CN108020990A - 集成电路用掩模版二次曝光方法 - Google Patents

集成电路用掩模版二次曝光方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108020990A
CN108020990A CN201610927859.6A CN201610927859A CN108020990A CN 108020990 A CN108020990 A CN 108020990A CN 201610927859 A CN201610927859 A CN 201610927859A CN 108020990 A CN108020990 A CN 108020990A
Authority
CN
China
Prior art keywords
expose
alignment mark
integrated circuit
mask
mask plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201610927859.6A
Other languages
English (en)
Inventor
刘维维
尤春
王兴平
沙云峰
朱希进
季书凤
张月圆
杨晨
刘浩
胡超
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
WUXI ZHONGWEI MASK ELECTRONICS Co Ltd
Original Assignee
WUXI ZHONGWEI MASK ELECTRONICS Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by WUXI ZHONGWEI MASK ELECTRONICS Co Ltd filed Critical WUXI ZHONGWEI MASK ELECTRONICS Co Ltd
Priority to CN201610927859.6A priority Critical patent/CN108020990A/zh
Publication of CN108020990A publication Critical patent/CN108020990A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7046—Strategy, e.g. mark, sensor or wavelength selection

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

本发明公开了一种集成电路用掩模版二次曝光方法，属于半导体技术领域，通过手动曝光、显影的方法，将二次对位标记区域光刻胶去除，显现出二次对位图形，减少光刻胶涂布质量对二次对位的干扰，降低对涂胶工艺以及曝光机台的要求，能有效减少二次曝光时间，提高曝光效率。

