CN108020991A - 集成电路用掩模版背曝方法 - Google Patents

集成电路用掩模版背曝方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108020991A
CN108020991A CN201610928259.1A CN201610928259A CN108020991A CN 108020991 A CN108020991 A CN 108020991A CN 201610928259 A CN201610928259 A CN 201610928259A CN 108020991 A CN108020991 A CN 108020991A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mask
photoresist
integrated circuit
exposure
exposure method
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201610928259.1A
Other languages
English (en)
Inventor
季书凤
王兴平
朱希进
尤春
刘维维
沙云峰
魏杰
杨长华
刘孝君
张月圆
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
WUXI ZHONGWEI MASK ELECTRONICS Co Ltd
Original Assignee
WUXI ZHONGWEI MASK ELECTRONICS Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by WUXI ZHONGWEI MASK ELECTRONICS Co Ltd filed Critical WUXI ZHONGWEI MASK ELECTRONICS Co Ltd
Priority to CN201610928259.1A priority Critical patent/CN108020991A/zh
Publication of CN108020991A publication Critical patent/CN108020991A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

本发明公开了一种集成电路用掩模版背曝方法，属于半导体技术领域，该背曝方法的曝光方式是放在白光下曝光，无需使用曝光机台，有效地减轻了曝光机压力，提高产能，且变更后的曝光方式操作简便快捷，安全可靠。

Description

集成电路用掩模版背曝方法
技术领域
本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种集成电路用掩模版背曝方法。
背景技术
在半导体、集成电路、光伏产品等电子产品制造过程中，需要对以半导体晶片和光掩模版为代表的各种掩模版进行光刻处理，这些掩模版还包括液晶显示器、等离子体显示器用玻璃掩模版、磁盘、光磁盘母版等，以下统称为掩模版。在加工时，需要使用光致抗蚀材料(光刻胶)在掩模版上形成集成电路和半导体器件的布局图案或者其它电路图案和数据图案。掩模版完成曝光、显影、刻蚀、去胶等加工工艺之后，有可能出现掩模版上的图形线宽不符合客户设计的线宽，需要对现有线宽进行修正，保证整个集成电路设计图形的完整性及一致性。线宽不符合规范包括偏大和偏小两种情况，由于决定线宽大小的控制因子很多，尽管工艺部门会持续优化控制参数，但偶尔线宽超出规格依然是不可避免的，本发明主要是针对整片掩模版图形clear线宽偏小进行修正。
