JP2002158210A - レジスト除去方法 - Google Patents
レジスト除去方法Info
- Publication number
- JP2002158210A JP2002158210A JP2000352682A JP2000352682A JP2002158210A JP 2002158210 A JP2002158210 A JP 2002158210A JP 2000352682 A JP2000352682 A JP 2000352682A JP 2000352682 A JP2000352682 A JP 2000352682A JP 2002158210 A JP2002158210 A JP 2002158210A
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- gas
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 残渣を残すことなくイオン注入後のフォトレ
ジストを除去できるレジスト除去方法を提供する。 【解決手段】 被処理基板６に不純物を選択的にイオン
注入するために使用したフォトレジストを被処理基板６
の表面から除去するためのレジスト除去方法である。酸
素原子と水素原子とを少なくとも含むプロセスガスにス
ロットアンテナ３から放射されたマイクロ波を照射し
て、被処理基板６の直上にマイクロ波励起プラズマを生
成することにより被処理基板６表面からフォトレジスト
を除去する。
ジストを除去できるレジスト除去方法を提供する。 【解決手段】 被処理基板６に不純物を選択的にイオン
注入するために使用したフォトレジストを被処理基板６
の表面から除去するためのレジスト除去方法である。酸
素原子と水素原子とを少なくとも含むプロセスガスにス
ロットアンテナ３から放射されたマイクロ波を照射し
て、被処理基板６の直上にマイクロ波励起プラズマを生
成することにより被処理基板６表面からフォトレジスト
を除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、イオン注入処理後
において被処理基板表面のフォトレジストを除去するた
めのレジスト除去方法に関する。
において被処理基板表面のフォトレジストを除去するた
めのレジスト除去方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体製造工程において被処理基
板表面のレジストマスクを除去する際には、プロセスガ
スとして酸素ガス単体を用いて生成したプラズマに被処
理基板を曝し、酸素とフォトレジストとの酸化反応によ
ってフォトレジストを灰化して除去している。
板表面のレジストマスクを除去する際には、プロセスガ
スとして酸素ガス単体を用いて生成したプラズマに被処
理基板を曝し、酸素とフォトレジストとの酸化反応によ
ってフォトレジストを灰化して除去している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、レジス
トマスクを使用して半導体基板等の被処理基板に燐や砒
素等の導電物質を不純物として選択的にイオン注入した
場合、フォトレジストにも燐や砒素等の導電物質が注入
され、レジスト表層が変質して硬い変質層が形成され
る。この変質層はイオン注入された導電物質を多く含ん
でおり、これらの物質の酸化物は揮発しにくいために酸
素プラズマでは除去しきれず、レジスト灰化処理後にお
いて変質レジスト等が残渣として基板表面に残留してし
まう。基板表面に残留した変質レジスト等の残渣は、レ
ジスト灰化処理後の半導体製造工程において形状異常等
の不良発生の原因となる。
トマスクを使用して半導体基板等の被処理基板に燐や砒
素等の導電物質を不純物として選択的にイオン注入した
場合、フォトレジストにも燐や砒素等の導電物質が注入
され、レジスト表層が変質して硬い変質層が形成され
る。この変質層はイオン注入された導電物質を多く含ん
でおり、これらの物質の酸化物は揮発しにくいために酸
素プラズマでは除去しきれず、レジスト灰化処理後にお
いて変質レジスト等が残渣として基板表面に残留してし
まう。基板表面に残留した変質レジスト等の残渣は、レ
ジスト灰化処理後の半導体製造工程において形状異常等
の不良発生の原因となる。
【０００４】そこで、本発明は、残渣を残すことなくイ
オン注入後のフォトレジストを除去できるレジスト除去
方法を提供することを目的とする。
オン注入後のフォトレジストを除去できるレジスト除去
方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、被処理基板に不純物を選択的にイオン注
入するために使用したフォトレジストを前記被処理基板
の表面から除去するためのレジスト除去方法において、
酸素原子と水素原子とを少なくとも含むプロセスガスに
スロットアンテナから放射されたマイクロ波を照射し
