CN113644009B - 清洗液生成方法、装置及清洗系统的控制方法、装置 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例提供了一种清洗液生成方法、装置及清洗系统的控制方法、装置。其中，所述清洗液生成方法包括：确定待生成清洗液的量值；其中，该量值的待生成清洗液可供清洗室使用的时长，大于生成该量值的待生成清洗液的时长；根据所述待生成清洗液的量值，确定各化学原液的量值；根据各化学原液的量值，将各化学原液在清洗液存储槽中进行混合，以生成所述待生成清洗液。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种清洗液生成方法、装置及清洗系统的控制方法、装置。
背景技术
在半导体的制造过程中，需要在晶圆上进行各种工艺处理，如蚀刻、氧化、沉积、去光阻以及化学机械研磨等。这些工艺处理，在实现晶圆功能的同时，都会或多或少的在晶圆表面产生污染物，如有机附着物、金属附着物以及氧化膜等。因此，在晶圆的制造过程中，需要利用清洗液来清除污染物。
然而，利用相关技术中的清洗液的生成方法得到的清洗液进行晶圆清洗时，存在清洗效率低的问题。
发明内容
为解决相关技术问题，本发明实施例提出一种清洗液生成方法、装置及清洗系统的控制方法、装置。
本发明实施例提供了一种清洗液生成方法，包括：
确定待生成清洗液的量值；其中，该量值的待生成清洗液可供清洗室使用的时长，大于生成该量值的待生成清洗液的时长；
根据所述待生成清洗液的量值，确定各化学原液的量值；
根据各化学原液的量值，将各化学原液在清洗液存储槽中进行混合，以生成所述待生成清洗液。
上述方案中，所述确定待生成清洗液的量值，包括：
根据待清洗晶圆的产率，结合第一映射表，确定所述待生成清洗液的量值；所述第一映射表包括各所述待清洗晶圆的产率与待生成清洗液的量值的对应关系。
上述方案中，所述方法还包括：
建立所述第一映射表；
所述建立所述第一映射表，包括：
根据待清洗晶圆的产率，确定清洗液的消耗速率；
针对各所述待清洗晶圆的产率，建立对应的第一集合，所述第一集合由不同的待生成清洗液的量值构成；
针对所述第一集合中的每个量值，结合第一曲线，得到生成相应量值的待生成清洗液的第一时长；并根据所述清洗液的消耗速率，得到相应量值的待生成清洗液向清洗室供应清洗液的第二时长；所述第一曲线为所述待生成清洗液的量值与生成所述量值的待生成清洗液的时长对应的关系曲线；
选择所述第一集合中，所述第一时长小于所述第二时长对应的量值，得到与各所述待清洗晶圆的产率分别对应的第二集合；
根据各待清洗晶圆的产率及相对应的所述第二集合，建立所述第一映射表。
上述方案中，所述根据各待清洗晶圆的产率及相对应的所述第二集合，建立所述第一映射表，包括：
所述利用所述不同的待清洗晶圆的产率及所述相对应的第二集合中的最大值，建立所述第一映射表。
上述方案中，所述化学原液包括第一酸性溶液、去离子水、第二酸性溶液、氧化性溶液；所述清洗液用于清洗执行刻蚀工艺后的晶圆。
本发明实施例还提供了一种清洗系统的控制方法，包括：
控制一清洗液存储槽为清洗室供应清洗液；
接收当前为所述清洗室供应清洗液的所述清洗液存储槽中清洗液的余量不足的信息，切换另一清洗液存储槽为所述清洗室供应清洗液，并利用本发明实施例提供的清洗液生成方法在切换下来的所述清洗液存储槽中重新生成清洗液；
其中，在切换下来的所述清洗液存储槽中重新生成清洗液的时长，小于切换后为所述清洗室提供清洗液的所述清洗液存储槽，能够为所述清洗室供应清洗液的时长。
上述方案中，所述方法还包括：
在切换所述清洗液存储槽过程中，持续向所述清洗室中输送待清洗晶圆。
上述方案中，所述在切换下来的所述清洗液存储槽中重新生成清洗液时，不将切换下来的所述第一清洗液存储槽中剩余的清洗液排空。
本发明实施例还提供了一种清洗液生成装置，包括：
第一确定单元，用于确定待生成清洗液的量值；其中，该量值的待生成清洗液可供清洗室使用的时长，大于生成该量值的待生成清洗液的时长；
第二确定单元，用于根据所述待生成清洗液的量值，确定各化学原液的量值；
混合处理单元，用于根据各化学原液的量值，将各化学原液在清洗液存储槽中进行混合，以生成所述待生成清洗液。
本发明实施例还提供了一种清洗系统的控制装置，包括：
控制单元，用于控制一清洗液存储槽为清洗室供应清洗液；
控制单元，还用于接收当前为所述清洗室供应清洗液的所述清洗液存储槽中清洗液的余量不足的信息，切换另一清洗液存储槽为所述清洗室供应清洗液，并利用本发明实施例提供的清洗液生成方法在切换下来的所述清洗液存储槽中重新生成清洗液；
其中，在切换下来的所述清洗液存储槽中重新生成清洗液的时长，小于切换后为所述清洗室提供清洗液的所述清洗液存储槽，能够为所述清洗室供应清洗液的时长。
本发明实施例提供的清洗液生成方法包括：确定待生成清洗液的量值；其中，该量值的待生成清洗液可供清洗室使用的时长，大于生成该量值的待生成清洗液的时长；根据所述待生成清洗液的量值，确定各化学原液的量值；根据各化学原液的量值，将各化学原液在清洗液存储槽中进行混合，以生成所述待生成洗液。本发明实施例提供的清洗系统的控制方法包括：控制一清洗液存储槽为清洗室供应清洗液；接收当前为所述清洗室供应清洗液的所述清洗液存储槽中清洗液的余量不足的信息，切换另一清洗液存储槽为所述清洗室供应清洗液，并利用本发明实施例提供的清洗液生成方法在切换下来的所述清洗液存储槽中重新生成清洗液；其中，在切换下来的所述清洗液存储槽中重新生成清洗液的时长，小于切换后为所述清洗室提供清洗液的所述清洗液存储槽，能够为所述清洗室供应清洗液的时长。
