JP3892784B2 - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3892784B2 JP3892784B2 JP2002271471A JP2002271471A JP3892784B2 JP 3892784 B2 JP3892784 B2 JP 3892784B2 JP 2002271471 A JP2002271471 A JP 2002271471A JP 2002271471 A JP2002271471 A JP 2002271471A JP 3892784 B2 JP3892784 B2 JP 3892784B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- processing apparatus
- processing chamber
- carry
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）に付着した有機物、例えばレジスト膜をマスクとして基板の表面に存在する薄膜をドライエッチングすることによって生成されたポリマーを除去液によって除去する基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
最先端デバイスの配線には銅が使用されることが多い。銅は、従来のアルミニウムに比較して比抵抗が低く、エレクトロマイグレーションが起きにくい等のメリットがあるためである。その一方で、銅配線はパターンニング技術が難しく、現在では一般にダマシン法によって形成されている。
【０００３】
ダマシン法の一工程に、レジスト膜をマスクとして層間絶縁膜（ＳｉＯ2やｌｏｗ−ｋ膜）をエッチングする工程がある。このときのエッチングの手法としては、例えばＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ／反応性イオンエッチング）等の、ドライエッチングが用いられる。
【０００４】
このようなドライエッチングで使用される反応性イオンのパワーは極めて強いことから、エッチングが完了する時点においてはレジスト膜も一定の割合で変化し、その一部がポリマー等の反応生成物に変質して層間絶縁膜の側壁に堆積する。図１１は、エッチングによって生成したポリマーが付着した様子を示す図である。銅の下部配線層２０３の上に層間絶縁膜２０１と絶縁膜バリア層２０２とが交互に積層されている。エッチングによって配線部が形成され、その部分における層間絶縁膜２０１の側壁にポリマー２１０が堆積付着している。
【０００５】
ポリマー２１０の如き反応生成物は後続するレジスト除去工程では除去されないことから、レジスト除去工程を実行する前または後に、この反応生成物を除去する必要がある。このため、従来、ドライエッチング工程の後またはレジスト除去工程の後には、反応生成物を除去する作用を有する除去液を基板に対して供給することにより、層間絶縁膜の側壁に堆積した反応生成物を除去した後、この基板を純水で洗浄し、さらにこの純水を振り切り乾燥する反応生成物の除去処理を行っている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来においては、このような除去液を使用した除去処理時に外部から進入した光が触媒として作用し、銅の下部配線層２０３を腐食することがあった。図１２は、除去液を使用した除去処理時に銅の下部配線層２０３が腐食された様子を示す図である。このような腐食部分が生じると銅の配線構造に悪影響を及ぼすことが考えられる。
【０００７】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、除去液を使用した有機物の除去処理時に光を触媒とした悪影響を防止することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板に付着した有機物を、該有機物の除去液によって除去する基板処理装置において、有機物の除去を行うための処理室と、前記処理室内にて基板を保持する保持手段と、前記保持手段に保持された基板に前記除去液を供給する除去液供給手段と、基板を収容するキャリアから前記処理室までの基板の搬送路に設けられる基板搬出入用のゲート部に設けられ、そのゲート部を介して前記処理室内に進入する光を遮光するための搬送路遮光手段と、前記ゲート部の縁部に設けられ、前記搬送路遮光手段による前記ゲート部の閉鎖時に前記搬送路遮光手段の縁部を囲み、前記ゲート部の周囲からの光の進入を防止する進入防止部材と、を備え、前記処理室に、前記処理室に対して基板を搬出入するための搬出入口と、前記搬出入口から前記処理室内に進入する光を遮光するための処理室遮光手段と、を設け、前記搬送路遮光手段が遮光する前記ゲート部と、前記処理室遮光手段が遮光する前記搬出入口とは直交配置され、少なくとも前記除去液によって有機物の除去処理を行っている間は、前記搬送路遮光手段によって前記ゲート部を遮光するとともに、前記処理室遮光手段によって前記搬出入口を遮光して、前記処理室内を暗室としている。
【０００９】
また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る基板処理装置において、少なくとも前記除去液によって有機物の除去処理を行っている間は、この基板処理装置における前記処理室を含む所定の遮光領域内を暗室としている。
【００１０】
また、請求項３の発明は、請求項２に係る基板処理装置において、前記搬送路遮光手段は、前記キャリアから前記遮光領域までの基板の搬送路に設けられる。
【００１１】
また、請求項４の発明は、請求項１または請求項２に係る基板処理装置において、基板を収容するキャリアから前記処理室まで、または前記遮光領域を暗室化する場合には前記キャリアから前記遮光領域までの基板の搬送路に、その搬送路を介して前記処理室内または前記遮光領域内に進入する光を遮光するための遮光手段を、基板の搬送方向の幅よりも大きな間隔をあけて多段に、前記搬送路遮光手段として設けている。
【００１３】
また、請求項５の発明は、請求項２から請求項４のいずれかに係る基板処理装置において、前記遮光領域内に、前記処理室である第１の処理室と、前記有機物の除去とは異なる処理を行う第２の処理室と、前記第１の処理室と前記第２の処理室との間で基板の搬送を行う基板搬送機構と、を備えている。
【００１４】
また、請求項６の発明は、請求項２に係る基板処理装置において、所定位置に配置されたキャリアに対し、基板の搬入および搬出を行う搬入搬出機構を備えた搬入搬出部と、前記処理室を収容し、その内部空間が前記遮光領域とされる処理部と、前記搬入搬出部と前記処理部との間に介設され、前記搬入搬出部と前記処理部との間で基板の受渡しを行う基板受渡し機構を備えた中継部と、を備え、前記搬入搬出部と前記中継部との間に設けられる基板搬出入用の第１のゲート部に、その第１のゲート部を介して前記中継部内に進入する光を遮光する第１の遮光手段と、前記中継部と前記処理部との間に設けられる基板搬出入用の第２のゲート部に、その第２のゲート部を介して前記処理部内に進入する光を遮光する第２の遮光手段と、を前記搬送路遮光手段として設けている。
【００１５】
また、請求項７の発明は、請求項６に係る基板処理装置において、前記処理部は、前記処理室である第１の処理室と、前記有機物の除去とは異なる処理を行う第２の処理室と、前記第１の処理室と前記第２の処理室との間で基板の搬送を行う基板搬送機構と、を備えている。
【００１６】
また、請求項８の発明は、請求項７に係る基板処理装置において、前記第２の処理室では、前記第１の処理室にて有機物の除去が行われた基板に対して乾燥処理が行われるものである。
【００１７】
また、請求項９の発明は、請求項１に係る基板処理装置において、所定位置に配置されたキャリアに対し、基板の搬入および搬出を行う搬入搬出機構を備えた搬入搬出部と、前記処理室を収容する処理部と、前記搬入搬出部と前記処理部との間に介設され、前記搬入搬出部と前記処理部との間で基板の受渡しを行う基板受渡し機構を備えた中継部と、を備え、前記搬入搬出部と前記中継部との間に設けられる基板搬出入用のゲート部に、そのゲート部から前記中継部を介して前記処理部内に進入する光を遮光する第１の遮光手段を前記搬送路遮光手段として設け、前記処理室の基板搬出入用の搬出入口に、その搬出入口を介して前記処理室内に進入する光を遮光する第２の遮光手段を前記処理室遮光手段として設けている。
【００１８】
また、請求項１０の発明は、請求項１に係る基板処理装置において、前記処理室を、所定の処理部内に収容し、前記処理部の基板搬出入用のゲート部に、そのゲート部を介して前記処理室内に進入する光を遮光する第１の遮光手段を前記搬送路遮光手段として設け、前記処理室の基板搬出入用の搬出入口に、その搬出入口を介して前記処理室内に進入する光を遮光する第２の遮光手段を前記処理室遮光手段として設けている。
【００１９】
また、請求項１１の発明は、請求項６から請求項１０のいずれかに係る基板処理装置において、前記第１の遮光手段および前記第２の遮光手段は、開閉式の遮光手段であり、その両方が同時には開かないように開閉制御されるものである。
【００２０】
また、請求項１２の発明は、請求項１から請求項１１のいずれかに係る基板処理装置において、前記処理室に、その内部を観察するための観察窓を設けている。
【００２１】
また、請求項１３の発明は、請求項１２に係る基板処理装置において、前記処理室の内部に照明手段を設けるとともに、前記観察窓が開放されているときには前記照明手段が能動状態とされ、前記観察窓が閉鎖されているときには前記照明手段が非能動状態とされるものである。
【００２２】
また、請求項１４の発明は、請求項１３に係る基板処理装置において、少なくとも前記除去液によって基板を処理している間は、前記観察窓の開放を禁止する窓開放禁止手段をさらに備えている。
【００２３】
また、請求項１５の発明は、請求項１３または請求項１４記載の基板処理装置において、少なくとも前記観察窓が開放されている間は、前記除去液供給手段からの前記除去液の供給を禁止する除去液供給禁止手段をさらに備えている。
【００２４】
また、請求項１６の発明は、請求項１から請求項１５のいずれかに記載の基板処理装置において、基板に付着した前記有機物は、基板上に形成されたレジスト膜が変質して生じた反応生成物であるものである。
【００２５】
また、請求項１７の発明は、請求項１６に係る基板処理装置において、前記反応生成物は、前記レジスト膜をマスクとして基板の表面に存在する薄膜をドライエッチングすることによって生成されたポリマーであるものである。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２７】
以下の各実施形態において、基板とは半導体基板であり、より詳しくはシリコン基板である。また、当該基板は薄膜を有する。該薄膜は金属膜または絶縁膜である。金属膜を構成する金属としては銅やアルミニウム、チタン、タングステンおよび、これらの混合物がある。絶縁膜としては前記金属の酸化膜や窒化膜およびシリコン酸化膜やシリコン窒化膜、有機絶縁膜、低誘電体層間絶縁膜がある。なお、ここでいう薄膜とは、薄膜が形成された基板に対して垂直方向の断面において高さ寸法が底部の長さより短いものはもちろん、高さ寸法が底部の長さより長いものも含む。従って、基板上で部分的に形成されている膜や配線など、基板に向って見たとき線状や島状に存在するものも薄膜に含まれる。
【００２８】
この薄膜を、パターン化されたレジスト膜をマスクとしてドライエッチングする工程を経た基板にはドライエッチングによってレジストや薄膜に由来する反応生成物であるポリマーが生成されている。
【００２９】
以下の各実施形態における基板処理とは前記ポリマーが生成された基板からポリマーを除去するポリマー除去処理である。
【００３０】
また、以下、基板から脱落したポリマーを汚染物質と表記する場合もある。
【００３１】
また、以下の実施形態における除去液とはポリマー除去液である。ポリマー除去液はポリマーのみを選択的に除去する液であり、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド等、有機アミンを含む有機アミン系除去液、フッ化アンモンを含むフッ化アンモン系除去液、無機系の除去液がある。
【００３２】
有機アミン系の除去液としてはモノエタノールアミンと水とアロマティックトリオールとの混合溶液、２−（２−アミノエトキシ）エタノールとヒドロキシアミンとカテコールとの混合溶液、アルカノールアミンと水とジアルキルスルホキシドとヒドロキシアミンとアミン系防食剤の混合溶液、アルカノールアミンとグライコールエーテルと水との混合溶液、ジメチルスルホキシドとヒドロキシアミンとトリエチレンテトラミンとピロカテコールと水の混合溶液、水とヒドロキシアミンとピロガロールとの混合溶液、２−アミノエタノールとエーテル類と糖アルコール類との混合溶液、２−（２−アミノエトキシ）エタノールとＮとＮ−ジメチルアセトアセトアミドと水とトリエタノールアミンとの混合溶液がある。
【００３３】
フッ化アンモン系の除去液としては、有機アルカリと糖アルコールと水との混合溶液、フッ素化合物と有機カルボン酸と酸・アミド系溶剤との混合溶液、アルキルアミドと水とフッ化アンモンとの混合溶液、ジメチルスルホキシドと２−アミノエタノールと有機アルカリ水溶液と芳香族炭化水素との混合溶液、ジメチルスルホキシドとフッ化アンモンと水との混合溶液、フッ化アンモンとトリエタノールアミンとペンタメチルジエチレントリアミンとイミノジ酢酸と水の混合溶液、グリコールと硫酸アルキルと有機塩と有機酸と無機塩の混合溶液、アミドと有機塩と有機酸と無機塩との混合溶液、アミドと有機塩と有機酸と無機塩との混合溶液がある。
【００３４】
無機系の除去液としては水と燐酸誘導体との混合溶液がある。
【００３５】
また、ここでいう有機溶剤は親水性の有機溶剤であり、水溶性の有機溶剤である。詳述すると、水と混合し、その混合物の沸点を下げる液体である。ここではケトン類、エーテル類、多価アルコールを使用することができる。例えば、ケトン類としては、アセトン、ジエチルケトンが使用でき、エーテル類としてはメチルエーテル、エチルエーテルが使用でき、多価アルコールとしてはエチレングリコールを使用することができる。なお、金属等の不純物の含有量が少ないものが市場に多く提供されている点などからすると、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を使用するのが最も好ましく、本実施形態では、ＩＰＡが使用される。
【００３６】
＜第１実施形態＞
＜１．全体構成＞
図１は本発明の第１実施形態に係る基板処理装置１の平面図である。基板処理装置１は、搬入搬出部３と、回転処理部５と、インタフェース７と、乾燥処理部９とを一列に並べて配列した状態で有する。
【００３７】
搬入搬出部３は、未処理の基板Ｗを収容したキャリアＣが載置される搬入部３１と、処理済みの基板Ｗを収容したキャリアＣが載置される搬出部３３と、受渡し部３５とを有する。
【００３８】
搬入部３１はテーブル状の載置台を有し、装置外の搬送機構によってキャリアＣが２個、搬入される。キャリアＣは例えば２５枚の基板Ｗを水平姿勢で互いに間隔を空けて垂直方向に並べた状態で保持する。搬出部３３もテーブル状の載置台を有し、該載置台に２個のキャリアＣが載置され、該２個のキャリアＣは装置外の搬送機構によって搬出される。
【００３９】
受渡し部３５は搬入部３１、搬出部３３のキャリアＣの並び方向に沿って移動し、かつキャリアＣに対して基板Ｗを搬入、搬出する搬入搬出機構３７と、第１受渡し台３９とを有する。搬入搬出機構３７は、図示を省略する搬入搬出用アームを備え、水平方向に沿った移動の他に鉛直方向を軸とする回転動作や鉛直方向に沿った昇降動作や該搬入搬出用アームの進退動作を行うことができる。これにより、搬入搬出機構３７はキャリアＣに対して基板Ｗの搬出入を行うとともに、第１受渡し台３９に対して基板Ｗを授受する。
【００４０】
回転処理部５は搬入搬出部３に隣接して設けられ、基板Ｗを収容して反応生成物の除去処理を施す４つの回転処理ユニット５１と、第１受渡し台３９および第２受渡し台７１に対して基板Ｗを授受するとともに、４つの回転処理ユニット５１に対して基板Ｗを授受する第１基板搬送機構５３とを有している。
【００４１】
回転処理ユニット５１は搬入搬出部３のキャリアＣの並び方向と直交する方向に沿って２つ並ぶことで回転処理ユニット５１の列を形成し、この回転処理ユニット５１の列が間隔を開けて合計２列、キャリアＣの並び方向に沿って並んでいる。そして、前記回転処理ユニット５１の列と列との間隔に第１基板搬送機構５３が設けられている。なお、回転処理ユニット５１の詳細についてはさらに後述する。
【００４２】
第１基板搬送機構５３は、搬送アーム５３ａを備えるとともに、水平方向に沿った移動、鉛直方向を軸とする回転動作、鉛直方向に沿った昇降動作および搬送アーム５３ａの進退動作を行うことができる。これにより、第１基板搬送機構５３は、回転処理ユニット５１の列と列との間隔に沿って走行し、各回転処理ユニット５１に対して基板Ｗを授受するとともに、第１受渡し台３９に対して基板Ｗを授受する。また、第１基板搬送機構５３は後述の第２受渡し台７１に対しても基板Ｗを授受する。
【００４３】
インタフェース７は回転処理部５と乾燥処理部９とに挟み込まれるようにして設けられ、基板Ｗが載置される第２受渡し台７１を有する。
【００４４】
乾燥処理部９はインタフェース７に隣接して設けられ、基板Ｗを収容して乾燥処理を行う４つの乾燥ユニット９１と、第２受渡し台７１に対して基板Ｗを授受するとともに、４つの乾燥ユニット９１に対して基板Ｗを授受する第２基板搬送機構９３とを有している。
【００４５】
乾燥ユニット９１は搬入搬出部３のキャリアＣの並び方向と直交する方向において２つ並ぶことで乾燥ユニット９１の列を形成し、この乾燥ユニット９１の列が間隔を開けて合計２列、キャリアＣの並び方向に沿って並んでいる。そして、前記乾燥ユニット９１の列と列との間隔に第２基板搬送機構９３が設けられている。なお、乾燥ユニット９１の詳細についてはさらに後述する。
【００４６】
第２基板搬送機構９３は、搬送アーム９３ａを備えるとともに、水平方向に沿った移動、鉛直方向を軸とする回転動作、鉛直方向に沿った昇降動作および搬送アーム９３ａの進退動作を行うことができる。これにより、第２基板搬送機構９３は、乾燥ユニット９１の列と列との間隔に沿って走行し、各乾燥ユニット９１に対して基板Ｗを授受するとともに、第２受渡し台７１に対して基板Ｗを授受する。
