CN111580355B - 液体处理装置及液体处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种液体处理装置及液体处理方法。在显影装置中，使由旋转夹头吸附保持的衬底以水平姿势旋转。从具有在一方向上连续延伸的一个喷出口的显影液喷嘴将显影液喷出到衬底上。此时，以如下方式固定显影液喷嘴的姿势，即，对通过衬底的旋转中心的衬底上表面的基准直线供给显影液，且衬底上表面的接收显影液的触液区域沿着从基准直线倾斜的方向延伸。在该状态下，显影液喷嘴在基准直线的方向上移动。触液区域具有一端部及另一端部。另一端部比一端部更远离衬底的旋转中心且在衬底的旋转方向上位于比一端部更下游。

Description

液体处理装置及液体处理方法
技术领域
本发明涉及一种通过对衬底供给液体来进行规定处理的液体处理装置及液体处理方法。
背景技术
以往，为了对形成在衬底上的抗蚀膜进行显影处理而使用显影装置。例如，显影装置具备：旋转夹头，将衬底水平地保持且使之绕铅垂轴旋转；及喷嘴，对衬底供给显影液。当进行显影处理时，在利用旋转夹头使衬底旋转的状态下，使喷嘴一边喷出显影液一边从衬底的外侧向衬底的中心部上方移动(例如参照日本专利第4369325号)。
在该情况下，对整个衬底上供给显影液，以覆盖衬底上的抗蚀膜的方式形成显影液的液体层。在该状态下，进行衬底上的抗蚀膜的溶解反应。之后，去除衬底上的显影液及溶解后的抗蚀剂，显影处理结束。
发明内容
如上所述，在对整个衬底上供给显影液等处理液的处理中，为了降低衬底的制造成本，要求进一步减少处理液的使用量。另外，期望以更短时间进行高效率的处理。
本发明的目的在于提供一种能够减少处理液的使用量并且提高衬底处理效率的液体处理装置及液体处理方法。
(1)按照本发明的一形态的液体处理装置是通过对衬底供给处理液来进行规定处理，且具备：旋转保持部，将衬底以水平姿势保持且使之绕铅垂轴旋转；喷嘴，具有在一方向上连续延伸的一个喷出口或在一方向上间断配置的多个喷出口，将处理液喷出到利用旋转保持部而旋转的衬底上表面；处理液供给系统，对喷嘴供给处理液；及移动部，在将从喷嘴喷出的处理液的一部分供给到通过利用旋转保持部而旋转的衬底的旋转中心的衬底上表面的直线上，且衬底上表面的接收处理液的触液区域沿着从直线倾斜的方向延伸的状态下，使喷嘴在直线的方向上移动；且触液区域具有第1及第2端部，第2端部比第1端部更远离衬底的旋转中心且在衬底的旋转方向上位于比第1端部更下游。
该液体处理装置中，在将从喷嘴喷出的处理液的一部分供给到通过衬底的旋转中心的衬底上表面的直线上，且触液区域沿着从直线倾斜的方向延伸的状态下，喷嘴在直线的方向上移动。触液区域的第2端部位于比第1端部更下游。在该情况下，供给到衬底上表面的处理液从触液区域迅速扩散到衬底上表面的较广范围。因此，通过使喷嘴在直线的方向上移动，而短时间内在衬底整个上表面形成均匀的处理液的膜。因此，能够减少衬底处理所需的处理液，并且缩短衬底处理时间，由此提高衬底处理效率。
(2)移动部也可在俯视时一个喷出口或多个喷出口远离直线的状态下移动且在从一个喷出口或多个喷出口朝向衬底旋转方向的下游喷出处理液的状态下使喷嘴移动。
在该情况下，从斜上方对衬底上表面供给处理液。此时，在俯视时，触液区域中被供给处理液的方向与衬底的旋转方向大致一致。由此，在衬底上表面，处理液从触液区域顺利地扩散到该触液区域的下游侧。另外，即使在触液区域中被供给的处理液的一部分向衬底的上方飞溅的情况下，飞溅的液滴也会向朝向衬底旋转方向的下游的方向、也就是远离喷嘴的方向飞散。因此，防止在衬底上表面飞溅的处理液的液滴附着在喷嘴，从而防止因喷嘴受污染而产生微粒。
(3)喷嘴也可具有一个喷出口，且一个喷出口是以在一方向上连续延伸的方式形成的狭缝。
在该情况下，处理液从形成在衬底上表面的带状触液区域顺利地扩散到该触液区域的下游侧。
(4)移动部也可以触液区域从衬底的旋转中心移动到衬底的外周端部的方式使喷嘴移动。
在该情况下，从衬底的旋转中心向衬底的外周端部连续供给显影液。由此，能够将处理液均匀地供给到衬底的整个上表面。
(5)移动部也可在触液区域移动到衬底的外周端部后，进而以触液区域从衬底的外周端部返回到衬底的旋转中心的方式使喷嘴移动。
在该情况下，通过从衬底的旋转中心向衬底的外周端部连续供给处理液，而将处理液供给到衬底的整个上表面，从而衬底上表面成为充分润湿的状态。由此，通过从衬底的外周端部向衬底的旋转中心连续供给处理液，能够在衬底上表面稳定地形成处理液的液体层。
(6)移动部也可在喷嘴开始移动时，以触液区域的第1端部位于衬底的旋转中心的方式定位喷嘴。
在该情况下，能够在开始向衬底供给处理液的同时，从衬底中心朝向衬底的外周端部顺利地供给处理液。
