JP2005136346A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】プラズマアッシング部12によるアッシング処理に先立って、ウエハは、薬液洗浄部13に搬入されて、ウエハW上のレジストパターンの表面に形成されている硬質層を薬液で軟化するためのレジスト表面改質処理を受ける。
【選択図】 図4
Description
請求項1記載の発明によれば、灰化処理部における処理に先立って、基板上に形成されているレジストの表面を改質することができる。
これにより、レジストの表面にイオン注入によって硬質層が形成されている場合には、その硬質層を灰化処理部における処理で除去されやすいように改質すれば、灰化処理部では、ごく短時間の処理で基板上のレジストを除去することができる。よって、灰化処理部による処理でフッ素の活性種を含むプラズマが用いられても、基板表面の酸化膜などにダメージを与えることなく、その基板上のレジストを除去することができる。
請求項3記載の発明は、上記レジスト表面改質処理部は、基板上に硫酸と過酸化水素水との混合液を供給するための硫酸過水供給手段(133)を備えていることを特徴とする請求項1または2記載の基板処理装置である。
この発明によれば、基板加熱手段によって基板を加熱したり、基板冷却手段によって基板を冷却したりすることができる。
請求項6記載の発明は、上記レジスト表面改質処理部は、基板上のレジストの表面粗度を増大させる粗度増大手段(71,72)を備えていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の基板処理装置である。
レジストの表面粗度を増大させることにより、レジストの表面積を増大させることができるから、灰化処理部における処理がプラズマを用いた処理である場合には、レジストの表面に多くの酸素活性種などが照射される。これにより、灰化処理部における処理の速度が増大するから、灰化処理部における短時間の処理で、基板の表面からレジストパターンを除去することができる。
この発明によれば、スタンプ部材の粗面を基板上のレジストの表面に押し付けることにより、レジストの表面に微細な凹凸を形成して、レジストの表面粗度を増大させることができる。
この発明によれば、灰化処理部における処理で基板上に残ったレジストを、洗浄処理部による洗浄処理で除去することができる。
この発明によれば、請求項1に関連して述べた効果と同様な効果を得ることができる。
この発明によれば、請求項3に関連して述べた効果と同様な効果を得ることができる。
請求項11記載の発明は、上記レジスト表面改質工程は、基板の加熱および冷却を所定の順序で連続的に行うことによって当該基板に温度変化を与える温度変化工程を含むことを特徴とする請求項9または10記載の基板処理方法である。
請求項12記載の発明は、上記レジスト表面改質工程は、基板上に形成されているレジストの表面に粗面を押し付けるスタンプ工程を含むことを特徴とする請求項9乃至11のいずれかに記載の基板処理方法である。
この発明によれば、請求項6に関連して述べた効果と同様な効果を得ることができる。
この方法によれば、請求項7に関連して述べた効果と同様な効果を得ることができる。
図1は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置のレイアウトを示す簡略化した平面図である。この基板処理装置は、基板の一例としてのウエハWに対してレジスト除去処理を行うための装置であり、具体的には、レジストパターン(レジストコーティング、露光および現像の各工程を経ることによってパターン形成されたレジスト膜)が形成された表面上にリン、砒素、硼素などの不純物のイオンを照射することにより、その表面に不純物が局所的に注入されたウエハWを処理対象として、ウエハWの表面から不要になったレジストパターンを除去する処理を行うための装置である。イオン注入(不純物注入)された後のレジストパターンの表面には、その表面がイオン注入で変質することによって硬質層が形成されている。
