JPH06260413A - 多層膜のドライエッチング方法及び装置 - Google Patents
多層膜のドライエッチング方法及び装置Info
- Publication number
- JPH06260413A JPH06260413A JP4767593A JP4767593A JPH06260413A JP H06260413 A JPH06260413 A JP H06260413A JP 4767593 A JP4767593 A JP 4767593A JP 4767593 A JP4767593 A JP 4767593A JP H06260413 A JPH06260413 A JP H06260413A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dry etching
- multilayer film
- chamber
- film
- photoresist
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】ＵＶ処理の耐熱効果を低減させることなくホト
レジストをマスクとした多層膜のドライエッチング、及
び、反応生成物の堆積をなくすことによる多層膜の加工
精度向上，エッチングレートの向上，スループット向
上，装置の製造コスト低減を提供するところにある。 【構成】ドライエッチング装置９の前室にレジスト中に
含まれる水分を除去するための真空加熱機構、及び、レ
ジストを高分子化するＵＶ処理機構を有するＵＶ処理装
置１０を付随、もしくは、ドライエッチング装置の前室
である真空搬送待機室内に前記ＵＶ処理機構を有し、大
気中に開放されることなくドライエッチング処理を行う
ことができる構造。
レジストをマスクとした多層膜のドライエッチング、及
び、反応生成物の堆積をなくすことによる多層膜の加工
精度向上，エッチングレートの向上，スループット向
上，装置の製造コスト低減を提供するところにある。 【構成】ドライエッチング装置９の前室にレジスト中に
含まれる水分を除去するための真空加熱機構、及び、レ
ジストを高分子化するＵＶ処理機構を有するＵＶ処理装
置１０を付随、もしくは、ドライエッチング装置の前室
である真空搬送待機室内に前記ＵＶ処理機構を有し、大
気中に開放されることなくドライエッチング処理を行う
ことができる構造。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、多層膜のドライエッチ
ング方法及び装置に関する。
ング方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ホトレジストを塗布，露光，現像の工程
を経てパターニングされたレジストをマスクとし、膜を
加工する手段としてウエットエッチング法やドライエッ
チング法がある。ウエットエッチング法は、多層膜をエ
ッチングする際、多層膜の形状制御が非常に困難であ
る。また、ドライエッチング法に関しては、エッチング
時におけるホトレジストの密着性及び耐熱性が問題とな
ってくる。ドライエッチング法において、密着性及び耐
熱性の問題を解決する一つの手段としてホトレジストに
紫外光を照射してレジストを高分子化させるＵＶ処理が
導入されている。しかし、ＵＶ処理からドライエッチン
グ処理にいくまでの工程において、ＵＶ処理が終わった
後、一度大気中に基板を出すことにより、レジストが大
気中の水分を吸着する。この水分吸着によりＵＶ処理の
耐熱効果低減、及び、ドライエッチング時の化学反応に
よりレジストが分解されやすくなりエッチングガス及び
レジスト成分からなる反応生成物がエッチングされた膜
の側面及び、下地膜に堆積する。これにより、エッチン
グレートの劣化、及び、パターン精度の劣化等の問題が
生じてしまう。
を経てパターニングされたレジストをマスクとし、膜を
加工する手段としてウエットエッチング法やドライエッ
チング法がある。ウエットエッチング法は、多層膜をエ
ッチングする際、多層膜の形状制御が非常に困難であ
る。また、ドライエッチング法に関しては、エッチング
時におけるホトレジストの密着性及び耐熱性が問題とな
ってくる。ドライエッチング法において、密着性及び耐
熱性の問題を解決する一つの手段としてホトレジストに
紫外光を照射してレジストを高分子化させるＵＶ処理が
導入されている。しかし、ＵＶ処理からドライエッチン