(7)按照本发明的另一形态的液体处理方法是通过对衬底供给处理液来进行规定处理，且包括如下步骤：将衬底以水平姿势保持且使之绕铅垂轴旋转；对具有在一方向上连续延伸的一个喷出口或在一方向上间断配置的多个喷出口的喷嘴供给处理液，从喷嘴向旋转的衬底上表面喷出处理液；以及在将从喷嘴喷出的处理液的一部分供给到通过旋转的衬底的旋转中心的衬底上表面的直线上，且衬底上表面的接收处理液的触液区域沿着从直线倾斜的方向延伸的状态下，使喷嘴在直线的方向上移动；且触液区域具有第1及第2端部，第2端部比第1端部更远离衬底的旋转中心，且在衬底的旋转方向上位于比第1端部更下游。
该液体处理方法中，在将从喷嘴喷出的处理液的一部分供给到通过衬底的旋转中心的衬底上表面的直线上，且触液区域沿着从直线倾斜的方向延伸的状态下，使喷嘴在直线的方向上移动。触液区域的第2端部位于比第1端部更下游。在该情况下，供给到衬底上表面的处理液从触液区域迅速地扩散到衬底上表面的较广范围。因此，通过使喷嘴在直线的方向上移动，而短时间内在衬底的整个上表面形成均匀的处理液的膜。因此，能够减少衬底处理所需的处理液，并且缩短衬底处理时间，由此提高衬底处理效率。
(8)使喷嘴在直线的方向上移动的步骤也可包括：在俯视时一个喷出口或多个喷出口远离直线的状态下移动且在从一个喷出口或多个喷出口朝向衬底旋转方向的下游喷出处理液的状态下使喷嘴移动。
在该情况下，从斜上方对衬底上表面供给处理液。此时，在俯视时，触液区域中被供给处理液的方向与衬底的旋转方向大致一致。由此，在衬底上表面，处理液从触液区域顺利地扩散到该触液区域的下游侧。另外，即使在触液区域中被供给的处理液的一部分向衬底上方飞溅的情况下，飞溅的液滴也会向朝向衬底旋转方向的下游的方向、也就是远离喷嘴的方向飞散。因此，防止在衬底上表面飞溅的处理液的液滴附着在喷嘴，从而防止因喷嘴受污染而产生微粒。
(9)喷嘴也可具有一个喷出口，且一个喷出口是以在一方向上连续延伸的方式形成的狭缝。
在该情况下，处理液从形成在衬底上表面的带状触液区域顺利地扩散到该触液区域的下游侧。
(10)使喷嘴在直线的方向上移动的步骤也可包括：以触液区域从衬底的旋转中心移动到衬底的外周端部的方式使喷嘴移动。
在该情况下，从衬底的旋转中心向衬底的外周端部连续供给显影液。由此，能够将处理液均匀地供给到衬底的整个上表面。
(11)使喷嘴在直线的方向上移动的步骤也可包括：在触液区域移动到衬底的外周端部后，进而以触液区域从衬底的外周端部返回到衬底的旋转中心的方式使喷嘴移动。
在该情况下，通过从衬底的旋转中心向衬底的外周端部连续供给处理液，而将处理液供给到衬底的整个上表面，衬底上表面成为充分润湿的状态。由此，通过从衬底的外周端部向衬底的旋转中心连续供给处理液，能够在衬底上表面形成处理液的液体层。
(12)使喷嘴在直线的方向上移动的步骤也可包括：在喷嘴开始移动时，以触液区域的第1端部位于衬底的旋转中心的方式定位喷嘴。
在该情况下，能够在开始向衬底供给处理液的同时，从衬底的中心朝向衬底的外周端部顺利地供给处理液。
附图说明
图1是表示本发明的一实施方式的显影装置的构成的示意性俯视图。
图2是沿图1的M-M线的显影装置的示意性剖视图。
图3是图1的显影液喷嘴的外观立体图。
图4是沿图3的箭头N方向观察到的显影液喷嘴的喷出口的放大图。
图5是表示从图4的喷出口喷出显影液的状态的显影液喷嘴的局部放大图。
图6及图7是用来说明使用图1的显影装置的显影处理的具体例的图。
图8是表示第1～第3实施例及比较例的模拟结果的图。
图9是变化例的显影液喷嘴的外观立体图。
图10是表示具备图1的显影装置的衬底处理装置的整体构成的示意性框图。
具体实施方式
以下，使用附图对本发明的一实施方式的液体处理装置及液体处理方法进行说明。在以下说明中，所谓衬底是指半导体衬底、液晶显示装置或有机EL(ElectroLuminescence，电致发光)显示装置等FPD(Flat Panel Display，平板显示器)用衬底、光盘用衬底、磁盘用衬底、磁光盘用衬底、光掩模用衬底、陶瓷衬底或太阳电池用衬底等。
[1]液体处理装置的基本构成
作为液体处理装置的一例，对显影装置进行说明。图1是表示本发明的一实施方式的显影装置的构成的示意性俯视图，图2是沿图1的M-M线的显影装置1的示意性剖视图。
在图1及图2所示的显影装置1中，将水平面内相互正交的2个方向定义为X方向及Y方向，将铅垂方向定义为Z方向。所谓X方向是指图1的箭头X的方向或其反方向，所谓Y方向是指图1的箭头Y的方向或其反方向，所谓Z方向是指图1的箭头Z的方向或其反方向。
