CN100477103C - 大气输送室和被处理体的处理后输送法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种大气输送室，使得在能够防止由被处理体制造的半导体器件降低质量的同时，还能够提高被处理体处理装置的开工率。输送进行了蚀刻处理的晶片W的加载模块(13)，包括了在其内部配置在上侧的FFU(34)，FFU(34)由风扇单元(37)、加热单元(38)、除湿装置(39)和除尘单元(40)组成，风扇单元(37)的内部装有向下侧送出大气的风扇，除湿装置(39)的内部装有对风扇单元(37)送出的大气进行除湿的干燥过滤器(55)，除尘单元(40)的内部装有将通过除湿装置(39)的大气中的粉尘收集的过滤器，由此FFU(34)将导入加载模块(13)内部上侧的大气进行加热、除湿和除尘，供给到加载模块(13)内部的下侧。

Description

大气输送室和被处理体的处理后输送法
技术领域
本发明涉及大气输送室、被处理体的处理后输送方法、程序和存储介质，特别涉及输送基于卤素系气体等离子体加以处理过的被处理体的大气输送室。
背景技术
通常，在由硅(Si)制成作为被处理体的半导体器件用基板(在下面称为“晶片”)上，通过对晶片上的多晶硅层进行蚀刻形成沟槽，用来形成栅极电极等，在进行多晶硅层的蚀刻时，使用卤素系气体，比如溴化氢(HBr)或氯气(Cl2)作为处理气体。此多晶硅层的蚀刻是在处理腔室中进行的。
在进行多晶硅层的蚀刻时，在处理气体中被等离子化的一部分处理气体和晶片的硅发生反应，形成腐蚀性反应生成物，比如溴化硅(SiBr4)或氯化硅(SiCl4)，如在图10中所示，此生成的腐蚀性反应生成物，在晶片100的栅极电极101之间，附着在沟槽102的侧面上，形成堆积物膜(钝化膜)103。在由晶片100制成的半导体器件中，此堆积物膜103是布线阻抗或布线短路等异常的主要原因，必须将其除去。
作为除去堆积物层的基板处理装置，现有已知的是包括蚀刻室(处理腔室)和腐蚀钝化腔室。在此基板处理装置中，腐蚀钝化腔室中的晶片曝露在高温的水蒸气下，因此堆积物层的腐蚀性反应生成物与水蒸气发生反应。此时，腐蚀性反应生成物中的卤素被水还原使腐蚀性反应生成物分解，从而就能够除去堆积物层(参照比如专利文献1)。
可是，在这样的基板处理装置中，要将在蚀刻室中被蚀刻的晶片通过真空输送送到腐蚀钝化腔室中，所以该腐蚀钝化腔室必须设置在真空当中，基板处理装置的结构复杂就成了问题。
近年来开发了一种基板处理装置，在此装置中作为与处理腔室相连接的大气输送室的加载模块和作为腐蚀性反应生成物除去室的钝化腔室是相连接的。在这样的基板处理装置中，在钝化腔室中，被送入的晶片曝露在大气中，腐蚀性反应生成物和大气中的水分发生反应，由此使腐蚀性反应生成物中的卤素被水还原，从而使腐蚀性反应生成物分解，而来源于被还原卤素的卤素系酸性气体，比如氯化氢(HCl)被排放出(清洗出)。按照这样的基板处理装置，能够使其结构简单化。
【专利文献】特表2003-518768号公报
但是，在包括上述钝化腔室的基板处理装置中，在将被处理腔室蚀刻的晶片送入钝化腔室之前，要先送入到加载模块内，所以，晶片上的腐蚀性反应生成物与加载模块内大气中的水发生反应，如下式所示生成卤素系酸性气体，比如HCl或HBr。
SiBr4+H2O→SiO2+4HBr↑
SiCl4+H2O→SiO2+4HCl↑
如此产生的卤素系酸性气体，对比如不锈钢或铝等构成的加载模块的内壁或配置在该加载模块内的晶片输送臂表面造成腐蚀，在内壁或表面上覆盖上一层氧化物，比如Fe2O3或Al2O3等。这些氧化物，由于晶片输送臂输送晶片时造成的振动等原因而从表面上剥离，作为颗粒附着在晶片的表面上，使得由该晶片制造的半导体器件的质量降低。为了除去表面的氧化物层，必须对加载模块内进行定期的清扫，使得基板处理装置的开工率下降。
发明内容
本发明的目的就是提供一种大气输送室、被处理体的处理后输送方法、程序和存储介质，使得在能够防止由被处理体制造的半导体器件质量下降的同时，还能够提高被处理体处理装置的开工率。
为了实现上述目的，在发明方面1中所述的大气输送室，其特征在于，在与由卤素系气体等离子体对被处理体进行处理的被处理体处理室相连接、在内部输送上述被处理体的大气输送室中，具有对该大气输送室内的大气进行除湿的除湿装置。
在发明方面2中所述的大气输送室，其特征在于，在如发明方面1中所述的大气输送室中，上述除湿装置包括干燥过滤器。
在发明方面3中所述的大气输送室，其特征在于，在如发明方面1中所述的大气输送室中，包括将导入上述大气输送室的内部的大气进行冷却的冷却装置。
在发明方面4中所述的大气输送室，其特征在于，在如发明方面3中所述的大气输送室中，上述冷却装置具有珀尔帖元件。
在发明方面5中所述的大气输送室，其特征在于，在如发明方面1中所述的大气输送室中，上述除湿装置包括空气调节机。
在发明方面6中所述的大气输送室，其特征在于，在如发明方面1～5中任何一项所述的大气输送室中，与除去附着在上述被处理体上的卤素系气体的反应生成物的反应生成物除去室相连接，该反应生成物除去室将附着在上述被处理体上反应生成物中的卤素还原。
在发明方面7中所述的大气输送室，其特征在于，在如发明方面6中所述的大气输送室中，上述反应生成物除去室包括向该室内供给高温水蒸气的高温水蒸气供给装置。
在发明方面8中所述的大气输送室，其特征在于，在如发明方面7中所述的大气输送室中，上述高温水蒸气供给装置，向被送入上述反应生成物除去室中的上述被处理体喷出上述高温水蒸气，或者使被送入上述反应生成物除去室中的上述被处理体曝露在如上所述供给的高温水蒸气中。
在发明方面9中所述的大气输送室，其特征在于，在如发明方面6中所述的大气输送室中，上述反应生成物除去室包括向该室内供给超临界状态物质的超临界物质供给装置，上述超临界状态的物质含有使作为溶剂的反应生成物中的卤素还原的还原剂。
在发明方面10中所述的大气输送室，其特征在于，在如发明方面9中所述的大气输送室中，上述超临界状态的物质由二氧化碳、稀有气体和水中的任何一种构成。
在发明方面11中所述的大气输送室，其特征在于，在如发明方面9或10中所述的大气输送室中，上述还原剂由水和过氧化氢中的任何一种构成，
在发明方面12中所述的大气输送室，其特征在于，在如发明方面1～11中任何一项所述的大气输送室中，包括与容纳上述被处理体的容器相连接的容器连接口和向该容器连接口喷出已除湿的大气的除湿大气喷出装置。
在发明方面13中所述的大气输送室，其特征在于，在如发明方面1～12中任何一项所述的大气输送室中，包括向上述大气输送室内部供给离子的离子供给装置。
在发明方面14中所述的大气输送室，其特征在于，在如发明方面1～13中任何一项所述的大气输送室中，包括加热向上述大气输送室内部供给的大气的大气加热装置。
在发明方面15中所述的大气输送室，其特征在于，在如发明方面1～14中任何一项所述的大气输送室中，包括载置容纳上述被处理体的容器的容器载置台，该容器载置台具有加热上述容器的容器加热装置。
在发明方面16中所述的大气输送室，其特征在于，与通过卤素系气体的等离子体对被处理体进行处理的被处理体处理室相连接，在其内部输送上述被处理体的大气输送室中，包括加热上述大气输送室内部的室内加热装置。
在发明方面17中所述的被处理体的处理后输送方法，该方法是将被卤素系气体等离子体处理的被处理体在处理之后进行输送的方法，其特征在于，具有在经过了除湿的大气输送室的内部输送上述被处理体的输送步骤。
在发明方面18中所述的程序，是通过计算机实施被卤素系气体等离子体加以处理过的被处理体的处理后输送方法的程序，其特征在于，具有在已除湿的大气输送室内部输送上述被处理体的输送模块。
在发明方面19中所述的存储介质，是存储如下程序的计算机可读取存储介质，该程序是在计算机中执行被卤素系气体等离子体加以处理的被处理体的处理后输送方法的程序，其特征在于，上述程序具有在已除湿的大气输送室内部输送上述被处理体的输送模块。
在发明方面20中所述的存储介质，其特征在于，在发明方面19中所述的存储介质中，上述程序具有将上述被处理体送入除去在该被处理体上附着的卤素系气体反应生成物的反应生成物除去室的送入模块和将附着在上述被送入的被处理体上的反应生成物中的卤素还原的还原模块。
在发明方面21中所述的存储介质，其特征在于，在发明方面20中所述的存储介质中，上述程序具有向上述反应生成物除去室的室内供给高温水蒸气的高温水蒸气供给模块。
在发明方面22中所述的存储介质，其特征在于，在发明方面20中所述的存储介质中，上述程序具有向上述反应生成物除去室的室内供给超临界状态物质的超临界物质供给模块，上述超临界状态的物质，作为溶剂含有使反应生成物中的卤素进行还原的还原剂。
在发明方面23中所述的存储介质，其特征在于，在发明方面19～22中任何一项中所述的存储介质中，上述程序具有根据上述大气输送室的湿度判断是否在上述大气输送室内输送上述被处理体的判断模块。