ガス導入管125には、バルブや流量制御器などを含むガス導入装置42が接続されている。ガス導入装置42には、酸素含有ガス源421からの酸素含有ガス、フッ素含有ガス源422からのフッ素含有ガス(フッ素系ガス)および窒素ガス源423からの窒素ガスが供給されるようになっており、ガス導入装置42内の各ガス供給ライン(酸素含有ガス供給ライン、フッ素含有ガス供給ライン、窒素ガス供給ライン)上に設けられたバルブの開閉を制御することによって、ガス導入管125からプラズマ処理室123に導入される処理ガスに含まれるガスの種類を変更することができる。また、各ガス供給ライン上に設けられた流量制御器を制御することにより、ガス導入管125からプラズマ処理室123に導入される処理ガスの流量およびその処理ガスに含まれる各ガス成分の濃度(ガス混合比)を変更することができる。
高周波電力供給器129には、マイクロ波電源などの高周波電源43が接続されている。高周波電源43としては、マイクロ波電源に限らず、VHF電源やRF電源などを用いてもよく、この場合には、棒状アンテナ、コイル、誘導結合用電極、容量結合用電極などを用いて、高周波電源43からの高周波電力を誘電体窓122に向けて供給することができる。
二流体スプレーノズル133には、所定温度に温度調節されたSPM(H2SO4+H2O2)を供給するためのSPM供給管52と、窒素ガス供給源からの高圧の窒素ガス(N2)を供給するための高圧窒素ガス供給管53とが接続されている。二流体スプレーノズル133にSPMと高圧窒素ガスとが同時に供給されると、そのSPMと高圧窒素ガスとが混合されて、SPMの微細な液滴が形成され、このSPMの液滴が噴流となって、二流体スプレーノズル133から吐出される。SPM供給管52の途中部には、二流体スプレーノズル133へのSPMの供給を制御するためのSPM供給バルブ54が介装されている。また、高圧窒素ガス供給管53の途中部には、二流体スプレーノズル133への窒素ガスの供給を制御するための高圧窒素ガス供給バルブ55が介装されている。
図4は、上記の基板処理装置の動作を説明するための概念図である。インデクサロボット21(図1参照)によってカセットC(図1参照)から未処理のウエハWが取り出されて、そのウエハWが基板搬送ロボット11(図1参照)に受け渡されると、基板搬送ロボット11は、そのウエハWを2つの薬液洗浄部13のいずれか一方に搬入する。薬液洗浄部13では、ウエハWに対して、ウエハW上のレジストパターンの表面を改質するためのレジスト表面改質処理が行われる。
その後、薬液洗浄部13から搬出されたウエハWは、基板搬送ロボット11によって、2つのプラズマアッシング部12のいずれか一方に搬入される。プラズマアッシング部12では、薬液洗浄部13によるレジスト表面改質処理によって硬質層が改質(軟化)されたレジストパターンをアッシングして所定の膜厚になるまで(たとえば、少なくとも硬質層が除去されるまで)除去するアッシング処理が行われる。
つづいて、排気口124に接続された排気装置41の真空ポンプが制御されて、たとえば、プラズマ処理室123の気圧が1.33×10-7Pa以下になるまで、プラズマ処理室123の排気が行われる。その後、ガス導入装置42が制御されて、ガス導入管125からプラズマ処理室123に、たとえば、フッ素含有ガスをその濃度が1体積%以下となるように酸素ガス(O2)中に添加して得られる混合ガスが処理ガスとして導入される。プラズマ処理室123に導入される処理ガスの流量は、100〜6000sccmの範囲内で制御されて、この処理ガスの導入流量と排気装置41による排気流量との制御によって、プラズマ処理室123の気圧が5〜400Paの範囲内に維持される。
具体的には、図3を参照して、薬液洗浄部13に搬入されたウエハWは、スピンチャック132に受け渡され、スピンチャック132によって所定の回転速度で回転される。また、二流体スプレーノズル133がカップ134の外側に設定された待機位置からスピンチャック132に保持されたウエハWの上方に設定された処理開始位置に配置される。そして、二流体スプレーノズル133にSPMと高圧窒素ガスとが供給されて、二流体スプレーノズル133からSPMの液滴の噴流が吐出される。この一方で、ノズルアーム136の揺動によって、二流体スプレーノズル133からの液滴の噴流が導かれるウエハWの表面上の供給位置(SPM供給位置)が、ウエハWの回転中心からウエハWの周縁部に至る範囲内を円弧状の軌跡を描きつつ移動する。これにより、ウエハWの表面の全域にSPMの液滴の噴流が供給され、そのSPMが有する強い酸化力およびSPMの液滴の噴流がウエハWの表面に衝突したときの衝撃によって、ウエハWの表面に残っているレジストパターンが除去されていく。
