第１５項記載のシステムであっ
て、位相制御システムは洗浄剤の環境の圧力を変えて洗
浄剤を液相及び気相間で可逆変化させるように作動する
ことができる圧力制御システムを具備する、半導体基板
の表面洗浄システム。
て、位相制御システムは洗浄剤の環境の圧力を変えて洗
浄剤を液相及び気相間で可逆変化させるように作動する
ことができる圧力制御システムを具備する、半導体基板
の表面洗浄システム。
【００４１】（１９）．第１５項記載のシステムであっ
て、位相制御システムは洗浄剤及び基板の温度を変えて
洗浄剤を液相及び気相間で可逆変化させるように作動す
ることができる温度制御システムを具備する、半導体基
板の表面洗浄システム。
て、位相制御システムは洗浄剤及び基板の温度を変えて
洗浄剤を液相及び気相間で可逆変化させるように作動す
ることができる温度制御システムを具備する、半導体基
板の表面洗浄システム。
【００４２】（２０）．半導体処理システム１０が提供
されそれは洗浄室１２及びロードロックウェーハハンド
ラー室１４を具備している。洗浄剤３４が洗浄槽２８内
に入れられる。半導体基板１６が洗浄剤３４と接触して
配置される。洗浄剤３４は最初は液相であり気相へ変え
られて被洗浄面のトポロジーの内部へ入り込めるように
される。次ぎに洗浄剤３４は液相へ戻され最後にフラッ
シュ蒸発されて洗浄工程が完了する。
されそれは洗浄室１２及びロードロックウェーハハンド
ラー室１４を具備している。洗浄剤３４が洗浄槽２８内
に入れられる。半導体基板１６が洗浄剤３４と接触して
配置される。洗浄剤３４は最初は液相であり気相へ変え
られて被洗浄面のトポロジーの内部へ入り込めるように
される。次ぎに洗浄剤３４は液相へ戻され最後にフラッ
シュ蒸発されて洗浄工程が完了する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の教示に従って構成される半導体処理シ
ステムの略断面図。
ステムの略断面図。
【符号の説明】 １０ 半導体洗浄システム １２ 洗浄室 １４ ロードロックウェーハハンドラー室 １６ 半導体基板 １８ 脱気ポンプ ２０ 脱気ポンプ ２２ 励振器 ２４ 励振器 ２６ メガソニック励振器 ２８ 洗浄槽 ３０ ガス源 ３２ 制御弁 ３４ 液化ガス ３６ 発熱体 ３８ ヒーター制御ユニット ４０ 冷媒流路 ４２ 冷媒ライン ４４ 冷媒ライン ４６ 冷媒制御ユニット ４８ 圧電超音波励振器 ５０ 圧電超音波励振器 ５２ 排気ポンプ
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板の表面洗浄方法であって、該
方法は、液相の洗浄剤を洗浄槽へ導入するステップと、
半導体基板の表面を液体洗浄剤に接触させるステップ
と、洗浄剤を気相へ変えて洗浄剤が基板表面のトポロジ
ーの内部へ入り込めるようにするステップと、洗浄剤を
液相へ戻すステップと、洗浄剤をフラッシュ蒸発させて
蒸発された洗浄剤及び基板表面から取り除かれた汚染物
質を洗浄槽から除去するステップと、からなる半導体基
板の表面洗浄方法。 - 【請求項２】 半導体基板の表面洗浄システムであっ
て、該システムは、洗浄剤を液相に保持するように作動
する洗浄槽と、半導体基板を保持するように作動するウ
ェーハチャックと、ウェーハチャックに結合されて半導
体基板の表面を液体洗浄剤と接触させるように作動する
ウェーハチャックマニピュレータと、洗浄剤を気相へ変
えて基板表面のトポロジーの内部へ入り込めるように作
動し、かつ洗浄剤を液相へ戻してフラッシュ蒸発させる
ように作動する位相制御システムと、洗浄槽に接続され
蒸発された洗浄剤及び基板の表面から取り除かれた汚染
物質を洗浄槽から除去するように作動する排気システム
と、を具備する半導体基板の表面洗浄システム。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US22516494A | 1994-04-08 | 1994-04-08 | |
| US225164 | 1994-04-08 |
Publications (1)
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|---|---|
| JPH07302776A true JPH07302776A (ja) | 1995-11-14 |
Family
ID=22843800
Family Applications (1)
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| EP (1) | EP0681317B1 (ja) |
| JP (1) | JPH07302776A (ja) |
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