按照发明方面1中所述的大气输送室，由于对输送利用卤素系气体的等离子体加以处理过的被处理体的大气输送室内部的大气进行了除湿，使得在被处理体上附着的卤素系气体反应生成物不与水反应，从而能够防止来自被处理体的卤素系酸性气体的产生。结果，能够防止在大气输送室内部产生氧化物，在能够防止由被处理体制造的半导体器件降低质量的同时，能够提高被处理体处理装置的开工率。
按照发明方面2中所述的大气输送室，由于除湿装置包括了干燥过滤器，能够以良好的效率对大气输送室内部的大气进行除湿。而由于干燥过滤器在除湿的过程中能够再生，所以能够提高被处理体处理装置的开工率。
按照发明方面3中所述的大气输送室，由于除湿装置包括了将导入大气输送室内部的大气进行冷却的冷却装置，所以能够以良好的效率对大气输送室内部的大气进行除湿。而由于冷却装置能够很容易地进行配置，所以能够防止大气输送室的结构复杂化。
按照发明方面4中所述的大气输送室，由于冷却装置具有珀耳帖元件，能够使该冷却装置小型化。
按照发明方面5中所述的大气输送室，由于除湿装置包括了空气调节机，所以能够以良好的效率给大气输送室内部的大气除湿。而由于空气调节机是很容易配置的，就能够防止大气输送室结构的复杂化。
按照发明方面6中所述的大气输送室，由于与大气输送室相连接的反应生成物除去室使附着在被处理体上的卤素系气体反应生成物中的卤素还原，所以能够使反应生成物分解而除去，还能够防止发生由此被处理体制造的半导体器件异常。
按照发明方面7中所述的大气输送室，由于反应生成物除去室包括了向该室内高温水蒸气的高温水蒸气供给装置，所以能够促进反应生成物中卤素的还原，也能够促进反应生成物的分解。
按照发明方面8中所述的大气输送室，由于高温水蒸气供给装置向被送入反应生成物除去室的被处理体喷出高温水蒸气，或者使被送入反应生成物除去室的被处理体曝露在所供给的高温水蒸气当中，所以能够使反应生成物与高温水蒸气可靠地接触，同时能够更加促进反应生成物中卤素的还原。
按照发明方面9中所述的大气输送室，反应生成物除去室包括了向该室内供给超临界状态物质的超临界物质供给装置，而超临界状态物质作为溶剂含有使反应生成物中的卤素还原的还原剂。由于超临界状态的物质既具有气相状态的特性，也具有液相状态的特性，根据其气相状态的特性，使其能够侵入在被处理体上形成的极细的沟槽，促进附着在该极细沟槽侧面上的反应生成物中的卤素还原而使反应生成物分解，而根据其液相状态的特性，带走分解的反应生成物。由此就能够可靠地除去反应生成物。
按照发明方面10中所述的大气输送室，由于超临界状态的物质由二氧化碳、稀有气体和水中的任何一种构成，所以超临界状态是很容易实现的，也就能够很容易地除去反应生成物。
按照发明方面11中所述的大气输送室，由于还原剂由水和过氧化氢中的任何一种构成，所以就更能够促进反应生成物中卤素的还原。
按照发明方面12中所述的大气输送室，由于包括了与容纳被处理体的容器相连接的容器连接口和向该容器连接口喷出被除湿大气的除湿大气喷出装置，能够防止水从容器内侵入大气输送室中，从而能够可靠地防止附着在被处理体上的卤素系气体的反应生成物与水的反应。
按照发明方面13中所述的大气输送室，由于包括了向大气输送室内部供给离子的离子供给装置，就能够由供给的离子除去由于对大气输送室内部除湿容易带电而存在于被处理体上的电荷，还能够防止由此被处理体制造的半导体器件的品质低下。
按照发明方面14中所述的大气输送室，由于包括了对供给到大气输送室内部的大气进行加热的大气加热装置，使得附着在被处理体上的卤素系气体反应生成物和水发生反应而产生的卤素系的酸一直蒸发，能够防止该卤素系酸附着在大气输送室的内壁或在该大气输送室内配置的装置的表面上。由此能够可靠地防止在大气输送室内部产生氧化物。
按照发明方面15中所述的大气输送室，由于包括载置用来容纳被处理体的容器的容器载置台，而该容器载置台具有加热容器的容器加热装置，所以能够除去容器内的水分，可靠地防止水从容器内侵入大气输送室内，同时能够防止容器内的水与反应生成物发生反应。
按照发明方面16中所述的大气输送室，由于对用来输送利用卤素系气体等离子体加以处理过的被处理体的大气输送室内部进行加热，使得附着在被处理体上的卤素系气体反应生成物与水反应形成的卤素系酸在大气输送室内部一直蒸发，能够防止该卤素系酸附着在大气输送室内壁上或在该大气输送室内配置的装置的表面上。结果，能够防止在大气输送室的内部产生氧化物，而且在防止由被处理体制造的半导体器件降低质量的同时，还能够提高被处理体处理装置的开工率。
按照发明方面17中所述的被处理体的处理后输送方法、发明方面18中所述的程序和发明方面19中所述的存储介质，由于利用卤素系气体等离子体加以处理过的被处理体在经过了除湿的大气输送室内部进行输送，所以附着在被处理体上的卤素系气体反应生成物不与水发生反应，因此能够防止来自被处理体的卤素系酸的气体的产生。结果，能够防止在大气输送室内部产生氧化物，在防止由被处理体制造的半导体器件降低质量的同时，还能够提高被处理体处理装置的开工率。
按照发明方面20中所述的存储介质，由于将被处理体送入除去附着在该被处理体上的卤素系气体反应生成物的反应生成物除去室、还原附着在所送入的被处理体上附着的反应生成物中的卤素，所以能够使反应生成物分解而将其除去，能够防止由被处理体制造的半导体器件发生异常。
按照发明方面21中所述的存储介质，由于向反应生成物除去室的室内供给高温水蒸气，所以能够促进反应生成物中卤素的还原，同时能够促进反应生成物分解。
按照发明方面22中所述的存储介质，向反应生成物除去室的室内供给超临界状态的物质，而超临界状态物质作为溶剂含有使反应生成物中卤素还原的还原剂，由于超临界状态的物质具有气相状态和液相状态的特性，所以根据气相状态的特性，能够侵入在被处理体上形成的极细的沟槽，促进附着在该极细沟槽侧面上的反应生成物中的卤素的还原，使反应生成物分解，而根据液相状态的特性，将分解的反应生成物带走。由此能够可靠地除去反应生成物。
按照发明方面23中所述的存储介质，由于根据大气输送室的湿度来判断是否在大气输送室内部输送被处理体，所以更能够可靠地防止在大气输送室内部附着在被处理体上的卤素系气体的反应生成物和水发生反应。
附图说明
图1是表示适合使用涉及本发明第一实施方式的大气输送室的基板处理装置大致结构的平面图。
图2是沿着图1中的II-II线的断面图。
图3是表示图2中的除湿单元大致结构的断面图。
图4是沿着图1中的IV-IV线的断面图。
图5是表示蚀刻后处理的流程图。
图6是表示作为涉及本发明第二实施方式的大气输送室的加载模块中包括的后处理室的大致结构的断面图。
图7是表示作为涉及本发明第三实施方式的大气输送室的加载模块的大致结构的断面图。
图8是表示作为涉及本发明第四实施方式的大气输送室的加载模块的大致结构的断面图。
图9是表示作为涉及本发明第五实施方式的大气输送室的加载模块的大致结构的断面图。
图10表示在沟槽侧面形成的堆积物膜的图。
符号说明：10基板处理装置；11处理舱；13、71、76、80加载模块；14前开式晶片盒；15前开式晶片盒载置台；17、66后处理室；19输送臂机构；20加载端口；25加工模块；26输送臂；28 ESC；34、72 FFU；35离子发生器；36导管式风扇；37、74风扇单元；38加热单元；39、73除湿单元；40、75除尘单元；41大气导入口；49大气排出口；50 CDA幕帘；53电加热器；54、62、67本体；55干燥过滤器(desiccant filter)；59通气孔；63、68晶片台；64高温水蒸气喷嘴；65、69闸阀；70超临界物质供给喷嘴；77空气调节模块；78导管；79空气调节装置；81输送室内加热单元。
具体实施方式
下面参照附图说明本发明的实施方式。
图1是适合使用涉及本发明第一实施方式大气输送室的基板处理装置的大致结构图。
在图1中，基板处理装置10(被处理体处理装置)包括对半导体器件用晶片(下面简称为“晶片”)(被处理体)W进行反应性离子蚀刻(下面称为RIE)的两个处理舱11和与两个处理舱11分别相连的作为矩形的共用输送室的加载模块13(大气输送室)。
在加载模块13上除了上述处理舱11以外，还连接着3个前开式晶片盒载置台15(容器载置台)、定向器16和后处理室17，此载置台分别载置作为容纳25片晶片的容器的前开式晶片盒(Front OpeningUnified Pod)14，此定向器使从前开式晶片盒14中取出的晶片W位置进行预对准，而将在后面叙述的后处理室17将对实施了RIE处理的晶片W进行后处理。
两个处理舱11连接着加载模块13的长边方向的侧壁上，同时与夹持着加载模块13的3个前开式晶片盒载置台15相对配置，而定向器16配置在与加载模块13的长边方向有关的一端，后处理室17则配置在与加载模块13的长边方向有关的另一端。
加载模块13具有在内部配置的、输送晶片W的标量式双臂型输送臂机构19、与各前开式晶片盒载置台15相对应地配置在侧壁上的作为晶片W送入口的3个加载端口(容器连接口)20。输送臂机构19将晶片W从放置在前开式晶片盒载置台15上的前开式晶片盒14中经由加载端口20取出，该取出的晶片W被送入处理舱11、定向器16或后处理室17中。
