KR20150141470A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치 클리닝 방법 - Google Patents

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KR20150141470A
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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치 클리닝 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 내부 공간이 형성되는 챔버; 상기 내부 공간에 연결되어 클리닝을 위해 클리닝 가스를 공급하는 공급 유로; 상기 내부 공간에 연결되어 상기 내부 공간의 가스를 배출하는 배출 유로; 및 상기 배출 유로에 연결되어 상기 내부 공간의 가스를 강제 배기하는 압력을 제공하는 배기 부재를 포함한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 장치 클리닝 방법{Substrate treating apparatus and substrate treating apparatus cleaning method}
본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치클리닝 방법에 관한 것이다.
기판 처리 장치의 내부 공간에는 파티클이 발생될 수 있다. 예를 들어, 내부 공간에서 기판이 처리 되는 과정에서 발생되는 반응물, 기판 처리 장치의 구성 요소들 사이에서 발생되는 마찰에 의해 발생되는 이물질 등이 파티클이 될 수 있다. 이와 같은 파티클의 양이 증가되면, 내부 공간에서 처리된 기판의 불량률이 증가된다. 이와 같은 기판의 불량률은 파티클의 양이 일정 량을 초과하면 급격히 증가될 수 있다. 따라서, 기판 처리 장치는 내부 공간의 파티클의 양이 일정 량을 초과하지 않도록 수시로 클리닝 작업이 요구된다.
본 발명은 클리닝이 효율적으로 수행될 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치 클리닝 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 내부 공간이 형성되는 챔버; 상기 내부 공간에 연결되어 클리닝을 위해 클리닝 가스를 공급하는 공급 유로; 상기 내부 공간에 연결되어 상기 내부 공간의 가스를 배출하는 배출 유로; 및 상기 배출 유로에 연결되어 상기 내부 공간의 가스를 강제 배기하는 압력을 제공하는 배기 부재를 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 챔버의 내부 공간의 파티클 양을 감지하는 단계; 상기 파티클 양이 클리닝 개시 값 이상으로 판단되면, 상기 챔버의 내부 공간으로 클리닝 가스를 공급하면서 상기 내부 공간의 가스를 강제 배기하는 클리닝 단계; 및 감지되는 상기 내부 공간의 파티클 양이 클리닝 종료 값에 도달되거나, 클리닝 개시 후 설정 시간이 경과 된 후 클리닝을 종료하는 단계를 포함하는 기판 처리 장치 클리닝 방법이 제공될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판 처리 장치의 클리닝이 효율적으로 수행될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 시스템의 사시도이다.
도 2는 도 1의 A-A에 따른 단면도이다.
도 3은 기판 처리 장치의 B-B에 따른 단면도이다.
도 4는 이온 공급 유닛을 나타내는 도면이다.
도 5는 기판 처리 장치의 제어 관계를 나타내는 블록도 이다.
도 6은 내부 공간의 파티클 양의 변화를 나타내는 그래프이다.
도 7은 일 예에 따라 클리닝이 수행되는 방법을 나타내는 플로우 차트이다.
도 8은 시간의 경과에 따른 내부 공간의 파티클 양을 나타내는 도면이다.
도 9는 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 10은 또 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 11은 제 4 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 시스템의 사시도이고, 도 2는 도 1의 A-A에 따른 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 기판 처리 시스템(1)은 기판 처리 장치(10), 로딩 장치(20) 및 언로딩 장치(30)를 포함한다.
기판 처리 장치(10)는 기판을 처리한다. 기판은 회로가 형성되는 웨이퍼 일 수 있다. 또한, 기판은 인쇄회로기판(Printed circuit board, PCB)일 수 있다. 또한, 기판은 리드 프레임일 수 있다.
로딩 장치(20)는 기판 처리 장치(10)의 일측에 위치되어, 처리될 기판을 기판 처리 장치(10)로 반입시킨다.
언로딩 장치(30)는 기판 처리 장치(10)의 일측에 위치되어, 처리 된 기판을 기판 처리 장치(10)에서 언로딩 시킨다.
기판 처리 장치(10)는 챔버(100), 기판 처리 부재(200) 및 기판 지지 부재(300)를 포함한다.