本发明实施例中在确定待生成清洗液的量值时，充分考虑该量值的清洗液的消耗速率与该量值的清洗液的生成速率之间的平衡，使得根据该量值生成的清洗液能够及时的供应给待清洗的晶圆，避免了由于消耗速度与生成速率不匹配而造成的时间浪费，从而提高了清洗的效率。同时，当一个清洗液存储槽中清洗液的生成时长小于供应时长时，可以实现多个清洗液存储槽供应清洗液的无缝切换，从而解决清洗系统在清洗晶圆的过程中出现的怠机问题，从而提高晶圆的清洗效率。
附图说明
图1为相关技术中清洗液生成装置实现清洗液生成过程的示意图；
图2为相关技术中实现清洗液生成的步骤示意图；
图3为相关技术中清洗系统的控制逻辑示意图；
图4为本发明实施例提供的清洗液的生成方法的实现流程示意图；
图5为本发明实施例提供的一种清洗液生成的步骤示意图；
图6为本发明实施例提供的晶圆清洗检测结果示意图；
图7为本发明实施例清洗液生成装置的组成结构示意图；
图8为本发明实施例提供的清洗系统的控制方法的实现流程示意图；
图9为本发明实施例提供的清洗系统的控制逻辑示意图；
图10为本发明实施例清洗系统的控制装置的组成结构示意图；
图11为本发明实施例提供的清洗液中各化学原液的体积比例对比示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对发明的具体技术方案做进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
清洗系统应用十分广泛，其作用主要是清洗晶圆工艺处理过程中产生的缺陷源；其清洗晶圆的过程中常用的清洗液包括氢氟酸(HF)、SPM(硫酸(H2SO4)、过氧化氢(H2O2)以及H2O的混合液)、SC1(氨水(NH4·H2O)、H2O2以及H2O的混合液)以及DSP+(H2SO4、H2O2、HF以及H2O的混合液)等。不同的化学原液对不同缺陷源的清洗能力不一样，且作用的处理层也不一样。
这里，化学原液可以理解为用于混合形成清洗液的化学溶液；清洗液可以理解为将各化学原液按照不同体积比例混合之后形成的清洗剂溶液。
用于清洗执行刻蚀工艺后的晶圆表面污染物的清洗液一般包含：第一酸液、氧化剂、第二酸液及去离子水；其中，清洗液成分的质量百分比组成浓度为：第一酸液12-18％、氧化剂1.38-1.7％、第二酸液540-640ppm及剩余的余量为去离子水的量值。并且，所述第一酸液为硫酸(H2SO4)、硝酸(HNO3)、乙酸(CH3COOH)或磷酸(H3PO4)中至少一种，用于移除残留于晶圆表面的金属附着物；所述氧化剂为过氧化氢(H2O2)或HNO3，用于氧化分解残留于晶圆表面的有机附着物；所述第二酸液为氢氟酸(HF)，用于移除残留于晶圆表面的氧化层以及残留于晶圆边缘的氧化阻障金属如氮化钛、氮化钽等。从上面的描述可以看出，为了达到比较全面的清洗效果，清洗液中的各种化学原液的种类和浓度均需满足一定的条件。
图1示出了清洗液生成装置实现清洗液生成过程的示意图，如图1所示，通过将多种化学原液注入清洗液存储槽中进行混合，利用清洗液生成方法生成某一清洗液。在一些具体实施例中，将H2SO4溶液、H2O2溶液、HF溶液以及H2O注入清洗液存储槽，并将H2SO4溶液、H2O2溶液、HF溶液以及H2O进行混合，由于H2SO4溶于水放热，导致混合后的化学原液温度较高，而化学原液温度较高时，一些溶液，如H2O2在清洗液中的浓度不稳定，此时，直接将混合后的化学原液作为清洗液使用会导致清洗效果不佳。
基于此，在混合化学原液后，需要将混合后的化学原液静置一段时间，等待混合后化学原液降至常温，即保证混合后的化学原液达到预计体积比例浓度的前提下，才将常温的混合后的化学原液作为清洗液用于晶圆的清洗。实际应用中，用于混合的各化学原液的量值越大，在进行混合后降温所耗费的时长越长，但用于混合的各化学原液的量值与降温所耗费的时长并不是线性关系。
相关技术中，利用清洗液生产方法形成相应清洗液的过程如图2所示。相关技术中，待生成的清洗液的量值为51L，该量值清洗液的生成过程可以为：步骤1，排空清洗液存储槽中的残留清洗液；步骤2：在清洗液存储槽中注入38L的去离子水，流速设定为15.4L/min，注入时长为2.67min；同时，注入2.3L的H2O2溶液，流速设定为0.94L/min，注入时长2.45min；同时注入6L的HF溶液，流速设定为3.44L/min，注入时长1.74min；冷却至常温；步骤3，注入4.8L的H2SO4溶液，流速设定为1.02L/min，注入时长4.78min；冷却至常温；步骤4，将混合后的清洗液静置1.55min；步骤5，检测混合后的化学原液并延迟等待3min；这样，各化学原液的混合完成，生成用于晶圆清洗的清洗液。由上述混合过程可知，清洗液的生成过程耗时为12.5min。