处理舱11具有作为对晶片W实施RIE处理的真空处理室的加工模块(被处理体处理室)25和在内部藏有在该加工模块25中转送晶片W的连杆式单拾取部型的输送臂26的负载锁定模块27。
加工模块25具有圆筒状的处理室容器和配置在该室内的上部电极和下部电极，该上部电极和下部电极之间的距离，设置得其间隔适合于对晶片W进行RIE处理。而下部电极在其顶部具有通过库仑力等固定晶片W的静电卡盘(ESC：ElectrostatiE Chuck)28。
在加工模块25中，向处理室内部导入处理气体，比如溴化氢或氯气等气体，通过在上部电极和下部电极之间产生电场，使导入的处理气体等离子体化，产生离子和自由基，由该离子和自由基对晶片W进行RIE处理，使晶片W上的多晶硅层发生蚀刻。
在处理舱11中，加载模块13内部的压力维持在大气压，而加工模块25内部的压力维持为真空。因此，负载锁定模块27在与加工模块25的相连接部包括真空闸阀29，同时在与加载模块13的相连接部包括大气闸阀30，由此构成能够调节其内部压力的真空预备输送室。
在负载锁定模块27的内部，在大致中心的部位设有输送臂26，与该输送臂26相比在加工模块25一侧设有第一缓冲体(第一连杆)31，与该输送臂26相比在加载模块13一侧设有第二缓冲体(第二连杆)32。第一缓冲体3 1和第二缓冲体32配置在支持着在输送臂26的前端部配置的晶片W的支持部(拾取部)33移动的轨道上，使进行了RIE处理的晶片W临时待机退避在支持部33轨道的上方，而能够平稳地进行未进行RIE处理的晶片W和经过RIE处理的晶片W的在加工模块25中的顺利更换。
基板处理装置10还包括控制处理舱11、加载模块13、定向器16和后处理室17(下面总称为“各结构要素”)动作的系统控制器(图中未显示)和配置在与加载模块13的长边方向有关的一端的操作控制器88。
系统控制器根据与RIE处理或晶片W的输送处理相对应的作为程序的处方对各结构要素的动作进行控制，操作控制器88具有由例如液晶显示器构成的显示部件，该显示部件显示出各结构要素的动作状况。
图2是在图1中沿着直线II-II的断面图。在图2中，图中的上面称为“上侧”，图中的下面称为“下侧”。
在图2中，加载模块13在其内部包括：配置在上侧的FFU(风扇过滤器单元)34、配置在与载置在前开式晶片盒载置台15上的前开式晶片盒14相对应的高处的输送臂机构19、供给正负离子的离子发生器35(离子供给装置)和配置在下侧的导管式风扇36。在FFU34的上侧，在加载模块13的侧面配置了由多个贯通孔组成的大气导入口41。
FFU34由从上向下依次配置的风扇单元37、加热单元38(大气加热装置)、除湿单元39(除湿装置)和除尘单元40构成。
风扇单元37在其内部藏有向下侧送出大气的风扇(图中未显示)，加热单元38在其内部藏有对来自风扇单元37的大气进行加热的珀耳帖(Peltier)元件(图中未显示)，除湿单元39在其内部藏有如下所述的干燥过滤器55，对通过加热单元38的大气进行除湿，除尘单元40在其内部藏有过滤器(图中未显示)，对通过除湿单元39的大气中的粉尘进行除尘。
在加热单元38内部的珀耳帖元件是通过直流电流进行冷却或加热，即自由进行温度控制的半导体元件。当有直流电流流经此珀耳帖元件时，在该元件的两面就产生温差，同时在元件的低温一侧吸收热量，而在元件高温的一侧放出热量。这就是说，珀耳帖元件能够对与其接触的物质等进行冷却或加热等。由于珀耳帖元件不像现有的加热单元或冷却装置那样必需使用压缩机和冷却介质(氟利昂等)，所以能够实现小型化和轻量化，对环境没有不良的影响。
由于有以上的结构，FFU34将经过大气导入口41导入加载模块13内部上侧的大气进行加热、除湿和除尘，供给到加载模块13内部的下侧。由此将加载模块13内部的大气进行了除湿。
输送臂机构19具有其结构能够屈伸的多关节状输送臂的腕部42和安装在该输送臂腕部42前端的拾取部43，该拾取部43的结构能够载置晶片W。输送臂机构19还具有其结构能够屈伸的多关节腕状映射臂(mapping arm)44，在该映射臂44的前端装有映射传感器(图中未显示)，能够通过比如发射激光确认有没有晶片W。此输送臂腕部42和映射臂44的各基端连接着升降部47，该升降部47沿着从输送臂机构19的基部45立起设置的臂根端部支柱46升降。而该臂根端部支柱46结构为能够旋转。
在为了确认容纳在前开式晶片盒14上的晶片W位置和数目而进行的映射操作中，映射臂44处于展开的状态，通过该映射臂44的上升或下降确认在前开式晶片盒14内晶片W的位置和片数。
输送臂机构19能够通过输送臂腕部42而自由伸缩，由于通过臂根端部支柱46自由转动，就能够将放置在拾取部43的晶片W在前开式晶片盒14、处理舱11、定向器16或后处理室17之间自由地运送。
离子发生器35包括大致圆筒状的外侧电极48、设置在该外侧电极48内部中央的内侧电极(图中未显示)，在外侧电极48和内侧电极之间施加交流电压，同时从气体供给源(图中未显示)供给比如N2气体向外侧电极48内流动从而产生离子，将该离子供给到加载模块13内部。
通常，当周围环境气体被除湿时，晶片W就容易带电，由带电的电荷发生异常放电有时会损伤晶片W。与此相对应，离子发生器35将产生的离子吹到放置在拾取部43上的晶片W的表面上，由此除去在晶片W上带有的电荷，防止损伤晶片W。
导管式风扇36放置在加载模块13底面穿孔形成的作为多个贯通孔的大气排出口49的对面，经过大气排出口49将加载模块13内部的大气排放到加载模块13的外面。
前开式晶片盒载置台15，在放置前开式晶片盒14的载置面15a的正下方藏有电加热器53(容器加热装置)，对放置在前开式晶片盒载置台15上的前开式晶片盒14进行加热。
在FFU34的下侧，配置有向开在加载模块13侧面的加载端口20喷出来自FFU34的大气的导管式CDA(清洁干燥空气)幕帘50(除湿大气喷出装置)。CDA幕帘50喷出的大气与上述FFU34供给的大气同样，经过加热、除湿和除尘。由于此CDA幕帘50经过加载端口20向前开式晶片盒14内供给经过加热、除湿的大气，就保持了前开式晶片盒14内的干燥状态，防止水分从该前开式晶片盒14侵入加载模块13的内部。
图3是表示图2中除湿单元大致结构的断面图。在图3中，将图中的上方称为“上侧”，将图中的下方称为“下侧”，图中的左边称为“左侧”，而图中的右边称为“右侧”。
在图3当中，除湿单元39包括框架状的本体54和配置在该本体54内具有蜂窝状结构的转子式干燥过滤器55。由于在本体54的上面和下面开有多个通气孔59，所以在本体54内的空间中，由风扇单元37在上侧送出的大气通过干燥过滤器55向下侧送出。从向该下侧送出的大气经过除尘单元40供给到加载模块13的内部，再由导管式风扇36经过大气排出口49排放到加载模块13的外部。
干燥过滤器55由硅胶构成。硅胶具有许多细孔，含有水分子的大气与硅胶接触时，通过硅胶细孔的内壁上存在的羟基(硅醇基团)的作用和细孔的毛细管凝聚作用使得在空气中所含的水分子被吸附。从而干燥过滤器55在本体54内的空间中对利用风扇单元37从上侧送出的大气进行了除湿。
在此，干燥过滤器55在图中左右方向上的长度和在本体54内空间在图中左右方向上的宽度几乎是相同的。从而干燥过滤器55能够将通过本体54空间的大气毫无遗漏地进行除湿。
图4是沿着图1中直线IV-IV的断面图。在图4中，图中的上方称为“上侧”，图中的下方称为“下侧”。
在图4中，后处理室17(反应生成物除去室)包括框架状的本体62、放置在该框架状本体62内下侧而且载置晶片W的晶片台63、安装在本体62内的上侧且与晶片台63对向的高温水蒸气喷嘴64(高温水蒸气供给装置)、与放置在晶片台63上的晶片W的位置相对应而配置在本体62侧面的能够自由开闭的闸阀65和将本体62内的大气或气体向外部清除的清洗装置(图中未显示)。后处理室17通过闸阀65与加载模块13相连接，当闸阀65打开时，后处理室17的内部就与加载模块13的内部相连通。
在后处理室17中，首先由输送臂机构19将在加工模块25中被基于溴化氢气体或氯气的等离子体进行了多晶硅层蚀刻的晶片W经由闸阀65送入并放置在晶片台63上。
然后，闸阀65关闭，开始本体62内的清洗。此后，高温水蒸气喷嘴64向着晶片W喷出高温水蒸气。此时，在进行如上所述蚀刻时在晶片W上产生的腐蚀性反应生成物，比如SiBr4或SiCl4和高温水蒸气反应，腐蚀性反应生成物中的卤素被还原变成气体比如HBr或HCl被放出，使腐蚀性反应生成物分解。释放出的HBr或HCl被清洗装置强行排放到本体62的外部，所以在本体62的内表面或晶片台63的表面就不会被腐蚀。
随后高温水蒸气喷嘴64停止喷出高温水蒸气，打开闸阀65，输送臂机构19将在晶片台63上放置的晶片W取出。
通过以上的动作，在后处理室17中除去了在晶片W上产生的腐蚀性反应生成物。后处理室17，特别是由于具有向晶片W喷出高温水蒸气的高温水蒸气喷嘴64，使腐蚀性反应生成物和高温水蒸气可靠地接触，促进了腐蚀性反应生成物中的卤素还原，促进了该腐蚀性反应生成物中的卤素的还原而促进了该腐蚀性反应生成物的分解。
