TW201808479A - 清洗裝置、具備該清洗裝置之鍍覆裝置、以及清洗方法 - Google Patents

清洗裝置、具備該清洗裝置之鍍覆裝置、以及清洗方法 Download PDF

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Abstract

本案提供一種減少對基板表面的抗蝕圖案和/或佈線等造成的影響且對基板進行清洗的清洗裝置、具有該清洗裝置之鍍覆裝置、以及清洗方法。清洗裝置具有：被處理物的入口；上述被處理物的出口；第1搬送路徑，搬送從入口投入的被處理物；第2搬送路徑，向與在第1搬送路徑中搬送被處理物的方向相反的方向搬送被處理物，與第1搬送路徑及上述出口相連；清洗單元，配置在第1搬送路徑上，以非接觸式對被處理物進行清洗；和乾燥單元，配置在第1搬送路徑上，以非接觸式對被處理物進行乾燥。第1搬送路徑和第2搬送路徑沿上下方向排列地配置。第2搬送路徑位於第1搬送路徑的上方，在終點與上述出口相連。第2搬送路徑作為暫時地保管被處理物的儲料器而發揮功能。

Description

清洗裝置、具備該清洗裝置之鍍覆裝置、以及清洗方法
本發明涉及清洗裝置、具備該清洗裝置之鍍覆裝置、以及清洗方法。
以往，進行在半導體晶片、印刷基板等基板的表面上形成佈線和/或凸塊(bump)(突起狀電極)等的作業。作為形成該佈線及凸塊等的方法，公知有電解鍍覆法。
在用於電解鍍覆法的鍍覆裝置中，通常對具有300mm的直徑的晶片等圓形基板進行鍍覆處理。但是，近年來，不再受限於這樣的圓形基板，還謀求對方形基板進行鍍覆。當在鍍覆裝置中對圓形基板進行了鍍覆的情況下，以往，進行鍍覆後的圓形基板在SRD(Spin Rinse Dryer：旋幹機)中進行清洗及乾燥。SRD一邊使基板旋轉一邊進行清洗及乾燥。
但是，方形基板根據產品種類而大小或剛性各種各樣。普通的SRD構成為能夠清洗規定尺寸的基板，因此存在無法對大的方形基板進行清洗及乾燥的情況。另外，剛性小的方形基板有時會彎曲，因此在該情況下也難以通過SRD來恰當地進行清洗及乾燥。同樣地，大的圓形基板也 同樣地存在無法通過SRD來進行清洗及乾燥的情況。
以往，作為對方形的基板等進行清洗及乾燥的裝置，公知有使輥型海綿與基板表面接觸來進行清洗的清洗裝置(例如參照專利文獻1)、對基板表面噴射清洗液並通過海綿輥來吸收該清洗液的清洗裝置(例如參照專利文獻2)等。
【先前技術文獻】
專利文獻
專利文獻1：日本特開第2010-064196號公報
專利文獻2：日本特開第2008-110471號公報
在進行鍍覆處理後的方形基板的表面上形成有佈線和抗蝕圖案。因此，在使用專利文獻1及專利文獻2所公開的清洗裝置並使海綿與基板表面物理性地直接接觸來進行清洗的情況下，有可能會使抗蝕圖案剝離而成為顆粒並附著在方形基板上、或使佈線圖案潰散。即使是圓形基板也是同樣地，在專利文獻1及專利文獻2所公開的清洗裝置中，可能會產生同樣的問題。
本發明是鑒於上述問題而研發的。其目的在於減少對基板表面的抗蝕圖案和/或佈線等造成的影響且對基板進行清洗。
根據本發明的一個方式，提供一種清洗裝置。該清洗裝置具有：被處理物的入口；上述被處理物的出口；第1搬送路徑，其搬送 從上述入口投入的上述被處理物；第2搬送路徑，其向與在上述第1搬送路徑中搬送上述被處理物的方向相反的方向搬送上述被處理物，且與上述第1搬送路徑及上述出口相連；清洗單元，其配置在上述第1搬送路徑上，且以非接觸式對上述被處理物進行清洗；和乾燥單元，其配置在上述第1搬送路徑上，且以非接觸式對上述被處理物進行乾燥。上述第1搬送路徑和上述第2搬送路徑沿上下方向排列地配置。上述第2搬送路徑位於上述第1搬送路徑的上方，在終點與上述出口相連。上述第2搬送路徑作為暫時地保管上述被處理物的儲料器(stocker)而發揮功能。
根據本發明的一個其他方式，提供一種清洗裝置。該清洗裝置具有：被處理物的入口；上述被處理物的出口；第1搬送路徑，其搬送從上述入口投入的上述被處理物；第2搬送路徑，其向與在上述第1搬送路徑中搬送上述被處理物的方向相反的方向搬送上述被處理物，且與上述第1搬送路徑及上述出口相連；清洗單元，其配置在上述第1搬送路徑上，且以非接觸式對上述被處理物進行清洗；和乾燥單元，其配置在上述第1搬送路徑上，且以非接觸式對上述被處理物進行乾燥。上述清洗裝置還具有：對上述出口進行開閉的出口閘門；和配置在上述第2搬送路徑的終點且從上方朝向下方送出氣體的送風單元。上述第2搬送路徑作為暫時地保管上述被處理物的儲料器而發揮功能。
根據本發明的一個其他方式，提供一種清洗裝置。該清洗裝置具有：被處理物的入口；上述被處理物的出口；第1搬送路徑，其搬送從上述入口投入的上述被處理物；第2搬送路徑，其向與在上述第1搬送路徑中搬送上述被處理物的方向相反的方向搬送上述被處理物，且 與上述第1搬送路徑及上述出口相連；清洗單元，其配置在上述第1搬送路徑上，且以非接觸式對上述被處理物進行清洗；和乾燥單元，其配置在上述第1搬送路徑上，且以非接觸式對上述被處理物進行乾燥。上述第1搬送路徑和上述第2搬送路徑沿上下方向排列地配置，上述第2搬送路徑位於上述第1搬送路徑的上方，且在終點與上述出口相連。上述清洗裝置還具有：對上述出口進行開閉的出口閘門；和配置在上述第2搬送路徑的上述終點且從上方朝向下方送出氣體的送風單元。