相关技术中，基于上述清洗液的生成方法，清洗系统的控制方法的实现流程如图3所示。从图3可以看出，在晶圆清洗过程中，一般采用两个清洗液存储槽(这里为第一清洗液存储槽和第二清洗液存储槽)交替为多个清洗室供应清洗液。然而，由于每个清洗液存储槽为清洗室供应的清洗液的使用时间大概为5min，而每次清洗液的生成时间为12.5min，即清洗液的消耗的速率远大于清洗液的生成速率。换句话说，相关技术中，在确定每次需要生成清洗液的量值时，并没有考虑该量值清洗液消耗的速率与该量值清洗液生成的速率之间的平衡。此时，在利用清洗系统进行清洗的过程中，无法在向清洗室供应清洗液时实现多个清洗液存储槽之间无缝切换，使得在晶圆清洗过程中清洗系统出现怠机的现象(在多个清洗液存储槽切换时，新的清洗液还未形成好，无法正常向清洗室供应清洗液，需要暂停向清洗室提供晶圆)，从而严重影响晶圆的清洗效率。
基于此，在本发明各种实施例中，在确定待生成清洗液的量值时，充分考虑该量值的清洗液的消耗速率与该量值的清洗液的生成速率之间的平衡，使得根据该量值生成的清洗液能够及时的供应给待清洗的晶圆，避免了由于消耗速度与生成速率不匹配而造成的时间浪费，从而提高了清洗的效率。
本发明实施例提供了一种清洗液生成方法。图4为本发明实施例清洗液生成方法的实现流程示意图，本发明实施例的清洗液生成方法包括以下步骤：
步骤401：确定待生成清洗液的量值；其中，该量值的待生成清洗液可供清洗室使用的时长，大于生成该量值的待生成清洗液的时长；
步骤402：根据所述待生成清洗液的量值，确定各化学原液的量值；
步骤403：根据各化学原液的量值，将各化学原液在清洗液存储槽中进行混合，以生成所述待生成清洗液。
其中，在上述步骤401中，主要是确定出一个符合要求的待生成的清洗液的量值，该要求具体为利用该量值的待生成清洗液可供清洗室使用的时长，大于生成该量值的待生成清洗液的时长。
实际应用中，在确定该量值时需要考虑多种因素，如待清洗晶圆的产率、每次清洗晶圆时所需的清洗液的量值、不同量值清洗液的生成时散热所消耗的时长，清洗液的有效使用时效等等。考虑到确定出一个符合要求的待生成的清洗液的量值时需要参考诸多的因素，而为了避免每次大量实验的繁琐，实际应用中先将考虑了各种因素的结果生成相应的映射表，然后再通过映射表来获得待生成清洗液的量值。
这里，所述待生成的清洗液可供清洗室使用的时长是指，从清洗液存储槽向清洗室供应清洗液开始，到清洗系统中的控制装置感测到清洗液存储槽中剩余清洗液的容量值到达最低警示线(英文可以表达为Low Level)，而发出第一信息所耗费的时长。
基于此，在一些实施例中，所述确定待生成清洗液的量值，包括：
根据待清洗晶圆的产率，结合第一映射表，确定所述待生成清洗液的量值；所述第一映射表包括各所述待清洗晶圆的产率与待生成清洗液的量值的对应关系。
其中，在一些实施例中，所述方法还包括：
建立所述第一映射表；
所述建立所述第一映射表，包括：
根据待清洗晶圆的产率，确定清洗液的消耗速率；
针对各所述待清洗晶圆的产率，建立对应的第一集合，所述第一集合由不同的待生成清洗液的量值构成；
针对所述第一集合中的每个量值，结合第一曲线，得到生成相应量值的待生成清洗液的第一时长；并根据所述清洗液的消耗速率，得到相应量值的待生成清洗液向清洗室供应清洗液的第二时长；所述第一曲线为所述待生成清洗液的量值与生成所述量值的待生成清洗液的时长对应的关系曲线；
选择所述第一集合中，所述第一时长小于所述第二时长对应的量值，得到与各所述待清洗晶圆的产率分别对应的第二集合；
根据各待清洗晶圆的产率及相对应的所述第二集合，建立所述第一映射表。
这里，实际应用中，当晶圆的尺寸及相应的工艺处理确定后，在执行相应工艺处理后对该晶圆进行清洗时所消耗的清洗液的量值为一固定值，基于此，在已知待清洗晶圆的产率的情况下，可以得到清洗液的消耗速率。即清洗液的消耗速率为待清洗晶圆的产率与每片晶圆进行清洗时所消耗的清洗液的量值的乘积。
这里，所述第一曲线为所述待生成清洗液的量值与生成所述量值的待生成清洗液的时长对应的关系曲线。前已述及，用于混合的各化学原液的量值与降温所耗费的时长并不是线性关系。
基于此，实际应用中，生成所述第一曲线的方式包括，在待生成清洗液的量值一定的情况下，可以确定该量值清洗液在生成时所需要的各化学原液及该化学原液的量值。此时，可以通过多次调整所述待生成清洗液的量值，并记录生成相应量值待生成清洗液的时长，以获得多个所述待生成清洗液的量值与生成对应所述量值的待生成清洗液的时长的数据值，之后对这些数据值进行曲线拟合，得到所述第一曲线。
实际应用中，形成所述第一集合的方式包括：在某一待清洗晶圆的产率下，可以通过经验值确定一个待生成清洗液的中值，然后以该中值为基础，分别进行左右扩展(以一定的步长增加或减少)以获得该第一集合。
在第一曲线已知的情况下，对于第一集合中包含的每个量值，可以通过查找第一曲线得到生成相应量值的待生成清洗液的第一时长；同时在清洗液的消耗速率已知的情况下，对于第一集合中包含的每个量值，可以得到相应量值的待生成清洗液向清洗室供应清洗液的第二时长。对每个量值对应的第一时长和第二时长均进行比较，筛选出选择第一时长小于所述第二时长对应的量值，得到符合要求的待生成的清洗液的量值即第二集合。
可以理解的是，上述第二集合是针对某一待清洗晶圆的产率得到的。实际应用中，可以利用上述方法得到针对不同的待清洗晶圆的产率情况下对应的第二集合。而利用所述不同的待清洗晶圆的产率及所述相对应的第二集合，即可建立所述第一映射表。