챔버(100)는 기판이 처리되는 내부 공간(101)을 제공한다. 챔버(100)의 일측에는 처리 될 기판이 반입되는 반입구(110)가 형성될 수 있다. 반입구(110)는 로딩 장치(20)가 위치된 방향에 형성될 수 있다. 또한, 챔버(100)의 일측에는 처리 된 기판이 반출되는 반출구(111)가 형성될 수 있다. 반출구(111)는 언로딩 장치(30)가 위치된 방향에 형성될 수 있다. 반입구(110)와 반출구(111)는 서로 마주보게 챔버(100)의 양 측에 형성될 수 있다.
기판 처리 부재(200)는 챔버(100)의 내부에 위치되어 챔버(100)로 반입된 기판을 처리한다. 일 예로, 기판 처리 부재(200)는 히터로 제공될 수 있다. 히터는 전기적 저항에 의한 발열 이용하는 방식, 가열된 공기를 분사하는 방식, 빛을 조사하는 방식 등이 사용될 수 있다. 그리고, 기판 처리 장치(10)는 히터를 이용해 기판에 대한 건조 공정을 수행할 수 있다. 또는, 기판 처리 장치(10)는 반도체 칩이 부착된 기판에 대한 경화(cure) 공정을 수행 할 수 도 있다.
또한, 기판 처리 부재(200)는 공정 가스 공급 장치로 제공될 수 있다. 그리고, 기판 처리 장치(10)는 공정 가스를 이용해 기판에 대해 증착 공정, 에칭 공정 또는 에싱 공정을 수행 할 수 있다. 공정 가스 공급 장치가 공급하는 공정 가스는 플라즈마 상태로 제공될 수 있다.
기판 지지 부재(300)는 챔버(100)의 내부에 위치되는 처리되는 기판을 지지한다. 기판 지지 부재(300)는 그 하부가 챔버(100)의 하면에 위치되도록 제공되거나, 그 측면이 챔버(100)의 내측면에 고정되게 제공될 수 있다. 기판 지지 부재(300)는 기판을 이송 가능하게 제공될 수 있다. 예를 들어, 기판 지지 부재(300)는 컨베이어 벨트 또는 서로 나란하게 배열된 롤러들 등으로 제공되어, 기판을 일 방향으로 이동 시킬 수 있다. 따라서, 기판은 기판 지지 부재(300)에서 반입구(110)에 인접한 부분에 위치된 후, 반출구(111)에 인접한 부분으로 이동되는 과정에 처리될 수 있다. 또한, 기판 지지 부재(300)는 먼저 투입된 기판이 반출구(111) 쪽으로 이동되면 새로운 기판이 기판 지지 부재(300)에 위치되는 방식으로 복수의 기판을 지지할 수 있다.
도 3은 기판 처리 장치의 B-B에 따른 단면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 챔버(100)의 내부 공간(101)은 공급 유로(120) 및 배출 유로(140)와 연결된다.
공급 유로(120)는 챔버(100)의 내부에 형성될 수 있다. 공급 유로(120)는 클리닝 가스 공급원(130)과 연결된다. 클리닝 가스 공급원(130)은 챔버(100)의 클리닝에 사용될 클리닝 가스를 공급한다. 클리닝 가스는 질소 가스일 수 있다. 공급 유로(120)는 내부 공간(101)의 상부와 연결되도록 제공될 수 있다. 일 예로, 공급 유로(120)는 챔버(100)의 내측 상면에서 내부 공간(101)과 연결되게 형성될 수 있다. 공급 유로(120)와 내부 공간(101)이 연결되는 부분에는 필터(121)가 위치될 수 있다. 필터(121)는 내부 공간(101)으로 공급되는 클리닝 가스에 포함된 이물질을 제거한다.
클리닝 가스가 공급되는 경로 상에는 송풍 부재(131)가 제공될 수 있다. 일 예로, 송풍 부재(131)는 챔버(100)의 내부에 형성된 공급 유로(120) 상에 위치될 수 있다. 이때, 송풍 부재(131)는 클리닝 가스 공급원(130)과 연결된 부분에 인접하게 위치될 수 있다. 송풍 부재(131)는 공급 유로(120)에 압력을 제공하여, 공급 유로(120)로 공급된 클리닝 가스가 내부 공간(101)으로 유동되게 한다.