上述后处理室17虽然具有高温水蒸气喷嘴64，但是设置高温水蒸气填充装置向本体62内部供给高温水蒸气用高温水蒸气来填充该内部，以代替高温水蒸气喷嘴64也是可以的，在此情况下，送入本体62内部的晶片W就曝露在高温水蒸气中，可除去在晶片W上产生的腐蚀性反应生成物。
下面说明在基板处理装置10中实施的蚀刻后处理方法(处理后的被处理体的输送方法)。本处理是在加工模块25中由基于溴化氢气体或氯气的等离子体对晶片W进行蚀刻之后，由上述系统控制器根据作为输送用程序的输送处方来实施的。
图5是表示蚀刻后处理的流程图。
在图5中，首先由FFU34对加载模块13的内部进行除湿(步骤S51)，在经过预定时间后判断加载模块13内部的湿度是否达到规定值以下(步骤S52)。
在加载模块13内部的湿度高于规定值的情况下，重复至步骤S51，继续对加载模块13的内部除湿，在加载模块13内部的湿度在规定值以下的情况下，输送臂机构19就将进行了蚀刻处理的晶片W从处理舱11中送入加载模块13的内部，在维持在大气压下的加载模块13内部将该晶片W送到后处理室17(输送步骤)(步骤S53)。此时，由于加载模块13的内部已被除湿，晶片W就被送入经过除湿的大气中。从而使晶片W上产生的腐蚀性反应生成物在加载模块13的内部不会与水反应，不会从晶片W上产生HBr或HCl。
此后，晶片W被送入后处理室17中，该后处理室17，由高温水蒸气喷嘴64向送入的晶片W喷出高温水蒸气(步骤S54)，除去晶片W上的腐蚀性反应生成物。
然后，输送臂机构19将除去了腐蚀性反应生成物的晶片W从后处理室17中取出，在维持大气压的加载模块13内部将该晶片W向前开式晶片盒14输送(步骤S55)，再收入到前开式晶片盒14的内部(步骤S56)。
按照作为涉及如上所述本实施方式的大气输送室的加载模块13和图5的处理过程，将输送被基于溴化氢气体或氯气的等离子体进行了蚀刻处理的晶片W的加载模块13的内部进行了除湿，由于该晶片W在被除湿的大气中输送，所以附着在晶片W上的腐蚀性反应生成物不和水反应，由此就能够防止从晶片W产生HBr或HCl。结果，就能够防止在加载模块13的内部产生氧化物，在防止由晶片W制造的半导体器件降低质量的同时，还能够提高基板处理装置10的开工率。
按照图5的处理，由于能够根据加载模块13湿度的不同，来判断是否在加载模块13之内输送晶片W，所以能够更可靠地防止在加载模块13内部附着在晶片W上的腐蚀性反应生成物和水发生反应。
加载模块13内的FFU34包括除湿单元39，该除湿单元39又包括由硅胶构成的干燥过滤器55，所以能够以良好的效率对加载模块13的内部进行除湿。而由于干燥过滤器55在除湿的过程中可再生，所以干燥过滤器55能够在很长的期间内对加载模块13的内部除湿，这就能够提高基板处理装置10的开工率。
在FFU34中包括如上所述的除湿单元39，该FFU34放置在加载模块13的内部，所以在加载模块13的外部没有必要安装任何装置，加载模块13的外形不会变化，所以加载模块13在场地中的布置也就没有必要改变。
由于如上所述与加载模块13相连接的后处理室17，从高温水蒸气喷嘴64向送入的晶片W喷出高温水蒸气，使得附着在晶片W上的腐蚀性反应生成物中的卤素还原，所以能够使腐蚀性反应生成物分解而将其除去，这就能够防止由晶片W制造的半导体器件发生异常。
由于后处理室17包括向该室内供给高温水蒸气的高温水蒸气喷嘴64，这就能够使腐蚀性反应生成物和高温水蒸气可靠地接触，促进腐蚀性反应生成物中卤素的还原，也就能够促进腐蚀性反应生成物的分解。
由于加载模块13包括配置在其侧面的加载端口20、安装在FFU34下侧而且向着加载端口20喷出除湿过的大气的CDA幕帘50，通过保持前开式晶片盒14内的干燥状态，就能够防止水分从前开式晶片盒14侵入加载模块13中，也就能够可靠地防止在加载模块13内附着在晶片W上的腐蚀性反应生成物和水发生反应。
由于加载模块13包括了向加载模块13内部供给正负离子的离子发生器35，通过供给的离子除去由于加载模块13的内部被除湿而更容易带电的晶片W的电荷，这就能够可靠地防止由晶片W制造的半导体器件降低质量。
由于与加载模块13相连接的前开式晶片盒载置台15具有加热前开式晶片盒14的电加热器53，能够可靠地除去前开式晶片盒14内的水分，就能够可靠地防止水分从前开式晶片盒14内侵入加载模块13中。
在上述基板处理装置10中，即使在比如由后处理室17未完全除去晶片W上的腐蚀性反应生成物的情况下，由于从后处理室17中取出的晶片W在已经除湿的加载模块13的内部，即已除湿的大气中输送，所以不会在加载模块13的内部产生HBr或HCl，还由于前开式晶片盒14被置于前开式晶片盒载置台15内部的电加热器53加热，所以能够防止在前开式晶片盒14中的水分附着在晶片W上，可防止腐蚀性反应生成物和水发生反应。
再有，由于加载模块13包括了加热单元38，将供给到加载模块13内部的大气加热，使得附着在晶片W上的腐蚀性反应生成物和水反应生成的HCl等始终蒸发，能够防止该HCl附着在加载模块13的内壁或在该加载模块13内配置的装置表面上。由此能够更加可靠地防止在加载模块13的内部生成氧化物。
由于如上所述的加载模块13所具有的离子发生器35、CDA幕帘50、加热单元38和电加热器53并非对加载模块13的内部直接除湿的结构要素，所以加载模块13不包括这些结构要素也是可以的。
下面说明涉及本发明第二实施方式的大气输送室。
本实施方式的结构和作用，与如上所述第一实施方式是基本相同的，不同之处只在于，为了除去在晶片W上的腐蚀性反应生成物，不用高温水蒸气，而是使用了超临界状态的物质。具体说来，只是在加载模块13包括了如下所述的后处理室66来代替后处理室17这一点上与第一实施方式不同。因此，省略了对结构和作用的重复说明，在下面说明不同的结构和作用。
图6是表示在涉及本发明第二实施方式中，作为大气输送室的加载模块中所包括后处理室的大致结构断面图。
在图6中，后处理室66(反应生成物除去室)包括框架状的本体67、位于该本体67内下侧载置晶片W的晶片台68、向放置在该晶片台68上的晶片W供给如下所述超临界物质的超临界物质供给喷嘴(超临界物质供给装置)70、与放置在晶片台68上晶片W的位置相对应在本体67的侧面安装的、能够自由开关的闸阀69、将本体67内的大气或气体清洗到外部的清洗装置(图中未显示)和用来加热本体67内部的加热器(图中未显示)。此后处理室66通过闸阀69与加载模块13相连接，当闸阀69打开时，后处理室66的内部与加载模块13的内部相连通。
超临界物质供给喷嘴70所供给的所谓超临界物质，是一种处于超临界状态下的物质，所谓超临界状态，是某种物质的气体或液体，在超过气液能够共存界限时的温度、压力(临界点)达到规定的高温、高压状态时，成为气体和液体的密度相同，两相(气相、液相)没有区别，气液的界面消失的状态。由于该超临界状态的物质同时具有两相的特性，由超临界状态的物质构成的流体(下面称为“超临界流体”)，由其气相状态的特性，可侵入在晶片W的表面上形成的半导体器件的微细凹陷，比如沟槽当中，与附着在该沟槽的侧面上的腐蚀性反应生成物普遍地接触。
作为形成超临界流体的物质，有H2O(水)、CO2、稀有气体(比如Ar(氩)、Ne(氖)、He(氦))、NH3(氨)、CH4(甲烷)、C3H8(丙烷)、CH3OH(甲醇)或C2H5OH(乙醇)等，比如CO2在31.1℃、7.37MPa的条件下就达到超临界状态。
在后处理室66中，由清洗装置将本体67的内压维持在高压，由加热器将本体67内部维持在高温，使得由超临界物质供给喷嘴70供给的超临界流体维持在超临界状态下。具体说来，在由CO2构成超临界流体的情况下，本体67内部维持在31.1～50℃的温度，本体67的内压维持在7.37MPa以上。
由超临界物质供给喷嘴70供给的超临界流体，含有作为腐蚀性反应生成物溶剂的卤素还原剂，比如水或过氧化氢(H2O2)。这样的溶剂被超临界流体运送而达到在晶片W表面上形成的半导体器件的沟槽处。
在后处理室66中，首先，在加工模块25中，被基于溴化氢气体或氯气的等离子体蚀刻了多晶硅层的晶片W，被输送臂机构19经由闸阀69输送而载置在晶片台68上。
然后，闸阀69关闭，开始本体69内的清洗。此后，从超临界物质供给喷嘴70向晶片W供给超临界流体。由于此超临界流体侵入了微细的沟槽，超临界流体中的卤素还原剂也就侵入了沟槽，与附着在沟槽侧面的腐蚀性反应生成物相接触。在此，由于如上所述在本体67的内部维持高压，促进了卤素还原剂和腐蚀性反应生成物之间的反应。由此，沟槽内的腐蚀性反应生成物，比如SiBr4或SiCl4就与卤素还原剂反应，腐蚀性反应生成物中的卤素被还原，产生的气体比如HBr或HCl等被释放出，使腐蚀性反应生成物分解。由于超临界流体的液体状态特性，将释放出的HBr或HCl卷入超临界流体中而从沟槽中除去。
由于释放出的HBr或HCl被清洗装置强行排放到本体69的外部，本体69的内表面或晶片台68的表面等就不会被腐蚀。