根據本發明的一個其他方式，提供一種在清洗裝置中對被處理物進行清洗的方法，其中該清洗裝置具有：上述被處理物的入口；上述被處理物的出口；第1搬送路徑，其搬送從上述入口投入的上述被處理物；第2搬送路徑，其向與在上述第1搬送路徑中搬送上述被處理物的方向相反的方向搬送上述被處理物，且與上述第1搬送路徑及上述出口相連；和出口閘門，其對上述出口進行開閉。該清洗方法具有：從上述入口將上述被處理物向上述清洗裝置投入的工序；沿著上述第1搬送路徑搬送上述被處理物的工序；在上述第1搬送路徑中以非接觸式對上述被處理物進行清洗的清洗工序；在上述第1搬送路徑中以非接觸式對上述被處理物進行乾燥的乾燥工序；沿著上述第2搬送路徑搬送上述被處理物的工序；和將上述被處理物從上述出口取出的工序。上述第1搬送路徑和上述第2搬送路徑沿上下方向排列地配置。上述第1搬送路徑位於上述第2搬送路徑的下方，且在終點與上述出口相連。上述清洗方法還具有在上述第2搬送路徑的上述終點從上方朝向下方送出氣體的送風工序。
27、27a、27b‧‧‧基板搬送裝置
50‧‧‧清洗裝置
51‧‧‧入口
51a‧‧‧入口閘門
52‧‧‧第1搬送路徑
53‧‧‧鉛垂搬送路徑
54‧‧‧第2搬送路徑
55‧‧‧出口
55a‧‧‧出口閘門
57、57a、57b‧‧‧清洗單元
58‧‧‧乾燥單元
61‧‧‧鉛垂搬送機構
62‧‧‧送風單元
圖1是具有本實施方式的清洗裝置的鍍覆裝置的整體配置圖。
圖2是清洗裝置的概略側剖視圖。
圖3是具有本實施方式的清洗裝置的其他鍍覆裝置的整體配置圖。
以下，參照附圖來說明本發明的實施方式。在以下所說明的附圖中，對相同或相當的結構要素標注相同的附圖標記並省略重複的說明。圖1是具有本實施方式的清洗裝置的鍍覆裝置的整體配置圖。如圖1所示，該鍍覆裝置100大致分為在基板保持件上裝載基板(相當於被處理物的一個例子)或從基板保持件卸載基板的裝載/卸載部110、對基板進行處理的處理部120、和清洗部50a。處理部120還包含進行基板的前處理及後處理的前處理-後處理部120A、和對基板進行鍍覆處理的鍍覆處理部120B。此外，通過該鍍覆裝置100進行處理的基板包含方形基板、圓形基板。另外，方形基板包含方形的印刷基板和其他鍍覆物件物。
裝載/卸載部110具有兩台匣盒載台(cassette table)25和基板拆裝機構29。匣盒載台25搭載收納了半導體晶片和/或印刷基板等基板的匣盒25a。基板拆裝機構29構成為將基板向未圖示的基板保持件裝拆。另外，在基板拆裝機構29附近(例如下方)設有用於收納基板保持件的儲料器30。在這些單元25、29、30的中央配置有在這些單元之間搬送基板的由搬送用機械手構成的基板搬送裝置27。基板搬送裝置27構成為能夠通過行進機構28而行進。
清洗部50a具有對鍍覆處理後的基板進行清洗並使其乾燥 的清洗裝置50。基板搬送裝置27構成為將鍍覆處理後的基板向清洗裝置50搬送並將進行了清洗的基板從清洗裝置50取出。關於清洗裝置50的詳細情況，將與後述的圖2一起說明。
前處理-後處理部120A具有預濕(prewet)槽32、預浸(presoak)槽33、預洗(prerinse)槽34、排水槽35和清洗(rinse)槽36。在預濕槽32中，基板被浸漬到純水中。在預浸槽33中，將形成在基板的表面上的晶種層(seed layer)等導電層的表面的氧化膜蝕刻除去。在預洗槽34中，將預浸後的基板與基板保持件一起通過清洗液(純水等)進行清洗。在排水槽35中，進行清洗後的基板的去水。在清洗槽36中，將鍍覆後的基板與基板保持件一起通過清洗液進行清洗。預濕槽32、預浸槽33、預洗槽34、排水槽35、清洗槽36按該順序配置。
鍍覆處理部120B具有多個具備溢流槽38的鍍覆槽39。各鍍覆槽39在內部收納一個基板，並使基板浸漬到內部所保持的鍍覆液中來對基板表面進行鍍銅等鍍覆。在此，鍍覆液的種類並沒有特別限定，能夠根據用途而使用各種鍍覆液。
鍍覆裝置100具有位於這些各設備的側方且在這些各設備之間將基板保持件與基板一起搬送的、例如採用了線性馬達方式的基板保持件搬送裝置37。該基板保持件搬送裝置37構成為在基板拆裝機構29、預濕槽32、預浸槽33、預洗槽34、排水槽35、清洗槽36及鍍覆槽39之間搬送基板保持件。
接下來，詳細地說明圖1所示的清洗裝置50。圖2是清洗裝置50的概略側剖視圖。清洗裝置50具有基板W1的入口51、第1搬送路 徑52、鉛垂搬送路徑53、第2搬送路徑54和基板W1的出口55。如圖示那樣，第1搬送路徑52和第2搬送路徑54沿上下方向排列地配置，第1搬送路徑52位於第2搬送路徑的下方。第1搬送路徑52是與入口51連通並搬送從入口51投入的基板W1的路徑。第2搬送路徑54是向與在第1搬送路徑52中搬送基板W1的方向相反的方向搬送基板W1的路徑。第2搬送路徑54經由鉛垂搬送路徑53而與第1搬送路徑52相連，且也與出口55連通。鉛垂搬送路徑53是以將第1搬送路徑52和第2搬送路徑54連接的方式沿鉛垂方向延伸的路徑。
在入口51設有用於對入口51進行開閉的入口閘門51a。另外，在出口55設有用於對出口55進行開閉的出口閘門55a。在清洗裝置50如本實施方式那樣搭載於鍍覆裝置100的情況下、搭載於例如CMP裝置等的情況下，清洗裝置50內會漂浮因清洗而產生的顆粒，因此與鍍覆裝置100或CMP裝置等的氣體環境相比，清潔度可能會降低。雖然只要將清洗裝置50內維持成負壓，就能夠抑制清洗裝置50內的顆粒向清洗裝置50外部流出，但也有可能存在由於壓力調整裝置的故障等而無法將清洗裝置50內維持成負壓的情況。在本實施方式中，由於能夠通過入口閘門51a及出口閘門55a將清洗裝置50的內部與外部分離，所以能夠進一步抑制清洗裝置50內的顆粒向外部流出。
如圖所示，在第1搬送路徑52上設有將基板W1朝向鉛垂搬送路徑53搬送的具有多個輥等的水準搬送機構56。水準搬送機構56可以構成為以根據基板W1的強度和/或材質等而僅在規定部位與基板W1接觸的方式配置輥。例如，能夠以水準搬送機構56的輥僅與基板W1的寬度 方向中央部和兩邊緣部接觸的方式配置水準搬送機構56的輥。在第1搬送路徑52的入口51附近能夠設置進行從入口51投入的基板W1的位置調整的對準機構。由此，能夠將從入口51投入的基板W1配置在水準搬送機構56上的恰當位置。