如图1所示，显影装置1具备将衬底W以水平姿势吸附保持的旋转夹头10。旋转夹头10固定在马达11(图2)的旋转轴12的前端部，且构成为能够绕Z方向的轴(旋转轴12的轴心)VA旋转。在旋转夹头10的周围，以包围衬底W的方式设置着圆形的内侧杯13，该圆形的内侧杯13能够在Z方向上移动。进而，以包围内侧杯13的方式设置着矩形的外侧杯14。
在Y方向上的外侧杯14的一侧方设置着待机箱15。以在X方向上与外侧杯14及待机箱15相邻的方式设置着在Y方向上延伸的导轨16。
在导轨16，以能够沿该导轨16在Y方向上移动的方式设置着第1驱动部17。在第1驱动部17安装着第1臂18。第1臂18从第1驱动部17沿X方向延伸。另外，第1臂18由第1驱动部17驱动，而能够沿导轨16在Y方向上移动，并且能够在Z方向上移动。在第1臂18的前端部设置着显影液喷嘴19。
在本实施方式中，利用导轨16、第1驱动部17及第1臂18，将显影液喷嘴19相对于利用旋转夹头10而旋转的衬底W的姿势固定。另外，利用导轨16、第1驱动部17及第1臂18，进行显影液喷嘴19相对于利用旋转夹头10而旋转的衬底W的定位及移动。
对于旋转夹头10来说在X方向上与导轨16为相反侧的区域，设置着第2驱动部31。在第2驱动部31安装着在Z方向上延伸的支撑轴32。在支撑轴32安装着第2臂33。第2臂33从支撑轴32沿水平方向延伸。支撑轴32由第2驱动部31驱动，能够绕该支撑轴32的轴心旋转，并且能够在Z方向上移动。当支撑轴32旋转时，第2臂33以支撑轴32为中心沿图1的箭头R1的方向旋转。当支撑轴32上升时，第2臂33与支撑轴32一起上升。当支撑轴32下降时，第2臂33与支撑轴32一起下降。在第2臂33的前端部设置着冲洗液喷嘴34。
如图2所示，显影装置1还具备显影液供给系统81及冲洗液供给系统82。此外，在图2中，为了说明冲洗液供给系统82，而图示出图1的冲洗液喷嘴34及第2臂33的一部分。
显影液供给系统81包含配管、接头、阀、泵、槽等1个或多个流体相关设备，连接于未图示的显影液供给源。在显影液喷嘴19连接着从显影液供给系统81延伸的配管。显影液供给系统81基于下述控制部70的控制对显影液喷嘴19供给显影液。由此，从显影液喷嘴19的喷出口19a喷出显影液。
冲洗液供给系统82与显影液供给系统81同样地，包含1个或多个流体相关设备，连接于未图示的冲洗液供给源。在冲洗液喷嘴34连接着从冲洗液供给系统82延伸的配管。冲洗液供给系统82基于下述控制部70的控制对冲洗液喷嘴34供给冲洗液。由此，从冲洗液喷嘴34的喷出口34a喷出冲洗液。
如图1及图2所示，显影装置1具备控制部70。控制部70例如包含CPU(中央运算处理装置)及存储器或微型计算机，如图1及图2中以双点划线的箭头所示，控制第1驱动部17、第2驱动部31、马达11、显影液供给系统81及冲洗液供给系统82的动作。
根据控制部70的控制，在由旋转夹头10吸附保持的衬底W旋转的状态下，使显影液喷嘴19移动到旋转的衬底W上方的位置。然后，一边从显影液喷嘴19对衬底W喷出显影液一边使显影液喷嘴19在衬底W的上方移动(显影处理)。接着，停止喷出显影液，使显影液喷嘴19移动到Y方向上的衬底W的侧方位置(待机箱15)。下文将对显影处理的具体例进行叙述。
之后，使冲洗液喷嘴34移动到旋转的衬底W上方的位置。然后，从冲洗液喷嘴34向衬底W喷出冲洗液(洗净处理)。由此，利用冲洗液冲洗供给到衬底W上的显影液。接着，停止喷出冲洗液，使冲洗液喷嘴34移动到X方向上的衬底W的侧方位置(衬底W的外侧位置)。最后，通过使衬底W高速旋转，而甩掉附着在衬底W的冲洗液，使衬底W干燥。
[2]显影液喷嘴19的构成
此处，对图1的显影液喷嘴19的构成进行说明。图3是图1的显影液喷嘴19的外观立体图。如图3所示，本例的显影液喷嘴19具有如下构成：在具有规定形状的基底部件190形成着喷出口19a、液体导入部19b及流路19c。基底部件190例如可为包含单一材料的一体成形品，也可通过组合多个零件而制作。
喷出口19a是在一方向上连续延伸的狭缝。关于喷出口19a的尺寸，将在下文叙述。液体导入部19b形成为能够连接从图2的显影液供给系统81延伸的配管。流路19c以在基底部件190的内部将喷出口19a与液体导入部19b连结的方式形成，且包含第1流路部191及第2流路部192。
第1流路部191具有大致固定的截面形状，以从液体导入部19b在基底部件190的内部延伸规定距离的方式形成。在本实施方式中，第1流路部191的截面例如具有圆形状或正方形状。
第2流路部192的截面形状从一端(上游端)到另一端(下游端)连续地变化。具体来说，第2流路部192以从第1流路部191的端部(下游端)起随着接近喷出口19a而截面在一方向上连续变大的方式形成。由此，第2流路部192的一端的截面具有圆形状或正方形状，相对于此，第2流路部192的另一端的截面具有狭缝状。
