KR100810796B1 - 대기 반송실, 피처리체의 처리 후 반송 방법, 프로그램 및기억 매체 - Google Patents

대기 반송실, 피처리체의 처리 후 반송 방법, 프로그램 및기억 매체 Download PDF

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Abstract

피처리체로부터 제조되는 반도체 디바이스의 품질 저하를 방지할 수 있음과 동시에, 피처리체 처리 장치의 가동률을 향상시킬 수 있는 대기 반송실을 제공한다. 에칭 처리가 실시된 웨이퍼(W)가 반송되는 로더 모듈(13)은, 그 내부에서 상측에 배치된 FFU(34)를 구비하고, FFU(34)는, 팬 유닛(37), 가열 유닛(38), 제습 유닛(39) 및 제진 유닛(40)으로 이루어지고, 팬 유닛(37)은 하측을 향하여 대기를 송출하는 팬을 내장하고, 제습 유닛(39)은 팬 유닛(37)에 의해서 송출된 대기를 제습하는 데시캔트 필터(55)를 내장하고, 제진 유닛(40)은 제습 유닛(39)을 통과한 대기중의 먼지와 쓰레기를 집진하는 필터를 내장하고, 이에 의해, FFU(34)는 로더 모듈(13) 내부의 상측에 도입된 대기를 가열, 제습, 제진하여, 로더 모듈(13) 내부의 하측에 공급한다.

Description

대기 반송실, 피처리체의 처리 후 반송 방법, 프로그램 및 기억 매체{ATMOSPHERIC TRANSFER CHAMBER, PROCESSED OBJECT TRANSFER METHOD, PROGRAM FOR PERFORMING THE TRANSFER METHOD, AND STORAGE MEDIUM STORING THE PROGRAM}
도 1은 본 발명의 제 1 실시의 형태에 관한 대기 반송실이 적용된 기판 처리 장치의 개략 구성을 도시하는 평면도.
도 2는 도 1에 있어서의 선 II-II에 따른 단면도.
도 3은 도 2에 있어서의 제습 유닛의 개략 구성을 도시하는 단면도.
도 4는 도 1에 있어서의 선 IV-IV에 따른 단면도.
도 5는 에칭 후 처리를 도시하는 플로우 차트.
도 6은 본 발명의 제 2 실시의 형태에 관한 대기 반송실로서의 로더 모듈에 구비된 후처리실의 개략 구성을 도시하는 단면도.
도 7은 본 발명의 제 3 실시의 형태에 관한 대기 반송실로서의 로더 모듈의 개략 구성을 도시하는 단면도.
도 8은 본 발명의 제 4 실시의 형태에 관한 대기 반송실로서의 로더 모듈의 개략 구성을 도시하는 단면도.
도 9는 본 발명의 제 5 실시의 형태에 관한 대기 반송실로서의 로더 모듈의 개략 구성을 도시하는 단면도
도 10은 트렌치의 측면에 형성된 퇴적물막을 도시하는 도면.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
W 웨이퍼 10 기판 처리 장치
11 프로세스쉽 13, 71, 76, 80 로더 모듈
14 푸프 15 푸프 탑재대
17, 66 후처리실 19 반송아암 기구
20 로드 포트 25 프로세스 모듈
26 반송아암 28 ESC
34, 72 FFU 35 이오나이저
36 덕트팬 37, 74 팬 유닛
38 가열 유닛 39, 73 제습 유닛
40, 75 제진 유닛 41 대기 도입구
49 대기 배출구 50 CDA 커튼
53 전열 히터 54, 62, 67 본체
55 데시캔트 필터 59 공기 구멍
63, 68 웨이퍼 스테이지 64 고온 수증기 분출 노즐
65, 69 게이트 밸브 70 초임계 물질 공급 노즐
77 에어컨디셔너 모듈 78 덕트
79 에어컨디셔너 장치 81 반송실내 가열 유닛
본 발명은 대기 반송실, 피처리체의 처리 후 반송 방법, 프로그램 및 기억 매체에 관한 것으로, 특히, 할로겐계 가스의 플라즈마에 의한 처리가 실시된 피처리체를 반송하는 대기 반송실에 관한 것이다.
통상, 실리콘(Si)으로 이루어지는 피처리체로서의 반도체 디바이스용의 기판(이하, 「웨이퍼」라고 함)에 있어서, 게이트 전극 등을 형성하기 위해서 웨이퍼 상의 폴리 실리콘층을 에칭하여 트렌치(홈)를 형성하는 것이 실행되고, 폴리 실리콘층의 에칭에서는, 처리 가스로서 할로겐계 가스, 예컨대, 취화 수소 가스(HBr)나 염소 가스(C12)가 이용된다. 또한, 이 폴리 실리콘층의 에칭은 프로세스 챔버에 의해서 실행된다.
폴리 실리콘층의 에칭에서는, 처리 가스 중 플라즈마화 되지 않은 일부의 처리 가스와 웨이퍼의 실리콘이 반응하여 부식성 반응 생성물, 예컨대, 취화 규소(SiBr4)나 염화 규소(SiCl4)가 생성되고, 해당 생성된 부식성 반응 생성물은, 도 10에 도시하는 바와 같이 웨이퍼(100)의 게이트 전극(101) 사이에 있어서의 트렌치(102)의 측면에 부착하여 퇴적물막(패시베이션(Passivation))(103)을 형성한다. 이 퇴적물막(103)은, 웨이퍼(100)로부터 제조된 반도체 디바이스에 있어서 배선 저 항이나 배선 단락 등의 이상 요인이 되기 때문에, 제거할 필요가 있다.
종래부터, 퇴적물층을 제거하는 기판 처리 장치로서, 에칭 챔버(프로세스 챔버)와 부식 패시베이션 챔버를 구비하는 것이 알려져 있다. 이 기판 처리 장치에서는, 부식 패시베이션 챔버에서 웨이퍼를 고온 수증기에 노출시키는 것에 의해, 퇴적물층의 부식성 반응 생성물과 수증기를 반응시킨다. 이 때, 부식성 반응 생성물 중의 할로겐이 물에 의해서 환원되어 부식성 반응 생성물이 분해되기 때문에, 퇴적물층을 제거할 수 있다(예컨대, 특허 문헌 1 참조.).
그런데, 이 기판 처리 장치에서는 에칭 챔버에 의해서 에칭된 웨이퍼를 부식 패시베이션 챔버로 진공 반송하기 위해서, 해당 부식 패시베이션 챔버를 진공 중에 배치할 필요가 있고, 기판 처리 장치의 구성이 복잡해진다고 하는 문제가 있었다.
그래서, 최근, 프로세스 챔버에 접속된 대기 반송실인 로더 모듈에 부식성 반응 생성물의 제거실로서의 퍼지 스토리지 챔버가 접속된 기판 처리 장치가 개발되어 있다. 이 기판 처리 장치에서는, 퍼지 스토리지 챔버에 있어서, 반입된 웨이퍼를 대기에 폭로하여 부식성 반응 생성물과 대기 중의 물을 반응시켜, 이에 의해, 부식성 반응 생성물 중의 할로겐을 물에 의해서 환원하여 부식성 반응 생성물을 분해하여, 환원된 할로겐에 기인하여 발생하는 할로겐계의 산 가스, 예컨대, 염화수소(HCl)를 배출(퍼지)한다. 이 기판 처리 장치에 의하면, 그 구성을 간소히 할 수 있다.
[특허 문헌 1]일본 특허 공개 공보 제 2004-518768호
그러나, 상술한 퍼지 스토리지 챔버를 구비하는 기판 처리 장치에서는, 프로 세스 챔버에 의해서 에칭된 웨이퍼가 퍼지 스토리지 챔버내로 반입되기 전에, 로더 모듈내에서 반송되기 때문에, 웨이퍼의 부식성 반응 생성물과 로더 모듈내 대기 중의 물이 반응하여, 하기 식에 도시하는 바와 같이 할로겐계의 산 가스, 예컨대, HCl나 HBr이 발생한다.
SiBr4 + H2O → SiO2 + 4HBr↑
SiCl4 + H2O → SiO2 + 4HCl↑
이들 발생한 할로겐계의 산 가스는 금속, 예컨대, 스테인레스 스틸이나 알루미늄 등으로 이루어지는 로더 모듈의 내벽이나 해당 로더 모듈내에 배치된 웨이퍼 반송아의 표면을 부식하고, 내벽이나 표면을 산화물, 예컨대, Fe2O3나 Al2O3 등의 층으로 덮는다. 이들 산화물은, 웨이퍼 반송아암에 의한 웨이퍼의 반송에 기인하는 진동 등에 의해서 표면 등으로부터 박리하여, 파티클이 되어 웨이퍼의 표면에 부착하기 때문에, 해당 웨이퍼로부터 제조된 반도체 디바이스의 품질을 저하시킨다. 또한, 표면의 산화물층을 제거하기 위해서, 로더 모듈내를 정기적으로 청소해야할 필요가 있고, 기판 처리 장치의 가동률이 저하한다.
본 발명의 목적은, 피처리체로부터 제조되는 반도체 디바이스의 품질 저하를 방지할 수 있음과 동시에, 피처리체 처리 장치의 가동률을 향상시킬 수 있는 대기 반송실, 피처리체의 처리 후 반송 방법, 프로그램 및 기억 매체를 제공하는 것에 있다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 제 1 관점에 의하면, 할로겐계 가스의 플라즈마에 의해서 피처리체에 처리를 실시하는 피처리체 처리실에 접속되고, 내부에서 상기 피처리체를 반송하는 대기 반송실에서, 해당 대기 반송실 내부의 대기를 제습하는 제습 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 대기 반송실이 제공된다.
상기 대기 반송실에 있어서, 상기 제습 장치는 데시캔트 필터를 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 대기 반송실에 있어서, 상기 제습 장치는, 상기 대기 반송실의 내부로 도입되는 대기를 냉각하는 냉각 장치를 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 대기 반송실에 있어서, 상기 냉각 장치는 펠티에 소자를 가지는 것을 특징으로 한다.
