JP2003059894A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ドライエッチングによって生じたレジストに
由来する反応生成物の除去処理後に基板を確実に乾燥す
ることができる基板処理装置を提供することを目的とす
る。 【解決手段】 基板処理装置１は、除去液供給手段63と
純水供給手段64とを有し、基板Wを収容する密閉チャン
バ８６を有する。そして、基板Ｗに対して除去液を供給
し、純水を供給した後、前記基板を密閉チャンバ８６へ
搬送する。密閉チャンバ86内では基板ＷにIPAが供給さ
れるとともに、密閉チャンバ８６内の圧力が減じられ
る。これにより基板Wを確実に乾燥させることができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はリンス液による処理
を受けた基板を乾燥させる基板処理装置に関する。

【０００２】特に基板から有機物を除去する際、リンス
液による処理を受けた基板を乾燥させる基板処理装置に
関する。

【０００３】

【従来の技術】半導体装置の製造工程においては半導体
ウエハなどの基板上に形成されたアルミニウムや銅など
の金属の薄膜（金属膜）が、パターン化されたレジスト
膜をマスクとしてエッチングされて半導体素子の配線と
される工程がある。このエッチング工程は例えばＲＩＥ
（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ／反応性
イオンエッチング）等の、ドライエッチングにより実行
される。

【０００４】このようなドライエッチングで使用される
反応性イオンのパワーは極めて強いことから、金属膜の
エッチングが完了する時点においてはレジスト膜も一定
の割合で変化し、その一部がポリマー等の反応生成物に
変質して金属膜の側壁に堆積する。この反応生成物は後
続する処理に影響を与えることから除去される必要があ
る。

【０００５】このため、従来、ドライエッチング工程の
後には、反応生成物を除去する作用を有する除去液を基
板に対して供給することにより、金属膜の側壁に堆積し
た反応生成物を除去した後、この基板を純水をはじめと
するリンス液で洗浄し、さらにこのリンス液を振り切り
乾燥するという反応生成物の除去処理を行っている。

【０００６】また、この他にも有機物を除去する工程が
あり、有機物の除去液を基板に供給し、さらに該基板を
リンス液で洗浄する工程がある。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、近年のパタ
ーンの微細化に伴い、基板に付着したリンス液は振切り
乾燥のみでは十分に除去できない場合がある。仮に基板
にリンス液が残存していると、薄膜や空気成分や空中の
汚染物質と残存したリンス液とが反応して、さらに汚染
物質が生成されたりするおそれがある。

【０００８】よって、基板にリンス液を供給する処理が
ある場合、基板を確実に乾燥させる必要がある。

【０００９】特に、基板が金属の薄膜を有すると、空気
中で金属とリンス液とが反応して不要な酸化物が生成さ
れるという問題が発生する。また、ＣＶＤ等の真空条件
下で処理を行う処理工程が後続する場合には、基板に付
着したリンス液が処理に悪影響を及ぼす。

【００１０】本発明の目的は基板にリンス液を供給する
処理がある場合、その基板を確実に乾燥させることであ
る。

【００１１】より詳しくは、基板から有機物を除去する
処理において、最終的に基板をリンス液で処理した後に
その基板を確実に乾燥させることである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明は
基板を保持する基板保持手段と、基板保持手段に保持さ
れた基板に対して、基板に存在する反応生成物を除去す
るための除去液を供給する除去液供給手段と、基板保持
手段に保持された基板に対してリンス液を供給するリン
ス液供給手段と、基板保持手段に保持されている基板を
収容するチャンバと、前記チャンバ内の圧力を下げる減
圧手段とを備えたことを特徴とする基板処理装置であ
る。

【００１３】請求項２に記載の発明は基板を保持する基
板保持手段と、基板保持手段に保持された基板に対し
て、基板に存在する反応生成物を除去するための除去液
を供給する除去液供給手段と、基板保持手段に保持され
た基板に対してリンス液を供給するリンス液供給手段
と、基板を収容するチャンバと、基板保持手段に保持さ
れた基板を前記チャンバに搬送する搬送手段と、前記チ
ャンバ内の圧力を下げる減圧手段と、を備えたことを特
徴とする基板処理装置である。

【００１４】請求項３に記載の発明は請求項１または請
求項２に記載の基板処理装置において、基板に対して液
体の有機溶剤を供給する溶剤液供給手段を備えたことを
特徴とする基板処理装置である。

【００１５】請求項４に記載の発明は請求項１または請
求項２に記載の基板処理装置において、前記チャンバ内
に霧状または気体の有機溶剤を供給する溶剤蒸気供給手
段を備えたことを特徴とする基板処理装置である。

【００１６】請求項５に記載の発明は請求項１ないし請
求項４の何れかに記載の基板処理装置において、チャン
バ内の基板の温度を調節する温調手段を備えたことを特
徴とする基板処理装置である。

【００１７】請求項６に記載の発明は基板を保持する基
板保持手段と、基板保持手段に保持された基板に対し
て、基板に存在する反応生成物を除去するための除去液
を供給する除去液供給手段と、基板保持手段に保持され
た基板に対してリンス液を供給するリンス液供給手段
と、リンス液が供給された後の基板に対して有機溶剤を
供給する溶剤供給手段とを備えたことを特徴とする基板
処理装置である。

【００１８】請求項７に記載の発明は請求項６に記載の
基板処理装置において、基板の温度を調節する温調手段
を備えたことを特徴とする基板処理装置である。

【００１９】請求項８に記載の発明は未処理の基板が載
置される搬入部と、未処理の基板にリンス液を供給する
リンス液供給手段と、リンス液供給手段を用いて処理さ
れた処理済みの基板が載置される搬出部とを備えた基板
処理装置であって、搬出部に設けられ、基板を収容する
搬出チャンバと、搬出チャンバ内の圧力を下げる減圧手
段とを備えたことを特徴とする基板処理装置である。

【００２０】請求項９に記載の発明は請求項８に記載の
基板処理装置において、反応生成物を除去するための除
去液を供給する除去液供給手段を備えたことを特徴とす
る基板処理装置である。

【００２１】請求項１０に記載の発明は請求項１ないし
請求項７または請求項９の何れかに記載の基板処理装置
において、前記反応生成物はレジストが変質したもので
あることを特徴とする基板処理装置である。

【００２２】請求項１１に記載の発明は請求項１０に記
載の基板処理装置において、前記レジストが変質した反
応生成物は、レジスト膜をマスクとしたドライエッチン
グによって生じたものであることを特徴とする基板処理
装置である。

【００２３】請求項１２に記載の発明は基板を保持する
基板保持手段と、基板保持手段に保持された基板に対し
て、基板に存在する有機物を除去するための除去液を供
給する除去液供給手段と、基板保持手段に保持された基
板に対してリンス液を供給するリンス液供給手段と、基
板保持手段に保持されている基板を収容するチャンバ
と、前記チャンバ内の圧力を下げる減圧手段とを備えた
ことを特徴とする基板処理装置である。

【００２４】請求項１３に記載の発明は基板を保持する
基板保持手段と、基板保持手段に保持された基板に対し
て、基板に存在する有機物を除去するための除去液を供
給する除去液供給手段と、基板保持手段に保持された基
板に対してリンス液を供給するリンス液供給手段と、基
板を収容するチャンバと、基板保持手段に保持された基
板を前記チャンバに搬送する搬送手段と、前記チャンバ
内の圧力を下げる減圧手段と、を備えたことを特徴とす
る基板処理装置である。

【００２５】請求項１４に記載の発明は請求項１２また
は請求項１３に記載の基板処理装置において、基板に対
して液体の有機溶剤を供給する溶剤液供給手段を備えた
ことを特徴とする基板処理装置である。

【００２６】請求項１５に記載の発明は請求項１２また
は請求項１３に記載の基板処理装置において、前記チャ
ンバ内に霧状または気体の有機溶剤を供給する溶剤蒸気
供給手段を備えたことを特徴とする基板処理装置であ
る。

【００２７】請求項１６に記載の発明は請求項１２ない
し請求項１５の何れかに記載の基板処理装置において、
チャンバ内の基板の温度を調節する温調手段を備えたこ
とを特徴とする基板処理装置である。

【００２８】請求項１７に記載の発明は基板を保持する
基板保持手段と、基板保持手段に保持された基板に対し
て、基板に存在する有機物を除去するための除去液を供
給する除去液供給手段と、基板保持手段に保持された基
板に対してリンス液を供給するリンス液供給手段と、リ
ンス液が供給された後の基板に対して有機溶剤を供給す
る溶剤供給手段とを備えたことを特徴とする基板処理装
置である。

