JPH1187337A - 不純物除去装置、膜形成方法及び膜形成システム - Google Patents
不純物除去装置、膜形成方法及び膜形成システムInfo
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- JPH1187337A JPH1187337A JP9260853A JP26085397A JPH1187337A JP H1187337 A JPH1187337 A JP H1187337A JP 9260853 A JP9260853 A JP 9260853A JP 26085397 A JP26085397 A JP 26085397A JP H1187337 A JPH1187337 A JP H1187337A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエハ表面の有機物を除去してＳＯＧ膜を形
成する。 【解決手段】 ウエハＷを載置する載置台３２と、載置
台３２に対向してケーシング４１を容器３１内に設け
る。ケーシング４１の下面は石英ガラス４６で構成す
る。ケーシング４１内には、載置台３２上のウエハＷに
向けて紫外線を照射する照射体４２を設ける。ケーシン
グ４１内は、不活性ガス供給管４７から供給される窒素
ガス雰囲気である。ウエハＷ上の雰囲気は、排気装置６
１によって一側から排気される。かかる構成を有する不
純物除去装置２３で処理した後でＳＯＧ膜を形成する処
理液の塗布処理を行う。
成する。 【解決手段】 ウエハＷを載置する載置台３２と、載置
台３２に対向してケーシング４１を容器３１内に設け
る。ケーシング４１の下面は石英ガラス４６で構成す
る。ケーシング４１内には、載置台３２上のウエハＷに
向けて紫外線を照射する照射体４２を設ける。ケーシン
グ４１内は、不活性ガス供給管４７から供給される窒素
ガス雰囲気である。ウエハＷ上の雰囲気は、排気装置６
１によって一側から排気される。かかる構成を有する不
純物除去装置２３で処理した後でＳＯＧ膜を形成する処
理液の塗布処理を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板表面の不純物
を除去する不純物除去装置、及び当該不純物除去装置を
用いた膜形成方法及び膜形成システムに関するものであ
る。
を除去する不純物除去装置、及び当該不純物除去装置を
用いた膜形成方法及び膜形成システムに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】例えば半導体デバイス製造プロセスにお
いて、層間絶縁膜や平坦化のために従来から、ＳＯＧ
（Spin-on-Glass）膜を形成する工程が実施されてい
る。これは、半導体ウエハ（以下、「ウエハ」という）
などの基板の表面にＳｉＯｘをアルコールに溶解したソ
ースと呼ばれる処理液を供給すると共に、当該基板を回
転させて基板表面に該処理液の膜を形成し、その後当該
基板を二回加熱して処理液中の溶剤を揮発させ、さらに
焼成することで、ウエハ表面に所定の層間絶縁膜を形成
したり、基板表面を平坦化する工程である。
いて、層間絶縁膜や平坦化のために従来から、ＳＯＧ
（Spin-on-Glass）膜を形成する工程が実施されてい
る。これは、半導体ウエハ（以下、「ウエハ」という）
などの基板の表面にＳｉＯｘをアルコールに溶解したソ
ースと呼ばれる処理液を供給すると共に、当該基板を回
転させて基板表面に該処理液の膜を形成し、その後当該
基板を二回加熱して処理液中の溶剤を揮発させ、さらに
焼成することで、ウエハ表面に所定の層間絶縁膜を形成
したり、基板表面を平坦化する工程である。
【０００３】そして従来のＳＯＧ膜を形成する工程にお
いては、ウエハを収納したカセットからウエハを取り出
し、該ウエハをそのまま処理液を供給して塗布する装
置、例えばスピンコーティング装置へと搬送して処理液
を塗布した後、ベーキング装置や縦型の炉で構成されて
いる加熱装置へと搬送し、所定の加熱処理を行って溶剤
揮発、焼成を実施していた。
いては、ウエハを収納したカセットからウエハを取り出
し、該ウエハをそのまま処理液を供給して塗布する装
置、例えばスピンコーティング装置へと搬送して処理液
を塗布した後、ベーキング装置や縦型の炉で構成されて
いる加熱装置へと搬送し、所定の加熱処理を行って溶剤
揮発、焼成を実施していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、そのよ
うにカセットから取り出したウエハをそのままスピンコ
ーティング装置へと搬送して、処理液を塗布していたの
では、ウエハ表面に付着している有機物等の不純物が原
因で、いわゆる「ヌレ性」がよくなく、その後のＳＯＧ
膜の定着性や定着状態に問題が生ずるおそれがあった。
また図９に示したように、ＳＯＧ膜形成前のウエハＷの
状態が、エッチング後のパターン３０１の側壁３０２の
底部隅部が丸く残っているいわゆる「すそびき」状態で
あった場合、ＳＯＧ膜形成後のウエハの処理、例えば導
電性膜、酸化絶縁膜の形成等に悪影響を与えるおそれが
ある。
うにカセットから取り出したウエハをそのままスピンコ
ーティング装置へと搬送して、処理液を塗布していたの
では、ウエハ表面に付着している有機物等の不純物が原
因で、いわゆる「ヌレ性」がよくなく、その後のＳＯＧ
膜の定着性や定着状態に問題が生ずるおそれがあった。
また図９に示したように、ＳＯＧ膜形成前のウエハＷの
状態が、エッチング後のパターン３０１の側壁３０２の
底部隅部が丸く残っているいわゆる「すそびき」状態で
あった場合、ＳＯＧ膜形成後のウエハの処理、例えば導
電性膜、酸化絶縁膜の形成等に悪影響を与えるおそれが
ある。
【０００５】そこで事前にウエハ表面を洗浄することが
考えられるが、従来の膜形成方法、例えばレジスト膜形
成方法において採用されているスクラブ洗浄や高圧ジェ
ット洗浄では、ウエハ表面の有機物を充分に除去するこ
とができず、また前記した「すそびき」状態を解消する
ことができない。しかもその後はまた別途乾燥させる工
程を必要とするので、スループットの点でも好ましくな
い。
考えられるが、従来の膜形成方法、例えばレジスト膜形
成方法において採用されているスクラブ洗浄や高圧ジェ
ット洗浄では、ウエハ表面の有機物を充分に除去するこ
とができず、また前記した「すそびき」状態を解消する
ことができない。しかもその後はまた別途乾燥させる工
程を必要とするので、スループットの点でも好ましくな
い。
【０００６】本発明は、かかる点に鑑みてなされたもの
であり、前記したように、例えばＳＯＧ膜を形成する場
合に、ウエハ等の基板表面に付着している有機物を効果
的に除去でき、しかもかかる不純物除去を簡易、迅速に
実施することができる不純物除去装置を提供することを
第１の目的としている。また本発明は、かかる不純物除
去装置を用いた膜形成方法を提供することを第２の目的
としている。さらに本発明は、かかる不純物除去装置を
用いた膜形成システムを提供することを第３の目的とし
ている。
であり、前記したように、例えばＳＯＧ膜を形成する場
合に、ウエハ等の基板表面に付着している有機物を効果
的に除去でき、しかもかかる不純物除去を簡易、迅速に
実施することができる不純物除去装置を提供することを
第１の目的としている。また本発明は、かかる不純物除
去装置を用いた膜形成方法を提供することを第２の目的
としている。さらに本発明は、かかる不純物除去装置を