图4是沿图3的箭头N的方向观察到的显影液喷嘴19的喷出口19a的放大图。本实施方式中，显影液喷嘴19的喷出口19a的长度方向的长度LS为10mm以上15mm以下，例如为12mm。另外，喷出口19a的宽度WS为0.2mm以上0.4mm以下，例如为0.2mm或0.3mm。
图5是表示从图4的喷出口19a喷出显影液的状态的显影液喷嘴19的局部放大图。图5中，示出显影液喷嘴19中喷出口19a及其周边部分的外观，并且以点图案示出通过显影液喷嘴19的内部从喷出口19a喷出的显影液的状态。如图5所示，从狭缝状的喷出口19a喷出的显影液具有在喷出口19a的长度方向上连续延伸的带状截面。
[3]显影处理的具体例
图6及图7是用来说明使用图1的显影装置1的显影处理的具体例的图。图6中以俯视图示出显影处理中的衬底W及显影液喷嘴19的状态。图7中示出图6的Q-Q线剖视图。此外，图6中省略了从显影液喷嘴19喷出到衬底W的显影液的图示。本例的显影处理中，衬底W设为在俯视时顺时针旋转。图6中，以粗实线的箭头CW表示衬底W的旋转方向。
此处，将在衬底W一边以水平姿势被吸附保持一边旋转的状态下，通过衬底W的旋转中心(本例中为衬底W的中心)在衬底W的上表面延伸的假想直线定义为基准直线VB。本例中，基准直线VB与Y方向平行地延伸。另外，本例中，成为显影处理对象的衬底W以其中心位于图1的轴VA上的方式被旋转夹头10吸附保持。在该情况下，基准直线VB成为衬底W的直径。
在以下说明中，将通过从显影液喷嘴19对衬底W喷出显影液而在衬底W的上表面接收显影液的区域称为触液区域。触液区域对应于喷出口19a的形状而在一方向上连续延伸。由此，本例的触液区域具有带形状。
在本实施方式的显影装置1中，当进行显影处理时，以将从显影液喷嘴19喷出的显影液供给到基准直线VB上的方式固定显影液喷嘴19相对于衬底W的姿势。另外，如图6所示，以触液区域RA沿着从基准直线VB倾斜的方向延伸的方式固定显影液喷嘴19相对于衬底W的姿势。此处，触液区域RA以如下方式形成，即，在相对于触液区域RA的一端部，触液区域RA的另一端部比一端部更远离衬底W的旋转中心的状态下，另一端部在衬底的旋转方向上位于比一端部更下游。此时，与触液区域RA延伸的方向平行的直线和基准直线VB之间的角度(以下称为喷嘴角度)α大于0°且小于45°。
另外，当进行显影处理时，以从喷出口19a喷出的显影液的行进方向(以下称为喷出方向)相对于衬底W的上表面倾斜的方式固定显影液喷嘴19的姿势(参照图7)。此时，与喷出方向平行的直线和衬底W的上表面之间的角度(以下称为喷出角度)β设定为30°以上60°以下，优选设定为45°。进而，当进行显影处理时，以从喷出口19a的下端部到衬底W的上表面为止的距离d2成为5mm以上7mm以下、优选为6mm的方式固定显影液喷嘴19的姿势。在该情况下，如图6所示，在俯视时，显影液喷嘴19的喷出口19a与基准直线VB分开。在俯视时，喷出口19a与基准直线VB之间的距离d1例如为5mm以上6mm以下。
当开始显影处理时，如上所述，以在显影液喷嘴19相对于衬底W被固定为特定姿势的状态下，触液区域RA的一端部位于衬底W的旋转中心的方式定位显影液喷嘴19。另外，向旋转的衬底W上供给显影液。由此，如图7所示，从显影液喷嘴19喷出的显影液由触液区域RA接住，以朝向衬底W的旋转方向的下游并且朝向衬底W的外周端部扩散的方式在衬底W上流动。
接着，如图6的中空箭头a1所示，显影液喷嘴19朝向衬底W的外周端部在基准直线VB的方向上以规定速度(例如100mm/sec左右)移动。在进行该移动时，显影液喷嘴19的姿势维持为显影处理开始时的状态。在该情况下，从衬底W的旋转中心向衬底W的外周端部连续地供给显影液。由此，将显影液均匀地供给到衬底W的整个上表面。
接着，当触液区域RA的另一端部到达衬底W的外周端部时，如图6的中空箭头a2所示，显影液喷嘴19朝向衬底W的中心与基准直线VB平行地以规定速度(例如100mm/sec左右)移动。在进行该移动时，显影液喷嘴19的姿势也维持为显影处理开始时的状态。
在该情况下，因为预先已将衬底W的整个上表面充分润湿，所以通过从衬底W的外周端部向衬底W的旋转中心连续地供给显影液，能够在衬底W的上表面稳定地形成显影液的液体层。
之后，当触液区域RA的一端部到达衬底W的旋转中心时，停止从显影液喷嘴19向衬底W供给显影液，进行洗净处理。
此外，在本实施方式的显影处理中，成为处理对象的衬底W的直径为300mm，从显影液喷嘴19供给到衬底W的显影液的流量例如设定为400ml/min左右。另外，利用旋转夹头10的衬底W的旋转速度例如设定为1200rpm左右。
[4]关于图6及图7的显影处理的模拟