클리닝 가스가 공급되는 경로 상에는 세정 가열 부재(132)가 제공될 수 있다. 세정 가열 부재(132)는 내부 공간(101)으로 공급되는 클리닝 가스를 가열 한다.
배출 유로(140)는 챔버(100)의 내부에 형성될 수 있다. 배출 유로(140)는 내부 공간(101)의 가스를 배출한다. 배출 유로(140)는 내부 공간(101)의 하부와 연결되도록 제공될 수 있다. 일 예로, 배출 유로(140)는 챔버(100)의 내측 하면에 형성된 배출 홀(141)과 연결되게 형성될 수 있다. 배출 유로(140)는 배기 부재(150)와 연결될 수 있다. 배기 부재(150)는 배출 유로(140)에 흡입 압력을 제공하여, 내부 공간(101)의 가스를 배출 유로(140)를 통해 강제 배기할 수 있다.
도 4는 이온 공급 유닛을 나타내는 도면이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 기판 처리 장치(10)에는 내부 공간(101)으로 이온을 공급하는 이온 공급 유닛(400)이 제공될 수 있다. 이온 공급 유닛(400)은 일단이 내부 공간(101)과 연결되게 챔버(100)에 고정되게 제공될 수 있다. 이온 공급 유닛(400)은 바디(410), 이오나이져(420) 및 분사 부재(430)를 포함한다.
바디(410)는 이온 공급 유닛(400)의 골격을 형성한다. 바디(410)의 일 측은 가스 공급원과 연결된다. 바디(410)에는 가스 공급원에서 공급된 가스가 유동하는 유로가 형성된다.
이오나이져(420)는 가스가 유동하는 유로 상에 위치된다. 이오나이져(420)는 유입된 가스를 이온화 시킨다.
분사 부재(430)는 바디(410)의 일단에 위치된다. 이온 공급 유닛(400)이 챔버(100)에 고정되면, 분사 부재(430)는 내부 공간(101)에 위치된다. 분사 부재(430)는 바디(410)를 유동한 가스를 내부 공간(101)으로 분사한다. 분사 부재(430)는 바디(410)에 대해 회전 가능하게 제공될 수 있다. 따라서, 가스는 내부 공간(101)으로 넓게 퍼지면서 분사 부재(430)에서 분사될 수 있다.
분사 부재(430)에는 노즐(431)이 제공된다. 노즐(431)은 하나 이상이 제공될 수 있다. 분사 부재(430)에 노즐(431)들이 복수로 제공되는 경우, 노즐(431)은 그 길이 방향이 상이하게 제공될 수 있다. 따라서, 노즐(431)들에서 분사되는 가스는 내부 공간(101)에 넓게 퍼지도록 분사될 수 있다.
바디(410)에는 가스의 유동 경로 상에 필터(440)가 제공될 수 있다. 필터(440)는 바디(410)에 형성된 유로를 유동하는 가스에 포함된 이물질을 제거한다. 필터(440)는 이오나이져(420)를 기준으로 분사 부재(430)의 반대쪽에 위치될 수 있다. 또한, 필터(440)는 이오나이져(420)와 분사 부재(430) 사이에 위치될 수 도 있다.
바디(410)에는 가스의 유동 경로 상에 히터(450)가 제공될 수 있다. 히터(450)는 바디(410)에 형성된 유로를 유동하는 가스를 가열한다. 히터(450)는 이오나이져(420)를 기준으로 분사 부재(430)의 반대쪽에 위치될 수 있다. 또한, 히터는 이오나이져(420)와 분사 부재(430) 사이에 위치될 수 도 있다.
기판 처리 장치(10)에는 파티클 센서(510)가 제공된다.
먼저, 파티클 센서(510)는 내부 공간(101)에 하나 이상 위치되어, 내부 공간(101)의 파티클 양을 감지할 수 있다. 파티클 센서(510)는 내부 공간(101)의 하부에 위치되게 챔버(100)의 내측벽 또는 챔버(100)의 하벽에 위치될 수 있다. 내부 공간(101)을 부유하는 파티클의 경우 내부 공간(101)의 위치에 따라 그 양이 상이할 수 있다. 구체적으로, 파티클은 무게에 의해 내부 공간(101)의 상부보다 하부에 그 양이 많다. 따라서, 파티클 센서(510)는 챔버(100)의 내측벽 또는 챔버(100)의 하벽에 하나 또는 소수가 제공된 상태에서 내부 공간(101)의 파티클 양을 효율적으로 감지할 수 있다.