用いた膜形成システムを提供することを第３の目的とし
ている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】第１の目的を達成するた
め、請求項１によれば、基板表面の不純物を除去する装
置であって、対向する載置台上の基板に対して所定波長
の光を照射して当該基板表面上の空間にオゾンを発生さ
せる照射体と、前記照射体を収納するケーシングと、前
記ケーシングにおける前記載置台との対向面に設けられ
て前記所定波長の光を透過させる透過体と、前記載置台
と前記ケーシング間の空間の雰囲気を排気する手段とを
備えたことを特徴とする、不純物除去装置が提供され
る。
め、請求項１によれば、基板表面の不純物を除去する装
置であって、対向する載置台上の基板に対して所定波長
の光を照射して当該基板表面上の空間にオゾンを発生さ
せる照射体と、前記照射体を収納するケーシングと、前
記ケーシングにおける前記載置台との対向面に設けられ
て前記所定波長の光を透過させる透過体と、前記載置台
と前記ケーシング間の空間の雰囲気を排気する手段とを
備えたことを特徴とする、不純物除去装置が提供され
る。
【０００８】オゾンを発生させる照射体としては、紫外
線ランプ、例えば誘電体バリア放電のエキシマランプを
用いることができる。またケーシング自体は例えば耐オ
ゾン腐食性にすぐれた材料、例えばステンレス鋼やＰＴ
ＦＥ（ポリ・テトラ・フルオロ・エチレン）などのテフ
ロン樹脂で構成することが好ましい。さらに透過体とし
ては、紫外線を通過させる石英ガラスが適している。
線ランプ、例えば誘電体バリア放電のエキシマランプを
用いることができる。またケーシング自体は例えば耐オ
ゾン腐食性にすぐれた材料、例えばステンレス鋼やＰＴ
ＦＥ（ポリ・テトラ・フルオロ・エチレン）などのテフ
ロン樹脂で構成することが好ましい。さらに透過体とし
ては、紫外線を通過させる石英ガラスが適している。
【０００９】この請求項１の不純物除去装置を使用する
場合、ケーシングと基板との間は大気雰囲気となるよう
に装置を設置すれば、ケーシングにおける透過体と基板
との間の空気中の酸素から、照射体からの光の照射によ
ってオゾンが発生する。そしてこの発生したオゾンが基
板表面に付着した有機物を除去し、また「すそびき」状
態を解消する。しかもいわば乾式の除去プロセスである
から、湿式と異なり、その後の乾燥工程は不要である。
したがって、簡易、迅速に不純物の除去を実施すること
が可能である。さらにまた前記載置台と前記ケーシング
間の空間の雰囲気を排気する手段を備えているので、発
生したオゾンが周囲に拡散することはなく、他の装置と
組み合わせてインラインシステムを構築することも容易
である。もちろんそのように基板表面に付着した有機物
等の不純物を除去できるから、ウエハ等の基板の表面の
接触角の改善も実現できる。
場合、ケーシングと基板との間は大気雰囲気となるよう
に装置を設置すれば、ケーシングにおける透過体と基板
との間の空気中の酸素から、照射体からの光の照射によ
ってオゾンが発生する。そしてこの発生したオゾンが基
板表面に付着した有機物を除去し、また「すそびき」状
態を解消する。しかもいわば乾式の除去プロセスである
から、湿式と異なり、その後の乾燥工程は不要である。
したがって、簡易、迅速に不純物の除去を実施すること
が可能である。さらにまた前記載置台と前記ケーシング
間の空間の雰囲気を排気する手段を備えているので、発
生したオゾンが周囲に拡散することはなく、他の装置と
組み合わせてインラインシステムを構築することも容易
である。もちろんそのように基板表面に付着した有機物
等の不純物を除去できるから、ウエハ等の基板の表面の
接触角の改善も実現できる。
【００１０】請求項２の不純物除去装置は、前記載置台
と前記ケーシング間の空間の雰囲気を排気する手段とし
て、一側から排気する手段を備えたことを特徴としてい
る。すなわち発生したオゾンや不純物除去後のオゾンを
一側から排気することで、排気手段の設計、設置の自由
度が向上し、しかも載置台周りの耐オゾン腐食性を考慮
する場合、当該排気手段寄りの部分（すなわち排気の下
流側の部分）のみを考慮すれば足りることになる。
と前記ケーシング間の空間の雰囲気を排気する手段とし
て、一側から排気する手段を備えたことを特徴としてい
る。すなわち発生したオゾンや不純物除去後のオゾンを
一側から排気することで、排気手段の設計、設置の自由
度が向上し、しかも載置台周りの耐オゾン腐食性を考慮
する場合、当該排気手段寄りの部分（すなわち排気の下
流側の部分）のみを考慮すれば足りることになる。
【００１１】請求項３の不純物除去装置は、対向する載
置台上の基板に対して所定波長の光を照射して当該基板
表面上の空間にオゾンを発生させる照射体と、前記照射
体を収納するケーシングと、前記ケーシングにおける前
記載置台との対向面に設けられて前記所定波長の光を透
過させる透過体と、前記載置台と前記ケーシング間の空
間の雰囲気を、一側から排気する手段と、前記載置台と
前記ケーシング間の空間に、少なくとも酸素を含有する
ガスを他側から供給する手段とを備えたことを特徴とし
ている。
置台上の基板に対して所定波長の光を照射して当該基板
表面上の空間にオゾンを発生させる照射体と、前記照射
体を収納するケーシングと、前記ケーシングにおける前
記載置台との対向面に設けられて前記所定波長の光を透
過させる透過体と、前記載置台と前記ケーシング間の空
間の雰囲気を、一側から排気する手段と、前記載置台と
前記ケーシング間の空間に、少なくとも酸素を含有する
ガスを他側から供給する手段とを備えたことを特徴とし
ている。
【００１２】この請求項３の不純物除去装置では、載置
台とケーシング間の空間の雰囲気を一側から排気する手
段のみならず、載置台とケーシング間の空間に、少なく
とも酸素を含有するガスを他側から供給する手段を備え
ているので、発生したオゾン等が周囲に拡散することが
さらに防止され、それと共に積極的に載置台とケーシン
グ間の空間に少なくとも酸素を含有するガスを供給する
ようにしたので、オゾンの生成効率が良好であり、不純
物除去効率がさらに向上している。少なくとも酸素を含
有するガスは、もちろんＯ2（酸素ガス）であってもよ
く、また空気であってもよい。
台とケーシング間の空間の雰囲気を一側から排気する手
段のみならず、載置台とケーシング間の空間に、少なく
とも酸素を含有するガスを他側から供給する手段を備え
ているので、発生したオゾン等が周囲に拡散することが
さらに防止され、それと共に積極的に載置台とケーシン
グ間の空間に少なくとも酸素を含有するガスを供給する
ようにしたので、オゾンの生成効率が良好であり、不純
物除去効率がさらに向上している。少なくとも酸素を含
有するガスは、もちろんＯ2（酸素ガス）であってもよ
く、また空気であってもよい。
【００１３】この請求項３の不純物除去装置における載
置台とケーシングとの間の空間の雰囲気を一側から排気
する手段、及び載置台とケーシングとの間の空間に少な
くとも酸素を含有するガスを他側から供給する手段は、
例えば請求項４に記載したような、各々基板の外形の一
部に沿った形態をなし、かつこれら二つの手段で前記基
板の外形を囲み得るように構成されたものであることが
好ましい。基板の外形の一部に沿った形態とは、たとえ
ば基板がウエハの場合には、平面からみて各々円弧形態
としたり、基板がＬＣＤ用ガラス基板の場合には、例え
ば供給手段の方を直線状、排気手段の方を平面からみて