在以下说明中，将在显影处理中从显影液开始喷出到显影液覆盖衬底W的整个上表面为止的时间称为覆盖时间。本发明者通过将图6的喷嘴角度α设定为多个值并且进行第1～第3实施例及比较例的模拟，而调查了喷嘴角度α与覆盖时间的关系。
在第1、第2及第3实施例的模拟中，除将喷嘴角度α设定为3°、7°及10°这方面以外，在共通的条件下进行显影处理，求出此时的覆盖时间。在比较例的模拟中，除将喷嘴角度α设定为0°这方面以外，在与第1～第3实施例的模拟相同的条件下进行显影处理，求出此时的覆盖时间。
在第1～第3实施例及比较例的模拟中，作为共通的条件，将喷出角度β设定为45°，将利用旋转夹头10的衬底W的旋转速度设定为1200rpm。另外，将从显影液喷嘴19供给到衬底W的显影液的流量设定为400ml/min，将显影液喷嘴19的移动速度设定为100mm/sec。进而，显影液喷嘴19设为从显影液开始喷出经过0.15sec后开始移动。
通过第1、第2及第3实施例的模拟所获得的覆盖时间分别为0.582sec、0.582sec及0.608sec。另一方面，通过比较例的模拟所获得的覆盖时间为0.632sec。
根据所述模拟结果，如果喷嘴角度α为大于0°且为10°以下的范围，那么与喷嘴角度α为0°的情况相比，覆盖时间较短。覆盖时间较短意味着从显影液喷嘴19喷出并供给到衬底W上的显影液在衬底W的上表面更均匀地扩散。因此，可知通过将喷嘴角度α设定为大于0°，能够减少显影处理所需的显影液的量，并且能以更短时间进行显影处理。
图8是表示第1～第3实施例及比较例的模拟结果的图。在图8中，利用曲线图表示喷嘴角度α与覆盖时间的关系。纵轴表示覆盖时间，横轴表示喷嘴角度α。
在图8的曲线图中，根据第1～第3实施例及比较例的模拟结果获得的4个点表示为与喷嘴角度0°、3°、7°及10°对应的覆盖时间。另外，在图8的曲线图中，示出了对与喷嘴角度0°、3°、7°及10°之间的角度对应的覆盖时间进行插补的曲线。根据该模拟结果及插补曲线，认为在喷嘴角度α处于约3°～约7°的范围内的情况下，覆盖时间显著变小。因此，喷嘴角度α优选为3°以上7°以下。
[5]效果
(a)在所述显影装置1中，当进行显影处理时，在将从显影液喷嘴19喷出的显影液供给到基准直线VB上，且触液区域RA沿着从基准直线VB倾斜的方向延伸的状态下，显影液喷嘴19在基准直线VB的方向上移动。另外，触液区域RA以如下方式形成，即，在相对于触液区域RA的一端部，触液区域RA的另一端部比一端部更远离衬底W的旋转中心的状态下，另一端部在衬底的旋转方向上位于比一端部更下游。在该情况下，显影处理时供给到衬底W的上表面的显影液从触液区域RA迅速地扩散到衬底W的上表面的较广范围。因此，通过使显影液喷嘴19在基准直线VB的方向上移动，而短时间内在衬底W的整个上表面形成均匀的显影液的膜。因此，能够减少衬底W的处理所需的显影液，并且缩短衬底W的显影处理所需的时间，由此提高衬底处理效率。
(b)所述显影装置1中，在显影处理中，从显影液喷嘴19喷出的显影液的喷出方向相对于衬底W的上表面倾斜。由此，在俯视时，显影液喷嘴19的喷出口19a与基准直线VB分开。另外，所述显影装置1中，在俯视时，从显影液喷嘴19的喷出口19a朝向衬底W的旋转方向的下游喷出显影液。
在该情况下，在衬底W的上表面，触液区域RA中被供给显影液的方向与衬底W的旋转方向大致一致，由此，显影液从触液区域RA顺利地扩散到该触液区域RA的下游侧。另外，即使在触液区域RA中被供给的显影液的一部分向衬底W的上方飞溅的情况下，飞溅的液滴也会向朝向衬底W的旋转方向的下游的方向、也就是远离显影液喷嘴19的方向飞散。由此，防止在衬底W的上表面飞溅的显影液的液滴附着在显影液喷嘴19，从而防止因显影液喷嘴19受污染而产生微粒。
[6]显影液喷嘴19的变化例
在本实施方式中，显影液喷嘴19也可构成为具有在一方向上间断配置的多个喷出口。图9是变化例的显影液喷嘴19的外观立体图。对于图9的显影液喷嘴19，说明与图3的显影液喷嘴19不同的方面。
如图9所示，在变化例的显影液喷嘴19中，流路19c具有包含主流路193及多个(本例中为5个)副流路194a、194b、194c、194d、194e的分支流路的构成。主流路193的上游端连接于液体导入部19b，主流路193的下游端连接于副流路194a～194e的上游端。另外，在副流路194a、194b、194c、194d、194e的下游端设置着多个(本例中为5个)喷出管pa、pb、pc、pd、pe。5个喷出管pa、pb、pc、pd、pe的下游端构成5个喷出口195a、195b、195c、195d、195e。
