JP2003234341A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 除去液を使用した有機物の除去処理時に光を
触媒とした悪影響を防止することができる基板処理装置
を提供する。 【解決手段】 ポリマー等の有機物が付着した基板Ｗは
チャンバ６５内に収容され、除去液ノズル７５から除去
液が供給されて有機物の除去処理が行われる。チャンバ
６５は、光を透過しない遮光材料を用いて構成されてい
る。また、除去処理時には、チャンバ６５に基板Ｗを搬
出入するための搬出入口５８がシャッタ５９によって閉
鎖されており、チャンバ６５への光が遮光されている。
また、ランプ１５は消灯され、装置外部からチャンバ６
５内を確認するための観察窓２１も閉鎖されている。よ
って、有機物の除去処理時にはチャンバ６５内を暗室に
することができ、除去液を使用した有機物の除去処理時
に光を触媒とした悪影響を防止することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板、液晶
表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光
ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）に付
着した有機物、例えばレジスト膜をマスクとして基板の
表面に存在する薄膜をドライエッチングすることによっ
て生成されたポリマーを除去液によって除去する基板処
理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】最先端デバイスの配線には銅が使用され
ることが多い。銅は、従来のアルミニウムに比較して比
抵抗が低く、エレクトロマイグレーションが起きにくい
等のメリットがあるためである。その一方で、銅配線は
パターンニング技術が難しく、現在では一般にダマシン
法によって形成されている。

【０００３】ダマシン法の一工程に、レジスト膜をマス
クとして層間絶縁膜（ＳｉＯ₂やｌｏｗ−ｋ膜）をエッ
チングする工程がある。このときのエッチングの手法と
しては、例えばＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅ
ｔｃｈｉｎｇ／反応性イオンエッチング）等の、ドライ
エッチングが用いられる。

【０００４】このようなドライエッチングで使用される
反応性イオンのパワーは極めて強いことから、エッチン
グが完了する時点においてはレジスト膜も一定の割合で
変化し、その一部がポリマー等の反応生成物に変質して
層間絶縁膜の側壁に堆積する。図１１は、エッチングに
よって生成したポリマーが付着した様子を示す図であ
る。銅の下部配線層２０３の上に層間絶縁膜２０１と絶
縁膜バリア層２０２とが交互に積層されている。エッチ
ングによって配線部が形成され、その部分における層間
絶縁膜２０１の側壁にポリマー２１０が堆積付着してい
る。

【０００５】ポリマー２１０の如き反応生成物は後続す
るレジスト除去工程では除去されないことから、レジス
ト除去工程を実行する前または後に、この反応生成物を
除去する必要がある。このため、従来、ドライエッチン
グ工程の後またはレジスト除去工程の後には、反応生成
物を除去する作用を有する除去液を基板に対して供給す
ることにより、層間絶縁膜の側壁に堆積した反応生成物
を除去した後、この基板を純水で洗浄し、さらにこの純
水を振り切り乾燥する反応生成物の除去処理を行ってい
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来に
おいては、このような除去液を使用した除去処理時に外
部から進入した光が触媒として作用し、銅の下部配線層
２０３を腐食することがあった。図１２は、除去液を使
用した除去処理時に銅の下部配線層２０３が腐食された
様子を示す図である。このような腐食部分が生じると銅
の配線構造に悪影響を及ぼすことが考えられる。

【０００７】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、除去液を使用した有機物の除去処理時に光を触
媒とした悪影響を防止することができる基板処理装置を
提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１の発明は、基板に付着した有機物を、該有
機物の除去液によって除去する基板処理装置において、
有機物の除去を行うための処理室と、前記処理室内にて
基板を保持する保持手段と、前記保持手段に保持された
基板に前記除去液を供給する除去液供給手段と、を備
え、少なくとも前記除去液によって有機物の除去処理を
行っている間は、前記処理室内を暗室としている。

【０００９】また、請求項２の発明は、請求項１の発明
に係る基板処理装置において、少なくとも前記除去液に
よって有機物の除去処理を行っている間は、この基板処
理装置における前記処理室を含む所定の遮光領域内を暗
室としている。

【００１０】また、請求項３の発明は、請求項１または
請求項２に係る基板処理装置において、基板を収容する
キャリアから前記処理室まで、あるいは前記遮光領域を
暗室化する場合には前記キャリアから前記遮光領域まで
の基板の搬送路に、その搬送路を介して前記処理室内に
進入する光を遮光するための遮光手段を設け、少なくと
も前記除去液によって基板を処理している間は、前記遮
光手段によって前記搬送路を遮光している。

【００１１】また、請求項４の発明は、請求項１または
請求項２に係る基板処理装置において、基板を収容する
キャリアから前記処理室まで、または前記遮光領域を暗
室化する場合には前記キャリアから前記遮光領域までの
基板の搬送路に、その搬送路を介して前記処理室内また
は前記遮光領域内に進入する光を遮光するための遮光手
段を、基板の搬送方向の幅よりも大きな間隔をあけて多
段に設け、少なくとも前記除去液によって基板を処理し
ている間は、前記遮光手段によって前記搬送路を遮光し
ている。

【００１２】また、請求項５の発明は、請求項１に係る
基板処理装置において、前記処理室に、前記処理室に対
して基板を搬出入するための搬出入口と、前記搬出入口
から前記処理室内に進入する光を遮光するための遮光手
段と、を設け、少なくとも前記除去液によって基板を処
理している間は、前記遮光手段によって前記搬出入口を
遮光している。

【００１３】また、請求項６の発明は、請求項２から請
求項４のいずれかに係る基板処理装置において、前記遮
光領域内に、前記処理室である第１の処理室と、前記有
機物の除去とは異なる処理を行う第２の処理室と、前記
第１の処理室と前記第２の処理室との間で基板の搬送を
行う基板搬送機構と、を備えている。

【００１４】また、請求項７の発明は、請求項２に係る
基板処理装置において、所定位置に配置されたキャリア
に対し、基板の搬入および搬出を行う搬入搬出機構を備
えた搬入搬出部と、前記処理室を収容し、その内部空間
が前記遮光領域とされる処理部と、前記搬入搬出部と前
記処理部との間に介設され、前記搬入搬出部と前記処理
部との間で基板の受渡しを行う基板受渡し機構を備えた
中継部と、を備え、前記搬入搬出部と前記中継部との間
に設けられる基板搬出入用の第１のゲート部に、その第
１のゲート部を介して前記中継部内に進入する光を遮光
する第１の遮光手段を設け、前記中継部と前記処理部と
の間に設けられる基板搬出入用の第２のゲート部に、そ
の第２のゲート部を介して前記処理部内に進入する光を
遮光する第２の遮光手段を設けている。

【００１５】また、請求項８の発明は、請求項７に係る
基板処理装置において、前記処理部は、前記処理室であ
る第１の処理室と、前記有機物の除去とは異なる処理を
行う第２の処理室と、前記第１の処理室と前記第２の処
理室との間で基板の搬送を行う基板搬送機構と、を備え
ている。

【００１６】また、請求項９の発明は、請求項８に係る
基板処理装置において、前記第２の処理室では、前記第
１の処理室にて有機物の除去が行われた基板に対して乾
燥処理が行われるものである。

【００１７】また、請求項１０の発明は、請求項１に係
る基板処理装置において、所定位置に配置されたキャリ
アに対し、基板の搬入および搬出を行う搬入搬出機構を
備えた搬入搬出部と、前記処理室を収容する処理部と、
前記搬入搬出部と前記処理部との間に介設され、前記搬
入搬出部と前記処理部との間で基板の受渡しを行う基板
受渡し機構を備えた中継部と、を備え、前記搬入搬出部
と前記中継部との間に設けられる基板搬出入用のゲート
部に、そのゲート部から前記中継部を介して前記処理部
内に進入する光を遮光する第１の遮光手段を設け、前記
処理室の基板搬出入用の搬出入口に、その搬出入口を介
して前記処理室内に進入する光を遮光する第２の遮光手
段を設けている。

【００１８】また、請求項１１の発明は、請求項１に係
る基板処理装置において、前記処理室を、所定の処理部
内に収容し、前記処理部の基板搬出入用の搬出入口に、
その搬出入口を介して前記処理室内に進入する光を遮光
する第１の遮光手段を設け、前記処理室の基板搬出入用
の搬出入口に、その搬出入口を介して前記処理室内に進
入する光を遮光する第２の遮光手段を設けている。

【００１９】また、請求項１２の発明は、請求項７から
請求項１１のいずれかに係る基板処理装置において、前
記第１の遮光手段および前記第２の遮光手段は、開閉式
の遮光手段であり、その両方が同時には開かないように
開閉制御されるものである。

【００２０】また、請求項１３の発明は、請求項１から
請求項１２のいずれかに係る基板処理装置において、前
記処理室に、その内部を観察するための観察窓を設けて
いる。

【００２１】また、請求項１４の発明は、請求項１３に
係る基板処理装置において、前記処理室の内部に照明手
段を設けるとともに、前記観察窓が開放されているとき
には前記照明手段が能動状態とされ、前記観察窓が閉鎖
されているときには前記照明手段が非能動状態とされる
ものである。

【００２２】また、請求項１５の発明は、請求項１４に
係る基板処理装置において、少なくとも前記除去液によ
って基板を処理している間は、前記観察窓の開放を禁止
する窓開放禁止手段をさらに備えている。

【００２３】また、請求項１６の発明は、請求項１４ま
たは請求項１５記載の基板処理装置において、少なくと
も前記観察窓が開放されている間は、前記除去液供給手
段からの前記除去液の供給を禁止する除去液供給禁止手
段をさらに備えている。

【００２４】また、請求項１７の発明は、請求項１から
請求項１６のいずれかに記載の基板処理装置において、
基板に付着した前記有機物は、基板上に形成されたレジ
スト膜が変質して生じた反応生成物であるものである。