또한, 파티클 센서(510)는 배출 유로(140)상에 위치되어, 배출 유로(140)로 배출되는 가스에 포함된 파티클의 양을 감지할 수 도 있다.
기판 처리 장치(10)에는 온도 센서(520)가 하나 이상 제공될 수 있다. 온도 센서(520)는 챔버(100)의 내벽에 위치되어, 내부 공간(101)의 온도를 감지한다. 온도 센서(520)들이 복수 개 제공 되는 경우, 온도 센서(520)들은 내부 공간(101)의 상부 및 하부에 각각 위치되도록 챔버(100)의 상벽, 하벽 및 측벽에 각각 제공될 수 있다. 또한, 온도 센서(520)들은 챔버(100)의 상벽, 하벽 및 측벽 가운데 일부에만 제공될 수 도 있다.
도 5는 기판 처리 장치의 제어 관계를 나타내는 블록도 이고, 도 6은 내부 공간의 파티클 양의 변화를 나타내는 그래프이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 파티클 센서(510)가 제공하는 신호를 이용해 자동으로 클리닝을 수행한다.
파티클 센서(510)는 내부 공간(101)의 파티클 양에 대한 정보를 제어 부재(600)로 송신한다. 제어 부재(600)는 수신된 신호를 이용해 내부 공간(101)의 파티클 양이 클리닝 개시 값(Q2) 이상이면 기판 처리 장치(10)에 대한 클리닝을 개시한다.
제어 부재(600)는 송풍 부재(131)를 동작시켜, 클리닝 가스를 내부 공간(101)으로 공급한다. 그리고, 제어 부재(600)는 배기 부재(150)를 동작시켜, 내부 공간(101)의 가스를 배출 유로(140)를 통해 강제 배기 시킨다. 제어 부재(600)는 송풍 부재(131)와 배기 부재(150)를 동시에 동작 시킬 수 있다. 또한, 제어 부재(600)는 송풍 부재(131)와 배기 부재(150) 가운데 하나를 나머지 하나보다 먼저 동작 시킬 수 도 있다. 클리닝 가스의 공급 및 강제 배기를 통해 내부 공간(101)의 파티클은 배출 유로(140)를 통해 외부로 배출된다.
공급 유로(120)가 내부 공간(101)의 상부와 연결되고 배출 유로(140)가 내부 공간(101)의 하부와 연결되면, 내부 공간(101)에는 상부에서 하부로 클리닝 가스의 유동이 형성된다. 따라서, 내부 공간(101)의 하부에 부유하는 파티클이나 챔버(100)의 하벽에 쌓인 파티클이 원활히 배출 유로(140)로 배출될 수 있다.
클리닝이 개시되면, 제어 부재(600)는 이온 공급 유닛(400)을 동작시켜, 내부 공간(101)으로 이온을 공급할 수 있다. 제어 부재(600)는 클리닝이 수행되는 동안 이온 공급 유닛(400)을 계속 동작시켜, 이온이 클리닝 가스와 함께 계속 공급되도록 할 수 있다. 또한, 제어 부재(600)는 클리닝이 수행되는 되는 가운데 일부 시간 동안만 이온이 공급되도록 이온 공급 유닛(400)을 동작시킬 수 도 있다.
내부 공간(101)의 파티클은 전하를 띨 수 있다. 파티클의 전하는 파티클과 챔버(100) 사이에 인력을 발생 시켜 파티클이 내부 공간(101)에서 배출 유로(140)로 유동되는 것을 방해한다. 이온은 파티클과 반응하여 파티클을 중화시킬 수 있다. 따라서, 이온이 공급되면 파티클과 챔버(100) 사이의 인력이 제거되어, 파티클은 원활히 배출 유로(140)로 유동될 수 있다.