略コ字形の形状とすればよい。これらの場合、双方の手
段は、相互に密着して基板を囲み得る形態としたり、さ
らに同時にケーシング部分とも密着して載置台とケーシ
ングとの間の空間を閉鎖空間にするような形態とすれ
ば、周囲へのオゾンの拡散を完全に防止することができ
る。しかも周囲の他の空間の雰囲気とは隔離されている
から、オゾン発生効率がさらに高まって不純物の除去効
率がさらに向上する。
置台とケーシングとの間の空間の雰囲気を一側から排気
する手段、及び載置台とケーシングとの間の空間に少な
くとも酸素を含有するガスを他側から供給する手段は、
例えば請求項４に記載したような、各々基板の外形の一
部に沿った形態をなし、かつこれら二つの手段で前記基
板の外形を囲み得るように構成されたものであることが
好ましい。基板の外形の一部に沿った形態とは、たとえ
ば基板がウエハの場合には、平面からみて各々円弧形態
としたり、基板がＬＣＤ用ガラス基板の場合には、例え
ば供給手段の方を直線状、排気手段の方を平面からみて
略コ字形の形状とすればよい。これらの場合、双方の手
段は、相互に密着して基板を囲み得る形態としたり、さ
らに同時にケーシング部分とも密着して載置台とケーシ
ングとの間の空間を閉鎖空間にするような形態とすれ
ば、周囲へのオゾンの拡散を完全に防止することができ
る。しかも周囲の他の空間の雰囲気とは隔離されている
から、オゾン発生効率がさらに高まって不純物の除去効
率がさらに向上する。
【００１４】以上の請求項１〜４に記載した各不純物除
去装置において、請求項５に記載したように、ケーシン
グ内における少なくとも照射体と透過体との間の空間に
不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、当該空間
雰囲気を排気する排気手段とをさらに付加すれば、ケー
シング内の腐食が防止される。ここでいうところの不活
性ガスとは、Ｎ2（窒素ガス）も含み、その他Ａｒ（ア
ルゴン）ガス、Ｈｅ（ヘリウム）ガス、Ｎｅ（ネオン）
ガス等の希ガスも含むものである。
去装置において、請求項５に記載したように、ケーシン
グ内における少なくとも照射体と透過体との間の空間に
不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、当該空間
雰囲気を排気する排気手段とをさらに付加すれば、ケー
シング内の腐食が防止される。ここでいうところの不活
性ガスとは、Ｎ2（窒素ガス）も含み、その他Ａｒ（ア
ルゴン）ガス、Ｈｅ（ヘリウム）ガス、Ｎｅ（ネオン）
ガス等の希ガスも含むものである。
【００１５】これらの各請求項１〜５に記載の各不純物
除去装置において、請求項６に記載したように、少なく
とも載置台又はケーシングの一方が上下動自在となるよ
うに構成すれば、載置台と搬送手段との間の基板の移載
が円滑に行え、また条件等に応じた最適なオゾン発生率
を選択することが可能になる。なおオゾンの発生率やオ
ゾンの分解半減期は、温度によって大きく左右されるの
で、基板の温度を調整する加熱機構や冷却機構を載置台
に設けても、オゾンによる不純物除去効率を制御するこ
とができ、またその後の処理を迅速に行うことができ
る。
除去装置において、請求項６に記載したように、少なく
とも載置台又はケーシングの一方が上下動自在となるよ
うに構成すれば、載置台と搬送手段との間の基板の移載
が円滑に行え、また条件等に応じた最適なオゾン発生率
を選択することが可能になる。なおオゾンの発生率やオ
ゾンの分解半減期は、温度によって大きく左右されるの
で、基板の温度を調整する加熱機構や冷却機構を載置台
に設けても、オゾンによる不純物除去効率を制御するこ
とができ、またその後の処理を迅速に行うことができ
る。
【００１６】本発明の第２の目的を達成するため、請求
項７によれば、基板に対して所定の処理液を供給して当
該基板上に所定の膜を形成する方法において、前記塗布
液を供給する前に、請求項１、２、３、４、５又は６に
記載の不純物除去装置を用いて予め当該基板表面の不純
物を除去することを特徴とする、膜形成方法が提供され
る。
項７によれば、基板に対して所定の処理液を供給して当
該基板上に所定の膜を形成する方法において、前記塗布
液を供給する前に、請求項１、２、３、４、５又は６に
記載の不純物除去装置を用いて予め当該基板表面の不純
物を除去することを特徴とする、膜形成方法が提供され
る。
【００１７】かかる膜形成方法によれば、例えばＳＯＧ
膜を形成する場合、事前に基板表面の有機物等を効果的
に除去できるからヌレ性が向上し、またすそびき状態も
改善されるので、ＳＯＧ膜の定着性、定着状態が向上
し、好適なＳＯＧ膜の形成処理を行うことができる。し
かもかかる不純物除去処理は、乾燥雰囲気で実施される
ので、不純物除去処理の後に速やかに処理液の塗布処理
が実施でき、スループットの低下を抑えることが可能で
ある。
膜を形成する場合、事前に基板表面の有機物等を効果的
に除去できるからヌレ性が向上し、またすそびき状態も
改善されるので、ＳＯＧ膜の定着性、定着状態が向上
し、好適なＳＯＧ膜の形成処理を行うことができる。し
かもかかる不純物除去処理は、乾燥雰囲気で実施される
ので、不純物除去処理の後に速やかに処理液の塗布処理
が実施でき、スループットの低下を抑えることが可能で
ある。
【００１８】本発明の第３の目的を達成するため、請求
項８によれば、前記請求項１、２、３、４、５又は６に
記載の不純物除去装置と、基板に対して所定の処理液を
供給して当該基板上に所定の膜を形成する膜形成装置
と、前記不純物除去装置での処理が終了した基板を前記
膜形成装置に搬送する搬送装置とを備えたことを特徴と
する、膜形成システムが提供される。この膜形成システ
ムによれば、請求項７の膜形成方法を好適に実施するこ
とが可能である。
項８によれば、前記請求項１、２、３、４、５又は６に
記載の不純物除去装置と、基板に対して所定の処理液を
供給して当該基板上に所定の膜を形成する膜形成装置
と、前記不純物除去装置での処理が終了した基板を前記
膜形成装置に搬送する搬送装置とを備えたことを特徴と
する、膜形成システムが提供される。この膜形成システ
ムによれば、請求項７の膜形成方法を好適に実施するこ
とが可能である。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、本発
明の好ましい実施の形態について説明する。図１は、本
発明の実施の形態にかかる膜形成システムとしてのＳＯ
Ｇ形成システム１を平面からみた様子を示しており、こ
のＳＯＧ形成システム１は、大別してロードアンロード
部２、塗布処理部３、インターフェース部４、加熱炉５
とによって構成されている。
明の好ましい実施の形態について説明する。図１は、本
発明の実施の形態にかかる膜形成システムとしてのＳＯ
Ｇ形成システム１を平面からみた様子を示しており、こ
のＳＯＧ形成システム１は、大別してロードアンロード
部２、塗布処理部３、インターフェース部４、加熱炉５
とによって構成されている。
【００２０】ロードアンロード部２は、処理対象である
ウエハＷを複数枚収納する複数のカセットＣを複数載置
自在な載置部１１と、このカセットＣからウエハを取り
出したり、逆に収納するための副搬送装置１２が配置さ
れている。この副搬送装置１２は、ロードアンロード部
２におけるカセットＣの配列方向（Ｘ方向）に沿って設
定されている搬送路１３上を移動自在であり、さらに上
下方向にも移動自在である。またこの副搬送装置１２に
