JP2016127119A - 多層レジストの除去方法、およびプラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】実施形態に係る多層レジストの除去方法は、基体の上に設けられ、第1の有機材料を含む第1の膜と、前記第1の膜の上に設けられ、無機材料を含む第2の膜と、前記第2の膜の上に設けられ、第2の有機材料を含む第3の膜と、を有する多層レジストを除去する多層レジストの除去方法である。
多層レジストの除去方法は、プラズマを用いて生成した第1の中性活性種により、前記第1の膜と、前記第3の膜と、を除去する工程と、前記プラズマを用いて生成した第2の中性活性種、または、処理液により、前記第2の膜を除去する工程と、を備えている。
そして、前記第1の膜と、前記第3の膜と、を除去する工程において、前記多層レジストの温度が、前記第1の膜のプリベーク温度よりも高くなるようにして、前記第2の膜を貫通する貫通部を形成する。
【選択図】図1
Description
近年においては、パターンの微細化や材料の変更などにより、エッチングマスクのエッチングに対する耐性を高める必要が生じている。
例えば、パターンのアスペクト比の増大に伴うマイクロローディング効果によりエッチング時間が長くなることで、エッチング処理におけるエッチングマスクの消耗が大きくなったり、パターンの微細化とともにエッチングマスクの厚みが薄くなることで、エッチング処理におけるエッチングマスクの消耗が大きくなったりしている。
そのため、エッチングマスクのエッチングに対する耐性を高める必要が生じている。
また、ナノインプリント法などで使用される紫外線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂などのネガレジストを含むエッチングマスクの場合には、エッチング処理におけるエッチングマスクの消耗が大きくなるおそれがある。
多層レジストは、有機材料を含む膜と、無機材料を含む膜とを有するため、一度に除去することができず、上層にある膜から順に除去を行うようにしている。(例えば、特許文献1を参照)
そのため、多層レジストの層数に応じた除去処理が必要となり、生産性が低下することになる。
そこで、生産性を向上させることができる多層レジストの除去方法、およびプラズマ処理装置の開発が望まれていた。
多層レジストの除去方法は、プラズマを用いて生成した第1の中性活性種により、前記第1の膜と、前記第3の膜と、を除去する工程と、前記プラズマを用いて生成した第2の中性活性種、または、処理液により、前記第2の膜を除去する工程と、を備えている。
そして、前記第1の膜と、前記第3の膜と、を除去する工程において、前記多層レジストの温度が、前記第1の膜のプリベーク温度よりも高くなるようにして、前記第2の膜を貫通する貫通部を形成する。
なお、以下においては、三層構造を有する多層レジストを除去する場合について例示をする。
図1(a)〜(c)は、第1の実施形態に係る多層レジストの除去方法について例示をするための模式工程断面図である。
図2は、貫通部102aを例示するための模式平面図である。
なお、図2は、図1(b)におけるA−A線矢視図である。
図3(a)〜(d)は、比較例に係る多層レジストの除去方法について例示をするための模式工程断面図である。
まず、図1(a)に示すように、基体200の表面に第1の膜101を形成する。
基体200は、例えば、シリコンウェーハなどの半導体基板などとすることができる。ただし、基体200は、半導体基板に限定されるわけではない。
この場合、基体200の表面領域には、エッチング処理が施される膜などが形成されている。
例えば、基体200の表面領域には、酸化シリコン、窒化シリコン、ポリシリコン、アモルファスシリコンなどを含む膜などが形成されている。
第1の膜101は、例えば、化学増幅型ポジレジストを含む膜などとすることができる。
例えば、基体200の表面に、溶媒に溶解させた化学増幅型ポジレジストを塗布する。塗布は、例えば、スピンコート法や吹き付け法などを用いて行うことができる。
そして、塗布された膜を加熱して硬化させることで第1の膜101を形成する。この様な硬化工程は、プリベークと呼ばれている。
第2の膜102は、例えば、無機材料を含む膜とすることができる。
第2の膜102は、例えば、SOG(Spin-On Glass;塗布ガラス)により形成された膜などとすることができる。
第3の膜103は、例えば、第2の有機材料を含む膜とすることができる。
第3の膜103は、例えば、紫外線硬化型樹脂を含む膜などとすることができる。