目前，线宽修正主要集中在去胶前判断并进行加蚀刻动作，对于已去胶后的产品，如clear线宽偏小，可通过二次曝光进行修正，但此方法需要使用曝光机台进行二次曝光，不仅占用机台时间降低产能，且进行二曝时对曝光定位精准度要求比较高，修正速度慢。
发明内容
本发明的目的是提供一种提高线宽修正速度、减少曝光机台负荷和使用率、提高产能并最终达到提高产品合格率的目的用于集成电路掩模版clear线宽偏小修正的背曝方法。
为实现上述目的，本发明采用如下技术方案：集成电路用掩模版clear线宽偏小的修正方法，包括如下步骤：
a、提供clear线宽偏小的掩模版，并在所述掩模版的金属层一侧的版面上涂覆光刻胶；
b、将涂有光刻胶的掩模版的玻璃面向上，放在白光区照射，利用白光照射掩模版的玻璃面；
c、将照射完的掩模版，放至显影机进行显影；
d、将显影完的掩模版放至蚀刻机进行蚀刻。
所述光刻胶为正性光刻胶。
本发明所述的集成电路用掩模版背曝方法，具有如下有益效果：
1、该掩模版背曝方法是使用既有的工艺设备完成，勿须其它支撑性设备；
2、该掩模版背曝方法的曝光方式是放在白光下曝光，无需使用曝光机台，有效地减轻了曝光机压力，提高产能；
3、该掩模版背曝方法的曝光方式，操作简便，可以加快修正速度。
附图说明
图1是步骤a中clear线宽偏小的掩模版的剖视图；
图2是步骤a中涂覆光刻胶后的掩模版的剖视图；
图3是步骤b中白光照射曝光光刻胶时的掩模版的剖视图；
图4是步骤c中曝光后的掩模版显影的剖视图；
图5是步骤d中蚀刻后的掩模版的剖视图；
图6是步骤e中去胶后的掩模版的剖视图；
图中：玻璃板1、金属层2、光刻胶3、clear线宽d。
具体实施方式
由图1-图6所示的集成电路用掩模版背曝方法，包括如下步骤：
a、提供clear线宽偏小的掩模版(所提供的掩模版为完成曝光、显影、刻蚀、去胶等加工工艺之后，金属层2上已蚀刻出图形，但图形线宽不符合设计线宽的掩模版)，并在所述掩模版的金属层一侧的版面上涂覆光刻胶3，掩模版包括玻璃板1和固设在玻璃板1侧边的金属层2(金属层2为金属铬层)，掩模版一侧版面为玻璃面、另一侧版面为金属层面，金属层2蚀刻掉的区域可透光，因此，掩模版具有clear区(透光区)和dark区(非透光区)，clear线宽d为透光区线宽(或图形线宽)，将光刻胶3涂覆在掩模版的设置金属层2的一侧版面上(金属层面上)，光刻胶3覆盖金属层、覆盖透光区和非透光区，所述光刻胶为正性光刻胶，光刻胶通过途胶机涂在金属层上，涂胶机涂胶后自带烘干功能，可将光刻胶固化，涂胶机为现有技术，故不详细叙述；
b、将步骤a中涂有光刻胶3的掩模版的玻璃面向上，放在白光区照射，利用白光照射掩模版的玻璃面，白光为自然光或者太阳光或者白炽灯光或者日光灯等，图3中箭头代表白光；
c、将步骤b中白光照射完的掩模版，放至显影机进行显影；
d、将步骤c中显影完的掩模版放至蚀刻机进行再次蚀刻，将clear线宽d修正至设计要求值；
e、最后进行去胶清洗，将掩模版上的光刻胶3洗去。
本发明所述的集成电路用掩模版背曝方法，将涂有光刻胶3的掩模版在白光下，由于是玻璃面向上，图形clear区光线可以穿透，所以将所在区域的光刻胶3进行曝光，而图形的dark区由于有金属层2的保护光线无法穿透，所以所对应区域的光刻胶3未进行曝光，后续再经过显影、蚀刻工艺来达到修正线宽(clear线宽变大)的目的。该背曝方法的曝光方式是放在白光下曝光，无需使用曝光机台，有效地减轻了曝光机压力，提高产能，且变更后的曝光方式操作简便快捷，安全可靠。