は、ウエハＷの位置決めを行うためのアライメント機構
（図示せず）が装備されている。
ウエハＷを複数枚収納する複数のカセットＣを複数載置
自在な載置部１１と、このカセットＣからウエハを取り
出したり、逆に収納するための副搬送装置１２が配置さ
れている。この副搬送装置１２は、ロードアンロード部
２におけるカセットＣの配列方向（Ｘ方向）に沿って設
定されている搬送路１３上を移動自在であり、さらに上
下方向にも移動自在である。またこの副搬送装置１２に
は、ウエハＷの位置決めを行うためのアライメント機構
（図示せず）が装備されている。
【００２１】塗布処理部３においては、その長手方向、
すなわち前記副搬送装置１２の搬送路１３と直角な方向
（Ｙ方向）に、主搬送装置２１の搬送路２２が設定され
ており、主搬送装置２１は、副搬送装置１２との間でウ
エハＷの授受が自在である。そしてウエハＷに対して塗
布処理を行う際に必要な各種処理装置、すなわちウエハ
Ｗの表面の不純物を除去する不純物除去装置２３、ウエ
ハに対して加熱処理して溶剤を揮発させる加熱装置２
４、ウエハＷを所定温度まで冷却する冷却装置２５、い
わゆるスピンコーティング方法で処理液を塗布する塗布
装置２６、２６が、搬送路２２を挟んだ両側に配置され
ており、主搬送装置２１は、これら各種処理装置に対し
てウエハＷを搬入出自在となっている。
すなわち前記副搬送装置１２の搬送路１３と直角な方向
（Ｙ方向）に、主搬送装置２１の搬送路２２が設定され
ており、主搬送装置２１は、副搬送装置１２との間でウ
エハＷの授受が自在である。そしてウエハＷに対して塗
布処理を行う際に必要な各種処理装置、すなわちウエハ
Ｗの表面の不純物を除去する不純物除去装置２３、ウエ
ハに対して加熱処理して溶剤を揮発させる加熱装置２
４、ウエハＷを所定温度まで冷却する冷却装置２５、い
わゆるスピンコーティング方法で処理液を塗布する塗布
装置２６、２６が、搬送路２２を挟んだ両側に配置され
ており、主搬送装置２１は、これら各種処理装置に対し
てウエハＷを搬入出自在となっている。
【００２２】前記加熱装置２４、冷却装置２５は、枚葉
式の加熱ユニット（図示せず）、枚葉式の冷却ユニット
（図示せず）を各々多段に積層させた構成を有してお
り、複数のウエハＷを同時に並行して処理できるように
なっている。なお加熱ユニットを上段に、冷却ユニット
を下段にして、各々積層させた熱処理装置として構成と
してもよい。そのように加熱ユニットを上段に、冷却ユ
ニットを下段に配置することで、相互の熱干渉を防止す
ることができる。
式の加熱ユニット（図示せず）、枚葉式の冷却ユニット
（図示せず）を各々多段に積層させた構成を有してお
り、複数のウエハＷを同時に並行して処理できるように
なっている。なお加熱ユニットを上段に、冷却ユニット
を下段にして、各々積層させた熱処理装置として構成と
してもよい。そのように加熱ユニットを上段に、冷却ユ
ニットを下段に配置することで、相互の熱干渉を防止す
ることができる。
【００２３】塗布装置２６は、内部に回転載置台と、回
転載置台上のウエハＷに対して処理液を供給するノズル
と、ノズルを洗浄するノズルリンス並びに回転載置台を
囲っているカップを洗浄するカップリンス（いずれも図
示せず）等を備え、ウエハＷの表面にＳｉＯｘをアルコ
ールに溶解した処理液を供給すると共に、このウエハＷ
を回転させて当該処理液をスピンコーティング方式で塗
布する機能を有している。
転載置台上のウエハＷに対して処理液を供給するノズル
と、ノズルを洗浄するノズルリンス並びに回転載置台を
囲っているカップを洗浄するカップリンス（いずれも図
示せず）等を備え、ウエハＷの表面にＳｉＯｘをアルコ
ールに溶解した処理液を供給すると共に、このウエハＷ
を回転させて当該処理液をスピンコーティング方式で塗
布する機能を有している。
【００２４】インターフェース部４は、塗布処理部３と
加熱炉５との間でウエハＷを受け渡しするためのインタ
ーフェースとして機能するための構成を有している。ま
た加熱炉５は、塗布装置２６において塗布された処理液
中の溶剤を加熱装置２４で揮発させた後のウエハＷを、
所定の温度、例えば４００〜７００℃で焼成させて所定
のＳＯＧ膜を形成させる炉、例えば縦型炉を備えてい
る。
加熱炉５との間でウエハＷを受け渡しするためのインタ
ーフェースとして機能するための構成を有している。ま
た加熱炉５は、塗布装置２６において塗布された処理液
中の溶剤を加熱装置２４で揮発させた後のウエハＷを、
所定の温度、例えば４００〜７００℃で焼成させて所定
のＳＯＧ膜を形成させる炉、例えば縦型炉を備えてい
る。
【００２５】不純物除去装置２３は、図２に示した構成
を有している。すなわち、この不純物除去装置２３は、
外側を非気密に覆っている容器３１内に、ウエハＷを載
置する載置台３２を有している。この載置台３２は耐腐
食性のすぐれた材質、例えばステンレス鋼によって構成
されており、容器３１の外部に設けられている昇降機構
３３によって図中の往復矢印に示したように上下動自在
である。また載置台３２には、ウエハＷを授受する際に
載置台３２表面に突出自在な昇降ピン（図示せず）が設
けられている。なおこの容器３１の側面には、ウエハの
搬入出口（図示せず）が形成されており、この搬入出口
には開閉自在なシャッタ（図示せず）が設けられてい
る。
を有している。すなわち、この不純物除去装置２３は、
外側を非気密に覆っている容器３１内に、ウエハＷを載
置する載置台３２を有している。この載置台３２は耐腐
食性のすぐれた材質、例えばステンレス鋼によって構成
されており、容器３１の外部に設けられている昇降機構
３３によって図中の往復矢印に示したように上下動自在
である。また載置台３２には、ウエハＷを授受する際に
載置台３２表面に突出自在な昇降ピン（図示せず）が設
けられている。なおこの容器３１の側面には、ウエハの
搬入出口（図示せず）が形成されており、この搬入出口
には開閉自在なシャッタ（図示せず）が設けられてい
る。
【００２６】容器３１内の上部における載置台３２と対
向した位置には、下面が開口したケーシング４１が配置
され、このケーシング４１の内部には照射体４２が設け
られている。本実施形態においては、波長が１７２ｎｍ
の紫外線を照射する誘電体バリア放電エキシマランプを
照射体４２として用いている。この照射体４２には、冷
却のためのウォータージャケット等の冷却機構４３が付
設されており、この冷却機構４３に対しては、冷却水供
給管４４から所定温度、例えば２３℃の冷却水が所定流
量、例えば３リットル／分で供給され、供給された冷却
水は照射体４２を巡ってこの照射体４２を冷却した後、
冷却水排出管４５を介して、３リットル／分で外部へ排
出される。かかる構成によって照射体４２の過熱状態は
防止される。
向した位置には、下面が開口したケーシング４１が配置
され、このケーシング４１の内部には照射体４２が設け
られている。本実施形態においては、波長が１７２ｎｍ
の紫外線を照射する誘電体バリア放電エキシマランプを
照射体４２として用いている。この照射体４２には、冷
却のためのウォータージャケット等の冷却機構４３が付
設されており、この冷却機構４３に対しては、冷却水供
給管４４から所定温度、例えば２３℃の冷却水が所定流
量、例えば３リットル／分で供給され、供給された冷却
水は照射体４２を巡ってこの照射体４２を冷却した後、
冷却水排出管４５を介して、３リットル／分で外部へ排
出される。かかる構成によって照射体４２の過熱状態は
