JP2001110711A - 有機薄膜の除去方法およびそれを用いた半導体装置と液晶表示装置の製造方法及びそれに用いる有機薄膜の除去装置 - Google Patents
有機薄膜の除去方法およびそれを用いた半導体装置と液晶表示装置の製造方法及びそれに用いる有機薄膜の除去装置Info
- Publication number
- JP2001110711A JP2001110711A JP28958099A JP28958099A JP2001110711A JP 2001110711 A JP2001110711 A JP 2001110711A JP 28958099 A JP28958099 A JP 28958099A JP 28958099 A JP28958099 A JP 28958099A JP 2001110711 A JP2001110711 A JP 2001110711A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- manufacturing
- film
- thin film
- organic thin
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明では、ＴＦＴアレイや半導体装置製造
におけるデバイス特性を損なうことなく、比較的低温で
有機被膜を完全に酸化除去し、デバイスへのコンタミ要
因を除去する方法を提供する。 【解決手段】 少なくとも、無機基板上に形成された有
機被膜を超臨界水中で酸化除去する方法を提供する。こ
のとき、無機基板は半導体素子製造用シリコンまたは液
晶表示素子製造用ガラス基板等を想定する。また、有機
被膜としてリソグラフィー用のレジストを想定すると、
レジスト除去工程において有効である。
におけるデバイス特性を損なうことなく、比較的低温で
有機被膜を完全に酸化除去し、デバイスへのコンタミ要
因を除去する方法を提供する。 【解決手段】 少なくとも、無機基板上に形成された有
機被膜を超臨界水中で酸化除去する方法を提供する。こ
のとき、無機基板は半導体素子製造用シリコンまたは液
晶表示素子製造用ガラス基板等を想定する。また、有機
被膜としてリソグラフィー用のレジストを想定すると、
レジスト除去工程において有効である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機薄膜の除去方
法およびそれを用いた半導体装置と液晶表示装置の製造
方法及びそれに用いる有機薄膜の除去装置液晶表示装置
に関するものである。
法およびそれを用いた半導体装置と液晶表示装置の製造
方法及びそれに用いる有機薄膜の除去装置液晶表示装置
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置やや液晶表示装置の製
造において、無機基板表面の有機薄膜を除去する工程
は、代表例としてホト午崟]ｉりゑるレジスト除去工程
がある。このようなレジスト除去工程は、発煙硝酸を用
いて酸化除去する方法や、フェノール系の有機溶媒で分
解除去する方法が一般的であった。しかしながら、この
ような薬品を用いてレジストを分解除去する方法は、除
去工程そのものが不安定であった。また、除去残査や薬
品に含まれる不純物は、デバイス特性を不安定にする大
きな原因となっていた。
造において、無機基板表面の有機薄膜を除去する工程
は、代表例としてホト午崟]ｉりゑるレジスト除去工程
がある。このようなレジスト除去工程は、発煙硝酸を用
いて酸化除去する方法や、フェノール系の有機溶媒で分
解除去する方法が一般的であった。しかしながら、この
ような薬品を用いてレジストを分解除去する方法は、除
去工程そのものが不安定であった。また、除去残査や薬
品に含まれる不純物は、デバイス特性を不安定にする大
きな原因となっていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】以上のような欠点に鑑
み、本発明では、ＴＦＴアレイや半導体装置製造におけ
るデバイス特性を損なうことなく、比較的低温で有機被
膜を完全に酸化除去し、デバイスへのコンタミ要因を除
去する方法を提供することを目的とする。
み、本発明では、ＴＦＴアレイや半導体装置製造におけ
るデバイス特性を損なうことなく、比較的低温で有機被
膜を完全に酸化除去し、デバイスへのコンタミ要因を除
去する方法を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、少なくとも、無機基板上に形成された有