然后，超临界物质供给喷嘴70停止供给超临界流体，闸阀69打开，输送臂机构10将放置在晶片台68的晶片W取出。
按照作为涉及上述本实施方式大气输送室的加载模块，加载模块13包括后处理室66，该后处理室66从超临界物质供给喷嘴70向送入的晶片W供给含有卤素还原剂的超临界流体。由于超临界流体具有气相状态和液相状态的特性，由其气相状态的特性，使卤素还原剂侵入在晶片W表面上形成的半导体器件沟槽的内部，促进附着在该沟槽侧面腐蚀性反应生成物中卤素的还原，使腐蚀性反应生成物分解，而由其液相状态的特性，将从分解的腐蚀性反应生成物中产生的HBr或HCl带走。由此能够可靠地除去腐蚀性反应生成物。
由于超临界物质供给喷嘴70所供给的超临界状态物质包括二氧化碳、稀有气体和水当中的任何一种，所以超临界状态很容易实现，也就很容易除去腐蚀性反应生成物。又由于超临界流体所含的还原剂包括水和过氧化氢中的任何一种，就能够更加促进腐蚀性反应生成物中卤素的还原。
下面说明涉及本发明第三实施方式的大气输送室。
本实施方式，其结构和作用都与如上所述的第一实施方式基本相同，只是FFU的结构有异。具体说来，只是在FFU不包括除湿单元，除湿单元装在加载模块13的外部这一点上与第一实施方式不同。从而，省略了对重复结构和作用的说明，下面说明不同的结构和作用。
图7是表示作为涉及本实施方式的大气输送室的加载模块大致结构断面图。
在图7中，加载模块71包括在其内部配置在其上侧的FFU72、输送臂机构19、离子发生器35和配置在其下侧的导管式风扇36，在FUU72的上侧，在加载模块71的侧面上开有大气导入口41。而加载模块71，在其侧壁的外侧与大气导入口41相对装有除湿单元73(除湿装置)。
FFU72由自上而下配置的风扇单元74和除尘单元75构成。风扇单元74的内部装有向下送出大气的风扇(图中未显示)，除尘单元75在其内部装有用来收集从风扇单元74送出大气中粉尘的过滤器(图中未显示)。
除湿单元73具有能够通过大气的结构，具有与内部通过的大气相接触的冷却装置(图中未显示)。该冷却装置具有珀耳帖元件，通过该元件从流经其附近的大气中吸收热量。此时，由于在被吸热而冷却的大气中水分凝聚而由冷却装置补足，所以除湿单元73以良好的效率对通过的大气进行了除湿。这就是说，除湿单元73对由风扇单元74导入加载模块71内部的大气以良好的效率进行除湿。
如上所述，除湿单元73和FUU72对加载模块71外部的大气进行除湿和除尘，并将其供给到加载模块71内部的下侧。由此使加载模块71内部的大气被除湿。
加载模块71不包括与加载模块13所包括的CDA幕帘50和电加热器53相当的结构。加载模块71作为晶片W上腐蚀性反应生成物除去室包括上述后处理室17和后处理室66中的任何一种。
除湿单元73的冷却装置，具有代替珀耳帖元件的换热器或热泵也是可以的。
按照作为涉及本实施方式大气输送室的加载模块，在加载模块71的外部具有除湿单元73，该除湿单元73具有冷却装置，将导入到加载模块71内部的大气进行冷却，所以能够以良好的效率对导入加载模块71中的的大气进行除湿，也就能够以良好的效率为加载模块71的内部除湿。而由于除湿单元73配置在加载模块71的外部，就能够很容易进行配置，能够防止加载模块71结构复杂化。
由于除湿单元73的冷却装置具有珀耳帖元件，所以该冷却装置能够小型化。
下面说明涉及本发明第四实施方式的大气输送室。
本实施方式的结构和作用都与上述第三实施方式基本相同，只是除湿单元的结构不同。更具体说，只是在除湿单元不包括冷却装置，而是包括空气调节机这一点上与第三实施方式不同，省略了对重复的结构和作用的说明，下面说明不同的结构和作用。
图8是表示作为涉及本实施方式的大气输送室的加载模块大致结构的断面图。
在图8中，加载模块76包括在其内部安装在上侧的FUU72、输送臂机构19、离子发生器35、安装在下侧的导管式风扇36和安装在其外部的空气调节模块77(除湿装置)。在FFU72的上侧，在加载模块76的侧面上开有大气导入口41。
空气调节模块77包括空气调节装置79和连接该空气调节装置79和大气导入口41的导管78。空气调节装置79具有压缩机和冷却介质，吸引加载模块13周围的大气并以良好的效率对其除湿，经过导管78和大气导入口41将其送入加载模块76的内部。由该空气调节装置79除湿并被送入加载模块76内部的大气，被风扇单元74送向下侧，从风扇单元74送出的大气通过除尘单元75收集粉尘，供给到加载模块76内部的下侧。由此对加载模块76内部的大气除湿。
按照作为涉及如上所述本实施方式的大气输送室的加载模块，由于加载模块76具有空气调节模块77，该空气调节模块77具有空气调节装置79和导管78，空气调节装置79吸引加载模块13周围的大气以良好的效率对其除湿，并将其送入加载模块76的内部，所以能够以良好的效率对加载模块76的内部除湿。由于空气调节装置79能够很容易地配置，就能够防止加载模块76结构的复杂化。
下面说明涉及本发明第五实施方式的大气输送室。
本实施方式，其结构和作用都与上述第三实施方式基本相同，只是在代替除湿单元而具有输送室内加热单元这一点上不同。从而省略了对结构和作用的重复说明，下面说明不同结构和作用。
图9是表示作为涉及本实施方式大气输送室的加载模块的大致结构的断面图。
在图9中，加载模块80包括在其内部安装在上侧的FFU72、输送臂机构19、离子发生器35、安装在下侧的导管式风扇36和输送室内加热单元81(室内加热单元)，在FFU72的上侧，在加载模块80的侧面上开有大气导入口41。
FFU72对加载模块71外部的大气进行除尘，供给到加载模块71内部的下侧。此时被供给的大气含有水分，在加载模块80内部，被输送的晶片W上的腐蚀性反应生成物和水反应，在加载模块71的内部生成HBr或HCl。这样产生的酸附着在加载模块71的内壁或输送臂机构19的表面上，有腐蚀内壁或表面的危险。
与此相对应，在本实施方式中，加载模块71包括输送室内加热单元81。输送室内加热单元81由多个卤素灯19构成，各个卤素灯照射着加载模块71的内壁或输送臂机构19的表面(下面简称为“内壁或表面”)。此时，由于照射到的内壁或表面接受来源于卤素灯的热射线而被加热，接触到内壁或表面的酸立即蒸发，也就是说，在加载模块80内壁生成的酸平时就会蒸发，不能附着在内壁或表面上。由此就防止了加载模块71内壁或表面被腐蚀。
输送室内加热单元81并不限于由多个卤素灯构成，只要能够加热内壁或表面，无论哪一种装置都可以作为输送室内加热单元使用。比如陶瓷加热器或红外灯都是符合要求的。
作为按照涉及如上所述本实施方式大气输送室的加载模块，由于加载模块80的内部，具体是加载模块71的内壁或输送臂机构19的表面都被加热，附着在晶片W上的腐蚀性反应生成物和水反应生成的酸，在加载模块80的内部始终被蒸发，能够防止该酸附着在内壁或表面上。结果，能够防止在加载模块80的内壁产生氧化物，也就在能够防止由晶片W制造的半导体器件降低质量的同时，还可提高基板处理装置10的开工率。
在如上所述各个实施方式中，输送的是被基于溴化氢气体或氯气的等离子体蚀刻了多晶硅层的晶片W，但被基于溴化氢气体或氯气以外的卤素系气体的等离子体蚀刻的晶片W被输送时，不用说也可以得到与如上所述同样的效果。
在上述各实施方式中的结构，不仅加载模块，只要是在大气中输送被基于卤素系气体的等离子体蚀刻的晶片W的装置，都可以适用该装置。
通过向系统控制器供给记录有实现上述各实施方式功能的软件的程序编码的存储介质，系统控制器的CPU读出在存储介质中储存的程序编码，就能够实现本发明的目的。
在此情况下，从存储介质读出的程序编码自身就成为实现上述实施方式功能的工具，所以程序编码和存储此程序编码的存储介质也就构成了本发明。
作为用来供给程序编码的存储介质，比如RAM、NV-RAM、软盘(注册商标)、硬盘、光盘、磁性光盘、CD-ROM、MO、CD-R、CD-RW、DVD(DVD-ROM、DVD-RAM、DVD-RW、DVD+RW)、磁带、非易失型储存卡、其它ROM等能够存储如上程序编码的都是可以的。或者，上述程序编码也可以通过与因特网、商用网络或局域网等连接的图中未显示的其它计算机或数据库等下载而供给系统控制器。
不仅通过运行CPU读出的程序编码实现了上述实施方式的功能，基于此程序编码的指令，也包括对在CPU上启动的操作系统等进行部分或全部实时处理，由此处理实现上述实施方式功能的情况。
再有还包括有将从存储介质读出的程序编码写入插入到系统控制器中的功能扩展板或与系统控制器相连接的功能扩展装置的存储器中以后，基于该程序编码的指令，基于此功能扩展板或功能扩展装置的CPU等，进行一部分或全部的实际处理，由此处理来实现上述实施方式功能的情况。
上述程序编码的方式，由对象编码、解释器运行的程序码、供给操作系统的脚本数据等方式构成都是可以的。

Claims (20)

1.一种大气输送室，其特征在于，
该大气输送室与由卤素系气体的等离子体对被处理体进行处理的被处理体处理室相连接、在该大气输送室的内部输送所述被处理体，
该大气输送室具有：
对该大气输送室的内部的大气进行除湿的除湿装置；
