CN1224860C - 液晶显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种制造LCD装置的方法，包括：在基板上形成具有互相交叉并限定像素区的选通线和数据线的薄膜晶体管阵列，薄膜晶体管设置在选通线和数据线交叉的位置上；在基板的整个表面上形成钝化层；在钝化层中形成接触孔并露出每个薄膜晶体管的漏极；在钝化层上形成非晶氧化铟锡膜；通过将光选择性地照射到非晶氧化铟锡薄膜上，选择性地结晶像素区中的非晶氧化铟锡膜的部分；和通过选择性地除去非晶氧化铟锡膜的未结晶部分，形成像素电极。

Description

液晶显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及液晶显示器(LCD)装置及其制造方法。特别是，本发明涉及一种制造液晶显示器(LCD)装置的像素电极的方法，该方法通过用光(例如准分子激光束、UV光等)照射淀积在钝化层上的非晶氧化铟锡(ITO)的部分以便选择性地形成结晶(或多晶)氧化铟锡，和选择性地刻蚀非晶氧化铟锡的未结晶部分。
背景技术
由于它们的小尺寸、减少的厚度和重量、显示灰度和运动图像的能力以及消耗最小量功率的特点，液晶显示器(LCD)装置被用于代替阴极射线管(CRT)。LCD装置一般包括由被一层液晶材料互相分开的薄膜晶体管(TFT)基板和滤色器基板构成的LCD板。
薄膜晶体管(TFT)基板支撑多个选通线(gate line)和与选通线相交的多个数据线。薄膜晶体管(TFT)形成在选通线和数据线相交的位置，并且像素电极形成在由多个选通线和数据线限定的像素区中。滤色器基板支撑滤色层和公共电极。液晶材料层可以通过注入工艺而置于两个基板之间。电极形成在TFT和滤色器基板的表面上，以便支撑电极的两个基板的表面互相面对并与注入在两个基板之间的液晶材料层的分子接触。
通过选择性地控制液晶材料层的透光性，在LCD板上显示图像。因而，通过向两个基板上的电极施加电压产生的电场会影响液晶材料层的分子的取向以控制液晶材料层的透光性。
公知为有源矩阵LCD(AM-LCD)装置的LCD装置能够显示高分辨率图像和高质量运动图像。AM-LCD装置包括连接到在下基板上排列成矩阵图形的像素电极的TFT、在上基板上的公共电极、以及置于上基板和下基板之间的液晶材料层。在AM-LCD装置中，液晶材料层的分子被存在于像素电极和公共电极之间并基本上垂直于下基板和上基板的电场驱动。
下面更详细地说明相关技术的LCD装置。
图1A表示相关技术LCD装置的示意图，图1B表示沿着线I-I’截取的图1A的相关技术LCD装置的剖面图。
参见图1A，相关技术LCD装置包括：多个选通线1和数据线3，它们互相交叉并限定多个像素区；形成在各个像素区中的多个像素电极8；以及多个薄膜晶体管7，它们形成在选通线1和数据线3交叉的位置，并能响应来自选通线1的信号，从数据线3向对应像素电极8施加视频信号。选通线1和数据线3由具有低电阻的半透明材料如铝金属化合物构成，而像素电极8由透明材料如氧化铟锡(ITO)构成。
参见图1B，选通线1沿着第一基板9上的第一方向形成并包括从选通线1突出的栅极2。接着，在第一基板1的整个表面上和在选通线1上形成栅极绝缘层11。接着，在栅极2上面的区域中的栅极绝缘层11上形成岛状半导体层12。数据线3沿着基本上垂直于第一方向的第二方向形成在栅极绝缘层11上。源极5a从数据线3突出形成并在半导体层12的第一侧上延伸，而漏极5b形成为在与第一侧相反的半导体层12的第二侧上延伸，并与源极5a分开预定距离。相应地，薄膜晶体管(TFT)7形成在选通线1和数据线3互相交叉的位置。
接下来，在第一基板9的整个表面上和在薄膜晶体管7上形成钝化层13。此外，在漏极5b上的一部分钝化层中形成接触孔。然后，像素电极8形成在像素区中的钝化层13上并通过接触孔与漏极5b电连接。接着，在第一基板9的整个表面上以及在像素电极8和钝化层13上形成能使液晶分子规则地定向的第一排列层(alignment layer)17a。