在该情况下，从显影液喷嘴19喷出的显影液具有在5个喷出口195a、195b、195c、195d、195e排列的方向上间断地延伸的截面。由此，当进行显影处理时，形成具有与所述示例大致相同形状的触液区域RA。因此，认为在使用本变化例的显影液喷嘴19进行所述显影处理的情况下，也能够获得与所述示例相同的效果。
[7]具备图1的显影装置1的衬底处理装置
图10是表示具备图1的显影装置1的衬底处理装置的整体构成的示意性框图。如图10所示，衬底处理装置100邻接于曝光装置500而设置，具备控制装置110、搬送装置120、涂布处理部130、显影处理部140及热处理部150。
控制装置110例如包含CPU及存储器、或微型计算机，控制搬送装置120、涂布处理部130、显影处理部140及热处理部150的动作。搬送装置120在涂布处理部130、显影处理部140、热处理部150及曝光装置500之间搬送衬底W。
涂布处理部130包含作为液体处理装置的另一例的多个涂布装置2。在各涂布装置2中，进行在衬底W上形成抗蚀膜的涂布处理。本例的各涂布装置2具有与所述显影装置1基本相同的构成。
具体来说，各涂布装置2包含旋转夹头210、处理液喷嘴211、处理液供给系统212及移动部213。旋转夹头210例如具有与图1的旋转夹头10相同的构成，将衬底W以水平姿势吸附保持且通过未图示的马达使衬底W绕铅垂轴旋转。处理液喷嘴211例如具有与图3或图9的显影液喷嘴19相同的构成，向利用旋转夹头210而旋转的衬底W上喷出抗蚀膜用处理液(抗蚀液)。移动部213包含例如图1的导轨16、第1驱动部17及第1臂18。移动部213与所述图6及图7的示例同样地，在对通过衬底W的旋转中心的基准直线VB的直线上供给抗蚀液且触液区域RA沿着从基准直线VB倾斜的方向延伸的状态下，使处理液喷嘴211在基准直线VB的方向上移动。处理液供给系统212对处理液喷嘴211供给抗蚀液。
通过此种构成，在各涂布装置2中，利用与所述显影处理基本相同的方法进行涂布处理。由此，与所述显影装置1的示例同样地，减少涂布处理中所需的抗蚀液的量，并且缩短涂布处理的时间。对通过涂布处理而形成了抗蚀膜的衬底W，在曝光装置500中进行曝光处理。
显影处理部140包含多个显影装置1。各显影装置1通过对利用曝光装置500进行曝光处理后的衬底W供给显影液而对衬底W进行显影处理。热处理部150在利用涂布处理部130的涂布装置2进行涂布处理、利用显影处理部140进行显影处理、及利用曝光装置500进行曝光处理的前后对衬底W进行热处理。
在图10的衬底处理装置100中，显影装置1中显影液的使用量减少，并且在短时间内进行显影处理。另外，涂布装置2中抗蚀液的使用量减少，并且在短时间内进行涂布处理。因此，衬底W的制造成本降低。
此外，在图10的涂布处理部130中，也可在衬底W形成抗反射膜。在该情况下，热处理部150也可进行用来提高衬底W与抗反射膜的密接性的密接强化处理。另外，在涂布处理部130中，也可在形成着抗蚀膜的衬底W形成用来保护抗蚀膜的抗蚀剂覆盖膜。这些情况下，在涂布处理部130中，在衬底W形成抗反射膜的涂布装置、在衬底W形成抗蚀剂覆盖膜的涂布装置也可分别具有与所述显影装置1及涂布装置2相同的构成。
[8]其它实施方式
(a)在所述实施方式的显影装置1中，冲洗液喷嘴34也可具有与显影液喷嘴19相同的构成。在该情况下，能够减少显影处理后的洗净处理所需的冲洗液，并且缩短衬底W的洗净处理所需的时间，由此提高衬底处理效率。
(b)在所述实施方式的显影装置1中，冲洗液喷嘴34与显影液喷嘴19分开构成，但冲洗液喷嘴34与显影液喷嘴19也可一体地构成。
(c)在所述实施方式的显影装置1中，当进行显影处理时，以显影液的喷出方向相对于衬底W的上表面倾斜的方式固定显影液喷嘴19的姿势，但本发明并不限定于此。当进行显影处理时，也可以显影液的喷出方向相对于衬底W的上表面正交的方式固定显影液喷嘴19的姿势。
(d)在所述实施方式的显影装置1中，在显影处理中，触液区域RA从衬底W的旋转中心向衬底W的外周端部移动后，触液区域RA从衬底W的外周端部向衬底W的旋转中心移动，但本发明并不限定于此。
在显影处理中，也可以触液区域RA仅从衬底W的旋转中心向衬底W的外周端部移动的方式控制显影液喷嘴19的动作。或者，也可以触液区域RA仅从衬底W的外周端部向衬底W的旋转中心移动的方式控制显影液喷嘴19的动作。
(e)所述实施方式是将本发明应用于显影装置1及涂布装置2的示例，但并不限于此，也可将本发明应用于洗净装置等其它液体处理装置。
[9]技术方案的各构成要素与实施方式的各要素的对应
以下，对技术方案的各构成要素与实施方式的各要素的对应例进行说明，但本发明并不限定于下述例。