在建立好第一映射表后即可通过查表的方式确定出符合要求的待生成的清洗液的量值。
在上述步骤402中，由于清洗液中各化学原液所占的比例是一定的，在清洗液的量值确定的情况下可以得到生成该量值清洗液所需的各化学原液的量值。
在上述步骤403中，获取所需量值的各化学原液，并将这些化学原液在清洗液存储槽中进行混合，以生成所述待生成清洗液。
实际应用中，所述第二集合中可以包括多个均能满足可供清洗室使用的时长，大于生成所述量值的清洗液的时长的要求的量值。考虑到满足要求的量值越大，一次生成的清洗液的量值越大，在待清洗晶圆的产率一定的前提下，更换清洗液存储槽的次数越少，如此，清洗系统的操作越简单。
基于此，在一些实施例中，利用所述不同的待清洗晶圆的产率及所述相对应的第二集合，建立所述第一映射表，包括：
提取所述不同的待清洗晶圆的产率及所述相对应的第二集合中的最大值，建立所述第一映射表。
可以理解的是，在第二集合中，获取能够实现多个清洗液存储槽在一次切换过程中的使用时长最大化。这样，在能够实现不间断为清洗系统供应清洗液的前提下，使得每个清洗液存储槽的使用时长最大化，而洗液存储槽的更换次数最小化。
在一些实施例中，所述化学原液包括第一酸性溶液、去离子水、第二酸性溶液、氧化性溶液；所述清洗液用于清洗执行刻蚀工艺后的晶圆。
实际应用中，利用清洗液清洗晶圆表面的残留物前，晶圆表面的残留的混合物包括氧化铝(Al2O3)、二氧化硅(SiO2)、聚合物(英文可以表达为Polymer)等。利用清洗液进行清洗过程中，氧化铝(Al2O3)及二氧化硅(SiO2)均与清洗液发生化学反应，生成物包括气体、沉淀物等。并且该生成物与聚合物均被去离子水冲洗掉。因此，采用清洗液清洗过的晶圆表面残留物大大减少。
可以理解的是，生成清洗液的化学原液包括第一酸性溶液、去离子水、第二酸性溶液、氧化性溶液。这里，所述第一酸液为H2SO4溶液；所述第二酸液为HF溶液；所述氧化性溶液为H2O2。
在一些具体实施例中，确定的待生成的清洗液的量值为26L，在一段时间内，晶圆产率稳定不变的情况下，每次在清洗液存储槽中生成的清洗液的量值均为26L。由于26L中各化学原液所占的比例是一定的，基于此，可以得到生成26L清洗液时，所需的各化学原液的量值。
具体地，一种清洗液生成的步骤如图5所示，混合后的化学原液(清洗液)总量值为26L，该混合过程可以为：步骤1，在清洗液存储槽中注入19.26L的去离子水，流速设定为15.4L/min，注入时长为1.25min；注入1.17L的H2O2溶液，流速设定为0.94L/min，注入时长1.24min；注入3.04L的DHF溶液，流速设定为3.44L/min，注入时长0.88min；注入2.53的H2SO4溶液，流速设定为1.5L/min，注入时长1.69min；冷却至常温，冷却时间为1.69min(实际冷却时间是从刚开始注入硫酸开始的)。其中，在该步骤中，各化学原液为同时注入。步骤2，将混合后的清洗液静置1.67min。这样，各化学原液的混合完成，生成26L清洗液。由上述混合过程可知，从各化学原液开始混合到混合完成可用于清洗晶圆，清洗液的生成过程耗时为3.36min。
采用本发明实施例中所述的清洗液生成方法生成的清洗液清洗待清洗晶圆，并对清洗的晶圆进行检测，检测内容包括：清洗液对金属钨的刻蚀速率、清洗液对低温氧化物的刻蚀速率、以及清洗后的晶圆表面颗粒物的数量(该颗粒物包括直径在60nm以上的颗粒物)，如图6所示，检测结果表明采用本发明实施例中生成的清洗液清洗晶圆的效果符合要求。需要说明的是，图6中所示的ea为颗粒物个数的计量单位。
本发明实施例提供了一种清洗液生成方法，通过确定待生成清洗液的量值；其中，该量值的待生成清洗液可供清洗室使用的时长，大于生成该量值的待生成清洗液的时长；根据所述待生成清洗液的量值，确定各化学原液的量值；根据各化学原液的量值，将各化学原液在清洗液存储槽中进行混合，以生成所述待生成清洗液。本发明实施例中，在确定待生成清洗液的量值时，充分考虑该量值的清洗液的消耗速率与该量值的清洗液的生成速率之间的平衡，以为后续的进行多个清洗液存储槽之间的无缝切换作好准备。
为了实现本发明实施例提供的清洗液的生成方法，本发明实施例还提供了一种清洗液生成装置，图7为本发明实施例清洗液生成装置的组成结构示意图，如图7所示，所述清洗液生成装置700包括：
第一确定单元701，用于确定待生成清洗液的量值；其中，该量值的待生成清洗液可供清洗室使用的时长，大于生成该量值的待生成清洗液的时长；
第二确定单元702，用于根据所述待生成清洗液的量值，确定各化学原液的量值；
混合处理单元703，用于根据各化学原液的量值，将各化学原液在清洗液存储槽中进行混合，以生成所述待生成清洗液。
在一些实施例中，所述第一确定单元，具体用于：根据待清洗晶圆的产率，结合第一映射表，确定所述待生成的清洗液的量值。
在一些实施例中，所述清洗液生成装置还包括建立单元，用于建立所述第一映射表；
所述建立单元具体用于：根据待清洗晶圆的产率，确定清洗液的消耗速率；
针对各所述待清洗晶圆的产率，建立对应的第一集合，所述第一集合由不同的待生成清洗液的量值构成；
针对所述第一集合中的每个量值，结合第一曲线，得到生成相应量值待生成的清洗液的第一时长；并根据所述清洗液的消耗速率，得到相应量值待生成的清洗液向清洗室供应清洗液的第二时长；所述第一曲线为所述待生成的清洗液的量值与生成所述待生成的清洗液的时长对应的关系曲线；