상기 대기 반송실에 있어서, 상기 제습 장치는 에어컨디셔너를 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 대기 반송실에 있어서, 상기 피처리체에 부착한 할로겐계 가스의 반응 생성물을 제거하는 반응 생성물 제거실에 접속되고, 해당 반응 생성물 제거실은, 상기 피처리체에 부착한 반응 생성물 중의 할로겐을 환원하는 것을 특징으로 한다.
상기 대기 반송실에 있어서, 상기 반응 생성물 제거실은, 해당 실내에 고온 수증기를 공급하는 고온 수증기 공급 장치를 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 대기 반송실에 있어서, 상기 고온 수증기 공급 장치는, 상기 반응 생성물 제거실에 반입된 상기 피처리체를 향해서 상기 고온 수증기를 분출하고, 혹은, 상기 반응 생성물 제거실에 반입된 상기 피처리체를 상기 공급된 고온 수증기로 폭로하는 것을 특징으로 한다.
상기 대기 반송실에 있어서, 상기 반응 생성물 제거실은, 해당 실내에 초임계 상태의 물질을 공급하는 초임계 물질 공급 장치를 구비하고, 상기 초임계 상태의 물질은 물질을 녹이기 위해 사용되는 액체로서 반응 생성물 중의 할로겐을 환원하는 환원제를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 대기 반송실에 있어서, 상기 초임계 상태의 물질은, 이산화탄소, 희가스 및 물 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 대기 반송실에 있어서, 상기 환원제는, 물 또는 과산화수소수로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 대기 반송실에 있어서, 상기 피처리체를 수용하는 용기가 접속되는 용기 접속구와, 해당 용기 접속구를 향하여 제습된 대기를 분출하는 제습 대기 분출 장치를 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 대기 반송실에 있어서, 상기 대기 반송실의 내부에 이온을 공급하는 이온 공급 장치를 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 대기 반송실에 있어서, 상기 대기 반송실의 내부로 공급되는 대기를 가열하는 대기 가열 장치를 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 대기 반송실에 있어서, 상기 피처리체를 수용하는 용기를 탑재하는 용기 탑재대를 구비하고, 해당 용기 탑재대는 상기 용기를 가열하는 용기 가열 장치를 가지는 것을 특징으로 한다.
상기 대기 반송실은, 할로겐계 가스의 플라즈마에 의해서 피처리체에 처리를 실시하는 피처리체 처리실에 접속되어, 내부에 있어 상기 피처리체를 반송하는 대기 반송실에서, 상기 대기 반송실의 내부를 가열하는 실내 가열 장치를 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제 2 관점에 의하면, 할로겐계 가스의 플라즈마에 의해서 처리가 실시된 피처리체의 처리 후 반송 방법으로서, 제습된 대기 반송실의 내부에서 상기 피처리체를 반송하는 반송 스텝을 가지는 것을 특징으로 하는 피처리체의 처리 후 반송 방법이 제공된다.
본 발명의 제 3 관점에 의하면, 할로겐계 가스의 플라즈마에 의해서 처리가 실시된 피처리체의 처리 후 반송 방법을 컴퓨터로 실행시키는 프로그램으로서, 제습된 대기 반송실의 내부에서 상기 피처리체를 반송하는 반송 모듈을 가지는 것을 특징으로 하는 프로그램이 제공된다.
본 발명의 제 4 관점에 의하면, 할로겐계 가스의 플라즈마에 의해서 처리가 실시된 피처리체의 처리 후 반송 방법을 컴퓨터로 실행시키는 프로그램을 저장하는 컴퓨터가 판독 가능한 기억 매체로서, 상기 프로그램은, 제습된 대기 반송실의 내부에서 상기 피처리체를 반송하는 반송 모듈을 가지는 것을 특징으로 하는 기억 매체가 제공된다.
상기 기억 매체에 있어서, 상기 프로그램은, 상기 피처리체를 해당 피처리체에 부착한 할로겐계 가스의 반응 생성물을 제거하는 반응 생성물 제거실에 반입하는 반입 모듈과, 상기 반입된 피처리체에 부착한 반응 생성물 중의 할로겐을 환원 하는 환원 모듈을 가지는 것을 특징으로 한다.
상기 기억 매체에 있어서, 상기 프로그램은, 상기 반응 생성물 제거실의 실내에 고온 수증기를 공급하는 고온 수증기 공급 모듈을 가지는 것을 특징으로 한다.
상기 기억 매체에 있어서, 상기 프로그램은, 상기 반응 생성물 제거실의 실내에 초임계 상태의 물질을 공급하는 초임계 물질 공급 모듈을 가지고, 상기 초임계 상태의 물질은 물질을 녹이기 위해 사용되는 액체로서 반응 생성물 중의 할로겐을 환원하는 환원제를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 기억 매체에 있어서, 상기 프로그램은, 상기 대기 반송실의 습도에 따라 상기 대기 반송실의 내부에서 상기 피처리체의 반송 여부를 판정하는 판정 모듈을 가지는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명의 실시의 형태에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다.
도 1은, 본 발명의 제 1 실시의 형태에 관한 대기 반송실이 적용된 기판 처리 장치의 개략 구성을 도시하는 평면도이다.
도 1에 있어서, 기판 처리 장치(10)(피처리체 처리 장치)는, 반도체 디바이스용의 웨이퍼(이하, 간단히「웨이퍼」라고 함)(피처리체)(W)에 반응성 이온 에칭(이하, 「RIE」라고 함) 처리를 실시하는 2개의 프로세스쉽(11)과, 2개의 프로세스쉽(11)이 각각 접속된 직사각형 형상의 공통 반송실로서의 로더 모듈(13)(대기 반 송실)을 구비한다.
로더 모듈(13)에는, 상술한 프로세스쉽(11) 외에, 25장의 웨이퍼(W)를 수용하는 용기로서의 푸프(Front Opening Unified Pod)(14)가 각각 탑재되는 3개의 푸프 탑재대(15)(용기 탑재대)와, 푸프(14)로부터 반출된 웨이퍼(W)의 위치를 프리얼라인먼트(prealignment)하는 오리엔터(orienter)(16)와, RIE 처리가 실시된 웨이퍼(W)의 후처리를 실행하는 후술하는 후처리실(After Treatment Chamber)(17)이 접속되어 있다.
2개의 프로세스쉽(11)은, 로더 모듈(13)의 길이 방향에 있어서의 측벽에 접속됨과 동시에 로더 모듈(13)을 사이에 두고 3개의 푸프 탑재대(15)와 대향하도록 배치되고, 오리엔터(16)는 로더 모듈(13)의 길이 방향에 있어서의 한쪽 단부에 배치되고, 후처리실(17)은 로더 모듈(13)의 길이 방향에 있어서의 다른 쪽 단부에 배치된다.
로더 모듈(13)은, 내부에 배치된, 웨이퍼(W)를 반송하는 스칼라형 듀얼아암 타입(dual arm type)의 반송아암 기구(19)와, 각 푸프 탑재대(15)에 대응하도록 측벽에 배치된 웨이퍼(W)의 투입구로서의 3개의 로드 포트(용기 접속구)(20)를 가진다. 반송아암 기구(19)는, 푸프 탑재대(15)에 탑재된 푸프(14)로부터 웨이퍼(W)를 로드 포트(20)를 거쳐서 반출하고, 해당 반출한 웨이퍼(W)를 프로세스쉽(11), 오리엔터(16)나 후처리실(17)로 반출입한다.
프로세스쉽(11)은, 웨이퍼(W)에 RIE 처리를 실시하는 진공 처리실로서의 프로세스 모듈(피처리체 처리실)(25)과, 해당 프로세스 모듈(25)에 웨이퍼(W)를 전달 하는 링크형 싱글픽 타입의 반송아암(26)을 내장하는 로드록 모듈(27)을 가진다.
프로세스 모듈(25)은, 원통 형상의 처리실 용기와, 해당 챔버내에 배치된 상부 전극 및 하부 전극을 가지고, 해당 상부 전극 및 하부 전극간의 거리는 웨이퍼(W)에 RIE 처리를 실시하기 위한 적절한 간격으로 설정되어 있다. 또한, 하부 전극은 웨이퍼(W)를 쿨롱힘 등에 의해서 척킹(chucking)하는 ESC(28)를 그 정부(頂部)에 가진다.
프로세스 모듈(25)에서는, 챔버 내부에 처리 가스, 예컨대, 취화 수소 가스나 염소 가스를 도입하고, 상부 전극 및 하부 전극 사이에 전기장을 발생시키는 것에 의해 도입된 처리 가스를 플라즈마화하여 이온 및 래디컬을 발생시켜, 해당 이온 및 래디컬에 의해서 웨이퍼(W)에 RIE 처리를 실시하고, 웨이퍼(W) 상의 폴리 실리콘층을 에칭한다.
로더 모듈(13) 내부의 압력은 대기압으로 유지되는 한편, 프로세스 모듈(25)의 내부 압력은 진공으로 유지된다. 그 때문에, 로드록 모듈(27)은, 프로세스 모듈(25)과의 연결부에 진공 게이트 밸브(29)를 구비함과 동시에, 로더 모듈(13)과의 연결부에 대기 게이트 밸브(30)를 구비하는 것에 의해, 그 내부 압력이 조정 가능한 진공 예비 반송실로서 구성된다.
로드록 모듈(27)의 내부에는, 대략 중앙부에 반송아암(26)이 설치되고, 해당 반송아암(26)으로부터 프로세스 모듈(25)측에 제 1 버퍼(31)가 설치되고, 반송아암(26)으로부터 로더 모듈(13)측에는 제 2 버퍼(32)가 설치된다. 제 1 버퍼(31) 및 제 2 버퍼(32)는, 반송아암(26)의 선단부에 배치된 웨이퍼(W)를 지지하는 지지부( 픽)(33)가 이동하는 궤도상에 배치되고, RIE 처리가 실시된 웨이퍼(W)를 일시적으로 지지부(33) 궤도의 상방으로 대피시키는 것에 의해, RIE 미처리 웨이퍼(W)와 RIE 처리가 끝난 웨이퍼(W)의 프로세스 모듈(25)에 있어서의 원활한 교체를 가능하게 한다.
