JP2003302647A - 液晶表示素子及びその製造方法 - Google Patents

液晶表示素子及びその製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 前記非晶質インジウム−スズ酸化物を選択的
に光で露光して、多結晶質または結晶質インジウム−ス
ズ酸化物に変換させ、残りの前記非晶質インジウム−ス
ズ酸化物を選択的にエッチングして画素電極を形成する
ことにより、工程を単純化させて生産性を向上させ得る
液晶表示素子の製造方法を提供する。 【解決手段】 基板上に複数個の画素領域を定義する
ために縦横に並んでいる複数個のゲート配線及びデータ
配線と複数個の薄膜トランジスタを備えた薄膜トランジ
スタアレイを形成する工程と、前記各薄膜トランジスタ
のドレイン電極にコンタクトホールを有するように基板
全面に保護膜を形成する工程と、前記保護膜上に非晶質
インジウム−スズ酸化物薄膜を形成する工程と、前記画
素領域の前記非晶質インジウム−スズ酸化物に選択的に
光を照射して、前記非晶質インジウム−スズ酸化物を選
択的に結晶化させる工程と、前記結晶化しなかった前記
非晶質インジウム−スズ酸化物薄膜を選択的に除去して
画素電極を形成する工程とを含めてなることを特徴とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示素子及びそ
の製造方法に関し、特に保護膜上に蒸着された非晶質イ
ンジウム−スズ酸化物をエキシマーレーザー光にシルエ
ット露光させて多結晶質または結晶質インジウム−スズ
酸化物に結晶化させ、残りの前記非晶質インジウム−ス
ズ酸化物を選択的にエッチングすることにより、画素電
極を形成できる液晶表示素子及びその製造方法に関す
る。
【０００２】
【関連技術】一般的に液晶表示装置は小型化、軽量化、
薄型化が可能な表示装置として広く用いられている。こ
のような液晶表示素子はコントラスト比が高く、階調表
示や動画像表示に適合し、電力消費が小さいという長所
のため、ＣＲＴ(ｃａｔｈｏｄｅ ｒａｙ ｔｕｂｅ)の短
所を克服できる代替手段として次第にその使用領域が拡
大されている
【０００３】かかる液晶表示素子の液晶パネルはゲート
配線及びデータ配線により定義された画素領域に薄膜ト
ランジスタ及び画素電極を備えた薄膜トランジスタ基板
と、カラーフィルター層及び共通電極を備えたカラーフ
ィルター基板と、前記両基板の間に介在する液晶層とか
らなる。
【０００４】一般的に液晶表示素子は、電界生成電極が
各々形成されている両基板を、両電極が形成されている
面が対向するように配置し、両基板の間に液晶物質を注
入したあと、両電極に電圧を印加して生成される電場に
より液晶分子を動かすことによって変化する光の透過率
により画像を表現する装置である。
【０００５】このような液晶表示装置は多様な形態から
なり得るが、現在薄膜トランジスタと薄膜トランジスタ
に連結された画素電極がマトリクス方式に配列されたア
クティブマトリクス液晶表示装置が解像度及び動画具現
能力が優れていて一番注目されている。
【０００６】かかる液晶表示装置は下部基板に画素電極
が形成されており、上部基板に共通電極が形成されてい
る構造であって、両電極の間にかかっている基板に垂直
な方向の電場により液晶分子を駆動する方式である。
【０００７】以下、液晶表示装置に対して添付の図面を
参照しながら、具体的に説明する。図１ａは一般的な液
晶表示素子の平面図であり、図１ｂは図１ａのI−I′線
上の断面図である。図１ａに示すように、これまでの液
晶表示素子は、マトリックス形態の複数個の画素領域を
定義するため、互いに直角な方向に配列される複数個の
ゲート線配線１及び複数個のデータ配線３と、前記各画
素領域に形成される複数個の画素電極８と、前記ゲート
配線１及びデータ配線３が交差する部分に形成されて前
記ゲート配線１の信号に従って、スイッチングされて前
記データ配線３の映像信号を前記各画素電極８に印加す
る複数個の薄膜トランジスタ７を含めて構成される。