グ処理にいくまでの工程において、ＵＶ処理が終わった
後、一度大気中に基板を出すことにより、レジストが大
気中の水分を吸着する。この水分吸着によりＵＶ処理の
耐熱効果低減、及び、ドライエッチング時の化学反応に
よりレジストが分解されやすくなりエッチングガス及び
レジスト成分からなる反応生成物がエッチングされた膜
の側面及び、下地膜に堆積する。これにより、エッチン
グレートの劣化、及び、パターン精度の劣化等の問題が
生じてしまう。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の第１の目的
は、ＵＶ処理の耐熱効果を低減させることなくホトレジ
ストをマスクとした多層膜のドライエッチング、及び、
反応生成物の堆積をなくすことによる多層膜の加工精度
向上，エッチングレートの向上を達成できることであ
る。また、本発明の第２の目的は、スループット向上，
装置の製造コスト低減を提供するところにある。
は、ＵＶ処理の耐熱効果を低減させることなくホトレジ
ストをマスクとした多層膜のドライエッチング、及び、
反応生成物の堆積をなくすことによる多層膜の加工精度
向上，エッチングレートの向上を達成できることであ
る。また、本発明の第２の目的は、スループット向上，
装置の製造コスト低減を提供するところにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記第１及び、前記第２
の目的に対して、ドライエッチング装置の前室にレジス
ト中に含まれる水分を除去するための真空加熱機構、及
び、レジストを高分子化するＵＶ処理機構を有するＵＶ
処理装置を付随、もしくは、ドライエッチング装置の前
室である真空搬送待機室に前記ＵＶ処理機構を有し、大
気中に開放されることなくドライエッチング処理を行う
ことにより解決する。
の目的に対して、ドライエッチング装置の前室にレジス
ト中に含まれる水分を除去するための真空加熱機構、及
び、レジストを高分子化するＵＶ処理機構を有するＵＶ
処理装置を付随、もしくは、ドライエッチング装置の前
室である真空搬送待機室に前記ＵＶ処理機構を有し、大
気中に開放されることなくドライエッチング処理を行う
ことにより解決する。
【０００５】
【作用】一般にＵＶ照射は、成膜された膜をパターン加
工するために使用するレジストの耐熱性及び密着性を向
上させる目的で使用されている。このＵＶ照射は、真空
中で加熱しながら紫外光を照射することにより、レジス
トに含まれる水分を容易に除去することができ、ホトレ
ジスト分子を高分子化でき耐熱性が向上する。
工するために使用するレジストの耐熱性及び密着性を向
上させる目的で使用されている。このＵＶ照射は、真空
中で加熱しながら紫外光を照射することにより、レジス
トに含まれる水分を容易に除去することができ、ホトレ
ジスト分子を高分子化でき耐熱性が向上する。
【０００６】しかし、ＵＶ照射後に大気中に基板を出す
ことにより大気中の水分をレジストが吸着することによ
り耐熱性及び密着性の低下、及びエッチング時の化学反
応によりレジストが分解されやすくなりエッチングガス
及び、レジスト成分による反応生成物が堆積する。側壁
及び、下地膜に付いた生成物は加工する膜のエッチング
の障壁となってしまい、エッチングレートの低下及び、
パターンの加工精度の劣化につながる。すなわち、ＵＶ
処理の効果を低下させないためには、ホトレジストに水
分を吸着させることなくドライエッチングによる多層膜
の加工を行うことが必要である。
ことにより大気中の水分をレジストが吸着することによ
り耐熱性及び密着性の低下、及びエッチング時の化学反
応によりレジストが分解されやすくなりエッチングガス
及び、レジスト成分による反応生成物が堆積する。側壁
及び、下地膜に付いた生成物は加工する膜のエッチング
の障壁となってしまい、エッチングレートの低下及び、
パターンの加工精度の劣化につながる。すなわち、ＵＶ
処理の効果を低下させないためには、ホトレジストに水
分を吸着させることなくドライエッチングによる多層膜
の加工を行うことが必要である。
【０００７】これらの問題は、ドライエッチング装置と
ＵＶ処理装置を一体化し装置間の基板の搬送は真空状態
を維持したままで行い、ＵＶ照射とドライエッチングの
連続処理を行うことで解決する。また、装置を一体化す
ることによりスループット向上，装置の製造コスト低減