또한, 기판 처리 장치(10)는, 프로세스쉽(11), 로더 모듈(13), 오리엔터(16) 및 후처리실(17)(이하, 합쳐서「각 구성 요소」라고 함)의 동작을 제어하는 시스템 컨트롤러(도시하지 않음)와, 로더 모듈(13)의 길이 방향에 있어서의 한쪽 단부에 배치된 오퍼레이션 콘트롤러(88)를 구비한다.
시스템 컨트롤러는, RIE 처리나 웨이퍼(W)의 반송 처리에 대응하는 프로그램으로서의 레시피에 따라 각 구성 요소의 동작을 제어하고, 오퍼레이션 콘트롤러(88)는, 예컨대 LCD(Liquid Crysta1 Display)로 이루어지는 표시부를 가지고, 해당 표시부는 각 구성 요소의 동작 상황을 표시한다.
도 2는, 도 1에 있어서의 선 II-II에 따른 단면도이다. 또한, 도 2에서는, 도면 중 상방을「상측」이라고 칭하고, 도면 중 하방을「하측」이라고 칭한다.
도 2에 있어서, 로더 모듈(13)은, 그 내부에 있어서, 상측에 배치된 FFU(Fan Filter Unit)(34)와, 푸프 탑재대(15)에 탑재된 푸프(14)에 대응하는 높이에 배치된 반송아암 기구(19)와, 양음 이온을 공급하는 이오나이저(35)(이온 공급 장치)와, 하측에 배치된 덕트팬(36)을 구비한다. 또한, FFU(34)의 상측에 있어서의 로더 모듈(13)의 측면에는 복수의 관통 구멍으로 이루어지는 대기 도입구(41)가 배치된다.
FFU(34)는, 상측으로부터 순서대로 배치되는, 팬 유닛(37), 가열 유닛(대기 가열 장치)(38), 제습 유닛(제습 장치)(39) 및 제진 유닛(40)으로 이루어진다.
팬 유닛(37)은 하측을 향해서 대기를 송출하는 팬(도시하지 않음)을 내장하고, 가열 유닛(38)은 팬 유닛(37)으로부터 송출된 대기를 가열하는 펠티에 소자(도시하지 않음)를 내장하고, 제습 유닛(39)은 가열 유닛(38)을 통과한 대기를 제습하는 후술하는 데시캔트(desiccant) 필터(55)를 내장하고, 제진 유닛(40)은 제습 유닛(39)을 통과한 대기중의 먼지와 쓰레기를 집진하는 필터(도시하지 않음)를 내장한다.
가열 유닛(38)에 내장되는 펠티에 소자는, 직류 전류에 의해 냉각/가열, 즉 온도 제어를 자유롭게 실행하는 반도체 소자이다. 이 펠티에 소자에 직류 전류를 흐르게 하면, 해당 소자의 양면에 온도차가 발생함과 동시에, 소자의 저온측에서 흡열하고, 소자의 고온측에서 발열한다. 즉, 펠티에 소자는 해당 소자에 접촉하는 물질 등의 냉각/가열을 실행할 수 있다. 또한, 펠티에 소자는, 종래의 가열 장치나 냉각 장치와 같이, 압축기(컴프레서)나 냉매(플론 등)를 필요로 하지 않기 때문에, 소형화 및 경량화가 가능하고, 환경에 대한 악영향이 없다.
FFU(34)는, 이상의 구성에 의해, 대기 도입구(41)을 거쳐서 로더 모듈(13)의 내부 상측에 도입된 대기를 가열, 제습, 제진하여, 로더 모듈(13)의 내부 하측에 공급한다. 이에 의해, 로더 모듈(13) 내부의 대기는 제습된다.
반송아암 기구(19)는, 확장과 수축이 가능하도록 구성된 다관절 형상의 반송아암 완부(腕部)(42)와, 해당 반송아암 완부(42)의 선단에 부착된 픽(43)을 가지 고, 해당 픽(43)은 웨이퍼(W)를 탑재하도록 구성되어 있다. 또한, 반송아암 기구(19)는, 확장과 수축이 가능하도록 구성된 다관절 팔 형상의 맵핑아암(44)을 가지고 있고, 해당 맵핑아암(44)의 선단에는, 예컨대, 레이저광을 발하여 웨이퍼(W)의 유무를 확인하는 맵핑 센서(도시하지 않음)가 배치되어 있다. 이들 반송아암 완부(42)와 맵핑아암(44)의 각 기단은, 반송아암 기구(19)의 베이스부(45)로부터 세워 설치된 아암 기단부 지주(46)에 따라 승강하는 승강부(47)에 연결되어 있다. 또한, 해당 아암 기단부 지주(46)는 선회가 가능하도록 구성되어 있다.
푸프(14)에 수용되어 있는 웨이퍼(W)의 위치 및 수를 인식하기 위해서 실행하는 맵핑 조작에서는, 맵핑아암(44)이 연장된 상태로, 해당 맵핑아암(44)이 상승 혹은 하강하는 것에 의해, 푸프(14)내에서의 웨이퍼(W)의 위치 및 매수를 확인한다.
반송아암 기구(19)는, 반송아암 완부(42)에 의해서 굴신이 자유로우며, 아암 기단부 지주(46)에 의해서 선회가 자유롭기 때문에, 픽(43)에 탑재한 웨이퍼(W)를, 푸프(14), 프로세스쉽(11), 오리엔터(16)나 후처리실(17)의 사이에서 자유롭게 반송할 수 있다.
이오나이저(35)는, 대략 원통 형상의 외측 전극(48)과, 해당 외측 전극(48) 내부의 중앙에 마련된 내측 전극(도시하지 않음)을 구비하고, 외측 전극(48) 및 내측 전극의 사이에 교류 전압을 인가하면서, 가스 공급원(도시하지 않음)으로부터 예컨대 N2 가스를 공급하여 외측 전극(48)내에 흐르게 함으로써 이온을 발생시켜 해 당 이온을 로더 모듈(13)의 내부에 공급한다.
통상, 주변 분위기가 제습되면 웨이퍼(W)는 대전하기 쉬워져, 대전된 전하에 의해서 이상 방전 등이 발생하여 웨이퍼(W)를 손상시킬 우려가 있다. 이것에 대응하여, 이오나이저(35)는, 발생한 이온을 픽(43)에 탑재된 웨이퍼(W)의 표면에 분사하여, 이에 의해, 웨이퍼(W)에 대전한 전하를 제거하여, 웨이퍼(W)가 손상하는 것을 방지한다.
덕트팬(36)은, 로더 모듈(13)의 저면에 천공된 복수의 관통 구멍인 대기 배출구(49)에 대향하여 배치되고, 로더 모듈(13) 내부의 대기를 대기 배출구(49)를 거쳐서 로더 모듈(13)의 외부로 배출한다.
푸프 탑재대(15)는, 푸프(14)를 탑재하는 탑재면(15a)의 바로 아래에 전열 히터(53)(용기 가열 장치)를 내장하여, 푸프 탑재대(15)에 탑재된 푸프(14)를 가열한다.
또한, FFU(34)의 하측에는 FFU(34)으로부터 공급된 대기를 로더 모듈(13)의 측면에 배치된 로드 포트(20)를 향하여 분출하는 덕트 형상의 CDA(Clean Dry Air) 커튼(50)(제습 대기 분출 장치)이 배치된다. CDA 커튼(50)이 분출하는 대기는, 상술한 FFU(34)가 공급하는 대기와 동일하게, 가열, 제습, 제진되고 있다. 이 CDA 커튼(50)은, 로드 포트(20)를 거쳐서 푸프(14)내에 가열, 제습된 대기를 공급하기 때문에, 푸프(14)내를 건조 상태로 유지하여, 해당 푸프(14)로부터 로더 모듈(13)의 내부로 물이 침입하는 것을 방지한다.
도 3은, 도 2에 있어서 제습 유닛의 개략 구성을 도시하는 단면도이다. 또 한, 도 3에서는, 도면 중 상방을「상측」이라고 칭하고, 도면 중 하방을「하측」이라고, 도면 중 좌방을「좌측」이라고, 도면 중 우방을「우측」이라고 칭한다.
도 3에 있어서, 제습 유닛(39)은, 하우징 형상의 본체(54)와, 해당 본체(54)내에 배치된 벌집 구조를 가지는 로터 형상의 데시캔트 필터(55)를 구비한다. 본체(54)의 상면 및 하면에는 복수의 공기 구멍(59)이 배치되어 있기 때문에 본체(54)내의 공간에서, 팬 유닛(37)에 의해서 상측으로부터 송출된 대기는 데시캔트 필터(55)를 통과하여 하측으로 송출된다. 해당 하측으로 송출된 대기는 제진 유닛(40)을 경유하여 로더 모듈(13)의 내부로 공급되고, 덕트팬(36)에 의해 대기 배출구(49)를 거쳐서 로더 모듈(13) 외부로 배출된다.
데시캔트 필터(55)는 실리카겔에 의해서 구성되어 있다. 실리카겔은 다수의 가는 구멍을 가지고, 수분자를 포함하는 대기를 실리카겔에 접촉시켰을 때, 실리카겔의 가는 구멍 내벽에 존재하는 수산기(실라놀 그룹)의 작용 및 가는 구멍의 모세관 응축에 의해서 공기중에 포함되는 수분자를 흡착한다. 따라서, 데시캔트 필터(55)는 팬 유닛(37)에 의해서 상측으로부터 송출된 대기를, 본체(54)내의 공간에서 제습한다.
여기서, 데시캔트 필터(55)의 도면 중 좌우 방향으로의 길이는, 본체(54)내 공간의 도면 중 좌우 방향으로의 폭과 거의 동일하다. 따라서, 데시캔트 필터(55)는 본체(54)내의 공간을 통과하는 대기를 구석구석까지 제습할 수 있다.