另外，在第1搬送路徑52上設有對基板W1進行清洗的清洗單元57、和對基板W1進行乾燥的乾燥單元58。在一個實施方式中，清洗單元57具有第1清洗單元57a、和位於第1清洗單元57a的下游側的第2清洗單元57b。第1清洗單元57a將DIW(De-Ionized Water：去離子水；相當於清洗液的一個例子)向基板W1的兩面或單面噴射來對基板W1進行清洗。第2清洗單元57b將DIW和氣體同時向基板W1的兩面或單面進行噴流噴射，來除去基板W1表面的顆粒。作為在第2清洗單元57b中噴射的氣體，能夠使用清潔乾燥氣體、氮氣。第1清洗單元57a及第2清洗單元57b是使用液體或氣體來對基板W1進行清洗的所謂非接觸式的清洗單元。乾燥單元58是例如從細長的狹縫將壓縮氣體以薄層狀噴出的所謂風刀(air knife)，對附著在基板W1的兩面或單面上的清洗液進行除去或乾燥。乾燥單元58是使用氣體來對基板W1進行乾燥的所謂非接觸式的乾燥單元。
第1清洗單元57a、第2清洗單元57b及乾燥單元58分別被獨立的腔室包圍，將各個腔室之間連通的開口通過未圖示的風簾(air curtain)等來分離氣體環境。在第1清洗單元57a及第2清洗單元57b上連接有用於將DIW向這些單元供給的DIW供給管路59。另外，在第2清洗單元57b及乾燥單元58上連接有用於將氣體向這些單元供給的氣體供給管路60。在DIW供給管路59上設有用於捕獲DIW中的顆粒的篩檢程式59a、 和測定DIW的流量的流量計59b。在氣體供給管路60上設有用於捕獲氣體中的顆粒的篩檢程式60a。
在鉛垂搬送路徑53上設有受理通過水準搬送機構56而被搬送的基板W1、並將基板W1從第1搬送路徑52朝向第2搬送路徑54沿鉛垂方向搬送的鉛垂搬送機構61。鉛垂搬送機構61具有例如支承基板W1的支承台、和使支承台升降的升降機構。鉛垂搬送機構61也可以具有用於從支承台向設在第2搬送路徑54上的未圖示的水準搬送機構交付基板W1的輥等基板搬送機構。在如本實施方式那樣第1搬送路徑52和第2搬送路徑54沿上下方向排列地配置的情況下，也能夠通過鉛垂搬送機構61將基板W1從第1搬送路徑52搬送到第2搬送路徑54。
在第2搬送路徑54上設有用於將鉛垂搬送機構61搬送的基板W1朝向出口55水準搬送的未圖示的水準搬送機構。該水準搬送機構可以與水準搬送機構56同樣地由輥等構成，也可以由公知的機械手構成。另外，在第2搬送路徑54上設有從上方朝向下方送出氣體的FFU(Fun Filter Unit：風機過濾單元)等送風單元62。在圖示的例子中，送風單元62在第2搬送路徑54的起點附近和終點附近分別各設有一個。作為從送風單元62送出的氣體，能夠使用例如清潔乾燥氣體、氮氣。在第2搬送路徑54的出口55附近能夠設置進行從出口55取出的基板W1的位置調整的對準機構。由此，能夠將基板W1配置在水準搬送機構56上的恰當位置，圖1所示的基板搬送裝置27能夠更加可靠地保持基板W1並將其從出口55取出。
說明使用以上所說明的清洗裝置50對基板W1進行清洗的 過程。首先，由基板搬送裝置27保持在圖1所示的鍍覆裝置100中進行鍍覆後的基板W1。此時，基板W1通過圖1所示的排水槽35而被去水，但其表面會稍微潤濕。當清洗裝置50的入口閘門51a打開時，基板搬送裝置27經由入口51向清洗裝置50內投入基板W1。當將基板W1投入到清洗裝置50後，入口閘門51a被關閉。清洗裝置50的水準搬送機構56沿著第1搬送路徑52搬送被從入口51投入的基板W1。基板W1在第1搬送路徑52中被搬送的期間，通過第1清洗單元57a及第2清洗單元57b以非接觸式被清洗。具體地說，首先第1清洗單元57a對基板W1的表面噴射DIW來進行清洗，接著第2清洗單元57b對基板W1的表面同時噴射清洗液及氣體來進行清洗。然後，基板W1在乾燥單元58中通過風刀被除去清洗液且被乾燥。
從第1搬送路徑52通過了的基板W1被鉛垂搬送機構61受理。鉛垂搬送機構61從第1搬送路徑52朝向第2搬送路徑54沿鉛垂方向搬送基板W1。被搬送到第2搬送路徑54上的基板W1通過未圖示的水準搬送機構而沿著第2搬送路徑54被搬送。送風單元62在第2搬送路徑54中從上方朝向下方送出氣體。由此，能夠將清洗裝置50內的顆粒向下方壓制，從而能夠將第2搬送路徑54的氣體環境保持得乾淨。
當將基板W1搬送至出口55附近時，出口閘門55a被打開，圖1所示的基板搬送裝置27經由出口55將基板W1取出到清洗裝置50外。基板搬送裝置27將從清洗裝置50取出的基板W1收納到圖1所示的匣盒載台25內的匣盒25a中。
此外，清洗裝置50也能夠在將第2搬送路徑54中搬送的基板W1取出到清洗裝置50外之前暫時地將其保管在第2搬送路徑54中。 即，第2搬送路徑54也作為暫時地保管基板W1的儲料器而發揮功能。具體地說，例如第2搬送路徑54的未圖示的水準搬送機構停止基板W1的搬送，由此能夠將基板W1暫時地保管在第2搬送路徑54中。由於第2搬送路徑54與第1搬送路徑52相比位於上方，且通過送風單元62將顆粒向下方(第1搬送路徑52側)壓制，所以第2搬送路徑54具有比第1搬送路徑52乾淨的氣體環境。因此，能夠在比較正常的氣體環境中暫時地保管基板W1，即使使圖1所示的鍍覆裝置100的處理量(through-put)優先地對基板W1進行鍍覆，也能夠在任意的恰當時刻將基板W1從清洗裝置50取出。