を図ることができる。
ＵＶ処理装置を一体化し装置間の基板の搬送は真空状態
を維持したままで行い、ＵＶ照射とドライエッチングの
連続処理を行うことで解決する。また、装置を一体化す
ることによりスループット向上，装置の製造コスト低減
を図ることができる。
【０００８】
【実施例】本発明の実施例を図面を用いて説明する。
【０００９】図１にＵＶ処理装置とドライエッチング装
置の一体化装置を使用してメタル／透明導電膜(ＩＴＯ)
の多層膜をエッチングした第１実施例を示す。ガラス基
板１上にＩＴＯ２，アルミニウム３を順次スパッタリン
グ法等により形成した後、ホトレジスト４を塗布，露
光，現像の工程を経て一体化装置を使用してエッチング
を行う。処理方法は、まず、パターニングされたホトレ
ジストに圧力０.２Ｔｏｒｒ程度の真空度を保ち、基板
を加熱しながらＵＶ照射を行い、硬化したレジスト５を
マスクとして、例えば、ＢＣｌ３ とＣｌ2 の塩素系の
混合ガス、あるいは、ＨＢｒとＢＣｌ3 の混合ガスで一
括ドライエッチングを行う。また、ドライエッチングに
より変質したレジストはアッシングとレジスト剥離液を
使って除去する。
置の一体化装置を使用してメタル／透明導電膜(ＩＴＯ)
の多層膜をエッチングした第１実施例を示す。ガラス基
板１上にＩＴＯ２，アルミニウム３を順次スパッタリン
グ法等により形成した後、ホトレジスト４を塗布，露
光，現像の工程を経て一体化装置を使用してエッチング
を行う。処理方法は、まず、パターニングされたホトレ
ジストに圧力０.２Ｔｏｒｒ程度の真空度を保ち、基板
を加熱しながらＵＶ照射を行い、硬化したレジスト５を
マスクとして、例えば、ＢＣｌ３ とＣｌ2 の塩素系の
混合ガス、あるいは、ＨＢｒとＢＣｌ3 の混合ガスで一
括ドライエッチングを行う。また、ドライエッチングに
より変質したレジストはアッシングとレジスト剥離液を
使って除去する。
【００１０】図２にＵＶ処理装置とドライエッチング装
置の一体化装置を使用してメタル／透明導電膜（ＩＴ
Ｏ）の多層膜をエッチングした第２実施例を示す。ガラ
ス基板１上にＩＴＯ２，高融点金属６（例えば、モリブ
デン，タングステン等），アルミニウム３を順次スパッ
タリング法等により形成した後、ホトレジスト４を塗
布，露光，現像の工程を経て一体化装置を使用してエッ
チングを行う。エッチング方法は、まず、パターニング
されたホトレジストに圧力０.２Torr 程度の真空度を保
ち、基板を加熱しながらＵＶ照射を行い、硬化したレジ
スト５をマスクとして、例えは、ＢＣｌ3とＣｌ2の塩素
系の混合ガス、あるいは、ＨＢｒとＢＣｌ3の混合ガス
で一括ドライエッチングを行う。また、ドライエッチン
グにより変質したレジストはアッシングとレジスト剥離
液を使って除去する。
置の一体化装置を使用してメタル／透明導電膜（ＩＴ
Ｏ）の多層膜をエッチングした第２実施例を示す。ガラ
ス基板１上にＩＴＯ２，高融点金属６（例えば、モリブ
デン，タングステン等），アルミニウム３を順次スパッ
タリング法等により形成した後、ホトレジスト４を塗
布，露光，現像の工程を経て一体化装置を使用してエッ
チングを行う。エッチング方法は、まず、パターニング
されたホトレジストに圧力０.２Torr 程度の真空度を保
ち、基板を加熱しながらＵＶ照射を行い、硬化したレジ
スト５をマスクとして、例えは、ＢＣｌ3とＣｌ2の塩素
系の混合ガス、あるいは、ＨＢｒとＢＣｌ3の混合ガス
で一括ドライエッチングを行う。また、ドライエッチン
グにより変質したレジストはアッシングとレジスト剥離
液を使って除去する。
【００１１】図３にＵＶ処理装置とドライエッチング装
置の一体化装置を使用して半導体層／絶縁層／メタルの
多層膜をエッチングした第３実施例を示す。ガラス基板
１上にアルミニウム３をスパッタリング法等により形成
したのち、絶縁膜７，半導体層８をプラズマＣＶＤ法等
で堆積する。その後、ホトレジスト４を塗布，露光，現
像の工程を経て一体化装置を使用して多層膜のエッチン
グを行う。また、ドライエッチングにより変質したレジ
ストはアッシングとレジスト剥離液を使って除去する。
置の一体化装置を使用して半導体層／絶縁層／メタルの
多層膜をエッチングした第３実施例を示す。ガラス基板
１上にアルミニウム３をスパッタリング法等により形成
したのち、絶縁膜７，半導体層８をプラズマＣＶＤ法等
で堆積する。その後、ホトレジスト４を塗布，露光，現