도 4는, 도 1에 있어서의 선 IV-IV에 따른 단면도이다. 또한, 도 4에서는, 도면 중 상방을「상측」이라고 칭하고, 도면 중 하방을「하측」이라고 칭한다.
도 4에 있어서, 후처리실(17)(반응 생성물 제거실)은, 하우징 형상의 본체(62)와, 해당 본체(62)내의 하측에 배치되고 또한 웨이퍼(W)를 탑재하는 웨이퍼 스테이지(63)와, 본체(62)내의 상측에 배치되고 또한 웨이퍼 스테이지(63)에 대향하는 고온 수증기 분출 노즐(64)(고온 수증기 공급 장치)과, 웨이퍼 스테이지(63)에 탑재된 웨이퍼(W)의 위치에 대응하여 본체(62)의 측면에 배치된 개폐가 자유로운 게이트 밸브(65)와, 본체(62)내의 대기나 가스를 외부로 퍼지하는 퍼지 장치(도시하지 않음)를 구비한다. 또한, 후처리실(17)은 게이트 밸브(65)를 거쳐서 로더 모듈(13)과 접속되고, 후처리실(17)의 내부는 게이트 밸브(65)가 개방되었을 때에 로더 모듈(13)의 내부와 연통한다.
후처리실(17)에서는, 우선, 프로세스 모듈(25)에서 취화 수소 가스나 염소 가스에 근거하는 플라즈마에 의해서 폴리 실리콘층이 에칭된 웨이퍼(W)가, 반송아암 기구(19)에 의해서 게이트 밸브(65)를 경유하여 반입되어 웨이퍼 스테이지(63) 상에 탑재된다.
이어서, 게이트 밸브(65)가 폐쇄되어, 본체(62)내의 퍼지가 시작된다. 그 후, 고온 수증기 분출 노즐(64)이 웨이퍼(W)를 향해서 고온 수증기를 분출한다. 이 때, 상기한 에칭시에 웨이퍼(W) 상에 발생한 부식성 반응 생성물, 예컨대, SiBr4나 SiCl4와 고온 수증기가 반응하여, 부식성 반응 생성물 중의 할로겐은 환원되어 가스, 예컨대, HBr이나 HCl이 되어 방출되기 때문에, 부식성 반응 생성물은 분해된다. 또한, 방출된 HBr이나 HCl는 퍼지 장치에 의해서 본체(62)의 외부로 강제적으 로 배출되기 때문에, 본체(62)내의 표면이나 웨이퍼 스테이지(63)의 표면 등은 부식되는 일이 없다.
이어서, 고온 수증기 분출 노즐(64)이 고온 수증기의 분출을 정지하고, 게이트 밸브(65)가 개방되어, 반송아암 기구(19)가 웨이퍼 스테이지(63)에 탑재된 웨이퍼(W)를 반출한다.
이상에 의해, 후처리실(17)은 웨이퍼(W) 상에 발생한 부식성 반응 생성물을 제거한다. 후처리실(17)은, 특히, 웨이퍼(W)를 향하여 고온 수증기를 분출하는 고온 수증기 분출 노즐(64)을 구비하기 때문에, 부식성 반응 생성물과 고온 수증기의 접촉을 확실히 실행하게 하여, 부식성 반응 생성물 중 할로겐의 환원을 촉진하여 해당 부식성 반응 생성물의 분해를 촉진한다.
또한, 상술한 후처리실(17)은, 고온 수증기 분출 노즐(64)을 구비하고 있으나, 고온 수증기 분출 노즐(64) 대신에 본체(62)의 내부에 고온 수증기를 공급하여 해당 내부를 고온 수증기로 충전하는 고온 수증기 충전 장치를 구비하고 있어도 좋고, 이 경우, 본체(62) 내부에 반입된 웨이퍼(W)는 고온 수증기에 폭로되어, 웨이퍼(W) 상에 발생한 부식성 반응 생성물이 제거된다.
이어서, 기판 처리 장치(10)에서 실행되는 에칭 후 처리 방법(피처리체의 처리 후 반송 방법)에 대하여 설명한다. 본 처리는, 프로세스 모듈(25)에 있어서 취화 수소 가스나 염소 가스에 근거하는 플라즈마에 의해서 웨이퍼(W)에 에칭이 실시된 뒤에, 반송용 프로그램인 반송 레시피에 따라 상기 시스템 컨트롤러가 실행한다.
도 5는, 에칭 후 처리를 도시하는 플로우 차트이다.
도 5에 있어서, 우선, FFU(34)에 의해서 로더 모듈(13)의 내부를 제습하고(스텝(S51)), 소정의 시간이 경과한 후, 로더 모듈(13)의 내부 습도가 소정값 이하에 달했는지 아닌지를 판정한다(스텝(S52)).
로더 모듈(13)의 내부 습도가 소정값보다 높은 경우에는, 스텝(S51)으로 되돌아가 로더 모듈(13) 내부의 제습을 계속하고, 로더 모듈(13) 내부의 습도가 소정값 이하인 경우에는, 반송아암 기구(19)는 에칭 처리가 실시된 웨이퍼(W)를 프로세스쉽(11)으로부터 로더 모듈(13)의 내부로 반입하고, 해당 웨이퍼(W)를 대기압으로 유지되어 있는 로더 모듈(13)의 내부에서 후처리실(17)을 향하여 반송한다(반송 스텝)(스텝(S53)). 이 때, 로더 모듈(13)의 내부는 제습되어 있기 때문에, 웨이퍼(W)는 제습된 대기중에서 반송된다. 따라서, 웨이퍼(W) 상에 발생한 부식성 반응 생성물은 로더 모듈(13)의 내부에서 물과 반응하는 일이 없어, 웨이퍼(W)로부터 HBr이나 HCl이 발생하는 일은 없다.
그 후, 웨이퍼(W)는 후처리실(17)에 반입되어, 해당 후처리실(17)은, 반입된 웨이퍼(W)를 향해서 고온 수증기 분출 노즐(64)로부터 고온 수증기를 분출하여(스텝(S54)), 웨이퍼(W) 상의 부식성 반응 생성물을 제거한다.
이어서, 반송아암 기구(19)는 부식성 반응 생성물이 제거된 웨이퍼(W)를 후처리실(17)로부터 반출하고, 해당 웨이퍼(W)를 대기압으로 유지되어 있는 로더 모듈(13)의 내부에서 푸프(14)를 향해서 반송하고(스텝(S55)), 또한 푸프(14)의 내부에 저장한다(스텝(S56)).
상술한 본 실시의 형태에 관한 대기 반송실로서의 로더 모듈(13) 및 도 5의 처리에 의하면, 취화 수소 가스나 염소 가스에 근거하는 플라즈마에 의해서 에칭 처리가 실시된 웨이퍼(W)를 반송하는 로더 모듈(13)의 내부가 제습되어, 해당 웨이퍼(W)가 제습된 대기중에서 반송되기 때문에, 웨이퍼(W)에 부착한 부식성 반응 생성물과 물이 반응하는 일은 없고, 이에 의해, 웨이퍼(W)로부터의 HBr이나 HCl의 발생을 방지할 수 있다. 그 결과, 스테인레스 스틸이나 알루미늄 등으로 이루어진 로더 모듈의 내벽의 부식을 방지하여, 내벽이나 표면을 산화물, 예컨대, Fe2O3나 Al2O3 등의 층으로 덮히는 것을 방지한다, 이로 인해, 웨이퍼(W)로부터 제조되는 반도체 디바이스의 품질 저하를 방지할 수 있음과 동시에, 기판 처리 장치(10)의 가동률을 향상시킬 수 있다.
또한, 도 5의 처리에 의하면, 로더 모듈(13)의 습도에 따라 로더 모듈(13)의 내부에서 웨이퍼(W)의 반송 여부를 판정하기 때문에, 로더 모듈(13)의 내부에서 웨이퍼(W)에 부착한 부식성 반응 생성물과 물이 반응하는 것을 보다 확실히 방지할 수 있다.
로더 모듈(13)내의 FFU(34)는 제습 유닛(39)을 구비하고, 해당 제습 유닛(39)은 실리카겔에 의해서 구성되는 데시캔트 필터(55)를 구비하기 때문에, 로더 모듈(13)의 내부를 효율적으로 제습할 수 있다. 또한, 데시캔트 필터(55)는 제습중에 재생이 가능하기 때문에, 데시캔트 필터(55)는 장기간에 걸쳐 로더 모듈(13)의 내부를 제습할 수 있고, 이로 인해, 기판 처리 장치(10)의 가동률을 더욱 향상 할 수 있다.
상술한 제습 유닛(39)은 FFU(34)에 구비되고, 해당 FFU(34)은 로더 모듈(13)에 내장되기 때문에, 로더 모듈(13)의 외부에 장치를 부가할 필요가 없고, 로더 모듈(13)의 외형이 변하는 일이 없기 때문에, 공장내에서 로더 모듈(13)의 배치를 변경하지 않아도 된다.
상술한 로더 모듈(13)에 접속된 후처리실(17)은, 반입된 웨이퍼(W)를 향해서 고온 수증기 분출 노즐(64)로부터 고온 수증기를 분출하여 웨이퍼(W)에 부착한 부식성 반응 생성물 중의 할로겐을 환원하므로, 부식성 반응 생성물을 분해하여 제거할 수 있고, 이로 인해, 웨이퍼(W)로부터 제조되는 반도체 디바이스의 이상 발생을 방지할 수 있다.
또한, 후처리실(17)은, 해당 실내에 고온 수증기를 공급하는 고온 수증기 분출 노즐(64)을 구비하기 때문에, 부식성 반응 생성물과 고온 수증기의 접촉을 확실히 실행하게 하여 부식성 반응 생성물 중의 할로겐의 환원을 촉진할 수 있고, 이로 인해 부식성 반응 생성물의 분해를 촉진할 수 있다.
