JP7257742B2 - 洗浄装置、これを備えためっき装置、及び洗浄方法 - Google Patents

Description

本発明は、洗浄装置、これを備えためっき装置、及び洗浄方法に関するものである。

従来、半導体ウェハやプリント基板等の基板の表面に配線やバンプ（突起状電極）等を形成したりすることが行われている。この配線及びバンプ等を形成する方法として、電解めっき法が知られている。

電解めっき法に用いるめっき装置では、一般的には３００ｍｍの直径を有するウェハ等の円形基板にめっき処理を行っている。しかしながら、近年では、このような円形基板に限らず、角形基板にめっきをすることが求められている。

めっきされた基板を洗浄後、めっき膜の膜厚を測定する洗浄装置が、特開２００５－２４０１０８号公報に開示されている。円形基板や角形基板は、製品の種類によって大きさ又は剛性が様々である。剛性が小さい角形基板は湾曲することがある。特開２００５－２４０１０８号公報に開示されている技術は、反りを有する基板に対応したものではなく、反りのため、めっき膜の膜厚を正確に測定できないという問題があった。

また、特開２００５－２４０１０８号公報に開示されている技術は、めっき後にレジストの剥離を実施し、その後、めっき膜の膜厚を測定している。このため、測定した結果、めっき膜の膜厚が薄い、および／または膜厚が不均一のため、不合格となった場合、レジストを基板に再度塗布してめっきを再度行うか、当該基板を廃棄する必要があった。このため、コストがかさむという問題が生じていた。

特開２００５－２４０１０８号公報

本発明の一形態は、このような問題点を解消すべくなされたもので、その目的は、反りの大きい基板であってもめっき膜の膜厚を測定できる洗浄装置を提供することである。

また、本発明の他の一形態の目的は、レジストの剥離が不要な、めっき膜の膜厚が測定できる洗浄装置を提供することである。

上記課題を解決するために、第１の形態では、めっき処理と洗浄処理が行われた被処理物を支持する支持部と、前記被処理物を介して前記支持部と対向可能な位置に設けられて、前記被処理物を前記支持部に押圧することが可能な加圧部と、前記加圧部を前記支持部に向かって移動させて、前記加圧部によって前記被処理物を前記支持部に押圧する移動機構と、前記被処理物のめっき膜の膜厚を測定する膜厚測定部とを有する、前記被処理物を洗浄する洗浄装置という構成を採っている。

本実施形態では、加圧部が被処理物を支持部に押圧することが可能なため、基板の反りを押さえて膜厚を測定できる。これにより、めっき膜の膜厚を正確に測定することが可能になる。本実施形態によれば、反りの大きい基板であってもめっき膜の膜厚を測定できる
洗浄装置を提供できる。

第２の形態では、前記支持部は、前記被処理物を搬送する搬送機構であることを特徴とする第１の形態記載の洗浄装置という構成を採っている。

第３の形態では、前記加圧部はローラを有し、前記ローラが前記被処理物を前記支持部に押圧することが可能であることを特徴とする第１の形態、または第２の形態記載の洗浄装置という構成を採っている。

第４の形態では、前記ローラは、少なくとも４個であることを特徴とする第１の形態ないし第３の形態のいずれか１項に記載の洗浄装置という構成を採っている。

第５の形態では、前記膜厚測定部は前記測定時に移動して、前記被処理物の複数個所で前記被処理物のめっき膜の膜厚を測定することを特徴とする第１の形態ないし第４の形態のいずれか１項に記載の洗浄装置という構成を採っている。

第６の形態では、前記膜厚測定部を複数有することを特徴とする第１の形態ないし第５の形態のいずれか１項に記載の洗浄装置という構成を採っている。

第７の形態では、前記膜厚測定部は、渦電流センサを有することを特徴とする第１の形態ないし第１の形態のいずれか１項に記載の洗浄装置という構成を採っている。

第８の形態では、前記被処理物はレジストを有し、前記膜厚測定部は、前記レジストを有する前記被処理物のめっき膜の膜厚を測定することを特徴とする第１の形態ないし第７の形態のいずれか１項に記載の洗浄装置という構成を採っている。本実施形態では、レジストを有した状態でめっき膜の膜厚を測定するため、レジストの剥離が不要となる。本実施形態によれば、レジストの剥離が不要な、めっき膜の膜厚が測定できる洗浄装置を提供することができる。