像の工程を経て一体化装置を使用して多層膜のエッチン
グを行う。また、ドライエッチングにより変質したレジ
ストはアッシングとレジスト剥離液を使って除去する。
【００１２】図４に多層膜の一括エッチングを行うとき
に使用するドライエッチング装置とＵＶ照射装置を複合
したＵＶ処理装置一体型ドライエッチング装置の第１構
成例を示す。９はドライエッチング装置のドライエッチ
ングチャンバー室、１０はＵＶ処理室である。ドライエ
ッチングチャンバー室９は、ドライエッチングにより膜
をパターン加工する室である。ＵＶ処理室１０は、紫外
光をホトレジストに照射しレジストを硬化させ耐ドライ
エッチング性を向上させるための室である。また、ＵＶ
処理室１０は、ＵＶチャンバー室１１とＵＶランプ部１
２に大別され、ＵＶチャンバー室１１上部にはＵＶ光を
通す石英板が設置してある。チャンバー内を真空に保つ
ための真空排気系１３及び、基板を加熱するためのヒー
タを有している。それぞれの室はシャッターで区切られ
ており、部屋間の基板の搬送は真空中にて行う。ＵＶ処
理室１０において、パターニングされたホトレジストに
真空中で加熱しながらＵＶ照射することによりホトレジ
スト中の水分をうまく除去でき、ホトレジスト膜を硬化
することができる。これにより、耐ドライエッチング性
を向上させることができドライエッチングによるレジス
トダメージを低減できる。また、装置を一体化するため
ＵＶ処理の効果を低減させることがなく多層膜の加工が
可能である。また、スループット向上，装置の製造コス
ト低減が望める。
に使用するドライエッチング装置とＵＶ照射装置を複合
したＵＶ処理装置一体型ドライエッチング装置の第１構
成例を示す。９はドライエッチング装置のドライエッチ
ングチャンバー室、１０はＵＶ処理室である。ドライエ
ッチングチャンバー室９は、ドライエッチングにより膜
をパターン加工する室である。ＵＶ処理室１０は、紫外
光をホトレジストに照射しレジストを硬化させ耐ドライ
エッチング性を向上させるための室である。また、ＵＶ
処理室１０は、ＵＶチャンバー室１１とＵＶランプ部１
２に大別され、ＵＶチャンバー室１１上部にはＵＶ光を
通す石英板が設置してある。チャンバー内を真空に保つ
ための真空排気系１３及び、基板を加熱するためのヒー
タを有している。それぞれの室はシャッターで区切られ
ており、部屋間の基板の搬送は真空中にて行う。ＵＶ処
理室１０において、パターニングされたホトレジストに
真空中で加熱しながらＵＶ照射することによりホトレジ
スト中の水分をうまく除去でき、ホトレジスト膜を硬化
することができる。これにより、耐ドライエッチング性
を向上させることができドライエッチングによるレジス
トダメージを低減できる。また、装置を一体化するため
ＵＶ処理の効果を低減させることがなく多層膜の加工が
可能である。また、スループット向上，装置の製造コス
ト低減が望める。
【００１３】図５に多層膜の一括エッチングを行うとき
に使用するドライエッチング装置とＵＶ照射装置を複合
したＵＶ処理装置一体型ドライエッチング装置の第２構
成例を示す。９はドライエッチング装置のドライエッチ
ングチャンバー室、１４は真空搬送待機室となってい
る。真空搬送待機室は、ドライエッチング装置の予備室
で有ると同時にＵＶ処理機構及び加熱機構を有してい
る。
に使用するドライエッチング装置とＵＶ照射装置を複合
したＵＶ処理装置一体型ドライエッチング装置の第２構
成例を示す。９はドライエッチング装置のドライエッチ
ングチャンバー室、１４は真空搬送待機室となってい
る。真空搬送待機室は、ドライエッチング装置の予備室
で有ると同時にＵＶ処理機構及び加熱機構を有してい
る。
【００１４】図６に多層膜の一括エッチングを行うとき
に使用するドライエッチング装置とＵＶ照射装置を複合
したＵＶ処理装置一体型ドライエッチング装置の第３構
成例を示す。９はドライエッチング装置のドライエッチ
ングチャンバー室、１０はＵＶ処理室、１５はアッシャ
ー室となっている。アッシャー室は、ドライエッチング
でダメージを受けたレジストを除去するのに用いる。
に使用するドライエッチング装置とＵＶ照射装置を複合
したＵＶ処理装置一体型ドライエッチング装置の第３構
成例を示す。９はドライエッチング装置のドライエッチ
ングチャンバー室、１０はＵＶ処理室、１５はアッシャ
ー室となっている。アッシャー室は、ドライエッチング