로더 모듈(13)은, 그 측면에 배치된 로딩 포트(20)와, FFU(34)의 하측에 배치되고 또한 로딩 포트(20)를 향해서 제습된 대기를 분출하는 CDA 커튼(50)을 구비하기 때문에, 푸프(14)내를 건조 상태로 유지하는 것에 의해, 푸프(14)내로부터 로더 모듈(13)로 물이 침입하는 것을 방지할 수 있고, 이로 인해, 로더 모듈(13)의 내부에서 웨이퍼(W)에 부착한 부식성 반응 생성물과 물이 반응하는 것을 확실히 방지할 수 있다.
또한, 로더 모듈(13)은, 로더 모듈(13)의 내부에 양음 이온을 공급하는 이오나이저(35)를 구비하기 때문에, 로더 모듈(13)의 내부가 제습되는 것에 의해 대전하기 쉽게 된 웨이퍼(W)의 전하를 공급한 이온에 의해서 제거할 수 있고, 이로 인해, 웨이퍼(W)로부터 제조되는 반도체 디바이스의 품질 저하를 확실히 방지할 수 있다.
로더 모듈(13)에 접속된 푸프 탑재대(15)는, 푸프(14)를 가열하는 전열 히터(53)를 가지므로, 푸프(14)내의 수분을 확실히 제거할 수 있고, 푸프(14)내로부터 로더 모듈(13)로의 물의 침입을 확실히 방지할 수 있다.
또한, 상술한 기판 처리 장치(10)에 있어서, 예컨대, 후처리실(17)에 의해서 웨이퍼(W) 상의 부식성 반응 생성물이 완전히 제거되어 있지 않은 경우라도, 후처리실(17)로부터 반출된 웨이퍼(W)는 제습되어 있는 로더 모듈(13)의 내부, 즉, 제습된 대기중에서 반송되기 때문에, 로더 모듈(13)의 내부에서 HBr이나 HCl이 발생하는 일은 없고, 게다가, 푸프(14)는 푸프 탑재대(15)가 내장하는 전열 히터(53)에 의해서 가열되어 있기 때문에, 푸프(14)내에서 물의 웨이퍼(W)에의 부착을 방지하여, 부식성 반응 생성물과 물의 반응을 방지할 수 있다.
또한, 로더 모듈(13)은 로더 모듈(13)의 내부에 공급되는 대기를 가열하는 가열 유닛(38)을 구비하므로, 웨이퍼(W)에 부착한 부식성 반응 생성물과 물이 반응하여 발생한 HCl 등을 항상 증발시켜, 해당 HCl의 로더 모듈(13)의 내벽이나 해당 로더 모듈(13)내에 배치된 장치의 표면에의 부착을 방지할 수 있다. 이에 의해, 로더 모듈(13)의 내부에서 산화물의 발생을 보다 확실히 방지할 수 있다.
또한, 상술한 로더 모듈(13)이 구비하는 이오나이저(35), CDA 커튼(50), 가열 유닛(38) 및 전열 히터(53)는, 직접적으로 로더 모듈(13)의 내부를 제습하는 것이 아니므로, 로더 모듈(13)은 이들 구성 요소를 구비하고 있지 않아도 좋다.
다음에, 본 발명의 제 2 실시의 형태에 관한 대기 반송실에 대하여 설명한다.
본 실시의 형태는, 그 구성, 작용이 상술한 제 1 실시의 형태와 기본적으로 동일하고, 웨이퍼(W) 상의 부식성 반응 생성물을 제거하기 위해서, 고온 수증기가 아니라, 초임계 상태의 물질을 이용하는 점에서 다를 뿐이다. 구체적으로는, 로더 모듈(13)은 후처리실(17) 대신에 후술하는 후처리실(66)을 구비하는 점에서 제 1 실시의 형태와 다르다. 따라서, 중복한 구성, 작용에 대해서는 설명을 생략하고, 이하에 다른 구성, 작용에 대하여 설명을 한다.
도 6은, 본 발명의 제 2 실시의 형태에 관한 대기 반송실로서의 로더 모듈에 구비된 후처리실의 개략 구성을 도시하는 단면도이다.
도 6에 있어서, 후처리실(66)(반응 생성물 제거실)은, 하우징 형상의 본체(67)와, 해당 본체(67)내의 하측에 배치되고 또한 웨이퍼(W)를 탑재하는 웨이퍼 스테이지(68)와, 해당 웨이퍼 스테이지(68) 상에 탑재된 웨이퍼(W)를 향해서 후술하는 초임계 물질을 공급하는 초임계 물질 공급 노즐(초임계 물질 공급 장치)(70)과, 웨이퍼 스테이지(68)에 탑재된 웨이퍼(W)의 위치에 대응하여 본체(67)의 측면에 배치된 개폐가 자유로운 게이트 밸브(69)와, 본체(67)내의 대기나 가스를 외부로 퍼지하는 퍼지 장치(도시하지 않음)와, 본체(67)의 내부를 가열하는 히터(도시하지 않음)를 구비한다. 또한, 후처리실(66)은 게이트 밸브(69)를 거쳐서 로더 모듈(13)과 접속되어, 후처리실(66)의 내부는 게이트 밸브(69)가 개방되었을 때에 로더 모듈(13)의 내부와 연통한다.
초임계 물질 공급 노즐(70)이 공급하는 초임계 물질은 초임계 상태인 물질이며, 초임계 상태란, 어떤 물질의 기체 혹은 액체가, 기체와 액체가 공존할 수 있는 한계의 온도·압력(임계점)을 넘어 소정의 고온·고압 상태에 달했을 때에, 기체와 액체의 밀도가 동일하게 되어 2상(기상·액상)이 구별할 수 없게 되어, 기액의 경계면이 소실한 상태이다. 해당 초임계 상태의 물질은 2상의 특성을 더불어 가지기 때문에, 초임계 상태의 물질로 이루어지는 유체(이하, 「초임계 유체」라고 함)는, 기상 상태의 특성에 의해서 웨이퍼(W)의 표면에 형성된 반도체 디바이스가 미세한 움푹 파인 곳, 예컨대, 트렌치(홈)로 침입하여, 해당 트렌치의 측면에 부착하는 부식성 반응 생성물과 구석구석까지 접촉한다.
초임계 유체를 형성하는 물질로서는, H2O(물), CO2, 희가스(예컨대, Ar(아르곤), Ne(네온), He(헬륨)), NH3(암모니아), CH4(메탄), C3H8(프로판), CH3OH(메탄올), 또는 C2H5OH(에탄올) 등이 있고, 예컨대, CO2는 31.1℃, 7.37 MPa의 조건하에서 초임계 상태에 달한다.
후처리실(66)에서는, 초임계 물질 공급 노즐(70)로부터 공급된 초임계유체가 초임계 상태를 유지할 수 있도록, 퍼지 장치에 의해서 본체(67)의 내압이 고압으로 유지되고, 히터에 의해서 본체(67)의 내부가 고온으로 유지된다. 구체적으로는, 초임계유체가 CO2로 이루어지는 경우, 본체(67)의 내부는 31.1℃~50℃로 유지되고, 본체(67)의 내압은 약 7.37 MPa이상으로 유지된다.
또한, 초임계 물질 공급 노즐(70)로부터 공급되는 초임계 유체는, 부식성 반응 생성물의 물질을 녹이기 위해 사용되는 액체로서 할로겐 환원제, 예컨대, 물이나 과산화 수소수(H2O2)를 포함한다. 이들 물질을 녹이기 위해 사용되는 액체는 초임계 유체에 의해서 운반되어 웨이퍼(W)의 표면에 형성된 반도체 디바이스의 트렌치에 달한다.
후처리실(66)에서는, 우선, 프로세스 모듈(25)에 있어서 취화 수소 가스나 염소 가스에 근거하는 플라즈마에 의해서 폴리 실리콘층이 에칭된 웨이퍼(W)가, 반송아암 기구(19)에 의해서 게이트 밸브(69)를 경유하여 반입되어 웨이퍼 스테이지(68) 상에 탑재된다.
이어서, 게이트 밸브(69)가 폐쇄되고, 본체(67)내의 퍼지가 시작된다. 그 후, 초임계 물질 공급 노즐(70)이 웨이퍼(W)를 향해서 초임계 유체를 공급한다. 초임계 유체는 미세한 트렌치에 침입하기 때문에, 초임계 유체 중 할로겐 환원제도 트렌치에 침입하여, 트렌치의 측면에 부착하는 부식성 반응 생성물과 접촉한다. 여기서, 상술한 바와 같이 본체(67)의 내부는 고압으로 유지되기 때문에, 할로겐 환원제와 부식성 반응 생성물의 반응이 촉진된다. 이에 따라, 트렌치내의 부식성 반응 생성물, 예컨대, SiBr4나 SiCl4와 할로겐 환원제가 반응하여, 부식성 반응 생성물 중 할로겐은 환원되어 가스, 예컨대, HBr이나 HCl이 되어 방출되기 때문에, 부식성 반응 생성물은 분해된다. 또한, 방출된 HBr이나 HCl는 초임계 유체의 액상 상태의 특성에 의해, 초임계 유체에 인입되어 트렌치로부터 제거된다.
또한, 방출된 HBr이나 HCl는 퍼지 장치에 의해서 본체(67)의 외부에 강제적으로 배출되기 때문에, 본체(69)의 내표면이나 웨이퍼 스테이지(68)이 표면 등은 부식되는 일은 없다.
이어서, 초임계 물질 공급 노즐(70)이 초임계 유체의 공급을 정지하고, 게이트 밸브(69)가 개방되어, 반송아암 기구(19)가 웨이퍼 스테이지(68)에 탑재된 웨이퍼(W)를 반출한다.
