CN108630518A - 半导体晶圆的清洗方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种半导体晶圆的清洗方法,在依次采用碱性清洗液和酸性清洗液对所述半导体晶圆进行清洗之前,先采用酸性预清洗液对所述半导体晶圆进行预清洗,由此可以预先轻微地去除金属污染,防止其后续与碱性清洗液作用结合产生微小聚集性凹陷,改善晶圆表面的平整度,提高产品良率。

Description

+导体晶圆的清洗方法
技术领域
[0001] 本发明涉及集成电路制造技术领域,尤其涉及一种半导体晶圆的清洗方法。
背景技术
[0002] 在现今的半导体集成电路工艺中,晶圆清洗是频繁且重要的步骤之一,其目的主 要是用来清除晶片表面的残留物(Residue)和污染物(Contamination),如微粒 (Particle)、有机物(Organic)和无机物金属离子(Metal Ions)等,然而,目前的晶圆清冼 方法会在晶圆表面产生微小的聚集性凹坑(cluster pits),如图1所示,影响了整个半导体 集成电路工艺的良率(Yield)、元件品质及可靠性。
[0003] 因此,需要一种新的半导体晶圆的清洗方法,能够避免清洗后产生的晶圆表面凹 坑缺陷,提高产品良率。
发明内容
[0004] 本发明的目的在于提供一种半导体晶圆的清洗方法,能够避免清洗后产生的晶圆 表面凹坑缺陷,提高产品良率。
[0005] 为解决上述问题,本发明提出一种半导体晶圆的清洗方法,包括以下步骤:
[0006] 采用酸性预清洗液对所述半导体晶圆进行预清洗;
[0007] 采用碱性清洗液对所述半导体晶圆进行清洗;
[0008] 采用酸性清洗液对所述半导体晶圆进行清洗。
[0009] 进一步的,所述酸性预清洗液的组成成分包括第一酸、第一氧化剂和水。
[0010] 进一步的,所述第一酸为盐酸、氢氟酸、乙酸、硝酸和硫酸中的至少一种,所述第一 氧化剂为双氧水或臭氧。
[0011] 进一步的,所述第一酸为盐酸,所述第一氧化剂为双氧水,且盐酸、双氧水和水的 摩尔浓度配比为1:1:6〜1:2:8。
[0012] 进一步的,所述酸性清洗液的组成成分包括第二酸、第二氧化剂和水。
[0013] 进一步的,所述第二酸为盐酸、氢氟酸、乙酸、硝酸和硫酸中的至少一种,所述第二 氧化剂为双氧水或臭氧。
[0014] 进一步的,所述第二酸为盐酸,所述第二氧化剂为双氧水,且盐酸、双氧水和水的 摩尔浓度配比为1:1:6〜1:2:8。
[0015] 进一步的,所述酸性清洗液与所述酸性预清洗液含有的组成成分相同,但各个组 成成分的摩尔浓度配比不同。
[0016] 进一步的,所述酸性清洗液的酸性强于所述酸性预清洗液。
[0017] 进一步的,所述碱性清洗液包括氣氧化物、第三氧化剂和水。
[0018] 进一步的,所述氢氧化物为氢氧化铵或氢氧化钾,所述第三氧化剂为双氧水或臭 氧。
[0019] 进一步的,所述氢氧化物为氢氧化铵,所述氧化剂为双氧水,且氢氧化铵、双氧水 和水的摩尔浓度配比为1:1:5〜1:2:7。 一
[0020] 进一步的,在所述预清洗之后,且在所述采用碱性清洗液对半导体晶圆进行清洗 之前,采用去离子水对所述半导体晶圆进行冲洗。
[0021] 进一步的,在所述采用碱性清洗液对半导体晶圆进行清洗之后,且在所述采用酸 性清洗液对所述半导体晶圆进行清洗之前,采用去离子水对所述半导体晶圆进行冲洗。
[0022] 进一步的,在所述采用酸性清洗液对所述半导体晶圆进行清洗之后,采用去离子 水对所述半导体晶圆进行冲洗。
[0023] 与现有技术相比,本发明的半导体晶圆的清洗方法,在依次采用碱性清洗液和酸 性清洗液对所述半导体晶圆进行清洗之前,先采用酸性预清洗液对所述半导体晶圆进行预 清洗,由此可以预先轻微地去除一些金属污染,防止其后续与碱性清洗液作用结合产生微 小聚集性凹陷,改善晶圆表面的平整度,提尚产品良率。