防止される。
【００２７】ケーシング４１下面の開口部分には、波長
が１７２ｎｍの紫外線を透過させる透過体としての石英
ガラス板４６が気密に設けられており、ケーシング４１
は気密に閉鎖されている。
が１７２ｎｍの紫外線を透過させる透過体としての石英
ガラス板４６が気密に設けられており、ケーシング４１
は気密に閉鎖されている。
【００２８】ケーシング４１の一側の側板には、不活性
ガス供給管４７が設けられており、不活性ガス供給源４
８から所定の不活性ガス、例えばＮ2（窒素ガス）が所
定の流量、例えば１０リットル／分で照射体４２と石英
ガラス板４６との間の空間に向けて供給される。ケーシ
ング４１の他側の側板には、排気管４９が設けられてお
り、容器３１外に設置されている排気ポンプなどの排気
手段５０の作動によって、照射体４２と石英ガラス板４
６との間の空間の雰囲気が、１０リットル／分で排気さ
れる。したがって、ケーシング４１内、ことに照射体４
２と石英ガラス板４６との間の空間は、常時新鮮なＮ2
雰囲気となっている。
ガス供給管４７が設けられており、不活性ガス供給源４
８から所定の不活性ガス、例えばＮ2（窒素ガス）が所
定の流量、例えば１０リットル／分で照射体４２と石英
ガラス板４６との間の空間に向けて供給される。ケーシ
ング４１の他側の側板には、排気管４９が設けられてお
り、容器３１外に設置されている排気ポンプなどの排気
手段５０の作動によって、照射体４２と石英ガラス板４
６との間の空間の雰囲気が、１０リットル／分で排気さ
れる。したがって、ケーシング４１内、ことに照射体４
２と石英ガラス板４６との間の空間は、常時新鮮なＮ2
雰囲気となっている。
【００２９】載置台３２が上昇して所定の処理位置にあ
るときに、ケーシング４１下面の石英ガラス板４６と当
該載置台３２上に載置されているウエハＷとの間に創出
される空間を囲むように、排気装置６１が配置されてい
る。この排気装置６１は、容器３１に側壁に支持させた
り、ケーシング４１下面や載置台３２の上方縁部に取り
付けたりすることで配置できる。
るときに、ケーシング４１下面の石英ガラス板４６と当
該載置台３２上に載置されているウエハＷとの間に創出
される空間を囲むように、排気装置６１が配置されてい
る。この排気装置６１は、容器３１に側壁に支持させた
り、ケーシング４１下面や載置台３２の上方縁部に取り
付けたりすることで配置できる。
【００３０】この排気装置６１は、図３に示したよう
に、ウエハＷの三方を囲み得る大きさで平面が略コ字形
の形態を有し、略棒状の排気部６２とこの排気部６２の
両端部から直角に延出している棒状の側方遮蔽部６３、
６４とによって構成されている。そして排気部６２の前
方、すなわちウエハＷに向けられた側には、排気口６２
ａが多数形成されている。この排気口６２ａは、前記排
気手段５０に通じており、排気手段５０の作動により、
石英ガラス板４６下面とウエハＷ上面との間の空間の雰
囲気は、図３に示したように排気部６２の排気口６２ａ
から吸引されて容器３１外部に排気される。
に、ウエハＷの三方を囲み得る大きさで平面が略コ字形
の形態を有し、略棒状の排気部６２とこの排気部６２の
両端部から直角に延出している棒状の側方遮蔽部６３、
６４とによって構成されている。そして排気部６２の前
方、すなわちウエハＷに向けられた側には、排気口６２
ａが多数形成されている。この排気口６２ａは、前記排
気手段５０に通じており、排気手段５０の作動により、
石英ガラス板４６下面とウエハＷ上面との間の空間の雰
囲気は、図３に示したように排気部６２の排気口６２ａ
から吸引されて容器３１外部に排気される。
【００３１】本実施の形態にかかるＳＯＧ形成システム
１以上のように構成されており、次にその運転例につい
て説明すると、まず処理対象となるウエハＷを収納した
カセットＣが載置部１１に載置されると、副搬送装置１
２によってカセットＣ内のウエハＷが取り出され、位置
合わせされた後主搬送装置２１へと渡される。主搬送装
置２１は、受け取ったウエハＷをまず不純物除去装置２
３の容器３１内に搬入する。
１以上のように構成されており、次にその運転例につい
て説明すると、まず処理対象となるウエハＷを収納した
カセットＣが載置部１１に載置されると、副搬送装置１
２によってカセットＣ内のウエハＷが取り出され、位置
合わせされた後主搬送装置２１へと渡される。主搬送装
置２１は、受け取ったウエハＷをまず不純物除去装置２
３の容器３１内に搬入する。
【００３２】不純物除去装置２３では、ウエハＷが搬入
される際には、載置台３２が下降して待機状態にあり、
ウエハＷが載置台３２上に載置されて主搬送装置２１が
退避した後、処理位置まで上昇する。なお排気装置６１
はこのとき既に稼働しており、容器３１内の雰囲気は排
気部６２から排気されている。次いで、このウエハＷ表
面の不純物除去処理が開始される。
される際には、載置台３２が下降して待機状態にあり、
ウエハＷが載置台３２上に載置されて主搬送装置２１が
退避した後、処理位置まで上昇する。なお排気装置６１
はこのとき既に稼働しており、容器３１内の雰囲気は排
気部６２から排気されている。次いで、このウエハＷ表
面の不純物除去処理が開始される。
【００３３】すなわち、照射体４２から波長が１７２ｎ
ｍの紫外線が石英ガラス板４６を透過してウエハＷに対
して照射されると、石英ガラス板４６下面とウエハＷ上
面との間の空気（大気）からオゾンが発生し、このオゾ
ンによってウエハＷ上面の有機物等の不純物が除去さ
れ、排気部６２からそのまま排気されるのである。既述
したように、容器３１は、非気密に構成されているた
め、排気装置６１の排気部６２から排気されると容器３
１内には大気中の空気が流入し、特に石英ガラス板４６
下面とウエハＷ上面との間の空間、つまり波長が１７２
ｎｍの紫外線が照射されているエリアに流入する。そし
てこのときの紫外線によって空気中の酸素からオゾンが
生成され、当該オゾンによってウエハＷ上面の有機物等
の不純物が除去されるのである。
ｍの紫外線が石英ガラス板４６を透過してウエハＷに対
して照射されると、石英ガラス板４６下面とウエハＷ上
面との間の空気（大気）からオゾンが発生し、このオゾ
ンによってウエハＷ上面の有機物等の不純物が除去さ
れ、排気部６２からそのまま排気されるのである。既述
したように、容器３１は、非気密に構成されているた
め、排気装置６１の排気部６２から排気されると容器３
１内には大気中の空気が流入し、特に石英ガラス板４６
下面とウエハＷ上面との間の空間、つまり波長が１７２
ｎｍの紫外線が照射されているエリアに流入する。そし
てこのときの紫外線によって空気中の酸素からオゾンが
生成され、当該オゾンによってウエハＷ上面の有機物等
の不純物が除去されるのである。
【００３４】かかる場合、排気装置６１には、実際の排
気を行っている排気部６２の両端に側方遮蔽部６３、６
４が設けられているから、流入する空気の流れは、図３
に示したように整然としている。したがって、発生した
オゾンが周囲に拡散することは抑えられ、それゆえ容器
３１内の他の部材がオゾンによって腐食するおそれはな
い。但し、排気装置６１を構成している排気部６２、側
方遮蔽部６３、６４はオゾンに曝されるから、耐オゾン
腐食性にすぐれた材質、例えばＰＴＦＥによって構成す
ることが好ましいが、かかる場合でも、発生するオゾン
が流れていく排気部６２寄りの部分を重点的に、耐オゾ
ン腐食性にすぐれた材質を用いれば実用上問題はない。
気を行っている排気部６２の両端に側方遮蔽部６３、６
