CN103472694B - 光刻胶的去除方法、曝光装置以及显示基板的制造方法 - Google Patents

光刻胶的去除方法、曝光装置以及显示基板的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103472694B
CN103472694B CN201310446586.XA CN201310446586A CN103472694B CN 103472694 B CN103472694 B CN 103472694B CN 201310446586 A CN201310446586 A CN 201310446586A CN 103472694 B CN103472694 B CN 103472694B
Authority
CN
China
Prior art keywords
photoresist
exposure
substrate
processed
light source
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201310446586.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN103472694A (zh
Inventor
张治超
郭总杰
刘正
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beixu Hubei Electronic Material Co ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Beijing BOE Display Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201310446586.XA priority Critical patent/CN103472694B/zh
Publication of CN103472694A publication Critical patent/CN103472694A/zh
Priority to PCT/CN2014/080894 priority patent/WO2015043261A1/zh
Priority to US14/421,570 priority patent/US20150346603A1/en
Application granted granted Critical
Publication of CN103472694B publication Critical patent/CN103472694B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/427—Stripping or agents therefor using plasma means only
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
    • H01L21/3083—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

本发明实施例公开了一种涉及显示技术领域，尤其涉及光刻胶的去除方法、曝光装置以及显示基板的制造方法，以解决现有技术中，对光刻胶进行剥离处理时，需要配置剥离设备，对光刻胶进行灰化处理时，需要配置高功率设备以及化学气体，增加了设备投入，提高了生产成本的问题。本发明实施例采用对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行曝光处理；通过显影处理去除曝光处理后的光刻胶；避免了现有技术中，对光刻胶进行剥离处理时，需要配置剥离设备，对光刻胶进行灰化处理时，需要配置高功率设备以及化学气体的问题，节约了设备成本，同时也降低了生产成本。