【００２９】請求項１８に記載の発明は請求項１７に記
載の基板処理装置において、基板の温度を調節する温調
手段を備えたことを特徴とする基板処理装置である。

【００３０】請求項１９に記載の発明は未処理の基板が
載置される搬入部と、未処理の基板にリンス液を供給す
るリンス液供給手段と、リンス液供給手段を用いて処理
された処理済みの基板が載置される搬出部とを備えた基
板処理装置であって、搬出部に設けられ、基板を収容す
る搬出チャンバと、搬出チャンバ内の圧力を下げる減圧
手段とを備えたことを特徴とする基板処理装置である。

【００３１】請求項２０に記載の発明は請求項１９に記
載の基板処理装置において、有機物を除去するための除
去液を供給する除去液供給手段を備えたことを特徴とす
る基板処理装置である。

【００３２】請求項２１に記載の発明は請求項１ないし
請求項２０の何れかに記載の基板処理装置において、前
記リンス液は純水である基板処理装置である。

【００３３】請求項２２に記載の発明は請求項１ないし
請求項２０の何れかに記載の基板処理装置において、前
記リンス液は炭酸水、オゾン水、水素水の何れかである
基板処理装置である。

【００３４】

【発明の実施の形態】以下の各実施形態において、基板
とは半導体基板であり、より詳しくはシリコン基板であ
る。また、当該基板は薄膜を有する。該薄膜は金属膜ま
たは絶縁膜である。金属膜を構成する金属としては銅や
アルミニウム、チタン、タングステンおよび、これらの
混合物がある。絶縁膜としては前記金属の酸化膜や窒化
膜およびシリコン酸化膜やシリコン窒化膜、有機絶縁
膜、低誘電体層間絶縁膜がある。なお、ここでいう薄膜
とは、薄膜が形成された基板に対して垂直方向の断面に
おいて高さ寸法が底部の長さより短いものはもちろん、
高さ寸法が底部の長さより長いものも含む。従って、基
板上で部分的に形成されている膜や配線など、基板に向
って見たとき線状や島状に存在するものも薄膜に含まれ
る。

【００３５】この薄膜を、パターン化されたレジスト膜
をマスクとしてドライエッチングする工程を経た基板に
はドライエッチングによってレジストや薄膜に由来する
反応生成物であるポリマーが生成されている。

【００３６】なお、ここでいうレジストとは感光性物質
であり、より詳しくは有機物を含む感光性物質である。

【００３７】以下の各実施形態における基板処理とは前
記ポリマーが生成された基板からポリマーを除去するポ
リマー除去処理である。

【００３８】また、以下、基板から脱落したポリマーを
汚染物質と表記する場合もある。

【００３９】また、以下の各実施形態における除去液と
は有機物を除去する有機物除去液であり、反応生成物を
除去する反応生成物除去液である。またより詳しくはポ
リマー除去液である。除去液は薄膜に対して有機物を選
択的に除去する液であり、該除去液としては有機アルカ
リ液を含む液体、有機アミンを含む液体、フッ化アンモ
ン系物質を含む液体、無機酸を含む液体が使用できる。

【００４０】その内、有機アルカリ液を含む液体として
はＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）、ＤＭＳＯ（ジメチ
ルスルホキシド）、ヒドロキシルアミンが挙げられる。

【００４１】有機アミンを含む液体（有機アミン系の除
去液という。）としてはモノエタノールアミンと水とア
ロマティックトリオールとの混合溶液、２−（２−アミ
ノエトキシ）エタノールとヒドロキシアミンとカテコー
ルとの混合溶液、アルカノールアミンと水とジアルキル
スルホキシドとヒドロキシアミンとアミン系防食剤の混
合溶液、アルカノールアミンとグライコールエーテルと
水との混合溶液、ジメチルスルホキシドとヒドロキシア
ミンとトリエチレンテトラミンとピロカテコールと水の
混合溶液、水とヒドロキシアミンとピロガロールとの混
合溶液、２−アミノエタノールとエーテル類と糖アルコ
ール類との混合溶液、２−（２−アミノエトキシ）エタ
ノールとＮとＮ−ジメチルアセトアセトアミドと水とト
リエタノールアミンとの混合溶液がある。

【００４２】フッ化アンモン系物質を含む液体（フッ化
アンモン系除去液という。）としては、有機アルカリと
糖アルコールと水との混合溶液、フッ素化合物と有機カ
ルボン酸と酸・アミド系溶剤との混合溶液、アルキルア
ミドと水とフッ化アンモンとの混合溶液、ジメチルスル
ホキシドと２−アミノエタノールと有機アルカリ水溶液
と芳香族炭化水素との混合溶液、ジメチルスルホキシド
とフッ化アンモンと水との混合溶液、フッ化アンモンと
トリエタノールアミンとペンタメチルジエチレントリア
ミンとイミノジ酢酸と水の混合溶液、グリコールと硫酸
アルキルと有機塩と有機酸と無機塩の混合溶液、アミド
と有機塩と有機酸と無機塩との混合溶液、アミドと有機
塩と有機酸と無機塩との混合溶液がある。

【００４３】無機酸の液を含む除去液（無機系除去液と
いう。）としては水と燐酸誘導体との混合溶液、フツ
酸、燐酸がある。

【００４４】その他、ポリマー除去液としては１−メチ
ル−２ピロリドン、テトラヒドロチオフェン１．１−ジ
オキシド、イソプロパノールアミン、モノエタノールア
ミン、２−（２アミノエトキシ）エタノール、カテコー
ル、Ｎ−メチルピロリドン、アロマテイックジオール、
パークレン、フェノールを含む液体などがあり、より具
体的には、１−メチル−２ピロリドンとテトラヒドロチ
オフェン１．１−ジオキシドとイソプロパノールアミン
との混合液、ジメチルスルホシキドとモノエタノールア
ミンとの混合液、２−（２アミノエトキシ）エタノール
とヒドロキシアミンとカテコールとの混合液、２−（２
アミノエトキシ）エタノールとＮ−メチルピロリドンと
の混合液、モノエタノールアミンと水とアロマテイック
ジオールとの混合液、パークレンとフェノールとの混合
液などが挙げられる。

【００４５】また、ここでいう有機溶剤は親水性の有機
溶剤であり、水溶性の有機溶剤である。

【００４６】詳述すると、水と混合し、その混合物の沸
点を下げる液体である。ここではケトン類、エーテル
類、多価アルコールを使用することができる。例えば、
ケトン類としては、アセトン、ジエチルケトンが使用で
き、エーテル類としてはメチルエーテル、エチルエーテ
ルが使用でき、多価アルコールとしてはエチレングリコ
ールを使用することができる。なお、金属等の不純物の
含有量が少ないものが市場に多く提供されている点など
からすると、ＩＰＡを使用するのが最も好ましく、本実
施形態では、イソプロピルアルコール（IPA）が使用さ
れる。

【００４７】＜１、基板処理装置の第1実施形態＞ ＜１−１．全体構成＞以下、本発明の基板処理装置の第
1実施形態について説明する。図1は基板処理装置１の上
面図である。基板処理装置１は搬入搬出部３と、回転処
理部５と、インタフェース７と、乾燥処理部９とを一列
に並べて配列した状態で有する。

【００４８】搬入搬出部３は、未処理の基板Ｗを収容し
たキャリアＣが載置される搬入部３１と、処理済みの基
板Ｗを収容したキャリアＣが載置される搬出部３３と、
受渡し部３５とを有する。

【００４９】搬入部３１はテーブル状の載置台を有し、
装置外の搬送機構によってキャリアＣが２個、搬入され
る。キャリアＣは例えば25枚の基板Ｗを水平姿勢で互い
に間隔を空けて垂直方向に並べた状態で保持する。

【００５０】搬出部３３もテーブル状の載置台を有し、
該載置台に2個のキャリアＣが載置され、該２個のキャ
リアＣは装置外の搬送機構によって搬出される。

【００５１】受渡し部３５は搬入部３１、搬出部３３の
キャリアＣの並び方向に沿って移動し、かつキャリアＣ
に対して基板Ｗを搬入、搬出する搬入搬出機構３７と、
第1受渡し台３９とを有する。そして、搬入搬出機構３
７は第1受渡し台３９に対して基板Ｗを授受する。