測定した結果、めっき膜の膜厚が薄い、および／または膜厚が不均一のため、不合格となった場合、レジストを基板に再度塗布することなく再度めっきすることができる。また、不合格となった当該基板を廃棄することなく、再度めっきすることができる。このため、コストが低減する。

第９の形態では、第１の形態から第８の形態のいずれか１項に記載された洗浄装置を備えためっき装置という構成を採っている。

第１０の形態では、めっき処理と洗浄処理が行われた被処理物を支持する支持部と、前記被処理物を介して前記支持部と対向可能な位置に設けられて、前記被処理物を前記支持部に押圧することが可能な加圧部と、前記加圧部を前記支持部に向かって移動させて、前記加圧部によって前記被処理物を前記支持部に押圧する移動機構と、前記被処理物のめっき膜の膜厚を測定する膜厚測定部とを有する、前記被処理物を洗浄する洗浄装置において前記被処理物を洗浄する方法であって、前記支持部に前記被処理物を搭載する工程と、前記加圧部を前記移動機構によって前記支持部に向かって移動させて、前記加圧部によって前記被処理物を前記支持部に押圧する工程と、前記被処理物が前記支持部に押圧された状態で、前記膜厚測定部を用いて前記被処理物のめっき膜の膜厚を測定する工程と、を有する、洗浄方法という構成を採っている。

本実施形態に係る洗浄装置を備えためっき装置の全体配置図である。 洗浄装置の概略側断面図である。 加圧部が存在しないときに生じる問題を説明する図である。 本実施形態による加圧部と移動機構と膜厚測定部を示す正面図である。 本実施形態による加圧部と移動機構と膜厚測定部を示す正面図である。 ガイド部の概略側断面図である。

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下の各実施形態において、同一または相当する部材には同一符号を付して重複した説明を省略することがある。また、各実施形態で示される特徴は、互いに矛盾しない限り他の実施形態にも適用可能である。図１は、本実施形態に係る洗浄装置を備えためっき装置の全体配置図である。図１に示すように、このめっき装置１００は、基板ホルダに基板（被処理物の一例に相当する）をロードし、又は基板ホルダから基板をアンロードするロード／アンロード部１１０と、基板を処理する処理部１２０と、洗浄部５０ａとに大きく分けられる。処理部１２０は、さらに、基板の前処理及び後処理を行う前処理・後処理部１２０Ａと、基板にめっき処理を行うめっき処理部１２０Ｂとを含む。なお、このめっき装置１００で処理する基板は、角形基板、円形基板を含む。また、角形基板は、角形のプリント基板や、その他のめっき対象物を含む。

ロード／アンロード部１１０は、２台のカセットテーブル２５と、基板脱着機構２９とを有する。カセットテーブル２５は、半導体ウェハやプリント基板等の基板を収納したカセット２５ａを搭載する。基板脱着機構２９は、基板を図示しない基板ホルダに着脱するように構成される。また、基板脱着機構２９の近傍（例えば下方）には基板ホルダを収容するためのストッカ３０が設けられる。これらのユニット２５，２９，３０の中央には、これらのユニット間で基板を搬送する搬送用ロボットからなる基板搬送装置２７が配置されている。基板搬送装置２７は、走行機構２８により走行可能に構成される。

洗浄部５０ａは、めっき処理後の基板を洗浄して乾燥させる洗浄装置５０を有する。基板搬送装置２７は、めっき処理後の基板を洗浄装置５０に搬送し、洗浄された基板を洗浄装置５０から取り出すように構成される。洗浄装置５０の詳細については、後述する図２と共に説明する。

前処理・後処理部１２０Ａは、プリウェット槽３２と、プリソーク槽３３と、プリリンス槽３４と、ブロー槽３５と、リンス槽３６と、を有する。プリウェット槽３２では、基板が純水に浸漬される。プリソーク槽３３では、基板の表面に形成したシード層等の導電層の表面の酸化膜がエッチング除去される。プリリンス槽３４では、プリソーク後の基板が基板ホルダと共に洗浄液（純水等）で洗浄される。ブロー槽３５では、洗浄後の基板の液切りが行われる。リンス槽３６では、めっき後の基板が基板ホルダと共に洗浄液で洗浄される。プリウェット槽３２、プリソーク槽３３、プリリンス槽３４、ブロー槽３５、リンス槽３６は、この順に配置されている。