Description

集成电路用掩模版二次曝光方法
技术领域
本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种集成电路用掩模版二次曝光方法。
背景技术
在半导体、集成电路、光伏产品等电子产品制造过程中，先进相移掩模(PSM)制造是关键技术之一。当设计线宽小于0.18μm时，一般二元掩模由于图形边缘散射会降低整体的对比度，无法得到所需要的图形，这样就必须在掩模关键层采用OPC(光学邻近效应)和PSM(相移技术)，而高阶掩模板(PSM掩模)或者进行必要的缺陷修补时又需进行二次曝光工艺。
掩模版在进行二次曝光工艺前，由于基板上已经存在第一次曝光、工艺后所呈现的图像，故在进行二次曝光时需对掩模版的位置进行校准，防止在二次曝光时起始位置出现偏差。此功能通过具有二次曝光功能的激光机omega6600E可以实现，该机台配备一套专门用于二次曝光的系统，其中包括具有校准功能的激光镭射。
目前我们进行二次曝光工艺时，所存在的问题是，由于光刻胶的存在会对二次定位信号造成干扰，Al ignment时会耗时10～15分钟左右时间，当三点做完Al ignment将会耗时将近半个多小时，会降低机台的曝光效率，从而会影响整体产量。同时，由于光刻胶的存在，对涂胶工艺要求因此也相应提高。
发明内容
本发明的目的是提供一种能降低对涂胶工艺的要求以及二次曝光定位时间，加快曝光效率，提升产能的集成电路用掩模版二次曝光方法。
为实现上述目的，本发明采用如下技术方案：集成电路用掩模版二次曝光方法，包括如下步骤：
a、在所提供的需二次曝光的掩模版上的金属层一侧的版面上涂覆一层保护膜层，该保护膜层为光刻胶层；
b、在保护膜层上选定至少三个对位标记区域，对每个对位标记区域均进行白光光照；
c、通过显影工序，对保护膜层上的所有对位标记区域进行显影后去除；
d、制作一个二次曝光专用ms文件，调用此ms文件进行二次曝光。
所述步骤a中，所述保护膜层的厚度为440nm～480nm。
所述步骤b中，白光照射时间为60s。
所述步骤c中，所述显影工序是利用显影液进行显影，显影时间为130s。
本发明所述的集成电路用掩模版二次曝光方法，具有如下有益效果：
1、集成电路用掩模版二次曝光方法是使用既有的工艺设备完成，勿须其它支撑性设备；
2、通过手动曝光、显影方法去除二次定位标记区域的光阻，降低对Omega 6600E、涂胶机台的要求。
3、减少二次曝光所需时间，提升曝光效率。
附图说明
图1是步骤a的结构示意图；
图2是步骤b的结构示意图；
图中：对位标记区域1、保护膜层2、金属层3、玻璃板4、掩模版5、clear区6。
具体实施方式
由图1和图2所示的集成电路用掩模版二次曝光方法，包括如下步骤：
a、在所提供的需二次曝光的掩模版5上的金属层3一侧的版面上涂覆一层保护膜层2，该保护膜层2为光刻胶层，所述保护膜层2的厚度为440nm～480nm。掩模版5包括玻璃板4和固在玻璃板4侧边的金属层3(金属层3为金属铬层)，掩模版5一侧版面为玻璃面、另一侧版面为金属层面，金属层3蚀刻掉的区域可透光，掩模版5具有clear区6(透光区)和dark区(非透光区)，通过涂胶机将光刻胶涂覆在掩模版5的设置金属层3的一侧版面上(金属层3面上)，光刻胶覆盖金属层3、覆盖透光区和非透光区，所述光刻胶为正性光刻胶，光刻胶通过途胶机涂在金属层3上，涂胶机涂胶自带烘干功能，可将光刻胶层固化，涂胶机为现有技术，故不详细叙述；
b、光刻胶固化后，在保护膜层2(光刻胶层上)上选定四个对位标记区域1，四个对位标记区域1为四个点区，四个对位标记区域1分别位于矩形掩模版5的四个角点处，仅对每个对位标记区域1均进行白光光照(仅对四个对位标记区域1进行白光光照)，白光照射时间为60s，白光为自然光或者太阳光或者白炽灯光或者日光灯等，以此对保护膜层2上被白光照射的四个对位标记区域1发生曝光反应，本发明不拘泥于上述形式，在保护膜层2(光刻胶层上)上选定至少三个对位标记区域1即可；
c、通过显影工序，对保护膜层2上的经过曝光的四个对位标记区域1进行显影后去除，所述显影工序是利用显影液进行显影，仅对保护膜层2上的经过曝光的四个对位标记区域滴一定量显影液进行显影，显影时间为130s，显影后，通过清水清洗或者擦拭的方法将显影的保护膜层2上的对位标记区域1去除，去除后，保护膜层2上的对位标记区域1的对位标记图形显现出来；
d、制作一个二次曝光专用ms文件，ms文件中设定了对位标记区域的位置，曝光机调用此ms文件并对掩模版5进行二次曝光(ms文件为曝光机上安装的CATs软件生成的文件，CATs软件为现有技术，故不详细叙述)，曝光机台在ms文件设定的对位标记区域位置扫描，曝光机在掩模版上扫描到对位标记区域后进行二次曝光。即曝光时，曝光机在ms文件设定对位标记区域位置进行扫描，利用光线在clear(玻璃)、dark(金属铬层)反馈信号不同，以此判断是否对位成功，如果曝光机在ms文件设定的对位标记区域位置扫描到掩模版上的对位标记区域，ms文件设定的三个对位标记区域位置与掩模版上的三个对位标记区域一一对应，说明ms文件中对位标记区域位置与掩模版上的对位标记区域重合或者相符，则对位成功，曝光机对掩模版进行二次曝光。
本发明所述的集成电路用掩模版二次曝光方法，手动曝光、显影的方法，将二次对位标记区域1光刻胶去除，减少光刻胶涂布质量对二次对位的干扰，降低对涂胶工艺以及曝光机台的要求，能有效减少二次曝光时间，提高曝光效率。

Claims (4)

1.集成电路用掩模版二次曝光方法，其特征在于：包括如下步骤：
a、在所提供的需二次曝光的掩模版(5)上的金属层(3)一侧的版面上涂覆一层保护膜层(2)，该保护膜层(2)为光刻胶层；
b、在保护膜层(2)上选定至少三个对位标记区域(1)，对每个对位标记区域(1)均进行白光光照；
c、通过显影工序，对保护膜层(2)上的所有对位标记区域(1)进行显影后去除；
d、制作一个二次曝光专用ms文件，ms文件中设定了对位标记区域的位置，曝光机台在ms文件设定的对位标记区域位置扫描，曝光机在掩模版上扫描到对位标记区域后进行二次曝光。
2.如权利要求1所述的集成电路用掩模版二次曝光方法，其特征在于：所述步骤a中，所述保护膜层(2)的厚度为440nm～480nm。
3.如权利要求1所述的集成电路用掩模版二次曝光方法，其特征在于：所述步骤b中，白光照射时间为60s。
4.如权利要求1所述的集成电路用掩模版二次曝光方法，其特征在于：所述步骤c中，所述显影工序是利用显影液进行显影，显影时间为130s。
CN201610927859.6A 2016-10-31 2016-10-31 集成电路用掩模版二次曝光方法 Pending CN108020990A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610927859.6A CN108020990A (zh) 2016-10-31 2016-10-31 集成电路用掩模版二次曝光方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610927859.6A CN108020990A (zh) 2016-10-31 2016-10-31 集成电路用掩模版二次曝光方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN108020990A true CN108020990A (zh) 2018-05-11