【００４７】
＜２．回転処理ユニット＞
次に図２に従い回転処理ユニット５１について説明する。なお、図２は回転処理ユニット５１の構成を示す図である。
【００４８】
回転処理ユニット５１は、１枚の基板Ｗを水平状態に保持して回転する基板保持手段６１と、保持された基板Ｗの周囲を取り囲むカップ６２と、保持された基板Ｗに除去液を供給する除去液供給手段６３と、保持された基板Ｗに純水を供給する純水供給手段６４と、基板保持手段６１に保持されている基板Ｗを収容するチャンバ６５とを有する。また、回転処理ユニット５１は、チャンバ６５に対して基板を搬出入するための搬出入口５８から進入する光を遮光するためのシャッタ５９と、チャンバ６５の内部を照明するランプ１５と、チャンバ６５の内部を観察するための観察窓２１とを備えている。なお、カップ６２は不図示の機構で昇降する。
【００４９】
チャンバ６５は、基板Ｗを収容して反応生成物の除去処理を行うための処理室である。チャンバ６５は、光を透過しない遮光材料によって構成されている。チャンバ６５の側壁（第１基板搬送機構５３側の側壁）には、チャンバ６５に対して基板Ｗを搬出入するための搬出入口５８が設けられている。なお、チャンバ６５内は常に常圧の状態である。なお、チャンバ６５内の雰囲気は不図示の排気機構によって、装置外の所定の排気ダクトへ排出されている。このため、処理液のミストや蒸気などを含んだ雰囲気がチャンバ６５から漏出することが防止されている。
【００５０】
また、チャンバ６５にはシャッタ５９が設けられている。シャッタ５９は、図２中矢印ＡＲ２１にて示すように、シャッタ開閉機構５７によって昇降自在とされている。シャッタ開閉機構５７がシャッタ５９を上昇させているときには、シャッタ５９が搬出入口５８を閉鎖する。シャッタ５９も光を透過しない遮光材料によって構成されており、シャッタ５９が搬出入口５８を閉鎖しているときには、搬出入口５８からチャンバ６５の内部に進入する光を遮光することができる。一方、シャッタ開閉機構５７がシャッタ５９を下降させているときには、搬出入口５８が開放される。搬出入口５８が開放されているときには、第１基板搬送機構５３が搬出入口５８からチャンバ６５内に基板Ｗを搬入または搬出することができる。なお、後述するように、少なくとも除去液によって反応生成物の除去処理を行っている間は、シャッタ５９によって搬出入口５８を閉鎖するようにしている。
【００５１】
基板保持手段６１は、チャンバ６５の外部に設けられたモータ６６と、モータ６６に駆動されることによって垂直方向に沿った軸を中心に回転するチャック６７とを有する。
【００５２】
なお、基板保持手段６１はチャンバ６５内に設けられているが、チャンバ６５内は減圧されるわけではない。本基板処理装置１において、内部が減圧されるのは後述の密閉チャンバ８６であるので、基板保持手段６１は密閉チャンバ８６の外に設けられていることになる。
【００５３】
カップ６２は上面視略ドーナツ型で中央の開口にチャック６７が通過可能な開口を有している。また、カップ６２は回転する基板Ｗから飛散する液体（例えば除去液や純水）を捕集するとともに下部に設けられている排液口６８から捕集した液体を排出する。排液口６８にはドレン７０へ通ずるドレン配管６９が連通接続され、該ドレン配管６９の途中にはドレン配管６９の管路を開閉するドレン弁７２が設けられている。ドレン弁７２を開放することによって、排液口６８からドレン７０へと液体を排出することができる。
【００５４】
除去液供給手段６３はチャンバ６５の外部に設けられたモータ７３と、モータ７３によって回動するアーム７４と、アーム７４の先端に設けられ除去液を下方に吐出する除去液ノズル７５と、除去液ノズル７５に向って除去液を供給する除去液源７６とを有する。また、除去液ノズル７５と除去液源７６とは管路によって連通接続され、該管路には除去液弁７７が設けられている。なお、モータ７３を昇降させることで除去液ノズル７５を昇降させる不図示の昇降手段が設けられている。
【００５５】
このモータ７３を駆動することによって、除去液ノズル７５は基板Ｗの回転中心の上方の吐出位置とカップ６２外の待機位置との間で往復移動する（図１参照）。
【００５６】
純水供給手段６４は、チャンバ６５の外部に設けられたモータ７８と、モータ７８によって回動するアーム７９と、アーム７９の先端に設けられ純水を下方に吐出する純水ノズル８１と、純水ノズル８１に向って純水を供給する純水源８２とを有する。また、純水ノズル８１と純水源８２は管路によって連通接続され、該管路には純水弁８３が設けられている。なお、モータ７８を昇降させることで純水ノズル８１を昇降させる不図示の昇降手段が設けられている。
【００５７】
このモータ７８を駆動することによって、純水ノズル８１は基板Ｗの回転中心の上方の吐出位置とカップ６２外の待機位置との間で往復移動する。
【００５８】
チャンバ６５の側壁（第１基板搬送機構５３と反対側の側壁）には、チャンバ６５の内部を観察するための観察窓２１が設けられている。また、チャンバ６５には観察窓２１を開閉するための観察扉２２が設けられている。観察扉２２は図２中矢印ＡＲ２２にて示すように開閉可能とされており、観察扉２２が図中実線位置にあるときは観察窓２１が開放状態とされ、図中二点差線位置にあるときは観察窓２１が閉鎖状態とされる。観察扉２２も光を透過しない遮光材料によって構成されており、観察扉２２が観察窓２１を閉鎖しているときには、観察窓２１からチャンバ６５の内部に進入する光を遮光することができる。
【００５９】
一方、観察扉２２が観察窓２１を開放しているときには、オペレータが観察窓２１からチャンバ６５の内部を観察することができる。なお、チャンバ６５には開閉ロック機構２３が設けられている。開閉ロック機構２３は、観察窓２１が閉鎖されているときに観察扉２２を図中二点差線位置に固定する機能、すなわち観察窓２１の開放を禁止する機能を有する。具体的には、例えば観察扉２２がステンレス製であるときには電磁石を作動させて観察窓２１の開放を禁止するようにすれば良い。また、開閉ロック機構２３は、機械的に観察窓２１の開放を禁止するようにしても良い。
【００６０】
また、開閉ロック機構２３には、光センサーが内蔵されており、観察窓２１の開閉状態を検出することができる。
【００６１】
また、チャンバ６５の内側天井部分には、チャンバ６５の内部を照明するランプ１５が設けられている。ランプ１５を点灯させた状態にて観察窓２１を開放することにより、ダミーランニング等の際にオペレータは観察窓２１からチャンバ６５の内部を観察することができ、例えば除去液ノズル７５から基板Ｗの回転中心に正確に除去液が吐出されているか否かを確認することができる。
【００６２】
さらに、回転処理ユニット５１はチャンバ６５の外部にコントローラ１９を備えている。コントローラ１９は、少なくともシャッタ開閉機構５７、ランプ１５、開閉ロック機構２３および除去液弁７７と電気的に接続されており、これらの動作を制御する。その具体的な制御態様についてはさらに後述する。また、コントローラ１９に、モータ６６，７３，７８等を制御させて回転処理ユニット５１全体の動作を管理させるようにしても良い。
【００６３】
＜３．乾燥ユニット＞
図３は乾燥ユニット９１の構成を示す図である。乾燥ユニット９１はフレーム８５上に設けられた気密の密閉チャンバ８６と、密閉チャンバ８６内に上部が配され、温度調節機構を持つ温調プレート８７と、密閉チャンバ８６内の圧力を低下させる減圧手段９０と、減圧された密閉チャンバ８６内の圧力を常圧に戻す常圧開放手段４０と、密閉チャンバ８６内に有機溶剤の蒸気を供給する溶剤蒸気供給手段８０とを有する。なお減圧手段９０はポンプ８４と、ポンプ８４と密閉チャンバ８６とを連通させている管路とを有する。
【００６４】
密閉チャンバ８６にはシャッタ９６が設けられており、第２基板搬送機構９３が密閉チャンバ８６内に基板Ｗを搬入または搬出する場合には開放され、それ以外のときは閉止されて密閉チャンバ８６の気密性を保持する。また、密閉チャンバ８６の下部には排気口８９が設けられており、該排気口８９は管路でポンプ８４に通じている。ポンプ８４は密閉チャンバ８６内の雰囲気を排気することで密閉チャンバ８６内の圧力を低下させる。
【００６５】
密閉チャンバ８６内には温調プレート８７が突出して設けられている。温調プレート８７は内部に加熱または冷却機構を有しており、基板Ｗの温度を調節する。また、温調プレート８７には基板Ｗが載置されるピン８８が３本設けられており、第２基板搬送機構９３との間で基板Ｗを授受するときは上昇し、基板Ｗに乾燥処理を施すときは下降する。なお、ピン８８が下降して乾燥処理を施すときは、ピン８８の頂部は温調プレート８７の上面よりも若干突出しており、基板Ｗと温調プレート８７との間には微少な間隔が存在する。
【００６６】
溶剤蒸気供給手段８０は密閉チャンバ８６内に溶剤蒸気（ここではＩＰＡ＝イソプロピルアルコール）を供給する溶剤蒸気供給ノズル９２と、溶剤蒸気供給ノズル９２に対して溶剤蒸気を送り出す溶剤蒸気源９５と、溶剤蒸気源９５と溶剤蒸気供給ノズル９２とを連通接続する溶剤管路９７に設けられた溶剤弁９４とを有する。なお、ここで言う溶剤蒸気とは微細な液滴から構成される霧状の有機溶剤および、気体の有機溶剤の両方を含む。このため溶剤蒸気源９５は溶剤蒸気発生手段として、液体のＩＰＡに超音波を付与して溶剤蒸気を得る超音波気化手段や液体のＩＰＡを加熱して溶剤蒸気を得る加熱気化手段や、液体のＩＰＡに窒素などの不活性ガスの気泡を通して溶剤蒸気を得るバブリング気化手段を含む。
【００６７】
密閉チャンバ８６には不活性ガス（ここでは窒素ガス）の供給源であるＮ2源９９から導かれるガス管路９８が連通接続されている。また、ガス管路９８の途中にはガス管路９８の流路を開閉するガス弁９３が設けられている。なお密閉チャンバ８６内の圧力を常圧にする常圧開放手段４０は前記ガス管路９８とガス弁９３とＮ2源９９とを有する。
【００６８】
＜４．処理内容＞
次に前記基板処理装置１を用いた基板処理方法について説明する。本基板処理方法は以下の除去液供給工程、純水供給工程、液切り工程、乾燥工程からなる。
【００６９】
まず、キャリアＣに収容された基板Ｗが搬入部３１に搬入される。この基板Ｗは薄膜を有し、該薄膜はパターン化されたレジスト膜をマスクとしてドライエッチングを施されている。これにより、該基板Ｗにはレジスト膜や薄膜に由来する反応生成物（ポリマー）が付着している（図１１参照）。
【００７０】
搬入部３１のキャリアＣから搬入搬出機構３７により基板Ｗが１枚取り出され、第１受渡し台３９に載置される。第１受渡し台３９に載置された基板Ｗは第１基板搬送機構５３により持ち出され、４つの回転処理ユニット５１のうちの所定の１つに搬入される。回転処理ユニット５１ではシャッタ５９を下降させて搬出入口５８を開放し、第１基板搬送機構５３が搬送してきた基板Ｗをチャック６７にて受取り保持する。基板Ｗを受けとった回転処理ユニット５１では基板保持手段６１が基板を保持する。またドレン弁７２は開放しておく。
【００７１】
次に、基板保持手段６１はモータ６６を回転させて基板Ｗを回転させる。そして、基板Ｗが所定の回転数に達すると除去液供給工程が実行される。除去液供給工程ではモータ７３が回動して待機位置にある除去液ノズル７５が吐出位置に移動する。そして、除去液弁７７を開放して除去液ノズル７５から基板Ｗに除去液を供給する。基板Ｗに供給された除去液は基板Ｗの外に落下してカップ６２にて集められ、ドレン配管６９を通じてドレン７０に排出される。所定時間、除去液を供給すると除去液弁７７を閉止し、除去液ノズル７５を待機位置に戻す。
【００７２】
この除去液供給工程では基板Ｗに供給された除去液が基板上の反応生成物に作用するため、基板上の反応生成物は基板から脱落しやすくなる。このため、反応生成物は基板Ｗの回転や除去液の供給により、徐々に基板Ｗ上から除去されていく。
【００７３】
また、除去液供給工程では、少なくとも除去液によって反応生成物の除去処理を行っている間は、コントローラ１９がシャッタ開閉機構５７を制御してシャッタ５９によって搬出入口５８を閉鎖するとともに、ランプ１５を消灯する。さらに、少なくとも除去液によって反応生成物の除去処理を行っている間は、コントローラ１９が開閉ロック機構２３を制御して観察窓２１の開放を禁止するようなインターロックをかけている。このため、少なくとも除去液によって基板上の反応生成物の除去処理を行っている間は、シャッタ５９によって搬出入口５８が遮光されるとともに、観察窓２１も遮光されることとなり、チャンバ６５内が暗室とされている。
【００７４】
従って、基板処理装置１では、除去液を使用した反応生成物の除去処理時に光を触媒とした悪影響を防止することができるのである。
【００７５】
また、少なくとも除去液によって反応生成物の除去処理を行っている間は、観察窓２１の開放を禁止するようなインターロックがかけられているため、オペレータが不用意に観察窓２１を開けようとしても観察窓２１が開放されることはなく、チャンバ６５への遮光は維持されることとなり、光を触媒とした悪影響を確実に防止することができる。
【００７６】
一方、これとは逆に、少なくとも観察窓２１が開放されている間は、基板Ｗへの除去液供給を禁止するようにしている。具体的には、観察窓２１が開放されていることを検知した開閉ロック機構２３からその旨の信号をコントローラ１９が受信している間は、コントローラ１９が除去液弁７７を閉鎖して除去液ノズル７５からの除去液の供給を禁止するようなインターロックをかけている。従って、観察窓２１が開放されてチャンバ６５内に光が進入している状態で除去処理が行われることがなく、除去処理時の光を触媒とした悪影響を防止することができる。
【００７７】
また、同様に、少なくともランプ１５が点灯している間は、基板Ｗへの除去液供給を禁止するようにしている。具体的には、ランプ１５が点灯している間は、コントローラ１９が除去液弁７７を閉鎖して除去液ノズル７５からの除去液の供給を禁止するようなインターロックをかけている。従って、ランプ１５が点灯してチャンバ６５内が照明されている状態で除去処理が行われることがなく、除去処理時の光を触媒とした悪影響を防止することができる。
【００７８】
さらに、観察窓２１の開閉とランプ１５の点灯消灯が連動するようにされている。すなわち、観察窓２１はダミーランニング等の際にオペレータがチャンバ６５の内部を観察するために設けられているものであり、観察窓２１が開放されているときにはチャンバ６５内部を照明して視認可能とする必要がある。逆に、観察窓２１が閉鎖されているときはチャンバ６５内部の照明は不要であり、特に反応生成物の除去処理中は照明を行ってはならない。従って、観察窓２１が開放されているときにはコントローラ１９がランプ１５を点灯（能動状態）するようにし、観察窓２１が閉鎖されているときにはコントローラ１９がランプ１５を消灯（非能動状態）するように制御しているのである。
【００７９】
次に純水供給工程が実行される。純水供給工程ではモータ７８が回動して待機位置にある純水ノズル８１が吐出位置に移動する。そして、純水弁８３を開放して純水ノズル８１から基板Ｗに純水を供給する。基板Ｗに供給された純水は基板Ｗの外に落下してカップ６２にて集められ、ドレン配管６９を通じてドレン７０に排出される。所定時間、純水を供給すると純水弁８３を閉止し、純水ノズル８１を待機位置に戻す。
【００８０】
この純水供給工程では基板Ｗに供給された純水が除去液や溶解された反応生成物などの汚染物質を基板Ｗ上から洗い流す。
【００８１】
次に液切り工程が実行される。液切り工程では基板Ｗを高速で回転させることにより、基板Ｗ上にある液体を振切る。これにより、基板Ｗがほぼ乾燥する。
【００８２】
回転処理ユニット５１で処理が完了すると、シャッタ５９を下降させて搬出入口５８を開放し、第１基板搬送機構５３によって基板Ｗが搬出される。そして、第１基板搬送機構５３は第２受渡し台７１に基板Ｗを載置する。次に、該基板Ｗは第２基板搬送機構９３により第２受渡し台７１から持ち出され、いずれかの乾燥ユニット９１に搬入される。乾燥ユニット９１ではシャッタ９６を開放し、第２基板搬送機構９３は上昇した状態のピン８８に基板Ｗを載置する。そして、シャッタ９６を閉止して密閉チャンバ８６の気密性を確保する。
【００８３】
続いて乾燥ユニット９１では乾燥処理を実行する。乾燥処理は後述の温調工程、置換工程、減圧工程、ガス供給工程、溶剤供給工程、常圧開放工程とを含む乾燥工程により実行される。
【００８４】
まず、基板Ｗが密閉チャンバ８６内に搬入される前に温調プレート８７を乾燥温度にしておく。なお、ここでの乾燥温度とは有機溶剤の発火点以下の温度であり、ここでは有機溶剤としてＩＰＡを使用していることを勘案して３０度以上４０度以下の温度に設定してある。また、基板Ｗが搬入されるよりも前に温調プレート８７の温調制御を行い、温調プレート８７を所定の温度にしているのでスループットの低下を防止できる。
【００８５】
そして、ピン８８を下降させ基板Ｗと温調プレート８７とを近接させ、基板Ｗを加熱する温調工程を実施する。
【００８６】
また、シャッタ９６の閉止後、ポンプ８４を駆動して密閉チャンバ８６内の雰囲気を排気するとともに、ガス弁９３を開いて密閉チャンバ８６内に窒素ガスを導入する。これにより、密閉チャンバ８６内の雰囲気を大気雰囲気から窒素雰囲気に置換する置換工程が実行される。
【００８７】
次に、ポンプ８４の駆動を続行しながら、ガス弁９３を閉じて密閉チャンバ８６内への窒素ガスの供給を停止することで、密閉チャンバ８６内の圧力を減じていく。これにより、密閉チャンバ８６内の気圧を常圧（１０１３２５Ｐａ）よりも下げる減圧工程が実行される。ここでは密閉チャンバ８６内の圧力が６６６．５Ｐａ〜６６６５Ｐａ、好ましくは６６６．５Ｐａ〜２６６６Ｐａにされる。
【００８８】
また、ガス弁９３を閉じたとき以降に、ポンプ８４の駆動を続行しながら、溶剤弁９４を開放する。これにより、溶剤蒸気ノズル９２から密閉チャンバ８６内に有機溶剤を供給する溶剤供給工程を実行する。所定時間、溶剤弁９４を開放した後、溶剤弁９４を閉止する。
【００８９】
溶剤弁９４の閉止以降、ポンプ８４の駆動を続行しながら、再びガス弁９３を開放する。これにより、密閉チャンバ８６を常圧に戻す常圧開放工程が実行される。また所定時間後、ガス弁９３を開放した状態で、ポンプ８４の駆動を停止し、その後、ガス弁９３を閉止し、乾燥工程を終了する。
【００９０】
ここでは、温調工程によって基板Ｗが加熱されるので、基板Ｗ上に残存する水分が蒸発しやすい。しかも、減圧工程で基板Ｗ周囲の気圧が低下している。このため、液体の沸点が低下するので、基板Ｗ上に残存する純水がより容易に蒸発する。