めっき処理部１２０Ｂは、オーバーフロー槽３８を備えた複数のめっき槽３９を有する。各めっき槽３９は、内部に一つの基板を収納し、内部に保持しためっき液中に基板を浸漬させて基板表面に銅めっき等のめっきを行う。ここで、めっき液の種類は、特に限られることはなく、用途に応じて様々なめっき液が用いられる。

めっき装置１００は、これらの各機器の側方に位置して、これらの各機器の間で基板ホルダを基板とともに搬送する、例えばリニアモータ方式を採用した基板ホルダ搬送装置３７を有する。この基板ホルダ搬送装置３７は、基板脱着機構２９、プリウェット槽３２、プリソーク槽３３、プリリンス槽３４、ブロー槽３５、リンス槽３６、及びめっき槽３９
との間で基板ホルダを搬送するように構成される。

次に、図１に示した洗浄装置５０について詳細に説明する。図２は、洗浄装置５０の概略側断面図である。洗浄装置５０は、基板Ｗ１の入口５１と、第１搬送経路５２と、鉛直搬送経路５３と、第２搬送経路５４と、基板Ｗ１の出口５５と、を有する。図示のように、第１搬送経路５２と第２搬送経路５４は、上下方向に並んで配置され、第１搬送経路５２が第２搬送経路の下方に位置する。第１搬送経路５２は、入口５１と連通し、入口５１から投入された基板Ｗ１が搬送される経路である。第２搬送経路５４は、第１搬送経路５２において基板Ｗ１が搬送される方向とは逆方向に基板Ｗ１が搬送される経路である。第２搬送経路５４は、鉛直搬送経路５３を介して第１搬送経路とつながり、且つ出口とも連通する。鉛直搬送経路５３は、第１搬送経路５２と第２搬送経路とを接続するように鉛直方向に延びた経路である。

入口５１には、入口５１を開閉するための入口シャッタ５１ａが設けられる。また、出口５５には、出口５５を開閉するための出口シャッタ５５ａが設けられる。洗浄装置５０が、本実施形態のようにめっき装置１００に搭載される場合や、例えばＣＭＰ装置等に搭載される場合、洗浄装置５０内は、洗浄により発生したパーティクルが浮遊しているので、めっき装置１００やＣＭＰ装置等の雰囲気に比べて清浄度が低くなり得る。洗浄装置５０内を負圧に維持すれば、洗浄装置５０内のパーティクルが洗浄装置５０外部に流出することを抑制できるが、圧力調整装置の故障等により洗浄装置５０内を負圧に維持できなくなることもあり得る。本実施形態では、洗浄装置５０の内部と外部とを、入口シャッタ５１ａ及び出口シャッタ５５ａで分離できるので、洗浄装置５０内のパーティクルが外部に流出することをいっそう抑制することができる。

図示のように、第１搬送経路５２には、基板Ｗ１を鉛直搬送経路５３に向かって搬送する複数のローラ等を有する水平搬送機構５６（搬送機構）が設けられる。水平搬送機構５６は、基板Ｗ１の強度や材質等に応じて、基板Ｗ１の所定の場所にのみ接触するようにローラを配置して構成してもよい。例えば、基板Ｗ１の幅方向中央部と両エッジ部のみに水平搬送機構５６のローラが接触するように、水平搬送機構５６のローラを配置することができる。第１搬送経路５２の入口５１付近には、入口５１から投入された基板Ｗ１の位置調整を行うアライメント機構が設けられ得る。これにより、入口５１から投入された基板Ｗ１を、水平搬送機構５６上の適切な位置に配置することができる。

また、第１搬送経路５２には、基板Ｗ１を洗浄する洗浄ユニット５７と、基板Ｗ１を乾燥する乾燥ユニット５８と、が設けられる。一実施形態では、洗浄ユニット５７は、第１洗浄ユニット５７ａと、第１洗浄ユニット５７ａの下流側に位置する第２洗浄ユニット５７ｂとを有する。第１洗浄ユニット５７ａは、ＤＩＷ（Ｄｅ－Ｉｏｎｉｚｅｄ Ｗａｔｅｒ；洗浄液の一例に相当する）を、基板Ｗ１の両面又は片面に噴射して基板Ｗ１を洗浄する。第２洗浄ユニット５７ｂは、ＤＩＷと気体を基板Ｗ１の両面又は片面に同時にジェット噴射して、基板Ｗ１表面のパーティクルを除去する。第２洗浄ユニット５７ｂで噴射する気体としては、クリーンドライエアや窒素を用いることができる。第１洗浄ユニット５７ａ及び第２洗浄ユニット５７ｂは、液体又は気体を用いて基板Ｗ１を洗浄するいわゆる非接触式の洗浄ユニットである。乾燥ユニット５８は、例えば、細長いスリットから圧縮気体を薄い層状に噴出するいわゆるエアナイフであり、基板Ｗ１の両面又は片面に付着した洗浄液を除去又は乾燥する。乾燥ユニット５８は、気体を用いて基板Ｗ１を乾燥するいわゆる非接触式の乾燥ユニットである。