仍然参照图1B，第二基板10支撑用于防止在第一基板9的像素区外部的区域(即，对应于选通线1、数据线3和薄膜晶体管7的区域)中泄漏光的黑底层14、用于选择性地透射在每个像素区中产生的具有预定波长的光的红/绿/蓝(R/G/B)滤色层15、具有不同于像素电极8的电位的公共电极16、以及形成在公共电极16上并能使液晶分子规则地定向的第二排列层17b。
接着，在第一和第二基板9和10之间形成间隔层(未示出)和密封材料(未示出)，以便将第一和第二基板9和10粘接在一起，并使被粘接基板均匀地间隔预定距离。最后，向粘接的基板9和10之间注入液晶材料，由此形成液晶材料层23。
在制造上述LCD装置中采用的技术与在制造硅半导体中使用的技术相似。例如，两种技术都涉及薄膜晶体管淀积工艺步骤和涉及薄膜的光刻构图的工艺步骤(例如光刻胶(PR)淀积、紫外(UV)曝光和显影、刻蚀以及PR剥离和清洗工艺步骤)。因而，制造LCD装置的前述方法要求重复性的工艺步骤以形成薄膜。
图2A-2F表示制造相关技术LCD装置所需要的工艺步骤的剖面图。
首先参见图2A，为制造相关技术LCD装置，在第一基板9上淀积金属层，并构图以便形成选通线1和栅极2。接着，在第一基板9的整个表面上淀积栅极绝缘层11。然后，在第一基板9的整个表面上淀积半导体层12并选择性地除去，留下在栅极2上的岛状半导体层12，其中岛状半导体层12构成薄膜晶体管(TFT)的有源层。
接着，在第一基板9的整个表面上淀积金属层，并构图以分别形成数据线3和源极/漏极5a和5b。在第一基板9的整个表面上和数据线3上形成钝化层13。接着，选择性地除去一部分钝化层13以形成露出漏极5b的接触孔。然后，在低温溅射工艺中在钝化层13上淀积非晶氧化铟锡膜(a-ITO)，以便a-ITO膜通过接触孔电接触漏极5b。
参见图2B，在a-ITO膜8a上淀积光刻胶层20，然后在焙烧处理中硬化。
参见图2C，掩模21设置在光刻胶层20上。然后用紫外线22曝光光刻胶层20不直接位于掩模21之下的区域。
参见图2D，在显影工艺中除去被UV光曝光的部分光刻胶层20。
参见图2E，采用刻蚀剂刻蚀通过除去部分光刻胶层20而露出的部分a-ITO膜8a，其中剩余部分的光刻胶层20用作刻蚀掩模。通常，刻蚀剂(例如稀释的乙二酸或稀释的盐酸)被用于刻蚀a-ITO膜。
参见图2F，剥离剩余的光刻胶层20，清洗基板，并由此形成像素电极8。
上述相关技术方法通过利用常规光刻和刻蚀工艺构图淀积在钝化层上的非晶氧化铟锡膜而形成像素电极8。因而，前述相关技术方法是不利的，因为利用常规光刻工艺(例如，在非晶氧化铟锡膜上淀积光刻胶层，曝光光刻胶层，显影光刻胶层，用光刻胶层作刻蚀掩模刻蚀非晶氧化铟锡膜，剥离光刻胶层，以及清洗基板)形成像素电极时增加了产生缺陷的风险并由于应用复杂和耗时的光刻步骤而降低了生产率。此外，安装和维护光刻设备及相容的构图工序所需要的费用和时间可能超过容许的限度。
发明内容
因而，本发明涉及液晶显示器(LCD)装置及其制造方法，其实质上解决了由于相关技术的限制和缺点产生的一个或多个问题。
本发明的优点是提供了LCD装置及其制造方法，其能够简化制造工艺步骤和提高LCD装置的生产率，其中通过以下步骤形成像素电极：用光(例如准分子激光束，UV光等)选择性地照射淀积在钝化层上的非晶氧化铟锡(ITO)的部分，以便选择性地形成结晶(或多晶)氧化铟锡。然后可以相对于结晶(或多晶)氧化铟锡选择性地刻蚀未结晶的非晶氧化铟锡。
本发明的附加优点和特点部分地将从下面的说明中得出，或者可以通过实施本发明而学习到。本发明的这些和其它优点将通过在文字说明和权利要求书以及附图中特别指出的结构来实现。
为实现这些和其它优点并根据本发明的目的，如这里具体和广泛地说明的，制造液晶显示器(LCD)装置的方法例如可包括以下步骤：在基板上形成具有互相交叉的选通线和数据线的薄膜晶体管阵列和限定像素区；在选通线和数据线交叉的位置形成薄膜晶体管；在基板的整个表面上形成钝化层；在每个薄膜晶体管的漏极上的区域中的一部分钝化层中形成接触孔；在钝化层上形成非晶氧化铟锡膜；通过用光选择性地照射像素区中的非晶氧化铟锡膜的部分，选择性地结晶该非晶氧化铟锡；以及通过选择性地除去非晶氧化铟锡膜的未结晶部分，形成像素电极。
在本发明的一个方面中，例如通过设置遮蔽像素区外部的区域和露出像素区内部的区域的掩模，并用光照射非晶氧化铟锡膜的露出部分但不照射非晶氧化铟锡膜的遮蔽部分，由此选择地使非晶氧化铟锡膜结晶。