機被膜や有機物汚れを超臨界水中で酸化除去する方法を
提供する。
に、本発明は、少なくとも、無機基板上に形成された有
機被膜や有機物汚れを超臨界水中で酸化除去する方法を
提供する。
【０００５】このとき、無機基板は半導体素子製造用シ
リコンまたは液晶表示素子製造用ガラス基板等を想定
し、有機被膜としてリソグラフィー用のレジストを想定
すると、レジスト除去工程において有効である。
リコンまたは液晶表示素子製造用ガラス基板等を想定
し、有機被膜としてリソグラフィー用のレジストを想定
すると、レジスト除去工程において有効である。
【０００６】さらに、超臨界水として比抵抗が１０メグ
オーム以上の超純水を用い、３７５℃以上で且つ２２０
気圧以上の条件下で処理すると、比較的低温で且つ不純
物で汚染することなく効率的に有機薄膜を除去できる。
オーム以上の超純水を用い、３７５℃以上で且つ２２０
気圧以上の条件下で処理すると、比較的低温で且つ不純
物で汚染することなく効率的に有機薄膜を除去できる。
【０００７】また、この技術を応用すると、少なくとも
半導体基板表面にレジストを塗布する工程と、ホトマス
クを用いて露光する工程と、現像してレジストパターン
を形成する工程と、前記レジストパターンを超臨界水中
で酸化除去する工程を行うことで半導体装置を製造でき
る。さらに、ホトマスクを用いて露光する工程の変わり
に電子ビームで直接任意のパターンで露光する工程を用
いても良い。
半導体基板表面にレジストを塗布する工程と、ホトマス
クを用いて露光する工程と、現像してレジストパターン
を形成する工程と、前記レジストパターンを超臨界水中
で酸化除去する工程を行うことで半導体装置を製造でき
る。さらに、ホトマスクを用いて露光する工程の変わり
に電子ビームで直接任意のパターンで露光する工程を用
いても良い。
【０００８】あるいは、少なくともガラス基板表面にレ
ジストを塗布する工程と、ホトマスクを用いて露光する
工程と、現像してレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンを超臨界水中で酸化除去する工程
をを行うことで液晶表示装置を製造できる。さらに、こ
のときもホトマスクを用いて露光する工程の変わりに電
子ビームで直接任意のパターンで露光する工程を用いて
も良い。
ジストを塗布する工程と、ホトマスクを用いて露光する
工程と、現像してレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンを超臨界水中で酸化除去する工程
をを行うことで液晶表示装置を製造できる。さらに、こ
のときもホトマスクを用いて露光する工程の変わりに電
子ビームで直接任意のパターンで露光する工程を用いて
も良い。
【０００９】一方、上述のような方法を行う目的に、少
なくとも２２０気圧以上の耐圧気密容器であり、３７５
℃以上の加熱機能を有し処理できる有機薄膜除去装置を
提供する。
なくとも２２０気圧以上の耐圧気密容器であり、３７５
℃以上の加熱機能を有し処理できる有機薄膜除去装置を
提供する。
【００１０】このとき、容器内に複数枚の基板を同時に
装着して処理できると、生産性を向上する上で都合がよ
い。
装着して処理できると、生産性を向上する上で都合がよ
い。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の有機薄膜の除去方
法を説明するため、実施の形態として半導体素子や液晶
表示素子の製造で頻繁に用いれれる用いられるホトリソ
グラフィーを例にして概要を説明する。
法を説明するため、実施の形態として半導体素子や液晶
表示素子の製造で頻繁に用いれれる用いられるホトリソ
グラフィーを例にして概要を説明する。
【００１２】まず、はじめにシリコンまたはガラス基板
を準備する。その表面にパターン形成を目的とし酸化シ
リコン膜やチッ化シリコン膜を形成する。さらに、その
表面にホトレジスト膜を形成し、露光現像してレジスト
パターンを形成する。その後このレジストパターンをマ
スクにして、パターン形成を目的とし酸化シリコン膜や
チッ化シリコン膜を選択的にエッチングする。その後、
２２０気圧以上の耐圧気密容器であり、３７５℃以上の
加熱機能を有し処理できる有機薄膜除去装置にいれて加
圧した状態で加熱し、前記レジストパターンを酸化除去
する。
を準備する。その表面にパターン形成を目的とし酸化シ
リコン膜やチッ化シリコン膜を形成する。さらに、その
表面にホトレジスト膜を形成し、露光現像してレジスト