第１洗浄ユニット５７ａ、第２洗浄ユニット５７ｂ、及び乾燥ユニット５８は、それぞれ独立したチャンバによって囲まれており、それぞれのチャンバ間を連通する開口は、図示しないエアカーテン等によって雰囲気が分離される。第１洗浄ユニット５７ａ及び第２
洗浄ユニット５７ｂには、ＤＩＷをこれらのユニットに供給するためのＤＩＷ供給ライン５９が接続される。また、第２洗浄ユニット５７ｂ及び乾燥ユニット５８には、気体をこれらのユニットに供給するための気体供給ライン６０が接続される。ＤＩＷ供給ライン５９には、ＤＩＷ中のパーティクルを捕獲するためのフィルタ５９ａと、ＤＩＷの流量を測定する流量計５９ｂが設けられる。気体供給ライン６０には、気体中のパーティクルを捕獲するためのフィルタ６０ａが設けられる。

鉛直搬送経路５３には、水平搬送機構５６により搬送された基板Ｗ１を受け取り、基板Ｗ１を第１搬送経路５２から第２搬送経路５４に向かって鉛直方向に搬送する鉛直搬送機構６１が設けられる。鉛直搬送機構６１は、例えば、基板Ｗ１を支持する支持台と、支持台を昇降させる昇降機構とを有する。鉛直搬送機構６１は、支持台から第２搬送経路５４に設けられる図示しない水平搬送機構に基板Ｗ１を受け渡すためのローラ等の基板搬送機構を有してもよい。本実施形態のように第１搬送経路５２と第２搬送経路５４が上下方向に並んで配置された場合でも、鉛直搬送機構６１により基板Ｗ１を第１搬送経路５２から第２搬送経路５４に搬送することができる。

第２搬送経路５４には、鉛直搬送機構６１が搬送した基板Ｗ１を出口５５に向かって水平搬送するための図示しない水平搬送機構が設けられる。この水平搬送機構は、水平搬送機構５６と同様にローラ等で構成されてもよいし、公知のロボットハンドで構成されてもよい。また、第２搬送経路５４には、上方から下方に向けて気体を送出するＦＦＵ（Ｆｕｎ Ｆｉｌｔｅｒ Ｕｎｉｔ）等の送風ユニット６２が設けられる。図示の例では、送風ユニット６２は、第２搬送経路５４の始点付近と終点付近にそれぞれ１つずつ設けられている。送風ユニット６２から送出される気体として、例えばクリーンドライエアや窒素を用いることができる。第２搬送経路５４の出口５５付近には、出口５５から取り出される基板Ｗ１の位置調整を行うアライメント機構が設けられ得る。これにより、基板Ｗ１を水平搬送機構上の適切な位置に配置することができ、図１に示した基板搬送装置２７が基板Ｗ１をいっそう確実に保持して、出口５５から取り出すことができる。

基板Ｗ１が出口５５において、水平搬送機構上の適切な位置に配置されると、基板Ｗ１を水平搬送機構に押圧することが可能な加圧部が、水平搬送機構に向かって垂直方向下方に移動して、基板Ｗ１を水平搬送機構に押圧する。移動機構が加圧部を垂直方向下方に移動させる。基板Ｗ１は、加圧部によって水平搬送機構に押圧された状態で、膜厚測定部によってめっき膜の膜厚が測定される。測定後、基板搬送装置２７により、洗浄装置５０の外部に搬送される。加圧部と移動機構と膜厚測定部の詳細については、後述する。

測定した結果、めっき膜の膜厚が薄い、および／または膜厚が不均一のため、不合格となった場合、レジストを基板に再度塗布することなく再度めっきする。すなわち、不合格となった基板は、基板搬送装置２７により入口５１に送られて、再度めっきする。なお、不合格となった場合、再度めっきすることなく、基板Ｗ１を廃棄することとしてもよい。