て、前記被処理基板の直上にマイクロ波励起プラズマを
生成することにより前記被処理基板表面から前記フォト
レジストを除去することを特徴とする。
に、本発明は、被処理基板に不純物を選択的にイオン注
入するために使用したフォトレジストを前記被処理基板
の表面から除去するためのレジスト除去方法において、
酸素原子と水素原子とを少なくとも含むプロセスガスに
スロットアンテナから放射されたマイクロ波を照射し
て、前記被処理基板の直上にマイクロ波励起プラズマを
生成することにより前記被処理基板表面から前記フォト
レジストを除去することを特徴とする。
【０００６】また、好ましくは、前記プロセスガスは、
酸素ガスと水素ガスとを少なくとも含む混合ガスであ
る。
酸素ガスと水素ガスとを少なくとも含む混合ガスであ
る。
【０００７】また、好ましくは、前記被処理基板を加熱
しながら前記フォトレジストを除去する。
しながら前記フォトレジストを除去する。
【０００８】また、好ましくは、前記被処理基板に高周
波電圧を印加しながら前記フォトレジストを除去する。
波電圧を印加しながら前記フォトレジストを除去する。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態による
レジスト除去方法について図面を参照して説明する。
レジスト除去方法について図面を参照して説明する。
【００１０】図１に、本実施形態によるレジスト除去方
法を実施するために使用されるアッシング装置の模式図
を示す。図１において符号１はマグネトロンを示し、こ
のマグネトロン１によって発振し、導波管２により導か
れたマイクロ波をスロットアンテナ３から石英製のマイ
クロ波透過窓４に向けて放射する。アッシングチャンバ
ー５の内部には、チャンバー５に形成されたガス導入口
８を介してプロセスガスが導入され、このプロセスガス
にスロットアンテナ３からマイクロ波が照射されてプラ
ズマが生成される。
法を実施するために使用されるアッシング装置の模式図
を示す。図１において符号１はマグネトロンを示し、こ
のマグネトロン１によって発振し、導波管２により導か
れたマイクロ波をスロットアンテナ３から石英製のマイ
クロ波透過窓４に向けて放射する。アッシングチャンバ
ー５の内部には、チャンバー５に形成されたガス導入口
８を介してプロセスガスが導入され、このプロセスガス
にスロットアンテナ３からマイクロ波が照射されてプラ
ズマが生成される。
【００１１】チャンバー５の内部には試料台７が設けら
れており、この試料台７上に半導体ウェハー（被処理基
板）６が載置されている。この半導体ウェハー６はその
表面のレジストマスクを利用して導電型不純物を選択的
にイオン注入したものである。
れており、この試料台７上に半導体ウェハー（被処理基
板）６が載置されている。この半導体ウェハー６はその
表面のレジストマスクを利用して導電型不純物を選択的
にイオン注入したものである。
【００１２】そして、本実施形態によるレジスト除去方
法においては、プロセスガスとして、酸素ガス（Ｏ２）
と水素ガス（Ｈ２）との混合ガスが使用され、この混合
ガスにマイクロ波を照射してマイクロ波励起プラズマを
生成し、このマイクロ波励起プラズマにより励起された
プロセスガスを半導体ウェハー６表面のフォトレジスト
と化学反応させる。これにより、導電型不純物のイオン
注入によりフォトレジストが変質して硬化している場合
であっても、フォトレジストやそこに含まれる不純物が
揮発性物質となって半導体ウェハー６表面から完全に除
去され、フォトレジスト等の残渣が半導体ウェハー６表
面に残ることがない。なお、生成された揮発性物質はチ
ャンバー５に形成された排気口９から外部に排気され
る。
法においては、プロセスガスとして、酸素ガス（Ｏ２）
と水素ガス（Ｈ２）との混合ガスが使用され、この混合
ガスにマイクロ波を照射してマイクロ波励起プラズマを
生成し、このマイクロ波励起プラズマにより励起された
プロセスガスを半導体ウェハー６表面のフォトレジスト
と化学反応させる。これにより、導電型不純物のイオン
注入によりフォトレジストが変質して硬化している場合
であっても、フォトレジストやそこに含まれる不純物が
揮発性物質となって半導体ウェハー６表面から完全に除
去され、フォトレジスト等の残渣が半導体ウェハー６表
面に残ることがない。なお、生成された揮発性物質はチ
ャンバー５に形成された排気口９から外部に排気され
る。
【００１３】また、図１に示したアッシング装置は試料
台７に取り付けられた加熱用ヒーター１０を備えてお
り、この加熱用ヒーター１０を用いて半導体ウェハー６
を加熱保持しながらフォトレジストを除去することもで
きる。このようにすれば、フォトレジストとプロセスガ
スとの反応が促進され、より高速且つ確実に残渣なくフ
ォトレジストを除去することができる。
台７に取り付けられた加熱用ヒーター１０を備えてお
り、この加熱用ヒーター１０を用いて半導体ウェハー６
を加熱保持しながらフォトレジストを除去することもで