パターンを形成する。その後このレジストパターンをマ
スクにして、パターン形成を目的とし酸化シリコン膜や
チッ化シリコン膜を選択的にエッチングする。その後、
２２０気圧以上の耐圧気密容器であり、３７５℃以上の
加熱機能を有し処理できる有機薄膜除去装置にいれて加
圧した状態で加熱し、前記レジストパターンを酸化除去
する。
【００１３】この方法は、アモルファスシリコンなどを
用いた液晶表示装置用アレイなど、高温で処理すると特
性が劣化するデバイスの製造には極めて有効である。
用いた液晶表示装置用アレイなど、高温で処理すると特
性が劣化するデバイスの製造には極めて有効である。
【００１４】（実施例１）予め良く洗浄された透明ガラ
ス基板１を準備し、アンダーコート膜２としてシリカ
（ＳｉＯ2）膜を０．４ミクロンＣＶＤ法で堆積した。
その後、半導体膜としてプラズマＣＶＤ法を用いて不純
物を含まないアモルファスシリコン（ｉ型ａ−Ｓｉ）膜
３を５０ｎｍ、ゲート絶縁膜４としてプラズマＣＶＤ法
を用いてＳｉＮx膜を１５０ｎｍ、さらに、ゲート電極
およびゲート配線用のゲート配線金属膜５としてＡｌ−
Ｚｒ（９７：３）合金をスパッタリング法を用いて２０
０ｎｍ程度の膜厚までそれぞれ真空中で連続して形成し
た。
ス基板１を準備し、アンダーコート膜２としてシリカ
（ＳｉＯ2）膜を０．４ミクロンＣＶＤ法で堆積した。
その後、半導体膜としてプラズマＣＶＤ法を用いて不純
物を含まないアモルファスシリコン（ｉ型ａ−Ｓｉ）膜
３を５０ｎｍ、ゲート絶縁膜４としてプラズマＣＶＤ法
を用いてＳｉＮx膜を１５０ｎｍ、さらに、ゲート電極
およびゲート配線用のゲート配線金属膜５としてＡｌ−
Ｚｒ（９７：３）合金をスパッタリング法を用いて２０
０ｎｍ程度の膜厚までそれぞれ真空中で連続して形成し
た。
【００１５】次に、ホトレジスト（東京応化製TFR-89
0、または住化のPFI-37Aを使用）をスピナーで１．５ミ
クロンの厚みで塗布し、プレベークを行い、露光装置を
用いておよそ１００ｍＪ／ｃｍ2で露光した後、専用現
像液を用いて現像し、第１回目のホトリリソ用レジスト
パターン６を形成した。つぎに、この第１のレジストパ
ターン６をマスクに、前記ゲート電極およびゲート配線
用のゲート配線金属膜５を選択的にエッチングした（図
１）。その後、同様の基板を５枚まとめて圧力容器内に
比抵抗が１２メグオーム以上の超純水と供に封じ込め、
２５０気圧４００℃で３０分間処理し、前記レジストを
酸化除去した。
0、または住化のPFI-37Aを使用）をスピナーで１．５ミ
クロンの厚みで塗布し、プレベークを行い、露光装置を
用いておよそ１００ｍＪ／ｃｍ2で露光した後、専用現
像液を用いて現像し、第１回目のホトリリソ用レジスト
パターン６を形成した。つぎに、この第１のレジストパ
ターン６をマスクに、前記ゲート電極およびゲート配線
用のゲート配線金属膜５を選択的にエッチングした（図
１）。その後、同様の基板を５枚まとめて圧力容器内に
比抵抗が１２メグオーム以上の超純水と供に封じ込め、
２５０気圧４００℃で３０分間処理し、前記レジストを
酸化除去した。
【００１６】このとき、基板間ギャップを１０ｍｍとし
て５枚同時に処理したが、何れもきれいに酸化除去でき
た。なお、純水の臨界点は、２１８．３℃３７４．２℃
なので、レジスト除去装置は、少なくとも２２０気圧以
上の耐圧気密容器であり、３７５℃以上の加熱機能を有
し処理できるものであればよい。また、複数枚同時に処
理できる装置が、生産性向上の上で都合がよい。
て５枚同時に処理したが、何れもきれいに酸化除去でき
た。なお、純水の臨界点は、２１８．３℃３７４．２℃
なので、レジスト除去装置は、少なくとも２２０気圧以
上の耐圧気密容器であり、３７５℃以上の加熱機能を有
し処理できるものであればよい。また、複数枚同時に処
理できる装置が、生産性向上の上で都合がよい。
【００１７】その後、前記ゲート電極およびゲート配線
用のゲート配線金属膜５パターンを硼酸アンモニアを用
いｐＨ７付近の電解液中で陽極酸化してパタ−ンの上側
面（上面と側面）にＡｌ2Ｏ3を主成分とする陽極酸化絶
縁膜７を形成した。これをマスクにゲート絶縁膜をエッ
チングしゲート絶縁膜パターン４’を形成した（図
２）。
用のゲート配線金属膜５パターンを硼酸アンモニアを用
いｐＨ７付近の電解液中で陽極酸化してパタ−ンの上側
面（上面と側面）にＡｌ2Ｏ3を主成分とする陽極酸化絶
縁膜７を形成した。これをマスクにゲート絶縁膜をエッ
チングしゲート絶縁膜パターン４’を形成した（図
２）。