在所述实施方式中，显影装置1及涂布装置2是液体处理装置的示例，旋转夹头10、210是旋转保持部的示例，图3的显影液喷嘴19的喷出口19a是一个喷出口的示例，图9的显影液喷嘴19的多个喷出口195a、195b、195c、195d、195e是多个喷出口的示例，触液区域RA的一端部是触液区域的第1端部的示例，触液区域RA的另一端部是触液区域的第2端部的示例。
另外，图3及图9的显影液喷嘴19及图10的处理液喷嘴211是喷嘴的示例，图2的显影液供给系统81及图10的处理液供给系统212是处理液供给系统的示例，基准直线VB是衬底上表面的直线的示例，图1的导轨16、第1驱动部17及第1臂18以及图10的移动部213是移动部的示例。
作为技术方案的各构成要素，也可使用具有技术方案中所记载的构成或功能的其它各种要素。

Claims (12)

1.一种液体处理装置，通过对衬底供给处理液来进行规定处理，且具备：
旋转保持部，将衬底以水平姿势保持且使之绕铅垂轴旋转；
喷嘴，具有在一方向上连续延伸的一个喷出口或在所述一方向上间断配置的多个喷出口，将处理液喷出到利用所述旋转保持部而旋转的衬底上表面；
处理液供给系统，对所述喷嘴供给处理液；及
移动部，在将从所述喷嘴喷出的处理液的一部分供给到通过利用所述旋转保持部而旋转的衬底的旋转中心的衬底上表面的直线上，且衬底上表面的接收所述处理液的触液区域沿着从所述直线倾斜的方向延伸的状态下，使所述喷嘴在所述直线方向上移动；且
所述触液区域具有第1及第2端部，所述第2端部比所述第1端部更远离所述衬底的旋转中心，且在衬底的旋转方向上位于比所述第1端部更下游。
2.根据权利要求1所述的液体处理装置，其中所述移动部在俯视时所述一个喷出口或所述多个喷出口远离所述直线且从所述一个喷出口或所述多个喷出口朝向衬底旋转方向的下游喷出处理液的状态下，使所述喷嘴移动。
3.根据权利要求1或2所述的液体处理装置，其中所述喷嘴具有所述一个喷出口，
所述一个喷出口是以在所述一方向上连续延伸的方式形成的狭缝。
4.根据权利要求1或2所述的液体处理装置，其中所述移动部以所述触液区域从衬底的旋转中心移动到衬底的外周端部的方式使所述喷嘴移动。
5.根据权利要求4所述的液体处理装置，其中所述移动部在所述触液区域移动到衬底的外周端部后，进而以所述触液区域从衬底的外周端部返回到衬底的旋转中心的方式使所述喷嘴移动。
6.根据权利要求4所述的液体处理装置，其中所述移动部在所述喷嘴开始移动时，以所述触液区域的所述第1端部位于衬底的旋转中心的方式定位所述喷嘴。
7.一种液体处理方法，通过对衬底供给处理液来进行规定处理，且包括如下步骤：
将衬底以水平姿势保持且使之绕铅垂轴旋转；
对具有在一方向上连续延伸的一个喷出口或在所述一方向上间断配置的多个喷出口的喷嘴供给处理液，从所述喷嘴向所述旋转的衬底上表面喷出处理液；及
在将从所述喷嘴喷出的处理液的一部分供给到通过所述旋转的衬底的旋转中心的衬底上表面的直线上，且衬底上表面的接收所述处理液的触液区域沿着从所述直线倾斜的方向延伸的状态下，使所述喷嘴在所述直线的方向上移动；且
所述触液区域具有第1及第2端部，所述第2端部比所述第1端部更远离所述衬底的旋转中心，且在衬底的旋转方向上位于比所述第1端部更下游。
8.根据权利要求7所述的液体处理方法，其中使所述喷嘴在所述直线的方向上移动的步骤包括：在俯视时所述一个喷出口或所述多个喷出口远离所述直线且从所述一个喷出口或所述多个喷出口朝向衬底旋转方向的下游喷出处理液的状态下，使所述喷嘴移动。
9.根据权利要求7或8所述的液体处理方法，其中所述喷嘴具有所述一个喷出口，且所述一个喷出口是以在所述一方向上连续延伸的方式形成的狭缝。
10.根据权利要求7或8所述的液体处理方法，其中使所述喷嘴在所述直线的方向上移动的步骤包括：以所述触液区域从衬底的旋转中心移动到衬底的外周端部的方式使所述喷嘴移动。
11.根据权利要求10所述的液体处理方法，其中使所述喷嘴在所述直线的方向上移动的步骤包括：在所述触液区域移动到衬底的外周端部后，进而以所述触液区域从衬底的外周端部返回到衬底的旋转中心的方式使所述喷嘴移动。
12.根据权利要求10所述的液体处理方法，其中使所述喷嘴在所述直线的方向上移动的步骤包括：在所述喷嘴开始移动时，以所述触液区域的所述第1端部位于衬底的旋转中心的方式定位所述喷嘴。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022178694A (ja) * 2021-05-20 2022-12-02 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 塗布処理方法および塗布処理装置