【００２５】また、請求項１８の発明は、請求項１７に
係る基板処理装置において、前記反応生成物は、前記レ
ジスト膜をマスクとして基板の表面に存在する薄膜をド
ライエッチングすることによって生成されたポリマーで
あるものである。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について詳細に説明する。

【００２７】以下の各実施形態において、基板とは半導
体基板であり、より詳しくはシリコン基板である。ま
た、当該基板は薄膜を有する。該薄膜は金属膜または絶
縁膜である。金属膜を構成する金属としては銅やアルミ
ニウム、チタン、タングステンおよび、これらの混合物
がある。絶縁膜としては前記金属の酸化膜や窒化膜およ
びシリコン酸化膜やシリコン窒化膜、有機絶縁膜、低誘
電体層間絶縁膜がある。なお、ここでいう薄膜とは、薄
膜が形成された基板に対して垂直方向の断面において高
さ寸法が底部の長さより短いものはもちろん、高さ寸法
が底部の長さより長いものも含む。従って、基板上で部
分的に形成されている膜や配線など、基板に向って見た
とき線状や島状に存在するものも薄膜に含まれる。

【００２８】この薄膜を、パターン化されたレジスト膜
をマスクとしてドライエッチングする工程を経た基板に
はドライエッチングによってレジストや薄膜に由来する
反応生成物であるポリマーが生成されている。

【００２９】以下の各実施形態における基板処理とは前
記ポリマーが生成された基板からポリマーを除去するポ
リマー除去処理である。

【００３０】また、以下、基板から脱落したポリマーを
汚染物質と表記する場合もある。

【００３１】また、以下の実施形態における除去液とは
ポリマー除去液である。ポリマー除去液はポリマーのみ
を選択的に除去する液であり、ジメチルスルホキシド、
ジメチルホルムアミド等、有機アミンを含む有機アミン
系除去液、フッ化アンモンを含むフッ化アンモン系除去
液、無機系の除去液がある。

【００３２】有機アミン系の除去液としてはモノエタノ
ールアミンと水とアロマティックトリオールとの混合溶
液、２−（２−アミノエトキシ）エタノールとヒドロキ
シアミンとカテコールとの混合溶液、アルカノールアミ
ンと水とジアルキルスルホキシドとヒドロキシアミンと
アミン系防食剤の混合溶液、アルカノールアミンとグラ
イコールエーテルと水との混合溶液、ジメチルスルホキ
シドとヒドロキシアミンとトリエチレンテトラミンとピ
ロカテコールと水の混合溶液、水とヒドロキシアミンと
ピロガロールとの混合溶液、２−アミノエタノールとエ
ーテル類と糖アルコール類との混合溶液、２−（２−ア
ミノエトキシ）エタノールとＮとＮ−ジメチルアセトア
セトアミドと水とトリエタノールアミンとの混合溶液が
ある。

【００３３】フッ化アンモン系の除去液としては、有機
アルカリと糖アルコールと水との混合溶液、フッ素化合
物と有機カルボン酸と酸・アミド系溶剤との混合溶液、
アルキルアミドと水とフッ化アンモンとの混合溶液、ジ
メチルスルホキシドと２−アミノエタノールと有機アル
カリ水溶液と芳香族炭化水素との混合溶液、ジメチルス
ルホキシドとフッ化アンモンと水との混合溶液、フッ化
アンモンとトリエタノールアミンとペンタメチルジエチ
レントリアミンとイミノジ酢酸と水の混合溶液、グリコ
ールと硫酸アルキルと有機塩と有機酸と無機塩の混合溶
液、アミドと有機塩と有機酸と無機塩との混合溶液、ア
ミドと有機塩と有機酸と無機塩との混合溶液がある。

【００３４】無機系の除去液としては水と燐酸誘導体と
の混合溶液がある。

【００３５】また、ここでいう有機溶剤は親水性の有機
溶剤であり、水溶性の有機溶剤である。詳述すると、水
と混合し、その混合物の沸点を下げる液体である。ここ
ではケトン類、エーテル類、多価アルコールを使用する
ことができる。例えば、ケトン類としては、アセトン、
ジエチルケトンが使用でき、エーテル類としてはメチル
エーテル、エチルエーテルが使用でき、多価アルコール
としてはエチレングリコールを使用することができる。
なお、金属等の不純物の含有量が少ないものが市場に多
く提供されている点などからすると、イソプロピルアル
コール（ＩＰＡ）を使用するのが最も好ましく、本実施
形態では、ＩＰＡが使用される。

【００３６】＜第１実施形態＞ ＜１．全体構成＞図１は本発明の第１実施形態に係る基
板処理装置１の平面図である。基板処理装置１は、搬入
搬出部３と、回転処理部５と、インタフェース７と、乾
燥処理部９とを一列に並べて配列した状態で有する。

【００３７】搬入搬出部３は、未処理の基板Ｗを収容し
たキャリアＣが載置される搬入部３１と、処理済みの基
板Ｗを収容したキャリアＣが載置される搬出部３３と、
受渡し部３５とを有する。

【００３８】搬入部３１はテーブル状の載置台を有し、
装置外の搬送機構によってキャリアＣが２個、搬入され
る。キャリアＣは例えば２５枚の基板Ｗを水平姿勢で互
いに間隔を空けて垂直方向に並べた状態で保持する。搬
出部３３もテーブル状の載置台を有し、該載置台に２個
のキャリアＣが載置され、該２個のキャリアＣは装置外
の搬送機構によって搬出される。

【００３９】受渡し部３５は搬入部３１、搬出部３３の
キャリアＣの並び方向に沿って移動し、かつキャリアＣ
に対して基板Ｗを搬入、搬出する搬入搬出機構３７と、
第１受渡し台３９とを有する。搬入搬出機構３７は、図
示を省略する搬入搬出用アームを備え、水平方向に沿っ
た移動の他に鉛直方向を軸とする回転動作や鉛直方向に
沿った昇降動作や該搬入搬出用アームの進退動作を行う
ことができる。これにより、搬入搬出機構３７はキャリ
アＣに対して基板Ｗの搬出入を行うとともに、第１受渡
し台３９に対して基板Ｗを授受する。

【００４０】回転処理部５は搬入搬出部３に隣接して設
けられ、基板Ｗを収容して反応生成物の除去処理を施す
４つの回転処理ユニット５１と、第１受渡し台３９およ
び第２受渡し台７１に対して基板Ｗを授受するととも
に、４つの回転処理ユニット５１に対して基板Ｗを授受
する第１基板搬送機構５３とを有している。

【００４１】回転処理ユニット５１は搬入搬出部３のキ
ャリアＣの並び方向と直交する方向に沿って２つ並ぶこ
とで回転処理ユニット５１の列を形成し、この回転処理
ユニット５１の列が間隔を開けて合計２列、キャリアＣ
の並び方向に沿って並んでいる。そして、前記回転処理
ユニット５１の列と列との間隔に第１基板搬送機構５３
が設けられている。なお、回転処理ユニット５１の詳細
についてはさらに後述する。

【００４２】第１基板搬送機構５３は、搬送アーム５３
ａを備えるとともに、水平方向に沿った移動、鉛直方向
を軸とする回転動作、鉛直方向に沿った昇降動作および
搬送アーム５３ａの進退動作を行うことができる。これ
により、第１基板搬送機構５３は、回転処理ユニット５
１の列と列との間隔に沿って走行し、各回転処理ユニッ
ト５１に対して基板Ｗを授受するとともに、第１受渡し
台３９に対して基板Ｗを授受する。また、第１基板搬送
機構５３は後述の第２受渡し台７１に対しても基板Ｗを
授受する。

【００４３】インタフェース７は回転処理部５と乾燥処
理部９とに挟み込まれるようにして設けられ、基板Ｗが
載置される第２受渡し台７１を有する。

【００４４】乾燥処理部９はインタフェース７に隣接し
て設けられ、基板Ｗを収容して乾燥処理を行う４つの乾
燥ユニット９１と、第２受渡し台７１に対して基板Ｗを
授受するとともに、４つの乾燥ユニット９１に対して基
板Ｗを授受する第２基板搬送機構９３とを有している。

【００４５】乾燥ユニット９１は搬入搬出部３のキャリ
アＣの並び方向と直交する方向において２つ並ぶことで
乾燥ユニット９１の列を形成し、この乾燥ユニット９１
の列が間隔を開けて合計２列、キャリアＣの並び方向に
沿って並んでいる。そして、前記乾燥ユニット９１の列
と列との間隔に第２基板搬送機構９３が設けられてい
る。なお、乾燥ユニット９１の詳細についてはさらに後
述する。

【００４６】第２基板搬送機構９３は、搬送アーム９３
ａを備えるとともに、水平方向に沿った移動、鉛直方向
を軸とする回転動作、鉛直方向に沿った昇降動作および
搬送アーム９３ａの進退動作を行うことができる。これ
により、第２基板搬送機構９３は、乾燥ユニット９１の
列と列との間隔に沿って走行し、各乾燥ユニット９１に
対して基板Ｗを授受するとともに、第２受渡し台７１に
対して基板Ｗを授受する。

【００４７】＜２．回転処理ユニット＞次に図２に従い
回転処理ユニット５１について説明する。なお、図２は
回転処理ユニット５１の構成を示す図である。

【００４８】回転処理ユニット５１は、１枚の基板Ｗを
水平状態に保持して回転する基板保持手段６１と、保持
された基板Ｗの周囲を取り囲むカップ６２と、保持され
た基板Ｗに除去液を供給する除去液供給手段６３と、保
持された基板Ｗに純水を供給する純水供給手段６４と、
基板保持手段６１に保持されている基板Ｗを収容するチ
ャンバ６５とを有する。また、回転処理ユニット５１
は、チャンバ６５に対して基板を搬出入するための搬出
入口５８から進入する光を遮光するためのシャッタ５９
と、チャンバ６５の内部を照明するランプ１５と、チャ
ンバ６５の内部を観察するための観察窓２１とを備えて
いる。なお、カップ６２は不図示の機構で昇降する。