在本发明的另一方面中，光可以包括准分子激光束或UV光。
在本发明的另一方面中，可利用刻蚀剂，例如稀释的乙二酸、稀释的盐酸、或包括稀释的乙二酸和稀释的盐酸的弱酸，选择性地除去未结晶的非晶氧化铟锡膜的部分。
在本发明的又一方面中，稀释的乙二酸的浓度可约为10％或以下。
在本发明的另一方面中，可在约为60℃或更低的温度下用刻蚀剂刻蚀非晶氧化铟锡膜。
应该理解，前述一般性的说明和下面的详细说明是示意性的并用于提供对所要求保护的本发明的进一步解释。
附图说明
所包含的提供本发明的进一步理解并构成本说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例并与文字说明一起用于解释本发明的原理。
附图中：
图1A示出了相关技术LCD装置的示意图；
图1B示出了沿着线I-I’截取的图1A的相关技术LCD装置的剖面图；
图2A-2F示出了制造相关技术LCD装置所需要的工艺步骤的剖面图；
图3A-3C示出了根据本发明的原理制造LCD装置所需要的工艺步骤的剖面图；和
图4是表示非晶和结晶氧化铟锡膜的刻蚀速度关于刻蚀温度的相关性的曲线。
具体实施方式
下面参照附图中的例子对本发明的优选实施例进行详细说明。
下面介绍根据本发明原理制造LCD装置的方法。
图3A-3C表示根据本发明的原理制造LCD装置所需要的工艺步骤的剖面图。
参见图3A，可以在玻璃或石英基板109上淀积金属层并构图成与图1A中所示选通线1相似的选通线(未示出)和栅极102。接着，可以在基板109的整个表面上和栅极102上依次淀积栅极绝缘层111和半导体层。然后选择性地去掉半导体层的部分，以便在栅极102上形成岛状半导体层112，其中岛状半导体层112构成薄膜晶体管(TFT)的有源层。
接着，可以在基板109的整个表面上淀积金属层并构图，以便分别形成数据线103和源极/漏极105a和105b。可以在基板109的整个表面上和漏极105b上形成钝化层113。然后，选择性地除去一部分钝化层113，以便形成露出漏极105b的接触孔。
仍然参考图3A，在钝化层113中形成接触孔之后，可在钝化层113上形成非晶氧化铟锡(a-ITO)膜108a。在本发明的一个方面中，非晶氧化铟锡膜108a可通过溅射淀积工艺形成。在本发明的另一方面中，非晶氧化铟锡膜108a可形成为通过钝化层113中的接触孔与漏极105b电接触。在本发明的一个方面中，非晶氧化铟锡膜108a例如可以利用包括氧化铟锡的靶(target)形成。在本发明的另一个方面中，可以向靶中添加预定量的H2O或锌(Zn)。在本发明的另一方面中，溅射工艺可以在低温下进行。
参见图3B，可以在不形成像素电极的一部分基板109上方设置掩模121，露出要形成像素电极的区域中的非晶氧化铟锡108a的部分。接着，可以选择性地将光(例如准分子激光束、UV光等)122照射到由掩模121露出的非晶氧化铟锡膜108a的部分上。根据本发明的原理，照射光122的特征是具有能使非晶氧化铟锡膜108a结晶的预定能量和波长。通过用光122照射，只有露出部分的非晶氧化铟锡膜108a被结晶，并且结晶(或多晶)氧化铟锡膜108b可以选择性地形成在要形成像素电极的区域中。
参见图3C，可采用刻蚀剂刻蚀被掩模121屏蔽了照射光122的非晶氧化铟锡膜108a的部分。在本发明的一个方面中，可使用刻蚀剂(例如具有约为10％或更少浓度的稀释乙二酸，或稀释盐酸)相对于结晶(或多晶)氧化铟锡膜108b选择性地刻蚀非晶氧化铟锡膜108a。在本发明的一个方面，稀释乙二酸的浓度可在约2％和约5％之间。在本发明的另一方面中，稀释乙二酸的浓度可为约3％。
参见表1，非晶氧化铟锡膜108a和结晶(或多晶)氧化铟锡膜108b在具有约为10％浓度的稀释乙二酸中的刻蚀速度根据刻蚀温度而变化。
表1
  温度(℃)   通量(l/m)     刻蚀速度(埃/秒)
非晶氧化铟锡 结晶/多晶氧化铟锡
    25     30     7.9     0.0
    30     30     11.1     0.0
    35     30     14.3     0.0
