JP2009021577A - アッシング方法およびアッシング装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】イオン注入により表面に形成された変質層4とその下の未変質層3とを有するレジストを除去するアッシング方法であって、基板の前記レジストが形成された面を覆うように塗布膜5を形成し、前記レジストと前記塗布膜5とを反応性ガスを用いたプラズマ処理により除去する。
【選択図】図1
Description
尚、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図1に示すように、インプラ後のシリコン基板1には、その表面にマスクとして形成されたレジストの未変質層(バルク層)3、インプラによりレジストの表面が変質した変質層4、インプラによりAs(ヒ素)やP(リン)などのイオンが注入されたイオン注入層2が形成されている。
本実施の形態においては、まず、図1に示すように、インプラ後のシリコン基板1の表面を覆うように塗布膜5を形成する。すなわち、インプラによる変質層4を有するレジストやイオン注入層2を覆うように塗布膜5を形成する。
まず、図3(a)に示すように、シリコン基板1の表面にマスクとなるレジスト3aを所望の形状に形成させる。
次に、図3(b)に示すように、レジスト3aをマスクとしてインプラによりAs(ヒ素)やP(リン)などのイオン6を注入することでイオン注入層2を形成させる。この際、レジスト3aにもイオン6が注入されることになるので、レジスト3aの表面が変質して変質層4が形成されることになる。尚、変質層4の下には、未変質なレジストが未変質層3として残っている。
本実施の形態に係るアッシング方法においては、まず、図1に示すように、インプラ後のシリコン基板1の表面を覆うように塗布膜5を形成させる。
塗布膜5の材質としては、反応性ガスのプラズマに対する耐性が変質層4と同等またはそれより若干低いものを選択することが好ましい。すなわち、変質層4のアッシングレートと同等またはそれより若干高いものを選択することが好ましい。
まず、図2(a)に示す状態(図1と同じ)より、反応性ガスを用いたプラズマアッシングを行い塗布膜5を除去する。この場合、未変質層3や変質層4は塗布膜5により覆われるようにして補強されているので、レジストベーク温度(およそ100℃)を超えるような高温でアッシングをしてもポッピングが生じるおそれがない。また、イオン注入層2も塗布膜5で覆われ保護されているので、フッ素原子を有するガス(例えば、CF4など)が添加されたアッシングレートの高い反応性ガスを用いるものとしても、イオン注入層2が損傷するおそれもない。そのため、アッシングレートの高い迅速なアッシングをすることができる。
また、アッシングによる熱は、直接的にはレジスト上面側の変質層4から未変質層3に伝わり、レジスト側面側の変質層4からは熱伝達の悪い塗布膜5(例えば、高分子材料など)を介して間接的に未変質層3に伝わることになる。そのため、未変質層3の温度上昇を遅らせることができる。その結果、未変質層3の温度が所定の温度に達する前に変質層4の除去をすることができるので、未変質層3の圧力上昇を抑えることができ、レジスト上面側からのポッピングの発生も抑制することができる。この場合、レジスト上面側の変質層4の一部に孔があく程度に除去が進んだ時点でも、未変質層3の内部で発生したガスを逃がすことができる。
尚、図1、図2と同様の部分には同じ符号を付し、その説明は省略する。
図4に示すように、レジスト上面側でポッピングが発生した場合には、変質層4の一部が破片4aとなり周囲に飛び散る。ところが本実施の形態において、その破片4aは塗布膜5の上には付着するが、塗布膜5で覆われているイオン注入層2の上には付着することがない。また、破片4aの下方には厚みの厚い塗布膜5があるので、除去がし難い破片4aであっても除去(アッシング)に充分な時間をとれることになる。そのため、アッシングを続行することで、飛び散った変質層4の破片4aを塗布膜5とともに除去することができ残渣が残ることを防止することができる。
また、シリコン基板1に対する損傷がより少ない反応性ガスはアッシングレートが低いものが多いが、アッシングレートの高いガスを前工程に用いることができるので生産性の低下を抑制しつつ、シリコン基板1に対する損傷を抑制することができる。