【０００８】ここで、前記ゲート配線１及びデータ配線
３は抵抗の低いアルミニウム系金属化合物の半透明金属
からなっており、前記画素電極８はインジウム−スズ酸
化物のような透明金属からなっている。
【０００９】このように構成された液晶表示素子の断面
構成は、図１ｂに示すように、第１基板９上に一方向に
形成されたゲート配線１と前記ゲート配線１から突出さ
れるようにゲート電極２が形成され、前記ゲート配線１
を含む基板全面にゲート絶縁膜１１が形成される。そし
て、前記ゲート電極２の上側のゲート絶縁膜１１の上に
島状の半導体層１２が形成され、前記ゲート配線１と垂
直した方向に前記ゲート絶縁膜１１の上にデータ配線３
が形成される。この際、前記半導体層１２の両端に前記
データ配線３から突出されたソース電極５ａと前記ソー
ス電極５ａから一定距離だけ離隔されたドレイン電極５
ｂが形成されてゲート電極配線１とデータ配線３とが交
差する部分に薄膜トランジスタ７が形成される。
【００１０】そして、前記ドレイン電極５ｂにコンタク
トホールを有するように前記薄膜トランジスタ７を含む
第１基板９全面にかけて保護膜１３が形成され、前記ド
レイン電極５ｂとコンタクトホールとを通じて電気的に
連結されるように前記保護膜１３の上の前記画素領域に
画素電極８が形成される。前記画素電極８を含む第１基
板９の全面に液晶を規則的に配列するための第１配向膜
１７ａが形成される。
【００１１】また、第２基板１０には上述の画素領域を
除いた部分(ゲート配線１、データ配線３及び薄膜トラ
ンジスタ７に相応する部分)の光を遮断するために、遮
光膜１４が形成され、前記遮光膜１４の上の各画素領域
に色相を具現するためのＲ、Ｇ、Ｂカラーフィルター層
１５が形成される。そして、前記第１基板９の画素電極
８から電位差を有するための共通電極１６と前記共通電
極１６の上に液晶の規則的な配列のための第２配向膜１
７ｂが順次に形成される。
【００１２】このように形成された前記第１基板９又は
第２基板１０にスペーサー(図示せず)及びシール剤(図
示せず)が形成されて一定空間を維持するように前記第
１、第２基板９、１０が貼り合わせられ、前記両基板の
間に液晶層２３が形成される。
【００１３】このような構造の液晶表示素子の製造工程
はシリコン半導体の製造工程と類似するため、基板上に
薄膜を蒸着し、前記基板上に蒸着された薄膜をパターニ
ングするためのフォトリソグラフィーによる一連の工
程、即ち、フォトレジスタ（ＰＲ）塗布、ＵＶ露光、現
像、薄膜のエッチング、ＰＲストリップ形成及び洗浄の
ような単位工程が成されるが、このような単位工程は前
記薄膜の形成によって多数の反覆作業を要する。
【００１４】図２ａないし２ｆは関連技術における液晶
表示素子の製造工程の断面図である。これまでの液晶表
示素子の製造方法は、基板９の上に金属層を蒸着しパタ
ーニングしてゲート配線１及びゲート電極２を形成す
る。全面にゲート絶縁膜１１を蒸着し、全面に半導体層
１２を蒸着し前記ゲート電極２の上側のみに島状に残る
ように選択的に除去して薄膜トランジスタの発生層を形
成する。
【００１５】全面に金属層を蒸着しパターニングしてデ
ータ配線３及びソース／ドレイン電極５ａ、５ｂを形成
する。そして、前記データ配線を含む基板の全面に保護
膜１３を形成し、前記ドレイン電極５ｂの上側が露出さ
れるように前記保護膜１３を選択的に除去して前記ドレ
イン電極５ｂにコンタクトホールを形成する。
【００１６】前記コンタクトホールを通じて前記ドレイ
ン電極５ｂに電気的に連結されるように前記保護膜１３
の上に低温スパッタリング方法により非晶質インジウム
−スズ酸化物８ａを形成する。
【００１７】図２ｂのように、前記非晶質インジウム−
スズ酸化物８ａの上に感光膜２０を塗布した後、ベーキ
ングして硬化させる。図２ｃのように、前記感光膜２０
の上に、マスク２１を位置させ、紫外線２２を用いて感
光膜２０をシルエット露光させる。図２ｄのように、前
記露光された前記感光膜２０を現像して露光された部分