でダメージを受けたレジストを除去するのに用いる。
【００１５】図７から図１２に一体型ドライエッチング
装置を使用して製作した逆スタガ型の薄膜トランジスタ
をスイッチング素子として用いた液晶ディスプレイの製
作手順の一例を示す。
装置を使用して製作した逆スタガ型の薄膜トランジスタ
をスイッチング素子として用いた液晶ディスプレイの製
作手順の一例を示す。
【００１６】図７は、ガラス基板１上に透明導電膜であ
るＩＴＯ２，高融点金属６，アルミニウム３を順次スパ
ッタリング法により膜を堆積した後、ホトレジストを塗
布，露光，現像した後、一体型ドライエッチング装置を
使用して、加熱しながら真空中でＵＶ照射し硬化したホ
トレジスト５をマスクに金属／ＩＴＯの多層膜を一括で
ドライエッチ加工した様子を示す。エッチングガスは、
ＢＣｌ3＋Ｃｌ2の塩素系混合ガスあるいは、ＨＢｒ＋Ｂ
Ｃｌ3 の混合ガスを使用する。高融点金属６は、ＩＴＯ
２とアルミニウム３のバリアメタルとして使用するもの
で、例えば、モリブデン，タングステン，窒化タンタル
及び、窒化チタン等が使われる。この一括加工でＴＦＴ
のゲート電極，画素電極を同時形成しパターン加工する
ことで工程数削減，スループット向上を図ることができ
る。
るＩＴＯ２，高融点金属６，アルミニウム３を順次スパ
ッタリング法により膜を堆積した後、ホトレジストを塗
布，露光，現像した後、一体型ドライエッチング装置を
使用して、加熱しながら真空中でＵＶ照射し硬化したホ
トレジスト５をマスクに金属／ＩＴＯの多層膜を一括で
ドライエッチ加工した様子を示す。エッチングガスは、
ＢＣｌ3＋Ｃｌ2の塩素系混合ガスあるいは、ＨＢｒ＋Ｂ
Ｃｌ3 の混合ガスを使用する。高融点金属６は、ＩＴＯ
２とアルミニウム３のバリアメタルとして使用するもの
で、例えば、モリブデン，タングステン，窒化タンタル
及び、窒化チタン等が使われる。この一括加工でＴＦＴ
のゲート電極，画素電極を同時形成しパターン加工する
ことで工程数削減，スループット向上を図ることができ
る。
【００１７】図８は、硬化したホトレジスト５をアッシ
ング及び剥離液で除去した後、プラズマＣＶＤ法により
ゲート絶縁膜である窒化珪素膜１６及び、半導体層１７
を堆積した後、ホトレジスト４を塗布，露光，現像し、
半導体層１７をドライエッチ加工した様子を示す。
ング及び剥離液で除去した後、プラズマＣＶＤ法により
ゲート絶縁膜である窒化珪素膜１６及び、半導体層１７
を堆積した後、ホトレジスト４を塗布，露光，現像し、
半導体層１７をドライエッチ加工した様子を示す。
【００１８】図９は、ホトレジストをアッシング及び剥
離液で除去した後、一体型ドライエッチング装置を使用
し、加熱しながら真空中でＵＶ照射することで硬化した
ホトレジスト５をマスクに窒化珪素膜１６をドライエッ
チ加工する。その後、開口部１８となる部分のＩＴＯを
露出させるために、アルミニウム３と高融点金属６の多
層膜をドライエッチ加工した様子を示す。
離液で除去した後、一体型ドライエッチング装置を使用
し、加熱しながら真空中でＵＶ照射することで硬化した
ホトレジスト５をマスクに窒化珪素膜１６をドライエッ
チ加工する。その後、開口部１８となる部分のＩＴＯを
露出させるために、アルミニウム３と高融点金属６の多
層膜をドライエッチ加工した様子を示す。
【００１９】図１０は、硬化したホトレジスト５をアッ
シング及び剥離液で除去した後、ソース／ドレイン電極
１９を構成するアルミニウムをスパッタリング法によっ
て堆積した後、ホトレジスト４を塗布，露光，現像した
後、アルミニウムをドライエッチ加工した様子を示す。
シング及び剥離液で除去した後、ソース／ドレイン電極
１９を構成するアルミニウムをスパッタリング法によっ
て堆積した後、ホトレジスト４を塗布，露光，現像した
後、アルミニウムをドライエッチ加工した様子を示す。
【００２０】図１１は、ホトレジスト４をアッシング及
び剥離液で除去した後、保護膜２０となる窒化珪素膜を
プラズマＣＶＤ法で形成した様子を示す。
び剥離液で除去した後、保護膜２０となる窒化珪素膜を
プラズマＣＶＤ法で形成した様子を示す。
【００２１】図１２は、保護膜２０を形成して完成した
ＴＦＴ付きガラス基板２１とＩＴＯ付きガラス基板２２
との間に配向膜２３，液晶２４を封入して形成される液
晶ディスプレイ表示パネルの断面構造を示す。
ＴＦＴ付きガラス基板２１とＩＴＯ付きガラス基板２２