Family

ID=62069646

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610927859.6A Pending CN108020990A (zh) 2016-10-31 2016-10-31 集成电路用掩模版二次曝光方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108020990A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113721431A (zh) * 2021-09-03 2021-11-30 安徽光智科技有限公司 一种晶圆曝光方法
CN117234042A (zh) * 2023-10-16 2023-12-15 深圳清溢微电子有限公司 掩膜版的校准标记二次曝光工艺方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1442884A (zh) * 2002-03-01 2003-09-17 株式会社日立制作所 电子装置的制造方法
CN101038445A (zh) * 2006-03-16 2007-09-19 Hoya株式会社 图案形成方法以及灰阶掩模的制造方法
US20120057159A1 (en) * 2010-03-17 2012-03-08 Asml Netherlands B.V. Alignment Mark, Substrate, Set of Patterning Devices, and Device Manufacturing Method

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1442884A (zh) * 2002-03-01 2003-09-17 株式会社日立制作所 电子装置的制造方法
CN101038445A (zh) * 2006-03-16 2007-09-19 Hoya株式会社 图案形成方法以及灰阶掩模的制造方法
US20120057159A1 (en) * 2010-03-17 2012-03-08 Asml Netherlands B.V. Alignment Mark, Substrate, Set of Patterning Devices, and Device Manufacturing Method

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113721431A (zh) * 2021-09-03 2021-11-30 安徽光智科技有限公司 一种晶圆曝光方法
CN117234042A (zh) * 2023-10-16 2023-12-15 深圳清溢微电子有限公司 掩膜版的校准标记二次曝光工艺方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20070287077A1 (en) Photomask and exposure method
CN106950795A (zh) 辅助图形的形成方法
CN101211108B (zh) 用于修复光掩模的桥接的方法
CN108020990A (zh) 集成电路用掩模版二次曝光方法
CN103163727A (zh) 一种掩膜图案的修正方法
CN107703714A (zh) 一种显示器的基板的制造方法及光罩
US7325222B2 (en) Method and apparatus for verifying the post-optical proximity corrected mask wafer image sensitivity to reticle manufacturing errors
CN104779145B (zh) 掩膜板及其制备方法
CN106324980A (zh) 一种利用二次曝光技术修补掩模板图形区内缺陷的方法
US20040197676A1 (en) Method for forming an opening in a light-absorbing layer on a mask
CN106054482A (zh) 一种阵列基板及其制备方法和显示装置
CN107643651B (zh) 一种光刻辅助图形的设计方法
KR100956082B1 (ko) 포토마스크의 리페어 방법
WO2008084716A1 (ja) 電気泳動表示パネルの隔壁の製造方法、及び電気泳動表示パネル
KR100261164B1 (ko) 오버레이 측정 타겟 및 이의 제조방법
CN217932412U (zh) 一种实验室光刻胶分区域曝光的装置
CN110488573B (zh) 一种晶圆光刻方法及晶圆光刻用光罩组件
US20050214653A1 (en) Repair of photolithography masks by sub-wavelength artificial grating technology
KR100889334B1 (ko) 반도체 소자의 오버레이 버니어 형성방법
CN113970978B (zh) 大型触控感应图案的制造方法
JPS59141230A (ja) パタ−ン形成方法
KR20100010696A (ko) 포토마스크 검사용 정렬 패턴을 구비하는 포토마스크 및 그제조방법
JPH0756322A (ja) フォトマスク修正方法
KR100881518B1 (ko) 반도체 소자의 ｏｐｃ 모델링 방법 및 그 구조
CN108020991A (zh) 集成电路用掩模版背曝方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20180511