を除去する。図２ｅのように、前記感光膜２０をマスク
として用いて前記非晶質インジウム−スズ酸化物８ａを
エッチング液を用いてエッチングする。この時、前記非
晶質インジウム−スズ酸化物８ａをエッチングするため
のエッチング液として薄い蓚酸又は薄い塩酸を使用でき
る。図２ｆのように、前記残っている前記感光膜２０を
ストリップし、基板を洗浄して画素領域に画素電極８を
形成する。
【００１８】以上のように、関連技術における液晶表示
素子の製造方法は前記保護膜１３上に非晶質インジウム
−スズ酸化物８ａ薄膜を蒸着し、前記非晶質インジウム
−スズ酸化物８ａ薄膜を写真石版印刷法及びエッチング
工程によりパターニングして画素電極８を形成する。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これま
での液晶表示素子の製造方法においては、次のような問
題点があった。
【００２０】第一に、画素電極の形成において、非晶質
インジウム−スズ酸化物上に感光膜を塗布する工程と、
感光膜を露光する工程及び前記感光膜を現像する工程
と、前記現像された感光膜をマスクとして用いて前記非
晶質インジウム−スズ酸化物をエッチングする工程と、
前記感光膜をストリップし洗浄する工程とからなる写真
石版印刷法を用いることによって、工程が複雑になると
共に、パターン不良が発生し易くて長い製造時間を要す
るため、生産性が劣る。
【００２１】第二に、これまでの液晶表示素子の製造方
法は画素電極を写真石版印刷法で形成するための設備費
及び維持保守費がかかるため生産性が劣る。
【００２２】そこで、本発明の目的は、前記非晶質イン
ジウム−スズ酸化物を選択的に光で露光して、多結晶質
または結晶質インジウム−スズ酸化物に変換させ、残り
の前記非晶質インジウム−スズ酸化物を選択的にエッチ
ングして画素電極を形成することにより、工程を単純化
させて生産性を向上させ得る液晶表示素子の製造方法を
提供することにある。
【００２３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明の液晶表示素子の製造方法は、基板上に複数個
の画素領域を定義するために縦横に並んでいる複数個の
ゲート配線及びデータ配線と複数個の薄膜トランジスタ
を備えた薄膜トランジスタアレイを形成する工程と、前
記各薄膜トランジスタのドレイン電極にコンタクトホー
ルを有するように基板全面に保護膜を形成する工程と、
前記保護膜上に非晶質インジウム−スズ酸化物薄膜を形
成する工程と、前記画素領域の前記非晶質インジウム−
スズ酸化物に選択的に光を照射して、前記非晶質インジ
ウム−スズ酸化物を選択的に結晶化させる工程と、前記
結晶化しなかった前記非晶質インジウム−スズ酸化物薄
膜を選択的に除去して画素電極を形成する工程とを含め
てなることを特徴とする。
【００２４】ここで、前記非晶質インジウム−スズ酸化
物を選択的に結晶化させる工程は、前記光を照射する前
に、前記画素領域以外の部分を遮光できるマスクを前記
非晶質インジウム−スズ酸化物上に位置させる工程をさ
らに含むことを特徴とする。前記光はエキシマーレーザ
ーまたはＵＮ光源を含むことを特徴とする。
【００２５】前記結晶化しなかった前記非晶質インジウ
ム−スズ酸化物薄膜は薄い蓚酸、薄い塩酸またはこれら
を混合した弱酸などのエッチング液により選択的に除去
されることを特徴とする。前記薄い蓚酸は１０％以下の
濃度を有することを特徴する。前記エッチング液の温度
を６０℃以下にして前記非晶質インジウム−スズ酸化物
をエッチングすることを特徴とする。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、添付の図面に基づいて本発
明の一実施形態による液晶表示素子の製造方法をより詳
細に説明する。
【００２７】図３ａ乃至図３ｄは本発明の一実施形態に
よる液晶表示素子の製造工程を示す断面図である。ま
ず、図３ａに示したように、ガラスまたは石英基板１０
９の上に、金属層を蒸着しパターニングしてゲート配線