Description

光刻胶的去除方法、曝光装置以及显示基板的制造方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及光刻胶的去除方法、曝光装置以及显示基板的制造方法。
背景技术
Array基板的制作过程通常采用光刻技术，具体制作过程如下：在基板上涂覆一层光刻胶；对光刻胶进行曝光和显影处理，形成所需图形；根据形成的图形对基板进行刻蚀处理；通过剥离设备对剩余的光刻胶进行剥离处理，形成Array基板。剥离设备对基板上光刻胶的剥离原理是，通过剥离设备的剥离液对光刻胶进行溶解，以达到剥离光刻胶的目的。因此在实际生产过程中，需要单独配备剥离设备对光刻胶进行剥离处理。
在TFT阵列基板的制作过程中，沟道主要采用灰化工艺进行制作，灰化工艺流程如下：在基板上涂覆一层光刻胶；对光刻胶进行半曝光处理和显影处理，去除设定厚度的沟道图形位置对应的光刻胶；然后采用高功率设备使化学气体与沟道图形位置对应的剩余光刻胶反应，去除沟道图形位置对应的剩余光刻胶，形成所需的沟道图形；通过剥离设备对沟道图形以外的光刻胶进行剥离处理，形成TFT阵列基板的沟道。因此在灰化工艺中，需要配置高功率设备，并需要通过高功率设备将化学气体与光刻胶反应，去除所需厚度的光刻胶，使设备投入成本升高，并且高功率设备耗能较大，增加了生产成本。
因此现有技术中，需要配置剥离设备对光刻胶进行剥离处理，配置高功率设备进行灰化工艺处理时，增加了设备投入，提高了生产成本。
发明内容
本发明实施例提供了一种光刻胶的剥离方法，以解决现有技术中，对光刻胶进行剥离处理时，需要配置剥离设备，对光刻胶进行灰化处理时，需要配置高功率设备以及化学气体，增加了设备投入，提高了生产成本的问题。
本发明实施例提供了一种光刻胶的剥离方法，用于对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行去除，该方法包括：
对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行曝光处理；
通过显影处理去除曝光处理后的光刻胶。
上述实施例中由于对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行曝光和显影处理，无需配置剥离设备，或高功率设备对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行剥离或灰化处理，节约了设备成本。
较佳地，根据需要去除的光刻胶的厚度，确定对光刻胶进行曝光处理的曝光能量；根据所述确定的曝光处理的曝光能量，对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行曝光处理。
对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行去除，是对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行整体剥离处理，需要去除的光刻胶的厚度为构图工艺处理后的基板上的光刻胶的最大厚度。
对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行去除，是对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行灰化处理，需要去除的光刻胶的厚度为构图工艺处理后的基板上的光刻胶厚度的一部分。
根据不同的工艺要求，确定对所述光刻胶进行曝光处理的曝光能量，使去除的光刻胶的厚度达到设定的厚度，工艺调整灵活，能适应不同的工艺要求。
较佳地，根据需要去除的光刻胶的厚度，确定对光刻胶进行曝光处理的曝光强度；根据所述确定的曝光处理的曝光强度，对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行曝光处理；或根据需要去除的光刻胶的厚度，确定对光刻胶进行曝光处理的时间长度；根据所述确定的曝光处理的时间长度，对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行曝光处理。
本发明实施例中，根据需要去除的光刻胶的厚度确定对光刻胶进行曝光处理的能量，其中曝光能量可以根据曝光强度确定，也可以根据曝光时间时长进行确定，去除相同厚度的光刻胶，曝光强度越大，曝光时间越短，曝光强度越小，曝光时长越长，曝光的强度和曝光的时长与光刻胶的成分也有一定的关系。
进一步的，通过曝光光源对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行曝光处理。曝光光源包括：白光光源，紫外光源。
当所述光源为条状光源时，所述条状光源沿与基板平行的方向匀速照射基板，使所述基板上的光刻胶的曝光程度相同。当所述光源为平面状光源时，所述光源垂直照射在基板上，使所述基板上的光刻胶的曝光程度相同。通过短波光源对所述光刻胶进行曝光处理，得到所需厚度的曝光后的光刻胶。
本发明实施例还提供了一种显示基板的制造方法，包括利用光刻胶通过构图工艺在衬底基板上形成器件图形，以及对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行去除的步骤，该方法包括：对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行去除的步骤包括上述任意一种光刻胶去除方法。
上述实施例中由于对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行曝光和显影处理，无需配置剥离设备，或高功率设备对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行剥离或灰化处理，节约了设备成本。
利用光刻胶通过构图工艺在衬底基板上形成器件图形，包括：在衬底基板上形成所述器件的材料膜层；在器件的材料膜层上形成光刻胶膜层；对光刻胶膜层进行掩膜曝光、显影，除去一部分光刻胶，剩余构图工艺处理后的基板上的光刻胶，并露出所述材料膜层的一部分；对材料膜层的一部分进行刻蚀，形成器件图形。
上述实施例能够根据不同的工艺要求，确定对所述光刻胶进行曝光处理的时间，并且可以根据工艺要求，调整曝光处理的时间，或调整曝光处理的曝光强度，使去除的光刻胶的厚度达到设定的厚度，工艺调整灵活，能适应不同的工艺要求。