４が設けられているから、流入する空気の流れは、図３
に示したように整然としている。したがって、発生した
オゾンが周囲に拡散することは抑えられ、それゆえ容器
３１内の他の部材がオゾンによって腐食するおそれはな
い。但し、排気装置６１を構成している排気部６２、側
方遮蔽部６３、６４はオゾンに曝されるから、耐オゾン
腐食性にすぐれた材質、例えばＰＴＦＥによって構成す
ることが好ましいが、かかる場合でも、発生するオゾン
が流れていく排気部６２寄りの部分を重点的に、耐オゾ
ン腐食性にすぐれた材質を用いれば実用上問題はない。
【００３５】またケーシング４１内における照射体４２
からの紫外線が照射される領域についても、既述したよ
うに、常時新鮮なＮ2雰囲気となっているから、オゾン
が発生することはなく、したがってケーシング４１の内
部がオゾンによって腐食することはない。
からの紫外線が照射される領域についても、既述したよ
うに、常時新鮮なＮ2雰囲気となっているから、オゾン
が発生することはなく、したがってケーシング４１の内
部がオゾンによって腐食することはない。
【００３６】このようにして不純物除去装置２３によっ
て処理された後のウエハＷは、その表面から有機物等の
不純物が除去されており、ヌレ性が向上し、また接触角
も改善されている。またエッチング後のパターンが前出
図９に示した「すそびき」状態であっても、パターン３
０１の側壁３０２の底部隅部の丸く残った部分を除去し
て図４に示したような好ましい状態にすることが可能で
ある。したがって、その後の処理液の塗布処理を好適に
実施することができる。
て処理された後のウエハＷは、その表面から有機物等の
不純物が除去されており、ヌレ性が向上し、また接触角
も改善されている。またエッチング後のパターンが前出
図９に示した「すそびき」状態であっても、パターン３
０１の側壁３０２の底部隅部の丸く残った部分を除去し
て図４に示したような好ましい状態にすることが可能で
ある。したがって、その後の処理液の塗布処理を好適に
実施することができる。
【００３７】しかも前記不純物除去装置２３では、オゾ
ンの発生源として大気中の空気を利用しており、別途オ
ゾンの発生源としてのガス源を用意する必要はない。そ
のうえ容器３１を非気密型として構成することで、かか
る大気中の空気を所望の空間内に流入させることができ
るので、イニシャルコスト、ランニングコスト共低廉に
抑えることが可能になっている。
ンの発生源として大気中の空気を利用しており、別途オ
ゾンの発生源としてのガス源を用意する必要はない。そ
のうえ容器３１を非気密型として構成することで、かか
る大気中の空気を所望の空間内に流入させることができ
るので、イニシャルコスト、ランニングコスト共低廉に
抑えることが可能になっている。
【００３８】不純物除去装置２３によって処理された後
のウエハＷは、再び主搬送装置２１によって取り出さ
れ、次いで塗布装置２６へと搬送され、スピンコーティ
ング法によって所定の処理液が塗布される。塗布装置２
６で処理液の塗布が終了したウエハＷは、主搬送装置２
１によって加熱装置２４へと搬送され、そこで処理液中
の溶剤の揮発処理が実施される。かかる揮発処理が終了
したウエハＷは、その後冷却装置２５で所定の温度まで
冷却され、次いでインターフェース部４に載置される。
その後当該ウエハＷは加熱炉５で処理液の焼成処理に付
されて、ＳＯＧ膜が形成される。
のウエハＷは、再び主搬送装置２１によって取り出さ
れ、次いで塗布装置２６へと搬送され、スピンコーティ
ング法によって所定の処理液が塗布される。塗布装置２
６で処理液の塗布が終了したウエハＷは、主搬送装置２
１によって加熱装置２４へと搬送され、そこで処理液中
の溶剤の揮発処理が実施される。かかる揮発処理が終了
したウエハＷは、その後冷却装置２５で所定の温度まで
冷却され、次いでインターフェース部４に載置される。
その後当該ウエハＷは加熱炉５で処理液の焼成処理に付
されて、ＳＯＧ膜が形成される。
【００３９】なお以上の処理は、レシピの一例に従った
プロセスであり、例えば不純物除去装置２３の載置台３
２内に、ウエハＷを加熱する加熱装置を設けてウエハＷ
を加熱してオゾンによる不純除去率を高めた場合には、
不純物除去装置２３での処理が終了した後、一旦冷却装
置２５へと当該ウエハＷを搬送し、所定の温度にまで冷
却した後で塗布装置２６へ搬送するようにしてもよい。
プロセスであり、例えば不純物除去装置２３の載置台３
２内に、ウエハＷを加熱する加熱装置を設けてウエハＷ
を加熱してオゾンによる不純除去率を高めた場合には、
不純物除去装置２３での処理が終了した後、一旦冷却装
置２５へと当該ウエハＷを搬送し、所定の温度にまで冷
却した後で塗布装置２６へ搬送するようにしてもよい。
【００４０】前記実施の形態で使用した不純物除去装置
２３では、格別オゾン発生用のガス源を用いないタイプ
であったが、これに代えて図５に示したような、不純物
除去装置１０１を使用してもよい。なお図５、及び以下
の説明において、前記実施の形態で引用した符号と同一
の符号で示される部材等は、同一の部材等を示してい
る。
２３では、格別オゾン発生用のガス源を用いないタイプ
であったが、これに代えて図５に示したような、不純物
除去装置１０１を使用してもよい。なお図５、及び以下
の説明において、前記実施の形態で引用した符号と同一
の符号で示される部材等は、同一の部材等を示してい
る。
【００４１】この不純物除去装置１０１においては、ケ
ーシング４１の石英ガラス板４６の下面と載置台３２上
のウエハＷ上面との間の空間に向けて、オゾン発生源と
なるガスを供給する、図６にその平面形態を示した棒状
のガス供給装置１０２を備えている。このガス供給装置
１０２は、容器３１の外部に設置されているガス供給源
１０３から、オゾン発生源となるガス、例えば酸素ガス
をガス供給装置１０２の供給口１０２ａから、ウエハＷ
と平行な方向、すなわち水平に吹き出すように構成され
ている。
ーシング４１の石英ガラス板４６の下面と載置台３２上
のウエハＷ上面との間の空間に向けて、オゾン発生源と
なるガスを供給する、図６にその平面形態を示した棒状
のガス供給装置１０２を備えている。このガス供給装置
１０２は、容器３１の外部に設置されているガス供給源
１０３から、オゾン発生源となるガス、例えば酸素ガス
をガス供給装置１０２の供給口１０２ａから、ウエハＷ
と平行な方向、すなわち水平に吹き出すように構成され
ている。
【００４２】また排気装置１１１についても、図６に示
したように平面形態が略棒状で、かつウエハＷを挟んで
ガス供給装置１０２と対向する位置に配置されている。
この排気装置１１１の排気口１１１ａは、スリット状の
ものを用いている。
したように平面形態が略棒状で、かつウエハＷを挟んで
ガス供給装置１０２と対向する位置に配置されている。
この排気装置１１１の排気口１１１ａは、スリット状の
ものを用いている。
【００４３】かかる構成を有する不純物除去装置１０１
によれば、石英ガラス板４６の下面とウエハＷの上面と
の間には、酸素ガスの水平層流が形成されており、該酸
素ガスの水平層流に対して、照射体４２から紫外線が照
射されるので、オゾンの発生率が高く、その結果、前記
不純物除去装置２３よりも不純物除去率が高くなってい
る。もちろん発生したオゾン等はそのまま、排気装置１
１１の排気口１１１ａから排気されるので、周囲に拡散
することはない。不純物除去処理自体の均一性も良好な
ものとなっている。