【００１８】このとき、レジストパターン６およびゲー
ト電極とゲート配線用のゲート配線金属膜パターンをマ
スクにゲート絶縁膜をエッチングしても良いが、陽極酸
化絶縁膜を形成した後これをマスクにゲート絶縁膜をエ
ッチングした方が、ゲート電極やゲート配線用のゲート
配線金属膜パターンの陽極酸化膜下部にアンダーカット
部が生じなくて都合がよい。
ト電極とゲート配線用のゲート配線金属膜パターンをマ
スクにゲート絶縁膜をエッチングしても良いが、陽極酸
化絶縁膜を形成した後これをマスクにゲート絶縁膜をエ
ッチングした方が、ゲート電極やゲート配線用のゲート
配線金属膜パターンの陽極酸化膜下部にアンダーカット
部が生じなくて都合がよい。
【００１９】次に、プラズマＣＶＤ法を用いてリン（ｎ
型不純物）を含むアモルファスシリコン（ｎ＋ａ−Ｓ
ｉ）膜８を５０ｎｍ堆積し、スパッタリング法を用いて
コンタクト電極金属膜９としてＴｉ金属膜を１００ｎｍ
程度、さらにソースおよびドレーン配線用金属膜１０と
してＡｌ−Ｚｒ膜を２００ｎｍの膜厚まで連続で蒸着形
成した後、第２回目のホトリリソ用レジストパターン１
１を形成し、これをマスクに、Ａｌ−Ｚｒ膜１０、Ｔｉ
金属膜９（図３）、およびｎ＋ａ−Ｓｉ膜８とｉ型ａ−
Ｓｉ膜３を順次エッチングし、Ａｌ−Ｚｒ膜とＴｉ金属
膜とｎ＋ａ−Ｓｉ膜が積層されたソース電極配線１２、
ドレーン電極１３を形成しＴＦＴ群を形成した（図
４）。レジスト除去は、第１回目のレジスト除去と同様
に行った。
型不純物）を含むアモルファスシリコン（ｎ＋ａ−Ｓ
ｉ）膜８を５０ｎｍ堆積し、スパッタリング法を用いて
コンタクト電極金属膜９としてＴｉ金属膜を１００ｎｍ
程度、さらにソースおよびドレーン配線用金属膜１０と
してＡｌ−Ｚｒ膜を２００ｎｍの膜厚まで連続で蒸着形
成した後、第２回目のホトリリソ用レジストパターン１
１を形成し、これをマスクに、Ａｌ−Ｚｒ膜１０、Ｔｉ
金属膜９（図３）、およびｎ＋ａ−Ｓｉ膜８とｉ型ａ−
Ｓｉ膜３を順次エッチングし、Ａｌ−Ｚｒ膜とＴｉ金属
膜とｎ＋ａ−Ｓｉ膜が積層されたソース電極配線１２、
ドレーン電極１３を形成しＴＦＴ群を形成した（図
４）。レジスト除去は、第１回目のレジスト除去と同様
に行った。
【００２０】その後、インジュウム錫酸化膜（ＩＴＯ）
よりなる透明電極膜１４をスパッタリング法を用いて１
００ｎｍ程度の膜厚まで蒸着形成した後、通常の方法で
第３回目のホトリリソ用レジストパターン１５を形成
し、透明電極膜パターン群（画素電極）１４’を形成し
た（図５）。レジスト除去は、第１回目のレジスト除去
と同様に行った。
よりなる透明電極膜１４をスパッタリング法を用いて１
００ｎｍ程度の膜厚まで蒸着形成した後、通常の方法で
第３回目のホトリリソ用レジストパターン１５を形成
し、透明電極膜パターン群（画素電極）１４’を形成し
た（図５）。レジスト除去は、第１回目のレジスト除去
と同様に行った。
【００２１】最後に、シラザン系の熱分解性シリカを用
い印刷焼成法により前記ＴＦＴおよびを被うようにシリ
カ保護膜１６を３００ｎｍ形成し、このシリカ保護膜パ
ターンをマスクに外部駆動回路と接続する部分のゲート
電極金属上の陽極酸化膜をエッチング除去すると透過型
液晶表示装置に使用可能なＴＦＴアレイ１７をホトマス
ク３枚で作成できた（図５）。
い印刷焼成法により前記ＴＦＴおよびを被うようにシリ
カ保護膜１６を３００ｎｍ形成し、このシリカ保護膜パ
ターンをマスクに外部駆動回路と接続する部分のゲート
電極金属上の陽極酸化膜をエッチング除去すると透過型
液晶表示装置に使用可能なＴＦＴアレイ１７をホトマス
ク３枚で作成できた（図５）。
【００２２】なお、上記実施例では、ＴＦＴアレイ製
造、すなわち、ガラス基板表面に形成したホトレジスト
の除去を示したが、半導体装置製造、すなわち基板がシ
リコンの場合にも同様に応用できた。また、本発明の方
法は、レジスト除去に限定されるものではなく、無機基
板上の有機被膜除去や有機物汚れ除去にも応用できた。
造、すなわち、ガラス基板表面に形成したホトレジスト
の除去を示したが、半導体装置製造、すなわち基板がシ
リコンの場合にも同様に応用できた。また、本発明の方
法は、レジスト除去に限定されるものではなく、無機基
板上の有機被膜除去や有機物汚れ除去にも応用できた。
【００２３】このとき、超臨界水として比抵抗が１０メ
グオーム以上の超純水を用い、３７５℃以上で且つ２２
０気圧以上の条件下で処理すれば、無機基板上の有機物
汚染除去、およびＴＦＴアレイや半導体装置の製造を支
障なく行えた。