図5は、本発明の第2の実施の形態に係るアッシング方法を例示するための模式行程断面図である。
また、図6は、比較例に係るアッシング方法について例示をするための模式行程断面図である。
図6(a)に示すように、シリコン基板1の表面に形成されたレジスト3aをマスクとしてインプラによりAs(ヒ素)やP(リン)などのイオン6を注入することでイオン注入層2を形成させる。この際、レジスト3aにもイオン6が注入されることになるので、レジスト3aの表面が変質して変質層4が形成されることになる。尚、変質層4の下には、未変質なレジストが未変質層3として残っている。
そして、シリコン基板1の表面に酸化層1aが形成されたものをSPM処理した場合には、図6(c)に示すように、シリコン基板1の表面の酸化層1aとともにイオン注入層2の酸化層1aがエッチング除去されてしまい、いわゆる「膜減り」を生じることがある。
このような膜減りが生じた場合には、イオン注入層2の表層が失われるためにデバイス特性が悪化するおそれがある。
まず、図5(a)に示すように、インプラ後のシリコン基板1の表面を覆うように塗布膜5を形成させる。
次に、反応性ガスを用いたプラズマアッシングを行い塗布膜5を除去する。この場合、図2において説明をしたものと同様に、未変質層3や変質層4は塗布膜5により覆われるようにして補強されているので、レジストベーク温度(およそ100℃)を超えるような高温でアッシングをしてもポッピングが生じるおそれがない。また、イオン注入層2も塗布膜5で覆われ保護されているので、フッ素原子を有するガス(例えば、CF4など)が添加されたアッシングレートの高い反応性ガスを用いるものとしても、イオン注入層2が損傷するおそれもない。そのため、アッシングレートの高い迅速なアッシングをすることができる。
尚、ポッピング発生の抑制や、ポッピング発生の際に飛散した変質層の破片を除去できることなどについては、図2や図4において説明をしたものと同様のためこれらの説明は省略する。
シリコン基板1に対する損傷がより少なく、かつ、酸化層1aが形成されにくい反応性ガスとしては、例えば、水素原子を含んだガス(例えば、水素ガスやアンモニア(NH3)ガス、水素ガスと不活性ガスなどとの混合ガスなど)などを例示することができる。
なお、シリコン基板1に対する損傷がより少なく、かつ、酸化層1aが形成されにくい反応性ガス(例えば、水素原子を含んだガス(例えば、水素ガスやアンモニア(NH3)ガス、水素ガスと不活性ガスなどとの混合ガスなど))を用いて全行程のアッシングを行うこともできる。そのようにすれば、シリコン基板1に対する損傷を確実に抑制することができる。ただし、生産性の観点からは前述した2段階の工程を行うようにすることが好ましい。
また、シリコン基板1に対する損傷がより少なく、かつ、酸化層1aが形成されにくい反応性ガスを用いたアッシングを行うことで、シリコン基板1の表面に酸化層1aが形成されることを抑制することができる。そのため、アッシングの後に硫酸と過酸化水素水の混合液によるSPM処理が行われる場合には、イオン注入層2の膜減りを抑制することができる。この場合、シリコン基板1に対する損傷がより少なく、かつ、酸化層1aが形成されにくい反応性ガスはアッシングレートが低いものが多いが、アッシングレートの高いガスを前工程に用いることができるので生産性の低下を抑制することができる。
そのため、配線幅のより狭い品種であっても製品の歩留まりを向上させつつ生産性をも向上させることができるようになる。
図7は、本発明の第3の実施の形態に係るアッシング装置を例示するための模式断面図である。
図7に示すように、アッシング装置10には、処理容器11が設けられている。そして、処理容器11の天井の中央部付近には開孔11aが設けられ、開孔11aを覆うようにプラズマ発生手段12が設けられている。また、プラズマ発生手段12の近傍には、塗布手段13が設けられている。
図示しない搬送装置により、その表面にレジストが形成され、かつインプラ処理されたシリコン基板1が、開孔11bから処理容器11の内部に搬入され、載置台17に載置、保持される。そして、図示しない搬送装置が処理容器11の外に退避した後、開閉扉14が閉じられ処理容器11が密閉される。