(図３ａ乃至図３ｃには図示せず、図１ａの１参照)及び
ゲート電極１０２を形成する。前記ゲート電極１０２を
含む基板全面にゲート絶縁膜１１１と半導体層１１２を
順次に蒸着し、前記ゲート電極１０２の上側のみに島状
に残るように前記半導体層１１２を選択的に除去して薄
膜トランジスタの活性層を形成する。
【００２８】そして、前記基板全面に金属層を蒸着しパ
ターニングしてデータ配線１０３及びソース／ドレイン
電極１０５ａ、１０５ｂを形成する。前記データ配線を
含む基板全面に保護膜１１３を形成し、前記ドレイン電
極１０５ｂの上側が露出されるように前記保護膜１１３
を選択的に除去して前記ドレイン電極１０５ｂにコンタ
クトホールを形成する。
【００２９】前記コンタクトホールを通じてドレイン電
極１０５ｂに電気的に連結されるように前記保護膜１３
上に低温スパッタリング方法により非晶質インジウム−
スズ酸化物１０８ａを形成する。即ち、インジウム−ス
ズ酸化物をターゲットとして用いてスパッタリングする
とき、水(Ｈ２Ｏ)を添加したり前記ターゲットに少量の
亜鉛(Ｚｎ)などを添加して蒸着するか、または低温成膜
で前記非晶質インジウム−スズ酸化物１０８ａを形成す
る。
【００３０】図３ｂに示すように、前記非晶質インジウ
ム−スズ酸化物１０８ａ上に画素電極を形成しない部分
は、カバーされるようにマスク１２１を位置させ、光を
前記露出された非晶質インジウム−スズ酸化物１０８ａ
に照射する。この際、光は前記非晶質インジウム−スズ
酸化物１０８ａを結晶化させ得るように充分なエネルギ
ーと波長を有することを用い、前記光源としてはエキシ
マーレーザー１２２または前記非晶質インジウム−スズ
酸化物１０８ａを結晶化させ得るように充分なエネルギ
ーと波長を有するＵＮ光源を利用できる。このように、
前記エキシマーレーザー１２２またはＵＮ光源を照射す
ると、前記エキシマーレーザー１２２またはＵＮ光源が
照射された部分の非晶質インジウム−スズ酸化物１０８
ａは結晶質インジウム−スズ酸化物１０８ｂに結晶化さ
れる。
【００３１】図３ｃに示すように、前記レーザーまたは
ＵＮ光源が照射されなかったため、結晶化しなかった部
分の非晶質インジウム−スズ酸化物１０８ａをエッチン
グ液を用いてエッチングする。この際、前記非晶質イン
ジウム−スズ酸化物１０８ａをエッチングするためのエ
ッチング液として薄い蓚酸(１０％以下の濃度を有する)
または薄い塩酸を用いる。一番好ましくは２％〜５％の
濃度を有する蓚酸を用いる。
【００３２】例えば、１０％の薄い蓚酸を用いて前記非
晶質インジウム−スズ酸化物１０８ａと前記多結晶質ま
たは結晶質インジウム−スズ酸化物１０８ｂのエッチン
グ率を温度に従って比較すると、表１の通りである。
【表１】
【００３３】前記表１に示すように、薄い蓚酸は非晶質
インジウム−スズ酸化物１０８ａに対して低い温度から
高い温度までエッチング率が高いが、前記薄い蓚酸は多
結晶質インジウム−スズ酸化物１０８ｂを低い温度で殆
どエッチングできず、また高い温度でもエッチング率が
極めて低い。
【００３４】また、共通点は前記薄い蓚酸の温度を高め
るに伴って、エッチング率が増加することが分かる。こ
の際、表１の資料をグラフに示すと、図４のように示す
ことができる。即ち、薄い蓚酸を用いて常温で最大数百
秒内に前記数百Å厚みの非晶質インジウム−スズ酸化物
１０８ａを完全にエッチングできる反面、前記多結晶質
インジウム−スズ酸化物１０８ｂは殆どエッチングでき
ない。
【００３５】結局、本発明の液晶表示素子の製造方法は
画素電極を形成するために非晶質インジウム−スズ酸化
物１０８ａをエキシマーレーザー１２２またはＵＮ光源
に露光させて多結晶質または結晶質インジウム−スズ酸
化物１０８ｂに結晶化させ、前記エキシマーレーザー１
２２またはＵＮ光源に露光されない非晶質インジウム−
スズ酸化物１０８ａを選択的にエッチングできる。
【００３６】従って、本発明の液晶表示素子の製造方法
は保護膜１１３上に形成された非晶質インジウム−スズ