グオーム以上の超純水を用い、３７５℃以上で且つ２２
０気圧以上の条件下で処理すれば、無機基板上の有機物
汚染除去、およびＴＦＴアレイや半導体装置の製造を支
障なく行えた。
【００２４】なお、ホトマスクを用いて露光する工程の
変わりに、電子ビームで直接任意のパターンで露光を行
っても同様の結果が得られた。
変わりに、電子ビームで直接任意のパターンで露光を行
っても同様の結果が得られた。
【００２５】一方、除去装置としては、少なくとも２２
０気圧以上の耐圧気密容器であり、３７５℃以上の加熱
機能を有し処理できるものであればよい。
０気圧以上の耐圧気密容器であり、３７５℃以上の加熱
機能を有し処理できるものであればよい。
【００２６】さらに、容器内に複数枚の基板を同時に装
着して処理できることが、量産性を確保する上で好まし
い。
着して処理できることが、量産性を確保する上で好まし
い。
【００２７】（実施例２）次に、上記実施例１を用いて
作成したＴＦＴアレイを用いて、実際に液晶表示デバイ
スを製造した場合の製造プロセスについて図７を用いて
説明する。
作成したＴＦＴアレイを用いて、実際に液晶表示デバイ
スを製造した場合の製造プロセスについて図７を用いて
説明する。
【００２８】まず、実施例１と同様の２枚マスクを用い
て製造されたＴＦＴアレイ、すなわちマトリックス状に
載置された第１の電極群２１とこの電極を駆動するトラ
ンジスター群２２を有する第１のＴＦＴアレイ基板２
３、および第１の電極群と対向するように載置したカラ
ーフィルター群２４と第２の電極２５を有するカラーフ
ィルター基板２６上に、それぞれ通常の方法でポリイミ
ド樹脂を塗布・硬化しラビングを行い液晶配向膜２７、
２７’を作製した。
て製造されたＴＦＴアレイ、すなわちマトリックス状に
載置された第１の電極群２１とこの電極を駆動するトラ
ンジスター群２２を有する第１のＴＦＴアレイ基板２
３、および第１の電極群と対向するように載置したカラ
ーフィルター群２４と第２の電極２５を有するカラーフ
ィルター基板２６上に、それぞれ通常の方法でポリイミ
ド樹脂を塗布・硬化しラビングを行い液晶配向膜２７、
２７’を作製した。
【００２９】次に、前記第１と第２の基板２３、２６を
電極が対向するように位置合わせしてスペーサー２８と
接着剤２９でおよそ５ミクロンのギャップで配向方向が
９０度ねじれたセルを作成した。その後、前記第１と第
２の基板に前記ＴＮ液晶３０を注入した後、偏光板３
１、３２をクロスニコルに組み合わせて表示素子を完成
した。
電極が対向するように位置合わせしてスペーサー２８と
接着剤２９でおよそ５ミクロンのギャップで配向方向が
９０度ねじれたセルを作成した。その後、前記第１と第
２の基板に前記ＴＮ液晶３０を注入した後、偏光板３
１、３２をクロスニコルに組み合わせて表示素子を完成
した。
【００３０】この様なデバイスは、バックライト３３を
全面に照射しながら、ビデオ信号を用いて各々のトラン
ジスタを駆動することで矢印Ａの方向に映像を表示でき
た。
全面に照射しながら、ビデオ信号を用いて各々のトラン
ジスタを駆動することで矢印Ａの方向に映像を表示でき
た。
【００３１】このとき、ボトムゲート型ＴＦＴアレイを
製造する工程の後、配向膜形成の前に、少なくとも前記
ＴＦＴアレイの一部を保護膜で被う工程を行うと信頼性
の高い液晶表示装置を製造できた。
製造する工程の後、配向膜形成の前に、少なくとも前記
ＴＦＴアレイの一部を保護膜で被う工程を行うと信頼性
の高い液晶表示装置を製造できた。
【００３２】また、保護膜として、無機物であるシリカ
膜またはチッ化珪素膜を用いると、さらに信頼性の高い
液晶表示装置を製造できた。
膜またはチッ化珪素膜を用いると、さらに信頼性の高い
液晶表示装置を製造できた。
【００３３】さらに、透明電極膜の代わりに金属電極膜
を形成したＴＦＴアレイを用いると反射型液晶表示装置
を製造できた。
を形成したＴＦＴアレイを用いると反射型液晶表示装置
を製造できた。
【００３４】
【発明の効果】本実施例における有機薄膜の除去法（レ
ジスト除去法）を用いれば、従来の発煙硝酸やフェノー
ル系レジスト除去液のような危険な薬品を用いる必要が
ないので、安全である。また、薬品を用いて除去する場
合に比べ、薬品に含まれる不純物による汚染を大幅に低
減でき、液晶表示装置に用いるＴＦＴアレイやシリコン
半導体素子におけるトランジスタ特性の安定化に大きく
寄与できる。
ジスト除去法）を用いれば、従来の発煙硝酸やフェノー
ル系レジスト除去液のような危険な薬品を用いる必要が
ないので、安全である。また、薬品を用いて除去する場