【００５２】回転処理部５は搬入搬出部３に隣接し、基
板Ｗを収容して反応生成物の除去処理を施す回転処理ユ
ニット５１と、受渡し台に対して基板Ｗを授受すると共
に、回転処理ユニット５１に対して基板Ｗを授受する第
1基板搬送機構５３とを有している。

【００５３】回転処理ユニット５１は搬入搬出部３のキ
ャリアＣの並び方向と直交する方向において２つ並ぶこ
とで回転処理ユニット５１の列を形成し、この回転処理
ユニット５１の列がそれぞれ間隔を開けて合計2列、キ
ャリアＣの並び方向に沿って並んでいる。そして、前記
回転処理ユニット５１の列の間に第1基板搬送機構５３
が設けられている。

【００５４】回転処理ユニット５１の詳細については後
述する。

【００５５】第1基板搬送機構５３は回転処理ユニット
５１の列に沿って走行し、各回転処理ユニット５１に対
して基板Ｗを授受するとともに、第1受渡し台３９に対
して基板Ｗを授受する。また、第1基板搬送機構５３は
後述の第2受渡し台７１に対しても基板Ｗを授受する。

【００５６】インタフェース７は回転処理部５に隣接し
て設けられ、基板Ｗが載置される第2受渡し台７１を有
する。

【００５７】乾燥ユニット９１はインタフェース７に隣
接して設けられている。また、乾燥ユニット９１は搬入
搬出部３のキャリアＣの並び方向と直交する方向におい
て２つ並ぶことで乾燥ユニット９１の列を形成し、この
乾燥ユニット９１の列がそれぞれ間隔を開けて合計2
列、キャリアＣの並び方向に沿って並んでいる。そし
て、前記乾燥ユニット９１の列の間に第２基板搬送機構
９３が設けられている。

【００５８】乾燥ユニット９１の詳細については後述す
る。

【００５９】第２基板搬送機構９３は乾燥ユニット９１
の列に沿って走行し、各乾燥ユニット９１に対して基板
Ｗを授受するとともに、第２受渡し台７１に対して基板
Ｗを授受する。

【００６０】＜１−２．回転処理ユニット＞次に図２に
従い回転処理ユニット５１について説明する。なお、図
２は回転処理ユニット５１の正面図である。

【００６１】回転処理ユニット５１は１枚の基板を水平
状態に保持して回転する基板保持手段６１と、保持され
た基板Ｗの周囲を取り囲むカップ６２と、保持された基
板Ｗに除去液を供給する除去液供給手段６３と、保持さ
れた基板Ｗに純水を供給する純水供給手段６４と、基板
保持手段６１に保持されている基板Ｗを収容するチャン
バ６５とを有する。

【００６２】チャンバ６５にはシャッタ５９（図１参
照）が設けられており、第1基板搬送機構５３がチャン
バ６５内に基板Ｗを搬入または搬出する場合には開放さ
れ、それ以外のときは閉止されている。なお、チャンバ
６５内は常に常圧の状態である。

【００６３】基板保持手段６１はチャンバ65外に設けら
れたモータ６６とモータ６６に駆動されることで、垂直
方向に配された軸を中心に回転するチャック６７とを有
する。このチャック６７は不図示の機構で昇降する。

【００６４】また前記チャック６７は基板Wの裏面のみ
に接触して該基板Wを吸着することで、該基板を保持す
る。

【００６５】なお、基板保持手段６１はチャンバ６５内
に設けられているが、チャンバ６５内は減圧されるわけ
ではない。本基板処理装置１において、内部が減圧され
るのは後述の密閉チャンバ８６であるので、基板保持手
段６１は密閉チャンバ８６の外に設けられていることに
なる。

【００６６】カップ６２は上面視略ドーナツ型で中央の
開口にチャック６７が通過可能な開口を有している。ま
た、カップ６２は回転する基板Ｗから飛散する液体（例
えば除去液や純水）を捕集するとともに下部に設けられ
ている排液口６８から捕集した液体を排出する。排液口
６８にはドレン７０へ通ずるドレン配管６９が設けら
れ、該ドレン配管６９の途中にはドレン配管６９の管路
を開閉するドレン弁７２が設けられている。

【００６７】除去液供給手段６３はチャンバ６５外に設
けられたモータ７３と、モータ７３の回動によって回動
するアーム７４とアーム７４の先端に設けられ除去液を
下方に吐出する除去液ノズル７５と、除去液ノズル７５
に向って除去液を供給する除去液源７６とを有する。ま
た、除去液ノズル７５と除去液源７６との間には管路が
設けられ、該管路には除去液弁７７が設けられている。
なお、モータ７３を昇降させることで除去液ノズル７５
を昇降させる不図示の昇降手段が設けられている。

【００６８】このモータ７３を駆動することによって、
除去液ノズル７５は基板Ｗの回転中心の上方の吐出位置
とカップ６２外の待機位置との間で往復移動する。

【００６９】純水供給手段６４はチャンバ６５外に設け
られたモータ７８と、モータ７８の回動によって回動す
るアーム７９とアーム７９に設けられ純水を下方に吐出
する純水ノズル８１と、純水ノズル８１に向って純水を
供給する純水源８２とを有する。また、純水ノズル８１
と純水源８２との間には管路が設けられ、該管路には純
水弁８３が設けられている。なお、モータ７８を昇降さ
せることで純水ノズル８１を昇降させる不図示の昇降手
段が設けられている。

【００７０】このモータ７８を駆動することによって、
純水ノズル８１は基板Ｗの回転中心の上方の吐出位置と
カップ６２外の待機位置との間で往復移動する。

【００７１】＜１−３．乾燥ユニット＞図３は乾燥ユニ
ット９１の正面図である。乾燥ユニット９１はフレーム
８５上に設けられた気密の密閉チャンバ８６と、密閉チ
ャンバ内に上部が配され、温度調節機構を持つ温調プレ
ート８７と、密閉チャンバ８６内の圧力を低下させる減
圧手段９０と、減圧された密閉チャンバ内の圧力を常圧
に戻す常圧開放手段４０と、密閉チャンバ８６内に有機
溶剤の蒸気を供給する溶剤蒸気供給手段８０とを有す
る。なお減圧手段９０はポンプ８４とポンプ８４と密閉
チャンバ８６とを連通させている管路とを有する。

【００７２】密閉チャンバ８６にはシャッタ９６が設け
られており、第2基板搬送機構が密閉チャンバ８６内に
基板Ｗを搬入または搬出する場合には開放され、それ以
外のときは閉止されて密閉チャンバ８６の気密性を保持
する。また、密閉チャンバ８６の下部には排気口８９が
設けられており、該排気口８９は管路でポンプ８４に通
じている。ポンプ８４は密閉チャンバ８６内の雰囲気を
排気することで密閉チャンバ８６内の圧力を低下させ
る。

【００７３】密閉チャンバ８６内には温調プレート８７
が突出している。温調プレート８７は内部に加熱または
冷却機構を有しており、基板Ｗの温度を調節する。ま
た、温調プレート８７には基板Ｗが載置されるピン８８
が3本設けられており、第2基板搬送機構９３との間で基
板Ｗを授受するときは上昇し、基板Ｗに乾燥処理を施す
ときは下降する。なお、ピン８８が下降して乾燥処理を
施すときは、ピン８８の頂部は温調プレート８７の上面
よりも若干突出しており、基板Ｗと温調プレート８７と
の間には微少な間隔が存在する。

【００７４】溶剤蒸気供給手段８０は密閉チャンバ８６
内に溶剤蒸気（ここではＩＰＡ＝イソプロピルアルコー
ル）を供給する溶剤蒸気供給ノズル９２と、溶剤蒸気供
給ノズル９２に対して溶剤蒸気を送り出す溶剤蒸気源９
５と、溶剤蒸気源９５と溶剤蒸気供給ノズル９２との間
の溶剤管路９７に設けられた溶剤弁９４とを有する。な
お、ここで言う溶剤蒸気とは微細な液滴から構成される
霧状の有機溶剤および、気体の有機溶剤の両方を含む。
このため溶剤蒸気源９５は溶剤蒸気発生手段として、液
体のＩＰＡに超音波を付与して溶剤蒸気を得る超音波気
化手段や液体のＩＰＡを加熱して溶剤蒸気を得る加熱気
化手段や、液体のIPAに窒素などの不活性ガスの気泡を
通して溶剤蒸気を得るバブリング気化手段を含む。