附图说明
[0024] 图1是利用现有典型的半导体晶圆清洗方法清洗后的半导体晶圆表面SEM图;
[0025] 图2是现有典型的半导体晶圆清洗方法的流程图;
[0026] 图3是本发明的半导体晶圆的清洗方法流程图;
[0027] 图4是本发明具体实施例的半导体晶圆的清洗方法流程图;
[0028] 图5是利用图4的方法清洗后的半导体晶圆表面Sffl图。
具体实施方式
[0029] 请参考图2,目前,发明人所熟知的半导体晶圆清洗方法流程如下:首先,执行SCI 清洗过程,即使用氢氧化铵(NH4OH)、双氧水(H2O2)和水(H20)按照一定摩尔浓度配比混合而 成的SCI清洗液清洗半导体晶圆,以藉由氧化的机理去除附着于所述半导体晶圆表面的有 机物、微粒等;然后,执行DI冲洗过程,即以大量去离子水对所述半导体晶圆进行快速清洗, 以去除残留在所述半导体晶圆表面的SCI清洗液;接着,在执行SC2清洗过程,即使用盐酸 (HC1)、双氧水(H2〇2)和水(H20)按照一定摩尔浓度配比混合而成的SC2清洗液清洗所述半导 体晶圆,SC2清洗液与残留在半导体晶圆表面的金属杂质能形成可溶性物质,从而可以去除 附着于在所述半导体晶圆表面的金属杂质;然后,再次执行DI冲洗过程,即以大量去离子水 清洗所述半导体晶圆,以去除残留在所述半导体晶圆表面的SC2清洗液;最后烘干即可。然 而,在上述清洗流程中,SCI清洗液阶段,一方面,所述半导体晶圆表面的金属杂质会影响半 导体晶圆表面刻蚀速率的均匀性,同时会延长SCI清洗时间,使得半导体晶圆置于SCI清洗 液中过久,从而增加半导体晶圆表面的微粗糙度,扩大半导体晶圆表面的空洞型原生微缺 陷(crystal originated particle,COP);另一方面,SCI清洗液蚀刻所述半导体晶圆表面 时,金属杂质会同时被SCI清洗液氧化而带入所述半导体晶圆的氧化层内,从而在SCI清洗 液蚀刻出的半导体晶圆表面时形成聚集性凹坑缺陷。
[G030] 本发明的目的在于设计一种新型的半导体晶圆清洗方法,在现行方法之前新增一 道酸性清洗液预清洗过程,以在现行方法的碱性清洗液清洗之前先去除半导体晶圆表面轻 微的金属污染,即部分金属污染,防止后续与碱性清洗液作用结合产生微小聚集性凹坑,改 善半导体晶圆表面均匀性,提高半导体晶圆质量,提升良率。
[0031] 请参考图3,本发明提出一种半导体晶圆的清洗方法,包括以下步骤:
[0032] S0,采用酸性预清洗液对所述半导体晶圆进行预清洗;
[0033] S1,采用碱性清洗液对所述半导体晶圆进行清洗;
[0034] S2,采用酸性清洗液对所述半导体晶圆进行清洗。
[0035] 步骤S0中的酸性预清洗液的组成成分包括第一酸、第一氧化剂和水,其中,所述第 一酸可以为盐酸(HC1)、氢氟酸(HF)、乙酸(CH3C00H)、硝酸(HN03)和硫酸(H2S04)中的至少一 种,所述第一氧化剂可以为双氧水(H2〇2)或臭氧(〇3)。优选地,步骤S0中的酸性预清洗液为 SC2清洗液,即所述第一酸为盐酸,所述第一氧化剂为双氧水,且盐酸、双氧水和水的摩尔浓 度配比为1:1:6〜1:2:8。步骤S0的执行温度可以在6〇°C至9〇°C范围内,优选地,步骤S0中酸 性预清洗液的温度随清洗时间的推移是逐渐上升的,由此可以使得半导体晶圆表面的更多 的金属杂质能够充分与酸性预清洗液反应,减少清洗时间且提高预清洗的效果。
[0036] 经过步骤S0的预清洗,所述半导体晶圆表面相对洁净,由此可以避免之前附着太 多的金属杂质会影响步骤S1中半导体晶圆表面刻蚀速率的均匀性,以及避免这些金属杂质 会被碱性清洗液氧化而带入所述半导体晶圆的氧化层内而形成聚集性凹坑缺陷;同时还可 以缩短步骤S1的清洗时间,避免所述半导体晶圆置于碱性清洗液中过久,减小半导体晶圆 表面的微粗糙度变化,防止半导体晶圆表面的空洞型原生微缺陷扩大。