第3の膜103の形成方法は、例えば、第1の膜101の形成方法と同様とすることができる。
以上のようにして、三層構造を有する多層レジスト100を形成することができる。
なお、第1の有機材料と第2の有機材料は同じであってもよいし、異なっていてもよい。
そして、パターン103aをエッチングマスクとして、第2の膜102にパターンを転写する。
続いて、パターン103aを除去し、第2の膜102に転写されたパターンをエッチングマスクとして、第1の膜101にパターンを転写する。
この様にして、頂部に無機材料を含む膜を有するエッチングマスクを形成することができる。
頂部に無機材料を含む膜が形成されていれば、エッチングに対する耐性の高いエッチングマスクとすることができる。
パターン103aの検査により異常が発見されない場合には、前述したエッチングマスクの形成が行われる。
一方、パターン103aの検査により異常が発見された場合には、多層レジスト100を除去し、再度、多層レジスト100の形成を行うリワークが行われる。
多層レジスト100は、第1の有機材料を含む第1の膜101と、無機材料を含む第2の膜102と、第2の有機材料を含む第3の膜103とを有する。
この場合、有機材料を含む第1の膜101、第3の膜103と、無機材料を含む第2の膜102とでは除去方法が異なるものとなる。
そのため、比較例に係る多層レジスト100の除去方法においては、図3(a)に例示をした第1の膜101、第2の膜102、第3の膜103を一度に除去することができず、上層にある第3の膜103から順に除去を行うようにしている。
例えば、プラズマPを用いて酸素ガスなどの処理ガスを励起、活性化させてプラズマ生成物を生成し、プラズマ生成物を用いて第3の膜103を除去する。
次に、図3(d)に示すように、SPM(Sulfuric. Acid Hydrogen Peroxide Mixture)処理などを行うことで第1の膜101を除去する。
この様にすれば、多層レジスト100を除去することができる。
ところが、多層レジスト100を除去するためには、多層レジスト100の層数に応じた除去処理が必要となり、生産性が低下することになる。
そのため、第1の膜101を除去する際に、第3の膜103を除去することができれば、除去処理工程の削減を図ることができる。
しかしながら、比較例においては、イオンをも含むプラズマ生成物によって第3の膜103を除去するため、第1の膜101を除去する際に、第3の膜103を除去することが困難となる。
ここで、第1の膜101には溶媒などの揮発成分が含まれている。そのため、第3の膜103を除去する際の熱により、第1の膜101に含まれていた揮発成分が蒸発することになる。蒸発した揮発成分は、第2の膜102により外部への放出が妨げられるので、第1の膜101の内部における圧力が上昇することになる。第1の膜101の内部における圧力が高くなりすぎると、揮発成分は、第2の膜102を爆発的に突き破るようにして外部に放出される。そのため、第2の膜102の一部が飛び散り第1の膜101の表面などに付着するおそれがある。飛び散った第2の膜102は、除去が難しく、残渣となるおそれがある。また、揮発成分が、第2の膜102を爆発的に突き破る際の衝撃などにより、基体200の表面に損傷が発生するおそれもある。
比較例においては、第3の膜103を除去する際に、イオンをも含むプラズマ生成物で除去するため、第3の膜103に入射するイオンエネルギーによる熱で第1の膜101に含まれていた揮発成分が第2の膜102を爆発的に突き破るおそれがある。そのため、第1の膜101を除去する際に第3の膜103を除去することが困難となる。
そこで、本実施形態では、第1の膜101を除去する際に、プラズマ生成物の中でも中性活性種を主体とする等方性処理を行う。その結果、第1の膜101と第3の膜103を同時に除去することができる。
しかしながら、第1の膜101の上には無機材料を含む第2の膜102があるので、中性活性種が第1の膜101の中央領域に到達し難いという問題がある。
図1(a)に例示をしたように、多層レジスト100は、第1の膜101、第2の膜102、第3の膜103を有している。
まず、中性活性種を用いて、パターン103aが形成された第3の膜103を除去する。
この際、多層レジスト100の温度を、第1の膜101のプリベーク温度よりも高く、且つ、揮発成分が第2の膜102を爆発的に突き破らない程度に上昇させる。
多層レジスト100の温度を、第1の膜101のプリベーク温度よりも高くすれば、第1の膜101に含まれていた揮発成分を蒸発させることができる。