如以上所說明地那樣，根據本實施方式的清洗裝置，基板W1以非接觸式被清洗且以非接觸式被乾燥，因此能夠減少對基板W1的表面的抗蝕圖案和/或佈線等造成的影響。在此，“非接觸式”是指海綿輥等固體不與基板W1接觸的方式。另外，在第1搬送路徑52和第2搬送路徑54中向相反方向搬送基板W1，因此通過第1搬送路徑52和第2搬送路徑54形成了往復路徑，從而能夠減少清洗裝置50整體的長度且確保足夠的路徑長。另外，由於通過第1搬送路徑52和第2搬送路徑54形成了往復路徑，所以能夠將入口51和出口55接近地配置。由此，一台基板搬送裝置27能夠不進行大幅移動地向入口51投入基板W1、從出口55取出基板W1。
另外，根據本實施方式，基板W1在與入口51相連的第1搬送路徑52中被清洗及乾燥，然後，從第2搬送路徑54通過而向出口55搬送。假設不是在與入口51相連的第1搬送路徑52中、而是在與出口55相連的第2搬送路徑54中設置清洗單元57及乾燥單元58並對基板W1進行 清洗及乾燥，該情況下，由於是在從第1搬送路徑52通過後在第2搬送路徑54中進行清洗及乾燥，所以基板W1在第2搬送路徑54中被清洗及乾燥之前需要時間。在該情況下，在基板W1被清洗及乾燥之前，附著在基板W1表面上的鍍覆液等處理液會自然乾燥，處理液中所包含的顆粒會附著在基板W1表面上而難以除去。對此，根據本實施方式，能夠在第1搬送路徑52中立刻對從入口51投入的基板W1進行清洗及乾燥，因此能夠在基板W1表面的處理液自然乾燥之前進行清洗及乾燥。進而能夠防止顆粒附著在基板W1表面上而難以除去。
另外，根據本實施方式，第1搬送路徑52和第2搬送路徑54沿上下方向排列地配置，因此能夠減少第1搬送路徑52和第2搬送路徑54的配置所需的清洗裝置50的佔用空間(foot-print)。另外，由於第1搬送路徑52位於第2搬送路徑54的下方，所以能夠使因清洗而產生的顆粒滯留在下方的第1搬送路徑52，而在具有比第1搬送路徑52乾淨的氣體環境的第2搬送路徑54中搬送基板W1。進而能夠抑制進行清洗及乾燥後的基板W1與空氣中的顆粒接觸。此外，並不限於此，也可以是以配置有清洗單元57及乾燥單元58的第1搬送路徑52位於第2搬送路徑54的上方的方式進行配置。另外，若對清洗裝置50的設置面積沒有嚴格限制，則也可以將第1搬送路徑52和第2搬送路徑54沿橫向排列地配置。在該情況下，代替鉛垂搬送路徑53而設置有將第1搬送路徑52和第2搬送路徑54連接的水準方向的搬送路徑，路徑整體成為大致U字形。
在本實施方式中，以清洗單元57具有第1清洗單元57a及第2清洗單元57b進行了說明，但並不限於此，也可以僅具有第1清洗單元57a 及第2清洗單元57b中的某一方。例如，如本實施方式那樣通過鍍覆裝置100進行鍍覆後的基板W1與通過基板研磨裝置進行處理後的基板相比，附著在基板W1上的顆粒少，因此在這樣的情況下也可以省略第1清洗單元57a。另外，本實施方式的清洗裝置50設於鍍覆裝置100，但並不限於此，也可以設於基板研磨裝置等其他基板處理裝置。因此，由清洗裝置50清洗的被處理物除圓形基板及方形基板以外還包含其他任意物件物。另外，以鍍覆裝置100使用基板保持件來對基板W1進行鍍覆進行了說明，但本實施方式的清洗裝置50也能夠配置於不使用基板保持件地對基板進行鍍覆的鍍覆裝置。
接下來說明具有本實施方式的清洗裝置的其他鍍覆裝置的例子。圖3是具有本實施方式的清洗裝置的其他鍍覆裝置的整體配置圖。如圖3所示，鍍覆裝置200大致分為在基板保持件上裝載基板的裝載部210、對基板進行處理的處理部220、從基板保持件卸載基板的卸載部230、和清洗部50a。處理部220還包含進行基板的前處理的前處理部220A、對基板進行鍍覆處理的鍍覆處理部220B、和進行基板的後處理的後處理部220C。此外，在該鍍覆裝置200中進行處理的基板與圖1所示的鍍覆裝置100同樣地包含方形基板、圓形基板。另外，方形基板包含方形的印刷基板和其他鍍覆物件物。
在裝載部210上配置有兩台匣盒載台25、基板拆裝機構29a、儲料器30、基板搬送裝置27a和基板搬送裝置27a的行進機構28a。裝載部210的基板拆裝機構29a使基板保持在未圖示的基板保持件上。
在裝載部210的後級側配置有前處理部220A。前處理部 220A具有預濕槽32、預浸槽33和預洗槽34。預濕槽32、預浸槽33、預洗槽34按該順序進行配置。
在前處理部220A的後級側配置有鍍覆處理部220B。鍍覆處理部220B具有多個具備溢流槽38的鍍覆槽39。在鍍覆處理部220B的後級側配置有後處理部220C。後處理部220C具有清洗槽36和排水槽35。清洗槽36、排水槽35朝向後級側按該順序進行配置。
在後處理部220C的後級側配置有卸載部230。在卸載部230上配置有兩台匣盒載台25、基板拆裝機構29b、基板搬送裝置27b和基板搬送裝置27b的行進機構28b。清洗部50a具有圖2所示的清洗裝置50。基板搬送裝置27b構成為將鍍覆處理後的基板向清洗裝置50搬送並將其從清洗裝置50取出。
鍍覆裝置200具有位於這些各設備的側方且在這些各設備之間將基板保持件與基板一起搬送的基板保持件搬送裝置37a、37b。基板保持件搬送裝置37a、37b構成為在基板拆裝機構29a、29b、預濕槽32、預浸槽33、預洗槽34、排水槽35、清洗槽36及鍍覆槽39之間搬送基板保持件。如圖3所示在設置了兩個基板保持件搬送裝置37a、37b的情況下，一方的基板保持件搬送裝置僅搬送保持有鍍覆處理前的基板的基板保持件，另一方的基板保持件搬送裝置僅搬送保持有鍍覆處理後的基板的基板保持件，由此抑制產生基板保持件的交付待機時間。此外，也可以是基板保持件搬送裝置37a、37b的僅某一方設於鍍覆裝置200。在該情況下，能夠減少鍍覆裝置的佔用空間。
如以上所說明地那樣，本實施方式的清洗裝置50也能夠 配置在圖3所示那樣的裝載部210和卸載部230隔開間隔地配置的鍍覆裝置200中。