제어 부재(600)는 세정 가열 부재(132)를 동작시켜 가열된 클리닝 가스가 내부 공간(101)으로 공급되게 할 수 있다. 클리닝 가스의 온도와 챔버(100)의 온도가 상이한 경우, 클리닝 가스와 챔버(100) 사이에는 열 교환일 발생된다. 이때, 클리닝 가스의 온도가 챔버(100)의 온도보다 낮은 경우, 챔버(100)는 냉각된다. 기판 처리 장치(10)에서 수행되는 공정은 일정한 온도에서 수행될 수 있다. 일 예로, 기판 처리 장치(10)가 수행하는 공정이 건조 공정 또는 경화 공정인 경우, 내부 공간(101)은 공정 온도로 가열된 상태에서 기판에 대한 처리가 수행된다. 따라서, 클리닝 과정에서 내부 공간(101)이 냉각된 경우, 내부 공간(101)의 온도가 공정 온도로 상승될 때 가지 기판의 처리가 수행될 수 없다. 반면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(10)는 클리닝 가스가 가열된 상태로 내부 공간(101)으로 공급되어, 클리닝 과정에서 내부 공간(101)이 냉각되는 것이 방지될 수 있다. 따라서, 클리닝 공정이 수행된 후 지연 없이 바로 기판 처리가 재개될 수 있다. 또한, 클리닝 가스가 가열된 상태로 공급되면, 챔버(100)에 부착된 파티클의 제거 효율이 향상될 수 있다.
제어 부재(600)는 온도 센서(520)에서 송신되는 데이터를 클리닝 가스의 가열 정도에 반영할 수 있다. 구체적으로, 제어 부재(600)는 내부 공간(101)이 냉각되는 것으로 감지되면, 클리닝 가스의 가열 정도가 증가되도록 세정 가열 부재(132)를 제어할 수 있다. 그리고, 내부 공간(101)의 온도가 공정 온도를 초과하여 가열되는 것으로 판단되면, 클리닝 가스의 가열 정도가 감소되거나 동작이 정지되게 세정 가열 부재(132)를 제어할 수 있다.
또한, 제어 부재(600)는 이온 공급 유닛(400)의 히터(450)를 동작시켜 가열된 이온이 내부 공간(101)으로 공급되게 할 수 있다. 따라서, 내부 공간(101)이 냉각되는 것이 방지되고, 파티클의 제거 효율이 향상될 수 있다. 제어 부재(600)가 온도 센서(520)에서 송신되는 데이터를 이용하여 히터(450)를 제어하는 방법은 제어 부재(600)가 세정 가열 부재(132)를 제어하는 방법과 유사하므로 반복된 설명은 생략한다.
도 7은 일 예에 따라 클리닝이 수행되는 방법을 나타내는 플로우 차트이고, 도 8은 시간의 경과에 따른 내부 공간의 파티클 양을 나타내는 도면이다.
이하, 도 7 및 도 8을 참조하여, 기판 처리 장치(10)가 클리닝되는 방법을 설명한다.
제어 부재(600)는 파티클 센서(510)에서 송신된 데이터를 통해 내부 공간(101)의 파티클 양을 감지한다(S10). 제어 부재(600)는 불량 발생 값(Q1) 및 클리닝 개시 값(Q2)을 고려해서 내부 공간(101)의 파티클 양을 감지한다. 불량 발생 값(Q1)은 처리된 기판의 불량 발생 비율을 고려해 설정된다. 즉, 불량 발생 값(Q1)은 처리된 기판의 불량이 현저히 증가 되는 파티클 양을 고려해 설정된다. 클리닝 개시 값(Q2)은 불량 발생 값(Q1)에서 버퍼 값(ΔQ)을 뺀 값으로 정의된다.
파티클 센서(510)에서 송신된 데이터를 통해 내부 공간(101)의 파티클 양이 클리닝 개시 값(Q2) 이상인 경우, 내부 공간(101)으로 기판의 투입이 정지된다(S20). 내부 공간(101)의 파티클 양이 클리닝 개시 값(Q2) 이상으로 감지된 때, 내부 공간(101)에는 기판이 위치된 상태로 처리 중일 수 있다. 예를 들어, 내부 공간(101)에는 하나 이상의 기판이 기판 지지 부재(300)에 의해 지지된 상태로 반출구(111) 쪽으로 이동 되면서 건조 공정 또는 경화 공정이 수행되는 중일 수 있다. 클리닝 개시 값(Q2)은 버퍼 값(ΔQ)을 고려해 설정되므로, 내부 공간(101)에 이미 위치된 기판은 낮은 불량 비율로 처리될 수 있다.