【００４９】チャンバ６５は、基板Ｗを収容して反応生
成物の除去処理を行うための処理室である。チャンバ６
５は、光を透過しない遮光材料によって構成されてい
る。チャンバ６５の側壁（第１基板搬送機構５３側の側
壁）には、チャンバ６５に対して基板Ｗを搬出入するた
めの搬出入口５８が設けられている。なお、チャンバ６
５内は常に常圧の状態である。なお、チャンバ６５内の
雰囲気は不図示の排気機構によって、装置外の所定の排
気ダクトへ排出されている。このため、処理液のミスト
や蒸気などを含んだ雰囲気がチャンバ６５から漏出する
ことが防止されている。

【００５０】また、チャンバ６５にはシャッタ５９が設
けられている。シャッタ５９は、図２中矢印ＡＲ２１に
て示すように、シャッタ開閉機構５７によって昇降自在
とされている。シャッタ開閉機構５７がシャッタ５９を
上昇させているときには、シャッタ５９が搬出入口５８
を閉鎖する。シャッタ５９も光を透過しない遮光材料に
よって構成されており、シャッタ５９が搬出入口５８を
閉鎖しているときには、搬出入口５８からチャンバ６５
の内部に進入する光を遮光することができる。一方、シ
ャッタ開閉機構５７がシャッタ５９を下降させていると
きには、搬出入口５８が開放される。搬出入口５８が開
放されているときには、第１基板搬送機構５３が搬出入
口５８からチャンバ６５内に基板Ｗを搬入または搬出す
ることができる。なお、後述するように、少なくとも除
去液によって反応生成物の除去処理を行っている間は、
シャッタ５９によって搬出入口５８を閉鎖するようにし
ている。

【００５１】基板保持手段６１は、チャンバ６５の外部
に設けられたモータ６６と、モータ６６に駆動されるこ
とによって垂直方向に沿った軸を中心に回転するチャッ
ク６７とを有する。

【００５２】なお、基板保持手段６１はチャンバ６５内
に設けられているが、チャンバ６５内は減圧されるわけ
ではない。本基板処理装置１において、内部が減圧され
るのは後述の密閉チャンバ８６であるので、基板保持手
段６１は密閉チャンバ８６の外に設けられていることに
なる。

【００５３】カップ６２は上面視略ドーナツ型で中央の
開口にチャック６７が通過可能な開口を有している。ま
た、カップ６２は回転する基板Ｗから飛散する液体（例
えば除去液や純水）を捕集するとともに下部に設けられ
ている排液口６８から捕集した液体を排出する。排液口
６８にはドレン７０へ通ずるドレン配管６９が連通接続
され、該ドレン配管６９の途中にはドレン配管６９の管
路を開閉するドレン弁７２が設けられている。ドレン弁
７２を開放することによって、排液口６８からドレン７
０へと液体を排出することができる。

【００５４】除去液供給手段６３はチャンバ６５の外部
に設けられたモータ７３と、モータ７３によって回動す
るアーム７４と、アーム７４の先端に設けられ除去液を
下方に吐出する除去液ノズル７５と、除去液ノズル７５
に向って除去液を供給する除去液源７６とを有する。ま
た、除去液ノズル７５と除去液源７６とは管路によって
連通接続され、該管路には除去液弁７７が設けられてい
る。なお、モータ７３を昇降させることで除去液ノズル
７５を昇降させる不図示の昇降手段が設けられている。

【００５５】このモータ７３を駆動することによって、
除去液ノズル７５は基板Ｗの回転中心の上方の吐出位置
とカップ６２外の待機位置との間で往復移動する（図１
参照）。

【００５６】純水供給手段６４は、チャンバ６５の外部
に設けられたモータ７８と、モータ７８によって回動す
るアーム７９と、アーム７９の先端に設けられ純水を下
方に吐出する純水ノズル８１と、純水ノズル８１に向っ
て純水を供給する純水源８２とを有する。また、純水ノ
ズル８１と純水源８２は管路によって連通接続され、該
管路には純水弁８３が設けられている。なお、モータ７
８を昇降させることで純水ノズル８１を昇降させる不図
示の昇降手段が設けられている。

【００５７】このモータ７８を駆動することによって、
純水ノズル８１は基板Ｗの回転中心の上方の吐出位置と
カップ６２外の待機位置との間で往復移動する。

【００５８】チャンバ６５の側壁（第１基板搬送機構５
３と反対側の側壁）には、チャンバ６５の内部を観察す
るための観察窓２１が設けられている。また、チャンバ
６５には観察窓２１を開閉するための観察扉２２が設け
られている。観察扉２２は図２中矢印ＡＲ２２にて示す
ように開閉可能とされており、観察扉２２が図中実線位
置にあるときは観察窓２１が開放状態とされ、図中二点
差線位置にあるときは観察窓２１が閉鎖状態とされる。
観察扉２２も光を透過しない遮光材料によって構成され
ており、観察扉２２が観察窓２１を閉鎖しているときに
は、観察窓２１からチャンバ６５の内部に進入する光を
遮光することができる。

【００５９】一方、観察扉２２が観察窓２１を開放して
いるときには、オペレータが観察窓２１からチャンバ６
５の内部を観察することができる。なお、チャンバ６５
には開閉ロック機構２３が設けられている。開閉ロック
機構２３は、観察窓２１が閉鎖されているときに観察扉
２２を図中二点差線位置に固定する機能、すなわち観察
窓２１の開放を禁止する機能を有する。具体的には、例
えば観察扉２２がステンレス製であるときには電磁石を
作動させて観察窓２１の開放を禁止するようにすれば良
い。また、開閉ロック機構２３は、機械的に観察窓２１
の開放を禁止するようにしても良い。

【００６０】また、開閉ロック機構２３には、光センサ
ーが内蔵されており、観察窓２１の開閉状態を検出する
ことができる。

【００６１】また、チャンバ６５の内側天井部分には、
チャンバ６５の内部を照明するランプ１５が設けられて
いる。ランプ１５を点灯させた状態にて観察窓２１を開
放することにより、ダミーランニング等の際にオペレー
タは観察窓２１からチャンバ６５の内部を観察すること
ができ、例えば除去液ノズル７５から基板Ｗの回転中心
に正確に除去液が吐出されているか否かを確認すること
ができる。

【００６２】さらに、回転処理ユニット５１はチャンバ
６５の外部にコントローラ１９を備えている。コントロ
ーラ１９は、少なくともシャッタ開閉機構５７、ランプ
１５、開閉ロック機構２３および除去液弁７７と電気的
に接続されており、これらの動作を制御する。その具体
的な制御態様についてはさらに後述する。また、コント
ローラ１９に、モータ６６，７３，７８等を制御させて
回転処理ユニット５１全体の動作を管理させるようにし
ても良い。

【００６３】＜３．乾燥ユニット＞図３は乾燥ユニット
９１の構成を示す図である。乾燥ユニット９１はフレー
ム８５上に設けられた気密の密閉チャンバ８６と、密閉
チャンバ８６内に上部が配され、温度調節機構を持つ温
調プレート８７と、密閉チャンバ８６内の圧力を低下さ
せる減圧手段９０と、減圧された密閉チャンバ８６内の
圧力を常圧に戻す常圧開放手段４０と、密閉チャンバ８
６内に有機溶剤の蒸気を供給する溶剤蒸気供給手段８０
とを有する。なお減圧手段９０はポンプ８４と、ポンプ
８４と密閉チャンバ８６とを連通させている管路とを有
する。

【００６４】密閉チャンバ８６にはシャッタ９６が設け
られており、第２基板搬送機構９３が密閉チャンバ８６
内に基板Ｗを搬入または搬出する場合には開放され、そ
れ以外のときは閉止されて密閉チャンバ８６の気密性を
保持する。また、密閉チャンバ８６の下部には排気口８
９が設けられており、該排気口８９は管路でポンプ８４
に通じている。ポンプ８４は密閉チャンバ８６内の雰囲
気を排気することで密閉チャンバ８６内の圧力を低下さ
せる。

【００６５】密閉チャンバ８６内には温調プレート８７
が突出して設けられている。温調プレート８７は内部に
加熱または冷却機構を有しており、基板Ｗの温度を調節
する。また、温調プレート８７には基板Ｗが載置される
ピン８８が３本設けられており、第２基板搬送機構９３
との間で基板Ｗを授受するときは上昇し、基板Ｗに乾燥
処理を施すときは下降する。なお、ピン８８が下降して
乾燥処理を施すときは、ピン８８の頂部は温調プレート
８７の上面よりも若干突出しており、基板Ｗと温調プレ
ート８７との間には微少な間隔が存在する。

【００６６】溶剤蒸気供給手段８０は密閉チャンバ８６
内に溶剤蒸気（ここではＩＰＡ＝イソプロピルアルコー
ル）を供給する溶剤蒸気供給ノズル９２と、溶剤蒸気供
給ノズル９２に対して溶剤蒸気を送り出す溶剤蒸気源９
５と、溶剤蒸気源９５と溶剤蒸気供給ノズル９２とを連
通接続する溶剤管路９７に設けられた溶剤弁９４とを有
する。なお、ここで言う溶剤蒸気とは微細な液滴から構
成される霧状の有機溶剤および、気体の有機溶剤の両方
を含む。このため溶剤蒸気源９５は溶剤蒸気発生手段と
して、液体のＩＰＡに超音波を付与して溶剤蒸気を得る
超音波気化手段や液体のＩＰＡを加熱して溶剤蒸気を得
る加熱気化手段や、液体のＩＰＡに窒素などの不活性ガ
スの気泡を通して溶剤蒸気を得るバブリング気化手段を
含む。