きる。このようにすれば、フォトレジストとプロセスガ
スとの反応が促進され、より高速且つ確実に残渣なくフ
ォトレジストを除去することができる。
【００１４】本実施形態によるレジスト除去方法を実施
する際の具体的な処理条件の一例としては、半導体ウェ
ハー６を２５０℃に加熱保持し、流量２２５ｓｃｃｍの
水素ガスと流量７５ｓｃｃｍの酸素ガスとの混合ガスを
プロセスガスとして使用し、チャンバー５内の圧力を１
５Ｐａに維持する。そして、周波数２．４５ＧＨｚのマ
イクロ波を出力２５００Ｗでプロセスガスに印加して半
導体ウェハー６の直上にプラズマを生成する。この処理
条件の下で、不純物として砒素がイオン注入されたフォ
トレジストを除去した結果、砒素を含む変質レジストを
半導体ウェハー６の表面から残渣なく灰化除去すること
ができた。
する際の具体的な処理条件の一例としては、半導体ウェ
ハー６を２５０℃に加熱保持し、流量２２５ｓｃｃｍの
水素ガスと流量７５ｓｃｃｍの酸素ガスとの混合ガスを
プロセスガスとして使用し、チャンバー５内の圧力を１
５Ｐａに維持する。そして、周波数２．４５ＧＨｚのマ
イクロ波を出力２５００Ｗでプロセスガスに印加して半
導体ウェハー６の直上にプラズマを生成する。この処理
条件の下で、不純物として砒素がイオン注入されたフォ
トレジストを除去した結果、砒素を含む変質レジストを
半導体ウェハー６の表面から残渣なく灰化除去すること
ができた。
【００１５】本実施形態の一変形例としては、図２に示
したように、加熱用ヒーター１０（図１参照）に代えて
高周波（ＲＦ）バイアス電極１１を試料台７に装着した
アッシング装置を使用してフォトレジストを除去する方
法も可能である。この変形例においては、ＲＦバイアス
電極１１によって半導体ウェハー６に高周波バイアスを
印加しながらフォトレジストを除去することにより、プ
ラズマ中のイオンを半導体ウェハー６の表面に向けて加
速させて入射させる。これにより、半導体ウェハー６を
加熱した場合と同様にフォトレジスト除去の高速処理が
可能となり、また、半導体ウェハー６表面に入射したイ
オンのエネルギーによって半導体ウェハー６表面の残渣
が物理的に除去されるという効果も得られる。
したように、加熱用ヒーター１０（図１参照）に代えて
高周波（ＲＦ）バイアス電極１１を試料台７に装着した
アッシング装置を使用してフォトレジストを除去する方
法も可能である。この変形例においては、ＲＦバイアス
電極１１によって半導体ウェハー６に高周波バイアスを
印加しながらフォトレジストを除去することにより、プ
ラズマ中のイオンを半導体ウェハー６の表面に向けて加
速させて入射させる。これにより、半導体ウェハー６を
加熱した場合と同様にフォトレジスト除去の高速処理が
可能となり、また、半導体ウェハー６表面に入射したイ
オンのエネルギーによって半導体ウェハー６表面の残渣
が物理的に除去されるという効果も得られる。
【００１６】以上述べたように本実施形態及びその変形
例によるレジスト除去方法によれば、酸素ガスと水素ガ
スとの混合ガスにマイクロ波を照射して生成したプラズ
マを利用して半導体ウェハー６表面のフォトレジストを
除去するようにしたので、導電型不純物のイオン注入に
よりフォトレジストが変質し且つフォトレジスト中に不
純物が含まれている場合においても、半導体ウェハー６
表面のフォトレジスト及びその中の不純物を残渣を残さ
ずに完全に除去することができる。
例によるレジスト除去方法によれば、酸素ガスと水素ガ
スとの混合ガスにマイクロ波を照射して生成したプラズ
マを利用して半導体ウェハー６表面のフォトレジストを
除去するようにしたので、導電型不純物のイオン注入に
よりフォトレジストが変質し且つフォトレジスト中に不
純物が含まれている場合においても、半導体ウェハー６
表面のフォトレジスト及びその中の不純物を残渣を残さ
ずに完全に除去することができる。
【００１７】また、付帯的な効果としては、プロセスガ
スとして酸素ガス及び水素ガスのみからなる混合ガスを
使用することにより、半導体ウェハー６表面に形成され
た酸化シリコン層やアッシング装置の消耗部品である石
英製のマイクロ波透過窓４にダメージを与えることなく
フォトレジストを除去することができる。
スとして酸素ガス及び水素ガスのみからなる混合ガスを
使用することにより、半導体ウェハー６表面に形成され
た酸化シリコン層やアッシング装置の消耗部品である石
英製のマイクロ波透過窓４にダメージを与えることなく
フォトレジストを除去することができる。
【００１８】
【発明の効果】以上述べたように本発明によるレジスト
除去方法によれば、酸素原子と水素原子とを少なくとも
含むプロセスガスにマイクロ波を照射して生成したプラ
ズマを利用して被処理基板表面のフォトレジストを除去
するようにしたので、不純物のイオン注入によりフォト
レジストが変質し且つフォトレジスト中に不純物が含ま
れている場合においても、被処理基板表面のフォトレジ
スト及びその中の不純物を残渣を残さずに完全に除去す