によれば、石英ガラス板４６の下面とウエハＷの上面と
の間には、酸素ガスの水平層流が形成されており、該酸
素ガスの水平層流に対して、照射体４２から紫外線が照
射されるので、オゾンの発生率が高く、その結果、前記
不純物除去装置２３よりも不純物除去率が高くなってい
る。もちろん発生したオゾン等はそのまま、排気装置１
１１の排気口１１１ａから排気されるので、周囲に拡散
することはない。不純物除去処理自体の均一性も良好な
ものとなっている。
【００４４】さらに前記ガス供給装置１０２と組み合わ
せる排気装置を、前出排気装置６１と同様な平面コ字型
の形態を有する、図７に示した排気装置１２１を用いて
もよい。すなわちこの排気装置１２１も、ウエハＷの三
方を囲み得る大きさで平面が略コ字形の形態を有し、排
気口１２２ａを有する略棒状の排気部１２２とこの排気
部１２２の両端部から直角に延出している棒状の側方遮
蔽部１２３、１２４とによって構成されている。そして
側方遮蔽部１２３、１２４の先端部は、各々ガス供給装
置１０２の端部と密着するようになっている。
せる排気装置を、前出排気装置６１と同様な平面コ字型
の形態を有する、図７に示した排気装置１２１を用いて
もよい。すなわちこの排気装置１２１も、ウエハＷの三
方を囲み得る大きさで平面が略コ字形の形態を有し、排
気口１２２ａを有する略棒状の排気部１２２とこの排気
部１２２の両端部から直角に延出している棒状の側方遮
蔽部１２３、１２４とによって構成されている。そして
側方遮蔽部１２３、１２４の先端部は、各々ガス供給装
置１０２の端部と密着するようになっている。
【００４５】かかる構成のガス供給装置１０２と排気装
置１２１によれば、前出図６に示した例よりも、周囲の
雰囲気の巻込が少なく、さらに高いオゾン発生率が達成
できる。またオゾンの周囲への拡散もより抑えられてい
る。
置１２１によれば、前出図６に示した例よりも、周囲の
雰囲気の巻込が少なく、さらに高いオゾン発生率が達成
できる。またオゾンの周囲への拡散もより抑えられてい
る。
【００４６】なおそのように、いわば密着接合関係にあ
るガス供給装置と排気装置の形態は、各々直線状、略コ
字型の形状に限らず、ウエハＷを囲み得る円弧状の平面
形態であってもよい。図８は、かかる場合の例を示して
おり、ガス供給装置１３１の平面形態は、略１／３円弧
状、排気装置１３２は２／３円弧状であって、各装置の
両端部が各々密着接合する構成となっている。かかるガ
ス供給装置１３１と排気装置１３２の組合わせによって
も、図７に示した場合と同様、周囲の雰囲気の巻込が少
なく、さらに高いオゾン発生率が達成できる。もちろん
オゾンの周囲への拡散も抑えられている。
るガス供給装置と排気装置の形態は、各々直線状、略コ
字型の形状に限らず、ウエハＷを囲み得る円弧状の平面
形態であってもよい。図８は、かかる場合の例を示して
おり、ガス供給装置１３１の平面形態は、略１／３円弧
状、排気装置１３２は２／３円弧状であって、各装置の
両端部が各々密着接合する構成となっている。かかるガ
ス供給装置１３１と排気装置１３２の組合わせによって
も、図７に示した場合と同様、周囲の雰囲気の巻込が少
なく、さらに高いオゾン発生率が達成できる。もちろん
オゾンの周囲への拡散も抑えられている。
【００４７】またさらに、周囲の雰囲気の巻込みをなく
して、オゾンの拡散を防止し、それと共により一層高い
オゾン発生率の下で不純物除去律を高めるには、図７、
図８７に示したが密着接合関係にあるガス供給装置と排
気装置を、各々ケーシング４１の下面の縁部又は載置台
３２の上面の縁部に密着して取り付ければ、載置台３２
が上昇した際に、ガス供給装置と排気装置とによって囲
まれた空間を気密空間とすることで、これを達成でき
る。
して、オゾンの拡散を防止し、それと共により一層高い
オゾン発生率の下で不純物除去律を高めるには、図７、
図８７に示したが密着接合関係にあるガス供給装置と排
気装置を、各々ケーシング４１の下面の縁部又は載置台
３２の上面の縁部に密着して取り付ければ、載置台３２
が上昇した際に、ガス供給装置と排気装置とによって囲
まれた空間を気密空間とすることで、これを達成でき
る。
【００４８】なお前記各不純物除去装置２３、１０１
は、ＳＯＧ膜形成システムに採用するものであったが、
これら各不純物除去装置２３、１０１は既述したよう
に、ウエハＷ表面上の有機物等の不純物を効果的に除去
したり、パターンのすそびきを改善できるものであるた
め、他の膜形成処理や液処理を実施する前段階の基板の
洗浄処理にも使用できる。もちろん基板も、ウエハに限
らずＬＣＤ基板やその他の基板であってもよい。
は、ＳＯＧ膜形成システムに採用するものであったが、
これら各不純物除去装置２３、１０１は既述したよう
に、ウエハＷ表面上の有機物等の不純物を効果的に除去
したり、パターンのすそびきを改善できるものであるた
め、他の膜形成処理や液処理を実施する前段階の基板の
洗浄処理にも使用できる。もちろん基板も、ウエハに限
らずＬＣＤ基板やその他の基板であってもよい。
【００４９】
【発明の効果】請求項１〜６に記載の不純物除去装置に
よれば、オゾンによって基板表面に付着した有機物等の
不純物を容易にかつ迅速に除去でき、また「すそびき」
状態も改善することができる。したがって、その後の処
理、例えば膜形成処理を好適に実施するコとが可能であ
る。しかも乾式の除去プロセスであるから、湿式と異な
り、その後の乾燥工程は不要である。さらに他の装置と
組み合わせてインラインシステムを構築することも容易
である。その他ウエハなどの基板表面の接触角も改善す
ることができる。
よれば、オゾンによって基板表面に付着した有機物等の
不純物を容易にかつ迅速に除去でき、また「すそびき」
状態も改善することができる。したがって、その後の処
理、例えば膜形成処理を好適に実施するコとが可能であ
る。しかも乾式の除去プロセスであるから、湿式と異な
り、その後の乾燥工程は不要である。さらに他の装置と
組み合わせてインラインシステムを構築することも容易
である。その他ウエハなどの基板表面の接触角も改善す
ることができる。
【００５０】特に請求項２の不純物除去装置によれば、
載置台とケーシング間の空間の雰囲気を排気する手段の
設計、設置の自由度が向上し、しかも載置台周りの耐オ
ゾン腐食性をより簡素化さることが可能である。また請
求項３の不純物除去装置によれば、不純物除去効率がさ
らに向上すると共に、生成したオゾンの周囲への拡散を
さらに抑えることが可能である。そして特に請求項４の
不純物除去装置によれば、周囲へのオゾンの拡散を高い
レベルで防止することができ、不純物の除去効率もさら
に向上している。
載置台とケーシング間の空間の雰囲気を排気する手段の
設計、設置の自由度が向上し、しかも載置台周りの耐オ
ゾン腐食性をより簡素化さることが可能である。また請
求項３の不純物除去装置によれば、不純物除去効率がさ
らに向上すると共に、生成したオゾンの周囲への拡散を
さらに抑えることが可能である。そして特に請求項４の
不純物除去装置によれば、周囲へのオゾンの拡散を高い
レベルで防止することができ、不純物の除去効率もさら
に向上している。
【００５１】請求項５の不純物除去装置によれば、照射
体を収納しているケーシング内の腐食が防止される。ま
た載置台と搬送手段との間の基板の移載が支障なく円滑
に行え、また条件等に応じた最適なオゾン発生率を選択
することが可能になる。
体を収納しているケーシング内の腐食が防止される。ま