[0037] 步骤S1中的所述碱性清洗液的组成成分可以包括氢氧化物、第三氧化剂和水,其 中,所述氢氧化物为氢氧化铵(NH40H)或氢氧化钾(K0H),所述第三氧化剂为双氧水或臭氧。 优选地,步骤S1中的所述碱性清洗液为SCI清洗液,即所述氢氧化物为氢氧化铵,所述氧化 剂为双氧水,且氢氧化铵、双氧水和水的摩尔浓度配比为1:1:5〜I:2:7。步骤S1的执行温度 可以在40°C至90°C范围内,优选的,步骤S1中碱性清洗液的温度随清洗时间的推移是逐渐 上升的,由此可以使得半导体晶圆表面的有机物以及微粒能够充分与碱性清洗液反应,减 少清洗时间且降低对半导体晶圆表面的微粗糙度的影响。
[0038] 步骤S2中的所述酸性清洗液的组成成分包括第二酸、第二氧化剂和水,其中,所述 第二酸为盐酸、氢氟酸、乙酸、硝酸和硫酸中的至少一种,所述第二氧化剂为双氧水或臭氧。 步骤S2的执行温度可以在60°C至90°C范围内,优选地,步骤S2中酸性清洗液的温度随清洗 时间的推移是逐渐上升的,进而能够完全去除半导体晶圆表面的残留金属污染。优选地,步 骤S2中的所述酸性清洗液的酸性强于步骤S0中的所述酸性预清洗液,从而保证步骤S0中的 预清洗不会对半导体晶圆表面造成微蚀刻,保证半导体晶圆表面的微粗糙度不变,其中,步 骤S2中的所述酸性清洗液与步骤S0中的所述酸性预清洗液含有的组成成分相同,但各个组 成成分的摩尔浓度配比不同,以使得步骤S2中的所述酸性清洗液的酸性强于步骤S0中的所 述酸性预清洗液,例如步骤S2中的所述酸性清洗液与步骤S0中的所述酸性预清洗液均为 SC2清洗液,即所述第一酸和所述第二酸均为盐酸,所述第一氧化剂和第二氧化剂均为双氧 水,但盐酸、双氧水和水的摩尔浓度配比不同,进一步的,步骤S2中的所述酸性清洗液的盐 酸、双氧水和水的摩尔浓度配比在1:1:6〜1:2:8范围内,从而使得步骤S2能够完全去除半 导体晶圆表面的残留金属污染。
[0039]较佳地,本发明地半导体晶圆的清洗方法中,在步骤S0和步骤S1之间,还可以执行 去离子水冲洗过程,即在所述预清洗之后,且在所述采用碱性清洗液对半导体晶圆进行清 洗之前,采用大量的去离子水对所述半导体晶圆进行冲洗,以去除步骤S0之后的半导体晶 圆表面的酸性预清洗液。
[0040] 较佳地,本发明地半导体晶圆的清洗方法中,在步骤S1和步骤S2之间,还可以再次 执行去离子水冲洗过程,即在所述采用碱性清洗液对半导体晶圆进行清洗之后,且在所述 采用酸性清洗液对所述半导体晶圆进行清洗之前,采用大量的去离子水对所述半导体晶圆 进行冲洗,以去除步骤s 1之后的半导体晶圆表面的碱性预清洗液。
[0041] 较佳的,本发明地半导体晶圆的清洗方法中,在步骤S2之后,在所述采用酸性清洗 液对所述半导体晶圆进行清洗之后,采用去离子水对所述半导体晶圆进行冲洗,以去除步 骤so之后的半导体晶圆表面的酸性清洗液。
[0042] 下面请参考图4,利用一实际应用实施例来说明本发明的半导体晶圆的清洗方法, 具体如下
[0043] 首先,执行SC2预清洗,具体采用SC2清洗液(摩尔浓度配比HCl/H2〇2/H2〇=l:2:7), 在温度75 °C至85 °C的条件下对半导体晶圆进行预清洗,其中,H2〇2使半导体晶圆表面氧化, HC1与金属杂质反应,形成水溶物,且不会腐蚀半导体晶圆表面,从而可以初步去除所述半 导体晶圆表面的金属杂质,且不会改变半导体晶圆表面的微粗糙度;
[0044] 接着,执行DI第一次冲洗,具体采用大量去离子水对所述半导体晶圆进行快速清 洗,以去除残留在所述半导体晶圆表面的SC2清洗液((摩尔浓度配比HCl/H2〇2/H20= 1: 2: 7);