내부 공간(101)의 기판이 모두 처리되어 챔버(100)에서 반출되면(S30), 내부 공간(101)에 대한 클리닝이 개시된다(S40). 클리닝은 설정 시간 동안 계속된 후 종료 될 수 있다. 다른 방법으로, 클리닝은 파티클 센서(510)에서 송신된 데이터를 통해 감지되는 파티클 양이 클리닝 종료 값(Q3)에 도달할 때까지 수행될 수도 있다. 내부 공간(101)의 온도는 클리닝 과정에도 공정 온도로 유지되므로, 클리닝 종료 후 즉시 새로운 기판이 내부 공간(101)으로 반입되어 공정이 수행될 수 있다.
도 9는 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 9를 참조하면, 기판 처리 장치(11)는 챔버(100a), 클리닝 가스 공급원(130a), 배기 부재(150a), 기판 처리 부재(200a), 기판 지지 부재(300a)들, 송풍 부재(131a), 세정 가열 부재(132a), 이온 공급 유닛(400a)들, 파티클 센서(510a) 및 온도 센서(520a)를 포함한다.
기판 처리 장치(11)의 챔버(100a), 클리닝 가스 공급원(130a), 배기 부재(150a), 기판 처리 부재(200a), 송풍 부재(131a), 세정 가열 부재(132a), 파티클 센서(510a) 및 온도 센서(520a)는 도 3의 기판 처리 장치(10)의 챔버(100), 클리닝 가스 공급원(130), 배기 부재(150), 기판 처리 부재(200), 송풍 부재(131), 세정 가열 부재(132), 파티클 센서(510) 및 온도 센서(520)와 동일 또는 유사하게 제공될 수 있다.
기판 처리 장치(11)에는 복수의 기판 지지 부재(300a)들이 제공될 수 있다. 예를 들어, 복수의 기판 지지 부재(300a)들은 상하 또는 좌우로 서로 이격 되게 배열될 수 있다. 따라서, 동시에 처리되는 기판의 수량이 증가될 수 있다. 각각의 기판 지지 부재(300a)는 도 2 및 도 3의 기판 처리 장치(10)의 기판 지지 부재(300)와 동일 또는 유사하게 제공될 수 있다.
기판 처리 장치(11)에는 복수의 이온 공급 유닛(400a)들이 제공될 수 있다. 예를 들어, 복수의 이온 공급 유닛(400a)들은 챔버(100a)의 측벽, 상벽 또는 하벽 가운데 일부에 위치될 수 있다. 복수의 이온 공급 유닛(400a)들은 각각 내부 공간(101a)으로 이온을 공급하여, 내부 공간(101a)에는 이온이 균일하게 공급될 수 있다. 따라서, 전하를 갖는 파티클은 효율적으로 중화 될 수 있다. 각각의 이온 공급 유닛(400a)은 도 4의 이온 공급 유닛(400)과 동일 또는 유사하게 제공될 수 있다.
도 10은 또 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 10을 참조하면, 기판 처리 장치(12)는 제 1 챔버(12a) 및 제 2 챔버(12b)를 포함한다. 제 1 챔버(12a) 및 제 2 챔버(12b)는 상하 또는 좌우로 배열될 수 있다. 제 1 챔버(12a) 및 제 2 챔버(12b)는 각각 도 3의 기판 처리 장치(10) 또는 도 9의 기판 처리 장치(11)와 동일 또는 유사하게 제공될 수 있다.
제 1 챔버(12a)의 배출 유로(141a) 및 제 2 챔버(12b)의 배출 유로(141b)는 하나의 배기 부재(150)에 연결되어 내부 공간(101)의 기체를 강제 배기 가능하게 제공될 수 있다.
도 11은 제 4 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 11을 참조하면, 기판 처리 장치(13)는 챔버(100c), 클리닝 가스 공급원(130c), 배기 부재(150c), 기판 처리 부재(200c), 기판 지지 부재(300c), 송풍 부재(131c), 세정 가열 부재(132c), 이온 공급 유닛(400c), 파티클 센서(510c) 및 온도 센서(520c)를 포함한다.