상술한 본 실시의 형태에 이러한 대기 반송실로서의 로더 모듈에 의하면, 로더 모듈(13)은 후처리실(66)을 구비하고, 후처리실(66)은 반입된 웨이퍼(W)를 향해서 초임계 물질 공급 노즐(70)로부터 할로겐 환원제를 포함하는 초임계 유체를 공급한다. 초임계 유체는 기상 상태 및 액상 상태의 특성을 가지기 때문에, 기상 상태의 특성에 의해서 웨이퍼(W)의 표면에 형성된 반도체 디바이스의 트렌치 내부까지 할로겐 환원제를 침입시켜, 해당 트렌치의 측면에 부착한 부식성 반응 생성물 중 할로겐의 환원을 촉진하여 부식성 반응 생성물을 분해할 수 있고, 또한, 액상 상태의 특성에 의해서 분해된 부식성 반응 생성물로부터 발생하는 HBr이나 HCl를 인입한다. 이에 의해, 부식성 반응 생성물의 제거를 확실히 실행할 수 있다.
또한, 초임계 물질 공급 노즐(70)이 공급하는 초임계 상태의 물질은, 이산화탄소, 희가스 및 물 중 어느 하나로 이루어지기 때문에, 쉽게 초임계 상태를 실현할 수 있고, 이로 인해 부식성 반응 생성물의 제거를 쉽게 실행할 수 있다. 또한, 초임계 유체가 포함하는 환원제는, 물 또는 과산화수소수로 이루어지기 때문에, 부식성 반응 생성물 중 할로겐의 환원을 보다 촉진할 수 있다.
다음에, 본 발명의 제 3 실시의 형태에 관한 대기 반송실에 대하여 설명한다.
본 실시의 형태는, 그 구성, 작용이 상술한 제 1 실시의 형태와 기본적으로 동일하고, FFU의 구조만 다르다. 구체적으로는, FFU는 제습 유닛을 구비하지 않고, 제습 유닛이 로더 모듈의 외부에 배치되는 점에서 제 1 실시의 형태와 다르다. 따라서, 중복한 구성, 작용에 대해서는 설명을 생략하고, 이하의 다른 구성, 작용에 대하여 설명을 한다.
도 7은, 본 실시의 형태에 관한 대기 반송실로서의 로더 모듈의 개략 구성을 도시하는 단면도이다.
도 7에 있어서, 로더 모듈(71)은, 그 내부에 있어서, 상측에 배치된 FFU(72)와, 반송아암 기구(19)와, 이오나이저(35)와, 하측에 배치된 덕트팬(36)을 구비하고, FFU(72)의 상측에 있어서의 로더 모듈(71)의 측면에는 대기 도입구(41)가 배치된다. 또한, 로더 모듈(71)은, 그 측벽의 외측에서 대기 도입구(41)와 대향하도록 배치되어 있는 제습 유닛(73)(제습 장치)을 또한 구비한다.
FFU(72)는, 상측으로부터 순서대로 배치되는, 팬 유닛(74) 및 제진 유닛(75)으로 이루어진다. 팬 유닛(74)은 하측을 향해서 대기를 송출하는 팬(도시하지 않음)을 내장하고, 제진 유닛(75)은 팬 유닛(74)으로부터 송출되는 대기중의 먼지와 쓰레기를 집진하는 필터(도시하지 않음)를 내장한다.
또한, 제습 유닛(73)은 대기를 통과시키는 구조를 가지고, 내부에 있어서 통과하는 대기와 접촉하는 냉각 장치(도시하지 않음)를 구비한다. 해당 냉각 장치는 펠티에 소자를 가지고, 펠티에 소자에 의해서 해당 소자의 근방을 흐르는 대기로부터 열을 흡열한다. 이 때, 흡열로 인해 냉각된 대기에서는 물이 응축되어 냉각 장치에 보충되기 때문에, 제습 유닛(73)은 통과하는 대기를 효율적으로 제습한다. 즉, 제습 유닛(73)은 팬 유닛(74)에 의해서 로더 모듈(71)의 내부로 도입되는 대기를 효율적으로 제습한다.
이상으로, 제습 유닛(73) 및 FFU(72)은, 로더 모듈(71) 외부의 대기를 제습, 제진하여, 로더 모듈(71)의 내부 하측에 공급한다. 이에 의해, 로더 모듈(71) 내부의 대기는 제습된다.
또한, 로더 모듈(71)은, 로더 모듈(13)이 구비하는 CDA 커튼(50), 및 전열 히터(53)에 상당하는 구성을 구비하고 있지 않다. 또한, 로더 모듈(71)은, 웨이퍼(W) 상의 부식성 반응 생성물의 제거실로서 상술한 후처리실(17) 또는 후처리실(66)을 구비한다.
또한, 제습 유닛(73)의 냉각 장치는, 펠티에 소자 대신에 히트익스체인저(heat exchanger)나 히트 펌프를 가지고 있어도 좋다.
상술한 본 실시의 형태에 관한 대기 반송실로서의 로더 모듈에 의하면, 로더 모듈(71)은 외부에 있어서 제습 유닛(73)을 가지고, 해당 제습 유닛(73)은, 로더 모듈(71)의 내부로 도입되는 대기를 냉각하는 냉각 장치를 구비하기 때문에, 로더 모듈(71)로 도입되는 대기를 효율적으로 제습할 수 있고, 이로 인해, 로더 모듈 (71)의 내부를 효율적으로 제습할 수 있다. 또한, 제습 유닛(73)은 로더 모듈(71)의 외부에 배치되어 있기 때문에, 쉽게 배치하는 것이 가능하고, 로더 모듈(71)의 구성이 복잡하게 되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 제습 유닛(73)의 냉각 장치는 펠티에 소자를 가지기 때문에, 해당 냉각 장치를 소형화할 수 있다.
다음에, 본 발명의 제 4 실시의 형태에 관한 대기 반송실에 대하여 설명한다.
본 실시의 형태는, 그 구성, 작용이 상술한 제 3 실시의 형태와 기본적으로 동일하고, 제습 유닛의 구조만 다르다. 구체적으로는, 제습 유닛은 냉각 장치를 구비하지 않고, 에어컨디셔너 유닛을 구비하는 점에서 제 3 실시의 형태와 다르다. 따라서, 중복된 구성, 작용에 대해서는 설명을 생략하고, 이하의 다른 구성, 작용에 대하여 설명을 한다.
도 8은, 본 실시의 형태에 관한 대기 반송실로서의 로더 모듈의 개략 구성을 도시하는 단면도이다.
도 8에 있어서, 로더 모듈(76)은, 그 내부에 있어서, 상측에 배치된 FFU(72)와, 반송아암 기구(19)와, 이오나이저(35)와, 하측에 배치된 덕트팬(36)과, 그 외부에 배치되어 있는 에어컨디셔너 모듈(제습 장치)(77)을 구비하고, FFU(72)의 상측에 있어서의 로더 모듈(76)의 측면에는 대기 도입구(41)가 배치된다.
에어컨디셔너 모듈(77)은, 에어컨디셔너 장치(79)와, 해당 에어컨디셔너 장치(79) 및 대기 도입구(41)를 접속하는 덕트(78)를 구비한다. 에어컨디셔너 장치 (79)는, 압축기(컴프레서)나 냉매를 가지고, 로더 모듈(76) 주위의 대기를 흡인하여 효율적으로 제습하고, 덕트(78) 및 대기 도입구(41)를 거쳐서 로더 모듈(76)의 내부로 송풍한다. 해당 에어컨디셔너 장치(79)에 의해서 제습되어, 로더 모듈(76)의 내부로 송풍된 대기는, 팬 유닛(74)에 의해서 하측을 향해 송출되고, 팬 유닛(74)으로부터 송출된 대기는, 제진 유닛(75)에 의해서 먼지와 쓰레기가 집진되어, 로더 모듈(76)의 내부 하측에 공급된다. 이에 의해, 로더 모듈(76) 내부의 대기는 제습된다.
상술한 본 실시의 형태에 관한 대기 반송실로서의 로더 모듈에 의하면, 로더 모듈(76)은 에어컨디셔너 모듈(77)을 가지고, 해당 에어컨디셔너 모듈(77)은, 에어컨디셔너 장치(79) 및 덕트(78)를 가지고, 에어컨디셔너 장치(79)는, 로더 모듈(76) 주위의 대기를 흡인하여 효율적으로 제습하고, 로더 모듈(76)의 내부로 송풍하기 때문에, 로더 모듈(76)의 내부를 효율적으로 제습할 수 있다. 또한, 에어컨디셔너 장치(79)는 쉽게 배치하는 것이 가능하므로, 로더 모듈(76)의 구성이 복잡하게 되는 것을 방지할 수 있다.
다음에, 본 발명의 제 5 실시의 형태에 관한 대기 반송실에 대하여 설명한다.
본 실시의 형태는, 그 구성, 작용이 상술한 제 3 실시의 형태와 기본적으로 동일하고, 제습 유닛 대신에 반송실내 가열 유닛을 구비하는 점에서 다르다. 따라서, 중복된 구성, 작용에 대해서는 설명을 생략하고, 이하의 다른 구성, 작용에 대하여 설명한다.
도 9는, 본 실시의 형태에 관한 대기 반송실로서의 로더 모듈의 개략 구성을 도시하는 단면도이다.
도 9에 있어서, 로더 모듈(80)은, 그 내부에 있어서, 상측에 배치된 FFU(72)와, 반송아암 기구(19)와, 이오나이저(35)와, 하측에 배치된 덕트팬(36)과, 반송실내 가열 유닛(81)(실내 가열 장치)을 구비하고, FFU(72)의 상측에 있어서의 로더 모듈(80)의 측면에는 대기 도입구(41)가 배치된다.
FFU(72)는, 로더 모듈(80) 외부의 대기를 제진하여, 로더 모듈(80) 내부의 하측에 공급한다. 이 때, 공급된 대기는 물을 포함하고, 로더 모듈(80) 내부에서 반송되는 웨이퍼(W) 상의 부식성 반응 생성물과 물이 반응하여 로더 모듈(80)의 내부에 HBr이나 HCl이 발생한다. 이들 발생한 산은 로더 모듈(80)의 내벽이나 반송아암 기구(19)의 표면에 부착되어, 내벽이나 표면을 부식할 우려가 있다.