以上說明了本發明的實施方式，但上述發明的實施方式是用於使本發明容易理解的方式，並不限定本發明。本發明能夠不脫離其主旨地進行變更、改進，並且本發明中當然也包含其等價物。另外，在能夠解決上述課題的至少一部分的範圍內、或在起到效果的至少一部分的範圍內，能夠進行請求項書及說明書中所記載的各結構要素的任意組合或省略。
以下事先記載本說明書所公開的幾個方式。
根據第1方式，提供一種清洗裝置。該清洗裝置具有：被處理物的入口；上述被處理物的出口；第1搬送路徑，其搬送從上述入口投入的上述被處理物；第2搬送路徑，其向與在上述第1搬送路徑中搬送上述被處理物的方向相反的方向搬送上述被處理物，且與上述第1搬送路徑及上述出口相連；清洗單元，其配置在上述第1搬送路徑上，且以非接觸式對上述被處理物進行清洗；乾燥單元，其配置在上述第1搬送路徑上，且以非接觸式對上述被處理物進行乾燥；和送風單元，其配置在上述第2搬送路徑上，且從上方朝向下方送出氣體。
根據第1方式，被處理物以非接觸式被清洗且以非接觸式被乾燥，因此能夠減少對被處理物的表面的抗蝕圖案和/或佈線等造成的影響。在此，“非接觸式”是指海綿輥等固體不與被處理物接觸的方式。另外，由於在第1搬送路徑和第2搬送路徑中向相反方向搬送被處理物，所以通過第1搬送路徑和第2搬送路徑形成了往復路徑，從而能夠減少清 洗裝置整體的長度且確保足夠的路徑長。另外，由於通過第1搬送路徑和第2搬送路徑形成了往復路徑，所以能夠將入口和出口接近地配置。由此，一台被處理物搬送裝置能夠不進行大幅移動地向入口投入被處理物、從出口取出被處理物。
另外，根據第1方式，被處理物能夠在與入口相連的第1搬送路徑中被清洗及乾燥，然後從第2搬送路徑通過而被搬送到出口。例如，在不是在與入口相連的第1搬送路徑中而是在與出口相連的第2搬送路徑中對被處理物進行清洗及乾燥的情況下，由於從第1搬送路徑通過後在第2搬送路徑中進行清洗及乾燥，所以被處理物在第2搬送路徑中被清洗及乾燥之前需要時間。在該情況下，在被處理物被清洗及乾燥之前，附著在被處理物表面上的例如鍍覆液等處理液會自然乾燥，而難以除去被處理液表面的顆粒。對此，根據該一個方式，能夠在第1搬送路徑中立刻對從入口投入的被處理物進行清洗及乾燥，因此能夠在被處理物表面的處理液自然乾燥之前進行清洗及乾燥。進而能夠防止顆粒附著在被處理物表面上而難以除去。
根據第2方式，在第1方式的清洗裝置中，上述第1搬送路徑和上述第2搬送路徑沿上下方向排列地配置。
根據第2方式，能夠減少第1搬送路徑和第2搬送路徑所需的清洗裝置的佔用空間。
根據第3方式，在第2方式的清洗裝置中，上述第1搬送路徑位於上述第2搬送路徑的下方。
根據第3方式，能夠使因清洗而產生的顆粒滯留在下方的 第1搬送路徑，而在具有比第1搬送路徑乾淨的氣體環境的第2搬送路徑中搬送被處理物。進而能夠抑制進行清洗及乾燥後的被處理物與空氣中的顆粒接觸。
根據第4方式，在第1到第3方式中的任一清洗裝置中，上述第2搬送路徑作為暫時地保管上述被處理物的儲料器而發揮功能。
根據第4方式，在具有比第1搬送路徑乾淨的氣體環境的第2搬送路徑中，能夠暫時地保管被處理物。由此，在向清洗裝置投入的被處理物例如被事前鍍覆的情況等下，能夠使該鍍覆處理的處理量優先地對被處理物進行鍍覆，且在任意的恰當時刻將被處理物從清洗裝置取出。
根據第5方式，在第1到第4方式中的任一清洗裝置中，清洗裝置具有：將上述第1搬送路徑和上述第2搬送路徑連接的鉛垂搬送路徑；和在上述鉛垂搬送路徑中從上述第1搬送路徑朝向上述第2搬送路徑沿鉛垂方向搬送上述被處理物的鉛垂搬送機構。
根據第5方式，在第1搬送路徑和第2搬送路徑沿上下方向排列地配置的情況下，也能夠通過鉛垂搬送機構將被處理物從第1搬送路徑搬送到第2搬送路徑。
根據第6方式，在第1到第5方式中的任一清洗裝置中，清洗裝置還具有對上述入口進行開閉的入口閘門、和對上述出口進行開閉的出口閘門。
在清洗裝置搭載於例如鍍覆裝置或CMP裝置等的情況下，在清洗裝置內會漂浮有清洗產生的顆粒，因此與鍍覆裝置或CMP裝 置等的氣體環境相比清潔度可能會降低。雖然只要將清洗裝置內維持成負壓，就能夠抑制清洗裝置內的顆粒向清洗裝置外部流出，但也有可能存在由於壓力調整裝置的故障等而無法將清洗裝置內維持成負壓的情況。根據第6方式，能夠通過入口閘門及出口閘門將清洗裝置的內部與外部分離，因此能夠進一步抑制清洗裝置內的顆粒向外部流出。
根據第7方式，在第1到第6方式中的任一清洗裝置中，上述清洗單元具有構成為對上述被處理物噴射清洗液的第1清洗單元、和構成為對上述被處理物同時噴射清洗液及氣體的第2清洗單元。
根據第7方式，能夠通過第1清洗單元來沖洗掉附著在被處理物表面上的鍍覆液等，能夠通過第2清洗單元來除去附著在被處理物表面上的顆粒。
根據第8方式，提供一種具有第1到第7方式中的任一清洗裝置的鍍覆裝置。該鍍覆裝置具有處理部和基板搬送部，上述基板搬送部構成為將通過上述處理部進行鍍覆處理後的上述被處理物向上述清洗裝置的入口投入、且將通過上述清洗裝置進行處理後的上述被處理物從上述出口取出。
根據第9方式，提供一種在清洗裝置中對被處理物進行清洗的方法，其中該清洗裝置具有：上述被處理物的入口；上述被處理物的出口；第1搬送路徑，其搬送從上述入口投入的上述被處理物；和第2搬送路徑，其向與在上述第1搬送路徑中搬送上述被處理物的方向相反的方向搬送上述被處理物，且與上述第1搬送路徑及上述出口相連。該清洗方法具有：從上述入口將上述被處理物向上述清洗裝置投入的工序；沿 著上述第1搬送路徑搬送上述被處理物的工序；在上述第1搬送路徑中以非接觸式對上述被處理物進行清洗的清洗工序；在上述第1搬送路徑中以非接觸式對上述被處理物進行乾燥的乾燥工序；沿著上述第2搬送路徑搬送上述被處理物的工序；在上述第2搬送路徑中從上方朝向下方送出氣體的送風工序；和將上述被處理物從上述出口取出的工序。