JP2022178623A (ja) * 2021-05-20 2022-12-02 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 塗布処理方法および塗布処理装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04369325A (ja) * 1991-06-14 1992-12-22 Nippon Tungsten Co Ltd Ｐｔｃセラミック素子を用いた薄形パネルヒータ
CN1918694A (zh) * 2003-12-26 2007-02-21 东京毅力科创株式会社 显影装置及显影方法
CN106257639A (zh) * 2015-06-18 2016-12-28 株式会社思可林集团 基板处理装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3465146B2 (ja) * 1994-09-29 2003-11-10 東京エレクトロン株式会社 現像装置
US5962070A (en) 1997-09-25 1999-10-05 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treating method and apparatus
JPH11111603A (ja) 1997-10-07 1999-04-23 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板現像方法及びその装置
JP2000292937A (ja) * 1999-04-07 2000-10-20 Sony Corp 現像装置および現像方法
JP5323374B2 (ja) 2008-03-24 2013-10-23 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 現像装置および現像方法
JP5317504B2 (ja) 2008-03-24 2013-10-16 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 現像装置および現像方法
JP5538102B2 (ja) * 2010-07-07 2014-07-02 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板洗浄方法および基板洗浄装置
JP6064875B2 (ja) * 2013-11-25 2017-01-25 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
JP6545464B2 (ja) * 2015-01-07 2019-07-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 現像方法
US10332761B2 (en) * 2015-02-18 2019-06-25 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus
JP6569574B2 (ja) * 2016-03-24 2019-09-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP6789038B2 (ja) * 2016-08-29 2020-11-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP7073658B2 (ja) * 2017-09-25 2022-05-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置、及び記憶媒体
JP6933960B2 (ja) * 2017-11-15 2021-09-08 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04369325A (ja) * 1991-06-14 1992-12-22 Nippon Tungsten Co Ltd Ｐｔｃセラミック素子を用いた薄形パネルヒータ
CN1918694A (zh) * 2003-12-26 2007-02-21 东京毅力科创株式会社 显影装置及显影方法
CN101697065A (zh) * 2003-12-26 2010-04-21 东京毅力科创株式会社 显影装置及显影方法
CN106257639A (zh) * 2015-06-18 2016-12-28 株式会社思可林集团 基板处理装置

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