    65     30     --     1.2
如表1所示，氧化铟锡的各种形式的刻蚀速度一般随着刻蚀剂温度增加而增加。在本发明中，在稀释乙二酸中通过从低到高刻蚀温度刻蚀了相当多量的非晶氧化铟锡。然而，与同样被刻蚀的非晶氧化铟锡的量相比，被稀释乙二酸通过相同温度范围刻蚀的结晶(或多晶)氧化铟锡材料的量可以忽略。表1可以等效地由图4中所示的曲线表示。鉴于表1和图4，厚度为几百埃的非晶氧化铟锡膜108a可以在室温下在几百秒内被稀释乙二酸完全刻蚀，而被稀释乙二酸通过相同刻蚀温度范围刻蚀的结晶(或多晶)氧化铟锡的量可以忽略。
根据本发明的原理，照射光(例如准分子激光束、UV光等)122可以选择性地照射到非晶氧化铟锡膜108a上，以便选择性地形成由结晶(或多晶)氧化铟锡膜108b构成的像素电极。此外，相对于像素区内部和被光122照射的非晶氧化铟锡108a的部分，选择性地刻蚀像素区外部和未被光122照射的非晶氧化铟锡108a的部分。
与相关技术的制造技术如图2A-2F中所示的那些技术相比，根据本发明的原理，相对于结晶(或多晶)氧化铟锡膜108b利用刻蚀剂(如稀释乙二酸、稀释盐酸等)选择性地刻蚀非晶氧化铟锡膜108a导致制造成本和时间减少，由此提高生产率。
根据本发明的原理，非晶氧化铟锡薄膜108a可淀积在钝化层113上。接着，用光122(例如准分子激光束、UV光等)选择性地照射非晶氧化铟锡薄膜108a，以便使非晶氧化铟锡108a的部分选择性地结晶成结晶(或多晶)氧化铟锡膜108b。可利用刻蚀剂如稀释乙二酸、稀释盐酸等相对于被光122照射的非晶氧化铟锡膜108b的部分，选择性地刻蚀未被光122照射的非晶氧化铟锡膜108a的部分。因而，可以形成由结晶(或多晶)氧化铟锡构成的像素电极。
如上所述，根据本发明的原理制造LCD装置的方法是有利的，因为可以采用刻蚀剂相对于已经被具有预定能量和波长的光选择性地照射的非晶氧化铟锡材料选择性地刻蚀没有被具有预定能量和波长的光选择性地照射的非晶氧化铟锡材料。因而，可以由已经被具有预定能量和波长的光选择性地照射的非晶氧化铟锡材料形成像素电极。这样，根据本发明的原理制造LCD装置的方法导致比相关技术制造技术如在图2A-2F中所示的那些技术减少的制造成本和时间，由此提高生产率。
对于本领域普通技术人员来说在不脱离本发明的精神或范围的情况下可以对本发明做出各种修改和改变。因此，本发明覆盖落入所附权利要求及其等同物范围内的本发明的修改和改变。

Claims (20)

1、一种制造液晶显示器装置的方法，包括：
提供基板；
在基板上形成薄膜晶体管阵列，该薄膜晶体管阵列具有多个选通线和数据线，其中多个选通线和数据线互相交叉并限定多个像素区；
在基板上形成多个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管包括漏极；
在基板的整个表面上形成钝化层；
在多个薄膜晶体管的漏极上的钝化层中形成接触孔；
在钝化层上形成非晶氧化铟锡膜；
选择性地结晶形成在像素区中的非晶氧化铟锡膜的部分；和
相对于非晶氧化铟锡膜的结晶部分，选择性地除去非晶氧化铟锡膜的未结晶部分。
2、根据权利要求1的方法，其中选择性地结晶的步骤包括用光选择性地照射像素区中的非晶氧化铟锡膜的部分。
3、根据权利要求2的方法，其中选择性地照射的步骤包括在像素区外部的非晶氧化铟锡膜的部分正上方设置掩模，其中掩模基本上不让照射光通过。
4、根据权利要求2的方法，其中光包括准分子激光束。
5、根据权利要求2的方法，其中光包括紫外光。
6、根据权利要求1的方法，其中选择性地除去的步骤包括相对于非晶氧化铟锡膜的结晶部分选择性地刻蚀非晶氧化铟锡膜的未结晶部分。
7、根据权利要求6的方法，还包括采用从由稀释乙二酸、稀释盐酸及其组合组成的组中选择的刻蚀剂进行选择性刻蚀。
8、根据权利要求7的方法，其中稀释乙二酸的浓度约为10％或更低。
9、根据权利要求7的方法，其中刻蚀剂的浓度在约2％和约5％之间。
10、根据权利要求6的方法，还包括采用具有约为60℃或更低温度的刻蚀剂进行选择性刻蚀。
11、一种制造液晶显示器装置的方法，包括：
提供基板；
在基板上形成多个选通线和数据线，其中多个选通线和数据线互相交叉并限定多个像素区；