根據第9方式，被處理物以非接觸式被清洗且以非接觸式被乾燥，因此能夠減少對被處理物的表面的抗蝕圖案和/或佈線等造成的影響。在此，“非接觸式”是指海綿輥等固體不與被處理物接觸的方式。另外，由於在第1搬送路徑和第2搬送路徑中向相反方向搬送被處理物，所以通過第1搬送路徑和第2搬送路徑形成了往復路徑，從而能夠減少清洗裝置整體的長度且確保足夠的路徑長。另外，由於通過第1搬送路徑和第2搬送路徑形成了往復路徑，所以能夠將入口和出口接近地配置。由此，一台被處理物搬送裝置能夠不進行大幅移動地向入口投入被處理物、從出口取出被處理物。
另外，根據第9方式，被處理物能夠在與入口相連的第1搬送路徑中被清洗及乾燥，然後從第2搬送路徑通過被搬送到出口。例如在不是在與入口相連的第1搬送路徑中、而是在與出口相連的第2搬送路徑中對被處理物進行清洗及乾燥的情況下，由於是在從第1搬送路徑通過後在第2搬送路徑中進行清洗及乾燥，所以被處理物在第2搬送路徑中被清洗及乾燥之前需要時間。在該情況下，在被處理物被清洗及乾燥之前，附著在被處理物表面上的例如鍍覆液等處理液會自然乾燥，而難以除去被處理液表面的顆粒。對此，根據該一個方式，能夠在第1搬送路徑中立 刻對從入口投入的被處理物進行清洗及乾燥，因此能夠在被處理物表面的處理液自然乾燥之前進行清洗及乾燥。進而能夠防止顆粒附著在被處理物表面上而難以除去。
根據第10方式，在第9方式的清洗方法中，上述第1搬送路徑和上述第2搬送路徑沿上下方向排列地配置。
根據第10方式，能夠減少第1搬送路徑和第2搬送路徑所需的清洗裝置的佔用空間。
根據第11方式，在第10方式的清洗方法中，上述第1搬送路徑位於上述第2搬送路徑的下方。
根據第11方式，能夠使因清洗而產生的顆粒滯留在下方的第1搬送路徑中而在具有比第1搬送路徑乾淨的氣體環境的第2搬送路徑中搬送被處理物。進而能夠抑制進行清洗及乾燥後的被處理物與空氣中的顆粒接觸。
根據第12方式，在第9到第11方式中的任一清洗方法中，清洗方法還具有在上述第2搬送路徑中暫時地保管上述被處理物的工序。
根據第12方式，在具有比第1搬送路徑乾淨的氣體環境的第2搬送路徑中，能夠暫時地保管被處理物。由此，在向清洗裝置投入的被處理物例如被事前鍍覆的情況等下，能夠使該鍍覆處理的處理量優先地對被處理物進行鍍覆，且在任意的恰當時刻將被處理物從清洗裝置取出。
根據第13方式，在第9到第12方式中的任一清洗方法中，清洗方法還具有從上述第1搬送路徑朝向上述第2搬送路徑沿鉛垂方向搬 送上述被處理物的工序。
根據第13方式，在第1搬送路徑和第2搬送路徑沿上下方向排列地配置的情況下，也能夠將被處理物從第1搬送路徑搬送到第2搬送路徑。
根據第14方式，在第9到第13方式中的任一清洗方法中，上述清洗工序具有對上述被處理物噴射清洗液的第1清洗工序、和對上述被處理物同時噴射清洗液及氣體的第2清洗工序。
根據第14方式，能夠在第1清洗工序中沖洗掉附著在被處理物表面上的鍍覆液等，能夠在第2清洗工序中除去附著在被處理物表面上的顆粒。

Claims (20)

  1. 一種清洗裝置，其特徵在於，具有：被處理物的入口；所述被處理物的出口；第1搬送路徑，其搬送從所述入口投入的所述被處理物；第2搬送路徑，其向與在所述第1搬送路徑中搬送所述被處理物的方向相反的方向搬送所述被處理物，且與所述第1搬送路徑及所述出口相連；清洗單元，其配置在所述第1搬送路徑上，且以非接觸式對所述被處理物進行清洗；和乾燥單元，其配置在所述第1搬送路徑上，且以非接觸式對所述被處理物進行乾燥，所述第1搬送路徑和所述第2搬送路徑沿上下方向排列地配置，所述第2搬送路徑位於所述第1搬送路徑的上方，且在終點與所述出口相連，所述第2搬送路徑作為暫時地保管所述被處理物的儲料器而發揮功能。
  2. 如請求項1所述的清洗裝置，其特徵在於，還具有配置在所述第2搬送路徑上、且從上方朝向下方送出氣體的送風單元。
  3. 如請求項1所述的清洗裝置，其特徵在於，具有：鉛垂搬送路徑，其將所述第1搬送路徑和所述第2搬送路徑連接；和鉛垂搬送機構，其在所述鉛垂搬送路徑中從所述第1搬送路徑朝向所述第2搬送路徑沿鉛垂方向搬送所述被處理物。
  4. 如請求項1所述的清洗裝置，其特徵在於，還具有：對所述入口進行開閉的入口閘門；和對所述出口進行開閉的出口閘門。
  5. 如請求項1所述的清洗裝置，其特徵在於，所述清洗單元具有：第1清洗單元，其構成為對所述被處理物噴射清洗液；和 第2清洗單元，其構成為對所述被處理物同時噴射清洗液及氣體。
  6. 一種清洗裝置，其特徵在於，具有：被處理物的入口；所述被處理物的出口；第1搬送路徑，其搬送從所述入口投入的所述被處理物；第2搬送路徑，其向與在所述第1搬送路徑中搬送所述被處理物的方向相反的方向搬送所述被處理物，且與所述第1搬送路徑及所述出口相連；清洗單元，其配置在所述第1搬送路徑上，且以非接觸式對所述被處理物進行清洗；和乾燥單元，其配置在所述第1搬送路徑上，且以非接觸式對所述被處理物進行乾燥，所述清洗裝置還具有：對所述出口進行開閉的出口閘門；和配置在所述第2搬送路徑的終點且從上方朝向下方送出氣體的送風單元，所述第2搬送路徑作為暫時地保管所述被處理物的儲料器而發揮功能。
  7. 如請求項6所述的清洗裝置，其特徵在於，具有：鉛垂搬送路徑，其將所述第1搬送路徑和所述第2搬送路徑連接；和鉛垂搬送機構，其在所述鉛垂搬送路徑中從所述第1搬送路徑朝向所述第2搬送路徑沿鉛垂方向搬送所述被處理物。
  8. 如請求項6所述的清洗裝置，其特徵在於，還具有對所述入口進行開閉的入口閘門。