기판 처리 장치(13)의 기판 처리 부재(200c), 이온 공급 유닛(400c), 파티클 센서(510c) 및 온도 센서(520c) 는 도 2 및 도 3의 기판 처리 장치(10)의 기판 처리 부재(200), 이온 공급 유닛(400), 파티클 센서(510) 및 온도 센서(520)와 동일 또는 유사하게 제공될 수 있다.
챔버(100c)에는 공급 유로(123)가 형성될 수 있다. 공급 유로(123)는 내부 공간(101c)의 상부와 연결 되도록 형성될 수 있다. 공급 유로(123)는 공급 배관(124)을 통해 클리닝 가스 공급원(130c)과 연결될 수 있다. 공급 배관(124)에는 클리닝 가스가 내부 공간(101c)으로 유동하는 압력을 제공하는 송풍 부재(131c) 및 클리닝 가스를 가열하는 세정 가열 부재(132c)가 위치될 수 있다.
기판 지지 부재(300c)는 내부 공간(101c)에 위치되어, 처리 될 기판을 지지한다.
챔버(100c)에는 내부 공간(101c)의 가스를 배출하기 위한 하나 이상의 배출 홀(143)이 형성될 수 있다. 배출 홀(143)은 내부 공간(101c)의 하부와 연결되게 형성될 수 있다. 예를 들어 배출 홀(143)은 챔버(100c)의 하벽 또는 측벽의 하부에 형성될 수 있다. 그리고 각각의 배출 홀(143)은 배출 배관(144)과 연결될 수 있다. 배출 배관(144)에는 배기 부재(150c)가 제공되어, 내부 공간(101c)의 가스를 강제 배기하기 위한 압력을 제공할 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
100: 챔버 120: 공급 유로
130: 클리닝 가스 공급원 131: 송풍 부재
140: 배출 유로 150: 배기 부재
400: 이온 공급 유닛 410: 바디
420: 이오나이져 430: 분사 부재
431: 노즐 510: 파티클 센서
520: 온도 센서

Claims (10)

  1. 내부 공간이 형성되는 챔버;
    상기 내부 공간에 연결되어 클리닝을 위해 클리닝 가스를 공급하는 공급 유로;
    상기 내부 공간에 연결되어 상기 내부 공간의 가스를 배출하는 배출 유로; 및
    상기 배출 유로에 연결되어 상기 내부 공간의 가스를 강제 배기하는 압력을 제공하는 배기 부재를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 공급 유로는 상기 챔버의 내부에 형성되는 기판 처리 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 공급 유로에는 상기 클리닝 가스가 상기 내부 공간으로 공급되는 압력을 제공하는 송풍 부재가 위치되는 기판 처리 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 공급 유로에는 상기 클리닝 가스를 가열하는 세정 가열 부재가 위치되는 기판 처리 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는 상기 챔버에 고정되게 제공되어 상기 내부 공간으로 이온을 공급하는 이온 공급 유닛을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 챔버의 내벽에는 상기 내부 공간의 파티클을 감지하는 파티클 센서가 제공되는 기판 처리 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 챔버의 내벽에는 상기 내부 공간의 온도를 감지하는 온도 센서가 제공되는 기판 처리 장치.
  8. 챔버의 내부 공간의 파티클 양을 감지하는 단계;
    상기 파티클 양이 클리닝 개시 값 이상으로 판단되면, 상기 챔버의 내부 공간으로 클리닝 가스를 공급하면서 상기 내부 공간의 가스를 강제 배기하는 클리닝 단계; 및
    감지 되는 상기 내부 공간의 파티클 양이 클리닝 종료 값에 도달 되거나, 클리닝 개시 후 설정 시간이 경과된 후 클리닝을 종료하는 단계를 포함하는 기판 처리 장치 클리닝 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 파티클 양이 상기 클리닝 개시 값 이상이면, 클리닝의 개시에 앞서 상기 챔버로 새로운 기판의 공급을 중단하고, 상기 내부 공간에 있는 기판을 처리한 후 반출한 후에 클리닝을 개시하는 기판 처리 장치 클리닝 방법.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 클리닝 가스는 가열된 상태로 상기 내부 공간으로 공급되는 기판 처리 장치 클리닝 방법.
    닝 단계에서 상기 내부 공간으로 이온을 공급하는 기판 처리 장치 클리닝 방법.
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