との間に配向膜２３，液晶２４を封入して形成される液
晶ディスプレイ表示パネルの断面構造を示す。
【００２２】
【発明の効果】多層膜のドライエッチングは、ＵＶ処理
装置とドライエッチング装置を一体化し、装置間の基板
の搬送は、真空中で行いＵＶ処理とドライエッチングの
連続処理をすることによりＵＶ処理の耐熱効果を低減さ
せることなくレジストをマスクとした多層膜のドライエ
ッチングが可能となる。また、エッチングガス及び、レ
ジスト成分による反応生成物の堆積をなくすことにより
エッチングレートの向上及び、多層膜の加工精度を向上
させることができる。また、装置を一体化することによ
りスループット向上，装置の製造コスト低減を図ること
ができる。
装置とドライエッチング装置を一体化し、装置間の基板
の搬送は、真空中で行いＵＶ処理とドライエッチングの
連続処理をすることによりＵＶ処理の耐熱効果を低減さ
せることなくレジストをマスクとした多層膜のドライエ
ッチングが可能となる。また、エッチングガス及び、レ
ジスト成分による反応生成物の堆積をなくすことにより
エッチングレートの向上及び、多層膜の加工精度を向上
させることができる。また、装置を一体化することによ
りスループット向上，装置の製造コスト低減を図ること
ができる。
【図１】多層膜のエッチング例（その１）を示す図であ
る。
る。
【図２】多層膜のエッチング例（その２）を示す図であ
る。
る。
【図３】多層膜のエッチング例（その３）を示す図であ
る。
る。
【図４】一体化装置の第１構成例を示す図である。
【図５】一体化装置の第２構成例を示す図である。
【図６】一体化装置の第３構成例を示す図である。
【図７】一体化装置を使用し、液晶ディスプレイに適用
した場合の製作手順（その１）を示す図である。
した場合の製作手順（その１）を示す図である。
【図８】一体化装置を使用し、液晶ディスプレイに適用
した場合の製作手順（その２）を示す図である。
した場合の製作手順（その２）を示す図である。
【図９】一体化装置を使用し、液晶ディスプレイに適用
した場合の製作手順（その３）を示す図である。
した場合の製作手順（その３）を示す図である。
【図１０】一体化装置を使用し、液晶ディスプレイに適
用した場合の製作手順（その４）を示す図である。
用した場合の製作手順（その４）を示す図である。
【図１１】一体化装置を使用し、液晶ディスプレイに適
用した場合の製作手順（その５）を示す図である。
用した場合の製作手順（その５）を示す図である。
【図１２】一体化装置を使用し、液晶ディスプレイに適
用した場合の製作手順（その６）を示す図である。
用した場合の製作手順（その６）を示す図である。
１…ガラス基板、２…ＩＴＯ、３…アルミニウム、４…
ホトレジスト、５…硬化したレジスト、６…高融点金
属、７…絶縁膜、８…半導体層、９…ドライエッチング
チャンバー室、１０…ＵＶ処理室、１１…ＵＶチャンバ
ー室、１２…ＵＶランプ部、１３…真空排気系、１４…
真空搬送待機室（ＵＶ処理機構付き）、１５…アッシャ
ー室、１６…窒化珪素膜、１７…半導体層、１８…開口
部、１９…ソーズ／ドレイン電極、２０…保護膜、２１
…ＴＦＴ付きガラス基板、２２…ＩＴＯ付きがラス基
板、２３…配向膜、２４…液晶。
ホトレジスト、５…硬化したレジスト、６…高融点金
属、７…絶縁膜、８…半導体層、９…ドライエッチング
チャンバー室、１０…ＵＶ処理室、１１…ＵＶチャンバ
ー室、１２…ＵＶランプ部、１３…真空排気系、１４…
真空搬送待機室（ＵＶ処理機構付き）、１５…アッシャ
ー室、１６…窒化珪素膜、１７…半導体層、１８…開口
部、１９…ソーズ／ドレイン電極、２０…保護膜、２１
…ＴＦＴ付きガラス基板、２２…ＩＴＯ付きがラス基
板、２３…配向膜、２４…液晶。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｈ０１Ｌ 29/784 9056−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 29/78 ３１１ Ｆ (72)発明者 小西 信武 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内
Claims (4)
- 【請求項１】薄膜トランジスタ及び、画素容量で構成さ
れるアクティブマトリクス方式の液晶ディスプレイにお