そのため、第1の膜101の内部における圧力を上昇させることができるので、第2の膜102に力を加えることができる。
すなわち、多層レジスト100の温度を、第1の膜101のプリベーク温度よりも高くすれば、第2の膜102に力を加えることができる。
この場合、多層レジスト100の温度を制御して、揮発成分が第2の膜102を爆発的に突き破らないようにする。
図2に例示をした貫通部102aは、連続的なものであるが、断続的な貫通部102aが形成される場合もある。
また、図2に例示をした貫通部102aは、線状を呈する「ひび割れ」であるが、孔状を呈する貫通部102aが形成される場合もある。
この場合、多層レジスト100とプラズマPとの間の距離は、例えば、プラズマPを発生させる環境の圧力(例えば、処理圧力)を制御することで変化させることができる。
また、第3の膜103が紫外線や熱を照射することによって硬化するネガレジストであった場合、プラズマPに含まれる紫外線や、プラズマPの輻射熱によって、第3の膜103が硬化する。そのため、第3の膜103の除去が困難となり、第3の膜103と第1の膜101を同時に除去することが困難となる。そのため、第3の膜103が硬化しない程度に、多層レジスト100とプラズマPとの間の距離や、プラズマPの密度を制御することも必要である。
例えば、圧力を高くすれば、プラズマPの拡がりが大きくなるので多層レジスト100とプラズマPとの間の距離を短くすることができる。多層レジスト100とプラズマPとの間の距離が短くなれば、プラズマPからの輻射熱が多くなるので多層レジスト100の温度を上昇させることができる。
逆に、圧力を低くすれば、プラズマPの拡がりが小さくなり、多層レジスト100とプラズマPとの間の距離を長くすることができ、プラズマPからの輻射熱の影響を抑えることができる。
さらに、プラズマPを生成するためのマイクロ波パワーを低くすれば、プラズマPの密度が小さくなり、プラズマPの発光強度が低くなる。
第3の膜101が紫外線や熱によって硬化するネガレジストであった場合、プラズマPと多層レジスト100との間の距離を大きくし、プラズマPの発光強度を低くすることで、輻射熱や紫外線の影響を抑制することができる。その結果、第3の膜101が硬化することを抑制することができ、第3の膜103と第1の膜101の除去をともに進めることができる。
また、多層レジスト100の温度制御は、加熱装置、および、冷却装置の少なくともいずれかを用いて行うこともできる。
例えば、多層レジスト100の温度をプリベークの温度以上に上昇させるときは加熱装置を使用することができる。また、例えば、多層レジスト100の温度が、プラズマPからの輻射熱のみにより第1の膜101に含まれていた揮発成分が第2の膜102を爆発的に突き破らない程度の温度を超えて上昇する場合は、冷却装置を使用することができる。
例えば、後述するプラズマ処理装置1の載置部15に設けられた温度制御部19を用いて、多層レジスト100の温度制御を行うことができる。
そのため、貫通部102aを形成するのに適した多層レジスト100の温度(つまり、第1の膜101に含まれていた揮発成分が第2の膜102を爆発的に突き破らない程度の温度)は、予め実験やシミュレーションなどを行うことで求めるようにすることが好ましい。
例えば、多層レジスト100の温度は、160℃程度とすることができる。
なお、貫通部102aが形成されるまでの時間も、予め実験やシミュレーションなどを行うことで求めることができる。
また、貫通部102aを介して、中性活性種を第1の膜101に供給することができるので、中性活性種が第1の膜101の中央領域に到達しやすくなる。
そのため、第1の膜101の除去を容易とすることができる。
しかしながら、一般的には、温度が高くなるほど除去効率を高めることができる。
そのため、貫通部102aが形成された後に、多層レジスト100の温度を上昇させて除去効率を向上させるようにすることが好ましい。
この場合、貫通部102aが形成された後であれば、多層レジスト100の温度を上昇させても、揮発成分が第2の膜102を爆発的に突き破るのを抑制することができる。
第2の膜102の除去は、例えば、フッ酸やSOG用の剥離液などの処理液を用いて行うことができる。
この際、貫通部102aの内部にも処理液が供給されるので、第2の膜102の溶解を容易とすることができる。
また、貫通部102aを介して、第2の膜102と基体200の間に、処理液が供給されるので、第2の膜102を持ち上げる効果を発現させることができる。そのため、第2の膜102の剥離を容易とすることができる。