在多个选通线和数据线交叉的位置上形成多个薄膜晶体管；
在基板上形成非晶氧化铟锡膜；
用光选择性地照射形成在像素区中的非晶氧化铟锡膜的部分，其中被光照射的非晶氧化铟锡膜部分被结晶；和
选择性地除去非晶氧化铟锡膜的未结晶部分。
12、根据权利要求11的方法，其中选择性地照射的步骤包括在像素区外部的氧化铟锡膜的部分上方设置掩模，其中掩膜基本上不让照射光通过。
13、根据权利要求11的方法，其中光包括准分子激光束。
14、根据权利要求11的方法，其中光包括紫外光。
15、根据权利要求11的方法，其中选择性地除去的步骤包括相对于非晶氧化铟锡膜的结晶部分选择性地刻蚀非晶氧化铟锡膜的未结晶部分。
16、根据权利要求15的方法，还包括采用从由稀释乙二酸、稀释盐酸及其组合组成的组中选择的刻蚀剂进行选择性刻蚀。
17、根据权利要求16的方法，其中稀释乙二酸的浓度约为10％或更低。
18、根据权利要求16的方法，其中刻蚀剂的浓度在约2％和约5％之间。
19、根据权利要求15的方法，还包括采用具有约为60℃或更低温度的刻蚀剂进行选择性刻蚀。
20、一种液晶显示器装置，包括：
基板；
多个选通线；
与多个选通线交叉的多个数据线，其中多个选通线和数据线在基板上限定像素区；
设置在多个选通线和数据线的交叉位置上的薄膜晶体管；和由像素区中的结晶氧化铟锡形成的像素电极。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7316784B2 (en) * 2003-02-10 2008-01-08 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Method of patterning transparent conductive film, thin film transistor substrate using the same and fabricating method thereof
WO2005086539A1 (ja) * 2004-03-05 2005-09-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
WO2005086180A1 (ja) 2004-03-09 2005-09-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタ基板及びこれらの製造方法及びこれらを用いた液晶表示装置及び関連する装置及び方法、並びに、スパッタリングターゲット及びこれを用いて成膜した透明導電膜及び透明電極及び関連する装置及び方法
WO2005109964A1 (ja) * 2004-04-21 2005-11-17 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
CA2708335A1 (en) 2004-11-10 2006-05-18 Canon Kabushiki Kaisha Amorphous oxide and field effect transistor
KR101167312B1 (ko) * 2005-06-30 2012-07-19 엘지디스플레이 주식회사 미세 패턴 형성 방법과 그를 이용한 액정 표시 장치 및 그제조 방법
US20110006297A1 (en) * 2007-12-12 2011-01-13 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Patterned crystalline semiconductor thin film, method for producing thin film transistor and field effect transistor
CN102132414B (zh) * 2008-08-27 2013-05-22 出光兴产株式会社 场效应型晶体管、其制造方法和溅射靶
CN103472694B (zh) * 2013-09-26 2016-05-04 京东方科技集团股份有限公司 光刻胶的去除方法、曝光装置以及显示基板的制造方法