以上で説明した洗浄装置５０を使用して基板Ｗ１を洗浄するプロセスについて説明する。まず、図１に示しためっき装置１００においてめっきされた基板Ｗ１を、基板搬送装置２７が保持する。このとき、基板Ｗ１は、図１に示したブロー槽３５で液切りされているが、その表面は濡れていても乾いていてもよい。洗浄装置５０の入口シャッタ５１ａが開くと、基板搬送装置２７は、入口５１を介して洗浄装置５０内に基板Ｗ１を投入する。基板Ｗ１が洗浄装置５０に投入されると、入口シャッタ５１ａが閉じられる。

洗浄装置５０の水平搬送機構５６は、入口５１から投入された基板Ｗ１を第１搬送経路５２に沿って搬送する。基板Ｗ１は、第１搬送経路５２を搬送される間に、第１洗浄ユニット５７ａ及び第２洗浄ユニット５７ｂによって非接触式で洗浄される。具体的には、ま
ず第１洗浄ユニット５７ａが、基板Ｗ１の表面にＤＩＷを噴射して洗浄し、続いて第２洗浄ユニット５７ｂが基板Ｗ１の表面に洗浄液及び気体を同時に噴射して洗浄する。その後、基板Ｗ１は乾燥ユニット５８においてエアナイフにより洗浄液が除去され且つ乾燥される。

第１搬送経路５２を通過した基板Ｗ１は、鉛直搬送機構６１に受け取られる。鉛直搬送機構６１は、第１搬送経路５２から第２搬送経路５４に向かって鉛直方向に基板Ｗ１を搬送する。第２搬送経路５４に搬送された基板Ｗ１は、図示しない水平搬送機構によって、第２搬送経路５４に沿って搬送される。送風ユニット６２は、第２搬送経路５４において上方から下方に向かって気体を送出する。これにより、洗浄装置５０内のパーティクルを下方に押さえつけることができ、第２搬送経路５４の雰囲気を清浄に保つことができる。

基板Ｗ１が出口５５の付近まで搬送されると、出口シャッタ５５ａが開かれ、図１に示した基板搬送装置２７が、出口５５を介して基板Ｗ１を洗浄装置５０の外に取り出す。基板搬送装置２７は、洗浄装置５０から取り出した基板Ｗ１を、図１に示したカセットテーブル２５内のカセット２５ａに収納する。

次に、出口５５におけるめっき膜の膜厚の詳細について図３～６により説明する。図４に示すように、洗浄装置５０は、めっき処理と洗浄処理が行われた基板Ｗ１（被処理物）を支持する水平搬送機構１０２（支持部）と、基板Ｗ１を介して水平搬送機構１０２と対向可能な位置に設けられて、基板Ｗ１を水平搬送機構１０２に押圧することが可能な加圧部１０４と、加圧部１０４を水平搬送機構１０２に向かって移動させて、加圧部１０４によって基板Ｗ１を水平搬送機構１０２に押圧する移動機構１０６と、基板Ｗ１のめっき膜の膜厚を測定する膜厚測定部１０８とを有する。

以下では、加圧部１０４，移動機構１０６，膜厚測定部１０８は、出口５５に配置される場合を説明するが、これらは、出口５５以外に配置してもよい。例えば、洗浄装置５０内の鉛直搬送経路５３や，第２搬送経路５４の任意の場所に設置することができる。鉛直搬送機構６１の支持台上に基板Ｗ１があるときに、めっき膜の膜厚を測定してよい。また、洗浄装置５０本体の外部で、めっき装置１００の内部に加圧部１０４，移動機構１０６，膜厚測定部１０８を設置して、膜厚を測定してもよい。

最初に、加圧部１０４が存在しないときに生じる問題について、図３により説明する。めっき後に膜厚を測定するために、例えば図３に示すように、出口５５内の水平搬送機構１０２上に、反りの大きい基板Ｗ１が設置されている。基板Ｗ１のめっき膜の膜厚を測定するときに、反りの大きい基板Ｗ１では、反りのサイズ１１２が数ミリメートル以上になる。めっき膜の膜厚測定では、膜厚測定器と基板Ｗ１との距離によって膜厚の測定値が変動し、反りのサイズ１１２が数ミリメートル以上になる場合、必要な精度を有する膜厚測定ができないという問題が従来あった。