【００６７】密閉チャンバ８６には不活性ガス（ここで
は窒素ガス）の供給源であるＮ₂源９９から導かれるガ
ス管路９８が連通接続されている。また、ガス管路９８
の途中にはガス管路９８の流路を開閉するガス弁９３が
設けられている。なお密閉チャンバ８６内の圧力を常圧
にする常圧開放手段４０は前記ガス管路９８とガス弁９
３とＮ₂源９９とを有する。

【００６８】＜４．処理内容＞次に前記基板処理装置１
を用いた基板処理方法について説明する。本基板処理方
法は以下の除去液供給工程、純水供給工程、液切り工
程、乾燥工程からなる。

【００６９】まず、キャリアＣに収容された基板Ｗが搬
入部３１に搬入される。この基板Ｗは薄膜を有し、該薄
膜はパターン化されたレジスト膜をマスクとしてドライ
エッチングを施されている。これにより、該基板Ｗには
レジスト膜や薄膜に由来する反応生成物（ポリマー）が
付着している（図１１参照）。

【００７０】搬入部３１のキャリアＣから搬入搬出機構
３７により基板Ｗが１枚取り出され、第１受渡し台３９
に載置される。第１受渡し台３９に載置された基板Ｗは
第１基板搬送機構５３により持ち出され、４つの回転処
理ユニット５１のうちの所定の１つに搬入される。回転
処理ユニット５１ではシャッタ５９を下降させて搬出入
口５８を開放し、第１基板搬送機構５３が搬送してきた
基板Ｗをチャック６７にて受取り保持する。基板Ｗを受
けとった回転処理ユニット５１では基板保持手段６１が
基板を保持する。またドレン弁７２は開放しておく。

【００７１】次に、基板保持手段６１はモータ６６を回
転させて基板Ｗを回転させる。そして、基板Ｗが所定の
回転数に達すると除去液供給工程が実行される。除去液
供給工程ではモータ７３が回動して待機位置にある除去
液ノズル７５が吐出位置に移動する。そして、除去液弁
７７を開放して除去液ノズル７５から基板Ｗに除去液を
供給する。基板Ｗに供給された除去液は基板Ｗの外に落
下してカップ６２にて集められ、ドレン配管６９を通じ
てドレン７０に排出される。所定時間、除去液を供給す
ると除去液弁７７を閉止し、除去液ノズル７５を待機位
置に戻す。

【００７２】この除去液供給工程では基板Ｗに供給され
た除去液が基板上の反応生成物に作用するため、基板上
の反応生成物は基板から脱落しやすくなる。このため、
反応生成物は基板Ｗの回転や除去液の供給により、徐々
に基板Ｗ上から除去されていく。

【００７３】また、除去液供給工程では、少なくとも除
去液によって反応生成物の除去処理を行っている間は、
コントローラ１９がシャッタ開閉機構５７を制御してシ
ャッタ５９によって搬出入口５８を閉鎖するとともに、
ランプ１５を消灯する。さらに、少なくとも除去液によ
って反応生成物の除去処理を行っている間は、コントロ
ーラ１９が開閉ロック機構２３を制御して観察窓２１の
開放を禁止するようなインターロックをかけている。こ
のため、少なくとも除去液によって基板上の反応生成物
の除去処理を行っている間は、シャッタ５９によって搬
出入口５８が遮光されるとともに、観察窓２１も遮光さ
れることとなり、チャンバ６５内が暗室とされている。

【００７４】従って、基板処理装置１では、除去液を使
用した反応生成物の除去処理時に光を触媒とした悪影響
を防止することができるのである。

【００７５】また、少なくとも除去液によって反応生成
物の除去処理を行っている間は、観察窓２１の開放を禁
止するようなインターロックがかけられているため、オ
ペレータが不用意に観察窓２１を開けようとしても観察
窓２１が開放されることはなく、チャンバ６５への遮光
は維持されることとなり、光を触媒とした悪影響を確実
に防止することができる。

【００７６】一方、これとは逆に、少なくとも観察窓２
１が開放されている間は、基板Ｗへの除去液供給を禁止
するようにしている。具体的には、観察窓２１が開放さ
れていることを検知した開閉ロック機構２３からその旨
の信号をコントローラ１９が受信している間は、コント
ローラ１９が除去液弁７７を閉鎖して除去液ノズル７５
からの除去液の供給を禁止するようなインターロックを
かけている。従って、観察窓２１が開放されてチャンバ
６５内に光が進入している状態で除去処理が行われるこ
とがなく、除去処理時の光を触媒とした悪影響を防止す
ることができる。

【００７７】また、同様に、少なくともランプ１５が点
灯している間は、基板Ｗへの除去液供給を禁止するよう
にしている。具体的には、ランプ１５が点灯している間
は、コントローラ１９が除去液弁７７を閉鎖して除去液
ノズル７５からの除去液の供給を禁止するようなインタ
ーロックをかけている。従って、ランプ１５が点灯して
チャンバ６５内が照明されている状態で除去処理が行わ
れることがなく、除去処理時の光を触媒とした悪影響を
防止することができる。

【００７８】さらに、観察窓２１の開閉とランプ１５の
点灯消灯が連動するようにされている。すなわち、観察
窓２１はダミーランニング等の際にオペレータがチャン
バ６５の内部を観察するために設けられているものであ
り、観察窓２１が開放されているときにはチャンバ６５
内部を照明して視認可能とする必要がある。逆に、観察
窓２１が閉鎖されているときはチャンバ６５内部の照明
は不要であり、特に反応生成物の除去処理中は照明を行
ってはならない。従って、観察窓２１が開放されている
ときにはコントローラ１９がランプ１５を点灯（能動状
態）するようにし、観察窓２１が閉鎖されているときに
はコントローラ１９がランプ１５を消灯（非能動状態）
するように制御しているのである。

【００７９】次に純水供給工程が実行される。純水供給
工程ではモータ７８が回動して待機位置にある純水ノズ
ル８１が吐出位置に移動する。そして、純水弁８３を開
放して純水ノズル８１から基板Ｗに純水を供給する。基
板Ｗに供給された純水は基板Ｗの外に落下してカップ６
２にて集められ、ドレン配管６９を通じてドレン７０に
排出される。所定時間、純水を供給すると純水弁８３を
閉止し、純水ノズル８１を待機位置に戻す。

【００８０】この純水供給工程では基板Ｗに供給された
純水が除去液や溶解された反応生成物などの汚染物質を
基板Ｗ上から洗い流す。

【００８１】次に液切り工程が実行される。液切り工程
では基板Ｗを高速で回転させることにより、基板Ｗ上に
ある液体を振切る。これにより、基板Ｗがほぼ乾燥す
る。

【００８２】回転処理ユニット５１で処理が完了する
と、シャッタ５９を下降させて搬出入口５８を開放し、
第１基板搬送機構５３によって基板Ｗが搬出される。そ
して、第１基板搬送機構５３は第２受渡し台７１に基板
Ｗを載置する。次に、該基板Ｗは第２基板搬送機構９３
により第２受渡し台７１から持ち出され、いずれかの乾
燥ユニット９１に搬入される。乾燥ユニット９１ではシ
ャッタ９６を開放し、第２基板搬送機構９３は上昇した
状態のピン８８に基板Ｗを載置する。そして、シャッタ
９６を閉止して密閉チャンバ８６の気密性を確保する。

【００８３】続いて乾燥ユニット９１では乾燥処理を実
行する。乾燥処理は後述の温調工程、置換工程、減圧工
程、ガス供給工程、溶剤供給工程、常圧開放工程とを含
む乾燥工程により実行される。

【００８４】まず、基板Ｗが密閉チャンバ８６内に搬入
される前に温調プレート８７を乾燥温度にしておく。な
お、ここでの乾燥温度とは有機溶剤の発火点以下の温度
であり、ここでは有機溶剤としてＩＰＡを使用している
ことを勘案して３０度以上４０度以下の温度に設定して
ある。また、基板Ｗが搬入されるよりも前に温調プレー
ト８７の温調制御を行い、温調プレート８７を所定の温
度にしているのでスループットの低下を防止できる。

【００８５】そして、ピン８８を下降させ基板Ｗと温調
プレート８７とを近接させ、基板Ｗを加熱する温調工程
を実施する。

【００８６】また、シャッタ９６の閉止後、ポンプ８４
を駆動して密閉チャンバ８６内の雰囲気を排気するとと
もに、ガス弁９３を開いて密閉チャンバ８６内に窒素ガ
スを導入する。これにより、密閉チャンバ８６内の雰囲
気を大気雰囲気から窒素雰囲気に置換する置換工程が実
行される。

【００８７】次に、ポンプ８４の駆動を続行しながら、
ガス弁９３を閉じて密閉チャンバ８６内への窒素ガスの
供給を停止することで、密閉チャンバ８６内の圧力を減
じていく。これにより、密閉チャンバ８６内の気圧を常
圧（１０１３２５Ｐａ）よりも下げる減圧工程が実行さ
れる。ここでは密閉チャンバ８６内の圧力が６６６．５
Ｐａ〜６６６５Ｐａ、好ましくは６６６．５Ｐａ〜２６
６６Ｐａにされる。

【００８８】また、ガス弁９３を閉じたとき以降に、ポ
ンプ８４の駆動を続行しながら、溶剤弁９４を開放す
る。これにより、溶剤蒸気ノズル９２から密閉チャンバ
８６内に有機溶剤を供給する溶剤供給工程を実行する。
所定時間、溶剤弁９４を開放した後、溶剤弁９４を閉止
する。