  9. 如請求項6所述的清洗裝置，其特徵在於，所述清洗單元具有：第1清洗單元，其構成為對所述被處理物噴射清洗液；和第2清洗單元，其構成為對所述被處理物同時噴射清洗液及氣體。
  10. 一種鍍覆裝置，其特徵在於，具有請求項1到9中任一項所述的清洗裝置， 所述鍍覆裝置具有處理部和基板搬送部，所述基板搬送部構成為，將通過所述處理部進行鍍覆處理後的所述被處理物向所述清洗裝置的入口投入，且將通過所述清洗裝置進行處理後的所述被處理物從所述出口取出。
  11. 一種清洗裝置，具有：被處理物的入口；所述被處理物的出口；第1搬送路徑，其搬送從所述入口投入的所述被處理物；第2搬送路徑，其向與在所述第1搬送路徑中搬送所述被處理物的方向相反的方向搬送所述被處理物，且與所述第1搬送路徑及所述出口相連；清洗單元，其配置在所述第1搬送路徑上，且以非接觸式對所述被處理物進行清洗；和乾燥單元，其配置在所述第1搬送路徑上，且以非接觸式對所述被處理物進行乾燥，所述第1搬送路徑和所述第2搬送路徑沿上下方向排列地配置，所述第2搬送路徑位於所述第1搬送路徑的上方，且在終點與所述出口相連，所述清洗裝置還具有：對所述出口進行開閉的出口閘門；和配置在所述第2搬送路徑的所述終點且從上方朝向下方送出氣體的送風單元。
  12. 如請求項11所述的清洗裝置，其特徵在於，所述第2搬送路徑作為暫時地保管所述被處理物的儲料器而發揮功能。
  13. 如請求項11所述的清洗裝置，其特徵在於，具有：鉛垂搬送路徑，其將所述第1搬送路徑和所述第2搬送路徑連接；和鉛垂搬送機構，其在所述鉛垂搬送路徑中從所述第1搬送路徑朝向所述第2搬送路徑沿鉛垂方向搬送所述被處理物。
  14. 如請求項11所述的清洗裝置，其特徵在於， 還具有對所述入口進行開閉的入口閘門。
  15. 如請求項11所述的清洗裝置，其特徵在於，所述清洗單元具有：第1清洗單元，其構成為對所述被處理物噴射清洗液；和第2清洗單元，其構成為對所述被處理物同時噴射清洗液及氣體。
  16. 一種鍍覆裝置，其特徵在於，具有請求項11到15中任一項所述的清洗裝置，所述鍍覆裝置具有處理部和基板搬送部，所述基板搬送部構成為，將通過所述處理部進行鍍覆處理後的所述被處理物向所述清洗裝置的入口投入，且將通過所述清洗裝置進行處理後的所述被處理物從所述出口取出。
  17. 一種清洗方法，在清洗裝置中對被處理物進行清洗，其中所述清洗裝置具有：所述被處理物的入口；所述被處理物的出口；第1搬送路徑，其搬送從所述入口投入的所述被處理物；第2搬送路徑，其向與在所述第1搬送路徑中搬送所述被處理物的方向相反的方向搬送所述被處理物，且與所述第1搬送路徑及所述出口相連；和出口閘門，其對所述出口進行開閉，所述清洗方法的特徵在於，具有：從所述入口將所述被處理物向所述清洗裝置投入的工序；沿著所述第1搬送路徑搬送所述被處理物的工序；在所述第1搬送路徑中以非接觸式對所述被處理物進行清洗的清洗工序；在所述第1搬送路徑中以非接觸式對所述被處理物進行乾燥的乾燥工序；沿著所述第2搬送路徑搬送所述被處理物的工序；和將所述被處理物從所述出口取出的工序，所述第1搬送路徑和所述第2搬送路徑沿上下方向排列地配置，所述第1搬送路徑位於所述第2搬送路徑的下方，且在終點與所述出口相連，所述清洗方法還具有在所述第2搬送路徑的所述終點從上方朝向下方 送出氣體的送風工序。
  18. 如請求項17所述的清洗方法，其特徵在於，還具有在所述第2搬送路徑中暫時地保管所述被處理物的工序。
  19. 如請求項17所述的清洗方法，其特徵在於，還具有從所述第1搬送路徑朝向所述第2搬送路徑沿鉛垂方向搬送所述被處理物的工序。
  20. 如請求項17所述的清洗方法，其特徵在於，所述清洗工序具有：對所述被處理物噴射清洗液的第1清洗工序；和對所述被處理物同時噴射清洗液及氣體的第2清洗工序。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102656981B1 (ko) * 2018-03-27 2024-04-11 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 세정 장치, 이를 구비한 도금 장치 및 세정 방법
CN108360053B (zh) * 2018-05-10 2019-06-25 赣州市文祥电镀有限公司 一种电镀件的清洗设备
CN110773536B (zh) * 2018-07-31 2021-10-22 台湾积体电路制造股份有限公司 晶粒容器工作站、晶粒容器处理的系统及方法
CN109537035B (zh) * 2018-12-26 2024-08-30 南京尚科得科技发展有限公司 枚叶水平输送式的晶圆电镀装置
US11373885B2 (en) * 2019-05-16 2022-06-28 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Wet etching apparatus
CN110225671B (zh) * 2019-06-20 2021-04-13 上海银沪通信科技有限公司 一种记录仪用pcb板预处理系统及其工作方法
KR20210011773A (ko) 2019-07-23 2021-02-02 주식회사 클로바이오 살균용 패치
CN112985043A (zh) * 2019-12-17 2021-06-18 亚智科技股份有限公司 风刀结构及其机构
CN114671217A (zh) * 2020-12-24 2022-06-28 志圣工业股份有限公司 自体清洁的输送装置及包含输送装置的加热设备