【００９１】
さらに、減圧工程中に基板Ｗに有機溶剤の蒸気が供給される。これにより、有機溶剤は基板Ｗ上に残存する水分と混合する。この、水と有機溶剤との混合物は水よりも沸点が低いため、容易に基板Ｗから蒸発し、基板Ｗから水分を奪うことができる。しかも、温調工程で基板Ｗが加熱され、かつ減圧工程で基板Ｗ周囲の気圧が低下していることから、前記水と有機溶剤との混合物は短時間で容易に蒸発する。従って、基板Ｗを極めて確実に乾燥させることができる。
【００９２】
なお、上記乾燥工程を減圧工程と常圧開放工程とで実行してもよい。この場合は基板Ｗ周囲の気圧低下により、基板Ｗに残存する水分の沸点が低下し、容易に水分が蒸発して乾燥を実行できる。
【００９３】
また、上記乾燥工程を減圧工程と溶剤供給工程と、常圧開放工程とで実行してもよい。この場合は基板上の水と有機溶剤との混合物が生成されるが、該混合物は水よりも沸点が低いため容易に蒸発する。しかも基板Ｗ周囲の気圧低下により沸点が低下しているのでさらに短時間で確実に水分を蒸発させることができる。
【００９４】
また、上記乾燥工程を減圧工程と温調工程と、常圧開放工程とで実行してもよい。この場合は基板上の水分が温調工程で加熱されているとともに周囲の気圧が低下していることから該水分が短時間で確実に蒸発する。
【００９５】
また、上記乾燥工程を溶剤供給工程のみで実行してもよい。この場合は基板上の水と有機溶剤との混合物が生成されるが、該混合物は水よりも沸点が低いため容易に蒸発する。よって、短時間で確実に基板Ｗを乾燥させることができる。
【００９６】
また、上記乾燥工程を温調工程と、溶剤供給工程とで実行してもよい。この場合は基板上の水と有機溶剤との混合物が生成されるが、該混合物は水よりも沸点が低いため容易に蒸発する。しかも温調工程によって該混合物が加熱されているので該混合物が容易に沸点に達し蒸発する。これにより、短時間で確実に基板Ｗを乾燥させることができる。
【００９７】
乾燥ユニット９１での乾燥処理が完了すれば、基板処理が全て完了するので当該処理済みの基板Ｗを搬出部３３に向って搬送する。
【００９８】
これにはまず、乾燥ユニット９１のピン８８を上昇させるとともにシャッタ９６を開放する。そして、第２基板搬送機構９３で乾燥ユニット９１から基板Ｗを搬出する。次に第２基板搬送機構９３は基板Ｗを第２受渡し台７１に載置する。
【００９９】
そして、第１基板搬送機構５３が第２受渡し台７１上の基板Ｗを持ち出し、第１受渡し台３９に載置する。第１受渡し台３９に載置された基板Ｗは搬入搬出機構３７によって持ち出され、搬出部３３に載置されているキャリアＣに搬入される。
【０１００】
なお、第１受渡し台３９および第２受渡し台７１を例えば多段の載置台など、複数の基板載置手段で構成すれば、処理済みの基板Ｗと未処理の基板Ｗとが同時にインタフェース７に存在することができるのでスループットの低下を防止できる。
【０１０１】
＜５．第１実施形態の変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明は上記の例に限定されるものではない。例えば、上記実施形態においては、レジスト膜をマスクとして基板の表面に存在する薄膜をドライエッチングするドライエッチング工程を経た基板に対して、ドライエッチング時に生成された反応生成物であるポリマーを除去することを開示したが、本発明はドライエッチング時に生成されたポリマーが存在する基板から前記ポリマーを除去することに限定されるものではない。
【０１０２】
例えば、本発明はプラズマアッシングの際に生成されたポリマーを基板から除去する場合も含む。よって、本発明は、必ずしもドライエッチングとは限らない各種処理において、レジストに起因して生成されたポリマーを基板から除去する場合も含む。
【０１０３】
また、本発明は、ドライエッチングや、プラズマアッシングによる処理で生成されるポリマーだけを除去することに限定されるものではなく、レジストに由来する各種反応生成物を基板から除去する場合も含む。
【０１０４】
また、本発明ではレジストに由来する反応生成物を基板から除去することに限らず、レジストそのものを基板から除去する場合も含む。
【０１０５】
例えば、レジストが塗布され、該レジストに配線パターン等の模様が露光され、該レジストが現像され、該レジストの下層に対して下層処理（例えば下層としての薄膜に対するエッチング）が施された基板を対象とし、下層処理が終了して、不要になったレジスト膜を除去する場合も含まれる。
【０１０６】
なお、この場合、不要になったレジスト膜を除去するのと同時に、レジスト膜が変質して生じた反応生成物があればこれも同時に除去できるので、スループットが向上するとともに、コストを削減できる。例えば、上記下層処理において、下層である薄膜に対してドライエッチングを施した場合は反応生成物も生成される。よって、ドライエッチング時に下層をマスクすることに供されたレジスト膜そのもの、および、レジスト膜が変質して生じた反応生成物も同時に除去できる。
【０１０７】
また、本発明はレジストに由来する反応生成物やレジストそのものを基板から除去することに限らず、レジストに由来しない有機物、例えば人体から発塵した微細な汚染物質などを該有機物の除去液によって基板から除去することも含む。
【０１０８】
また、上記実施形態においては、コントローラ１９によるインターロック、すなわちソフトウェアによるインターロックをかけるようにしていたが、これに限らず電気回路を用いたハードウェアによるインターロックをかけるようにしても良い。
【０１０９】
また、上記実施形態においては、乾燥ユニット９１にて最終の乾燥処理を行うようにしていたが、乾燥ユニット９１は必須のものではなく、例えば回転処理ユニット５１に減圧機能を付与して該回転処理ユニット５１にて最終の乾燥処理を行うようにしても良い。また、回転処理ユニット５１において純水による洗浄処理を行うときにも、チャンバ６５内を暗室にするようにしても良い。すなわち、本発明に係る基板処理装置は、ポリマー等の有機物を除去液を使用して除去する装置であって、少なくとも除去液によってそのような有機物の除去処理を行っている間は、除去処理を行う処理室を暗室にする形態のものであれば良い。
【０１１０】
＜第２実施形態＞
図４は本発明の第２実施形態に係る基板処理装置の平面的構成を示す図であり、図５は図４の基板処理装置の縦断面的構成を示す図である。本実施形態に係る基板処理装置１０１が前述の第１実施形態に係る基板処理装置１と大きく異なる点は、▲１▼回転処理部５および乾燥処理部９を収容する処理部１０３と、搬入搬出部３との間に中継部１０５を介設した点、▲２▼中継部１０５の両側にシャッタ１０７，１０９を設けた点、▲３▼乾燥処理部９を回転処理部５の上側に配置し、インタフェース７を省略した点、および▲４▼乾燥処理部９の構成を変更した点のみであり、それ以外の部分についてはほぼ同一の構成であり、互いに対応する部分には同一の参照符号を付して説明を省略する。なお、本実施形態では、搬入搬出部３に設けられていた前述の受渡し台３９が省略され、中継部１０５の後述する基板受渡し機構１１９がその受渡し台３９の機能を担っている。
【０１１１】
この基板処理装置１０１は、キャリアＣとして透明性の高いＦＯＵＰカセットが使用されることを想定したものであり、図４の矢印Ａで示すように、その透明性の高いキャリアＣを介して、基板処理装置１０１の基板の搬送路内に進入した光が、その搬送路を介して遮光領域である処理部１０３内に進入するのをシャッタ１０７，１０９により防止する。
【０１１２】
処理部１０３は、図４および図５に示すように、その内部を遮光する容体１１１内に、前述の４つの回転処理ユニット５１と、前述の基板搬送機構５３と、４つの乾燥ユニット１１３と、複数（例えば、２つ）の温度調節ユニット１１５とを備えている。回転処理ユニット５１は、第１実施形態と同様に基板搬送機構５３の両側に２つずつ配設されている。乾燥ユニット１１３は、回転処理ユニット５１の上側における中継部１０５から見て奥側の領域に、基板搬送機構５３を挟んで左右に２つずつ２段重ねで配設されている。温度調節ユニット１１５は、回転処理ユニット５１の上側における中継部１０５から見て手前側の領域に、基板搬送機構５３を挟んで左右に分散して配設されている。なお、処理部１０３内に設けられる回転処理ユニット５１、乾燥ユニット１１３および温度調節ユニット１１５等の設置数や配置位置等は、図４および図５の構成に限定するものでなく、多様な構成が採用可能である。
【０１１３】
回転処理ユニット５１の構成、機能および動作は、前述の第１実施形態の場合と同様である。基板搬送機構５３は、前述の第１実施形態に係る構成と同様であるが、本実施形態では、処理部１０３と中継部１０５との間の基板Ｗの受渡し、および各ユニット５１，１１３，１１５間の基板Ｗの搬送を行うようになっている。
【０１１４】
乾燥ユニット１１３は、回転処理ユニット５１によるポリマー除去処理後の基板Ｗに対して乾燥処理を行うためのものであり、そのチャンバ内に温度調節機構を持つ温調プレート１１３ａを備えて構成されている。そして、基板搬送機構５３により温調プレート１１３ａ上にセットされた基板Ｗを温調プレート１１３ａにより昇温し、基板Ｗに付着している水分等を蒸発させて乾燥する。なお、乾燥ユニット１１３の代わりに、前述の第１実施形態に係る乾燥ユニット９１を備えるようにしてもよい。
【０１１５】
温度調節ユニット１１５は、乾燥ユニット１１３による乾燥処理後の基板Ｗの温度調節（より具体的には冷却）を行うためのものであり、そのチャンバ内に温度調節のための温調プレート１１５ａを備えて構成されている。そして、基板搬送機構５３により温調プレート１１５ａ上にセットされた基板Ｗに対して温調プレート１１５ａにより温度調節を行う。
【０１１６】
中継部１０５は、図４に示すように、搬入搬出部３と処理部１０３との間に介設され、その内部を遮光する容体１１７内に、この中継部１０５と搬入搬出部３および処理部１０３との間で基板Ｗの受渡しを行う基板受渡し機構１１９を備えている。この基板受渡し機構１１９の詳細な構成については後述する。
【０１１７】
搬入搬出部３と中継部１０５との間の隔壁部１２１には、図４および図６に示すように、基板Ｗの搬出入のための開口部（ゲート部）１２３が設けられている。その開口部１２３には、その開口部１２３を介して中継部１０５内に進入する光を遮光するシャッタ１０７が設けられている。シャッタ１０７で開口部１２３を閉鎖することにより、開口部１２３を介して中継部１０５内に進入する光を遮光して中継部１０５内を暗室化することができる。
【０１１８】
また、中継部１０５と処理部１０３との間の隔壁部１２５には、図４および図６に示すように、基板Ｗの搬出入のための開口部（ゲート部）１２７が設けられている。その開口部１２７には、その開口部１２７を介して処理部１０３内に進入する光を遮光するシャッタ１０９が設けられている。シャッタ１０９で開口部１２７を閉鎖することにより、開口部１２７を介して処理部１０３内に進入する光を遮光して処理部１０３内を暗室化することができる。
【０１１９】
ここで、開口部１２３と開口部１２７との間の距離は、基板Ｗの搬送方向の幅よりも大きく設定されており、基板Ｗが後述する中継部１０５の基板受渡し機構１１９に載置されている状態で、両方の開口部１２３，１２７をシャッタ１０７，１０９により閉鎖できるようになっている。そこで、本実施形態では、開口部１２３，１２７の少なくともいずれか一方が、シャッタ１０７，１０９により閉鎖されている状態を保持することにより、処理部１０３内の暗室状態を保持するようになっている。
【０１２０】
シャッタ１０７，１０９は、図７および図８に示すように、シャッタ開閉機構であるエアシリンダ１３１，１３３により昇降駆動されて開口部１２３，１２７を開閉する。開口部１２３，１２７の左右の外縁部および上方の外縁部には、シャッタ１０７，１０９の左右縁部を保持するとともに、および閉鎖位置にあるシャッタ１０７，１０９の上側縁部を保持する保持部１３４，１３５が設けられている。この保持部１３４，１３５によって、シャッタ１０７，１０９が昇降移動可能に保持されるとともに、閉鎖時に開口部１２３，１２７の周囲から光が進入するのが確実に防止される。
【０１２１】
エアシリンダ１３１，１３３は、コントローラ１９によって制御される駆動部１３６から供給される駆動用のエアによって駆動される。コントローラ１９は、駆動部１３６を介してエアシリンダ１３１，１３３を駆動することにより、シャッタ１０７，１０９を開閉する。エアシリンダ１３１，１３３には、シャッタ１０７，１０９が閉鎖位置（上昇位置）および開放位置（下降位置）にあることを検知するための、検知スイッチ（例えば、フォトマイクロセンサ）１３７，１３９が設けられている。コントローラ１９は、この検知スイッチ１３７，１３９からの信号により、シャッタ１０７が閉鎖位置または開放位置にあることを検知する。
【０１２２】
中継部１０５の基板受渡し機構１１９は、図６および図９に示すように、スライドテーブル１４１と、スライドテーブル１４１を駆動する駆動機構１４３とを備えている。スライドテーブル１４１は、中継部１０５内における搬入搬出部３側の開口部１２３の内側近傍の第１の受渡し位置（図６に示す位置）と、処理部１０３側の開口部１２７の内側近傍の第２の受渡し位置（図９に示す位置）との間で、駆動機構１４３によって往復駆動される。コントローラ１９は、駆動機構１４３を介してスライドテーブル１４１を駆動制御する。なお、本実施形態では、スライドテーブル１４１の第２の受渡し位置を中継部１０５内における開口部１２７の内側近傍に設定したが、スライドテーブル１４１の一部又は全体が開口部１２７を介して処理部１０３内に進入可能な構成とし、スライドテーブル１４１の一部又は全体が処理部１０３内に進入した位置（第２の受渡し位置）で、スライドテーブル１４１と基板搬送機構５３との間で基板Ｗの受渡しが行われるようにしてもよい。
【０１２３】
スライドテーブル１４１には、基板Ｗを支持する複数のピン（例えば、基板Ｗのエッジを保持するエッジホールドピン）１４１ａが突設されている。ここで、本実施形態ではキャリアＣとしてＦＯＵＰカセットが採用されているため、搬入搬出機構３７の搬入搬出用アーム３７ａ（図６参照）は、規格化されたＦＯＵＰカセット内の構成に対応した形状とされている。このため、スライドテーブル１４１のピン１４１ａの配列等の構成も、基板Ｗの受渡しの際にアーム３７ａと干渉しない構成とされている。
【０１２４】
次に、この基板処理装置１０１の動作、特に、中継部１０５を介した基板Ｗの受渡し動作およびシャッタ１０７，１０９の開閉動作について説明する。
【０１２５】
基板Ｗが搬入搬出機構３から処理部１０３に搬送される際には、まず図６に示すように、スライドテーブル１４１が第１の受渡し位置に位置されるとともに、シャッタ１０９により開口部１２７が閉鎖された状態でシャッタ１０７により開口部１２３が開放され、搬入搬出機構３７の搬入搬出用アーム３７ａによってキャリアＣから取り出された基板Ｗが、開口部１２３を介して基板受渡機構１１９のスライドテーブル１４１に受渡される。その受渡しは、基板Ｗが、搬入搬出アーム３７ａによってスライドテーブル１４１のピン１４１ａ上に載置されることにより行われる。
【０１２６】
続いて、図９に示すように、シャッタ１０７により開口部１２３が閉鎖された後、シャッタ１０９により開口部１２７が開放されるとともに、スライドテーブル１４１が第１の受渡し位置から第２の受渡し位置に移動され、スライドテーブル１４１上の基板Ｗが、開口部１２７を介して基板搬送機構５３の搬送アーム５３ａによって受け取られる。搬送アーム５３ａによって基板Ｗが処理部１０３内に取り込まれると、シャッタ１０９によって開口部１２７が閉鎖される。
【０１２７】
処理部１０３内に取り込まれた基板Ｗは、基板搬送機構５３によって回転処理ユニット５１内に送り込まれ、回転処理ユニット５１にて第１実施形態と同様なポリマー除去処理が施される。ポリマー除去処理が終了すると、基板Ｗは、基板搬送機構５３によって、回転処理ユニット５１内から取り出されて、乾燥ユニット１１３に送り込まれ、乾燥ユニット１１３の温調プレート１１３ａによって昇温されて、付着している水分等が蒸発されて乾燥される。乾燥処理が終了すると、基板Ｗは、基板搬送機構５３によって、乾燥ユニット１１３内から取り出されて、温度調節ユニット１１５に送り込まれ、温度調節ユニット１１５の温調プレート１１５ａにより温度調節処理が行われる。温度調節処理が終了すると、基板Ｗは、基板搬送機構５３により処理部１０３から送り出される。
【０１２８】
基板Ｗが処理部１０３から搬入搬出機構３に搬送される際には、まず図９に示すように、スライドテーブル１４１が第２の受渡し位置に位置されるとともに、シャッタ１０７により開口部１２３が閉鎖された状態でシャッタ１０９により開口部１２７が開放され、基板Ｗが開口部１２７を介し基板搬送機構５３の搬送アーム５３ａによって基板受渡機構１１９のスライドテーブル１４１上に載置されて受渡される。
【０１２９】
続いて、図６に示すように、シャッタ１０９により開口部１２７が閉鎖された後、シャッタ１０７により開口部１２３が開放されるとともに、スライドテーブル１４１が第２の受渡し位置から第１の受渡し位置に移動され、スライドテーブル１４１上の基板Ｗが、開口部１２３を介して搬入搬出機構３７の搬入搬出用アーム３７ａによって受け取られる。搬入搬出用アーム３７ａによって基板Ｗが搬入搬出部３内に取り込まれると、シャッタ１０７によって開口部１２３が閉鎖される。受け取られた基板Ｗは、搬入搬出機構３７によってキャリアＣ内に収容される。
【０１３０】
以上のように、本実施形態によれば、処理部１０３と搬入搬出部３との間に中継部１０５を設けるとともに、搬入搬出部３と中継部１０５との間のゲート部である開口部１２３にシャッタ１０７を設け、中継部１０５と処理部１０３との間のゲート部である開口部１２７にシャッタ１０９を設けたため、基板ＷをキャリアＣと処理部１０３との間で搬送する過程において、シャッタ１０７，１０９の少なくともいずれか一方が必ず閉鎖状態となるように開閉制御することにより、処理部１０３および回転処理ユニット５１のチャンバ６５内を確実に暗室化し、チャンバ６５内等で光を触媒とした悪影響が生じるのを防止することができる。
【０１３１】
これによって、本実施形態のようにキャリアＣとして透明性の高いＦＯＵＰカセットを使用した場合であっても、ＦＯＵＰカセットを介して装置１０１内の基板Ｗの搬送路中に進入した光が、その搬送路を介して処理部１０３内に進入するのを確実に防止することができる。