【００８９】溶剤弁９４の閉止以降、ポンプ８４の駆動
を続行しながら、再びガス弁９３を開放する。これによ
り、密閉チャンバ８６を常圧に戻す常圧開放工程が実行
される。また所定時間後、ガス弁９３を開放した状態
で、ポンプ８４の駆動を停止し、その後、ガス弁９３を
閉止し、乾燥工程を終了する。

【００９０】ここでは、温調工程によって基板Ｗが加熱
されるので、基板Ｗ上に残存する水分が蒸発しやすい。
しかも、減圧工程で基板Ｗ周囲の気圧が低下している。
このため、液体の沸点が低下するので、基板Ｗ上に残存
する純水がより容易に蒸発する。

【００９１】さらに、減圧工程中に基板Ｗに有機溶剤の
蒸気が供給される。これにより、有機溶剤は基板Ｗ上に
残存する水分と混合する。この、水と有機溶剤との混合
物は水よりも沸点が低いため、容易に基板Ｗから蒸発
し、基板Ｗから水分を奪うことができる。しかも、温調
工程で基板Ｗが加熱され、かつ減圧工程で基板Ｗ周囲の
気圧が低下していることから、前記水と有機溶剤との混
合物は短時間で容易に蒸発する。従って、基板Ｗを極め
て確実に乾燥させることができる。

【００９２】なお、上記乾燥工程を減圧工程と常圧開放
工程とで実行してもよい。この場合は基板Ｗ周囲の気圧
低下により、基板Ｗに残存する水分の沸点が低下し、容
易に水分が蒸発して乾燥を実行できる。

【００９３】また、上記乾燥工程を減圧工程と溶剤供給
工程と、常圧開放工程とで実行してもよい。この場合は
基板上の水と有機溶剤との混合物が生成されるが、該混
合物は水よりも沸点が低いため容易に蒸発する。しかも
基板Ｗ周囲の気圧低下により沸点が低下しているのでさ
らに短時間で確実に水分を蒸発させることができる。

【００９４】また、上記乾燥工程を減圧工程と温調工程
と、常圧開放工程とで実行してもよい。この場合は基板
上の水分が温調工程で加熱されているとともに周囲の気
圧が低下していることから該水分が短時間で確実に蒸発
する。

【００９５】また、上記乾燥工程を溶剤供給工程のみで
実行してもよい。この場合は基板上の水と有機溶剤との
混合物が生成されるが、該混合物は水よりも沸点が低い
ため容易に蒸発する。よって、短時間で確実に基板Ｗを
乾燥させることができる。

【００９６】また、上記乾燥工程を温調工程と、溶剤供
給工程とで実行してもよい。この場合は基板上の水と有
機溶剤との混合物が生成されるが、該混合物は水よりも
沸点が低いため容易に蒸発する。しかも温調工程によっ
て該混合物が加熱されているので該混合物が容易に沸点
に達し蒸発する。これにより、短時間で確実に基板Ｗを
乾燥させることができる。

【００９７】乾燥ユニット９１での乾燥処理が完了すれ
ば、基板処理が全て完了するので当該処理済みの基板Ｗ
を搬出部３３に向って搬送する。

【００９８】これにはまず、乾燥ユニット９１のピン８
８を上昇させるとともにシャッタ９６を開放する。そし
て、第２基板搬送機構９３で乾燥ユニット９１から基板
Ｗを搬出する。次に第２基板搬送機構９３は基板Ｗを第
２受渡し台７１に載置する。

【００９９】そして、第１基板搬送機構５３が第２受渡
し台７１上の基板Ｗを持ち出し、第１受渡し台３９に載
置する。第１受渡し台３９に載置された基板Ｗは搬入搬
出機構３７によって持ち出され、搬出部３３に載置され
ているキャリアＣに搬入される。

【０１００】なお、第１受渡し台３９および第２受渡し
台７１を例えば多段の載置台など、複数の基板載置手段
で構成すれば、処理済みの基板Ｗと未処理の基板Ｗとが
同時にインタフェース７に存在することができるのでス
ループットの低下を防止できる。

【０１０１】＜５．第１実施形態の変形例＞以上、本発
明の実施の形態について説明したが、この発明は上記の
例に限定されるものではない。例えば、上記実施形態に
おいては、レジスト膜をマスクとして基板の表面に存在
する薄膜をドライエッチングするドライエッチング工程
を経た基板に対して、ドライエッチング時に生成された
反応生成物であるポリマーを除去することを開示した
が、本発明はドライエッチング時に生成されたポリマー
が存在する基板から前記ポリマーを除去することに限定
されるものではない。

【０１０２】例えば、本発明はプラズマアッシングの際
に生成されたポリマーを基板から除去する場合も含む。
よって、本発明は、必ずしもドライエッチングとは限ら
ない各種処理において、レジストに起因して生成された
ポリマーを基板から除去する場合も含む。

【０１０３】また、本発明は、ドライエッチングや、プ
ラズマアッシングによる処理で生成されるポリマーだけ
を除去することに限定されるものではなく、レジストに
由来する各種反応生成物を基板から除去する場合も含
む。

【０１０４】また、本発明ではレジストに由来する反応
生成物を基板から除去することに限らず、レジストその
ものを基板から除去する場合も含む。

【０１０５】例えば、レジストが塗布され、該レジスト
に配線パターン等の模様が露光され、該レジストが現像
され、該レジストの下層に対して下層処理（例えば下層
としての薄膜に対するエッチング）が施された基板を対
象とし、下層処理が終了して、不要になったレジスト膜
を除去する場合も含まれる。

【０１０６】なお、この場合、不要になったレジスト膜
を除去するのと同時に、レジスト膜が変質して生じた反
応生成物があればこれも同時に除去できるので、スルー
プットが向上するとともに、コストを削減できる。例え
ば、上記下層処理において、下層である薄膜に対してド
ライエッチングを施した場合は反応生成物も生成され
る。よって、ドライエッチング時に下層をマスクするこ
とに供されたレジスト膜そのもの、および、レジスト膜
が変質して生じた反応生成物も同時に除去できる。

【０１０７】また、本発明はレジストに由来する反応生
成物やレジストそのものを基板から除去することに限ら
ず、レジストに由来しない有機物、例えば人体から発塵
した微細な汚染物質などを該有機物の除去液によって基
板から除去することも含む。

【０１０８】また、上記実施形態においては、コントロ
ーラ１９によるインターロック、すなわちソフトウェア
によるインターロックをかけるようにしていたが、これ
に限らず電気回路を用いたハードウェアによるインター
ロックをかけるようにしても良い。

【０１０９】また、上記実施形態においては、乾燥ユニ
ット９１にて最終の乾燥処理を行うようにしていたが、
乾燥ユニット９１は必須のものではなく、例えば回転処
理ユニット５１に減圧機能を付与して該回転処理ユニッ
ト５１にて最終の乾燥処理を行うようにしても良い。ま
た、回転処理ユニット５１において純水による洗浄処理
を行うときにも、チャンバ６５内を暗室にするようにし
ても良い。すなわち、本発明に係る基板処理装置は、ポ
リマー等の有機物を除去液を使用して除去する装置であ
って、少なくとも除去液によってそのような有機物の除
去処理を行っている間は、除去処理を行う処理室を暗室
にする形態のものであれば良い。

【０１１０】＜第２実施形態＞図４は本発明の第２実施
形態に係る基板処理装置の平面的構成を示す図であり、
図５は図４の基板処理装置の縦断面的構成を示す図であ
る。本実施形態に係る基板処理装置１０１が前述の第１
実施形態に係る基板処理装置１と大きく異なる点は、
回転処理部５および乾燥処理部９を収容する処理部１０
３と、搬入搬出部３との間に中継部１０５を介設した
点、中継部１０５の両側にシャッタ１０７，１０９を
設けた点、乾燥処理部９を回転処理部５の上側に配置
し、インタフェース７を省略した点、および乾燥処理
部９の構成を変更した点のみであり、それ以外の部分に
ついてはほぼ同一の構成であり、互いに対応する部分に
は同一の参照符号を付して説明を省略する。なお、本実
施形態では、搬入搬出部３に設けられていた前述の受渡
し台３９が省略され、中継部１０５の後述する基板受渡
し機構１１９がその受渡し台３９の機能を担っている。

【０１１１】この基板処理装置１０１は、キャリアＣと
して透明性の高いＦＯＵＰカセットが使用されることを
想定したものであり、図４の矢印Ａで示すように、その
透明性の高いキャリアＣを介して、基板処理装置１０１
の基板の搬送路内に進入した光が、その搬送路を介して
遮光領域である処理部１０３内に進入するのをシャッタ
１０７，１０９により防止する。

【０１１２】処理部１０３は、図４および図５に示すよ
うに、その内部を遮光する容体１１１内に、前述の４つ
の回転処理ユニット５１と、前述の基板搬送機構５３
と、４つの乾燥ユニット１１３と、複数（例えば、２
つ）の温度調節ユニット１１５とを備えている。回転処
理ユニット５１は、第１実施形態と同様に基板搬送機構
５３の両側に２つずつ配設されている。乾燥ユニット１
１３は、回転処理ユニット５１の上側における中継部１
０５から見て奥側の領域に、基板搬送機構５３を挟んで
左右に２つずつ２段重ねで配設されている。温度調節ユ
ニット１１５は、回転処理ユニット５１の上側における
中継部１０５から見て手前側の領域に、基板搬送機構５
３を挟んで左右に分散して配設されている。なお、処理
部１０３内に設けられる回転処理ユニット５１、乾燥ユ
ニット１１３および温度調節ユニット１１５等の設置数
や配置位置等は、図４および図５の構成に限定するもの
でなく、多様な構成が採用可能である。

【０１１３】回転処理ユニット５１の構成、機能および
動作は、前述の第１実施形態の場合と同様である。基板
搬送機構５３は、前述の第１実施形態に係る構成と同様
であるが、本実施形態では、処理部１０３と中継部１０
５との間の基板Ｗの受渡し、および各ユニット５１，１
１３，１１５間の基板Ｗの搬送を行うようになってい
る。