PL4035785T3 (pl) * 2021-02-01 2024-06-24 Rösler Holding Gmbh Sposób i urządzenie do obróbki elementów

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6133685U (ja) 1984-07-31 1986-02-28 日立プラント建設株式会社 プリント基板の水切り装置
US6203582B1 (en) * 1996-07-15 2001-03-20 Semitool, Inc. Modular semiconductor workpiece processing tool
JP2000183019A (ja) * 1998-12-21 2000-06-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 多段基板処理装置
US6354481B1 (en) * 1999-02-18 2002-03-12 Speedline Technologies, Inc. Compact reflow and cleaning apparatus
US6446855B1 (en) * 1999-02-18 2002-09-10 Speedline Technologies, Inc. Compact reflow and cleaning apparatus
JP2001009392A (ja) 1999-06-29 2001-01-16 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板洗浄装置および基板洗浄方法
JP2001345544A (ja) 2000-05-31 2001-12-14 Sony Corp プリント配線基板の表面処理装置及び表面処理方法
JP2002270513A (ja) * 2001-03-06 2002-09-20 Umc Japan 薄膜形成装置のクリーニング装置および方法
JP2003188229A (ja) * 2001-12-18 2003-07-04 Hitachi Kasado Eng Co Ltd ウエハ製造システムおよびウエハ製造方法
JP2003303777A (ja) * 2002-04-10 2003-10-24 Ulvac Japan Ltd プラズマ成膜装置及びクリーニング方法
JP4136826B2 (ja) 2002-08-19 2008-08-20 住友精密工業株式会社 昇降式基板処理装置及びこれを備えた基板処理システム
JP5009101B2 (ja) 2006-10-06 2012-08-22 株式会社荏原製作所 基板研磨装置
JP2008159663A (ja) * 2006-12-21 2008-07-10 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
KR20090035106A (ko) 2007-10-05 2009-04-09 세메스 주식회사 반도체 제조 설비의 이송 장치
JP2009147266A (ja) * 2007-12-18 2009-07-02 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 薄膜太陽電池製造装置システム及び共通基板保管ラック
JP2010064196A (ja) 2008-09-11 2010-03-25 Ebara Corp 基板研磨装置および基板研磨方法
JP5290081B2 (ja) 2008-10-15 2013-09-18 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP5399165B2 (ja) * 2008-11-17 2014-01-29 富士フイルム株式会社 成膜方法、成膜装置、圧電体膜、圧電素子、液体吐出装置、及び圧電型超音波振動子
KR101005888B1 (ko) 2008-12-02 2011-01-06 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 이송 방법
JP5390846B2 (ja) * 2008-12-09 2014-01-15 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング装置及びプラズマクリーニング方法
JP5240245B2 (ja) * 2010-06-22 2013-07-17 東京エレクトロン株式会社 流路切替え装置、処理装置、流路切替え方法及び処理方法並びに記憶媒体
KR101298220B1 (ko) * 2012-01-20 2013-08-22 주식회사 엠엠테크 콤팩트한 기판 표면처리 시스템 및 기판 표면처리 방법
KR101430661B1 (ko) 2012-08-29 2014-08-18 주식회사 에스에프에이 슬릿 밸브
JP5984622B2 (ja) * 2012-10-23 2016-09-06 日本アクア株式会社 水洗装置
CN202962971U (zh) * 2012-11-14 2013-06-05 曾毅 非接触式清洗机

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Publication number Publication date
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