显示基板为薄膜晶体管阵列基板，薄膜晶体管阵列基板包括薄膜晶体管、像素电极、栅线以及数据线；器件图形为薄膜晶体管中的栅极、有源层、源漏电极、像素电极、栅线或数据线的图形。
本发明实施例还提供了一种曝光装置，包括曝光光源，曝光光源包括掩膜曝光光源和光刻胶去除曝光光源，其中，掩膜曝光光源用于在利用掩膜版对基板上的膜层进行掩膜曝光处理时对膜层进行照射；光刻胶去除曝光光源用于在利用光刻胶去除方法或显示基板的制造方法中的任意一种方法中，对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行去除时对所述构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行照射。
本发明实施例采用对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行曝光处理；通过显影处理去除曝光处理后的光刻胶；由于采用对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行曝光处理和显影处理的方式去除光刻胶，因此对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行剥离处理，不需要配置剥离设备，或灰化处理时，不需要配置高功率设备以及化学气体，节约了设备成本，同时也降低了生产成本。
附图说明
图1为本发明实施例中一种光刻胶的剥离方法的流程示意图；
图201为本发明实施例中构图工艺处理后的基板的示意图；
图202为本发明实施例中构图工艺处理后的基板上的光刻胶全部被曝光的示意图；
图203为本发明实施例中构图工艺处理后的基板上的光刻胶剥离后的示意图；
图3为本发明实施例中一种基板的制作方法的流程示意图；
图401为本发明实施例中涂覆光刻胶的基板的示意图；
图402为本发明实施例中对基板上的光刻胶薄膜进行曝光处理后的基板的示意图；
图403为本发明实施例中在光刻胶薄膜上形成所需图案后的基板的示意图；
图404为本发明实施例中对基板上的金属薄膜进行刻蚀处理后形成所需图形的基板的示意图；
图405为本发明实施例中对未曝光的光刻胶薄膜曝光处理后的基板的示意图；
图406为本发明实施例中利用显影液去除光刻胶的基板的示意图；
图501为本发明实施例中在构图工艺处理后的基板上形成第一沟道图案后的基板的示意图；
图502为本发明实施例中对构图工艺处理后的基板上的光刻胶第一次曝光处理后的基板的示意图；
图503为本发明实施例中在构图工艺处理后的基板上形成第二沟道图案后的基板的示意图；
图504为本发明实施例中根据第二沟道图案对基板进行刻蚀处理形成沟道图形的基板的示意图；
图6为本发明实施例中一种含有沟道的基板的制作方法的流程示意图；
图701为本发明实施例中一种制作含有沟道的基板中涂覆光刻胶的基板的示意图；
图702为本发明实施例中一种制作含有沟道的基板中含有第一沟道图案的基板的示意图；
图703为本发明实施例中一种制作含有沟道的基板中对含有第一沟道图案的基板上的光刻胶进行第二次曝光处理后的基板的示意图；
图704为本发明实施例中一种制作含有沟道的基板中含有第二沟道图案的基板的示意图；
图705为本发明实施例中一种制作含有沟道的基板中对基板进行刻蚀处理形成所需图形后的基板的示意图；
图706为本发明实施例中一种制作含有沟道的基板中对未曝光的光刻胶薄膜曝光处理后的基板的示意图；
图707为本发明实施例中一种制作含有沟道的基板中去除光刻胶的基板的示意图；
图8为本发明实施例中含有短波光线的光源为条状光源时，对基板上的光刻胶进行曝光处理的示意图；
图9为本发明实施例中含有短波光线的光源为面状光源时，对基板上的光刻胶进行曝光处理的示意图；
图10为本发明实施例中显示基板利用光刻胶通过构图工艺在衬底基板上形成器件图形的方法的示意图。
具体实施方式
本发明实施例采用对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行曝光处理；通过显影处理去除曝光处理后的光刻胶；避免了现有技术中，对光刻胶进行剥离处理时，需要配置剥离设备，对光刻胶进行灰化处理时，需要配置高功率设备以及化学气体的问题，节约了设备成本，同时也降低了生产成本。
如图1所示，为本发明实施例提供了一种光刻胶的剥离方法，用于对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行去除，该方法包括：
步骤101：对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行曝光处理；
步骤102：通过显影处理去除曝光处理后的光刻胶，即，利用显影液等显影制品对曝光处理后的光刻胶进行去除。
本发明实施例中构图工艺处理后的基板上的光刻胶是指经过构图工艺中的曝光、显影和刻蚀处理之后的、已经具有图形结构的光刻胶，如在衬底基板上形成栅极图形时，在衬底基板上涂覆形成栅极材料薄膜，在栅极材料薄膜上涂覆一层光刻胶，形成光刻胶薄膜，根据预期的栅极图形对光刻胶薄膜进行曝光和显影处理，形成栅极图形形状的光刻胶，然后再对露出的栅极材料进行刻蚀，形成栅极的图形；其中，根据栅极图形对光刻胶薄膜进行曝光和显影处理的步骤后，剩余的未曝光的光刻胶就是本发明实施例中构图工艺处理后的基板上的光刻胶。
构图工艺通常可包括在衬底基板上形成图形材料薄膜、在图形材料薄膜上涂覆光刻胶、根据所需图形对光刻胶进行曝光处理、显影处理、根据曝光和显影处理后形成的光刻胶图案对所述图形材料薄膜进行刻蚀等工艺中的一种或几种。
需说明的是，以上所例举的构图工艺所包括的内容仅为优选的实施例，本发明实施方式中所述的构图工艺并不限于这些实施例，还可以包括其他任意类型的可以形成图形结构的构图方式，例如通过3D打印等技术形成图形结构的构图方式，也涵盖在本发明的保护范围之内。
本发明实施例中所述的显影处理是指：对于正性光刻胶来说，对光刻胶进行曝光处理后，利用显影液将被曝光的光刻胶溶解，去除了被曝光的光刻胶，未被曝光的光刻胶被留下；负性光刻胶与之相反，即对光刻胶进行曝光处理后，利用显影液将未曝光的光刻胶去除，曝光的光刻胶被留下。