【０１１４】乾燥ユニット１１３は、回転処理ユニット
５１によるポリマー除去処理後の基板Ｗに対して乾燥処
理を行うためのものであり、そのチャンバ内に温度調節
機構を持つ温調プレート１１３ａを備えて構成されてい
る。そして、基板搬送機構５３により温調プレート１１
３ａ上にセットされた基板Ｗを温調プレート１１３ａに
より昇温し、基板Ｗに付着している水分等を蒸発させて
乾燥する。なお、乾燥ユニット１１３の代わりに、前述
の第１実施形態に係る乾燥ユニット９１を備えるように
してもよい。

【０１１５】温度調節ユニット１１５は、乾燥ユニット
１１３による乾燥処理後の基板Ｗの温度調節（より具体
的には冷却）を行うためのものであり、そのチャンバ内
に温度調節のための温調プレート１１５ａを備えて構成
されている。そして、基板搬送機構５３により温調プレ
ート１１５ａ上にセットされた基板Ｗに対して温調プレ
ート１１５ａにより温度調節を行う。

【０１１６】中継部１０５は、図４に示すように、搬入
搬出部３と処理部１０３との間に介設され、その内部を
遮光する容体１１７内に、この中継部１０５と搬入搬出
部３および処理部１０３との間で基板Ｗの受渡しを行う
基板受渡し機構１１９を備えている。この基板受渡し機
構１１９の詳細な構成については後述する。

【０１１７】搬入搬出部３と中継部１０５との間の隔壁
部１２１には、図４および図６に示すように、基板Ｗの
搬出入のための開口部（ゲート部）１２３が設けられて
いる。その開口部１２３には、その開口部１２３を介し
て中継部１０５内に進入する光を遮光するシャッタ１０
７が設けられている。シャッタ１０７で開口部１２３を
閉鎖することにより、開口部１２３を介して中継部１０
５内に進入する光を遮光して中継部１０５内を暗室化す
ることができる。

【０１１８】また、中継部１０５と処理部１０３との間
の隔壁部１２５には、図４および図６に示すように、基
板Ｗの搬出入のための開口部（ゲート部）１２７が設け
られている。その開口部１２７には、その開口部１２７
を介して処理部１０３内に進入する光を遮光するシャッ
タ１０９が設けられている。シャッタ１０９で開口部１
２７を閉鎖することにより、開口部１２７を介して処理
部１０３内に進入する光を遮光して処理部１０３内を暗
室化することができる。

【０１１９】ここで、開口部１２３と開口部１２７との
間の距離は、基板Ｗの搬送方向の幅よりも大きく設定さ
れており、基板Ｗが後述する中継部１０５の基板受渡し
機構１１９に載置されている状態で、両方の開口部１２
３，１２７をシャッタ１０７，１０９により閉鎖できる
ようになっている。そこで、本実施形態では、開口部１
２３，１２７の少なくともいずれか一方が、シャッタ１
０７，１０９により閉鎖されている状態を保持すること
により、処理部１０３内の暗室状態を保持するようにな
っている。

【０１２０】シャッタ１０７，１０９は、図７および図
８に示すように、シャッタ開閉機構であるエアシリンダ
１３１，１３３により昇降駆動されて開口部１２３，１
２７を開閉する。開口部１２３，１２７の左右の外縁部
および上方の外縁部には、シャッタ１０７，１０９の左
右縁部を保持するとともに、および閉鎖位置にあるシャ
ッタ１０７，１０９の上側縁部を保持する保持部１３
４，１３５が設けられている。この保持部１３４，１３
５によって、シャッタ１０７，１０９が昇降移動可能に
保持されるとともに、閉鎖時に開口部１２３，１２７の
周囲から光が進入するのが確実に防止される。

【０１２１】エアシリンダ１３１，１３３は、コントロ
ーラ１９によって制御される駆動部１３６から供給され
る駆動用のエアによって駆動される。コントローラ１９
は、駆動部１３６を介してエアシリンダ１３１，１３３
を駆動することにより、シャッタ１０７，１０９を開閉
する。エアシリンダ１３１，１３３には、シャッタ１０
７，１０９が閉鎖位置（上昇位置）および開放位置（下
降位置）にあることを検知するための、検知スイッチ
（例えば、フォトマイクロセンサ）１３７，１３９が設
けられている。コントローラ１９は、この検知スイッチ
１３７，１３９からの信号により、シャッタ１０７が閉
鎖位置または開放位置にあることを検知する。

【０１２２】中継部１０５の基板受渡し機構１１９は、
図６および図９に示すように、スライドテーブル１４１
と、スライドテーブル１４１を駆動する駆動機構１４３
とを備えている。スライドテーブル１４１は、中継部１
０５内における搬入搬出部３側の開口部１２３の内側近
傍の第１の受渡し位置（図６に示す位置）と、処理部１
０３側の開口部１２７の内側近傍の第２の受渡し位置
（図９に示す位置）との間で、駆動機構１４３によって
往復駆動される。コントローラ１９は、駆動機構１４３
を介してスライドテーブル１４１を駆動制御する。な
お、本実施形態では、スライドテーブル１４１の第２の
受渡し位置を中継部１０５内における開口部１２７の内
側近傍に設定したが、スライドテーブル１４１の一部又
は全体が開口部１２７を介して処理部１０３内に進入可
能な構成とし、スライドテーブル１４１の一部又は全体
が処理部１０３内に進入した位置（第２の受渡し位置）
で、スライドテーブル１４１と基板搬送機構５３との間
で基板Ｗの受渡しが行われるようにしてもよい。

【０１２３】スライドテーブル１４１には、基板Ｗを支
持する複数のピン（例えば、基板Ｗのエッジを保持する
エッジホールドピン）１４１ａが突設されている。ここ
で、本実施形態ではキャリアＣとしてＦＯＵＰカセット
が採用されているため、搬入搬出機構３７の搬入搬出用
アーム３７ａ（図６参照）は、規格化されたＦＯＵＰカ
セット内の構成に対応した形状とされている。このた
め、スライドテーブル１４１のピン１４１ａの配列等の
構成も、基板Ｗの受渡しの際にアーム３７ａと干渉しな
い構成とされている。

【０１２４】次に、この基板処理装置１０１の動作、特
に、中継部１０５を介した基板Ｗの受渡し動作およびシ
ャッタ１０７，１０９の開閉動作について説明する。

【０１２５】基板Ｗが搬入搬出機構３から処理部１０３
に搬送される際には、まず図６に示すように、スライド
テーブル１４１が第１の受渡し位置に位置されるととも
に、シャッタ１０９により開口部１２７が閉鎖された状
態でシャッタ１０７により開口部１２３が開放され、搬
入搬出機構３７の搬入搬出用アーム３７ａによってキャ
リアＣから取り出された基板Ｗが、開口部１２３を介し
て基板受渡機構１１９のスライドテーブル１４１に受渡
される。その受渡しは、基板Ｗが、搬入搬出アーム３７
ａによってスライドテーブル１４１のピン１４１ａ上に
載置されることにより行われる。

【０１２６】続いて、図９に示すように、シャッタ１０
７により開口部１２３が閉鎖された後、シャッタ１０９
により開口部１２７が開放されるとともに、スライドテ
ーブル１４１が第１の受渡し位置から第２の受渡し位置
に移動され、スライドテーブル１４１上の基板Ｗが、開
口部１２７を介して基板搬送機構５３の搬送アーム５３
ａによって受け取られる。搬送アーム５３ａによって基
板Ｗが処理部１０３内に取り込まれると、シャッタ１０
９によって開口部１２７が閉鎖される。

【０１２７】処理部１０３内に取り込まれた基板Ｗは、
基板搬送機構５３によって回転処理ユニット５１内に送
り込まれ、回転処理ユニット５１にて第１実施形態と同
様なポリマー除去処理が施される。ポリマー除去処理が
終了すると、基板Ｗは、基板搬送機構５３によって、回
転処理ユニット５１内から取り出されて、乾燥ユニット
１１３に送り込まれ、乾燥ユニット１１３の温調プレー
ト１１３ａによって昇温されて、付着している水分等が
蒸発されて乾燥される。乾燥処理が終了すると、基板Ｗ
は、基板搬送機構５３によって、乾燥ユニット１１３内
から取り出されて、温度調節ユニット１１５に送り込ま
れ、温度調節ユニット１１５の温調プレート１１５ａに
より温度調節処理が行われる。温度調節処理が終了する
と、基板Ｗは、基板搬送機構５３により処理部１０３か
ら送り出される。

【０１２８】基板Ｗが処理部１０３から搬入搬出機構３
に搬送される際には、まず図９に示すように、スライド
テーブル１４１が第２の受渡し位置に位置されるととも
に、シャッタ１０７により開口部１２３が閉鎖された状
態でシャッタ１０９により開口部１２７が開放され、基
板Ｗが開口部１２７を介し基板搬送機構５３の搬送アー
ム５３ａによって基板受渡機構１１９のスライドテーブ
ル１４１上に載置されて受渡される。

【０１２９】続いて、図６に示すように、シャッタ１０
９により開口部１２７が閉鎖された後、シャッタ１０７
により開口部１２３が開放されるとともに、スライドテ
ーブル１４１が第２の受渡し位置から第１の受渡し位置
に移動され、スライドテーブル１４１上の基板Ｗが、開
口部１２３を介して搬入搬出機構３７の搬入搬出用アー
ム３７ａによって受け取られる。搬入搬出用アーム３７
ａによって基板Ｗが搬入搬出部３内に取り込まれると、
シャッタ１０７によって開口部１２３が閉鎖される。受
け取られた基板Ｗは、搬入搬出機構３７によってキャリ
アＣ内に収容される。