【００７５】密閉チャンバ８６には不活性ガス（ここで
は窒素ガス）の供給源であるＮ2源９９から導かれるガ
ス管路９８が接続されている。また、ガス管路９８の途
中にはガス管路９８の流路を開閉するガス弁９３が設け
られている。なお密閉チャンバ８６内の圧力を常圧にす
る常圧開放手段４０は前記ガス管路９８とガス弁９３と
N２源９９とを有する。

【００７６】＜２、基板処理方法の第1実施形態＞次に
前記基板処理装置１を用いた基板処理方法について説明
する。本基板処理方法は以下の除去液供給工程、純水供
給工程、液切り工程、乾燥工程からなる。

【００７７】（２−１、搬入搬出部３から回転処理ユニ
ット５１への基板搬送）まず、キャリアＣに収容された
基板Ｗが搬入部３１に搬入される。この基板Ｗは薄膜を
有し、該薄膜はパターン化されたレジスト膜をマスクと
してドライエッチングを施されている。これにより、該
基板Ｗにはレジスト膜や薄膜に由来する反応生成物が付
着している。

【００７８】搬入部３１のキャリアＣから搬入搬出機構
３７により基板Ｗが1枚取り出され、第1受渡し台３９に
載置される。

【００７９】第１受渡し台３に載置された基板Ｗは第１
基板搬送機構５３により持ち出され、４つの回転処理ユ
ニット５１のうちの所定の１つに搬入される。

【００８０】回転処理ユニット５１ではシャッタ５９を
開放して第１基板搬送機構５３が搬送してきた基板Ｗを
チャック６７にて受取り保持する。

【００８１】（２−２、回転処理ユニットでの処理）基
板Ｗを受けとった回転処理ユニット５１では基板保持手
段６１が基板を保持する。またドレン弁７２は開放して
おく。

【００８２】次に、基板保持手段６１はモータ６６を回
転させて基板Ｗを回転させる。

【００８３】所定の回転数に達すると除去液供給工程が
実行される。除去液供給工程ではモータ７３が回動して
待機位置にある除去液ノズル７５が吐出位置に移動す
る。そして、除去液弁７７を開放して除去液ノズル７５
から基板Ｗに除去液を供給する。基板Ｗに供給された除
去液は基板Ｗの外に落下してカップ６２にて集められ、
ドレン配管６９を通じてドレン７０に排出される。所定
時間、除去液を供給すると除去液弁７７を閉止し、除去
液ノズル７５を待機位置に戻す。

【００８４】この除去液供給工程では基板Ｗに供給され
た除去液が基板上の反応生成物に作用するため、基板上
の反応生成物は基板から脱落しやすくなる。このため、
反応生成物は基板Ｗの回転や除去液の供給により、徐々
に基板Ｗ上から除去されていく。

【００８５】次に純水供給工程が実行される。

【００８６】純水供給工程ではモータ７８が回動して待
機位置にある純水ノズル８１が吐出位置に移動する。そ
して、純水弁８３を開放して純水ノズル８１から基板Ｗ
に純水を供給する。基板Ｗに供給された純水は基板Ｗの
外に落下してカップ６２にて集められ、ドレン配管６９
を通じてドレン７０に排出される。所定時間、純水を供
給すると純水弁８３を閉止し、純水ノズル８１を待機位
置に戻す。

【００８７】この純水供給工程では基板Ｗに供給された
純水が除去液や反応生成物などの汚染物質を基板Ｗ上か
ら洗い流す。

【００８８】次に液切り工程が実行される。

【００８９】液切り工程では基板Ｗを高速で回転させる
ことにより、基板Ｗ上にある液体を振切る。これによ
り、基板Ｗがほぼ乾燥する。

【００９０】（２−３、回転処理ユニットから乾燥ユニ
ットへの基板搬送）回転処理ユニット５１で処理が完了
すると、シャッタ５９が開けられて第1基板搬送機構５
３によって基板Ｗが搬出される。そして、第1基板搬送
機構５３は第2受渡し台７１に基板Ｗを載置する。次
に、該基板Ｗは第2基板搬送機構９３により第2受渡し台
７１から持ち出され、いずれかの乾燥ユニット９１に搬
入される。乾燥ユニット９１ではシャッタ９６を開放
し、第２基板搬送機構９３は上昇した状態のピン８８に
基板Ｗを載置する。そして、シャッタ９６を閉止して密
閉チャンバ８６の気密性を確保する。

【００９１】（２−４、乾燥ユニットでの処理）続いて
乾燥ユニット９１では乾燥処理を実行する。乾燥処理は
後述の温調工程、置換工程、減圧工程、ガス供給工程、
溶剤供給工程、常圧開放工程とを含む乾燥工程により実
行される。

【００９２】まず、基板Ｗが密閉チャンバ86内に搬入さ
れる前に温調プレート８７を乾燥温度にしておく。な
お、ここでの乾燥温度とは有機溶剤の発火点以下の温度
であり、ここでは有機溶剤としてＩＰＡを使用している
ことを勘案して３０度以上４０度以下の温度に設定して
ある。また、基板Ｗが搬入されるよりも前に温調プレー
ト８７の温調制御を行い、温調プレート８７を所定の温
度にしているのでスループットの低下を防止できる。

【００９３】そして、ピン８８を下降させ基板Ｗと温調
プレート８７とを近接させ、基板Ｗを加熱する温調工程
を実施する。

【００９４】また、シャッタ９６の閉止後、ポンプ８４
を駆動して密閉チャンバ８６内の雰囲気を排気するとと
もに、ガス弁９３を開いて密閉チャンバ８６内に窒素ガ
スを導入する。これにより、密閉チャンバ８６内の雰囲
気を大気雰囲気から窒素雰囲気に置換する置換工程が実
行される。

【００９５】次に、ポンプ８４の駆動を続行しながら、
ガス弁９３を閉じて密閉チャンバ８６内への窒素ガスの
供給を停止することで、密閉チャンバ８６内の圧力を減
じていく。これにより、密閉チャンバ８６内の気圧を常
圧（１０１３２５Ｐａ）よりも下げる減圧工程が実行さ
れる。ここでは密閉チャンバ８６内の圧力が６６６．５
Ｐａ〜６６６５Ｐａ、好ましくは６６６．５Ｐａ〜２６
６６Ｐａにされる。

【００９６】また、ガス弁９３を閉じたとき以降に、ポ
ンプ８４の駆動を続行しながら、溶剤弁９４を開放す
る。これにより、溶剤蒸気ノズル９２から密閉チャンバ
８６内に有機溶剤を供給する溶剤供給工程を実行する。
所定時間、溶剤弁９４を開放した後、溶剤弁９４を閉止
する。

【００９７】溶剤弁９４の閉止以降、ポンプ８４の駆動
を続行しながら、再びガス弁９３を開放する。これによ
り、密閉チャンバ８６を常圧に戻す常圧開放工程が実行
される。

【００９８】また所定時間後、ガス弁９３を開放した状
態で、ポンプ８４の駆動を停止し、その後、ガス弁９３
を閉止し、乾燥工程を終了する。

【００９９】ここでは、温調工程によって基板Ｗが加熱
されるので、基板Ｗ上に残存する水分が蒸発しやすい。
しかも、減圧工程で基板Ｗ周囲の気圧が低下している。
このため、液体の沸点が低下するので、基板Ｗ上に残存
する純水がより容易に蒸発する。

【０１００】さらに、減圧工程中に基板Ｗに有機溶剤の
蒸気が供給される。これにより、有機溶剤は基板Ｗ上に
残存する水分と混合する。この、水と有機溶剤との混合
物は水よりも沸点が低いため、容易に基板Ｗから蒸発
し、基板Ｗから水分を奪うことができる。しかも、温調
工程で基板Ｗが加熱され、かつ減圧工程で基板Ｗ周囲の
気圧が低下していることから、前記水と有機溶剤との混
合物は短時間で容易に蒸発する。従って、基板Ｗを極め
て確実に乾燥させることができる。

【０１０１】なお、上記乾燥工程を減圧工程と常圧開放
工程とで実行してもよい。

【０１０２】この場合は基板Ｗ周囲の気圧低下により、
基板Ｗに残存する水分の沸点が低下し、容易に水分が蒸
発して乾燥を実行できる。

【０１０３】また、上記乾燥工程を減圧工程と溶剤供給
工程と、常圧開放工程とで実行してもよい。

【０１０４】この場合は基板上の水と有機溶剤との混合
物が生成されるが、該混合物は水よりも沸点が低いため
容易に蒸発する。しかも基板Ｗ周囲の気圧低下により沸
点が低下しているのでさらに短時間で確実に水分を蒸発
させることができる。