以上の塗布工程は、大気圧下で行うこともできるし、処理容器11内を減圧して行うこともできる。
まず、処理容器11内、プラズマ発生室12a内が所定の圧力まで減圧される。そして、反応性ガス供給手段12dから所定量の反応性ガスがプラズマ発生室12a内に導入される。また、コイル12eには高周波電源12fから電力が供給される。そのため、プラズマ発生室12a内にプラズマPが発生し、プラズマ発生室12内に導入された反応性ガスが励起、活性化されて中性活性種、イオンなどのプラズマ生成物が生成される。そして、生成されたプラズマ生成物が下降するようにしてシリコン基板1の表面に到達して未変質層3、変質層4、塗布膜5が除去(アッシング)される。また、カップ18の内面などに付着していた残余の塗布溶液も除去される。
アッシング装置10cのプラズマ発生手段12には、誘電体からなる円筒状のプラズマ発生室12aが設けられており、プラズマ発生室12aの一端は、開孔11aを覆うようにして処理容器11の天井に気密に接続されている。プラズマ発生室12aの他端には、反応性ガスを導入するための開孔が設けられたノズルプレート12bが気密に設けられている。
そして、制御手段12c1〜12c3には、高圧ボンベなどの反応性ガス供給手段12d1〜12d3がそれぞれ接続されている。また、プラズマ発生室12aの周囲には、コイル12eが設けられ、コイル12eには高周波電源12fが接続されている。
尚、3系統の制御手段、反応性ガス供給手段を例示したが、これに限定されるわけではなく系統数は適宜変更することもできる。また、反応性ガスの種類も例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。この場合、複数の反応性ガス供給手段(例えば、複数の高圧ボンベなど)に同種類のガスを収納することもできるし、予め混合された混合ガスを収納することもできる。
なお、図7と同様の部分には同じ符号を付した。
本実施の形態においては、シリコン基板1を収納し、また、アッシング装置10にシリコン基板1を供給するための供給装置20が設けられている点が異なる。そのため、アッシング装置10に関する説明は省略する。尚、図9に例示をしたものは、1系統の制御手段、反応性ガス供給手段を備えたものであるが、例えば、図8に例示をしたように、複数系統の制御手段、反応性ガス供給手段を備えたものとすることもできる。
まず、搬送装置21のアーム基台21cを所定の収納装置22の正面まで移動させる。尚、収納装置22の扉は開閉装置22cにより開かれている。次に、アーム21aを屈曲させるようにして収納装置22の方向に伸ばし、アッシング処理前のシリコン基板1を受け取る。そして、アーム21aを屈曲させるようにして縮め収納装置22からシリコン基板1を取り出す。
次に、アーム21aを180°回転させ、その向きをアッシング装置10の方向に向ける。尚、その際、アッシング装置10の開閉扉14と対向する位置にアーム基台21cの位置が適宜調整される。
アッシング処理済みのシリコン基板1を収納装置22に収納する場合には、前述と逆の手順によりアッシング装置10から収納装置22にシリコン基板1を搬送、収納する。この際、アッシング処理前のシリコン基板1が収納されていた場所に、アッシング処理済みの同じシリコン基板1が収納されるようになっている。
本実施の形態においては、先に説明した実施の形態にて有する作用効果に加え、供給装置20が設けられているので効率的なアッシングを行うことができ、生産性を向上させることができる。
また、図11は、塗布装置を例示するための模式断面図であり、図12は、アッシングのみを行う除去装置を例示するための模式断面図である。
また、アッシング装置100の作用についても、塗布装置10aと除去装置10bとを設けた関係上、塗布とアッシングが別々の装置で行われ、搬入搬出先が2箇所となる他は、図7、図9で説明をしたものと同様のためその説明は省略する。
尚、塗布工程とアッシング工程との間に乾燥工程を設ける場合においては、塗布装置10a、除去装置10bの外部にバッファ装置(例えば、多段のウェーハキャリアなど)などを設けることで、塗布装置10a、除去装置10bの停止時間(待機時間)を減少させて生産効率を向上させることもできる。