図6は、この発明のさらに他の実施形態について説明するための図である。この実施形態では、薬液洗浄部13(薬液処理室131)に、ウエハW上のレジストパターンRの表面に形成されている硬質層Rhの表面粗度を上げるためのスタンプ部材71が備えられている。
また、この実施形態では、薬液洗浄部13がレジスト表面改質処理部の機能を併せ持つ構成としたが、スタンプ部材71を有するレジスト表面改質処理部が、基板処理装置に薬液洗浄部13とは別に設けられてもよい。
また、必ずしもプラズマアッシング部12で用いられる処理ガスにフッ素含有ガスが混合されている必要はなく、処理ガスには、少なくとも酸素(原子)が含まれていればよい。
6 レジスト表面改質処理部
11 基板搬送ロボット
12 プラズマアッシング部
13 薬液洗浄部
21 インデクサロボット
61 ウエハステージ
62 ヒータ
63 冷却水ノズル
71 スタンプ部材
72 昇降駆動機構
133 二流体スプレーノズル
711 粗面
R レジストパターン
Rh 硬質層
W ウエハ
Claims (13)
- 基板上に形成されているレジストの表面を改質するための処理を行うレジスト表面改質処理部と、
このレジスト表面改質処理部における処理によって表面が改質されたレジストを灰化して除去するための処理を行う灰化処理部と、
上記レジスト表面改質処理部および上記灰化処理部に対して基板を搬送するための基板搬送機構と
を含むことを特徴とする基板処理装置。 - 上記レジスト表面改質処理部は、基板へのイオン注入によってレジストの表面に形成された硬化層を改質するための処理を行うものであることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
- 上記レジスト表面改質処理部は、基板上に硫酸と過酸化水素水との混合液を供給するための硫酸過水供給手段を備えていることを特徴とする請求項1または2記載の基板処理装置。
- 上記レジスト表面改質処理部は、基板を加熱するための基板加熱手段と、基板を冷却するための基板冷却手段とを備えていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の基板処理装置。
- 上記レジスト表面改質処理部は、基板を載置するための基板載置台をさらに備え、
上記基板加熱手段は、上記基板載置台に内蔵されており、
上記基板冷却手段は、上記基板載置台に載置された基板に冷却水を供給するものであることを特徴とする請求項4記載の基板処理装置。 - 上記レジスト表面改質処理部は、基板上のレジストの表面粗度を増大させる粗度増大手段を備えていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の基板処理装置。
- 上記粗度増大手段は、基板と対向配置される粗面を有するスタンプ部材と、このスタンプ部材を基板上のレジストの表面に対して接触および離間させるための接触/離間機構とを備えていることを特徴とする請求項6記載の基板処理装置。
- 上記灰化処理部における処理が施された基板を洗浄するための洗浄処理部をさらに含むことを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の基板処理装置。
- 基板へのイオン注入によって基板上のレジストの表面に形成された硬化層を改質するためのレジスト表面改質工程と、
このレジスト表面改質工程で表面が改質されたレジストを灰化して除去するための灰化処理工程と
を含むことを特徴とする基板処理方法。 - 上記レジスト表面改質工程は、基板上に硫酸と過酸化水素水との混合液を供給する硫酸過水供給工程を含むことを特徴とする請求項9記載の基板処理方法。
- 上記レジスト表面改質工程は、基板の加熱および冷却を所定の順序で連続的に行うことによって当該基板に温度変化を与える温度変化工程を含むことを特徴とする請求項9または10記載の基板処理方法。
- 上記レジスト表面改質工程は、基板上に形成されているレジストの表面に粗面を押し付けるスタンプ工程を含むことを特徴とする請求項9乃至11のいずれかに記載の基板処理方法。
- 上記灰化処理工程の後に、上記灰化処理工程における処理が施された基板を洗浄するための洗浄処理工程をさらに含むことを特徴とする請求項9乃至12のいずれかに記載の基板処理方法。
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