酸化物１０８ａと多結晶質または結晶質インジウム−ス
ズ酸化物１０８ｂとを薄い蓚酸または薄い塩酸のような
弱酸で非晶質インジウム−スズ酸化物１０８ａのみを選
択的にエッチングできるため、これまでの写真石版印刷
法に比べて製造費用を減らし得るだけではなく、製造時
間をも短縮できるため生産性を高めることができる。
【００３７】上述のように、本発明の液晶表示素子の製
造方法は保護膜１１３上に非晶質インジウム−スズ酸化
物１０８ａ薄膜を蒸着し、前記非晶質インジウム−スズ
酸化物１０８ａ薄膜にエキシマーレーザー１２２または
ＵＮ光源を照射して非晶質インジウム−スズ酸化物１０
８ａを選択的に多結晶質または結晶質インジウム−スズ
酸化物１０８ｂに結晶化させ、薄い蓚酸または薄い塩酸
のような弱酸を用いて残っている前記非晶質インジウム
−スズ酸化物１０８ａを選択的にエッチングできるた
め、前記多結晶質または結晶質インジウム−スズ酸化物
からなる画素電極を容易に形成できる。
【発明の効果】以上説明したように、本発明の液晶表示
素子の製造方法によれば、次のよう効果がある。本発明
の液晶表示素子の製造方法は蒸着された非晶質インジウ
ム−スズ酸化物薄膜をエキシマーレーザーまたはＵＮ光
源にシルエット露光させて多結晶質または結晶質インジ
ウム−スズ酸化物に結晶化させ、エッチング液を用いて
残りの非晶質インジウム−スズ酸化物を選択的にエッチ
ングして画素電極を形成することにより、これまでの写
真石版印刷法に比べて簡単、かつ製造時間を短縮できる
ため、生産性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１ａ】一般的な液晶表示素子の平面図である。
【図１ｂ】図１ａのI-I′線上の液晶表示素子の断面図
である。
【図２ａ】従来技術の液晶表示素子の製造工程の断面図
である。
【図２ｂ】従来技術の液晶表示素子の製造工程の断面図
である。
【図２ｃ】従来技術の液晶表示素子の製造工程の断面図
である。
【図２ｄ】従来技術の液晶表示素子の製造工程の断面図
である。
【図２ｅ】従来技術の液晶表示素子の製造工程の断面図
である。
【図２ｆ】従来技術の液晶表示素子の製造工程の断面図
である。
【図３ａ】本発明の実施例の液晶表示素子の製造工程の
断面図である。
【図３ｂ】本発明の実施例の液晶表示素子の製造工程の
断面図である。
【図３ｃ】本発明の実施例の液晶表示素子の製造工程の
断面図である。
【図４】本発明の非晶質インジウムスズ酸化物と結晶質
インジウムスズ酸化物とのエッチング温度によるエッチ
ング率を示すグラフである。
【符号の説明】
１０２：ゲート電極 １０３：データ配線 １０５ａ：ソース電極 １０５ｂ：ドレイン電極 １０８ａ：非晶質インジウム−スズ酸化物 １０８ｂ：多結晶質または結晶質インジウム−スズ酸化
物 １０９：基板 １１１：ゲート絶縁膜 １１２：半導体層 １１３：保護膜 １２１：マスク １２２：エキシマーレーザー

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板上に複数個の画素領域を定義するた
    めに縦横に並んでいる複数個のゲート配線及びデータ配
    線と複数個の薄膜トランジスタを備えた薄膜トランジス
    タアレイを形成する工程と、 前記各薄膜トランジスタのドレイン電極にコンタクトホ
    ールを有するように基板全面に保護膜を形成する工程
    と、 前記保護膜上に非晶質インジウム−スズ酸化物薄膜を形
    成する工程と、 前記画素領域の前記非晶質インジウム−スズ酸化物に選
    択的に光を照射して、前記非晶質インジウム−スズ酸化
    物を選択的に結晶化させる工程と、 前記結晶化しなかった前記非晶質インジウム−スズ酸化
    物薄膜を選択的に除去して画素電極を形成する工程とを
    含めてなることを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
  2. 【請求項２】 前記非晶質インジウム−スズ酸化物を選