选择所述第一集合中，所述第一时长小于所述第二时长对应的量值，得到与各所述待清洗晶圆的产率分别对应的第二集合；
根据各待清洗晶圆的产率及相对应的所述第二集合，建立所述第一映射表。
在一些实施例中，所述建立单元，具体用于：
所述根据各待清洗晶圆的产率及相对应的所述第二集合中的最大值，建立所述第一映射表。
在一些实施例中，所述化学原液包括第一酸性溶液、去离子水、第二酸性溶液、氧化性溶液；所述清洗液用于清洗执行刻蚀工艺后的晶圆。
需要说明的是：上述实施例提供的清洗液生成装置在生成清洗液时，仅以上述各模块的划分进行举例说明，实际应用中，可以根据需要而将上述处理分配由不同的模块完成，即将装置的内部结构划分成不同的模块，以完成以上描述的全部或者部分处理。另外，上述实施例提供的清洗液生成装置与清洗液生成方法实施例属于同一构思，其具体实现过程详见方法实施例，这里不再赘述。
基于上述清洗液生成方法，本发明实施例还提供了一种清洗系统的控制方法，如图8所示，所述清洗系统的控制方法包括以下步骤：
步骤801：控制一清洗液存储槽为清洗室供应清洗液；
步骤802：接收当前为所述清洗室供应清洗液的所述清洗液存储槽中清洗液的余量不足的信息，切换另一清洗液存储槽为所述清洗室供应清洗液，并利用本发明实施例提供的清洗液生成方法在切换下来的所述清洗液存储槽中重新生成清洗液；
其中，在切换下来的所述清洗液存储槽中重新生成清洗液的时长，小于切换后为所述清洗室提供清洗液的所述清洗液存储槽，能够为所述清洗室供应清洗液的时长。
这里，所述清洗系统至少可以包括：清洗液生成装置、传输装置、清洗室、控制装置；其中，所述清洗液生成装置用于生成清洗液；所述传输装置用于将生成的清洗液传送至清洗室；所述清洗室用于执行晶圆清洗；所述控制装置用于根据清洗系统中各装置的反馈信息，分析并指示清洗生成装置、传输装置、清洗室执行相应的操作。
实际应用中，所述清洗系统中可以包括一个清洗室，也可以包括多个清洗室，每个清洗室可至少放置一片待清洗晶圆，多个清洗室可以同时执行清洗晶圆的操作。
实际应用中，为了提高清洗效率，一般采用两个清洗液存储槽，以使得可供清洗室使用和生成清洗液两个过程可以同时进行。为了便于清楚的描述本发明实施例，这里将上述两个清洗液存储槽定义为第一清洗液存储槽和第二存储槽清洗槽。在利用第一清洗液存储槽向清洗室供应清洗液的同时在第二清洗液存储槽中生成新的清洗液。或者，在利用第二清洗液存储槽向清洗室供应清洗液的同时在第一清洗液存储槽中生成新的清洗液。
这里，所述待生成的清洗液可供清洗室使用的时长前已述及，这里不再赘述。所述生成待生成的清洗液的时长是指，从将各化学原液注入清洗液存储槽开始，到混合后的清洗液冷却至可正常使用所耗费的时长。
实际应用中，图9示出了一种清洗系统的控制逻辑。需要说明的是，以两个清洗液存储槽(第一清洗液存储槽和第二清洗液存储槽)为例进行说明，且在图9中仅以第一清洗液存储槽用于向清洗系统供应清洗液，第二清洗液存储槽用于将各化学原液混合生成清洗液为例进行说明。
具体地，如图9所示，第一清洗液存储槽开始供应清洗液时，第二清洗液存储槽处于将各化学原液混合生成清洗液阶段；在第一清洗液存储槽中的清洗液消耗一定量后，第一清洗液存储槽的清洗液容量减少至警示线容量值，触发容量警示线；此时，第二清洗液存储槽已完成清洗液的生成；清洗系统响应之后，切换至第二清洗液存储槽供应清洗液；与此同时，切换下来的第一清洗液存储槽用于执行清洗液的再次生成；需要说明的是，切换下来的第一清洗液存储槽中的残留清洗液不排空，继续使用。
可以理解的是，在第二清洗液存储槽向清洗室供应清洗液的过程中，切换下来的第一清洗液存储槽用于生成待生成的清洗液。同样，在第二清洗液存储槽中的清洗液余量较少，触及控制装置中设定的清洗液的最低警示线时，将重新生成的清洗液的第一清洗液存储槽设定为可供应清洗液的状态。这样，两个清洗液存储槽切换可以实现清洗系统的持续运转。
在一些实施例中，所述方法还包括：
在切换所述清洗液存储槽过程中，持续向所述清洗室中输送待清洗晶圆。
可以理解的是，在清洗系统持续清洗晶圆的过程中，控制装置控制晶圆供应系统持续向清洗室中输送待清洗晶圆。
在一些实施例中，所述在切换下来的清洗液存储槽中重新生成清洗液时，不将切换下来的所述清洗液存储槽中剩余的清洗液排空。
可以理解的是，生成的待清洗液的量值往往会多于实际生产用中清洗液的消耗量值，而多出来的余量可以理解为前述内容中的清洗液存储槽容量值最低警示线以下的清洗液。在清洗液存储槽容量值最低警示线以下的残留清洗液的参数值，符合清洗液重复使用标准，可用于下次生成待生成清洗液。而不对剩余的清洗液排空可以节省时间，提高清洗效率。
在一些实施例中，所述清洗系统用于清洗执行刻蚀工艺后的晶圆。
本发明实施例提供了一种清洗系统的控制方法，通过控制一清洗液存储槽为清洗室供应清洗液；接收当前为所述清洗室供应清洗液的所述清洗液存储槽中清洗液的余量不足的信息，切换另一清洗液存储槽为所述清洗室供应清洗液，并利用本发明实施例提供的清洗液生成方法在切换下来的所述清洗液存储槽中重新生成清洗液；
其中，在切换下来的所述清洗液存储槽中重新生成清洗液的时长，小于切换后为所述清洗室提供清洗液的所述清洗液存储槽，能够为所述清洗室供应清洗液的时长。