ることができる。
除去方法によれば、酸素原子と水素原子とを少なくとも
含むプロセスガスにマイクロ波を照射して生成したプラ
ズマを利用して被処理基板表面のフォトレジストを除去
するようにしたので、不純物のイオン注入によりフォト
レジストが変質し且つフォトレジスト中に不純物が含ま
れている場合においても、被処理基板表面のフォトレジ
スト及びその中の不純物を残渣を残さずに完全に除去す
ることができる。
【図１】本発明の一実施形態によるレジスト除去方法を
実施するためのアッシング装置の概略構成を示した断面
図。
実施するためのアッシング装置の概略構成を示した断面
図。
【図２】本発明の一実施形態の変形例によるレジスト除
去方法を実施するためのアッシング装置の概略構成を示
した断面図。
去方法を実施するためのアッシング装置の概略構成を示
した断面図。
１ マグネトロン ２ 導波管 ３ スロットアンテナ ４ マイクロ波透過窓 ５ チャンバー ６ 半導体ウェハー ７ 試料台 ８ ガス導入口 ９ 排気口 １０ 加熱用ヒーター １１ ＲＦバイアス電極
Claims (4)
- 【請求項１】被処理基板に不純物を選択的にイオン注入
するために使用したフォトレジストを前記被処理基板の
表面から除去するためのレジスト除去方法において、 酸素原子と水素原子とを少なくとも含むプロセスガスに
スロットアンテナから放射されたマイクロ波を照射し
て、前記被処理基板の直上にマイクロ波励起プラズマを
生成することにより前記被処理基板表面から前記フォト
レジストを除去することを特徴とするレジスト除去方
法。 - 【請求項２】前記プロセスガスは、酸素ガスと水素ガス
とを少なくとも含む混合ガスであることを特徴とする請
求項１記載のレジスト除去方法。 - 【請求項３】前記被処理基板を加熱しながら前記フォト
レジストを除去することを特徴とする請求項１又は２に
記載のレジスト除去方法。 - 【請求項４】前記被処理基板に高周波電圧を印加しなが
ら前記フォトレジストを除去することを特徴とする請求
項１又は２に記載のレジスト除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000352682A JP2002158210A (ja) | 2000-11-20 | 2000-11-20 | レジスト除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000352682A JP2002158210A (ja) | 2000-11-20 | 2000-11-20 | レジスト除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002158210A true JP2002158210A (ja) | 2002-05-31 |
Family
ID=18825543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000352682A Withdrawn JP2002158210A (ja) | 2000-11-20 | 2000-11-20 | レジスト除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002158210A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006528418A (ja) * | 2003-06-17 | 2006-12-14 | ラム リサーチ コーポレーション | 基板からフォトレジストを除去する方法 |
| CN100343953C (zh) * | 2003-05-30 | 2007-10-17 | Psk有限公司 | 半导体制造工艺中去除光致抗蚀剂的方法 |
-
2000
- 2000-11-20 JP JP2000352682A patent/JP2002158210A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100343953C (zh) * | 2003-05-30 | 2007-10-17 | Psk有限公司 | 半导体制造工艺中去除光致抗蚀剂的方法 |
| JP2006528418A (ja) * | 2003-06-17 | 2006-12-14 | ラム リサーチ コーポレーション | 基板からフォトレジストを除去する方法 |
| JP4648900B2 (ja) * | 2003-06-17 | 2011-03-09 | ラム リサーチ コーポレーション | 基板からフォトレジストを除去する方法 |
| KR101052707B1 (ko) | 2003-06-17 | 2011-08-01 | 램 리써치 코포레이션 | 기판으로부터 포토레지스트를 제거하는 방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20080205 |