【０１０５】また、上記乾燥工程を減圧工程と温調工程
と、常圧開放工程とで実行してもよい。

【０１０６】この場合は基板上の水分が温調工程で加熱
されているとともに周囲の気圧が低下していることから
該水分が短時間で確実に蒸発する。

【０１０７】また、上記乾燥工程を溶剤供給工程のみで
実行してもよい。

【０１０８】この場合は基板上の水と有機溶剤との混合
物が生成されるが、該混合物は水よりも沸点が低いため
容易に蒸発する。よって、短時間で確実に基板Ｗを乾燥
させることができる。

【０１０９】また、上記乾燥工程を温調工程と、溶剤供
給工程とで実行してもよい。

【０１１０】この場合は基板上の水と有機溶剤との混合
物が生成されるが、該混合物は水よりも沸点が低いため
容易に蒸発する。しかも温調工程によって該混合物が加
熱されているので該混合物が容易に沸点に達し蒸発す
る。これにより、短時間で確実に基板Ｗを乾燥させるこ
とができる。

【０１１１】（２−５、乾燥ユニットから搬出部への基
板搬送）乾燥ユニット９１での乾燥処理が完了すれば、
基板処理が全て完了するので当該処理済みの基板Ｗを搬
出部３３に向って搬送する。

【０１１２】これにはまず、乾燥ユニット９１のピン８
８を上昇させるとともにシャッタ９６を開放する。そし
て、第2基板搬送機構９３で乾燥ユニット９１から基板
Ｗを搬出する。次に第2基板搬送機構９３は基板Ｗを第2
受渡し台７１に載置する。

【０１１３】そして、第1基板搬送機構５３が第2受渡し
台７１上の基板Ｗを持ち出し、第１受渡し台３９に載置
する。第１受渡し台３９に載置された基板Ｗは搬入搬出
機構３７によって持ち出され、搬出部３３に載置されて
いるキャリアＣに搬入される。

【０１１４】なお、第1受渡し台３９および、第2受渡し
台７１を例えば多段の載置台など、複数の基板載置手段
で構成すれば、処理済みの基板Ｗと未処理の基板Ｗとが
同時にインタフェース７に存在することができるのでス
ループットの低下を防止できる。

【０１１５】＜３、基板処理装置の第２実施形態＞次に
基板処理装置の第2実施形態について説明する。第2実施
形態に係る基板処理装置は図1に示す基板処理装置１か
らインタフェース７および乾燥処理部９を省略し、か
つ、回転処理部５の回転処理ユニット５１を後述の回転
処理ユニット１５１に置き換えたものである。

【０１１６】図４は回転処理ユニット１５１を説明する
図である。回転処理ユニット１５１は回転処理ユニット
５１が有する構成に加えて、溶剤液供給手段１１０また
は溶剤蒸気供給手段１８０を有する。また、温調手段１
８７、密閉チャンバ１６５、減圧手段１９０、常圧開放
手段１４０も有する。なお、回転処理ユニット５１と同
様の構成部分には同様の参照番号を付して説明を省略す
る。

【０１１７】密閉チャンバ１６５にはシャッタ５９（図
１）と同様の位置に密閉シャッタ（不図示）が設けられ
ている。密閉シャッタは第1基板搬送機構５３がチャン
バ６５内に基板Ｗを搬入または搬出する場合には開放さ
れ、それ以外のときは閉止されている。これにより、密
閉チャンバ１６５の気密性を確保している。

【０１１８】温調手段１８７は基板Ｗの上方に設けら
れ、基板Ｗの温度を調節する手段である。温調手段１８
７としては温風を基板Ｗに供給する温風供給手段、加熱
された窒素ガスを基板Ｗに供給する加熱窒素ガス供給手
段、赤外線等の光、または電磁波を基板Ｗに照射する照
射手段などが挙げられる。なお、温調手段１８７の代わ
りにチャック６７に加熱手段を組込んで温調手段として
もよい。

【０１１９】溶剤液供給手段１１０は、液体の有機溶剤
（溶剤液という。）を基板Ｗに供給する手段であり、ア
ーム７９に設けられ溶剤液を下方に吐出する溶剤液ノズ
ル１１２と、溶剤液ノズル１１２に向って溶剤液を供給
する溶剤液源１１４とを有する。また、溶剤液ノズル１
１２と溶剤液源１１４との間には溶剤液管路１１５が設
けられ、溶剤液管路１１５には溶剤液弁１１３が設けら
れている。溶剤液ノズル１１２の先端は屈曲しており、
モータ７８が駆動されたとき、基板Ｗの回転中心を通る
円弧上に溶剤液を供給する。

【０１２０】減圧手段１９０は密閉チャンバ１６５内の
雰囲気を排気するポンプ１８４を有する。

【０１２１】常圧開放手段１４０は密閉チャンバ１６５
内に不活性ガス（ここでは窒素ガス）を供給する手段を
有し、窒素ガスを送出するN２源１９９と、N２源１９９
と密閉チャンバ１６５とを連通するガス管路１９８と、
ガス管路１９８に設けられ、ガス管路１９８の流路を開
閉するガス弁１９３とを有する。

【０１２２】なお、本実施形態の基板処理装置では基板
保持手段６１は減圧される密閉チャンバ１６５内にて基
板Ｗを保持している。

【０１２３】＜４、基板処理方法の第２実施形態＞第２
実施形態の基板処理装置を用いた基板処理方法について
説明する。なお、搬入搬出部３から回転処理ユニット１
５１への基板Ｗの搬送については基板処理方法の第１実
施形態と同様であるので省略し、ここでは回転処理ユニ
ット１５１での処理につき説明する。

【０１２４】基板Ｗを受けとった回転処理ユニット１５
１では基板保持手段６１にて基板を保持するとともに密
閉シャッタを閉じて密閉チャンバ１６５の気密性を確保
する。また、ドレン弁７２は開放しておく。

【０１２５】次に、基板保持手段６１はモータ６６を回
転させて基板Ｗを回転させる。

【０１２６】所定の回転数に達すると除去液供給工程が
実行される。除去液供給工程ではモータ７３が回動して
待機位置にある除去液ノズル７５が吐出位置に移動す
る。そして、除去液弁７７を開放して除去液ノズル７５
から基板Ｗに除去液を供給する。基板Ｗに供給された除
去液は基板Ｗの外に落下してカップ６２にて集められ、
ドレン配管６９を通じてドレン７０に排出される。所定
時間、除去液を供給すると除去液ノズル７５を待機位置
に戻す。

【０１２７】この除去液供給工程では基板Ｗに供給され
た除去液が基板上の反応生成物に作用するため、基板上
の反応生成物は基板から脱落しやすくなる。そして反応
生成物は基板Ｗの回転や除去液の供給により、徐々に基
板Ｗ上から除去されていく。

【０１２８】次に純水供給工程が実行される。

【０１２９】純水供給工程ではモータ７８が回動して待
機位置にある純水ノズル８１が吐出位置に移動する。そ
して、純水弁８３を開放して純水ノズル８１から基板Ｗ
に純水を供給する。基板Ｗに供給された純水は基板Ｗの
外に落下してカップ６２にて集められ、ドレン配管６９
を通じてドレン７０に排出される。所定時間、純水を供
給すると純水ノズル８１を待機位置に戻す。

【０１３０】この純水供給工程では供給された純水が、
除去液や反応生成物などの汚染物質を基板Ｗ上から洗い
流す。

【０１３１】次に液切り工程が実行される。

【０１３２】液切り工程では基板Ｗを高速で回転させ
る。これにより、基板Ｗ上にある液体が振切られ、振切
られた液体はドレン７０へ排出される。これにより、基
板Ｗがほぼ乾燥する。

【０１３３】次に乾燥処理を実行する。

【０１３４】まず、温調手段１８７で基板Ｗを加熱する
温調工程を実行する。ここでは有機溶剤としてＩＰＡを
使用していることを勘案して３０度以上４０度以下の温
度に加熱する。

【０１３５】次に、ポンプ１８４を駆動して密閉チャン
バ１８６内の雰囲気を排気する。

【０１３６】また、ポンプ１８４の駆動と同時にガス弁
１９３を開いて密閉チャンバ１８６内に窒素ガスを導入
する。これらにより、密閉チャンバ１８６内の雰囲気を
大気雰囲気から窒素雰囲気に置換する置換工程が実行さ
れる。