【０１３２】
また、このシャッタ１０７，１０９によりキャリアＣの交換中でも処理部１０３内を確実に遮光できる。
【０１３３】
さらに、回転処理ユニット５１を収容する処理部１０３内が暗室化されるため、ポリマー除去を行う回転処理ユニット５１から乾燥処理を行う乾燥ユニット１１３に基板Ｗを搬送する際に、仮にポリマー除去のための除去液が基板Ｗに付着していた場合であっても、基板Ｗに付着した除去液が原因となって光を触媒とした悪影響が生じるのを防止することができる。
【０１３４】
また、シャッタ１０７，１０９により開口部１２３，１２７を閉鎖することにより、搬入搬出部３と中継部１０５との間、および中継部１０５と処理部１０３との間での気流の回り込み等を防止できる。
【０１３５】
＜第２実施形態の変形例＞
この第２実施形態の変形例として、処理部１０３内の遮光はシャッタ１０７，１０９に確保されているため、回転処理ユニット５１のシャッタ５９については、ポリマー除去処理時の処理液の飛散や、ユニット５１内の雰囲気管理等の点で問題がない場合には省略してもよい。
【０１３６】
他の変形例として、処理部１０３内における回転処理ユニット５１のチャンバ６５以外の領域については遮光の必要がない場合には、シャッタ１０７を省略し、残された２つのシャッタ５９，１０９によってチャンバ６５内の遮光を行うようにしてもよい。この場合も、シャッタ５９，１０９は、同時には開かないように開閉制御される。あるいは、シャッタ１０７の代わりにシャッタ１０９を省略しても、残りの２つのシャッタ５９，１０７により同様な効果が得られる。
【０１３７】
さらに他の変形例として、図１０に示すように、中継部１０５を省略して搬入搬出部３に受渡し台３９を復活させるとともに、搬入搬出部３と処理部１０３との間の隔壁部１２５に設けられる開口部（ゲート部）１２７に前述の第２実施形態と同様なシャッタ１０９を設け、そのシャッタ１０９とチャンバ６５のシャッタ５９とによりチャンバ６５内の遮光を確保するようにしてもよい。この場合も、シャッタ５９，１０９は、同時には開かないように開閉制御される。
【０１３８】
【発明の効果】
以上、説明したように、請求項１の発明によれば、少なくとも除去液によって有機物の除去処理を行っている間は、搬送路遮光手段によってゲート部を遮光するとともに、処理室遮光手段によって搬出入口を遮光して、処理室内を暗室とするため、除去液を使用した有機物の除去処理時に光を触媒とした悪影響を確実に防止することができる。
【０１３９】
請求項２の発明によれば、少なくとも除去液によって有機物の除去処理を行っている間は、処理室を含む所定の遮光領域内を暗室とするため、除去液を使用した有機物の除去処理時に光を触媒とした悪影響を防止することができる。
【０１４０】
請求項３の発明によれば、少なくとも前記除去液によって基板を処理している間は、搬送路遮光手段によって搬送路を介して処理室内に進入する光を遮光するため、処理時の処理室内の遮光が維持され、除去液を使用した有機物の除去処理時に光を触媒とした悪影響を確実に防止することができる。
【０１４１】
これによって、キャリアとして透明性の高いＦＯＵＰカセットを使用した場合であっても、ＦＯＵＰカセットを介して装置内の基板の搬送路中に進入した光が、有機物除去処理中に搬送路を介して処理室に進入するのを確実に防止することができる。
【０１４２】
請求項４の発明によれば、少なくとも前記除去液によって基板を処理している間は、搬送路遮光手段によって搬送路を介して処理室内または遮光領域内に進入する光を遮光するため、処理時の処理室内または遮光領域内の遮光が維持され、除去液を使用した有機物の除去処理時に光を触媒とした悪影響を確実に防止することができる。
【０１４３】
また、基板の搬送路に遮光手段を基板の搬送方向の幅よりも大きな間隔をあけて多段に設ける構成であるため、基板が搬送路内を搬送される過程で、多段に設けられた遮光手段のうちの少なくもいずれか一つを必ず遮光状態とすることができる。その結果、処理室内または遮光領域内を確実に暗室化することができる。
【０１４４】
これによって、キャリアとして透明性の高いＦＯＵＰカセットを使用した場合であっても、ＦＯＵＰカセットを介して装置内の基板の搬送路中に進入した光が搬送路を介して処理室に進入するのを確実に防止することができる。
【０１４６】
請求項５の発明によれば、有機物除去を行う第１の処理室から第２の処理室に基板を搬送する際に、仮に有機物除去のための除去液が基板に付着していた場合であっても、遮光領域内を暗室とすることにより、基板に付着した除去液が原因となって光を触媒とした悪影響が生じるのを防止することができる。
【０１４７】
請求項６の発明によれば、処理室を収容する処理部と搬入搬出部との間に中継部を設けるとともに、搬入搬出部と中継部との間の搬出入用の第１のゲート部に第１の遮光手段を設け、中継部と処理部との間の第２のゲート部に第２の遮光手段を設けたため、基板をキャリアと処理部との間で搬送する過程において、第１および第２の遮光手段の少なくともいずれか一方を必ず遮光状態とすることができ、処理室を収容する処理部内を確実に暗室化することができる。
【０１４８】
請求項７の発明によれば、有機物除去を行う第１の処理室から第２の処理室に基板を搬送する際に、仮に有機物除去のための除去液が基板に付着していた場合であっても、処理部内を暗室とすることにより、基板に付着した除去液が原因となって光を触媒とした悪影響が生じるのを防止することができる。
【０１４９】
請求項８の発明によれば、有機物除去を行う第１の処理室から乾燥処理を行う第２の処理室に基板を搬送する際に、仮に有機物除去のための除去液が基板に付着していた場合であっても、処理部内を暗室とすることにより、基板に付着した除去液が原因となって光を触媒とした悪影響が生じるのを防止することができる。
【０１５０】
請求項９の発明によれば、処理室を収容する処理部と搬入搬出部との間に中継部を設けるとともに、搬入搬出部と中継部との間の搬出入用のゲート部に第１の遮光手段を設け、処理室の基板搬出入用の搬出入口に第２の遮光手段を設けたため、基板をキャリアと処理室との間で搬送する過程において、第１および第２の遮光手段の少なくともいずれか一方を必ず遮光状態とすることができ、処理室内を確実に暗室化することができる。
【０１５１】
また、中継部を設けた分だけ、装置の設備を内蔵するためのスペースを拡大できる。
【０１５２】
請求項１０の発明によれば、処理室を収容する処理部の基板搬出入用のゲート部に第１の遮光手段を設け、処理室の基板搬出入用の搬出入口に第２の遮光手段を設けたため、基板を処理部の外部と処理室内との間で搬送する過程において、第１および第２の遮光手段の少なくともいずれか一方を必ず遮光状態とすることができ、処理室内を確実に暗室化することができる。
【０１５３】
請求項１１に記載の発明によれば、第１の遮光手段および第２の遮光手段が、その両方が同時には開かないように開閉制御されるため、処理部内または処理室内を確実に暗室化することができる。
【０１５４】
請求項１２の発明によれば、処理室に、その内部を観察するための観察窓を設けるため、オペレータが必要に応じて処理室内を確認することができる。
【０１５５】
請求項１３の発明によれば、観察窓が開放されているときには照明手段が能動状態とされ、観察窓が閉鎖されているときには照明手段が非能動状態とされるため、処理室内を確認する必要があるときのみ処理室内が照明されることとなる。
【０１５６】
請求項１４の発明によれば、少なくとも除去液によって基板を処理している間は、観察窓の開放を禁止するため、処理時の処理室内の遮光が維持され、除去液を使用した有機物の除去処理時に光を触媒とした悪影響を確実に防止することができる。
【０１５７】
請求項１５の発明によれば、少なくとも観察窓が開放されている間は、除去液供給手段からの除去液の供給を禁止するため、処理室内に光が進入しているときに除去液を使用した有機物の除去処理が行われて光を触媒とした悪影響が生じるのを防止することができる。
【０１５８】
請求項１６の発明によれば、基板に付着した前記有機物が、基板上に形成されたレジスト膜が変質して生じた反応生成物であり、除去液を使用した反応生成物の除去処理時に光を触媒とした悪影響を防止することができる。
【０１５９】
請求項１７の発明によれば、反応生成物が、レジスト膜をマスクとして基板の表面に存在する薄膜をドライエッチングすることによって生成されたポリマーであり、除去液を使用したポリマーの除去処理時に光を触媒とした悪影響を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の平面図である。
【図２】図１の基板処理装置の回転処理ユニットの構成を示す図である。
【図３】図１の基板処理装置の乾燥ユニットの構成を示す図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係る基板処理装置の平面的構成を示す図である。
【図５】図４の基板処理装置の縦断面的構成を示す図である。
【図６】図４の基板処理装置の中継部周辺の構成を示す断面図である。
【図７】図４の基板処理装置のシャッタ周辺の構成を示す図である。
【図８】図７の要部断面図である。
【図９】図４の基板処理装置の中継部周辺の構成を示す断面図である。
【図１０】図４の基板処理装置の変形例を示す図である。
【図１１】エッチングによって生成したポリマーが付着した様子を示す図である。
【図１２】除去液を使用した除去処理時に銅の下部配線層が腐食された様子を示す図である。
【符号の説明】
１ 基板処理装置
３ 搬入搬出部
５ 回転処理部
７ インタフェース
９ 乾燥処理部
１５ ランプ
１９ コントローラ
２１ 観察窓
２３ 開閉ロック機構
３７ 搬入搬出機構
５１ 回転処理ユニット
５３ 基板搬送機構
５８ 搬出入口
５９ シャッタ
６１ 基板保持手段
６３ 除去液供給手段
６５ チャンバ
９１ 乾燥ユニット
１０１ 基板処理装置
１０３ 処理部
１０５ 中継部
１０７，１０９ シャッタ
１１３ 乾燥ユニット
１１５ 温度調節ユニット
１１９ 基板受渡し機構
１２３，１２７ 開口部
Ｃ キャリア
Ｗ 基板
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）に付着した有機物、例えばレジスト膜をマスクとして基板の表面に存在する薄膜をドライエッチングすることによって生成されたポリマーを除去液によって除去する基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
最先端デバイスの配線には銅が使用されることが多い。銅は、従来のアルミニウムに比較して比抵抗が低く、エレクトロマイグレーションが起きにくい等のメリットがあるためである。その一方で、銅配線はパターンニング技術が難しく、現在では一般にダマシン法によって形成されている。
【０００３】
ダマシン法の一工程に、レジスト膜をマスクとして層間絶縁膜（ＳｉＯ2やｌｏｗ−ｋ膜）をエッチングする工程がある。このときのエッチングの手法としては、例えばＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ／反応性イオンエッチング）等の、ドライエッチングが用いられる。
【０００４】
このようなドライエッチングで使用される反応性イオンのパワーは極めて強いことから、エッチングが完了する時点においてはレジスト膜も一定の割合で変化し、その一部がポリマー等の反応生成物に変質して層間絶縁膜の側壁に堆積する。図１１は、エッチングによって生成したポリマーが付着した様子を示す図である。銅の下部配線層２０３の上に層間絶縁膜２０１と絶縁膜バリア層２０２とが交互に積層されている。エッチングによって配線部が形成され、その部分における層間絶縁膜２０１の側壁にポリマー２１０が堆積付着している。
【０００５】
ポリマー２１０の如き反応生成物は後続するレジスト除去工程では除去されないことから、レジスト除去工程を実行する前または後に、この反応生成物を除去する必要がある。このため、従来、ドライエッチング工程の後またはレジスト除去工程の後には、反応生成物を除去する作用を有する除去液を基板に対して供給することにより、層間絶縁膜の側壁に堆積した反応生成物を除去した後、この基板を純水で洗浄し、さらにこの純水を振り切り乾燥する反応生成物の除去処理を行っている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来においては、このような除去液を使用した除去処理時に外部から進入した光が触媒として作用し、銅の下部配線層２０３を腐食することがあった。図１２は、除去液を使用した除去処理時に銅の下部配線層２０３が腐食された様子を示す図である。このような腐食部分が生じると銅の配線構造に悪影響を及ぼすことが考えられる。
【０００７】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、除去液を使用した有機物の除去処理時に光を触媒とした悪影響を防止することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板に付着した有機物を、該有機物の除去液によって除去する基板処理装置において、有機物の除去を行うための処理室と、前記処理室内にて基板を保持する保持手段と、前記保持手段に保持された基板に前記除去液を供給する除去液供給手段と、基板を収容するキャリアから前記処理室までの基板の搬送路に設けられる基板搬出入用のゲート部に設けられ、そのゲート部を介して前記処理室内に進入する光を遮光するための搬送路遮光手段と、前記ゲート部の縁部に設けられ、前記搬送路遮光手段による前記ゲート部の閉鎖時に前記搬送路遮光手段の縁部を囲み、前記ゲート部の周囲からの光の進入を防止する進入防止部材と、を備え、前記処理室に、前記処理室に対して基板を搬出入するための搬出入口と、前記搬出入口から前記処理室内に進入する光を遮光するための処理室遮光手段と、を設け、前記搬送路遮光手段が遮光する前記ゲート部と、前記処理室遮光手段が遮光する前記搬出入口とは直交配置され、少なくとも前記除去液によって有機物の除去処理を行っている間は、前記搬送路遮光手段によって前記ゲート部を遮光するとともに、前記処理室遮光手段によって前記搬出入口を遮光して、前記処理室内を暗室としている。
【０００９】
また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る基板処理装置において、少なくとも前記除去液によって有機物の除去処理を行っている間は、この基板処理装置における前記処理室を含む所定の遮光領域内を暗室としている。
【００１０】
また、請求項３の発明は、請求項２に係る基板処理装置において、前記搬送路遮光手段は、前記キャリアから前記遮光領域までの基板の搬送路に設けられる。
【００１１】
また、請求項４の発明は、請求項１または請求項２に係る基板処理装置において、基板を収容するキャリアから前記処理室まで、または前記遮光領域を暗室化する場合には前記キャリアから前記遮光領域までの基板の搬送路に、その搬送路を介して前記処理室内または前記遮光領域内に進入する光を遮光するための遮光手段を、基板の搬送方向の幅よりも大きな間隔をあけて多段に、前記搬送路遮光手段として設けている。
【００１３】
また、請求項５の発明は、請求項２から請求項４のいずれかに係る基板処理装置において、前記遮光領域内に、前記処理室である第１の処理室と、前記有機物の除去とは異なる処理を行う第２の処理室と、前記第１の処理室と前記第２の処理室との間で基板の搬送を行う基板搬送機構と、を備えている。
【００１４】
また、請求項６の発明は、請求項２に係る基板処理装置において、所定位置に配置されたキャリアに対し、基板の搬入および搬出を行う搬入搬出機構を備えた搬入搬出部と、前記処理室を収容し、その内部空間が前記遮光領域とされる処理部と、前記搬入搬出部と前記処理部との間に介設され、前記搬入搬出部と前記処理部との間で基板の受渡しを行う基板受渡し機構を備えた中継部と、を備え、前記搬入搬出部と前記中継部との間に設けられる基板搬出入用の第１のゲート部に、その第１のゲート部を介して前記中継部内に進入する光を遮光する第１の遮光手段と、前記中継部と前記処理部との間に設けられる基板搬出入用の第２のゲート部に、その第２のゲート部を介して前記処理部内に進入する光を遮光する第２の遮光手段と、を前記搬送路遮光手段として設けている。
【００１５】
また、請求項７の発明は、請求項６に係る基板処理装置において、前記処理部は、前記処理室である第１の処理室と、前記有機物の除去とは異なる処理を行う第２の処理室と、前記第１の処理室と前記第２の処理室との間で基板の搬送を行う基板搬送機構と、を備えている。
【００１６】
また、請求項８の発明は、請求項７に係る基板処理装置において、前記第２の処理室では、前記第１の処理室にて有機物の除去が行われた基板に対して乾燥処理が行われるものである。
【００１７】
また、請求項９の発明は、請求項１に係る基板処理装置において、所定位置に配置されたキャリアに対し、基板の搬入および搬出を行う搬入搬出機構を備えた搬入搬出部と、前記処理室を収容する処理部と、前記搬入搬出部と前記処理部との間に介設され、前記搬入搬出部と前記処理部との間で基板の受渡しを行う基板受渡し機構を備えた中継部と、を備え、前記搬入搬出部と前記中継部との間に設けられる基板搬出入用のゲート部に、そのゲート部から前記中継部を介して前記処理部内に進入する光を遮光する第１の遮光手段を前記搬送路遮光手段として設け、前記処理室の基板搬出入用の搬出入口に、その搬出入口を介して前記処理室内に進入する光を遮光する第２の遮光手段を前記処理室遮光手段として設けている。
【００１８】
また、請求項１０の発明は、請求項１に係る基板処理装置において、前記処理室を、所定の処理部内に収容し、前記処理部の基板搬出入用のゲート部に、そのゲート部を介して前記処理室内に進入する光を遮光する第１の遮光手段を前記搬送路遮光手段として設け、前記処理室の基板搬出入用の搬出入口に、その搬出入口を介して前記処理室内に進入する光を遮光する第２の遮光手段を前記処理室遮光手段として設けている。
【００１９】
また、請求項１１の発明は、請求項６から請求項１０のいずれかに係る基板処理装置において、前記第１の遮光手段および前記第２の遮光手段は、開閉式の遮光手段であり、その両方が同時には開かないように開閉制御されるものである。
【００２０】
また、請求項１２の発明は、請求項１から請求項１１のいずれかに係る基板処理装置において、前記処理室に、その内部を観察するための観察窓を設けている。