なお、第2の膜102を除去する際には、処理液とオゾン水とを交互に供給することもできる。
この場合、最後にオゾン水を供給するようにすることができる。
中性活性種により第2の膜102を除去する場合には、第3の膜103と第1の膜101の除去の後に、例えば、プロセスガスG1としてフッ素を含むガスを供給し、プラズマPによりフッ素を含むガス励起、活性化させて中性活性種(フッ素ラジカル)を生成し、中性活性種(フッ素ラジカル)により第2の膜102を除去するようにすればよい。
フッ素を含むガスは、例えば、CF4などとすることができる。
中性活性種により第2の膜102をも除去するようにすれば、生産効率をさらに向上させることができる。
そのため、除去処理の工程数を削減することができるので、生産性を向上させることができる。
また、貫通部102aを介して、揮発成分を放出することができるので、揮発成分が第2の膜102を爆発的に突き破るのを抑制することができる。そのため、残渣の発生や基体200の表面における損傷の発生を抑制することができる。
また、貫通部102aを介して、中性活性種を第1の膜101に供給することができるので、中性活性種が第1の膜101の中央領域に到達しやすくなる。
そのため、第1の膜101の除去を容易とすることができる。
図4は、第2の実施形態に係るプラズマ処理装置1を例示するための模式断面図である。
図4に例示をするプラズマ処理装置1は、マイクロ波Mにより発生させたプラズマPを用いてプロセスガスG1から中性活性種を含むプラズマ生成物を生成し、中性活性種を用いて第3の膜103と第1の膜101を除去する。
なお、プラズマ処理装置1は、例示をしたものに限定されるわけではなく、主に、中性活性種を用いて第3の膜103と第1の膜101を除去することができるものであればよい。
プラズマ処理装置1は、例えば、CDE(Chemical Dry Etching)装置などの遠隔プラズマ処理装置などであってもよい。
プラズマ発生部31は、プラズマPを発生させる領域にマイクロ波Mを導入することでプラズマPを発生させる。
プラズマ発生部31には、透過窓34、導入導波管35が設けられている。透過窓34は平板状を呈し、マイクロ波Mに対する透過率が高くエッチングされにくい材料から形成されている。例えば、透過窓34を酸化アルミニウムや石英などの誘電体から形成することができる。透過窓34は、処理容器32の上端に気密となるようにして設けられている。
導入導波管35と透過窓34との接続部分には、スロット36が設けられている。スロット36は、導入導波管35の内部を導波されてきたマイクロ波Mを透過窓34に向けて放射するためのものである。
処理容器32の側壁上部には、流量制御部13を介してガス供給部4が接続されている。そして、ガス供給部4から流量制御部13を介して処理容器32内のプラズマPを発生させる領域にプロセスガスG1を供給することができるようになっている。
また、制御部33により流量制御部13を制御することで、プロセスガスG1の供給量が調整できるようになっている。
透過窓34と載置部15の上面との間の領域が、多層レジスト100に対する除去処理を行う処理空間20となる。
扉6cは、例えば、O(オー)リングのようなシール部材6dを有している。扉6cは、図示しない開閉機構により開閉される。扉6cが閉まった時には、シール部材6dが搬入搬出口32bの近傍の壁面に押しつけられ、搬入搬出口32bが気密に閉鎖される。すなわち、処理容器32は、多層レジスト100が設けられた基体200を収容し、大気圧よりも減圧された雰囲気を維持できるようになっている。
なお、基体200の温度と、多層レジスト100の温度との相関関係は、予め実験やシミュレーションを行うことで求めることができる。
温度検出部7は、例えば、載置部15の内部に設けることができる。ただし、温度検出部7の配設位置はこれに限定されるわけではなく、多層レジスト100の温度を検出することができる位置に設けるようにすればよい。温度検出部7の形式には特に限定がなく、例えば、熱電対、測温抵抗体、サーミスタなどを用いた接触式のものとしてもよいし、放射温度計のような非接触式のものとしてもよい。
なお、前述したように、貫通部102aを形成するのに適した温度や保持時間などは、予め実験やシミュレーションを行うことで求めることができる。
温度制御部19は、例えば、載置部15の内部に設けることができる。