【０１３７】そして、ポンプ１８４の駆動を続行しなが
ら、ドレン弁７２および、ガス弁１９３を閉じて密閉チ
ャンバ１８６内への窒素ガスの供給を停止することで、
密閉チャンバ１８６内の圧力を減じていく。これによ
り、密閉チャンバ１８６内の気圧を常圧（１０１３２５
Ｐａ）よりも下げる減圧工程が実行される。ここでは密
閉チャンバ１８６内の圧力が６６６．５Ｐａ〜６６６５
Ｐａ、好ましくは６６６．５Ｐａ〜２６６６Ｐａにされ
る。

【０１３８】また、ガス弁１９３を閉じたとき以降に、
ポンプ１８４の駆動を続行しながら、モータ７８を駆動
して溶剤液ノズル１１２を吐出位置に配置する。そし
て、溶剤液弁１１３を開放する。これにより、溶剤液ノ
ズル１１２から基板Ｗに有機溶剤を供給する溶剤供給工
程を実行する。所定時間、溶剤液弁１１３を開放した
後、溶剤液弁１１３を閉止する。

【０１３９】溶剤液弁１１３の閉止以降、ポンプ１８４
の駆動を続行しながら、再びガス弁１９３を開放する。
これにより、密閉チャンバ８６を常圧に戻す常圧開放工
程が実行される。

【０１４０】また所定時間後、ガス弁１９３を開放した
状態で、ポンプ１８４の駆動を停止し、その後、ガス弁
１９３を閉止し、乾燥工程を終了する。

【０１４１】ここでは、温調工程によって基板Ｗが加熱
されるので、基板Ｗ上に残存する水分が蒸発しやすい。
しかも、減圧工程で基板Ｗ周囲の気圧が低下している。
このため、液体の沸点が低下するので、基板Ｗ上に残存
する純水がより容易に蒸発する。

【０１４２】さらに、減圧工程中に基板Ｗに有機溶剤の
蒸気が供給される。これにより、有機溶剤は基板Ｗ上に
残存する水分と混合する。この、水と有機溶剤との混合
物は水よりも沸点が低いため、容易に基板Ｗから蒸発
し、基板Ｗから水分を奪うことができる。しかも、温調
工程で基板Ｗが加熱され、かつ減圧工程で基板Ｗ周囲の
気圧が低下していることから、前記水と有機溶剤との混
合物は短時間で容易に蒸発する。従って、基板Ｗを極め
て確実に乾燥させることができる。

【０１４３】なお、上記乾燥工程を減圧工程と常圧開放
工程とで実行してもよい。

【０１４４】この場合は基板Ｗ周囲の気圧低下により、
基板Ｗに残存する水分の沸点が低下し、容易に水分が蒸
発して乾燥を実行できる。

【０１４５】また、上記乾燥工程を減圧工程と溶剤供給
工程と、常圧開放工程とで実行してもよい。

【０１４６】この場合は基板上の水と有機溶剤との混合
物が生成されるが、該混合物は水よりも沸点が低いため
容易に蒸発する。しかも基板Ｗ周囲の気圧低下により沸
点が低下しているのでさらに短時間で確実に水分を蒸発
させることができる。

【０１４７】また、上記乾燥工程を減圧工程と温調工程
と、常圧開放工程とで実行してもよい。

【０１４８】この場合は基板上の水分が温調工程で加熱
されているとともに周囲の気圧が低下していることから
該水分が短時間で確実に蒸発する。

【０１４９】また、上記乾燥工程を溶剤供給工程のみで
実行してもよい。

【０１５０】この場合は基板上の水と有機溶剤との混合
物が生成されるが、該混合物は水よりも沸点が低いため
容易に蒸発する。よって、短時間で確実に基板Ｗを乾燥
させることができる。

【０１５１】また、上記乾燥工程を温調工程と、溶剤供
給工程とで実行してもよい。

【０１５２】この場合は基板上の水と有機溶剤との混合
物が生成されるが、該混合物は水よりも沸点が低いため
容易に蒸発する。しかも温調工程によって該混合物が加
熱されているので該混合物が容易に沸点に達し蒸発す
る。これにより、短時間で確実に基板Ｗを乾燥させるこ
とができる。

【０１５３】以上の乾燥工程においては基板Ｗを停止さ
せた状態にしてもよいが回転させた方が好ましい。

【０１５４】また、液切り工程を省略して、純水供給工
程の直後に乾燥工程を実施してもよい。この場合は乾燥
工程中、基板Ｗを回転させることが好ましい。これによ
り、液切りを行いながら乾燥処理ができるからである。

【０１５５】また、本実施形態では溶剤液供給手段１１
０を用いて溶剤供給工程を実施したが、次の溶剤蒸気供
給手段１８０でこれを実施してもよい。

【０１５６】溶剤蒸気供給手段１８０は基板Ｗの回転中
心の上方に設けられた溶剤蒸気ノズル１９２と溶剤蒸気
ノズル１９２に溶剤蒸気を送り出す溶剤蒸気源１９５
と、溶剤蒸気源１９５と溶剤蒸気供給ノズル１９２との
間の溶剤蒸気管路９７に設けられた溶剤蒸気弁１９４と
を有する。なお、ここで言う溶剤蒸気とは微細な液滴か
ら構成される霧状の有機溶剤および、気体の有機溶剤の
両方を含む。このため溶剤蒸気源１９５は、溶剤蒸気発
生手段として、液体のＩＰＡに超音波を付与して溶剤蒸
気を得る超音波気化手段や液体のＩＰＡを加熱して溶剤
蒸気を得る加熱気化手段や、液体のIPAに窒素などの不
活性ガスの気泡を通して溶剤蒸気を得るバブリング気化
手段を含む。

【０１５７】そして、溶剤供給工程を実施するときは溶
剤蒸気弁１９４を開放して溶剤蒸気ノズル１９２から密
閉チャンバ１６５内に溶剤蒸気を供給する。なお、溶剤
蒸気供給手段１８０と溶剤液供給手段１１０とについて
は両方を設けてもよいし、何れか一方だけでもよい。

【０１５８】乾燥処理の完了した基板Ｗは第1基板搬送
機構５３で持ち出され、第１受渡し台３９に載置され
る。第１受渡し台３９に載置された基板Ｗは搬入搬出機
構３７によって搬出部３３に載置されているキャリアＣ
に基板Ｗを搬入する。

【０１５９】＜５、基板処理装置の第３実施形態＞第３
実施形態の基板処理装置２００は第１実施形態の基板処
理装置１からインタフェース７および乾燥処理部９を省
略し、かつ、搬出部３３の構成を変化させたものであ
る。

【０１６０】基板処理装置２００には、処理済みの基板
Ｗが収容されたキャリアＣを、気密性が確保された状態
で取り囲む搬出チャンバ２８６が設けられている。搬出
チャンバ２８６には常圧開放手段２４０として、不活性
ガス供給手段２４１が接続され、またポンプを有する減
圧手段２９０が接続されている。

【０１６１】そして、この基板処理装置２００では回転
処理ユニット５１で除去液供給工程、純水供給工程、振
切り工程を受けた基板Ｗが搬出チャンバ２８６内のキャ
リアＣに収容される。その後、減圧手段２９０で搬出チ
ャンバ２８６内の雰囲気を排気しながら不活性ガス供給
手段２４１で搬出チャンバ２８６内に不活性ガスとして
窒素ガスを供給する。これにより、搬出チャンバ２８６
内が窒素雰囲気に置換する置換工程が実行される。

【０１６２】その後、窒素ガスの供給を停止して搬出チ
ャンバ２８６内の雰囲気の排気を続行すると搬出チャン
バ２８６内の圧力が低下し、減圧工程が実行される。減
圧工程では搬出チャンバ２８６内の気圧を常圧（１０１
３２５Ｐａ）よりも低くするが、ここでは６６６．５Ｐ
ａ〜６６６５Ｐａ、好ましくは６６６．５Ｐａ〜２６６
６Ｐａにされる。

【０１６３】これにより、処理済みの基板Ｗに残存する
水分が蒸発し、確実に乾燥処理を行うことができる。な
お、キャリアＣに最大収容枚数分の処理済み基板Ｗを収
容した後、置換工程、減圧工程を実施してもよいし、最
大収容枚数よりも少ない枚数の基板ＷしかキャリアＣに
収容していない状態で置換工程、減圧工程を実施しても
よい。