【０１３０】以上のように、本実施形態によれば、処理
部１０３と搬入搬出部３との間に中継部１０５を設ける
とともに、搬入搬出部３と中継部１０５との間のゲート
部である開口部１２３にシャッタ１０７を設け、中継部
１０５と処理部１０３との間のゲート部である開口部１
２７にシャッタ１０９を設けたため、基板Ｗをキャリア
Ｃと処理部１０３との間で搬送する過程において、シャ
ッタ１０７，１０９の少なくともいずれか一方が必ず閉
鎖状態となるように開閉制御することにより、処理部１
０３および回転処理ユニット５１のチャンバ６５内を確
実に暗室化し、チャンバ６５内等で光を触媒とした悪影
響が生じるのを防止することができる。

【０１３１】これによって、本実施形態のようにキャリ
アＣとして透明性の高いＦＯＵＰカセットを使用した場
合であっても、ＦＯＵＰカセットを介して装置１０１内
の基板Ｗの搬送路中に進入した光が、その搬送路を介し
て処理部１０３内に進入するのを確実に防止することが
できる。

【０１３２】また、このシャッタ１０７，１０９により
キャリアＣの交換中でも処理部１０３内を確実に遮光で
きる。

【０１３３】さらに、回転処理ユニット５１を収容する
処理部１０３内が暗室化されるため、ポリマー除去を行
う回転処理ユニット５１から乾燥処理を行う乾燥ユニッ
ト１１３に基板Ｗを搬送する際に、仮にポリマー除去の
ための除去液が基板Ｗに付着していた場合であっても、
基板Ｗに付着した除去液が原因となって光を触媒とした
悪影響が生じるのを防止することができる。

【０１３４】また、シャッタ１０７，１０９により開口
部１２３，１２７を閉鎖することにより、搬入搬出部３
と中継部１０５との間、および中継部１０５と処理部１
０３との間での気流の回り込み等を防止できる。

【０１３５】＜第２実施形態の変形例＞この第２実施形
態の変形例として、処理部１０３内の遮光はシャッタ１
０７，１０９に確保されているため、回転処理ユニット
５１のシャッタ５９については、ポリマー除去処理時の
処理液の飛散や、ユニット５１内の雰囲気管理等の点で
問題がない場合には省略してもよい。

【０１３６】他の変形例として、処理部１０３内におけ
る回転処理ユニット５１のチャンバ６５以外の領域につ
いては遮光の必要がない場合には、シャッタ１０７を省
略し、残された２つのシャッタ５９，１０９によってチ
ャンバ６５内の遮光を行うようにしてもよい。この場合
も、シャッタ５９，１０９は、同時には開かないように
開閉制御される。あるいは、シャッタ１０７の代わりに
シャッタ１０９を省略しても、残りの２つのシャッタ５
９，１０７により同様な効果が得られる。

【０１３７】さらに他の変形例として、図１０に示すよ
うに、中継部１０５を省略して搬入搬出部３に受渡し台
３９を復活させるとともに、搬入搬出部３と処理部１０
３との間の隔壁部１２５に設けられる開口部（ゲート
部）１２７に前述の第２実施形態と同様なシャッタ１０
９を設け、そのシャッタ１０９とチャンバ６５のシャッ
タ５９とによりチャンバ６５内の遮光を確保するように
してもよい。この場合も、シャッタ５９，１０９は、同
時には開かないように開閉制御される。

【０１３８】

【発明の効果】以上、説明したように、請求項１の発明
によれば、少なくとも除去液によって有機物の除去処理
を行っている間は、処理室内を暗室とするため、除去液
を使用した有機物の除去処理時に光を触媒とした悪影響
を防止することができる。

【０１３９】請求項２の発明によれば、少なくとも除去
液によって有機物の除去処理を行っている間は、処理室
を含む所定の遮光領域内を暗室とするため、除去液を使
用した有機物の除去処理時に光を触媒とした悪影響を防
止することができる。

【０１４０】請求項３の発明によれば、少なくとも前記
除去液によって基板を処理している間は、遮光手段によ
って搬送路を介して処理室内に進入する光を遮光するた
め、処理時の処理室内の遮光が維持され、除去液を使用
した有機物の除去処理時に光を触媒とした悪影響を確実
に防止することができる。

【０１４１】これによって、キャリアとして透明性の高
いＦＯＵＰカセットを使用した場合であっても、ＦＯＵ
Ｐカセットを介して装置内の基板の搬送路中に進入した
光が、有機物除去処理中に搬送路を介して処理室に進入
するのを確実に防止することができる。

【０１４２】請求項４の発明によれば、少なくとも前記
除去液によって基板を処理している間は、遮光手段によ
って搬送路を介して処理室内または遮光領域内に進入す
る光を遮光するため、処理時の処理室内または遮光領域
内の遮光が維持され、除去液を使用した有機物の除去処
理時に光を触媒とした悪影響を確実に防止することがで
きる。

【０１４３】また、基板の搬送路に遮光手段を基板の搬
送方向の幅よりも大きな間隔をあけて多段に設ける構成
であるため、基板が搬送路内を搬送される過程で、多段
に設けられた遮光手段のうちの少なくもいずれか一つを
必ず遮光状態とすることができる。その結果、処理室内
または遮光領域内を確実に暗室化することができる。

【０１４４】これによって、キャリアとして透明性の高
いＦＯＵＰカセットを使用した場合であっても、ＦＯＵ
Ｐカセットを介して装置内の基板の搬送路中に進入した
光が搬送路を介して処理室に進入するのを確実に防止す
ることができる。

【０１４５】請求項５の発明によれば、少なくとも除去
液によって基板を処理している間は、遮光手段によって
搬出入口を遮光するため、処理時の処理室内の遮光が維
持され、除去液を使用した有機物の除去処理時に光を触
媒とした悪影響を確実に防止することができる。

【０１４６】請求項６の発明によれば、有機物除去を行
う第１の処理室から第２の処理室に基板を搬送する際
に、仮に有機物除去のための除去液が基板に付着してい
た場合であっても、遮光領域内を暗室とすることによ
り、基板に付着した除去液が原因となって光を触媒とし
た悪影響が生じるのを防止することができる。

【０１４７】請求項７の発明によれば、処理室を収容す
る処理部と搬入搬出部との間に中継部を設けるととも
に、搬入搬出部と中継部との間の搬出入用の第１のゲー
ト部に第１の遮光手段を設け、中継部と処理部との間の
第２のゲート部に第２の遮光手段を設けたため、基板を
キャリアと処理部との間で搬送する過程において、第１
および第２の遮光手段の少なくともいずれか一方を必ず
遮光状態とすることができ、処理室を収容する処理部内
を確実に暗室化することができる。

【０１４８】請求項８の発明によれば、有機物除去を行
う第１の処理室から第２の処理室に基板を搬送する際
に、仮に有機物除去のための除去液が基板に付着してい
た場合であっても、処理部内を暗室とすることにより、
基板に付着した除去液が原因となって光を触媒とした悪
影響が生じるのを防止することができる。

【０１４９】請求項９の発明によれば、有機物除去を行
う第１の処理室から乾燥処理を行う第２の処理室に基板
を搬送する際に、仮に有機物除去のための除去液が基板
に付着していた場合であっても、処理部内を暗室とする
ことにより、基板に付着した除去液が原因となって光を
触媒とした悪影響が生じるのを防止することができる。

【０１５０】請求項１０の発明によれば、処理室を収容
する処理部と搬入搬出部との間に中継部を設けるととも
に、搬入搬出部と中継部との間の搬出入用のゲート部に
第１の遮光手段を設け、処理室の基板搬出入用の搬出入
口に第２の遮光手段を設けたため、基板をキャリアと処
理室との間で搬送する過程において、第１および第２の
遮光手段の少なくともいずれか一方を必ず遮光状態とす
ることができ、処理室内を確実に暗室化することができ
る。

【０１５１】また、中継部を設けた分だけ、装置の設備
を内蔵するためのスペースを拡大できる。

【０１５２】請求項１１の発明によれば、処理室を収容
する処理部の基板搬出入用の搬出入口に第１の遮光手段
を設け、処理室を収容する処理部の基板搬出入用の搬出
入口に第２の遮光手段を設けたため、基板を処理部の外
部と処理室内との間で搬送する過程において、第１およ
び第２の遮光手段の少なくともいずれか一方を必ず遮光
状態とすることができ、処理室内を確実に暗室化するこ
とができる。

【０１５３】請求項１２に記載の発明によれば、第１の
遮光手段および第２の遮光手段が、その両方が同時には
開かないように開閉制御されるため、処理部内または処
理室内を確実に暗室化することができる。

【０１５４】請求項１３の発明によれば、処理室に、そ
の内部を観察するための観察窓を設けるため、オペレー
タが必要に応じて処理室内を確認することができる。

【０１５５】請求項１４の発明によれば、観察窓が開放
されているときには照明手段が能動状態とされ、観察窓
が閉鎖されているときには照明手段が非能動状態とされ
るため、処理室内を確認する必要があるときのみ処理室
内が照明されることとなる。

【０１５６】請求項１５の発明によれば、少なくとも除
去液によって基板を処理している間は、観察窓の開放を
禁止するため、処理時の処理室内の遮光が維持され、除
去液を使用した有機物の除去処理時に光を触媒とした悪
影響を確実に防止することができる。

【０１５７】請求項１６の発明によれば、少なくとも観
察窓が開放されている間は、除去液供給手段からの除去
液の供給を禁止するため、処理室内に光が進入している
ときに除去液を使用した有機物の除去処理が行われて光
を触媒とした悪影響が生じるのを防止することができ
る。