[0045] 然后,执行SCI清洗,具体采用SCI清洗液((摩尔浓度配比nh4〇h/H2〇2/h2〇=i: 1: 6),在温度45°C至65°C的条件下清洗所述半导体晶圆,其中,H202使半导体晶圆表面的有机 物氧化,并溶解在NH40H溶液中,且NH40H溶液对半导体晶圆表面有微蚀刻,从而可以去除附 着于所述半导体晶圆表面的有机物和微粒。其中,由于SC2预清洗阶段去除了半导体晶圆表 面大量的金属杂质,从而可以提高SCI清洗阶段的半导体晶圆表面刻蚀速率的均匀性,以及 避免金属杂质会被SCI清洗液氧化而带入所述半导体晶圆的氧化层内而形成聚集性凹坑缺 陷;同时还可以缩短SCI清洗时间,避免所述半导体晶圆置于SCI清洗液中过久,从而减小半 导体晶圆表面的微粗糙度变化,防止半导体晶圆表面的空洞型原生微缺陷扩大;
[0046] 接着,执行DI第二次冲洗,具体采用大量去离子水对所述半导体晶圆进行快速清 洗,以去除残留在所述半导体晶圆表面的SCI清洗液((摩尔浓度配比NH4〇H/H2〇2/H20=l: 1: 6);
[0047] 然后,执行SC2清洗,具体采用SC2清洗液((摩尔浓度配比HC1/H202/H20= 1:1:6), 在温度65°C至8(TC的条件下对半导体晶圆进行预清洗,以最终去除所述半导体晶圆表面残 留的金属杂质;
[0048] 接着,执行DI第三次冲洗,具体采用大量去离子水对所述半导体晶圆进行快速清 洗,以去除残留在所述半导体晶圆表面的SC2清洗液((摩尔浓度配比HCl/H2〇2/H20= 1:1: 6);
[0049] 最后,对半导体晶圆进行烘干即可。
[0050] 上述的半导体晶圆清洗方法为SC2+SC1+SC2清洗方法,即在现行的SC1+SC2的清洗 方法之前新增一道SC2预清洗,可以在SCI清洗工序之前先去除半导体晶圆表面轻微的金属 污染,即去除部分金属污染,防止这些金属污染附着在半导体晶圆表面并在后续与SCI清洗 液作用结合,进而在半导体晶圆表面产生微小聚集性凹陷。请参考图5,图5为采用上述的 SC2+SC1+SC2的半导体晶圆清洗方法清洗后的半导体晶圆表面SEM (扫描电镜)图,对比图5 和图1可知,上述的半导体晶圆清洗方法,可以大大改善半导体晶圆的表面质量,从而可以 提尚产品良率。
[0051]综上所述,本发明的半导体晶圆的清洗方法,在依次采用碱性清洗液和酸性清洗 液对所述半导体晶圆进行清洗之前,先采用酸性预清洗液对所述半导体晶圆进行预清洗, 由此可以预先去除所述半导体晶圆表面附着的部分金属污染,防止其后续与碱性清洗液作 用结合产生微小聚集性凹陷,改善晶圆表面的平整度,提高产品良率。
[0052] 显然,本领域的技术人员可以对发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神 和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之 内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (15)

  1. I. 一种半导体晶圆的清洗方法,其特征在于,包括以下步骤: 采用酸性预清洗液对所述半导体晶圆进行预清洗; 采用碱性清洗液对所述半导体晶圆进行清洗; 采用酸性清洗液对所述半导体晶圆进行清洗。
  2. 2.如权利要求1所述的半导体晶圆的清洗方法,其特征在于,所述酸性预清洗液的组成 成分包括第一酸、第一氧化剂和水。
  3. 3. 如权利要求2所述的半导体晶圆的清洗方法,其特征在于,所述第一酸为盐酸、氢氟 酸、乙酸、硝酸和硫酸中的至少一种,所述第一氧化剂为双氧水或臭氧。
  4. 4. 如权利要求2所述的半导体晶圆的清洗方法,其特征在于,所述第一酸为盐酸,所述 第一氧化剂为双氧水,且盐酸、双氧水和水的摩尔浓度配比为1:1:6〜1:2:8。
  5. 5. 如权利要求1所述的半导体晶圆的清洗方法,其特征在于,所述酸性清洗液的组成成 分包括第二酸、第二氧化剂和水。