【００２１】
また、請求項１３の発明は、請求項１２に係る基板処理装置において、前記処理室の内部に照明手段を設けるとともに、前記観察窓が開放されているときには前記照明手段が能動状態とされ、前記観察窓が閉鎖されているときには前記照明手段が非能動状態とされるものである。
【００２２】
また、請求項１４の発明は、請求項１３に係る基板処理装置において、少なくとも前記除去液によって基板を処理している間は、前記観察窓の開放を禁止する窓開放禁止手段をさらに備えている。
【００２３】
また、請求項１５の発明は、請求項１３または請求項１４記載の基板処理装置において、少なくとも前記観察窓が開放されている間は、前記除去液供給手段からの前記除去液の供給を禁止する除去液供給禁止手段をさらに備えている。
【００２４】
また、請求項１６の発明は、請求項１から請求項１５のいずれかに記載の基板処理装置において、基板に付着した前記有機物は、基板上に形成されたレジスト膜が変質して生じた反応生成物であるものである。
【００２５】
また、請求項１７の発明は、請求項１６に係る基板処理装置において、前記反応生成物は、前記レジスト膜をマスクとして基板の表面に存在する薄膜をドライエッチングすることによって生成されたポリマーであるものである。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２７】
以下の各実施形態において、基板とは半導体基板であり、より詳しくはシリコン基板である。また、当該基板は薄膜を有する。該薄膜は金属膜または絶縁膜である。金属膜を構成する金属としては銅やアルミニウム、チタン、タングステンおよび、これらの混合物がある。絶縁膜としては前記金属の酸化膜や窒化膜およびシリコン酸化膜やシリコン窒化膜、有機絶縁膜、低誘電体層間絶縁膜がある。なお、ここでいう薄膜とは、薄膜が形成された基板に対して垂直方向の断面において高さ寸法が底部の長さより短いものはもちろん、高さ寸法が底部の長さより長いものも含む。従って、基板上で部分的に形成されている膜や配線など、基板に向って見たとき線状や島状に存在するものも薄膜に含まれる。
【００２８】
この薄膜を、パターン化されたレジスト膜をマスクとしてドライエッチングする工程を経た基板にはドライエッチングによってレジストや薄膜に由来する反応生成物であるポリマーが生成されている。
【００２９】
以下の各実施形態における基板処理とは前記ポリマーが生成された基板からポリマーを除去するポリマー除去処理である。
【００３０】
また、以下、基板から脱落したポリマーを汚染物質と表記する場合もある。
【００３１】
また、以下の実施形態における除去液とはポリマー除去液である。ポリマー除去液はポリマーのみを選択的に除去する液であり、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド等、有機アミンを含む有機アミン系除去液、フッ化アンモンを含むフッ化アンモン系除去液、無機系の除去液がある。
【００３２】
有機アミン系の除去液としてはモノエタノールアミンと水とアロマティックトリオールとの混合溶液、２−（２−アミノエトキシ）エタノールとヒドロキシアミンとカテコールとの混合溶液、アルカノールアミンと水とジアルキルスルホキシドとヒドロキシアミンとアミン系防食剤の混合溶液、アルカノールアミンとグライコールエーテルと水との混合溶液、ジメチルスルホキシドとヒドロキシアミンとトリエチレンテトラミンとピロカテコールと水の混合溶液、水とヒドロキシアミンとピロガロールとの混合溶液、２−アミノエタノールとエーテル類と糖アルコール類との混合溶液、２−（２−アミノエトキシ）エタノールとＮとＮ−ジメチルアセトアセトアミドと水とトリエタノールアミンとの混合溶液がある。
【００３３】
フッ化アンモン系の除去液としては、有機アルカリと糖アルコールと水との混合溶液、フッ素化合物と有機カルボン酸と酸・アミド系溶剤との混合溶液、アルキルアミドと水とフッ化アンモンとの混合溶液、ジメチルスルホキシドと２−アミノエタノールと有機アルカリ水溶液と芳香族炭化水素との混合溶液、ジメチルスルホキシドとフッ化アンモンと水との混合溶液、フッ化アンモンとトリエタノールアミンとペンタメチルジエチレントリアミンとイミノジ酢酸と水の混合溶液、グリコールと硫酸アルキルと有機塩と有機酸と無機塩の混合溶液、アミドと有機塩と有機酸と無機塩との混合溶液、アミドと有機塩と有機酸と無機塩との混合溶液がある。
【００３４】
無機系の除去液としては水と燐酸誘導体との混合溶液がある。
【００３５】
また、ここでいう有機溶剤は親水性の有機溶剤であり、水溶性の有機溶剤である。詳述すると、水と混合し、その混合物の沸点を下げる液体である。ここではケトン類、エーテル類、多価アルコールを使用することができる。例えば、ケトン類としては、アセトン、ジエチルケトンが使用でき、エーテル類としてはメチルエーテル、エチルエーテルが使用でき、多価アルコールとしてはエチレングリコールを使用することができる。なお、金属等の不純物の含有量が少ないものが市場に多く提供されている点などからすると、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を使用するのが最も好ましく、本実施形態では、ＩＰＡが使用される。
【００３６】
＜第１実施形態＞
＜１．全体構成＞
図１は本発明の第１実施形態に係る基板処理装置１の平面図である。基板処理装置１は、搬入搬出部３と、回転処理部５と、インタフェース７と、乾燥処理部９とを一列に並べて配列した状態で有する。
【００３７】
搬入搬出部３は、未処理の基板Ｗを収容したキャリアＣが載置される搬入部３１と、処理済みの基板Ｗを収容したキャリアＣが載置される搬出部３３と、受渡し部３５とを有する。
【００３８】
搬入部３１はテーブル状の載置台を有し、装置外の搬送機構によってキャリアＣが２個、搬入される。キャリアＣは例えば２５枚の基板Ｗを水平姿勢で互いに間隔を空けて垂直方向に並べた状態で保持する。搬出部３３もテーブル状の載置台を有し、該載置台に２個のキャリアＣが載置され、該２個のキャリアＣは装置外の搬送機構によって搬出される。
【００３９】
受渡し部３５は搬入部３１、搬出部３３のキャリアＣの並び方向に沿って移動し、かつキャリアＣに対して基板Ｗを搬入、搬出する搬入搬出機構３７と、第１受渡し台３９とを有する。搬入搬出機構３７は、図示を省略する搬入搬出用アームを備え、水平方向に沿った移動の他に鉛直方向を軸とする回転動作や鉛直方向に沿った昇降動作や該搬入搬出用アームの進退動作を行うことができる。これにより、搬入搬出機構３７はキャリアＣに対して基板Ｗの搬出入を行うとともに、第１受渡し台３９に対して基板Ｗを授受する。
【００４０】
回転処理部５は搬入搬出部３に隣接して設けられ、基板Ｗを収容して反応生成物の除去処理を施す４つの回転処理ユニット５１と、第１受渡し台３９および第２受渡し台７１に対して基板Ｗを授受するとともに、４つの回転処理ユニット５１に対して基板Ｗを授受する第１基板搬送機構５３とを有している。
【００４１】
回転処理ユニット５１は搬入搬出部３のキャリアＣの並び方向と直交する方向に沿って２つ並ぶことで回転処理ユニット５１の列を形成し、この回転処理ユニット５１の列が間隔を開けて合計２列、キャリアＣの並び方向に沿って並んでいる。そして、前記回転処理ユニット５１の列と列との間隔に第１基板搬送機構５３が設けられている。なお、回転処理ユニット５１の詳細についてはさらに後述する。
【００４２】
第１基板搬送機構５３は、搬送アーム５３ａを備えるとともに、水平方向に沿った移動、鉛直方向を軸とする回転動作、鉛直方向に沿った昇降動作および搬送アーム５３ａの進退動作を行うことができる。これにより、第１基板搬送機構５３は、回転処理ユニット５１の列と列との間隔に沿って走行し、各回転処理ユニット５１に対して基板Ｗを授受するとともに、第１受渡し台３９に対して基板Ｗを授受する。また、第１基板搬送機構５３は後述の第２受渡し台７１に対しても基板Ｗを授受する。
【００４３】
インタフェース７は回転処理部５と乾燥処理部９とに挟み込まれるようにして設けられ、基板Ｗが載置される第２受渡し台７１を有する。
【００４４】
乾燥処理部９はインタフェース７に隣接して設けられ、基板Ｗを収容して乾燥処理を行う４つの乾燥ユニット９１と、第２受渡し台７１に対して基板Ｗを授受するとともに、４つの乾燥ユニット９１に対して基板Ｗを授受する第２基板搬送機構９３とを有している。
【００４５】
乾燥ユニット９１は搬入搬出部３のキャリアＣの並び方向と直交する方向において２つ並ぶことで乾燥ユニット９１の列を形成し、この乾燥ユニット９１の列が間隔を開けて合計２列、キャリアＣの並び方向に沿って並んでいる。そして、前記乾燥ユニット９１の列と列との間隔に第２基板搬送機構９３が設けられている。なお、乾燥ユニット９１の詳細についてはさらに後述する。
【００４６】
第２基板搬送機構９３は、搬送アーム９３ａを備えるとともに、水平方向に沿った移動、鉛直方向を軸とする回転動作、鉛直方向に沿った昇降動作および搬送アーム９３ａの進退動作を行うことができる。これにより、第２基板搬送機構９３は、乾燥ユニット９１の列と列との間隔に沿って走行し、各乾燥ユニット９１に対して基板Ｗを授受するとともに、第２受渡し台７１に対して基板Ｗを授受する。
【００４７】
＜２．回転処理ユニット＞
次に図２に従い回転処理ユニット５１について説明する。なお、図２は回転処理ユニット５１の構成を示す図である。
【００４８】
回転処理ユニット５１は、１枚の基板Ｗを水平状態に保持して回転する基板保持手段６１と、保持された基板Ｗの周囲を取り囲むカップ６２と、保持された基板Ｗに除去液を供給する除去液供給手段６３と、保持された基板Ｗに純水を供給する純水供給手段６４と、基板保持手段６１に保持されている基板Ｗを収容するチャンバ６５とを有する。また、回転処理ユニット５１は、チャンバ６５に対して基板を搬出入するための搬出入口５８から進入する光を遮光するためのシャッタ５９と、チャンバ６５の内部を照明するランプ１５と、チャンバ６５の内部を観察するための観察窓２１とを備えている。なお、カップ６２は不図示の機構で昇降する。
【００４９】
チャンバ６５は、基板Ｗを収容して反応生成物の除去処理を行うための処理室である。チャンバ６５は、光を透過しない遮光材料によって構成されている。チャンバ６５の側壁（第１基板搬送機構５３側の側壁）には、チャンバ６５に対して基板Ｗを搬出入するための搬出入口５８が設けられている。なお、チャンバ６５内は常に常圧の状態である。なお、チャンバ６５内の雰囲気は不図示の排気機構によって、装置外の所定の排気ダクトへ排出されている。このため、処理液のミストや蒸気などを含んだ雰囲気がチャンバ６５から漏出することが防止されている。
【００５０】
また、チャンバ６５にはシャッタ５９が設けられている。シャッタ５９は、図２中矢印ＡＲ２１にて示すように、シャッタ開閉機構５７によって昇降自在とされている。シャッタ開閉機構５７がシャッタ５９を上昇させているときには、シャッタ５９が搬出入口５８を閉鎖する。シャッタ５９も光を透過しない遮光材料によって構成されており、シャッタ５９が搬出入口５８を閉鎖しているときには、搬出入口５８からチャンバ６５の内部に進入する光を遮光することができる。一方、シャッタ開閉機構５７がシャッタ５９を下降させているときには、搬出入口５８が開放される。搬出入口５８が開放されているときには、第１基板搬送機構５３が搬出入口５８からチャンバ６５内に基板Ｗを搬入または搬出することができる。なお、後述するように、少なくとも除去液によって反応生成物の除去処理を行っている間は、シャッタ５９によって搬出入口５８を閉鎖するようにしている。
【００５１】
基板保持手段６１は、チャンバ６５の外部に設けられたモータ６６と、モータ６６に駆動されることによって垂直方向に沿った軸を中心に回転するチャック６７とを有する。
【００５２】
なお、基板保持手段６１はチャンバ６５内に設けられているが、チャンバ６５内は減圧されるわけではない。本基板処理装置１において、内部が減圧されるのは後述の密閉チャンバ８６であるので、基板保持手段６１は密閉チャンバ８６の外に設けられていることになる。
【００５３】
カップ６２は上面視略ドーナツ型で中央の開口にチャック６７が通過可能な開口を有している。また、カップ６２は回転する基板Ｗから飛散する液体（例えば除去液や純水）を捕集するとともに下部に設けられている排液口６８から捕集した液体を排出する。排液口６８にはドレン７０へ通ずるドレン配管６９が連通接続され、該ドレン配管６９の途中にはドレン配管６９の管路を開閉するドレン弁７２が設けられている。ドレン弁７２を開放することによって、排液口６８からドレン７０へと液体を排出することができる。
【００５４】
除去液供給手段６３はチャンバ６５の外部に設けられたモータ７３と、モータ７３によって回動するアーム７４と、アーム７４の先端に設けられ除去液を下方に吐出する除去液ノズル７５と、除去液ノズル７５に向って除去液を供給する除去液源７６とを有する。また、除去液ノズル７５と除去液源７６とは管路によって連通接続され、該管路には除去液弁７７が設けられている。なお、モータ７３を昇降させることで除去液ノズル７５を昇降させる不図示の昇降手段が設けられている。
【００５５】
このモータ７３を駆動することによって、除去液ノズル７５は基板Ｗの回転中心の上方の吐出位置とカップ６２外の待機位置との間で往復移動する（図１参照）。
【００５６】
純水供給手段６４は、チャンバ６５の外部に設けられたモータ７８と、モータ７８によって回動するアーム７９と、アーム７９の先端に設けられ純水を下方に吐出する純水ノズル８１と、純水ノズル８１に向って純水を供給する純水源８２とを有する。また、純水ノズル８１と純水源８２は管路によって連通接続され、該管路には純水弁８３が設けられている。なお、モータ７８を昇降させることで純水ノズル８１を昇降させる不図示の昇降手段が設けられている。
【００５７】
このモータ７８を駆動することによって、純水ノズル８１は基板Ｗの回転中心の上方の吐出位置とカップ６２外の待機位置との間で往復移動する。
【００５８】
チャンバ６５の側壁（第１基板搬送機構５３と反対側の側壁）には、チャンバ６５の内部を観察するための観察窓２１が設けられている。また、チャンバ６５には観察窓２１を開閉するための観察扉２２が設けられている。観察扉２２は図２中矢印ＡＲ２２にて示すように開閉可能とされており、観察扉２２が図中実線位置にあるときは観察窓２１が開放状態とされ、図中二点差線位置にあるときは観察窓２１が閉鎖状態とされる。観察扉２２も光を透過しない遮光材料によって構成されており、観察扉２２が観察窓２１を閉鎖しているときには、観察窓２１からチャンバ６５の内部に進入する光を遮光することができる。
【００５９】
一方、観察扉２２が観察窓２１を開放しているときには、オペレータが観察窓２１からチャンバ６５の内部を観察することができる。なお、チャンバ６５には開閉ロック機構２３が設けられている。開閉ロック機構２３は、観察窓２１が閉鎖されているときに観察扉２２を図中二点差線位置に固定する機能、すなわち観察窓２１の開放を禁止する機能を有する。具体的には、例えば観察扉２２がステンレス製であるときには電磁石を作動させて観察窓２１の開放を禁止するようにすれば良い。また、開閉ロック機構２３は、機械的に観察窓２１の開放を禁止するようにしても良い。
【００６０】
また、開閉ロック機構２３には、光センサーが内蔵されており、観察窓２１の開閉状態を検出することができる。
【００６１】
また、チャンバ６５の内側天井部分には、チャンバ６５の内部を照明するランプ１５が設けられている。ランプ１５を点灯させた状態にて観察窓２１を開放することにより、ダミーランニング等の際にオペレータは観察窓２１からチャンバ６５の内部を観察することができ、例えば除去液ノズル７５から基板Ｗの回転中心に正確に除去液が吐出されているか否かを確認することができる。
【００６２】
さらに、回転処理ユニット５１はチャンバ６５の外部にコントローラ１９を備えている。コントローラ１９は、少なくともシャッタ開閉機構５７、ランプ１５、開閉ロック機構２３および除去液弁７７と電気的に接続されており、これらの動作を制御する。その具体的な制御態様についてはさらに後述する。また、コントローラ１９に、モータ６６，７３，７８等を制御させて回転処理ユニット５１全体の動作を管理させるようにしても良い。
【００６３】
＜３．乾燥ユニット＞
図３は乾燥ユニット９１の構成を示す図である。乾燥ユニット９１はフレーム８５上に設けられた気密の密閉チャンバ８６と、密閉チャンバ８６内に上部が配され、温度調節機構を持つ温調プレート８７と、密閉チャンバ８６内の圧力を低下させる減圧手段９０と、減圧された密閉チャンバ８６内の圧力を常圧に戻す常圧開放手段４０と、密閉チャンバ８６内に有機溶剤の蒸気を供給する溶剤蒸気供給手段８０とを有する。なお減圧手段９０はポンプ８４と、ポンプ８４と密閉チャンバ８６とを連通させている管路とを有する。
【００６４】
密閉チャンバ８６にはシャッタ９６が設けられており、第２基板搬送機構９３が密閉チャンバ８６内に基板Ｗを搬入または搬出する場合には開放され、それ以外のときは閉止されて密閉チャンバ８６の気密性を保持する。また、密閉チャンバ８６の下部には排気口８９が設けられており、該排気口８９は管路でポンプ８４に通じている。ポンプ８４は密閉チャンバ８６内の雰囲気を排気することで密閉チャンバ８６内の圧力を低下させる。
【００６５】
密閉チャンバ８６内には温調プレート８７が突出して設けられている。温調プレート８７は内部に加熱または冷却機構を有しており、基板Ｗの温度を調節する。また、温調プレート８７には基板Ｗが載置されるピン８８が３本設けられており、第２基板搬送機構９３との間で基板Ｗを授受するときは上昇し、基板Ｗに乾燥処理を施すときは下降する。なお、ピン８８が下降して乾燥処理を施すときは、ピン８８の頂部は温調プレート８７の上面よりも若干突出しており、基板Ｗと温調プレート８７との間には微少な間隔が存在する。
【００６６】
溶剤蒸気供給手段８０は密閉チャンバ８６内に溶剤蒸気（ここではＩＰＡ＝イソプロピルアルコール）を供給する溶剤蒸気供給ノズル９２と、溶剤蒸気供給ノズル９２に対して溶剤蒸気を送り出す溶剤蒸気源９５と、溶剤蒸気源９５と溶剤蒸気供給ノズル９２とを連通接続する溶剤管路９７に設けられた溶剤弁９４とを有する。なお、ここで言う溶剤蒸気とは微細な液滴から構成される霧状の有機溶剤および、気体の有機溶剤の両方を含む。このため溶剤蒸気源９５は溶剤蒸気発生手段として、液体のＩＰＡに超音波を付与して溶剤蒸気を得る超音波気化手段や液体のＩＰＡを加熱して溶剤蒸気を得る加熱気化手段や、液体のＩＰＡに窒素などの不活性ガスの気泡を通して溶剤蒸気を得るバブリング気化手段を含む。