本发明实施例中，当一个清洗液存储槽中清洗液的生成时长小于供应时长时，可以实现两个清洗液存储槽供应清洗液的无缝切换，从而解决清洗系统在清洗晶圆的过程中出现的怠机问题，从而提高晶圆的清洗效率。
为了实现本发明实施例提供的清洗系统的控制方法，本发明实施例还提供了一种清洗系统的控制装置，如图10所示，所述清洗系统的控制装置1000，包括：控制单元1001，用于控制一清洗液存储槽为清洗室供应清洗液；
控制单元1001，还用于接收当前为所述清洗室供应清洗液的所述清洗液存储槽中清洗液的余量不足的信息，切换另一清洗液存储槽为所述清洗室供应清洗液，并利用本发明实施例提供的清洗液生成方法在切换下来的所述清洗液存储槽中重新生成清洗液；
其中，在切换下来的所述清洗液存储槽中重新生成清洗液的时长，小于切换后为所述清洗室提供清洗液的所述清洗液存储槽，能够为所述清洗室供应清洗液的时长。
在一些实施例中，如图10所示，所述控制装置还包括处理单元1002，所述处理单元1002用于在切换所述清洗液存储槽过程中，持续向所述清洗室中输送待清洗晶圆。
在一些实施例中，所述处理单元1002，具体用于在切换下来的所述清洗液存储槽中重新生成清洗液时，不将切换下来的所述清洗液存储槽中剩余的清洗液排空。
需要说明的是，上述实施例提供的清洗系统的控制装置在执行清洗控制时，仅以上述各模块的划分进行举例说明，实际应用中，可以根据需要而将上述处理分配由不同的模块完成，即将装置的内部结构划分成不同的模块，以完成以上描述的全部或者部分处理。另外，上述实施例提供的清洗系统的控制装置与清洗系统的控制方法实施例属于同一构思，其具体实现过程详见方法实施例，这里不再赘述。
为了验证本发明实施例提供的控制方法是否可以满足清洗系统连续运行的要求，下面以实际生产过程中的示例进行详细说明。
示例性的，以每小时清洗系统产出晶圆数量为200(即待清洗晶圆的产率为200片每小时)、清洗系统包括两个清洗液存储槽(即第一清洗液存储槽和第二清洗液存储槽)为例进行说明，当每小时清洗系统产出晶圆数量为200时，可以得知每小时需要360L的清洗液，根据第一映射表，可以得知在清洗液存储槽每次供应清洗液的过程中，清洗液存储槽内的清洗液的有效使用量值是26L，则每小时需切换13.8次。实际生产中，第一清洗液存储槽供应清洗液的时间为4.35min，该时间即为第二清洗液存储槽生成新的清洗液的时间。根据上述理论计算，实际生产中的生成清洗液的时间为3.36min，小于清洗液在实际生产中的实际使用时间4.35min，因此，清洗系统可以满足连续运转。
并且，根据本发明实施例提供的控制方法，完成待清洗晶圆的清洗操作。本发明实施例中对采用本实施例提供的控制方法清洗的晶圆进行检测，检测结果如图11所示。从图11中可以看出，采用本实施例提供的控制方法清洗的晶圆符合生成要求。并且，本发明实施例中未对已经完成供应清洗液的清洗液存储槽进行排空处理，直接再次将一定体积比例的各化学原液的进行注入，混合，重新生成清洗液，进而继续为清洗室供应清洗液，可以节省时间，提高清洗效率。由于未做排空处理，清洗液存储槽中有残留清洗液，在再次按照相应体积比例进行混合重新生成清洗液，重新生成的清洗液中各化学原液中的H2SO4和溶液H2O2溶液的体积百分比的波动范围变小，这样更利于对形成清洗液的各化学原液的体积比例的控制。
需要说明的是：“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。
另外，本发明实施例所记载的技术方案之间，在不冲突的情况下，可以任意组合。
以上所述，仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种清洗液生成方法，其特征在于，包括：
确定待生成清洗液的量值；其中，该量值的待生成清洗液可供清洗室使用的时长，大于生成该量值的待生成清洗液的时长；
根据所述待生成清洗液的量值，确定各化学原液的量值；
根据各化学原液的量值，将各化学原液在清洗液存储槽中进行混合，以生成所述待生成清洗液。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定待生成清洗液的量值，包括：
根据待清洗晶圆的产率，结合第一映射表，确定所述待生成清洗液的量值；
所述第一映射表包括各所述待清洗晶圆的产率与待生成清洗液的量值的对应关系。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
建立所述第一映射表；
所述建立所述第一映射表，包括：
根据待清洗晶圆的产率，确定清洗液的消耗速率；
针对各所述待清洗晶圆的产率，建立对应的第一集合，所述第一集合由不同的待生成清洗液的量值构成；
针对所述第一集合中的每个量值，结合第一曲线，得到生成相应量值的待生成清洗液的第一时长；并根据所述清洗液的消耗速率，得到相应量值的待生成清洗液向清洗室供应清洗液的第二时长；所述第一曲线为所述待生成清洗液的量值与生成所述量值的待生成清洗液的时长对应的关系曲线；
选择所述第一集合中，所述第一时长小于所述第二时长对应的量值，得到与各所述待清洗晶圆的产率分别对应的第二集合；