合に比べ、薬品に含まれる不純物による汚染を大幅に低
減でき、液晶表示装置に用いるＴＦＴアレイやシリコン
半導体素子におけるトランジスタ特性の安定化に大きく
寄与できる。
【００３５】さらに、危険な化学物質を含まないので廃
液処理も極めて簡単にできる効果がある。
液処理も極めて簡単にできる効果がある。
【００３６】とくに、ＴＦＴアレイ製造においては、ア
モルファスシリコンＴＦＴの特性を損なうことがない４
００℃程度で処理できるので、効果大である。
モルファスシリコンＴＦＴの特性を損なうことがない４
００℃程度で処理できるので、効果大である。
【図１】本発明の実施例１におけるＴＦＴアレイの製造
工程を説明する工程断面概念図
工程を説明する工程断面概念図
【図２】本発明の実施例１におけるＴＦＴアレイの製造
工程を説明する工程断面概念図
工程を説明する工程断面概念図
【図３】本発明の実施例１におけるＴＦＴアレイの製造
工程を説明する工程断面概念図
工程を説明する工程断面概念図
【図４】本発明の実施例１におけるＴＦＴアレイの製造
工程を説明する工程断面概念図
工程を説明する工程断面概念図
【図５】本発明の実施例１におけるＴＦＴアレイの製造
工程を説明する工程断面概念図
工程を説明する工程断面概念図
【図６】本発明の実施例１におけるＴＦＴアレイの製造
工程を説明する工程断面概念図
工程を説明する工程断面概念図
【図７】本発明の実施例２における液晶表示装置を説明
する断面概念図
する断面概念図
１ 透明ガラス基板 ２ アンダーコート膜 ３ ｉ型ａ−Ｓｉ膜 ４ ゲート絶縁膜 ４’ ゲート絶縁膜パターン ５ ゲート電極 ６ 第１回目のレジストパターン ７ 陽極酸化絶縁膜 ８ ｎ＋ａ−Ｓｉ膜 ９ コンタクト電極金属膜 １０ ソースドレーン配線用金属膜 １１，１１’ 第２回目のレジストパターン １２ ソース電極配線 １３ ドレーン電極 １４ 透明導電膜 １４’ 画素透明電極 １５ 第３回目のレジストパターン １６ シリカ保護膜 １７ 透過型ＴＦＴアレイ ２１ 第１の電極群 ２２ トランジスタ群 ２３ ＴＦＴアレイ基板 ２４ カラーフィルター群 ２５ 第２の電極 ２６ カラーフィルター基板 ２７ 液晶配向膜 ２８ スペーサー ２９ 接着剤 ３０ 液晶 ３１，３２ 偏光板 ３３ バックライト
Claims (10)
- 【請求項１】少なくとも、無機基板上に形成された有機
被膜を超臨界水中で選択的に酸化除去することを特徴と
する有機薄膜の除去方法。 - 【請求項２】無機基板がシリコンまたはガラスであるこ
とを特徴とする請求項１記載の有機薄膜の除去方法。 - 【請求項３】有機被膜がリソグラフィー用のレジストで
あることを特徴とする請求項１または２記載の有機薄膜
の除去方法。 - 【請求項４】超臨界水として比抵抗が１０メグオーム以
上の超純水を用い、３７５℃以上で且つ２２０気圧以上
の条件下で処理することを特徴とする請求項１〜３のい
ずれかに記載の有機薄膜の除去方法。 - 【請求項５】少なくとも半導体基板表面にレジストを塗
布する工程と、ホトマスクを用いて露光する工程と、現
像してレジストパターンを形成する工程と、前記レジス
トパターンを超臨界水中で酸化除去する工程を含むこと
を特徴とした半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】ホトマスクを用いて露光する工程の変わり
に電子ビームで直接任意のパターンで露光する工程を用
いることを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造
方法。 - 【請求項７】少なくともガラス基板表面にレジストを塗
布する工程と、ホトマスクを用いて露光する工程と、現
像してレジストパターンを形成する工程と、前記レジス
トパターンを超臨界水中で酸化除去する工程を含むこと
を特徴とした液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項８】ホトマスクを用いて露光する工程の変わり
に電子ビームで直接任意のパターンで露光する工程を用
いることを特徴とする請求項７記載の液晶表示装置の製
造方法。 - 【請求項９】少なくとも２２０気圧以上の耐圧気密容器
であり、３７５℃以上の加熱機能を有し処理できること
を特徴とする有機薄膜の除去装置。 - 【請求項１０】容器内に複数枚の基板を同時に装着して
処理できることを特徴とする請求項９記載の有機薄膜の