【００６７】
密閉チャンバ８６には不活性ガス（ここでは窒素ガス）の供給源であるＮ2源９９から導かれるガス管路９８が連通接続されている。また、ガス管路９８の途中にはガス管路９８の流路を開閉するガス弁９３が設けられている。なお密閉チャンバ８６内の圧力を常圧にする常圧開放手段４０は前記ガス管路９８とガス弁９３とＮ2源９９とを有する。
【００６８】
＜４．処理内容＞
次に前記基板処理装置１を用いた基板処理方法について説明する。本基板処理方法は以下の除去液供給工程、純水供給工程、液切り工程、乾燥工程からなる。
【００６９】
まず、キャリアＣに収容された基板Ｗが搬入部３１に搬入される。この基板Ｗは薄膜を有し、該薄膜はパターン化されたレジスト膜をマスクとしてドライエッチングを施されている。これにより、該基板Ｗにはレジスト膜や薄膜に由来する反応生成物（ポリマー）が付着している（図１１参照）。
【００７０】
搬入部３１のキャリアＣから搬入搬出機構３７により基板Ｗが１枚取り出され、第１受渡し台３９に載置される。第１受渡し台３９に載置された基板Ｗは第１基板搬送機構５３により持ち出され、４つの回転処理ユニット５１のうちの所定の１つに搬入される。回転処理ユニット５１ではシャッタ５９を下降させて搬出入口５８を開放し、第１基板搬送機構５３が搬送してきた基板Ｗをチャック６７にて受取り保持する。基板Ｗを受けとった回転処理ユニット５１では基板保持手段６１が基板を保持する。またドレン弁７２は開放しておく。
【００７１】
次に、基板保持手段６１はモータ６６を回転させて基板Ｗを回転させる。そして、基板Ｗが所定の回転数に達すると除去液供給工程が実行される。除去液供給工程ではモータ７３が回動して待機位置にある除去液ノズル７５が吐出位置に移動する。そして、除去液弁７７を開放して除去液ノズル７５から基板Ｗに除去液を供給する。基板Ｗに供給された除去液は基板Ｗの外に落下してカップ６２にて集められ、ドレン配管６９を通じてドレン７０に排出される。所定時間、除去液を供給すると除去液弁７７を閉止し、除去液ノズル７５を待機位置に戻す。
【００７２】
この除去液供給工程では基板Ｗに供給された除去液が基板上の反応生成物に作用するため、基板上の反応生成物は基板から脱落しやすくなる。このため、反応生成物は基板Ｗの回転や除去液の供給により、徐々に基板Ｗ上から除去されていく。
【００７３】
また、除去液供給工程では、少なくとも除去液によって反応生成物の除去処理を行っている間は、コントローラ１９がシャッタ開閉機構５７を制御してシャッタ５９によって搬出入口５８を閉鎖するとともに、ランプ１５を消灯する。さらに、少なくとも除去液によって反応生成物の除去処理を行っている間は、コントローラ１９が開閉ロック機構２３を制御して観察窓２１の開放を禁止するようなインターロックをかけている。このため、少なくとも除去液によって基板上の反応生成物の除去処理を行っている間は、シャッタ５９によって搬出入口５８が遮光されるとともに、観察窓２１も遮光されることとなり、チャンバ６５内が暗室とされている。
【００７４】
従って、基板処理装置１では、除去液を使用した反応生成物の除去処理時に光を触媒とした悪影響を防止することができるのである。
【００７５】
また、少なくとも除去液によって反応生成物の除去処理を行っている間は、観察窓２１の開放を禁止するようなインターロックがかけられているため、オペレータが不用意に観察窓２１を開けようとしても観察窓２１が開放されることはなく、チャンバ６５への遮光は維持されることとなり、光を触媒とした悪影響を確実に防止することができる。
【００７６】
一方、これとは逆に、少なくとも観察窓２１が開放されている間は、基板Ｗへの除去液供給を禁止するようにしている。具体的には、観察窓２１が開放されていることを検知した開閉ロック機構２３からその旨の信号をコントローラ１９が受信している間は、コントローラ１９が除去液弁７７を閉鎖して除去液ノズル７５からの除去液の供給を禁止するようなインターロックをかけている。従って、観察窓２１が開放されてチャンバ６５内に光が進入している状態で除去処理が行われることがなく、除去処理時の光を触媒とした悪影響を防止することができる。
【００７７】
また、同様に、少なくともランプ１５が点灯している間は、基板Ｗへの除去液供給を禁止するようにしている。具体的には、ランプ１５が点灯している間は、コントローラ１９が除去液弁７７を閉鎖して除去液ノズル７５からの除去液の供給を禁止するようなインターロックをかけている。従って、ランプ１５が点灯してチャンバ６５内が照明されている状態で除去処理が行われることがなく、除去処理時の光を触媒とした悪影響を防止することができる。
【００７８】
さらに、観察窓２１の開閉とランプ１５の点灯消灯が連動するようにされている。すなわち、観察窓２１はダミーランニング等の際にオペレータがチャンバ６５の内部を観察するために設けられているものであり、観察窓２１が開放されているときにはチャンバ６５内部を照明して視認可能とする必要がある。逆に、観察窓２１が閉鎖されているときはチャンバ６５内部の照明は不要であり、特に反応生成物の除去処理中は照明を行ってはならない。従って、観察窓２１が開放されているときにはコントローラ１９がランプ１５を点灯（能動状態）するようにし、観察窓２１が閉鎖されているときにはコントローラ１９がランプ１５を消灯（非能動状態）するように制御しているのである。
【００７９】
次に純水供給工程が実行される。純水供給工程ではモータ７８が回動して待機位置にある純水ノズル８１が吐出位置に移動する。そして、純水弁８３を開放して純水ノズル８１から基板Ｗに純水を供給する。基板Ｗに供給された純水は基板Ｗの外に落下してカップ６２にて集められ、ドレン配管６９を通じてドレン７０に排出される。所定時間、純水を供給すると純水弁８３を閉止し、純水ノズル８１を待機位置に戻す。
【００８０】
この純水供給工程では基板Ｗに供給された純水が除去液や溶解された反応生成物などの汚染物質を基板Ｗ上から洗い流す。
【００８１】
次に液切り工程が実行される。液切り工程では基板Ｗを高速で回転させることにより、基板Ｗ上にある液体を振切る。これにより、基板Ｗがほぼ乾燥する。
【００８２】
回転処理ユニット５１で処理が完了すると、シャッタ５９を下降させて搬出入口５８を開放し、第１基板搬送機構５３によって基板Ｗが搬出される。そして、第１基板搬送機構５３は第２受渡し台７１に基板Ｗを載置する。次に、該基板Ｗは第２基板搬送機構９３により第２受渡し台７１から持ち出され、いずれかの乾燥ユニット９１に搬入される。乾燥ユニット９１ではシャッタ９６を開放し、第２基板搬送機構９３は上昇した状態のピン８８に基板Ｗを載置する。そして、シャッタ９６を閉止して密閉チャンバ８６の気密性を確保する。
【００８３】
続いて乾燥ユニット９１では乾燥処理を実行する。乾燥処理は後述の温調工程、置換工程、減圧工程、ガス供給工程、溶剤供給工程、常圧開放工程とを含む乾燥工程により実行される。
【００８４】
まず、基板Ｗが密閉チャンバ８６内に搬入される前に温調プレート８７を乾燥温度にしておく。なお、ここでの乾燥温度とは有機溶剤の発火点以下の温度であり、ここでは有機溶剤としてＩＰＡを使用していることを勘案して３０度以上４０度以下の温度に設定してある。また、基板Ｗが搬入されるよりも前に温調プレート８７の温調制御を行い、温調プレート８７を所定の温度にしているのでスループットの低下を防止できる。
【００８５】
そして、ピン８８を下降させ基板Ｗと温調プレート８７とを近接させ、基板Ｗを加熱する温調工程を実施する。
【００８６】
また、シャッタ９６の閉止後、ポンプ８４を駆動して密閉チャンバ８６内の雰囲気を排気するとともに、ガス弁９３を開いて密閉チャンバ８６内に窒素ガスを導入する。これにより、密閉チャンバ８６内の雰囲気を大気雰囲気から窒素雰囲気に置換する置換工程が実行される。
【００８７】
次に、ポンプ８４の駆動を続行しながら、ガス弁９３を閉じて密閉チャンバ８６内への窒素ガスの供給を停止することで、密閉チャンバ８６内の圧力を減じていく。これにより、密閉チャンバ８６内の気圧を常圧（１０１３２５Ｐａ）よりも下げる減圧工程が実行される。ここでは密閉チャンバ８６内の圧力が６６６．５Ｐａ〜６６６５Ｐａ、好ましくは６６６．５Ｐａ〜２６６６Ｐａにされる。
【００８８】
また、ガス弁９３を閉じたとき以降に、ポンプ８４の駆動を続行しながら、溶剤弁９４を開放する。これにより、溶剤蒸気ノズル９２から密閉チャンバ８６内に有機溶剤を供給する溶剤供給工程を実行する。所定時間、溶剤弁９４を開放した後、溶剤弁９４を閉止する。
【００８９】
溶剤弁９４の閉止以降、ポンプ８４の駆動を続行しながら、再びガス弁９３を開放する。これにより、密閉チャンバ８６を常圧に戻す常圧開放工程が実行される。また所定時間後、ガス弁９３を開放した状態で、ポンプ８４の駆動を停止し、その後、ガス弁９３を閉止し、乾燥工程を終了する。
【００９０】
ここでは、温調工程によって基板Ｗが加熱されるので、基板Ｗ上に残存する水分が蒸発しやすい。しかも、減圧工程で基板Ｗ周囲の気圧が低下している。このため、液体の沸点が低下するので、基板Ｗ上に残存する純水がより容易に蒸発する。
【００９１】
さらに、減圧工程中に基板Ｗに有機溶剤の蒸気が供給される。これにより、有機溶剤は基板Ｗ上に残存する水分と混合する。この、水と有機溶剤との混合物は水よりも沸点が低いため、容易に基板Ｗから蒸発し、基板Ｗから水分を奪うことができる。しかも、温調工程で基板Ｗが加熱され、かつ減圧工程で基板Ｗ周囲の気圧が低下していることから、前記水と有機溶剤との混合物は短時間で容易に蒸発する。従って、基板Ｗを極めて確実に乾燥させることができる。
【００９２】
なお、上記乾燥工程を減圧工程と常圧開放工程とで実行してもよい。この場合は基板Ｗ周囲の気圧低下により、基板Ｗに残存する水分の沸点が低下し、容易に水分が蒸発して乾燥を実行できる。
【００９３】
また、上記乾燥工程を減圧工程と溶剤供給工程と、常圧開放工程とで実行してもよい。この場合は基板上の水と有機溶剤との混合物が生成されるが、該混合物は水よりも沸点が低いため容易に蒸発する。しかも基板Ｗ周囲の気圧低下により沸点が低下しているのでさらに短時間で確実に水分を蒸発させることができる。
【００９４】
また、上記乾燥工程を減圧工程と温調工程と、常圧開放工程とで実行してもよい。この場合は基板上の水分が温調工程で加熱されているとともに周囲の気圧が低下していることから該水分が短時間で確実に蒸発する。
【００９５】
また、上記乾燥工程を溶剤供給工程のみで実行してもよい。この場合は基板上の水と有機溶剤との混合物が生成されるが、該混合物は水よりも沸点が低いため容易に蒸発する。よって、短時間で確実に基板Ｗを乾燥させることができる。
【００９６】
また、上記乾燥工程を温調工程と、溶剤供給工程とで実行してもよい。この場合は基板上の水と有機溶剤との混合物が生成されるが、該混合物は水よりも沸点が低いため容易に蒸発する。しかも温調工程によって該混合物が加熱されているので該混合物が容易に沸点に達し蒸発する。これにより、短時間で確実に基板Ｗを乾燥させることができる。
【００９７】
乾燥ユニット９１での乾燥処理が完了すれば、基板処理が全て完了するので当該処理済みの基板Ｗを搬出部３３に向って搬送する。
【００９８】
これにはまず、乾燥ユニット９１のピン８８を上昇させるとともにシャッタ９６を開放する。そして、第２基板搬送機構９３で乾燥ユニット９１から基板Ｗを搬出する。次に第２基板搬送機構９３は基板Ｗを第２受渡し台７１に載置する。
【００９９】
そして、第１基板搬送機構５３が第２受渡し台７１上の基板Ｗを持ち出し、第１受渡し台３９に載置する。第１受渡し台３９に載置された基板Ｗは搬入搬出機構３７によって持ち出され、搬出部３３に載置されているキャリアＣに搬入される。
【０１００】
なお、第１受渡し台３９および第２受渡し台７１を例えば多段の載置台など、複数の基板載置手段で構成すれば、処理済みの基板Ｗと未処理の基板Ｗとが同時にインタフェース７に存在することができるのでスループットの低下を防止できる。
【０１０１】
＜５．第１実施形態の変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明は上記の例に限定されるものではない。例えば、上記実施形態においては、レジスト膜をマスクとして基板の表面に存在する薄膜をドライエッチングするドライエッチング工程を経た基板に対して、ドライエッチング時に生成された反応生成物であるポリマーを除去することを開示したが、本発明はドライエッチング時に生成されたポリマーが存在する基板から前記ポリマーを除去することに限定されるものではない。
【０１０２】
例えば、本発明はプラズマアッシングの際に生成されたポリマーを基板から除去する場合も含む。よって、本発明は、必ずしもドライエッチングとは限らない各種処理において、レジストに起因して生成されたポリマーを基板から除去する場合も含む。
【０１０３】
また、本発明は、ドライエッチングや、プラズマアッシングによる処理で生成されるポリマーだけを除去することに限定されるものではなく、レジストに由来する各種反応生成物を基板から除去する場合も含む。
【０１０４】
また、本発明ではレジストに由来する反応生成物を基板から除去することに限らず、レジストそのものを基板から除去する場合も含む。
【０１０５】
例えば、レジストが塗布され、該レジストに配線パターン等の模様が露光され、該レジストが現像され、該レジストの下層に対して下層処理（例えば下層としての薄膜に対するエッチング）が施された基板を対象とし、下層処理が終了して、不要になったレジスト膜を除去する場合も含まれる。
【０１０６】
なお、この場合、不要になったレジスト膜を除去するのと同時に、レジスト膜が変質して生じた反応生成物があればこれも同時に除去できるので、スループットが向上するとともに、コストを削減できる。例えば、上記下層処理において、下層である薄膜に対してドライエッチングを施した場合は反応生成物も生成される。よって、ドライエッチング時に下層をマスクすることに供されたレジスト膜そのもの、および、レジスト膜が変質して生じた反応生成物も同時に除去できる。
【０１０７】
また、本発明はレジストに由来する反応生成物やレジストそのものを基板から除去することに限らず、レジストに由来しない有機物、例えば人体から発塵した微細な汚染物質などを該有機物の除去液によって基板から除去することも含む。
【０１０８】
また、上記実施形態においては、コントローラ１９によるインターロック、すなわちソフトウェアによるインターロックをかけるようにしていたが、これに限らず電気回路を用いたハードウェアによるインターロックをかけるようにしても良い。
【０１０９】
また、上記実施形態においては、乾燥ユニット９１にて最終の乾燥処理を行うようにしていたが、乾燥ユニット９１は必須のものではなく、例えば回転処理ユニット５１に減圧機能を付与して該回転処理ユニット５１にて最終の乾燥処理を行うようにしても良い。また、回転処理ユニット５１において純水による洗浄処理を行うときにも、チャンバ６５内を暗室にするようにしても良い。すなわち、本発明に係る基板処理装置は、ポリマー等の有機物を除去液を使用して除去する装置であって、少なくとも除去液によってそのような有機物の除去処理を行っている間は、除去処理を行う処理室を暗室にする形態のものであれば良い。
【０１１０】
＜第２実施形態＞
図４は本発明の第２実施形態に係る基板処理装置の平面的構成を示す図であり、図５は図４の基板処理装置の縦断面的構成を示す図である。本実施形態に係る基板処理装置１０１が前述の第１実施形態に係る基板処理装置１と大きく異なる点は、▲１▼回転処理部５および乾燥処理部９を収容する処理部１０３と、搬入搬出部３との間に中継部１０５を介設した点、▲２▼中継部１０５の両側にシャッタ１０７，１０９を設けた点、▲３▼乾燥処理部９を回転処理部５の上側に配置し、インタフェース７を省略した点、および▲４▼乾燥処理部９の構成を変更した点のみであり、それ以外の部分についてはほぼ同一の構成であり、互いに対応する部分には同一の参照符号を付して説明を省略する。なお、本実施形態では、搬入搬出部３に設けられていた前述の受渡し台３９が省略され、中継部１０５の後述する基板受渡し機構１１９がその受渡し台３９の機能を担っている。
【０１１１】
この基板処理装置１０１は、キャリアＣとして透明性の高いＦＯＵＰカセットが使用されることを想定したものであり、図４の矢印Ａで示すように、その透明性の高いキャリアＣを介して、基板処理装置１０１の基板の搬送路内に進入した光が、その搬送路を介して遮光領域である処理部１０３内に進入するのをシャッタ１０７，１０９により防止する。
【０１１２】
処理部１０３は、図４および図５に示すように、その内部を遮光する容体１１１内に、前述の４つの回転処理ユニット５１と、前述の基板搬送機構５３と、４つの乾燥ユニット１１３と、複数（例えば、２つ）の温度調節ユニット１１５とを備えている。回転処理ユニット５１は、第１実施形態と同様に基板搬送機構５３の両側に２つずつ配設されている。乾燥ユニット１１３は、回転処理ユニット５１の上側における中継部１０５から見て奥側の領域に、基板搬送機構５３を挟んで左右に２つずつ２段重ねで配設されている。温度調節ユニット１１５は、回転処理ユニット５１の上側における中継部１０５から見て手前側の領域に、基板搬送機構５３を挟んで左右に分散して配設されている。なお、処理部１０３内に設けられる回転処理ユニット５１、乾燥ユニット１１３および温度調節ユニット１１５等の設置数や配置位置等は、図４および図５の構成に限定するものでなく、多様な構成が採用可能である。
【０１１３】
回転処理ユニット５１の構成、機能および動作は、前述の第１実施形態の場合と同様である。基板搬送機構５３は、前述の第１実施形態に係る構成と同様であるが、本実施形態では、処理部１０３と中継部１０５との間の基板Ｗの受渡し、および各ユニット５１，１１３，１１５間の基板Ｗの搬送を行うようになっている。
【０１１４】
乾燥ユニット１１３は、回転処理ユニット５１によるポリマー除去処理後の基板Ｗに対して乾燥処理を行うためのものであり、そのチャンバ内に温度調節機構を持つ温調プレート１１３ａを備えて構成されている。そして、基板搬送機構５３により温調プレート１１３ａ上にセットされた基板Ｗを温調プレート１１３ａにより昇温し、基板Ｗに付着している水分等を蒸発させて乾燥する。なお、乾燥ユニット１１３の代わりに、前述の第１実施形態に係る乾燥ユニット９１を備えるようにしてもよい。