温度制御部19は、加熱を行うもの(例えば、ヒータ)とすることもできるし、熱媒体を循環させて加熱と冷却を行うものとすることもできる。
温度制御部19は、例えば、温度検出部7からの出力に基づいて、多層レジスト100の温度が所望の範囲内となるように制御する。
例えば、制御部33は、ガス供給部4を制御して、処理容器32の内部にプロセスガスG1を供給する。
この際、制御部33は、流量制御部13を制御して、プロセスガスG1の流量を制御する。
制御部33は、マイクロ波発生部5を制御して、所定周波数(例えば2.45GHz)のマイクロ波Mを発生させる。発生したマイクロ波Mは、導入導波管35に向けて放射され、導入導波管35の内部を導波される。導入導波管35の内部を導波されたマイクロ波Mは、スロット36および透過窓34を介して、処理容器32の内部のプラズマPを発生させる領域に導入される。
この際、制御部33は、処理容器32の内圧を検出する図示しない真空計の出力に基づいて圧力制御部16を制御して、処理容器32の内圧が所定の圧力となるようにする。
制御部33は、温度検出部7からの出力に基づいて、多層レジスト100の温度制御を行う。
制御部33は、温度制御部19の起動や停止などの制御を行う。
制御部33は、図示しない開閉機構を制御して、扉6cの開閉を行う。
まず、扉6cが、図示しない開閉機構により開かれる。
図示しない搬送装置により、搬入搬出口32bから多層レジスト100が設けられた基体200を処理容器32の内部に搬入する。多層レジスト100が設けられた基体200は載置部15の上面に載置され、載置部15に内蔵された図示しない静電チャックなどの保持機構により保持される。
次に、図示しない開閉機構により扉6cを閉じる。
次に、減圧部3により、処理容器32の内部を所定の圧力まで減圧する。この際、圧力制御部16により処理容器32の内部の圧力が調整される。
例えば、処理容器32の内部の圧力が、1Pa以下となるようにすることができる。
例えば、まず、ガス供給部4から流量制御部13を介して所定流量のプロセスガスG1が、処理容器32内のプラズマPを発生させる領域に供給される。
この際、所定流量のプロセスガスG1を供給することで、処理容器32の内部の圧力が200Pa程度となるようにすることができる。
また、プロセスガスG1は、酸素を含むガスとすることができる。プロセスガスG1は、例えば、酸素ガスや、酸素ガスと不活性ガスの混合ガスなどとすることができる。
マイクロ波Mのパワーは、例えば、700W程度とすることができる。
なお、プラズマ生成物を含むガスが処理容器32内を下降する際に、イオンや電子が除去される。そのため、主に中性活性種(酸素ラジカル)により、等方性を有する除去処理が行われる。
なお、制御部16は、圧力制御部16を制御することで多層レジスト100とプラズマPとの間の距離を変化させて、多層レジスト100の温度が貫通部102aを形成するのに適した温度となるようにすることもできる。なお、前述したように、多層レジスト100とプラズマPとの間の距離は、処理容器32内の圧力(処理圧力)を制御することで変化させることができる。
この場合、温度制御部19による温度制御と、圧力制御部16による温度制御とを行うようにしてもよい。
貫通部102aを形成するのに適した多層レジスト100の温度は、例えば、160℃程度とすることができる。
しかしながら、一般的には、温度が高くなるほど除去効率を高めることができる。
そのため、貫通部102aが形成された後に、多層レジスト100の温度を上昇させて除去効率を向上させるようにすることもできる。
この場合、貫通部102aが形成された後であれば、多層レジスト100の温度を上昇させても、揮発成分が第2の膜102を爆発的に突き破るのを抑制することができる。
貫通部102aが形成されるまでの時間は、予め実験やシミュレーションなどを行うことで求めることができる。
前述したように、第2の膜102の除去は、例えば、フッ酸やSOG用の剥離液などの処理液を用いて行うことができる。
この場合、基体200の表面領域の材料(下地層の材料)によっては、中性活性種により第2の膜102を除去することもできる。
フッ素を含むガスは、例えば、CF4などとすることができる。
中性活性種により第2の膜102をも除去するようにすれば、生産効率をさらに向上させることができる。
前述の実施の形態に関して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。
例えば、プラズマ処理装置1が備える構成要素の形状、寸法、材料、配置などは、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