根据各待清洗晶圆的产率及相对应的所述第二集合，建立所述第一映射表。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据各待清洗晶圆的产率及相对应的所述第二集合，建立所述第一映射表，包括：
提取各待清洗晶圆的产率及相对应的所述第二集合中的最大值，建立所述第一映射表。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述化学原液包括第一酸性溶液、去离子水、第二酸性溶液、氧化性溶液；所述清洗液用于清洗执行刻蚀工艺后的晶圆。
6.一种清洗系统的控制方法，其特征在于，包括：
控制一清洗液存储槽为清洗室供应清洗液；
接收当前为所述清洗室供应清洗液的所述清洗液存储槽中清洗液的余量不足的信息，切换另一清洗液存储槽为所述清洗室供应清洗液，并利用所述权利要求1至5任一项所述的方法在切换下来的所述清洗液存储槽中重新生成清洗液；
其中，在切换下来的所述清洗液存储槽中重新生成清洗液的时长，小于切换后为所述清洗室提供清洗液的所述清洗液存储槽，能够为所述清洗室供应清洗液的时长。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在切换所述清洗液存储槽过程中，持续向所述清洗室中输送待清洗晶圆。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在切换下来的所述清洗液存储槽中重新生成清洗液时，不将切换下来的所述清洗液存储槽中剩余的清洗液排空。
9.一种清洗液生成装置，其特征在于，包括：
第一确定单元，用于确定待生成清洗液的量值；其中，该量值的待生成清洗液可供清洗室使用的时长，大于生成该量值的待生成清洗液的时长；
第二确定单元，用于根据所述待生成清洗液的量值，确定各化学原液的量值；
混合处理单元，用于根据各化学原液的量值，将各化学原液在清洗液存储槽中进行混合，以生成所述待生成清洗液。
10.一种清洗系统的控制装置，其特征在于，包括：
控制单元，用于控制一清洗液存储槽为清洗室供应清洗液；
控制单元，还用于接收当前为所述清洗室供应清洗液的所述清洗液存储槽中清洗液的余量不足的信息，切换另一清洗液存储槽为所述清洗室供应清洗液，并利用所述权利要求1至5任一项所述的方法在切换下来的所述清洗液存储槽中重新生成清洗液；
其中，在切换下来的所述清洗液存储槽中重新生成清洗液的时长，小于切换后为所述清洗室提供清洗液的所述清洗液存储槽，能够为所述清洗室供应清洗液的时长。
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|---|---|
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Citations (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0681317A2 (en) * | 1994-04-08 | 1995-11-08 | Texas Instruments Incorporated | System and method for cleaning semiconductor wafers using liquefied gases |
| JPH104077A (ja) * | 1996-06-17 | 1998-01-06 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | ウエハ洗浄装置 |
| JPH1064872A (ja) * | 1996-08-12 | 1998-03-06 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄処理方法及びその装置 |
| JPH10189523A (ja) * | 1996-12-20 | 1998-07-21 | Sony Corp | 半導体ウエハの洗浄装置 |
| JPH11290799A (ja) * | 1998-04-06 | 1999-10-26 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄処理装置 |
| JP2002134459A (ja) * | 2000-10-25 | 2002-05-10 | Sony Corp | 洗浄装置およびその管理方法 |
| CN1591779A (zh) * | 2003-09-05 | 2005-03-09 | 株式会社东芝 | 晶片清洗方法与设备 |
| KR20060038107A (ko) * | 2004-10-29 | 2006-05-03 | 삼성전자주식회사 | 반도체 기판 세정 장치 |
| KR20060089527A (ko) * | 2005-02-04 | 2006-08-09 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 세정 장치 |
| JP2007173735A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Fujitsu Ltd | ウエハ洗浄装置およびウエハの洗浄方法 |
| KR20080011913A (ko) * | 2006-08-01 | 2008-02-11 | 세메스 주식회사 | 습식 세정 장치 및 방법 |