いて、それを構成する材料である金属膜，透明導電膜，
半導体膜，絶縁膜のうち少なくとも二層以上の多層膜を
ホトレジストをマスクとしてパターン加工するドライエ
ッチング方法において、ホトレジスト中の水分を除去す
る工程，レジストを高分子化する工程、及び、大気中に
開放されることなく多層膜をドライエッチングする工程
を経ることを特徴とする多層膜のドライエッチング方
法。 - 【請求項２】請求項１において、ホトレジストを真空中
で加熱して水分を除去する工程，ＵＶ処理により高分子
化する工程を連続で行い、大気中にさらされることなく
多層膜をドライエッチングすることを特徴とする多層膜
のドライエッチング方法。 - 【請求項３】ドライエッチング室の前室である真空搬送
待機室に加熱、及び、ＵＶ照射の処理機構を有すること
を特徴とする多層膜のドライエッチング装置。 - 【請求項４】請求項３において、前記真空搬送待機室，
ドライエッチング室、及びレジスト除去を行うアッシャ
ー室を一体化したことを特徴とする多層膜のドライエッ
チング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4767593A JPH06260413A (ja) | 1993-03-09 | 1993-03-09 | 多層膜のドライエッチング方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4767593A JPH06260413A (ja) | 1993-03-09 | 1993-03-09 | 多層膜のドライエッチング方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06260413A true JPH06260413A (ja) | 1994-09-16 |
Family
ID=12781855
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4767593A Pending JPH06260413A (ja) | 1993-03-09 | 1993-03-09 | 多層膜のドライエッチング方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06260413A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10302965A (ja) * | 1997-05-01 | 1998-11-13 | Minolta Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法 |
| KR100810796B1 (ko) * | 2005-03-17 | 2008-03-06 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 대기 반송실, 피처리체의 처리 후 반송 방법, 프로그램 및기억 매체 |
| WO2020229919A1 (ja) * | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、および半導体装置の作製方法 |
-
1993
- 1993-03-09 JP JP4767593A patent/JPH06260413A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10302965A (ja) * | 1997-05-01 | 1998-11-13 | Minolta Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法 |
| KR100810796B1 (ko) * | 2005-03-17 | 2008-03-06 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 대기 반송실, 피처리체의 처리 후 반송 방법, 프로그램 및기억 매체 |
| WO2020229919A1 (ja) * | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、および半導体装置の作製方法 |
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