其中，步骤101中对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行曝光处理具体包括：根据需要去除的光刻胶的厚度，确定对光刻胶进行曝光处理的曝光能量；根据确定的进行曝光处理的曝光能量，对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行曝光处理；其中影响曝光能量的因素包括但不限于下列因素：曝光强度，曝光时长。也就是说，可以根据需要去除的光刻胶的厚度，确定对光刻胶进行曝光处理的曝光强度；根据确定的曝光处理的曝光强度，对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行曝光处理；或根据需要去除的光刻胶的厚度，确定对光刻胶进行曝光处理的时间长度；根据确定的曝光处理的时间长度，对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行曝光处理。
其中曝光处理的时间长度和曝光处理的曝光强度与被曝光的光刻胶的厚度成正比，组成成分相同的光刻胶，曝光处理的时间越长，曝光强度越大，被曝光的光刻胶的厚度越厚。组成成分不同的光刻胶光感度不同，曝光处理的时间相同，或曝光强度相同，被曝光的光刻胶的厚度可能不同。因此，需要根据光刻胶的组成成分，以及需要曝光的光刻胶的厚度，共用确定曝光处理的时间长度或曝光强度。
根据需要去除的光刻胶的厚度，可以将曝光处理分为两种情况，一种情况是需要对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行剥离处理，另一种情况是需要对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行灰化处理，下面对两种情况分别进行介绍。
情况一、需要对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行剥离处理。
如图201所示为构图工艺处理后的基板，其中21为基板，22为金属膜，23为待去除的光刻胶；通过曝光光源对基板上的光刻胶23进行曝光处理，如图202所示基板上的光刻胶受到曝光光源照射后全部被曝光，24为曝光处理后的待去除的光刻胶，将曝光处理后的基板例如浸入显影液中，进行显影处理，去除构图工艺处理后的基板上的光刻胶24，形成如图203所示的基板，实现了光刻胶的剥离，避免了为剥离光刻胶而专门配置光刻胶剥离设备。
优选地，当对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行整体剥离处理，且基板上不同位置的光刻胶厚度不相同时，需要去除的光刻胶的厚度为构图工艺处理后的基板上的光刻胶的最大厚度；此时曝光处理的时间长度或曝光强度，可以根据基板上的光刻胶的最大厚度进行设定，也可以根据基板上不同位置的光刻胶的厚度进行调节。
图3所示，为本发明实施例中一种基板的制作方法，该方法包括：
步骤301：在基板上涂覆一层光刻胶，形成光刻胶薄膜，涂覆光刻胶的基板如图401所示，其中41为基板，42为金属薄膜，43为光刻胶；
步骤302：根据设定的图案通过掩膜工艺对基板上的光刻胶薄膜进行曝光处理，曝光处理后的基板如图402所示，其中，43为未曝光的光刻胶，44为根据设定的图案在构图工艺中需曝光的光刻胶；
步骤303：通过显影处理去除被曝光的光刻胶，在光刻胶薄膜上形成所需图案，在光刻胶薄膜上形成所需图案的基板如图403所示；
步骤304：根据光刻胶薄膜上形成的图案对基板上的金属薄膜进行刻蚀处理，在基板上形成所需图形，形成所需图形后的基板如图404所示；
以下的步骤为本实施方式所提供的去除光刻胶的方法步骤：
步骤305：通过曝光光源对未曝光的光刻胶进行曝光处理，使被曝光的光刻胶薄膜的厚度为基板上光刻胶薄膜的最大厚度，对未曝光的光刻胶薄膜曝光处理后的基板如图405所示，其中45为曝光后的光刻胶；
步骤306：利用显影液，例如通过将曝光处理后的基板浸入显影液中或向基本喷洒显影液的方式，去除基板上的光刻胶，去除光刻胶的基板如图406所示。
情况二、对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行灰化处理。
本发明实施例以对形成沟道图形的基板上的光刻胶进行灰化处理为例，如图501所示为构图工艺处理后，在光刻胶上形成第一沟道图案的基板，其中，51为基板，52为金属薄膜，53为光刻胶，54为第一沟道图案；此时第一沟道图案54处，还留有一定厚度的光刻胶，传统工艺去除第一沟道图案54处剩余的光刻胶的方法如下：通过高效率的设备喷发化学气体，使化学气体刻蚀掉第一沟道图案54处剩余的光刻胶，以及基板上未形成第一沟道图案的其他区域的光刻胶，其中刻蚀掉的基板上未形成第一沟道图案的其他区域的光刻胶的厚度，与刻蚀掉第一沟道图案54处剩余的光刻胶的厚度相同；本发明实施例中去除第一沟道图案54处剩余的光刻胶的方法如下：通过曝光光源对基板上的光刻胶进行第一次曝光处理，使基板上的光刻胶曝光的厚度为第一沟道图案54处剩余的光刻胶的厚度，图502中55为第一次曝光处理后曝光的光刻胶。
对第一次曝光处理后的基板进行显影处理，去除曝光的光刻胶，在基板的光刻胶上形成第二沟道图案56，形成第二沟道图案的基板如图503所示；根据形成的第二沟道图案对基板进行刻蚀处理，在基板上形成沟道图形，形成沟道图形的基板如图504所示。
如图6所示，为本发明实施例中一种含有带有沟道区域的薄膜晶体管的阵列基板的制作方法，该方法包括：
步骤601：在基板上涂覆一层光刻胶，形成光刻胶薄膜，涂覆光刻胶的基板如图701所示，其中71为基板，72为金属薄膜，73为光刻胶；
步骤602：根据设定的沟道图案对基板上的光刻胶薄膜进行第一次曝光和显影处理处理，形成第一沟道图案74，含有第一沟道图案74的基板如图702所示；
步骤603：对含有第一沟道图案74的基板上的光刻胶进行第二次曝光处理，曝光的光刻胶的厚度为基板上第一沟道图案处剩余的光刻胶的厚度，如图703所示，75为曝光处理后的光刻胶，73为未曝光的光刻胶；
步骤604：去除基板上第一沟道图案74处剩余的光刻胶，以及其他区域曝光处理后的光刻胶，在基板的光刻胶薄膜上形成第二沟道图案76，含有第二沟道图案的基板如图704所示；
步骤605：根据光刻胶薄膜上形成的第二沟道图案76对基板进行刻蚀处理，在基板上形成所需图形，形成所需图形后的基板如图705所示；
步骤606：通过曝光光源对未曝光的光刻胶薄膜进行曝光处理，使被曝光的光刻胶薄膜的厚度与基板上剩余的光刻胶薄膜的厚度相同，对未曝光的光刻胶薄膜曝光处理后的基板如图706所示；
