JP2006513586A - 半導体製造工程でのフォトレジスト除去方法 - Google Patents
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Claims (12)
- 半導体基板にフォトレジストをスピンコーティングしてフォトレジスト層を形成する段階と、フォトレジスト層を選択的に露光する段階と、フォトレジストパターンを形成させるために露光されたフォトレジスト層を現像する段階と、前記フォトレジストによって覆われない半導体基板の領域をエッチングするか、または不純物注入する段階と、前記エッチングするか、または不純物を注入する段階でマスクとして使用されたフォトレジストパターンを除去するアッシング段階とを含む半導体製造工程において、
前記アッシング段階は、
水素を含有する混合ガスからプラズマを発生させて高温でもポッピングが発生されずにパーティクル発生が抑制された状態でフォトレジストパターンが除去されるようにすることを特徴とする半導体製造工程でのフォトレジスト除去方法。 - 前記半導体基板は、高ドーズイオン注入方式に従って製作された基板であることを特徴とする請求項1に記載の半導体製造工程でのフォトレジスト除去方法。
- 前記フォトレジストは、
遠紫外線フォトレジストを含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体製造工程でのフォトレジスト除去方法。 - 前記水素と混合するガスは、
窒素、ヘリウムのうちの一つであることを特徴とする請求項1に記載の半導体製造工程でのフォトレジスト除去方法。 - 前記水素ガスの量は全体のガス量に対して2ボリューム%乃至100ボリューム%であることを特徴とする請求項1乃至4項のうちのいずれか一項に記載の半導体製造工程でのフォトレジスト除去方法。
- 前記アッシング工程の温度が、100℃〜200℃の間であることを特徴とする請求項1乃至請求項4項のうちのいずれか一項に記載のフォトレジスト除去方法。
- 半導体基板にフォトレジストをスピンコーティングしてフォトレジスト層を形成する段階と、フォトレジスト層を選択的に露光する段階と、フォトレジストパターンを形成させるために露光されたフォトレジスト層を現像する段階と、前記フォトレジストによって覆われない半導体基板の領域をエッチングするか、または不純物を注入する段階と、前記エッチングするアッシング段階とを含む半導体製造工程において、
前記アッシング段階は、
水素を含有する混合ガス、またはアンモニアからプラズマを発生させて高温でポッピングが発生されずにパーティクル発生が抑制された状態でフォトレジストパターンが除去されるようにすることを特徴とする半導体製造工程でのフォトレジスト除去方法。 - 前記半導体基板は、高ドーズイオン注入方式に従って製作された基板であることを特徴とする請求項7に記載の半導体製造工程でのフォトレジスト除去方法。
- 前記フォトレジストは、遠紫外線フォトレジストを含むことを特徴とする請求項7に記載の半導体製造工程でのフォトレジスト除去方法。
- 前記水素と混合するガスは、
窒素、ヘリウムのうちの一つであることを特徴とする請求項7に記載の半導体製造工程でのフォトレジスト除去方法。 - 前記水素ガスの量が全体のガス量に対して2ボリューム%乃至100ボリューム%であることを特徴とする請求項7または請求項10のうちのいずれか一項に記載の半導体製造工程でのフォトレジスト除去方法。
- 前記アッシング工程の温度が100℃〜200℃の間であることを特徴とする請求項7乃至請求項11のうちのいずれか一項に記載のフォトレジスト除去方法。
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