【０１１５】
温度調節ユニット１１５は、乾燥ユニット１１３による乾燥処理後の基板Ｗの温度調節（より具体的には冷却）を行うためのものであり、そのチャンバ内に温度調節のための温調プレート１１５ａを備えて構成されている。そして、基板搬送機構５３により温調プレート１１５ａ上にセットされた基板Ｗに対して温調プレート１１５ａにより温度調節を行う。
【０１１６】
中継部１０５は、図４に示すように、搬入搬出部３と処理部１０３との間に介設され、その内部を遮光する容体１１７内に、この中継部１０５と搬入搬出部３および処理部１０３との間で基板Ｗの受渡しを行う基板受渡し機構１１９を備えている。この基板受渡し機構１１９の詳細な構成については後述する。
【０１１７】
搬入搬出部３と中継部１０５との間の隔壁部１２１には、図４および図６に示すように、基板Ｗの搬出入のための開口部（ゲート部）１２３が設けられている。その開口部１２３には、その開口部１２３を介して中継部１０５内に進入する光を遮光するシャッタ１０７が設けられている。シャッタ１０７で開口部１２３を閉鎖することにより、開口部１２３を介して中継部１０５内に進入する光を遮光して中継部１０５内を暗室化することができる。
【０１１８】
また、中継部１０５と処理部１０３との間の隔壁部１２５には、図４および図６に示すように、基板Ｗの搬出入のための開口部（ゲート部）１２７が設けられている。その開口部１２７には、その開口部１２７を介して処理部１０３内に進入する光を遮光するシャッタ１０９が設けられている。シャッタ１０９で開口部１２７を閉鎖することにより、開口部１２７を介して処理部１０３内に進入する光を遮光して処理部１０３内を暗室化することができる。
【０１１９】
ここで、開口部１２３と開口部１２７との間の距離は、基板Ｗの搬送方向の幅よりも大きく設定されており、基板Ｗが後述する中継部１０５の基板受渡し機構１１９に載置されている状態で、両方の開口部１２３，１２７をシャッタ１０７，１０９により閉鎖できるようになっている。そこで、本実施形態では、開口部１２３，１２７の少なくともいずれか一方が、シャッタ１０７，１０９により閉鎖されている状態を保持することにより、処理部１０３内の暗室状態を保持するようになっている。
【０１２０】
シャッタ１０７，１０９は、図７および図８に示すように、シャッタ開閉機構であるエアシリンダ１３１，１３３により昇降駆動されて開口部１２３，１２７を開閉する。開口部１２３，１２７の左右の外縁部および上方の外縁部には、シャッタ１０７，１０９の左右縁部を保持するとともに、および閉鎖位置にあるシャッタ１０７，１０９の上側縁部を保持する保持部１３４，１３５が設けられている。この保持部１３４，１３５によって、シャッタ１０７，１０９が昇降移動可能に保持されるとともに、閉鎖時に開口部１２３，１２７の周囲から光が進入するのが確実に防止される。
【０１２１】
エアシリンダ１３１，１３３は、コントローラ１９によって制御される駆動部１３６から供給される駆動用のエアによって駆動される。コントローラ１９は、駆動部１３６を介してエアシリンダ１３１，１３３を駆動することにより、シャッタ１０７，１０９を開閉する。エアシリンダ１３１，１３３には、シャッタ１０７，１０９が閉鎖位置（上昇位置）および開放位置（下降位置）にあることを検知するための、検知スイッチ（例えば、フォトマイクロセンサ）１３７，１３９が設けられている。コントローラ１９は、この検知スイッチ１３７，１３９からの信号により、シャッタ１０７が閉鎖位置または開放位置にあることを検知する。
【０１２２】
中継部１０５の基板受渡し機構１１９は、図６および図９に示すように、スライドテーブル１４１と、スライドテーブル１４１を駆動する駆動機構１４３とを備えている。スライドテーブル１４１は、中継部１０５内における搬入搬出部３側の開口部１２３の内側近傍の第１の受渡し位置（図６に示す位置）と、処理部１０３側の開口部１２７の内側近傍の第２の受渡し位置（図９に示す位置）との間で、駆動機構１４３によって往復駆動される。コントローラ１９は、駆動機構１４３を介してスライドテーブル１４１を駆動制御する。なお、本実施形態では、スライドテーブル１４１の第２の受渡し位置を中継部１０５内における開口部１２７の内側近傍に設定したが、スライドテーブル１４１の一部又は全体が開口部１２７を介して処理部１０３内に進入可能な構成とし、スライドテーブル１４１の一部又は全体が処理部１０３内に進入した位置（第２の受渡し位置）で、スライドテーブル１４１と基板搬送機構５３との間で基板Ｗの受渡しが行われるようにしてもよい。
【０１２３】
スライドテーブル１４１には、基板Ｗを支持する複数のピン（例えば、基板Ｗのエッジを保持するエッジホールドピン）１４１ａが突設されている。ここで、本実施形態ではキャリアＣとしてＦＯＵＰカセットが採用されているため、搬入搬出機構３７の搬入搬出用アーム３７ａ（図６参照）は、規格化されたＦＯＵＰカセット内の構成に対応した形状とされている。このため、スライドテーブル１４１のピン１４１ａの配列等の構成も、基板Ｗの受渡しの際にアーム３７ａと干渉しない構成とされている。
【０１２４】
次に、この基板処理装置１０１の動作、特に、中継部１０５を介した基板Ｗの受渡し動作およびシャッタ１０７，１０９の開閉動作について説明する。
【０１２５】
基板Ｗが搬入搬出機構３から処理部１０３に搬送される際には、まず図６に示すように、スライドテーブル１４１が第１の受渡し位置に位置されるとともに、シャッタ１０９により開口部１２７が閉鎖された状態でシャッタ１０７により開口部１２３が開放され、搬入搬出機構３７の搬入搬出用アーム３７ａによってキャリアＣから取り出された基板Ｗが、開口部１２３を介して基板受渡機構１１９のスライドテーブル１４１に受渡される。その受渡しは、基板Ｗが、搬入搬出アーム３７ａによってスライドテーブル１４１のピン１４１ａ上に載置されることにより行われる。
【０１２６】
続いて、図９に示すように、シャッタ１０７により開口部１２３が閉鎖された後、シャッタ１０９により開口部１２７が開放されるとともに、スライドテーブル１４１が第１の受渡し位置から第２の受渡し位置に移動され、スライドテーブル１４１上の基板Ｗが、開口部１２７を介して基板搬送機構５３の搬送アーム５３ａによって受け取られる。搬送アーム５３ａによって基板Ｗが処理部１０３内に取り込まれると、シャッタ１０９によって開口部１２７が閉鎖される。
【０１２７】
処理部１０３内に取り込まれた基板Ｗは、基板搬送機構５３によって回転処理ユニット５１内に送り込まれ、回転処理ユニット５１にて第１実施形態と同様なポリマー除去処理が施される。ポリマー除去処理が終了すると、基板Ｗは、基板搬送機構５３によって、回転処理ユニット５１内から取り出されて、乾燥ユニット１１３に送り込まれ、乾燥ユニット１１３の温調プレート１１３ａによって昇温されて、付着している水分等が蒸発されて乾燥される。乾燥処理が終了すると、基板Ｗは、基板搬送機構５３によって、乾燥ユニット１１３内から取り出されて、温度調節ユニット１１５に送り込まれ、温度調節ユニット１１５の温調プレート１１５ａにより温度調節処理が行われる。温度調節処理が終了すると、基板Ｗは、基板搬送機構５３により処理部１０３から送り出される。
【０１２８】
基板Ｗが処理部１０３から搬入搬出機構３に搬送される際には、まず図９に示すように、スライドテーブル１４１が第２の受渡し位置に位置されるとともに、シャッタ１０７により開口部１２３が閉鎖された状態でシャッタ１０９により開口部１２７が開放され、基板Ｗが開口部１２７を介し基板搬送機構５３の搬送アーム５３ａによって基板受渡機構１１９のスライドテーブル１４１上に載置されて受渡される。
【０１２９】
続いて、図６に示すように、シャッタ１０９により開口部１２７が閉鎖された後、シャッタ１０７により開口部１２３が開放されるとともに、スライドテーブル１４１が第２の受渡し位置から第１の受渡し位置に移動され、スライドテーブル１４１上の基板Ｗが、開口部１２３を介して搬入搬出機構３７の搬入搬出用アーム３７ａによって受け取られる。搬入搬出用アーム３７ａによって基板Ｗが搬入搬出部３内に取り込まれると、シャッタ１０７によって開口部１２３が閉鎖される。受け取られた基板Ｗは、搬入搬出機構３７によってキャリアＣ内に収容される。
【０１３０】
以上のように、本実施形態によれば、処理部１０３と搬入搬出部３との間に中継部１０５を設けるとともに、搬入搬出部３と中継部１０５との間のゲート部である開口部１２３にシャッタ１０７を設け、中継部１０５と処理部１０３との間のゲート部である開口部１２７にシャッタ１０９を設けたため、基板ＷをキャリアＣと処理部１０３との間で搬送する過程において、シャッタ１０７，１０９の少なくともいずれか一方が必ず閉鎖状態となるように開閉制御することにより、処理部１０３および回転処理ユニット５１のチャンバ６５内を確実に暗室化し、チャンバ６５内等で光を触媒とした悪影響が生じるのを防止することができる。
【０１３１】
これによって、本実施形態のようにキャリアＣとして透明性の高いＦＯＵＰカセットを使用した場合であっても、ＦＯＵＰカセットを介して装置１０１内の基板Ｗの搬送路中に進入した光が、その搬送路を介して処理部１０３内に進入するのを確実に防止することができる。
【０１３２】
また、このシャッタ１０７，１０９によりキャリアＣの交換中でも処理部１０３内を確実に遮光できる。
【０１３３】
さらに、回転処理ユニット５１を収容する処理部１０３内が暗室化されるため、ポリマー除去を行う回転処理ユニット５１から乾燥処理を行う乾燥ユニット１１３に基板Ｗを搬送する際に、仮にポリマー除去のための除去液が基板Ｗに付着していた場合であっても、基板Ｗに付着した除去液が原因となって光を触媒とした悪影響が生じるのを防止することができる。
【０１３４】
また、シャッタ１０７，１０９により開口部１２３，１２７を閉鎖することにより、搬入搬出部３と中継部１０５との間、および中継部１０５と処理部１０３との間での気流の回り込み等を防止できる。
【０１３５】
＜第２実施形態の変形例＞
この第２実施形態の変形例として、処理部１０３内の遮光はシャッタ１０７，１０９に確保されているため、回転処理ユニット５１のシャッタ５９については、ポリマー除去処理時の処理液の飛散や、ユニット５１内の雰囲気管理等の点で問題がない場合には省略してもよい。
【０１３６】
他の変形例として、処理部１０３内における回転処理ユニット５１のチャンバ６５以外の領域については遮光の必要がない場合には、シャッタ１０７を省略し、残された２つのシャッタ５９，１０９によってチャンバ６５内の遮光を行うようにしてもよい。この場合も、シャッタ５９，１０９は、同時には開かないように開閉制御される。あるいは、シャッタ１０７の代わりにシャッタ１０９を省略しても、残りの２つのシャッタ５９，１０７により同様な効果が得られる。
【０１３７】
さらに他の変形例として、図１０に示すように、中継部１０５を省略して搬入搬出部３に受渡し台３９を復活させるとともに、搬入搬出部３と処理部１０３との間の隔壁部１２５に設けられる開口部（ゲート部）１２７に前述の第２実施形態と同様なシャッタ１０９を設け、そのシャッタ１０９とチャンバ６５のシャッタ５９とによりチャンバ６５内の遮光を確保するようにしてもよい。この場合も、シャッタ５９，１０９は、同時には開かないように開閉制御される。
【０１３８】
【発明の効果】
以上、説明したように、請求項１の発明によれば、少なくとも除去液によって有機物の除去処理を行っている間は、搬送路遮光手段によってゲート部を遮光するとともに、処理室遮光手段によって搬出入口を遮光して、処理室内を暗室とするため、除去液を使用した有機物の除去処理時に光を触媒とした悪影響を確実に防止することができる。
【０１３９】
請求項２の発明によれば、少なくとも除去液によって有機物の除去処理を行っている間は、処理室を含む所定の遮光領域内を暗室とするため、除去液を使用した有機物の除去処理時に光を触媒とした悪影響を防止することができる。
【０１４０】
請求項３の発明によれば、少なくとも前記除去液によって基板を処理している間は、搬送路遮光手段によって搬送路を介して処理室内に進入する光を遮光するため、処理時の処理室内の遮光が維持され、除去液を使用した有機物の除去処理時に光を触媒とした悪影響を確実に防止することができる。
【０１４１】
これによって、キャリアとして透明性の高いＦＯＵＰカセットを使用した場合であっても、ＦＯＵＰカセットを介して装置内の基板の搬送路中に進入した光が、有機物除去処理中に搬送路を介して処理室に進入するのを確実に防止することができる。
【０１４２】
請求項４の発明によれば、少なくとも前記除去液によって基板を処理している間は、搬送路遮光手段によって搬送路を介して処理室内または遮光領域内に進入する光を遮光するため、処理時の処理室内または遮光領域内の遮光が維持され、除去液を使用した有機物の除去処理時に光を触媒とした悪影響を確実に防止することができる。
【０１４３】
また、基板の搬送路に遮光手段を基板の搬送方向の幅よりも大きな間隔をあけて多段に設ける構成であるため、基板が搬送路内を搬送される過程で、多段に設けられた遮光手段のうちの少なくもいずれか一つを必ず遮光状態とすることができる。その結果、処理室内または遮光領域内を確実に暗室化することができる。
【０１４４】
これによって、キャリアとして透明性の高いＦＯＵＰカセットを使用した場合であっても、ＦＯＵＰカセットを介して装置内の基板の搬送路中に進入した光が搬送路を介して処理室に進入するのを確実に防止することができる。
【０１４６】
請求項５の発明によれば、有機物除去を行う第１の処理室から第２の処理室に基板を搬送する際に、仮に有機物除去のための除去液が基板に付着していた場合であっても、遮光領域内を暗室とすることにより、基板に付着した除去液が原因となって光を触媒とした悪影響が生じるのを防止することができる。
【０１４７】
請求項６の発明によれば、処理室を収容する処理部と搬入搬出部との間に中継部を設けるとともに、搬入搬出部と中継部との間の搬出入用の第１のゲート部に第１の遮光手段を設け、中継部と処理部との間の第２のゲート部に第２の遮光手段を設けたため、基板をキャリアと処理部との間で搬送する過程において、第１および第２の遮光手段の少なくともいずれか一方を必ず遮光状態とすることができ、処理室を収容する処理部内を確実に暗室化することができる。
【０１４８】
請求項７の発明によれば、有機物除去を行う第１の処理室から第２の処理室に基板を搬送する際に、仮に有機物除去のための除去液が基板に付着していた場合であっても、処理部内を暗室とすることにより、基板に付着した除去液が原因となって光を触媒とした悪影響が生じるのを防止することができる。
【０１４９】
請求項８の発明によれば、有機物除去を行う第１の処理室から乾燥処理を行う第２の処理室に基板を搬送する際に、仮に有機物除去のための除去液が基板に付着していた場合であっても、処理部内を暗室とすることにより、基板に付着した除去液が原因となって光を触媒とした悪影響が生じるのを防止することができる。
【０１５０】
請求項９の発明によれば、処理室を収容する処理部と搬入搬出部との間に中継部を設けるとともに、搬入搬出部と中継部との間の搬出入用のゲート部に第１の遮光手段を設け、処理室の基板搬出入用の搬出入口に第２の遮光手段を設けたため、基板をキャリアと処理室との間で搬送する過程において、第１および第２の遮光手段の少なくともいずれか一方を必ず遮光状態とすることができ、処理室内を確実に暗室化することができる。
【０１５１】
また、中継部を設けた分だけ、装置の設備を内蔵するためのスペースを拡大できる。
【０１５２】
請求項１０の発明によれば、処理室を収容する処理部の基板搬出入用のゲート部に第１の遮光手段を設け、処理室の基板搬出入用の搬出入口に第２の遮光手段を設けたため、基板を処理部の外部と処理室内との間で搬送する過程において、第１および第２の遮光手段の少なくともいずれか一方を必ず遮光状態とすることができ、処理室内を確実に暗室化することができる。
【０１５３】
請求項１１に記載の発明によれば、第１の遮光手段および第２の遮光手段が、その両方が同時には開かないように開閉制御されるため、処理部内または処理室内を確実に暗室化することができる。
【０１５４】
請求項１２の発明によれば、処理室に、その内部を観察するための観察窓を設けるため、オペレータが必要に応じて処理室内を確認することができる。
【０１５５】
請求項１３の発明によれば、観察窓が開放されているときには照明手段が能動状態とされ、観察窓が閉鎖されているときには照明手段が非能動状態とされるため、処理室内を確認する必要があるときのみ処理室内が照明されることとなる。
【０１５６】
請求項１４の発明によれば、少なくとも除去液によって基板を処理している間は、観察窓の開放を禁止するため、処理時の処理室内の遮光が維持され、除去液を使用した有機物の除去処理時に光を触媒とした悪影響を確実に防止することができる。
【０１５７】
請求項１５の発明によれば、少なくとも観察窓が開放されている間は、除去液供給手段からの除去液の供給を禁止するため、処理室内に光が進入しているときに除去液を使用した有機物の除去処理が行われて光を触媒とした悪影響が生じるのを防止することができる。
【０１５８】
請求項１６の発明によれば、基板に付着した前記有機物が、基板上に形成されたレジスト膜が変質して生じた反応生成物であり、除去液を使用した反応生成物の除去処理時に光を触媒とした悪影響を防止することができる。
【０１５９】
請求項１７の発明によれば、反応生成物が、レジスト膜をマスクとして基板の表面に存在する薄膜をドライエッチングすることによって生成されたポリマーであり、除去液を使用したポリマーの除去処理時に光を触媒とした悪影響を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の平面図である。
【図２】図１の基板処理装置の回転処理ユニットの構成を示す図である。
【図３】図１の基板処理装置の乾燥ユニットの構成を示す図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係る基板処理装置の平面的構成を示す図である。
【図５】図４の基板処理装置の縦断面的構成を示す図である。
【図６】図４の基板処理装置の中継部周辺の構成を示す断面図である。
【図７】図４の基板処理装置のシャッタ周辺の構成を示す図である。
【図８】図７の要部断面図である。
【図９】図４の基板処理装置の中継部周辺の構成を示す断面図である。
【図１０】図４の基板処理装置の変形例を示す図である。