步骤607：将曝光处理后的基板浸入显影液中，去除基板上的光刻胶，去除光刻胶的基板如图707所示。
本发明实施例中的曝光光线的光源是指能够对光刻胶进行曝光处理的光源，优选的是短波光源，本发明实施方式中所述的曝光光源并不限于本发明实施例，还可以包括其他任意类型的可以对光刻胶进行曝光处理的光源，也涵盖在本发明的保护范围之内。
本发明实施例中的曝光光源包括但不限于下列光源：白光光源、紫外光光源。其中含有短波光线的光源可以是条状光源，也可以是面状光源，或者其他任意形状的光源，使基板上的光刻胶受到的光照强度相同。如图8所示，当曝光光源为条状光源时，使光源沿着与基板平行的方向匀速照射基板，使基板上的光刻胶的曝光程度相同；其中81为曝光光源，82为光刻胶，83为基板。当曝光光源为面状光源，且面状短波光源的面积与基板面积相同时，光源与基板平行，光源发出的光垂直照射在基板上，使基板上的光刻胶的曝光程度相同；当面状曝光光源的面积小于基板面积时，曝光光源对基板上不同区域的光刻胶分别进行曝光，使基板上的光刻胶的曝光程度相同。如图9所示，为曝光光源为面状光源，曝光光源对基板上的光刻胶进行曝光的示意图，其中91为曝光光源，92为光刻胶，93为基板。
本发明实施例中以4mask工艺为例，但本发明不局限于上述实施例，任何次数的构图工艺，只要涉及到光刻胶的去除方法，都可以应用本发明实施例。
本发明实施例还提供了一种显示基板的制造方法，该方法包括利用光刻胶通过构图工艺在衬底基板上形成器件图形，以及对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行去除的步骤，其中对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行去除的步骤包括上述任意一种光刻胶去除方法。显示基板的制造方法中具体包括：对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行曝光处理；通过显影处理去除曝光处理后的光刻胶。
其中，显示基板为薄膜晶体管阵列基板，薄膜晶体管阵列基板包括薄膜晶体管、像素电极、栅线以及数据线；
器件图形为薄膜晶体管中的栅极、有源层、源漏电极、像素电极、栅线或数据线的图形。
对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行曝光处理具体包括：根据需要去除的光刻胶的厚度，确定对光刻胶进行曝光处理的曝光能量；根据确定的进行曝光处理的曝光能量，对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行曝光处理；其中影响曝光能量的因素包括但不限于下列因素：曝光强度，曝光时长。也就是说，可以根据需要去除的光刻胶的厚度，确定对光刻胶进行曝光处理的曝光强度；根据确定的曝光处理的曝光强度，对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行曝光处理；或根据需要去除的光刻胶的厚度，确定对光刻胶进行曝光处理的时间长度；根据确定的曝光处理的时间长度，对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行曝光处理。
其中曝光处理的时间长度和曝光处理的曝光强度与被曝光的光刻胶的厚度成正比，组成成分相同的光刻胶，曝光处理的时间越长，曝光强度越大，被曝光的光刻胶的厚度越厚。组成成分不同的光刻胶光感度不同，曝光处理的时间相同，或曝光强度相同，被曝光的光刻胶的厚度可能不同。因此，需要根据光刻胶的组成成分，以及需要曝光的光刻胶的厚度，共用确定曝光处理的时间长度或曝光强度相同。
根据需要去除的光刻胶的厚度，可以将曝光处理分为两种情况，一种情况是需要对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行剥离处理，另一种情况是需要对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行灰化处理；上述两种情况已在光刻胶的去除方法中详细介绍，在此不再赘述。
如图10所示，为本发明实施例中显示基板利用光刻胶通过构图工艺在衬底基板上形成器件图形的方法，该方法包括：
步骤1001：在衬底基板上形成所需器件的材料膜层；
步骤1002：在器件的材料膜层上形成光刻胶膜层；
步骤1003：对光刻胶膜层进行掩膜曝光、显影处理，除去一部分光刻胶，剩余构图工艺处理后的基板上的光刻胶，并露出器件的材料膜层的一部分；
步骤1004：对材料膜层的一部分进行刻蚀，形成所需的器件图形。
本发明实施例还提供了一种曝光装置，可用于在上述方法中对光刻胶进行去除，所述装置包括曝光光源，曝光光源包括掩膜曝光光源和光刻胶去除曝光光源，其中，掩膜曝光光源用于在利用掩膜版对基板上的膜层进行掩膜曝光处理时对膜层进行照射；光刻胶去除曝光光源用于在利用光刻胶去除方法或显示基板制造方法对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行去除时对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行照射。
其中光刻胶去除曝光光源是指能够对光刻胶进行曝光处理的光源，优选的是短波光源，本发明实施方式中所述的曝光光源并不限于本发明实施例，还可以包括其他任意类型的可以对光刻胶进行曝光处理的光源，也涵盖在本发明的保护范围之内。
本发明实施例中的曝光光源包括但不限于下列光源：白光光源、紫外光光源。其中光刻胶去除曝光光源可以是条状光源，也可以是面状光源，或者其他任意形状的光源，使基板上的光刻胶受到的光照强度相同。如图8所示，当曝光光源为条状光源时，使光源沿着与基板平行的方向匀速照射基板，使基板上的光刻胶的曝光程度相同；其中81为曝光光源，82为光刻胶，83为基板。当曝光光源为面状光源，且面状短波光源的面积与基板面积相同时，光源与基板平行，光源发出的光垂直照射在基板上，使基板上的光刻胶的曝光程度相同；当面状曝光光源的面积小于基板面积时，曝光光源对基板上不同区域的光刻胶分别进行曝光，使基板上的光刻胶的曝光程度相同。如图9所示，为曝光光源为面状光源，曝光光源对基板上的光刻胶进行曝光的示意图，其中91为曝光光源，92为光刻胶，93为基板。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (11)