CN104037060B (zh) 2014-05-14 2017-06-30 京东方科技集团股份有限公司 多晶金属氧化物图形的制备方法
CN106024604B (zh) * 2016-08-02 2018-11-23 京东方科技集团股份有限公司 一种激光退火设备
US10564461B2 (en) * 2017-09-18 2020-02-18 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Method of forming crystalline ITO thin film and method of forming on-cell type touch panel
WO2020140232A1 (zh) * 2019-01-03 2020-07-09 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0860349A (ja) * 1994-08-22 1996-03-05 Mitsubishi Materials Corp 高強度および高導電性を有するｉｔｏ薄膜形成用スパッタリングターゲット材
JPH0961835A (ja) 1995-08-22 1997-03-07 Hitachi Ltd 液晶表示基板およびその製造方法
JPH1012060A (ja) * 1996-06-26 1998-01-16 Casio Comput Co Ltd 透明導電膜の形成方法
US5667631A (en) * 1996-06-28 1997-09-16 Lam Research Corporation Dry etching of transparent electrodes in a low pressure plasma reactor
JPH11264995A (ja) * 1998-03-17 1999-09-28 Idemitsu Kosan Co Ltd 液晶表示装置の製造方法
JP2000285752A (ja) * 1999-03-30 2000-10-13 Hoya Corp 透明電極及びその形成方法
JP2001021891A (ja) * 1999-07-02 2001-01-26 Toshiba Corp 液晶表示素子の製造方法および液晶表示素子
KR100381054B1 (ko) * 1999-12-28 2003-04-18 엘지.필립스 엘시디 주식회사 인듐-징크-옥사이드로 적용된 투명전극과 이를 에칭하기위한 에천트
JP2001194676A (ja) * 2000-01-07 2001-07-19 Hitachi Ltd 液晶表示装置
TWI256976B (en) * 2000-08-04 2006-06-21 Hannstar Display Corp Method of patterning an ITO layer
KR100690003B1 (ko) * 2000-08-21 2007-03-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자의 화소전극재료 및 그 에칭방법
EP1646091A3 (en) * 2000-09-08 2006-04-19 Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha Etching liquid composition
US20030134122A1 (en) * 2002-01-14 2003-07-17 Paul Wickboldt High conductivity transparent conductor formed using pulsed energy process
JP2003282880A (ja) * 2002-03-22 2003-10-03 Hitachi Displays Ltd 表示装置

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