また、説明の便宜上、本発明の実施の形態に係るアッシング方法、アッシング装置をシリコン基板におけるもので説明をしたが、これに限定されるわけではない。例えば、液晶表示装置の製造におけるパターンのエッチング後のアッシング、位相シフトマスクの製造におけるパターンのエッチング後のアッシング、太陽電池の製造における反射防止膜のエッチング後のアッシングなどにおいて、レジスト表面に形成された変質層、硬化層などを有するレジストの除去にも適応が可能である。
前述の実施の形態に関して、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。
また、前述した各実施の形態が備える各要素は、可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
Claims (13)
- イオン注入により表面に形成された変質層とその下の未変質層とを有するレジストを除去するアッシング方法であって、
基板の前記レジストが形成された面を覆うように塗布膜を形成し、前記レジストと前記塗布膜とを反応性ガスを用いたプラズマ処理により除去すること、を特徴とするアッシング方法。 - 高分子材料を溶媒で溶解させた塗布溶液を前記レジストが形成された面に供給することで前記塗布膜を形成すること、を特徴とする請求項1記載のアッシング方法。
- 前記塗布膜における前記反応性ガスのプラズマに対する耐性が、前記変質層における前記耐性と同等またはそれより低いこと、を特徴とする請求項1または2記載のアッシング方法。
- 前記プラズマ処理は、酸素ガスよりもアッシングレートの高いガスを前記反応性ガスとして用いた第1の工程と、
前記酸素ガスを前記反応性ガスとして用いた第2の工程と、
を備えることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載のアッシング方法。 - 前記プラズマ処理は、シリコン基板に対する損傷が少なく、かつ、酸化層が形成されにくいガスを前記反応性ガスとして用いた工程と、を備えることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載のアッシング方法。
- 前記プラズマ処理は、酸素ガスよりもアッシングレートの高いガスを前記反応性ガスとして用いた第1の工程と、
シリコン基板に対する損傷が少なく、かつ、酸化層が形成されにくいガスを前記反応性ガスとして用いた第2の工程と、
を備えることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載のアッシング方法。 - 前記シリコン基板に対する損傷が少なく、かつ、酸化層が形成されにくいガスは、水素原子を含むガスであること、を特徴とする請求項5または6に記載のアッシング方法。
- 前記アッシングレートの高いガスは、フッ素原子を有するガスであること、を特徴とする請求項4または6記載のアッシング方法。
- 形成された前記塗布膜を乾燥させた後に、前記レジストと前記塗布膜とをプラズマ処理により除去すること、を特徴とする請求項1〜8のいずれか1つに記載のアッシング方法。
- 基板のレジストが形成された面を覆うように塗布膜を形成する塗布手段と、
大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器と、
プラズマを発生させるプラズマ発生手段と、
前記プラズマに向けて反応性ガスを導入する反応性ガス供給手段と、
前記処理容器内を減圧する排気手段と、
を備えることを特徴とするアッシング装置。 - 前記塗布手段は、前記塗布膜における前記反応性ガスのプラズマに対する耐性が、イオン注入によりレジストの表面に形成された変質層における前記耐性と同等またはそれより低くなるような高分子材料を溶媒で溶解させた塗布溶液を前記レジストが形成された面に供給可能とすること、を特徴とする請求項10記載のアッシング装置。
- 前記基板を前記処理容器内に搬入搬出する搬送装置を備えること、を特徴とする請求項10または11記載のアッシング装置。
- 前記塗布手段は、前記処理容器の外部に設けられ、
前記塗布手段により前記塗布膜が形成された前記基板を前記処理容器内に搬入搬出する搬送装置を備えること、を特徴とする請求項10または11記載のアッシング装置。
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