【０１５８】請求項１７の発明によれば、基板に付着し
た前記有機物が、基板上に形成されたレジスト膜が変質
して生じた反応生成物であり、除去液を使用した反応生
成物の除去処理時に光を触媒とした悪影響を防止するこ
とができる。

【０１５９】請求項１８の発明によれば、反応生成物
が、レジスト膜をマスクとして基板の表面に存在する薄
膜をドライエッチングすることによって生成されたポリ
マーであり、除去液を使用したポリマーの除去処理時に
光を触媒とした悪影響を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の平
面図である。

【図２】図１の基板処理装置の回転処理ユニットの構成
を示す図である。

【図３】図１の基板処理装置の乾燥ユニットの構成を示
す図である。

【図４】本発明の第２実施形態に係る基板処理装置の平
面的構成を示す図である。

【図５】図４の基板処理装置の縦断面的構成を示す図で
ある。

【図６】図４の基板処理装置の中継部周辺の構成を示す
断面図である。

【図７】図４の基板処理装置のシャッタ周辺の構成を示
す図である。

【図８】図７の要部断面図である。

【図９】図４の基板処理装置の中継部周辺の構成を示す
断面図である。

【図１０】図４の基板処理装置の変形例を示す図であ
る。

【図１１】エッチングによって生成したポリマーが付着
した様子を示す図である。

【図１２】除去液を使用した除去処理時に銅の下部配線
層が腐食された様子を示す図である。

【符号の説明】

１ 基板処理装置 ３ 搬入搬出部 ５ 回転処理部 ７ インタフェース ９ 乾燥処理部 １５ ランプ １９ コントローラ ２１ 観察窓 ２３ 開閉ロック機構 ３７ 搬入搬出機構 ５１ 回転処理ユニット ５３ 基板搬送機構 ５８ 搬出入口 ５９ シャッタ ６１ 基板保持手段 ６３ 除去液供給手段 ６５ チャンバ ９１ 乾燥ユニット １０１ 基板処理装置 １０３ 処理部 １０５ 中継部 １０７，１０９ シャッタ １１３ 乾燥ユニット １１５ 温度調節ユニット １１９ 基板受渡し機構 １２３，１２７ 開口部 Ｃ キャリア Ｗ 基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井上 一樹 京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神 北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株 式会社内 (72)発明者 谷口 英行 京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神 北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株 式会社内 (72)発明者 吉田 武司 京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神 北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株 式会社内 (72)発明者 川上 重典 京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神 北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株 式会社内 Ｆターム(参考） 5F004 AA08 EA10 FA08 5F031 CA02 CA05 CA07 FA01 FA02 FA04 FA07 FA11 FA12 FA15 GA48 MA23 MA32 NA08 NA09 NA20 5F046 CD01 CD05 MA02 MA06 MA07 MA10

Claims (18)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板に付着した有機物を、該有機物の除
   去液によって除去する基板処理装置であって、 有機物の除去を行うための処理室と、 前記処理室内にて基板を保持する保持手段と、 前記保持手段に保持された基板に前記除去液を供給する
   除去液供給手段と、を備え、 少なくとも前記除去液によって有機物の除去処理を行っ
   ている間は、前記処理室内を暗室とすることを特徴とす
   る基板処理装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載の基板処理装置において、 少なくとも前記除去液によって有機物の除去処理を行っ
   ている間は、この基板処理装置における前記処理室を含
   む所定の遮光領域内を暗室とすることを特徴とする基板
   処理装置。
3. 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の基板処
   理装置において、 基板を収容するキャリアから前記処理室まで、あるいは
   前記遮光領域を暗室化する場合には前記キャリアから前
   記遮光領域までの基板の搬送路に、その搬送路を介して
   前記処理室内に進入する光を遮光するための遮光手段を
   設け、 少なくとも前記除去液によって基板を処理している間
   は、前記遮光手段によって前記搬送路を遮光することを
   特徴とする基板処理装置。
4. 【請求項４】 請求項１または請求項２に記載の基板処
   理装置において、 基板を収容するキャリアから前記処理室まで、または前
   記遮光領域を暗室化する場合には前記キャリアから前記
   遮光領域までの基板の搬送路に、その搬送路を介して前
   記処理室内または前記遮光領域内に進入する光を遮光す
   るための遮光手段を、基板の搬送方向の幅よりも大きな
   間隔をあけて多段に設け、 少なくとも前記除去液によって基板を処理している間
   は、前記遮光手段によって前記搬送路を遮光することを
   特徴とする基板処理装置。
5. 【請求項５】 請求項１に記載の基板処理装置におい
   て、 前記処理室に、 前記処理室に対して基板を搬出入するための搬出入口
   と、 前記搬出入口から前記処理室内に進入する光を遮光する
   ための遮光手段と、を設け、 少なくとも前記除去液によって基板を処理している間
   は、前記遮光手段によって前記搬出入口を遮光すること
   を特徴とする基板処理装置。
6. 【請求項６】 請求項２から請求項４のいずれかに記載
   の基板処理装置において、 前記遮光領域内に、 前記処理室である第１の処理室と、 前記有機物の除去とは異なる処理を行う第２の処理室
   と、 前記第１の処理室と前記第２の処理室との間で基板の搬
   送を行う基板搬送機構と、を備えることを特徴とする基
   板処理装置。
7. 【請求項７】 請求項２に記載の基板処理装置におい
   て、 所定位置に配置されたキャリアに対し、基板の搬入およ
   び搬出を行う搬入搬出機構を備えた搬入搬出部と、 前記処理室を収容し、その内部空間が前記遮光領域とさ
   れる処理部と、 前記搬入搬出部と前記処理部との間に介設され、前記搬
   入搬出部と前記処理部との間で基板の受渡しを行う基板
   受渡し機構を備えた中継部と、を備え、 前記搬入搬出部と前記中継部との間に設けられる基板搬
   出入用の第１のゲート部に、その第１のゲート部を介し
   て前記中継部内に進入する光を遮光する第１の遮光手段
   を設け、 前記中継部と前記処理部との間に設けられる基板搬出入
   用の第２のゲート部に、その第２のゲート部を介して前
   記処理部内に進入する光を遮光する第２の遮光手段を設
   けることを特徴とする基板処理装置。
8. 【請求項８】 請求項７記載の基板処理装置において、 前記処理部は、 前記処理室である第１の処理室と、 前記有機物の除去とは異なる処理を行う第２の処理室
   と、 前記第１の処理室と前記第２の処理室との間で基板の搬
   送を行う基板搬送機構と、を備えることを特徴とする基
   板処理装置。
9. 【請求項９】 請求項８記載の基板処理装置において、 前記第２の処理室では、前記第１の処理室にて有機物の
   除去が行われた基板に対して乾燥処理が行われることを
   特徴とする基板処理装置。
10. 【請求項１０】 請求項１記載の基板処理装置におい
    て、 所定位置に配置されたキャリアに対し、基板の搬入およ
    び搬出を行う搬入搬出機構を備えた搬入搬出部と、 前記処理室を収容する処理部と、 前記搬入搬出部と前記処理部との間に介設され、前記搬
    入搬出部と前記処理部との間で基板の受渡しを行う基板
    受渡し機構を備えた中継部と、を備え、 前記搬入搬出部と前記中継部との間に設けられる基板搬
    出入用のゲート部に、そのゲート部から前記中継部を介
    して前記処理部内に進入する光を遮光する第１の遮光手
    段を設け、 前記処理室の基板搬出入用の搬出入口に、その搬出入口
    を介して前記処理室内に進入する光を遮光する第２の遮
    光手段を設けることを特徴とする基板処理装置。
11. 【請求項１１】 請求項１記載の基板処理装置におい
    て、 前記処理室を、所定の処理部内に収容し、 前記処理部の基板搬出入用の搬出入口に、その搬出入口
    を介して前記処理室内に進入する光を遮光する第１の遮
    光手段を設け、 前記処理室の基板搬出入用の搬出入口に、その搬出入口
    を介して前記処理室内に進入する光を遮光する第２の遮
    光手段を設けることを特徴とする基板処理装置。
12. 【請求項１２】 請求項７から請求項１１のいずれかに
    記載の基板処理装置において、 前記第１の遮光手段および前記第２の遮光手段は、開閉
    式の遮光手段であり、その両方が同時には開かないよう
    に開閉制御されることを特徴とする基板処理装置。
13. 【請求項１３】 請求項１から請求項１２のいずれかに
    記載の基板処理装置において、 前記処理室に、その内部を観察するための観察窓を設け
    ることを特徴とする基板処理装置。
14. 【請求項１４】 請求項１３記載の基板処理装置におい
    て、 前記処理室の内部に照明手段を設けるとともに、 前記観察窓が開放されているときには前記照明手段が能
    動状態とされ、前記観察窓が閉鎖されているときには前
    記照明手段が非能動状態とされることを特徴とする基板
    処理装置。
15. 【請求項１５】 請求項１４記載の基板処理装置におい
    て、 少なくとも前記除去液によって基板を処理している間
    は、前記観察窓の開放を禁止する窓開放禁止手段をさら
    に備えることを特徴とする基板処理装置。
16. 【請求項１６】 請求項１４または請求項１５記載の基
    板処理装置において、 少なくとも前記観察窓が開放されている間は、前記除去
    液供給手段からの前記除去液の供給を禁止する除去液供
    給禁止手段をさらに備えることを特徴とする基板処理装
    置。
17. 【請求項１７】 請求項１から請求項１６のいずれかに
    記載の基板処理装置において、 基板に付着した前記有機物は、基板上に形成されたレジ
    スト膜が変質して生じた反応生成物であることを特徴と
    する基板処理装置。
18. 【請求項１８】 請求項１７記載の基板処理装置におい
    て、 前記反応生成物は、前記レジスト膜をマスクとして基板
    の表面に存在する薄膜をドライエッチングすることによ
    って生成されたポリマーであることを特徴とする基板処
    理装置。