除去装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28958099A JP2001110711A (ja) | 1999-10-12 | 1999-10-12 | 有機薄膜の除去方法およびそれを用いた半導体装置と液晶表示装置の製造方法及びそれに用いる有機薄膜の除去装置 |
| PCT/JP2000/007099 WO2001027985A1 (fr) | 1999-10-12 | 2000-10-12 | Procede d'extraction d'une substance organique presente sur un substrat, dispositif de mise en oeuvre, procede de fabrication d'un dispositif semi-conducteur, procede de fabrication d'un afficheur et appareil de fabrication correspondant |
| TW89121324A TW469529B (en) | 1999-10-12 | 2000-10-12 | Method and apparatus for removing organic substance on substrate, method for producing semiconductor device, and method and apparatus for producing display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28958099A JP2001110711A (ja) | 1999-10-12 | 1999-10-12 | 有機薄膜の除去方法およびそれを用いた半導体装置と液晶表示装置の製造方法及びそれに用いる有機薄膜の除去装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001110711A true JP2001110711A (ja) | 2001-04-20 |
Family
ID=17745084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28958099A Pending JP2001110711A (ja) | 1999-10-12 | 1999-10-12 | 有機薄膜の除去方法およびそれを用いた半導体装置と液晶表示装置の製造方法及びそれに用いる有機薄膜の除去装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001110711A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10320679A1 (de) * | 2003-04-30 | 2004-12-02 | Infineon Technologies Ag | Behandlung von Werkstücken mit überkritischem Wasser |
| US7025647B2 (en) | 2001-10-30 | 2006-04-11 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing laminated film, electro-optical device, method for manufacturing electro-optical device, organic electroluminescence device, and electronic appliances |
| US7364839B2 (en) | 2002-07-24 | 2008-04-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for forming a pattern and substrate-processing apparatus |
-
1999
- 1999-10-12 JP JP28958099A patent/JP2001110711A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7025647B2 (en) | 2001-10-30 | 2006-04-11 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing laminated film, electro-optical device, method for manufacturing electro-optical device, organic electroluminescence device, and electronic appliances |