이것에 대응하여, 본 실시의 형태에서는, 로더 모듈(80)이 반송실내 가열 유닛(81)을 구비한다. 반송실내 가열 유닛(81)은 복수의 할로겐 램프로 이루어지고, 각 할로겐 램프는 로더 모듈(80)의 내벽이나 반송아암 기구(19)의 표면(이하, 간단히「내벽이나 표면」이라고 함)을 조사(照射)한다. 이 때, 조사된 내벽이나 표면은 할로겐 램프로부터 방사된 열선을 받아 가열되기 때문에, 내벽이나 표면에 접촉한 산은 즉시 증발하는, 즉, 로더 모듈(80)의 내부에서 발생한 산은 항상 증발하여 내벽이나 표면에 부착하는 일이 없다. 이에 의해, 로더 모듈(71)은 내벽이나 표면이 부식되는 것을 방지한다.
또한, 반송실내 가열 유닛(81)은 복수의 할로겐 램프로 구성되는 것에 한정 되지 않고, 내벽이나 표면을 가열하는 것이 가능한 것이라면 어떤 것도 반송실내 가열 유닛으로서 이용할 수 있다. 예컨대, 세라믹 히터나 적외선 램프가 해당된다.
상술한 본 실시의 형태에 관한 대기 반송실로서의 로더 모듈에 의하면, 로더 모듈(80)의 내부, 구체적으로는, 로더 모듈(80)의 내벽이나 반송아암 기구(19)의 표면이 가열되기 때문에, 웨이퍼(W)에 부착한 부식성 반응 생성물과 물이 반응하여 발생한 산을 로더 모듈(80)의 내부에서 항상 증발시켜, 해당 산의 내벽이나 표면에의 부착을 방지할 수 있다. 그 결과, 로더 모듈(80)의 내부에서 산화물의 발생을 방지할 수 있고, 이로 인해, 웨이퍼(W)로부터 제조되는 반도체 디바이스의 품질 저하를 방지할 수 있음과 동시에, 기판 처리 장치(10)의 가동률을 향상시킬 수 있다.
상술한 각 실시의 형태에서는, 취화 수소 가스나 염소 가스에 근거하는 플라즈마에 의해서 폴리 실리콘층이 에칭된 웨이퍼(W)를 반송했으나, 취화 수소 가스나 염소 가스 이외의 할로겐계 가스에 근거하는 플라즈마에 의해서 에칭된 웨이퍼(W)를 반송하여도, 상술한 효과와 동일한 효과를 얻을 수 있는 것은 물론이다.
또한, 상술한 각 실시의 형태에 있어서의 구성은, 로더 모듈뿐만 아니라, 할로겐계 가스에 근거하는 플라즈마에 의해서 에칭된 웨이퍼(W)를 대기중에서 반송하는 장치라면, 해당 장치에 적용할 수 있다.
본 발명의 목적은, 상술한 실시의 형태의 기능을 실현하는 소프트웨어의 프로그램 코드를 기록한 기억 매체를, 시스템 컨트롤러에 공급하여, 시스템 컨트롤러의 CPU가 기억 매체에 저장된 프로그램 코드를 판독하여 실행하는 것에 의해서도 달성된다.
이 경우, 기억 매체로부터 판독된 프로그램 코드자체가 상술한 실시의 형태의 기능을 실현하는 것이 되어, 프로그램 코드 및 그 프로그램 코드를 기억한 기억 매체는 본 발명을 구성하는 것이 된다.
또한, 프로그램 코드를 공급하기 위한 기억 매체로서는, 예컨대, RAM, NV-RAM, 플로피(등록 상표) 디스크, 하드 디스크, 광디스크, 광자기디스크, CD-ROM, MO, CD-R, CD-RW, DVD(DVD-ROM, DVD-RAM, DVD-RW, DVD+RW), 자기 테이프, 비휘발성 메모리 카드, 다른 ROM 등의 상기 프로그램 코드를 기억할 수 있는 것이라면 좋다. 혹은, 상기 프로그램 코드는, 인터넷, 상용 네트워크, 혹은 로컬 에어리어 네트워크 등에 접속되는 도시하지 않은 다른 컴퓨터나 데이터 베이스 등으로부터 다운로드하는 것에 의해 시스템 컨트롤러에 공급되어도 좋다.
또한, CPU가 판독한 프로그램 코드를 실행하는 것에 의해, 상기 실시의 형태의 기능이 실현되는 것뿐만아니라, 그 프로그램 코드의 지시에 근거하여, CPU 상에서 가동하고 있는 OS(오퍼레이팅 시스템) 등이 실제 처리의 일부 또는 전부를 실행하여, 그 처리에 의해서 상술한 실시의 형태의 기능이 실현되는 경우도 포함된다.
게다가, 기억 매체로부터 판독된 프로그램 코드가, 시스템 컨트롤러에 삽입된 기능 확장 보드나 시스템 컨트롤러에 접속된 기능 확장 유닛에 구비되는 메모리에 기입된 뒤, 그 프로그램 코드의 지시에 근거하여, 그 기능 확장 보드나 기능 확장 유닛에 구비되는 CPU 등이 실제 처리의 일부 또는 전부를 실행하여, 그 처리에 의해서 상술한 실시의 형태의 기능이 실현되는 경우도 포함된다.
상기 프로그램 코드의 형태는, 오브젝트 코드, 인터프리터에 의해 실행되는 프로그램 코드, OS에 공급되는 스크립트 데이터 등의 형태로 이루어져도 좋다.
본 발명에 관한 대기 반송실에 의하면, 할로겐계 가스의 플라즈마에 의해서 처리가 실시된 피처리체를 반송하는 대기 반송실 내부의 대기가 제습되기 때문에, 피처리체에 부착한 할로겐계 가스의 반응 생성물이 물과 반응하는 일이 없고, 이에 의해, 피처리체로부터 할로겐계의 산 가스의 발생을 방지할 수 있다. 그 결과, 대기 반송실의 내부에서 산화물의 발생을 방지할 수 있고, 이로 인해, 피처리체로부터 제조되는 반도체 디바이스의 품질 저하를 방지할 수 있음과 동시에, 피처리체 처리 장치의 가동률을 향상시킬 수 있다.
상기 대기 반송실에 의하면, 제습 장치는 데시캔트 필터를 구비하기 때문에, 대기 반송실 내부의 대기를 효율적으로 제습할 수 있다. 또한, 데시캔트 필터는 제습 중에 재생이 가능하기 때문에, 피처리체 처리 장치의 가동률을 더욱 향상시킬 수 있다.
상기 대기 반송실에 의하면, 제습 장치는, 대기 반송실의 내부로 도입되는 대기를 냉각하는 냉각 장치를 구비하기 때문에, 대기 반송실 내부의 대기를 효율적으로 제습할 수 있다. 또한, 냉각 장치는 쉽게 배치하는 것이 가능하기 때문에, 대기 반송실의 구성이 복잡하게 되는 것을 방지할 수 있다.
상기 대기 반송실에 의하면, 냉각 장치는 펠티에 소자를 가지므로, 해당 냉 각 장치를 소형화할 수 있다.
상기 대기 반송실에 의하면, 제습 장치는 에어컨디셔너를 구비하므로, 대기 반송실 내부의 대기를 효율적으로 제습할 수 있다. 또한, 에어컨디셔너는 쉽게 배치하는 것이 가능하기 때문에, 대기 반송실의 구성이 복잡하게 되는 것을 방지할 수 있다.
상기 대기 반송실에 의하면, 대기 반송실에 접속된 반응 생성물 제거실은, 피처리체에 부착한 할로겐계 가스의 반응 생성물 중의 할로겐을 환원하므로, 반응 생성물을 분해하여 제거할 수 있고, 이로 인해, 피처리체로부터 제조되는 반도체 디바이스의 이상 발생을 방지할 수 있다.
상기 대기 반송실에 의하면, 반응 생성물 제거실은, 해당 실내에 고온 수증기를 공급하는 고온 수증기 공급 장치를 구비하기 때문에, 반응 생성물 중 할로겐의 환원을 촉진할 수 있고, 이로 인해 반응 생성물의 분해를 촉진할 수 있다.
상기 대기 반송실에 의하면, 고온 수증기 공급 장치는, 반응 생성물 제거실에 반입된 피처리체를 향하여 고온 수증기를 분출하고, 혹은, 반응 생성물 제거실에 반입된 피처리체를 공급된 고온 수증기에 폭로하기 때문에, 반응 생성물과 고온 수증기의 접촉을 확실히 실행할 수 있고, 이로 인해 반응 생성물 중 할로겐의 환원을 보다 촉진할 수 있다.
상기 대기 반송실에 의하면, 반응 생성물 제거실은, 해당 실내에 초임계 상태의 물질을 공급하는 초임계 물질 공급 장치를 구비하고, 초임계 상태의 물질은, 물질을 녹이기 위해 사용되는 액체로서 반응 생성물 중의 할로겐을 환원하는 환원 제를 포함한다. 초임계 상태의 물질은 기상 상태 및 액상 상태의 특성을 가지기 때문에, 기상 상태의 특성에 의해서 피처리체 상에 형성된 매우 가는 홈까지 침입하여, 해당 매우 가는 홈의 측면에 부착한 반응 생성물 중 할로겐의 환원을 촉진하여 반응 생성물을 분해할 수 있고, 또한, 액상 상태의 특성에 의해서 분해한 반응 생성물을 인입한다. 이에 의해, 반응 생성물의 제거를 확실히 실행할 수 있다.
상기 대기 반송실에 의하면, 초임계 상태의 물질은, 이산화탄소, 희가스 및 물 중 어느 하나로 이루어지므로, 쉽게 초임계 상태를 실현할 수 있어, 이로 인해 반응 생성물의 제거를 쉽게 실행할 수 있다.
상기 대기 반송실에 의하면, 환원제는, 물 또는 과산화수소수로 이루어지므로, 반응 생성물 중 할로겐의 환원을 보다 촉진할 수 있다.