    択的に結晶化させる工程は、前記光を照射する前に、前
    記画素領域以外の部分を遮光できるマスクを前記非晶質
    インジウム−スズ酸化物上に位置させる工程をさらに含
    むことを特徴とする請求項１記載の液晶表示素子の製造
    方法。
  3. 【請求項３】 前記光はエキシマーレーザー又はＵＮ光
    源を含むことを特徴とする請求項１記載の液晶表示素子
    の製造方法。
  4. 【請求項４】 前記結晶化しなかった前記非晶質インジ
    ウム−スズ酸化物薄膜は薄い蓚酸、薄い塩酸またはこれ
    らを混合した弱酸などのエッチング液により選択的に除
    去されることを特徴とする請求項１記載の液晶表示素子
    の製造方法。
  5. 【請求項５】 前記薄い蓚酸は１０％以下の濃度を有す
    ることを特徴とする請求項４記載の液晶表示素子の製造
    方法。
  6. 【請求項６】 前記エッチング液は２％〜５％の濃度を
    有することを特徴とする請求項４記載の液晶表示素子の
    製造方法。
  7. 【請求項７】 前記エッチング液の温度を６０℃以下に
    して前記非晶質インジウム−スズ酸化物をエッチングす
    ることを特徴とする請求項４記載の液晶表示素子の製造
    方法。
  8. 【請求項８】 基板上に複数個の画素領域を定義するた
    めに縦横に並んでいる複数個のゲート配線及びデータ配
    線と複数個の薄膜トランジスタを備えた薄膜トランジス
    タアレイを形成する工程と、 前記基板上に非晶質インジウム−スズ酸化物薄膜を形成
    する工程と、 前記画素領域の前記非晶質インジウム−スズ酸化物に選
    択的に光を照射して、前記非晶質インジウム−スズ酸化
    物を選択的に結晶化させる工程と、 前記結晶化しなかった前記非晶質インジウム−スズ酸化
    物薄膜を選択的に除去して画素電極を形成する工程とを
    含めてなることを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
  9. 【請求項９】 前記非晶質インジウム−スズ酸化物を選
    択的に結晶化させる工程は、前記光を照射する前に、前
    記画素領域以外の部分を遮光できるマスクを前記非晶質
    インジウム−スズ酸化物上に位置させる工程をさらに含
    むことを特徴とする請求項８記載の液晶表示素子の製造
    方法。
  10. 【請求項１０】 前記光はエキシマーレーザー又はＵＮ
    光源を含むことを特徴とする請求項８記載の液晶表示素
    子の製造方法。
  11. 【請求項１１】 前記結晶化しなかった前記非晶質イン
    ジウム−スズ酸化物薄膜は薄い蓚酸、薄い塩酸またはこ
    れらを混合した弱酸などのエッチング液により選択的に
    除去されることを特徴とする請求項８記載の液晶表示素
    子の製造方法。
  12. 【請求項１２】 前記薄い蓚酸は１０％以下の濃度を有
    することを特徴とする請求項１１記載の液晶表示素子の
    製造方法。
  13. 【請求項１３】 前記エッチング液は２％〜５％の濃度
    を有することを特徴とする請求項１１記載の液晶表示素
    子の製造方法。
  14. 【請求項１４】 前記エッチング液の温度を６０℃以下
    にして前記非晶質インジウム−スズ酸化物をエッチング
    することを特徴とする請求項１１記載の液晶表示素子の
    製造方法。
  15. 【請求項１５】 画素領域を定義するために基板上に形
    成されるゲートライン及びデータラインと；前記ゲート
    ライン及びデータラインが交差する部分に形成される薄
    膜トランジスタ；そして前記画素領域に結晶質インジウ
    ム−スズ酸化物で形成された画素電極を含んで構成され
    ることを特徴とする液晶表示素子。
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