Claims (2)

1.集成电路用掩模版背曝方法，其特征在于：包括如下步骤：
a、提供clear线宽偏小的掩模版，并在所述掩模版的金属层一侧的版面上涂覆光刻胶(3)；
b、将涂有光刻胶(3)的掩模版的玻璃面向上，放在白光区照射，利用白光照射掩模版的玻璃面；
c、将照射完的掩模版，放至显影机进行显影；
d、将显影完的掩模版放至蚀刻机进行蚀刻。
2.如权利要求1所述的集成电路用掩模版背曝方法，其特征在于：所述光刻胶为正性光刻胶。
CN201610928259.1A 2016-10-31 2016-10-31 集成电路用掩模版背曝方法 Pending CN108020991A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610928259.1A CN108020991A (zh) 2016-10-31 2016-10-31 集成电路用掩模版背曝方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610928259.1A CN108020991A (zh) 2016-10-31 2016-10-31 集成电路用掩模版背曝方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN108020991A true CN108020991A (zh) 2018-05-11

Family

ID=62070242

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610928259.1A Pending CN108020991A (zh) 2016-10-31 2016-10-31 集成电路用掩模版背曝方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108020991A (zh)

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1573557A (zh) * 2003-05-08 2005-02-02 台湾积体电路制造股份有限公司 去除光罩遮光缺陷的方法及其半导体装置的制造方法
CN101042987A (zh) * 2006-03-23 2007-09-26 Nec液晶技术株式会社 基板处理方法
CN101083208A (zh) * 2006-05-29 2007-12-05 Nec液晶技术株式会社 基板处理装置、基板处理方法
CN101176039A (zh) * 2005-05-16 2008-05-07 伊斯曼柯达公司 使用可去除膜制备浮雕图像
CN101211103A (zh) * 2006-12-29 2008-07-02 海力士半导体有限公司 制造光掩模的方法
CN101435993A (zh) * 2007-11-15 2009-05-20 北京京东方光电科技有限公司 彩色滤光片及其制造方法
CN101706592A (zh) * 2009-12-02 2010-05-12 南昌大学 一种金属母版直接拷贝法制作云纹光栅的方法
CN101868761A (zh) * 2007-11-20 2010-10-20 伊斯曼柯达公司 使用与选区沉积相结合的着色掩模的方法
CN102129168A (zh) * 2010-01-12 2011-07-20 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光刻胶图形的修正方法
CN103472694A (zh) * 2013-09-26 2013-12-25 京东方科技集团股份有限公司 光刻胶的去除方法、曝光装置以及显示基板的制造方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1573557A (zh) * 2003-05-08 2005-02-02 台湾积体电路制造股份有限公司 去除光罩遮光缺陷的方法及其半导体装置的制造方法
CN101176039A (zh) * 2005-05-16 2008-05-07 伊斯曼柯达公司 使用可去除膜制备浮雕图像
CN101042987A (zh) * 2006-03-23 2007-09-26 Nec液晶技术株式会社 基板处理方法
CN101083208A (zh) * 2006-05-29 2007-12-05 Nec液晶技术株式会社 基板处理装置、基板处理方法
CN101211103A (zh) * 2006-12-29 2008-07-02 海力士半导体有限公司 制造光掩模的方法
CN101435993A (zh) * 2007-11-15 2009-05-20 北京京东方光电科技有限公司 彩色滤光片及其制造方法
CN101868761A (zh) * 2007-11-20 2010-10-20 伊斯曼柯达公司 使用与选区沉积相结合的着色掩模的方法
CN101706592A (zh) * 2009-12-02 2010-05-12 南昌大学 一种金属母版直接拷贝法制作云纹光栅的方法
CN102129168A (zh) * 2010-01-12 2011-07-20 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光刻胶图形的修正方法
CN103472694A (zh) * 2013-09-26 2013-12-25 京东方科技集团股份有限公司 光刻胶的去除方法、曝光装置以及显示基板的制造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI459436B (zh) The Method of Making Double - sided Graphic Structure of Touch Circuit
CN104102094B (zh) 掩模挡板及其制造方法
US7887997B2 (en) Manufacturing method for conducting films on two surfaces of transparent substrate of touch control circuit
CN101295129B (zh) 光学近距修正的方法
CN106201041A (zh) 一种触摸屏制备方法
US20170308232A1 (en) Touch panel and method of fabricating the same
EP3276413B1 (en) Mask plate, mask exposure device and mask exposure method
CN106982512A (zh) 一种电路板成品阻焊塞孔不良返工方法
CN104317451A (zh) 触控显示装置的制造方法
JP6246916B2 (ja) マスクとマトリックス基板の製作方法
CN107942619A (zh) 光阻图案的形成方法以及刻蚀工艺、曝光设备
CN108020991A (zh) 集成电路用掩模版背曝方法
CN106935482A (zh) 一种硅片边缘芯片的保护方法及光刻曝光装置
KR102207602B1 (ko) 기판 측면부 배선 형성 방법
CN108020990A (zh) 集成电路用掩模版二次曝光方法
CN108107497B (zh) 光栅制作方法
CN104460246B (zh) 一种新型光刻对准方法
CN114200773A (zh) 一种通过高精密灰度光刻的方法制作光学母板的工艺
CN105374671B (zh) T形栅结构的光刻方法
KR102179672B1 (ko) 기판 측면부 배선 형성 방법
CN110783253B (zh) 一种显示基板的制作方法、显示基板和显示装置
KR102361796B1 (ko) 몰드 제조 방법, 이를 이용한 전극필름 제조 방법 및 전극필름
CN107942623A (zh) 一种增强显影后光刻胶粘附性的方法
JPH1130851A (ja) フォトマスク用フィルム並びにフォトマスク及びその製造方法
CN105607410A (zh) 无铬光刻板

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20180511

RJ01 Rejection of invention patent application after publication