1.一种光刻胶去除方法，用于对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行灰化处理，其特征在于，该方法包括：
对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行曝光处理，使所述基板上的光刻胶曝光的厚度为所述构图工艺处理后在光刻胶上形成的图案处剩余的光刻胶的厚度；
通过显影处理去除曝光处理后的光刻胶。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行曝光处理，包括：
根据需要去除的光刻胶的厚度，确定对光刻胶进行曝光处理的曝光能量；
根据所述确定的曝光处理的曝光能量，对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行曝光处理。
3.如权利要求1或2任一所述的方法，其特征在于，所述对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行曝光处理，包括：
根据需要去除的光刻胶的厚度，确定对光刻胶进行曝光处理的曝光强度；根据所述确定的曝光处理的曝光强度，对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行曝光处理；或
根据需要去除的光刻胶的厚度，确定对光刻胶进行曝光处理的时间长度；根据所述确定的曝光处理的时间长度，对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行曝光处理。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行曝光处理，包括：
通过曝光光源对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行曝光处理。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述曝光光源为条状光源，所述条状光源沿与基板平行的方向匀速照射基板，使所述基板上的光刻胶的曝光程度相同。
6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述曝光光源为平面状光源，所述光源垂直照射在基板上，使所述基板上的光刻胶的曝光程度相同。
7.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述曝光光源包括：白光光源，紫外光源。
8.一种显示基板的制造方法，包括利用光刻胶通过构图工艺在衬底基板上形成器件图形，以及对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行去除的步骤，其特征在于，所述对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行去除的步骤包括如权利要求1-7中任一项所述的光刻胶去除方法。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述利用光刻胶通过构图工艺在衬底基板上形成器件图形，包括：
在所述衬底基板上形成所述器件的材料膜层；
在所述器件的材料膜层上形成光刻胶膜层；
对所述光刻胶膜层进行掩膜曝光、显影，除去一部分光刻胶，剩余所述构图工艺处理后的基板上的光刻胶，并露出所述材料膜层的一部分；
对所述材料膜层的一部分进行刻蚀，形成所述器件图形。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述显示基板为薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板包括薄膜晶体管、像素电极、栅线以及数据线；
所述器件图形为所述薄膜晶体管中的栅极、有源层、源漏电极、所述像素电极、所述栅线或所述数据线的图形。
11.一种曝光装置，包括曝光光源，其特征在于，所述曝光光源包括掩膜曝光光源和光刻胶去除曝光光源，其中，所述掩膜曝光光源用于在利用掩膜版对基板上的膜层进行掩膜曝光处理时对所述膜层进行照射；所述光刻胶去除曝光光源用于在利用权利要求1-7中任一项所述方法对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行去除时对所述构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行照射。
CN201310446586.XA 2013-09-26 2013-09-26 光刻胶的去除方法、曝光装置以及显示基板的制造方法 Active CN103472694B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310446586.XA CN103472694B (zh) 2013-09-26 2013-09-26 光刻胶的去除方法、曝光装置以及显示基板的制造方法
PCT/CN2014/080894 WO2015043261A1 (zh) 2013-09-26 2014-06-26 光刻胶的去除方法、曝光装置以及显示基板的制造方法
US14/421,570 US20150346603A1 (en) 2013-09-26 2014-06-26 Method of removing photoresist, exposure apparatus and method of manufacturing display substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310446586.XA CN103472694B (zh) 2013-09-26 2013-09-26 光刻胶的去除方法、曝光装置以及显示基板的制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103472694A CN103472694A (zh) 2013-12-25
CN103472694B true CN103472694B (zh) 2016-05-04