【０１６４】このように、複数の基板Ｗを収容するキャ
リアＣ全体を取り囲んだ搬出チャンバ２８６内で乾燥処
理を行うので１枚ずつ乾燥するものに比べてスループッ
トが良くなる。

【０１６５】なお、搬出部２３３へのキャリアＣの搬
入、搬出および、搬出部２３３内のキャリアＣへの基板
Ｗの搬入、搬出は搬出チャンバ２８６に設けたシャッタ
（不図示）の開閉で行う。

【０１６６】（変形例）搬出チャンバ２８６を設けず
に、基板Ｗ若しくは基板Ｗを収容したキャリアＣを収容
する密閉容器を用意してもよい。この密閉容器に基板Ｗ
若しくは基板Ｗを収容したキャリアＣを収容し、装置外
の搬送機構で搬入搬出部３に搬入、搬出する。該密閉容
器には不活性ガス供給手段２４１との接続手段および、
減圧手段２９０との接続手段とを設け、搬出部２３３に
載置されたとき、不活性ガス供給手段２４１、減圧手段
２９０のそれぞれが密閉容器に接続される。これによ
り、密閉容器内の雰囲気を不活性ガスで置換したり、排
気して減圧したりすることができる。

【０１６７】また、密閉容器の搬入搬出機構３７に向か
う面には搬入搬出時に基板Ｗが通過するためのシャッタ
を設ける。以上の構成により、搬出チャンバ２８６で行
うのと同様、窒素雰囲気への置換、密閉容器内の減圧が
でき、処理済みの基板Ｗに残存する水分が蒸発し、確実
に乾燥処理を行うことができる。

【０１６８】なお、インタフェース７および乾燥処理部
９を有する第１実施形態の基板処理装置１の搬出部３３
を上記搬出部２３３のようにしてもよいし、第２実施形
態の基板処理装置の搬出部を上記搬出部２３３のように
してもよい。

【０１６９】また以上説明した基板処理装置では特に表
面に凹凸のパターンを有する基板を対象にした場合、効
果を奏する。凹凸パターン部分に残存する水分は液切り
工程だけでは除去しにくいからである。

【０１７０】また本発明の基板処理装置では絶縁膜を有
する基板を対象にした場合、特に効果を奏する。すなわ
ち、絶縁膜中に水分が残存すると、絶縁性が低くなり、
基板の品質が悪化するがこれを防止できる。

【０１７１】また、ポーラス膜を有する基板を対象にし
た場合、特に効果を奏する。ポーラス膜は多孔質膜であ
るがここには水分が残存しやすいからである。従って、
ポーラス膜を有する基板に純水を供給する純水供給手段
と、前記基板を収容するチャンバと、チャンバ内の圧力
を下げる減圧手段とを備えたことを特徴とする基板処理
装置とすればポーラス膜を有する基板を確実に乾燥でき
る。

【０１７２】なお、上述からポーラス膜からなる絶縁
膜、すなわち、多孔性絶縁膜を有する基板を対象にした
場合、本発明は極めて顕著な効果を奏することになる。

【０１７３】なお、除去液および純水が基板に対して供
給される場所を特定しなくてもよい。よって例えば、基
板を保持する基板保持手段と、基板保持手段に保持され
た基板に対して、基板に存在している反応生成物を除去
するための除去液を供給する除去液供給手段と、基板保
持手段に保持された基板に対して純水を供給する純水供
給手段と、純水の供給を受けた基板を収容するチャンバ
と、チャンバ内の圧力を下げる減圧手段とを備えたこと
を特徴とする基板処理装置としてもよい。この場合、チ
ャンバ内の基板に液体の有機溶剤を供給する溶剤液供給
手段を設けてもよい。また、チャンバ内の基板に霧状ま
たは気体の有機溶剤を供給する溶剤蒸気供給手段を設け
てもよい。また、チャンバ内の基板の温度を調節する温
調手段を設けてもよい。

【０１７４】また、上記実施形態における純水供給手段
は本発明に言うリンス液供給手段に該当する。

【０１７５】すなわち、上記実施形態では純水源８２か
ら供給される純水を純水ノズル８１から基板に供給して
いるが、純水源８２をリンス液源とし、純水ノズル８１
をリンス液ノズルとしてもよい。この場合、リンス液源
には前記純水のほか、二酸化炭素を溶解させた純水（炭
酸水）、オゾンを溶解させた純水（オゾン水）、水素を
溶解させた純水（水素水）その他イオンが溶解された純
水（イオン水）がリンス液として貯留される。

【０１７６】従って、上記実施形態における処理におい
て、純水の代わりに前記純水以外のリンス液を使用でき
る。よって、上述の純水供給工程はリンス液供給工程で
もある。

【０１７７】なお、純水以外のリンス液としては炭酸
水、オゾン水、水素水など加熱や減圧によって溶解して
いる成分が純水から離脱する液体が好ましい。

【０１７８】また、上記実施形態ではドライエッチング
工程を経た基板に対して、ドライエッチング時に生成さ
れた反応生成物であるポリマーを除去する処理を開示し
たが、本発明は基板からドライエッチング時に生成され
た反応生成物を除去することに限定されるものではな
い。

【０１７９】例えば、本発明はプラズマアッシングの際
に生成された反応生成物を基板から除去する場合も含
む。

【０１８０】特に、ドライエッチングを経てさらにアッ
シングを経た基板を対象とした場合に特に効果がある。

【０１８１】アッシングは例えば酸素プラズマ中に、パ
ターンエッチング後の、レジスト膜が付いた状態の基板
を配して行われるが、アッシングを経ると、より強固な
反応生成物が生成される。このため、ドライエッチング
とアッシングとを経た基板から反応生成物を除去する処
理を行う場合、本願発明によれば、よりスループットが
向上でき、また、コストを削減できる。

【０１８２】また、例えば、レジスト膜をマスクとして
不純物拡散処理を行った場合、薄膜上のレジスト膜が一
部、もしくは全部変質し反応生成物となるが、このよう
な反応生成物を除去する場合も含む。

【０１８３】よって、本発明は、必ずしもドライエッチ
ングとは限らない各種処理において、レジストに起因し
て生成された反応生成物を基板から除去する場合も含
む。

【０１８４】また、本発明ではレジストに由来する反応
生成物を基板から除去することに限らず、レジストその
ものを基板から除去する場合も含む。

【０１８５】例えば、薄膜形成済みの基板にレジストが
塗布されてレジスト膜が形成され、該レジスト膜に模様
（配線パターン等）が露光され、露光済みのレジスト膜
に現像処理が施され、さらに、現像されたレジスト膜が
形成するパターンをマスクとして利用し、レジストより
も下方に存在する薄膜（下層という。）に対して下層処
理が施された場合、下層処理の終了によって不要になっ
たレジストを除去する場合も含まれる。

【０１８６】より具体的に言うと、レジスト膜が現像さ
れた後、下層処理として例えばエッチング処理を行った
場合が含まれる。このときのエッチング処理が、基板に
エッチング液を供給して行うウエットエッチングである
か、RIEなどのドライエッチングであるかを問わず、エ
ッチング処理後はレジスト膜は不要になるのでこれを除
去する必要がある。このようなエッチング処理後のレジ
スト除去処理も含まれる。

【０１８７】また、レジストそのものを基板から除去す
るその他の形態としては、レジスト膜が現像された後、
下層に対して不純物拡散処理を行った場合がある。不純
物拡散処理後はレジスト膜は不要になるのでこれを除去
する必要があるが、このときのレジスト除去処理も含ま
れる。

【０１８８】なお、これらの場合、レジスト膜が変質し
て生じた反応生成物が存在すれば、不要になったレジス
ト膜を除去するのと同時に、反応生成物も同時に除去で
きるので、スループットが向上するとともに、コストを
削減できる。

【０１８９】例えば、前記下層に対するエッチング処理
において、ドライエッチングを施した場合はレジストに
由来する反応生成物も生成される。よって、ドライエッ
チング時に下層をマスクすることに供されたレジスト膜
そのもの、および、レジスト膜が変質して生じた反応生
成物も同時に除去できる。

【０１９０】また、前記下層に対して不純物拡散処理
(イオンインプランテーションなど。)を行った場合にも
レジストに由来する反応生成物が生成される。よって、
不純物拡散処理時に下層をマスクすることに供されたレ
ジスト膜そのもの、および、レジスト膜が変質して生じ
た反応生成物も同時に除去できる。