また、前述した各実施の形態が備える各要素は、可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
Claims (8)
- 基体の上に設けられ、第1の有機材料を含む第1の膜と、前記第1の膜の上に設けられ、無機材料を含む第2の膜と、前記第2の膜の上に設けられ、第2の有機材料を含む第3の膜と、を有する多層レジストを除去する多層レジストの除去方法であって、
プラズマを用いて生成した第1の中性活性種により、前記第1の膜と、前記第3の膜と、を除去する工程と、
前記プラズマを用いて生成した第2の中性活性種、または、処理液により、前記第2の膜を除去する工程と、
を備え、
前記第1の膜と、前記第3の膜と、を除去する工程において、前記多層レジストの温度が、前記第1の膜のプリベーク温度よりも高くなるようにして、前記第2の膜を貫通する貫通部を形成する多層レジストの除去方法。 - 前記第3の膜は、紫外線または熱を照射することによって硬化するネガレジストである請求項1記載の多層レジストの除去方法。
- 前記第1の膜と、前記第3の膜と、を除去する工程において、前記多層レジストの温度は、前記第1の膜に含まれる揮発成分が前記第2の膜を爆発的に突き破らない温度以下とされる請求項1または2に記載の多層レジストの除去方法。
- 前記多層レジストの温度制御は、前記多層レジストと、前記プラズマと、の間の距離を変化させることにより行う請求項1〜3のいずれか1つに記載の多層レジストの除去方法。
- 前記多層レジストと、前記プラズマと、の間の距離は、前記プラズマを発生させる環境の圧力を制御することで変化させる請求項4記載の多層レジストの除去方法。
- 前記多層レジストの温度制御は、加熱装置、および、冷却装置の少なくともいずれかを用いて行う請求項1〜3のいずれか1つに記載の多層レジストの除去方法。
- 内部にプラズマを発生させる領域を有し、大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器と、
前記処理容器の内部を所定の圧力まで減圧する減圧部と、
前記処理容器の内部の圧力を制御する圧力制御部と、
前記処理容器の内部に設けられ、多層レジストが設けられた基体を載置する載置部と、
前記プラズマを発生させる領域にプロセスガスを供給するガス供給部と、
前記プラズマを発生させる領域にマイクロ波を導入することでプラズマを発生させるプラズマ発生部と、
を備え、
前記多層レジストは、前記基体の上に設けられ、第1の有機材料を含む第1の膜と、前記第1の膜の上に設けられ、無機材料を含む第2の膜と、前記第2の膜の上に設けられ、第2の有機材料を含む第3の膜と、を有し、
前記発生させたプラズマに前記プロセスガスを供給して中性活性種を生成し、前記中性活性種を用いて、前記第1の膜と、前記第3の膜と、を除去する際に、
前記圧力制御部は、前記処理容器の内部の圧力を制御することで、前記多層レジストと、前記プラズマと、の間の距離を変化させて、前記多層レジストの温度が、前記第1の膜のプリベーク温度よりも高くなるようにして、前記第2の膜を貫通する貫通部を形成するプラズマ処理装置。 - 内部にプラズマを発生させる領域を有し、大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器と、
前記処理容器の内部を所定の圧力まで減圧する減圧部と、
前記処理容器の内部の圧力を制御する圧力制御部と、
前記処理容器の内部に設けられ、多層レジストが設けられた基体を載置する載置部と、
前記プラズマを発生させる領域にプロセスガスを供給するガス供給部と、
前記プラズマを発生させる領域にマイクロ波を導入することでプラズマを発生させるプラズマ発生部と、
前記多層レジストの温度を制御する温度制御部と、
を備え、
前記多層レジストは、前記基体の上に設けられ、第1の有機材料を含む第1の膜と、前記第1の膜の上に設けられ、無機材料を含む第2の膜と、前記第2の膜の上に設けられ、第2の有機材料を含む第3の膜と、を有し、
前記発生させたプラズマに前記プロセスガスを供給して中性活性種を生成し、前記中性活性種を用いて、前記第1の膜と、前記第3の膜と、を除去する際に、
前記温度制御部は、前記多層レジストの温度が、前記第1の膜のプリベーク温度よりも高くなるようにして、前記第2の膜を貫通する貫通部を形成するプラズマ処理装置。
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