Family

ID=49797594

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310446586.XA Active CN103472694B (zh) 2013-09-26 2013-09-26 光刻胶的去除方法、曝光装置以及显示基板的制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20150346603A1 (zh)
CN (1) CN103472694B (zh)
WO (1) WO2015043261A1 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103472694B (zh) * 2013-09-26 2016-05-04 京东方科技集团股份有限公司 光刻胶的去除方法、曝光装置以及显示基板的制造方法
CN103969966B (zh) * 2014-05-15 2015-04-15 京东方科技集团股份有限公司 一种光刻胶的去除方法
CN108020991A (zh) * 2016-10-31 2018-05-11 无锡中微掩模电子有限公司 集成电路用掩模版背曝方法
CN108508711A (zh) * 2017-02-28 2018-09-07 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种正性光刻胶的去除方法
CN113176703A (zh) * 2021-03-26 2021-07-27 深圳市路维光电股份有限公司 掩膜版脱膜去胶方法、制作方法及掩膜版

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102445838A (zh) * 2010-09-30 2012-05-09 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 重新形成光刻胶图形的方法
CN103149810A (zh) * 2011-12-06 2013-06-12 台湾积体电路制造股份有限公司 提供光刻胶去除的技术
CN103257534A (zh) * 2013-05-02 2013-08-21 上海华力微电子有限公司 光刻返工去胶工艺