상기 대기 반송실에 의하면, 피처리체를 수용하는 용기가 접속되는 용기 접속구와, 해당 용기 접속구를 향하여 제습된 대기를 분출하는 제습 대기 분출 장치를 구비하기 때문에, 용기내로부터 대기 반송실로 물이 침입하는 것을 방지할 수 있고, 이로 인해, 피처리체에 부착한 할로겐계 가스의 반응 생성물이 물과 반응하는 것을 확실히 방지할 수 있다.
상기 대기 반송실에 의하면, 대기 반송실의 내부에 이온을 공급하는 이온 공급 장치를 구비하기 때문에, 대기 반송실의 내부가 제습 되는 것에 의해 대전하기 쉽게 된 피처리체의 전하를 공급한 이온에 의해서 제거할 수 있고, 이로 인해 피처리체로부터 제조되는 반도체 디바이스의 품질 저하를 확실히 방지할 수 있다.
상기 대기 반송실에 의하면, 대기 반송실의 내부로 공급되는 대기를 가열하 는 대기 가열 장치를 구비하기 때문에, 피처리체에 부착한 할로겐계 가스의 반응 생성물과 물이 반응하여 발생한 할로겐계의 산을 항상 증발시켜, 해당 할로겐계 산의 대기 반송실의 내벽이나 해당 대기 반송실내에 배치된 장치 표면에의 부착을 방지할 수 있다. 이에 의해, 대기 반송실의 내부에 있어서 산화물의 발생을 보다 확실히 방지할 수 있다.
상기 대기 반송실에 의하면, 피처리체를 수용하는 용기를 탑재하는 용기 탑재대를 구비하고, 해당 용기 탑재대는 용기를 가열하는 용기 가열 장치를 가지기 때문에, 용기내의 수분을 제거할 수 있고, 용기내로부터 대기 반송실로의 물의 침입을 확실히 방지할 수 있음과 동시에, 용기내에서 물과 반응 생성물의 반응을 방지할 수 있다.
상기 대기 반송실에 의하면, 할로겐계 가스의 플라즈마에 의해서 처리가 실시된 피처리체를 반송하는 대기 반송실의 내부가 가열되기 때문에, 피처리체에 부착한 할로겐계 가스의 반응 생성물과 물이 반응하여 발생한 할로겐계 산을 대기 반송실의 내부에서 항상 증발시켜, 해당 할로겐계 산의 대기 반송실의 내벽이나 해당 대기 반송실내에 배치된 장치의 표면에의 부착을 방지할 수 있다. 그 결과, 대기 반송실의 내부에서 산화물의 발생을 방지할 수 있고, 이로 인해, 피처리체로부터 제조되는 반도체 디바이스의 품질 저하를 방지할 수 있음과 동시에, 피처리체 처리 장치의 가동률을 향상시킬 수 있다.
본 발명에 관한 피처리체의 처리 후 반송 방법, 프로그램 및 기억 매체에 의하면, 할로겐계 가스의 플라즈마에 의해서 처리가 실시된 피처리체가, 제습된 대기 반송실의 내부에서 반송되기 때문에, 피처리체에 부착한 할로겐계 가스의 반응 생성물이 물과 반응하는 일이 없고, 이에 의해, 피처리체로부터의 할로겐계 산의 가스 발생을 방지할 수 있다. 그 결과, 대기 반송실의 내부에서 산화물의 발생을 방지할 수 있고, 이로 인해, 피처리체로부터 제조되는 반도체 디바이스의 품질 저하를 방지할 수 있음과 동시에, 피처리체 처리 장치의 가동률을 향상시킬 수 있다.
상기 기억 매체에 의하면, 피처리체가 해당 피처리체에 부착한 할로겐계 가스의 반응 생성물을 제거하는 반응 생성물 제거실에 반입되어, 반입된 피처리체에 부착한 반응 생성물 중 할로겐이 환원되기 때문에, 반응 생성물을 분해하여 제거할 수 있고, 이로 인해, 피처리체로부터 제조되는 반도체 디바이스의 이상 발생을 방지할 수 있다.
상기 기억 매체에 의하면, 반응 생성물 제거실의 실내에 고온 수증기가 공급되기 때문에, 반응 생성물 중 할로겐의 환원을 촉진할 수 있고, 이로 인해 반응 생성물의 분해를 촉진할 수 있다.
상기 기억 매체에 의하면, 반응 생성물 제거실의 실내에 초임계 상태의 물질이 공급되어, 해당 초임계 상태의 물질은, 물질을 녹이기 위해 사용되는 액체로서 반응 생성물 중 할로겐을 환원하는 환원제를 포함한다. 초임계 상태의 물질은 기상 상태 및 액상 상태의 특성을 가지기 때문에, 기상 상태의 특성에 의해서 피처리체 상에 형성된 매우 가는 홈까지 침입하여, 해당 매우 가는 홈의 측면에 부착한 반응 생성물 중 할로겐의 환원을 촉진하여 반응 생성물을 분해할 수 있고, 게다가, 액상 상태의 특성에 의해서 분해한 반응 생성물을 인입한다. 이에 의해, 반응 생 성물의 제거를 확실히 실행할 수 있다.
상기 기억 매체에 의하면, 대기 반송실의 습도에 따라 대기 반송실의 내부에서 피처리체의 반송 여부가 판정되기 때문에, 대기 반송실의 내부에서 피처리체에 부착한 할로겐계 가스의 반응 생성물이 물과 반응하는 것을 보다 확실히 방지할 수 있다.

Claims (23)

  1. 할로겐계 가스의 플라즈마에 의해서 피처리체에 처리를 실시하는 피처리체 처리실에 접속되어, 내부에서 상기 피처리체를 반송하는 대기 반송실에서,
    외부로부터 해당 대기 반송실 내부로 도입되는 대기를 제습하는 제습 장치를 구비하되,
    상기 피처리체에 부착한 할로겐계 가스의 반응 생성물을 제거하는 반응 생성물 제거실에 접속되고,
    해당 반응 생성물 제거실은, 상기 피처리체에 부착한 반응 생성물 중의 할로겐을 환원하는 대기 반송실.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제습 장치는 데시캔트(desiccant) 필터를 구비하는 대기 반송실.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제습 장치는 상기 대기 반송실의 내부로 도입되는 대기를 냉각하는 냉각 장치를 구비하는 대기 반송실.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 냉각 장치는 펠티에 소자를 가지는 대기 반송실.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제습 장치는 에어컨디셔너를 구비하는 대기 반송실.
  6. 삭제
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 반응 생성물 제거실은, 해당 실내에 고온 수증기를 공급하는 고온 수증기 공급 장치를 구비하는 대기 반송실.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 고온 수증기 공급 장치는, 상기 반응 생성물 제거실에 반입된 상기 피처리체를 향해서 상기 고온 수증기를 분출하고, 혹은, 상기 반응 생성물 제거실에 반입된 상기 피처리체를 상기 공급된 고온 수증기로 폭로하는 대기 반송실.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 반응 생성물 제거실은, 해당 실내에 초임계 상태의 물질을 공급하는 초임계 물질 공급 장치를 구비하고, 상기 초임계 상태의 물질은 물질을 녹이기 위해 사용되는 액체로서 반응 생성물 중의 할로겐을 환원하는 환원제를 포함하는 대기 반송실.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 초임계 상태의 물질은, 이산화탄소, 희 가스 및 물 중 어느 하나로 이루어지는 대기 반송실.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 환원제는 물 또는 과산화수소수로 이루어지는 대기 반송실.
  12. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 피처리체를 수용하는 용기가 접속되는 용기 접속구와,
    상기 용기 접속로를 향하여 제습된 대기를 분출하는 제습 대기 분출 장치를 구비하는 대기 반송실.
  13. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 대기 반송실의 내부에 이온을 공급하는 이온 공급 장치를 구비하는 대기 반송실.
  14. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 대기 반송실의 내부로 공급되는 대기를 가열하는 대기 가열 장치를 구비하는 대기 반송실.
  15. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 피처리체를 수용하는 용기를 탑재하는 용기 탑재대를 구비하고,
    상기 용기 탑재대는 상기 용기를 가열하는 용기 가열 장치를 가지는 대기 반송실.
  16. 삭제
  17. 할로겐계 가스의 플라즈마에 의해서 처리가 실시된 피처리체의 처리 후 반송 방법에 있어서,
    제습된 대기 반송실의 내부를 통하여, 피처리체를 처리실로부터, 할로겐계 가스의 반응 생성물을 제거하는 반응 생성물 제거실로 반송하는 반송 단계를 구비하는 피처리체의 처리 후 반송 방법.
  18. 삭제
  19. 할로겐계 가스의 플라즈마에 의해서 처리가 실시된 피처리체의 처리 후 반송 방법을 컴퓨터에 실행시키는 프로그램을 저장하는 컴퓨터가 판독 가능한 기억 매체에 있어서,
    상기 프로그램은, 제습된 대기 반송실의 내부에서 상기 피처리체를 반송하는 반송 모듈을 가지는 기억 매체.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 프로그램은, 상기 피처리체를 해당 피처리체에 부착한 할로겐계 가스의 반응 생성물을 제거하는 반응 생성물 제거실에 반입하는 반입 모듈과, 상기 반입된 피처리체에 부착한 반응 생성물 중의 할로겐을 환원하는 환원 모듈을 가지는 기억 매체.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 프로그램은, 상기 반응 생성물 제거실의 실내에 고온 수증기를 공급하는 고온 수증기 공급 모듈을 가지는 기억 매체.
  22. 제 20 항에 있어서,
    상기 프로그램은, 상기 반응 생성물 제거실의 실내에 초임계 상태의 물질을 공급하는 초임계 물질 공급 모듈을 가지고,
    상기 초임계 상태의 물질은, 물질을 녹이기 위해 사용되는 액체로서 반응 생성물 중의 할로겐을 환원하는 환원제를 포함하는 기억 매체.
  23. 제 19 항 내지 제 22 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 프로그램은, 상기 대기 반송실의 습도에 따라 상기 대기 반송실의 내부에서 상기 피처리체의 반송 여부를 판정하는 판정 모듈을 가지는 기억 매체.
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