【０１９１】また、本発明はレジストに由来する反応生
成物やレジストそのものを基板から除去することに限ら
ず、レジストに由来しない有機物、例えば人体から発塵
した微細な汚染物質などを基板から除去することも含
む。

【０１９２】

【発明の効果】請求項１ないし請求項22の基板処理装置
によれば、基板を確実に乾燥させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】基板処理装置１の上面図である。

【図２】回転処理ユニット５１を示す図である。

【図３】乾燥ユニット９１を示す図である。

【図４】回転処理ユニット１５１を示す図である。

【図５】基板処理装置２００の上面図である。

【符号の説明】

1，２００ 基板処理装置 3 搬入搬出部 5 回転処理部 7 インタフェース 9 乾燥処理部 31 搬入部 33 搬出部 35 受渡し部 37 搬入搬出機構 40 常圧開放手段 51、１５１ 回転処理ユニット 53 第1基板搬送機構 61 基板保持手段 63 除去液供給手段 64 純水供給手段 80 溶剤蒸気供給手段 84 ポンプ 86 密閉チャンバ 87 温調プレート 90 減圧手段 91 乾燥ユニット 92 溶剤蒸気ノズル 110 溶剤液供給手段 140 常圧開放手段 165 密閉チャンバ 180 溶剤蒸気供給手段 187 温調手段 192 溶剤蒸気ノズル 240 常圧開放手段 241 不活性ガス供給手段 290 減圧手段 Ｃ キャリア Ｗ 基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ０８Ｂ 3/10 Ｂ０８Ｂ 3/10 Ｚ Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５７２Ｂ (72)発明者 黒田 拓也 京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神 北町１番地の １ 大日本スクリーン製造 株式会社内 Ｆターム(参考） 3B201 AA03 AB34 AB44 BB44 BB92 BB93 BB95 BB96 CC13 CD11 5F046 MA02 MA06 MA07 MA10

Claims (22)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板を保持する基板保持手段と、 基板保持手段に保持された基板に対して、基板に存在す
   る反応生成物を除去するための除去液を供給する除去液
   供給手段と、 基板保持手段に保持された基板に対してリンス液を供給
   するリンス液供給手段と、 基板保持手段に保持されている基板を収容するチャンバ
   と、 前記チャンバ内の圧力を下げる減圧手段とを備えたこと
   を特徴とする基板処理装置。
2. 【請求項２】基板を保持する基板保持手段と、 基板保持手段に保持された基板に対して、基板に存在す
   る反応生成物を除去するための除去液を供給する除去液
   供給手段と、 基板保持手段に保持された基板に対してリンス液を供給
   するリンス液供給手段と、 基板を収容するチャンバと、 基板保持手段に保持された基板を前記チャンバに搬送す
   る搬送手段と、 前記チャンバ内の圧力を下げる減圧手段と、を備えたこ
   とを特徴とする基板処理装置。
3. 【請求項３】請求項１または請求項２に記載の基板処理
   装置において、 基板に対して液体の有機溶剤を供給する溶剤液供給手段
   を備えたことを特徴とする基板処理装置。
4. 【請求項４】請求項１または請求項２に記載の基板処理
   装置において、 前記チャンバ内に霧状または気体の有機溶剤を供給する
   溶剤蒸気供給手段を備えたことを特徴とする基板処理装
   置。
5. 【請求項５】請求項１ないし請求項４の何れかに記載の
   基板処理装置において、 チャンバ内の基板の温度を調節する温調手段を備えたこ
   とを特徴とする基板処理装置。
6. 【請求項６】基板を保持する基板保持手段と、 基板保持手段に保持された基板に対して、基板に存在す
   る反応生成物を除去するための除去液を供給する除去液
   供給手段と、 基板保持手段に保持された基板に対してリンス液を供給
   するリンス液供給手段と、 リンス液が供給された後の基板に対して有機溶剤を供給
   する溶剤供給手段とを備えたことを特徴とする基板処理
   装置。
7. 【請求項７】請求項６に記載の基板処理装置において、 基板の温度を調節する温調手段を備えたことを特徴とす
   る基板処理装置。
8. 【請求項８】未処理の基板が載置される搬入部と、 未処理の基板にリンス液を供給するリンス液供給手段
   と、 リンス液供給手段を用いて処理された処理済みの基板が
   載置される搬出部とを備えた基板処理装置であって、 搬出部に設けられ、基板を収容する搬出チャンバと、 搬出チャンバ内の圧力を下げる減圧手段とを備えたこと
   を特徴とする基板処理装置。
9. 【請求項９】請求項８に記載の基板処理装置において、 反応生成物を除去するための除去液を供給する除去液供
   給手段を備えたことを特徴とする基板処理装置。
10. 【請求項１０】請求項１ないし請求項７または請求項９
    の何れかに記載の基板処理装置において、 前記反応生成物はレジストが変質したものであることを
    特徴とする基板処理装置。
11. 【請求項１１】請求項１０に記載の基板処理装置におい
    て、 前記レジストが変質した反応生成物は、レジスト膜をマ
    スクとしたドライエッチングによって生じたものである
    ことを特徴とする基板処理装置。
12. 【請求項１２】基板を保持する基板保持手段と、 基板保持手段に保持された基板に対して、基板に存在す
    る有機物を除去するための除去液を供給する除去液供給
    手段と、 基板保持手段に保持された基板に対してリンス液を供給
    するリンス液供給手段と、 基板保持手段に保持されている基板を収容するチャンバ
    と、 前記チャンバ内の圧力を下げる減圧手段とを備えたこと
    を特徴とする基板処理装置。
13. 【請求項１３】基板を保持する基板保持手段と、 基板保持手段に保持された基板に対して、基板に存在す
    る有機物を除去するための除去液を供給する除去液供給
    手段と、 基板保持手段に保持された基板に対してリンス液を供給
    するリンス液供給手段と、 基板を収容するチャンバと、 基板保持手段に保持された基板を前記チャンバに搬送す
    る搬送手段と、 前記チャンバ内の圧力を下げる減圧手段と、を備えたこ
    とを特徴とする基板処理装置。
14. 【請求項１４】請求項１２または請求項１３に記載の基
    板処理装置において、 基板に対して液体の有機溶剤を供給する溶剤液供給手段
    を備えたことを特徴とする基板処理装置。
15. 【請求項１５】請求項１２または請求項１３に記載の基
    板処理装置において、 前記チャンバ内に霧状または気体の有機溶剤を供給する
    溶剤蒸気供給手段を備えたことを特徴とする基板処理装
    置。
16. 【請求項１６】請求項１２ないし請求項１５の何れかに
    記載の基板処理装置において、 チャンバ内の基板の温度を調節する温調手段を備えたこ
    とを特徴とする基板処理装置。
17. 【請求項１７】基板を保持する基板保持手段と、 基板保持手段に保持された基板に対して、基板に存在す
    る有機物を除去するための除去液を供給する除去液供給
    手段と、 基板保持手段に保持された基板に対してリンス液を供給
    するリンス液供給手段と、 リンス液が供給された後の基板に対して有機溶剤を供給
    する溶剤供給手段とを備えたことを特徴とする基板処理
    装置。
18. 【請求項１８】請求項１７に記載の基板処理装置におい
    て、 基板の温度を調節する温調手段を備えたことを特徴とす
    る基板処理装置。
19. 【請求項１９】未処理の基板が載置される搬入部と、 未処理の基板にリンス液を供給するリンス液供給手段
    と、 リンス液供給手段を用いて処理された処理済みの基板が
    載置される搬出部とを備えた基板処理装置であって、 搬出部に設けられ、基板を収容する搬出チャンバと、 搬出チャンバ内の圧力を下げる減圧手段とを備えたこと
    を特徴とする基板処理装置。
20. 【請求項２０】請求項１９に記載の基板処理装置におい
    て、 有機物を除去するための除去液を供給する除去液供給手
    段を備えたことを特徴とする基板処理装置。
21. 【請求項２１】請求項１ないし請求項２０の何れかに記
    載の基板処理装置において、前記リンス液は純水である
    基板処理装置。
22. 【請求項２２】請求項１ないし請求項２０の何れかに記
    載の基板処理装置において、前記リンス液は炭酸水、オ
    ゾン水、水素水の何れかである基板処理装置。