与容纳所述被处理体的容器相连接的容器连接口；和
向该容器连接口喷出被除湿的大气的除湿大气喷出装置。
2.如在权利要求1中所述的大气输送室，其特征在于，
所述除湿装置包括干燥过滤器。
3.如在权利要求1中所述的大气输送室，其特征在于，
所述除湿装置包括用来冷却向所述大气输送室内部导入的大气的冷却装置。
4.如在权利要求3中所述的大气输送室，其特征在于，
所述冷却装置具有珀耳帖元件。
5.如在权利要求1中所述的大气输送室，其特征在于，
所述除湿装置包括空气调节机。
6.如在权利要求1～5中任何一项中所述的大气输送室，其特征在于，
所述大气输送室与除去附着在所述被处理体上的卤素系气体的反应生成物的反应生成物除去室相连接，
该反应生成物除去室，使附着在所述被处理体上的反应生成物中的卤素还原。
7.如在权利要求6中所述的大气输送室，其特征在于，所述反应生成物除去室包括向该室内供给高温水蒸气的高温水蒸气供给装置。
8.如在权利要求7中所述的大气输送室，其特征在于，所述高温水蒸气供给装置，向被送入所述反应生成物除去室中的所述被处理体喷出所述高温水蒸气，或者使被送入所述反应生成物除去室的所述被处理体曝露在被供给的所述高温水蒸气中。
9.如在权利要求6中所述的大气输送室，其特征在于，
所述反应生成物除去室，包括向该室内供给超临界状态物质的超临界物质供给装置，所述超临界状态的物质作为溶剂含有还原反应生成物中的卤素的还原剂。
10.如在权利要求9中所述的大气输送室，其特征在于，
所述超临界状态的物质包括二氧化碳、稀有气体和水中的任何一种。
11.如在权利要求9或10中所述的大气输送室，其特征在于，
所述还原剂包括水和过氧化氢中的任何一种。
12.如在权利要求1所述的大气输送室，其特征在于，
包括向所述大气输送室的内部供给离子的离子供给装置。
13.如在权利要求1所述的大气输送室，其特征在于，
包括加热向所述大气输送室的内部供给的大气的大气加热装置。
14.如在权利要求1所述的大气输送室，其特征在于，包括：
载置用来收容所述被处理体的容器的容器载置台，
该容器载置台具有加热所述容器的容器加热装置。
15.一种大气输送室，其特征在于，
该大气输送室与用卤素系气体的等离子体对被处理体加以处理的被处理体处理室相连接，在该大气输送室的内部输送所述被处理体，
包括用来加热所述大气输送室内部的室内加热装置。
16.一种被处理体的处理后输送方法，该方法是对被卤素系气体的等离子体实施了处理的被处理体的处理后输送方法，
其特征在于，该方法具有：
向与容纳所述被处理体的容器相连接的容器连接口喷出被除湿的大气的除湿大气喷出步骤；和
在被除湿的大气输送室内部输送所述被处理体的输送步骤。
17.如在权利要求16中所述的被处理体的处理后输送方法，其特征在于，
所述被处理体的处理后输送方法具有：
将所述被处理体送入除去附着在该被处理体上的卤素系气体反应生成物的反应生成物除去室的反应生成物除去室输送步骤、和对附着在被送入的所述被处理体上的反应生成物中卤素进行还原的还原步骤。
18.如在权利要求17中所述的被处理体的处理后输送方法，其特征在于，
所述被处理体的处理后输送方法具有向所述反应生成物除去室的室内供给高温水蒸气的高温水蒸气供给步骤。
19.如在权利要求17中所述的被处理体的处理后输送方法，其特征在于，
所述被处理体的处理后输送方法具有向所述反应生成物除去室的室内供给超临界状态物质的超临界物质供给步骤，
所述超临界状态的物质作为溶剂含有使反应生成物中的卤素还原的还原剂。
20.如在权利要求16～19中任何一项中所述的被处理体的处理后输送方法，其特征在于，所述被处理体的处理后输送方法具有根据所述大气输送室的湿度判断是否在所述大气输送室的内部输送所述被处理体的判断步骤。
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Families Citing this family (108)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4518986B2 (ja) 2005-03-17 2010-08-04 東京エレクトロン株式会社 大気搬送室、被処理体の処理後搬送方法、プログラム及び記憶媒体
US8827695B2 (en) * 2008-06-23 2014-09-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer's ambiance control
KR100999233B1 (ko) 2008-08-05 2010-12-07 양성철 결로 방지가 가능한 히트 앤 콜드 척 시스템
JP5388643B2 (ja) * 2009-03-19 2014-01-15 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置及び基板搬送方法
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US9064815B2 (en) 2011-03-14 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Methods for etch of metal and metal-oxide films
US8999856B2 (en) 2011-03-14 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Methods for etch of sin films
US9153464B2 (en) * 2011-05-31 2015-10-06 Semes Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP5814005B2 (ja) * 2011-06-21 2015-11-17 芝浦メカトロニクス株式会社 ヒータユニット、ファンフィルタユニット及び基板処理装置
US9267739B2 (en) 2012-07-18 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities
US9373517B2 (en) 2012-08-02 2016-06-21 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US9356822B2 (en) * 2012-10-30 2016-05-31 Kla-Tencor Corporation Automated interface apparatus and method for use in semiconductor wafer handling systems
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
US20140271097A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
US9299537B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9903020B2 (en) 2014-03-31 2018-02-27 Applied Materials, Inc. Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components
US9309598B2 (en) 2014-05-28 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Oxide and metal removal
KR20150141470A (ko) * 2014-06-10 2015-12-18 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치 클리닝 방법
JP2016058642A (ja) * 2014-09-11 2016-04-21 株式会社東芝 粒子供給装置及び方法
US9613822B2 (en) 2014-09-25 2017-04-04 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity enhancement
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US10224210B2 (en) 2014-12-09 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
US11257693B2 (en) 2015-01-09 2022-02-22 Applied Materials, Inc. Methods and systems to improve pedestal temperature control