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100500684B1 (ko) * 1999-12-29 2005-07-12 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 ４-마스크 공정을 이용한 액정 디스플레이의 제조 방법
US6641982B2 (en) * 2000-12-27 2003-11-04 Intel Corporation Methodology to introduce metal and via openings
KR100519368B1 (ko) * 2002-03-29 2005-10-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
US20060128160A1 (en) * 2004-12-10 2006-06-15 Yoo Woo S Photoresist strip using solvent vapor
KR20070109467A (ko) * 2006-05-11 2007-11-15 주식회사 하이닉스반도체 이머젼 리소그라피 공정을 이용한 반도체 소자 제조방법
CN103472694B (zh) * 2013-09-26 2016-05-04 京东方科技集团股份有限公司 光刻胶的去除方法、曝光装置以及显示基板的制造方法
CN103558739A (zh) * 2013-11-21 2014-02-05 杭州士兰集成电路有限公司 光刻胶去除方法和光刻工艺返工方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102445838A (zh) * 2010-09-30 2012-05-09 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 重新形成光刻胶图形的方法
CN103149810A (zh) * 2011-12-06 2013-06-12 台湾积体电路制造股份有限公司 提供光刻胶去除的技术
CN103257534A (zh) * 2013-05-02 2013-08-21 上海华力微电子有限公司 光刻返工去胶工艺

Also Published As

Publication number Publication date
WO2015043261A1 (zh) 2015-04-02
CN103472694A (zh) 2013-12-25
US20150346603A1 (en) 2015-12-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103472694B (zh) 光刻胶的去除方法、曝光装置以及显示基板的制造方法
CN103199060B (zh) 一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法及显示装置
US9679995B2 (en) Method for manufacturing thin film transistor and pixel unit thereof
TW200744214A (en) Method for manufacturing thin film transistor substrate using maskless exposing device
CN104102094B (zh) 掩模挡板及其制造方法
CN102881571B (zh) 有源层离子注入方法及薄膜晶体管有源层离子注入方法
CN104281014B (zh) 掩模板、曝光设备及紫外掩模基板的制备方法
CN104617102A (zh) 阵列基板及阵列基板制造方法
CN202372754U (zh) 一种曝光机及曝光系统
CN102651322A (zh) 一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示器件
CN103367166A (zh) 薄膜晶体管制备方法和系统、以及薄膜晶体管、阵列基板
CN105093812A (zh) 阵列基板母板及其制作方法、掩膜板
CN104992952A (zh) 阵列基板及其制备方法
CN105489502B (zh) 薄膜晶体管结构的制造方法
CN102608860B (zh) 光刻蚀方法、光罩组合及曝光系统
CN109062011A (zh) 光刻方法、刻蚀方法及半导体结构
CN104022079A (zh) 薄膜晶体管基板的制造方法
CN105137710A (zh) 掩膜版及薄膜晶体管的制造方法
US20160163864A1 (en) Thin film transistor and method of manufacturing same
WO2016145726A1 (zh) 一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板的制作方法
CN106033760A (zh) 像素结构的制作方法
CN107132724A (zh) 一种掩膜版以及阵列基板的制备方法
CN203521409U (zh) 薄膜晶体管制备系统以及薄膜晶体管、阵列基板
US20230154940A1 (en) Manufacturing method of mini-led backlight plate and mini-led backlight plate
KR20170028429A (ko) 공면형 산화물 반도체 tft 기판의 제작방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20180718

Address after: 100015 Jiuxianqiao Road, Chaoyang District, Chaoyang District, Beijing

Co-patentee after: BEIJING ASASHI ELECTRONIC MATERIALS Co.,Ltd.

Patentee after: BOE TECHNOLOGY GROUP Co.,Ltd.

Address before: 100015 Jiuxianqiao Road, Chaoyang District, Chaoyang District, Beijing

Co-patentee before: BEIJING BOE DISPLAY TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Patentee before: BOE TECHNOLOGY GROUP Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20210408

Address after: 100015 No. 10, Jiuxianqiao Road, Beijing, Chaoyang District

Patentee after: BEIJING ASASHI ELECTRONIC MATERIALS Co.,Ltd.

Address before: 100015 No. 10, Jiuxianqiao Road, Beijing, Chaoyang District

Patentee before: BOE TECHNOLOGY GROUP Co.,Ltd.

Patentee before: BEIJING ASASHI ELECTRONIC MATERIALS Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20230222

Address after: 433199 No. 2, East Road, Jianghan Salt Chemical Industrial Park, Qianjiang City, Hubei Province

Patentee after: Beixu (Hubei) Electronic Material Co.,Ltd.

Address before: 100015 No. 10, Jiuxianqiao Road, Beijing, Chaoyang District

Patentee before: BEIJING ASASHI ELECTRONIC MATERIALS Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right