| US7364839B2 (en) | 2002-07-24 | 2008-04-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for forming a pattern and substrate-processing apparatus |
| DE10320679A1 (de) * | 2003-04-30 | 2004-12-02 | Infineon Technologies Ag | Behandlung von Werkstücken mit überkritischem Wasser |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4458563B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法およびこれを用いた液晶表示装置の製造方法 | |
| US8232214B2 (en) | Liquid crystal display device and method of fabricating the same | |
| US8854565B2 (en) | Method of fabricating liquid crystal display device | |
| JPH1068971A (ja) | アクティブマトリクス液晶表示装置及びアクティブマトリクス液晶表示装置の製造方法 | |
| US20040089900A1 (en) | Method of pattering thin film and tft array substrate using it and production method therefor | |
| US8158467B2 (en) | Liquid crystal display device and method of fabricating the same | |
| JP2008083497A (ja) | 電極基板の製造方法 | |
| JP2003302647A (ja) | 液晶表示素子及びその製造方法 | |
| JP2008042218A (ja) | 薄膜トランジスタパネルの製造方法 | |
| JP2008304830A (ja) | 表示デバイスの製造方法 | |
| JP2001110711A (ja) | 有機薄膜の除去方法およびそれを用いた半導体装置と液晶表示装置の製造方法及びそれに用いる有機薄膜の除去装置 | |
| JPH1096960A (ja) | 液晶表示装置の製造における有機膜のホールの形成方法 | |
| JP2737982B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPH11345874A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2006202961A (ja) | 印刷パターンを用いた処理方法及び印刷パターンの製造装置 | |
| JPH07191323A (ja) | 液晶パネル用基板とその製造方法 | |
| KR100219500B1 (ko) | 박막트랜지스터-액정표시장치의 제조방법 | |
| KR100493383B1 (ko) | 액정표시장치의 금속패턴 형성방법 | |
| JPH1195239A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| KR960012270B1 (ko) | 투명 도전성기관 제조방법 | |
| JP2720469B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| KR100476055B1 (ko) | 반사형 액정표시소자의 박막트랜지스터 패널 제조방법 | |
| KR100325662B1 (ko) | 박막트랜지스터액정표시장치의제조방법 | |
| KR100558712B1 (ko) | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법 | |
| JPS62299035A (ja) | 半導体装置の製造方法 |