【図１１】エッチングによって生成したポリマーが付着した様子を示す図である。
【図１２】除去液を使用した除去処理時に銅の下部配線層が腐食された様子を示す図である。
【符号の説明】
１ 基板処理装置
３ 搬入搬出部
５ 回転処理部
７ インタフェース
９ 乾燥処理部
１５ ランプ
１９ コントローラ
２１ 観察窓
２３ 開閉ロック機構
３７ 搬入搬出機構
５１ 回転処理ユニット
５３ 基板搬送機構
５８ 搬出入口
５９ シャッタ
６１ 基板保持手段
６３ 除去液供給手段
６５ チャンバ
９１ 乾燥ユニット
１０１ 基板処理装置
１０３ 処理部
１０５ 中継部
１０７，１０９ シャッタ
１１３ 乾燥ユニット
１１５ 温度調節ユニット
１１９ 基板受渡し機構
１２３，１２７ 開口部
Ｃ キャリア
Ｗ 基板
Claims (17)
- 基板に付着した有機物を、該有機物の除去液によって除去する基板処理装置であって、
有機物の除去を行うための処理室と、
前記処理室内にて基板を保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された基板に前記除去液を供給する除去液供給手段と、
基板を収容するキャリアから前記処理室までの基板の搬送路に設けられる基板搬出入用のゲート部に設けられ、そのゲート部を介して前記処理室内に進入する光を遮光するための搬送路遮光手段と、
前記ゲート部の縁部に設けられ、前記搬送路遮光手段による前記ゲート部の閉鎖時に前記搬送路遮光手段の縁部を囲み、前記ゲート部の周囲からの光の進入を防止する進入防止部材と、
を備え、
前記処理室に、
前記処理室に対して基板を搬出入するための搬出入口と、
前記搬出入口から前記処理室内に進入する光を遮光するための処理室遮光手段と、
を設け、
前記搬送路遮光手段が遮光する前記ゲート部と、前記処理室遮光手段が遮光する前記搬出入口とは直交配置され、
少なくとも前記除去液によって有機物の除去処理を行っている間は、前記搬送路遮光手段によって前記ゲート部を遮光するとともに、前記処理室遮光手段によって前記搬出入口を遮光して、前記処理室内を暗室とすることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項１記載の基板処理装置において、
少なくとも前記除去液によって有機物の除去処理を行っている間は、この基板処理装置における前記処理室を含む所定の遮光領域内を暗室とすることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項２に記載の基板処理装置において、
前記搬送路遮光手段は、前記キャリアから前記遮光領域までの基板の搬送路に設けられることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項１または請求項２に記載の基板処理装置において、
基板を収容するキャリアから前記処理室まで、または前記遮光領域を暗室化する場合には前記キャリアから前記遮光領域までの基板の搬送路に、その搬送路を介して前記処理室内または前記遮光領域内に進入する光を遮光するための遮光手段を、基板の搬送方向の幅よりも大きな間隔をあけて多段に、前記搬送路遮光手段として設けることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項２から請求項４のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記遮光領域内に、
前記処理室である第１の処理室と、
前記有機物の除去とは異なる処理を行う第２の処理室と、
前記第１の処理室と前記第２の処理室との間で基板の搬送を行う基板搬送機構と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項２に記載の基板処理装置において、
所定位置に配置されたキャリアに対し、基板の搬入および搬出を行う搬入搬出機構を備えた搬入搬出部と、
前記処理室を収容し、その内部空間が前記遮光領域とされる処理部と、
前記搬入搬出部と前記処理部との間に介設され、前記搬入搬出部と前記処理部との間で基板の受渡しを行う基板受渡し機構を備えた中継部と、
を備え、
前記搬入搬出部と前記中継部との間に設けられる基板搬出入用の第１のゲート部に、その第１のゲート部を介して前記中継部内に進入する光を遮光する第１の遮光手段と、
前記中継部と前記処理部との間に設けられる基板搬出入用の第２のゲート部に、その第２のゲート部を介して前記処理部内に進入する光を遮光する第２の遮光手段と、
を前記搬送路遮光手段として設けることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項６記載の基板処理装置において、
前記処理部は、
前記処理室である第１の処理室と、
前記有機物の除去とは異なる処理を行う第２の処理室と、
前記第１の処理室と前記第２の処理室との間で基板の搬送を行う基板搬送機構と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項７記載の基板処理装置において、
前記第２の処理室では、前記第１の処理室にて有機物の除去が行われた基板に対して乾燥処理が行われることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項１記載の基板処理装置において、
所定位置に配置されたキャリアに対し、基板の搬入および搬出を行う搬入搬出機構を備えた搬入搬出部と、
前記処理室を収容する処理部と、
前記搬入搬出部と前記処理部との間に介設され、前記搬入搬出部と前記処理部との間で基板の受渡しを行う基板受渡し機構を備えた中継部と、
を備え、
前記搬入搬出部と前記中継部との間に設けられる基板搬出入用のゲート部に、そのゲート部から前記中継部を介して前記処理部内に進入する光を遮光する第１の遮光手段を前記搬送路遮光手段として設け、
前記処理室の基板搬出入用の搬出入口に、その搬出入口を介して前記処理室内に進入する光を遮光する第２の遮光手段を前記処理室遮光手段として設けることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項１記載の基板処理装置において、
前記処理室を、所定の処理部内に収容し、
前記処理部の基板搬出入用のゲート部に、そのゲート部を介して前記処理室内に進入する光を遮光する第１の遮光手段を前記搬送路遮光手段として設け、
前記処理室の基板搬出入用の搬出入口に、その搬出入口を介して前記処理室内に進入する光を遮光する第２の遮光手段を前記処理室遮光手段として設けることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項６から請求項１０のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記第１の遮光手段および前記第２の遮光手段は、開閉式の遮光手段であり、その両方が同時には開かないように開閉制御されることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項１から請求項１１のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記処理室に、その内部を観察するための観察窓を設けることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項１２記載の基板処理装置において、
前記処理室の内部に照明手段を設けるとともに、
前記観察窓が開放されているときには前記照明手段が能動状態とされ、前記観察窓が閉鎖されているときには前記照明手段が非能動状態とされることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項１３記載の基板処理装置において、
少なくとも前記除去液によって基板を処理している間は、前記観察窓の開放を禁止する窓開放禁止手段をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項１３または請求項１４記載の基板処理装置において、
少なくとも前記観察窓が開放されている間は、前記除去液供給手段からの前記除去液の 供給を禁止する除去液供給禁止手段をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項１から請求項１５のいずれかに記載の基板処理装置において、
基板に付着した前記有機物は、基板上に形成されたレジスト膜が変質して生じた反応生成物であることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項１６記載の基板処理装置において、
前記反応生成物は、前記レジスト膜をマスクとして基板の表面に存在する薄膜をドライエッチングすることによって生成されたポリマーであることを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002271471A JP3892784B2 (ja) | 2001-09-21 | 2002-09-18 | 基板処理装置 |
| US10/666,766 US20040060582A1 (en) | 2002-09-18 | 2003-09-17 | Substrate processing apparatus |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001288461 | 2001-09-21 | ||
| JP2001-288461 | 2001-09-21 | ||
| JP2002271471A JP3892784B2 (ja) | 2001-09-21 | 2002-09-18 | 基板処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003234341A JP2003234341A (ja) | 2003-08-22 |
| JP3892784B2 true JP3892784B2 (ja) | 2007-03-14 |
Family
ID=27790361
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002271471A Expired - Fee Related JP3892784B2 (ja) | 2001-09-21 | 2002-09-18 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3892784B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8268735B2 (en) | 2006-02-01 | 2012-09-18 | Tohoku University | Semiconductor device manufacturing method and method for reducing microroughness of semiconductor surface |
| JP4967004B2 (ja) * | 2009-09-14 | 2012-07-04 | 東京エレクトロン株式会社 | レジスト塗布現像装置およびレジスト塗布現像方法 |
| US9530676B2 (en) * | 2011-06-01 | 2016-12-27 | Ebara Corporation | Substrate processing apparatus, substrate transfer method and substrate transfer device |
| JP6026362B2 (ja) * | 2013-07-09 | 2016-11-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム、基板処理システムの制御方法、及び記憶媒体 |
| KR101612407B1 (ko) * | 2014-12-29 | 2016-04-15 | 주식회사 디엠에스 | 이온성 액체를 이용한 유기재료 증착물 처리장치 및 처리방법 |
| KR102311213B1 (ko) * | 2019-04-19 | 2021-10-13 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| CN115172497B (zh) * | 2022-08-31 | 2024-01-26 | 一道新能源科技股份有限公司 | 一种双面镀膜的叠瓦太阳能电池及其制备方法 |
-
2002
- 2002-09-18 JP JP2002271471A patent/JP3892784B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2003234341A (ja) | 2003-08-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6632281B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| US7604424B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
| US6620251B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
| JPH09260275A (ja) | 処理方法及び処理装置 | |
| US20020001679A1 (en) | System and method for coating and developing | |
| JPH1187337A (ja) | 不純物除去装置、膜形成方法及び膜形成システム | |
| US10236200B2 (en) | Exposure device and substrate processing apparatus | |
| US7693597B2 (en) | Computer readable storage medium for controlling substrate processing apparatus | |
| JP3892784B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| US7741583B2 (en) | Bake plate lid cleaner and cleaning method | |
| US20040060582A1 (en) | Substrate processing apparatus | |
| JP2005340846A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板の製造方法 | |
| JP2009188411A (ja) | シリル化処理方法、シリル化処理装置およびエッチング処理システム | |
| JP2003224102A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
| JP3283798B2 (ja) | 処理装置 | |
| JP2002329661A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法及び基板の製造方法 | |
| JP2004055766A (ja) | 処理方法及び処理装置 | |
| JP3559219B2 (ja) | 塗布現像処理システム及び塗布現像処理方法 | |
| JP4070987B2 (ja) | 処理装置 | |
| KR101495248B1 (ko) | 웨트 처리 장치 | |
| TWI808006B (zh) | 基板乾燥裝置、基板處理裝置及基板乾燥方法 | |
| JP3966884B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板の製造方法 | |
| JP2005353978A (ja) | シリル化処理装置およびシリル化処理方法 | |
| JP4318930B2 (ja) | 基板処理方法 | |
| JP2008109158A (ja) | 基板処理装置、基板処理方法、基板の製造方法及び電子機器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050202 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060808 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061010 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20061205 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20061207 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091215 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091215 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101215 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101215 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111215 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111215 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121215 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121215 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121215 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131215 Year of fee payment: 7 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |