JP5072025B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
実施の形態1では、半導体デバイス製造に本発明の処理方法が使用される場合の形態について説明する。
以下に、本発明の具体的態様を説明するが、本発明はその要旨を越えない限り以下の実施例により何ら限定されるものではない。
シリコンウェーハを、超純水で処理する際のシリコン表面の酸化抑制について、本発明の効果を検証した。シリコンウェーハは(CZ法、nタイプ、抵抗率:0.8〜1.2Ωcm、面方位:100)とし、あらかじめ硫酸/過酸化水素水で洗浄した後、希フッ酸処理(0.5%、室温、1分間)によって、表面の酸化膜を除去し、その後、超純水で5分間リンスしたものを使用した。
図5(a)では、シリコンウェーハを、空気が飽和した超純水に1時間浸漬した後の表面状態を、光の強度を変えて比較している。
図5(b)では、溶存酸素濃度1ppb以下、1.3-1.5ppmの水素を添加した超純水を用いて、シリコンウェーハを1時間浸漬した後の表面状態を、光の強度を変えて比較している。
シリコンウェーハをアンモニア水で表面処理した場合における表面マイクロラフネス抑制について、本発明の効果を検証した。実験条件並びに結果を表1に示す。
シリコンウェーハを超純水で表面処理した場合における表面マイクロラフネス抑制について、本発明の効果を検証した。実験条件並びに結果を表2に示す。
シリコンウェーハをフッ酸並びにバッファードフッ酸で表面処理した場合の、表面マイクロラフネスについて、本発明の効果を検証した。実験条件並びに結果を表3に示す。
シリコンウェーハを表4に示す各種薬液で表面処理した場合の、表面マイクロラフネスについて、本発明の効果を検証した。実験条件並びに結果を表4に示す。
Claims (8)
- 半導体基板を用意してその表面をウエット洗浄し、該洗浄した表面上に絶縁膜を形成し、該形成した絶縁膜をウエットエッチングしてゲート絶縁膜を形成し、その後再度ウエット洗浄する工程を有する半導体装置の製造方法であって、
ウエット洗浄工程、ウエットエッチング工程、再度のウエット洗浄工程の各工程を遮光下の環境で実施することにより、前記ウエット洗浄工程、ウエットエッチング工程、及び再度のウエット洗浄工程の各工程における前記半導体基板の表面ラフネスを、前記各工程を遮光しない状態で実施した場合に比較して、抑制することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記3つの工程のそれぞれで使用される処理液中の酸素濃度が1ppb以下である請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記遮光下の環境の雰囲気が窒素雰囲気である請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体基板はシリコンウエハーであり、遮光する光の波長は、1.1μm以下である請求項1の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板を洗浄し、洗浄された半導体基板上に形成された絶縁膜をエッチングした後、再度洗浄する工程を液に曝して行い、ゲート絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板の洗浄工程、前記絶縁膜のエッチング工程、及び再度洗浄する工程の各工程を、前記半導体基板表面に光があたらないように遮光して行うことにより、前記半導体基板の洗浄工程、前記絶縁膜のエッチング工程、及び再度洗浄する工程の各工程における前記半導体基板の表面ラフネスを、前記各工程を遮光しない場合に比較して抑制した状態で、前記ゲート絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記半導体基板の洗浄、前記絶縁膜のエッチング、及び再度洗浄する工程は、前記半導体基板表面に光があたらないように遮光した処理室内で行われることを特徴とする請求項5記載の半導体装置の製造方法。
- 前記遮光される光は、前記半導体基板を形成する半導体のバンドギャップエネルギ以上のエネルギを有する光であることを特徴とする請求項5又は6に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体基板の半導体がシリコンであり、前記遮光される光が可視光、紫外線であることを特徴とする請求項5〜7のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
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