| KR101747035B1 (ko) * | 2016-05-09 | 2017-06-14 | 백동석 | 세정액 자동공급시스템 |
| CN209785893U (zh) * | 2019-07-03 | 2019-12-13 | 德淮半导体有限公司 | 一种晶圆清洗设备 |
| CN111223756A (zh) * | 2018-11-26 | 2020-06-02 | 长鑫存储技术有限公司 | 晶圆清洗方法及半导体器件制作方法 |
| CN112735980A (zh) * | 2020-12-25 | 2021-04-30 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体清洗工艺的控制方法和半导体清洗设备 |
| CN112786499A (zh) * | 2021-03-11 | 2021-05-11 | 长江存储科技有限责任公司 | 供液装置 |
-
2021
- 2021-07-15 CN CN202110801800.3A patent/CN113644009B/zh active Active
Patent Citations (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0681317A2 (en) * | 1994-04-08 | 1995-11-08 | Texas Instruments Incorporated | System and method for cleaning semiconductor wafers using liquefied gases |
| JPH104077A (ja) * | 1996-06-17 | 1998-01-06 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | ウエハ洗浄装置 |
| JPH1064872A (ja) * | 1996-08-12 | 1998-03-06 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄処理方法及びその装置 |
| JPH10189523A (ja) * | 1996-12-20 | 1998-07-21 | Sony Corp | 半導体ウエハの洗浄装置 |
| JPH11290799A (ja) * | 1998-04-06 | 1999-10-26 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄処理装置 |
| JP2002134459A (ja) * | 2000-10-25 | 2002-05-10 | Sony Corp | 洗浄装置およびその管理方法 |
| CN1591779A (zh) * | 2003-09-05 | 2005-03-09 | 株式会社东芝 | 晶片清洗方法与设备 |
| KR20060038107A (ko) * | 2004-10-29 | 2006-05-03 | 삼성전자주식회사 | 반도체 기판 세정 장치 |
| KR20060089527A (ko) * | 2005-02-04 | 2006-08-09 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 세정 장치 |
| JP2007173735A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Fujitsu Ltd | ウエハ洗浄装置およびウエハの洗浄方法 |
| KR20080011913A (ko) * | 2006-08-01 | 2008-02-11 | 세메스 주식회사 | 습식 세정 장치 및 방법 |
| KR101747035B1 (ko) * | 2016-05-09 | 2017-06-14 | 백동석 | 세정액 자동공급시스템 |
| CN111223756A (zh) * | 2018-11-26 | 2020-06-02 | 长鑫存储技术有限公司 | 晶圆清洗方法及半导体器件制作方法 |
| CN209785893U (zh) * | 2019-07-03 | 2019-12-13 | 德淮半导体有限公司 | 一种晶圆清洗设备 |
| CN112735980A (zh) * | 2020-12-25 | 2021-04-30 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体清洗工艺的控制方法和半导体清洗设备 |
| CN112786499A (zh) * | 2021-03-11 | 2021-05-11 | 长江存储科技有限责任公司 | 供液装置 |
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| CN113644009A (zh) | 2021-11-12 |
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