US9728437B2 (en) 2015-02-03 2017-08-08 Applied Materials, Inc. High temperature chuck for plasma processing systems
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
US9881805B2 (en) 2015-03-02 2018-01-30 Applied Materials, Inc. Silicon selective removal
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9691645B2 (en) 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9349605B1 (en) 2015-08-07 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10522371B2 (en) 2016-05-19 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US9865484B1 (en) 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
US10629473B2 (en) 2016-09-09 2020-04-21 Applied Materials, Inc. Footing removal for nitride spacer
US10062575B2 (en) 2016-09-09 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Poly directional etch by oxidation
US10062585B2 (en) 2016-10-04 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Oxygen compatible plasma source
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US9934942B1 (en) 2016-10-04 2018-04-03 Applied Materials, Inc. Chamber with flow-through source
US10062579B2 (en) 2016-10-07 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Selective SiN lateral recess
US9947549B1 (en) 2016-10-10 2018-04-17 Applied Materials, Inc. Cobalt-containing material removal
US9768034B1 (en) 2016-11-11 2017-09-19 Applied Materials, Inc. Removal methods for high aspect ratio structures
US10163696B2 (en) 2016-11-11 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Selective cobalt removal for bottom up gapfill
US10026621B2 (en) 2016-11-14 2018-07-17 Applied Materials, Inc. SiN spacer profile patterning
US10242908B2 (en) 2016-11-14 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Airgap formation with damage-free copper
US10566206B2 (en) 2016-12-27 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Systems and methods for anisotropic material breakthrough
TWI700750B (zh) * 2017-01-24 2020-08-01 美商應用材料股份有限公司 用於介電薄膜的選擇性沉積之方法及設備
US10403507B2 (en) 2017-02-03 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Shaped etch profile with oxidation
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10043684B1 (en) 2017-02-06 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Self-limiting atomic thermal etching systems and methods
US10319739B2 (en) 2017-02-08 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Accommodating imperfectly aligned memory holes
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
JP6890029B2 (ja) * 2017-03-31 2021-06-18 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置及び基板搬送方法
US10319649B2 (en) 2017-04-11 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring
US10903065B2 (en) * 2017-05-12 2021-01-26 Lam Research Corporation Halogen removal module and associated systems and methods
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US10497579B2 (en) 2017-05-31 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Water-free etching methods
US10049891B1 (en) 2017-05-31 2018-08-14 Applied Materials, Inc. Selective in situ cobalt residue removal
US10920320B2 (en) 2017-06-16 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors
US10541246B2 (en) 2017-06-26 2020-01-21 Applied Materials, Inc. 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
US10541184B2 (en) 2017-07-11 2020-01-21 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching
US10354889B2 (en) 2017-07-17 2019-07-16 Applied Materials, Inc. Non-halogen etching of silicon-containing materials
CN109390247A (zh) * 2017-08-02 2019-02-26 长鑫存储技术有限公司 半导体生产设备及其水分去除方法
US10043674B1 (en) 2017-08-04 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Germanium etching systems and methods
US10170336B1 (en) 2017-08-04 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Methods for anisotropic control of selective silicon removal