た載置台と搬送手段との間の基板の移載が支障なく円滑
に行え、また条件等に応じた最適なオゾン発生率を選択
することが可能になる。
【００５２】請求項７の膜形成方法によれば、ヌレ性が
向上し、形成しようとする所望の膜の定着性、定着状態
が向上する。そして請求項８の膜形成システムによれ
ば、請求項７の膜形成方法を好適に実施することが可能
になっている。
向上し、形成しようとする所望の膜の定着性、定着状態
が向上する。そして請求項８の膜形成システムによれ
ば、請求項７の膜形成方法を好適に実施することが可能
になっている。
【図１】本発明の実施の形態にかかるＳＯＧ形成システ
ムの平面の説明図である。
ムの平面の説明図である。
【図２】図１のＳＯＧ形成システムで用いた不純物除去
装置の縦断面の説明図である。
装置の縦断面の説明図である。
【図３】図２の不純物除去装置で用いた排気装置の平面
図である。
図である。
【図４】図２の不純物除去装置で不純物を除去した後の
パターンの様子を示す説明図である。
パターンの様子を示す説明図である。
【図５】他の不純物除去装置の縦断面の説明図である。
【図６】図５の不純物除去装置で用いたガス供給装置と
排気装置の平面図である。
排気装置の平面図である。
【図７】図５の不純物除去装置に用いることができる他
のガス供給装置と排気装置の平面図である。
のガス供給装置と排気装置の平面図である。
【図８】図５の不純物除去装置に用いることができる円
弧状の他のガス供給装置と排気装置の平面図である。
弧状の他のガス供給装置と排気装置の平面図である。
【図９】すそびき状態にあるパターンの様子を示す説明
図である。
図である。
１ ＳＯＧ形成システム ２１ 主搬送装置 ２３ 不純物除去装置 ２６ 塗布装置 ３１ 容器 ３２ 載置台 ３３ 昇降機構 ４１ ケーシング ４２ 照射体 ４６ 石英ガラス板 ４８ 不活性ガス供給源 ５０ 排気手段 ６１ 排気装置 Ｗ ウエハ
Claims (8)
- 【請求項１】 基板表面の不純物を除去する装置であっ
て、対向する載置台上の基板に対して所定波長の光を照
射して当該基板表面上の空間にオゾンを発生させる照射
体と、前記照射体を収納するケーシングと、前記ケーシ
ングにおける前記載置台との対向面に設けられて前記所
定波長の光を透過させる透過体と、前記載置台と前記ケ
ーシング間の空間の雰囲気を排気する手段とを備えたこ
とを特徴とする、不純物除去装置。 - 【請求項２】 基板表面の不純物を除去する装置であっ
て、対向する載置台上の基板に対して所定波長の光を照
射して当該基板表面上の空間にオゾンを発生させる照射
体と、前記照射体を収納するケーシングと、前記ケーシ
ングにおける前記載置台との対向面に設けられて前記所
定波長の光を透過させる透過体と、前記載置台と前記ケ
ーシング間の空間の雰囲気を、一側から排気する手段と
を備えたことを特徴とする、不純物除去装置。 - 【請求項３】 基板表面の不純物を除去する装置であっ
て、対向する載置台上の基板に対して所定波長の光を照
射して当該基板表面上の空間にオゾンを発生させる照射
体と、前記照射体を収納するケーシングと、前記ケーシ
ングにおける前記載置台との対向面に設けられて前記所
定波長の光を透過させる透過体と、前記載置台と前記ケ
ーシング間の空間の雰囲気を、一側から排気する手段
と、前記載置台と前記ケーシング間の空間に、少なくと
も酸素を含有するガスを他側から供給する手段とを備え
たことを特徴とする、不純物除去装置。 - 【請求項４】 載置台と前記ケーシング間の空間の雰囲
気を一側から排気する手段、及び載置台と前記ケーシン
グ間の空間に少なくとも酸素を含有するガスを他側から
供給する手段は、各々基板の外形の一部に沿った形態を
なし、かつこれら二つの手段で前記基板の外形を囲み得
るように構成されたことを特徴とする、請求項３に記載
の不純物除去装置。 - 【請求項５】 ケーシング内における少なくとも照射体
と透過体との間の空間に不活性ガスを供給する不活性ガ
ス供給手段と、前記ケーシング内における少なくとも前
記空間の雰囲気を排気する排気手段とを備えたことを特
徴とする、請求項１、２、３又は４に記載の不純物除去
装置。 - 【請求項６】 少なくとも載置台又はケーシングの一方
が上下動自在であることを特徴とする、請求項１、２、
３、４又は５に記載の不純物除去装置。 - 【請求項７】 基板に対して所定の処理液を供給して当
該基板上に所定の膜を形成する方法において、前記塗布
液を供給する前に、請求項１、２、３、４、５又は６に
記載の不純物除去装置を用いて予め当該基板表面の不純
物を除去することを特徴とする、膜形成方法。 - 【請求項８】 請求項１、２、３、４、５又は６に記載
の不純物除去装置と、基板に対して所定の処理液を供給
して当該基板上に所定の膜を形成する膜形成装置と、前
記不純物除去装置での処理が終了した基板を前記膜形成
装置に搬送する搬送装置とを備えたことを特徴とする、
膜形成システム。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26085397A JP3500050B2 (ja) | 1997-09-08 | 1997-09-08 | 不純物除去装置、膜形成方法及び膜形成システム |
| US09/145,617 US6190458B1 (en) | 1997-09-08 | 1998-09-02 | Apparatus for eliminating impurities by ozone generated in space above substrate surface and film forming method and system therewith |
| US09/742,536 US6465055B2 (en) | 1997-09-08 | 2000-12-22 | Apparatus for eliminating impurities by ozone generated in space above substrate surface and film forming method and system therewith |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26085397A JP3500050B2 (ja) | 1997-09-08 | 1997-09-08 | 不純物除去装置、膜形成方法及び膜形成システム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1187337A true JPH1187337A (ja) | 1999-03-30 |
| JP3500050B2 JP3500050B2 (ja) | 2004-02-23 |
Family
ID=17353669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26085397A Expired - Fee Related JP3500050B2 (ja) | 1997-09-08 | 1997-09-08 | 不純物除去装置、膜形成方法及び膜形成システム |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6190458B1 (ja) |
| JP (1) | JP3500050B2 (ja) |
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