  6. 6. 如权利要求5所述的半导体晶圆的清洗方法,其特征在于,所述第二酸为盐酸、氢氟 酸、乙酸、硝酸和硫酸中的至少一种,所述第二氧化剂为双氧水或臭氧。
  7. 7. 如权利要求5所述的半导体晶圆的清洗方法,其特征在于,所述第二酸为盐酸,所述 第二氧化剂为双氧水,且盐酸、双氧水和水的摩尔浓度配比为1:1:6〜1:2:8。
  8. 8. 如权利要求1所述的半导体晶圆的清洗方法,其特征在于,所述酸性清洗液与所述酸 性预清洗液含有的组成成分相同,所述酸性清洗液与所述酸性预清洗液中组成成分的摩尔 浓度配比不同。
  9. 9. 如权利要求1至8中任一项所述的半导体晶圆的清洗方法,其特征在于,所述酸性清 洗液的酸性强于所述酸性预清洗液。
  10. 10. 如权利要求1所述的半导体晶圆的清洗方法,其特征在于,所述碱性清洗液包括氢 氧化物、第三氧化剂和水。 II. 如权利要求10所述的半导体晶圆的清洗方法,其特征在于,所述氢氧化物为氢氧化 铵或氢氧化钾,所述第三氧化剂为双氧水或臭氧。
  11. 12. 如权利要求1〇所述的半导体晶圆的清洗方法,其特征在于,所述氢氧化物为氢氧化 铵,所述第三氧化剂为双氧水,且氢氧化铵、双氧水和水的摩尔浓度配比为1:1:5〜1:2:7。
  12. 13. 如权利要求1所述的半导体晶圆的清洗方法,其特征在于,在所述预清洗之后,且在 所述采用碱性清洗液对半导体晶圆进行清洗之前,采用去离子水对所述半导体晶圆进行冲 洗。
  13. 14. 如权利要求1所述的半导体晶圆的清洗方法,其特征在于,在所述采用碱性清洗液 对半导体晶圆进行清洗之后,且在所述采用酸性清洗液对所述半导体晶圆进行清洗之前, 采用去离子水对所述半导体晶圆进行冲洗。
  14. 15. 如权利要求1所述的半导体晶圆的清洗方法,其特征在于,在所述采用酸性清洗液 对所述半导体晶圆进行清洗之后,采用去离子水对所述半导体晶圆进行冲洗。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112474550A (zh) * 2020-09-21 2021-03-12 北京镓族科技有限公司 一种氧化镓晶片cmp后的清洗方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011085445A1 (en) * 2010-01-14 2011-07-21 Teebee Holdings Pty Ltd Flotation reagents
CN103021833A (zh) * 2012-12-21 2013-04-03 中国科学院半导体研究所 降低衬底表面残留杂质浓度的方法
CN106252201A (zh) * 2016-08-01 2016-12-21 镇江大成新能源有限公司 一种硅片的水清洗方法和系统

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011085445A1 (en) * 2010-01-14 2011-07-21 Teebee Holdings Pty Ltd Flotation reagents
CN103021833A (zh) * 2012-12-21 2013-04-03 中国科学院半导体研究所 降低衬底表面残留杂质浓度的方法
CN106252201A (zh) * 2016-08-01 2016-12-21 镇江大成新能源有限公司 一种硅片的水清洗方法和系统

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112474550A (zh) * 2020-09-21 2021-03-12 北京镓族科技有限公司 一种氧化镓晶片cmp后的清洗方法

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