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
US10283324B1 (en) 2017-10-24 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Oxygen treatment for nitride etching
US10128086B1 (en) 2017-10-24 2018-11-13 Applied Materials, Inc. Silicon pretreatment for nitride removal
US10256112B1 (en) 2017-12-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Selective tungsten removal
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
US10679870B2 (en) 2018-02-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
TWI766433B (zh) 2018-02-28 2022-06-01 美商應用材料股份有限公司 形成氣隙的系統及方法
US10593560B2 (en) 2018-03-01 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10497573B2 (en) 2018-03-13 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Selective atomic layer etching of semiconductor materials
US10573527B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gas-phase selective etching systems and methods
US10490406B2 (en) 2018-04-10 2019-11-26 Appled Materials, Inc. Systems and methods for material breakthrough
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
US20190362989A1 (en) * 2018-05-25 2019-11-28 Applied Materials, Inc. Substrate manufacturing apparatus and methods with factory interface chamber heating
KR102568797B1 (ko) * 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
US10755941B2 (en) 2018-07-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Self-limiting selective etching systems and methods
US10672642B2 (en) 2018-07-24 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Systems and methods for pedestal configuration
KR102225957B1 (ko) * 2018-09-12 2021-03-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes
TWI723329B (zh) * 2019-01-19 2021-04-01 春田科技顧問股份有限公司 裝載埠及其氣簾裝置與吹淨方法
JP7257813B2 (ja) 2019-02-21 2023-04-14 東京エレクトロン株式会社 水蒸気処理装置及び水蒸気処理方法
KR102226506B1 (ko) * 2019-09-09 2021-03-11 주식회사 저스템 반송실 내의 웨이퍼 용기의 습도저감장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치
KR102481562B1 (ko) 2020-01-07 2022-12-26 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 수증기 처리 장치와 수증기 처리 방법, 기판 처리 시스템, 및 드라이 에칭 방법
CN113838731B (zh) * 2020-06-08 2023-02-28 长鑫存储技术有限公司 半导体刻蚀设备

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06260413A (ja) * 1993-03-09 1994-09-16 Hitachi Ltd 多層膜のドライエッチング方法及び装置
JP3184666B2 (ja) * 1993-06-01 2001-07-09 東京エレクトロン株式会社 プラズマ装置の運転方法
JPH0786253A (ja) * 1993-09-20 1995-03-31 Fujitsu Ltd レジスト膜の灰化方法と水蒸気の供給方法
US5565034A (en) * 1993-10-29 1996-10-15 Tokyo Electron Limited Apparatus for processing substrates having a film formed on a surface of the substrate
JP3240449B2 (ja) * 1993-11-05 2001-12-17 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US5908510A (en) * 1996-10-16 1999-06-01 International Business Machines Corporation Residue removal by supercritical fluids
US6149828A (en) * 1997-05-05 2000-11-21 Micron Technology, Inc. Supercritical etching compositions and method of using same
JPH11141917A (ja) * 1997-11-12 1999-05-28 Daikin Ind Ltd 除湿・加湿空気供給装置
JP3492528B2 (ja) 1998-09-09 2004-02-03 日本電信電話株式会社 超臨界乾燥装置および方法
JP2000297953A (ja) 1999-04-13 2000-10-24 Taikisha Ltd クリーンルームのポッド用インターフェースチャンバ
US6852636B1 (en) * 1999-12-27 2005-02-08 Lam Research Corporation Insitu post etch process to remove remaining photoresist and residual sidewall passivation
JP3592603B2 (ja) * 2000-02-28 2004-11-24 三菱住友シリコン株式会社 半導体製造方法及び半導体製造装置
JP3871508B2 (ja) * 2000-11-15 2007-01-24 株式会社荏原製作所 基板搬送容器の給電装置
JP2003224079A (ja) * 2002-01-31 2003-08-08 Shin Etsu Handotai Co Ltd 熱処理方法、熱処理装置およびシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
US20040069409A1 (en) * 2002-10-11 2004-04-15 Hippo Wu Front opening unified pod door opener with dust-proof device
JP4468021B2 (ja) 2003-03-25 2010-05-26 キヤノン株式会社 ロードロックシステム及び露光処理システム並びにデバイスの製造方法
JP4518986B2 (ja) 2005-03-17 2010-08-04 東京エレクトロン株式会社 大気搬送室、被処理体の処理後搬送方法、プログラム及び記憶媒体

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