図４は、本願発明の一実施形態による加圧部１０４と移動機構１０６と膜厚測定部１０８を示す正面図である。図５は、図４のＡＡ方向から見た平面図である。本実施形態では、基板Ｗ１の支持部は、基板Ｗ１を搬送する水平搬送機構１０２であるが、支持部は、基板Ｗ１を支持するものであれば任意のものが可能である。例えば、固定された支持部でもよい。水平搬送機構１０２は、ローラ１１４と、ローラ１１４が取り付けられている回転軸１１６とを有する。回転軸１１６は、洗浄装置５０のフレーム(図示しない)に軸受を介して取り付けられている。回転軸１１６は、図示しない駆動機構(例えば、モータ)により回転駆動される。ローラ１１４は、基板Ｗ１の裏面の接触可能な部分に接触している。本実施形態では、基板Ｗ１の裏面の側部と中央部が接触可能な部分である。

加圧部１０４は、基板Ｗ１を水平搬送機構１０２に押圧することが可能である。加圧部１０４は、基板Ｗ１の表面の接触可能な部分に接触している。本実施形態では、接触可能な部分は、図５に示すように基板Ｗ１の表面の十字形部分である。加圧部１０４の形状は、接触可能な部分に合わせて、十字形である。加圧部１０４の形状は十字形に限られない。加圧部１０４の形状は例えば、接触可能な部分と、膜厚測定が必要な部分と、反りの矯正に必要な押圧部分とを考慮して、選択することができる。加圧部１０４の形状は例えば、多角形、円形、楕円形とすることができる。

加圧部１０４を水平搬送機構１０２に向かって移動させる移動機構１０６は、シリンダ１１８と、センサ支持板１２２と、軸１２４と、ガイド部９０とを有する。シリンダ１１８は出口５５の上部フレーム１２８に、ボルト等により固定されている。シリンダ１１８は、空圧シリンダ、液圧シリンダ、電動式シリンダ等の任意の駆動方式が可能である。シリンダ１１８の軸１２４の先端に加圧部１０４が取り付けられている。軸１２４は、シリンダ１１８により上下方向に移動可能である。

軸１２４の中間部にセンサ支持板１２２が取り付けられている。センサ支持板１２２は、本実施形態では、基板Ｗ１とほぼ同じ大きさの四角形の平板である。センサ支持板１２２の形状は、四角形以外の円形、多角形、フレーム構造等が可能である。センサ支持板１２２の形状は、膜厚測定部１０８の配置、後述するガイド部９０の配置、センサ支持板１２２自体に要求される強度、重量等から決定される。センサ支持板１２２に、センサ駆動部１３０を介して、膜厚測定部１０８が取り付けられる。

センサ駆動部１３０は、膜厚測定部１０８を測定時に移動させる。膜厚測定部１０８は移動して、基板Ｗ１の複数個所で基板Ｗ１のめっき膜の膜厚を測定する。センサ支持板１２２と加圧部１０４の材質は、金属、プラスチック等である。材質は、センサ支持板１２２と加圧部１０４に要求される強度、重量、清浄度、加工性等を考慮して決定される。

膜厚測定部１０８は、本実施形態では、図５に示すように、４個設けられている。膜厚測定部１０８は１個以上であればよい。また、膜厚測定部１０８は移動できなくてもよい。膜厚測定部１０８の個数、配置、及び移動させるかどうかは、必要な測定箇所の個数、測定頻度等を考慮して決められる。本実施形態では、図５に示すように、膜厚測定部１０８はセンサ駆動部１３０により、基板Ｗ１上を矢印１３２のように移動する。矢印１３２はＹ方向の移動を示す。

さらに、膜厚測定部１０８は水平搬送機構１０２により、基板Ｗ１上を矢印１３４のように移動することができる。矢印１３４はＸ方向の移動を示す。Ｘ方向は、水平搬送機構１０２により基板Ｗ１が搬送される方向である。Ｙ方向は、Ｘ方向に略直交する方向である。Ｙ方向は、Ｘ方向に略直交する方向に限られない。Ｙ方向は、Ｘ方向と異なる方向であれば、基板Ｗ１の全体にわたって膜厚を測定することができる。

本実施形態では、Ｘ方向の移動と、Ｙ方向の移動は、別々の駆動機構により行っているが、単一の駆動機構により、Ｘ方向の移動と、Ｙ方向の移動を行ってもよい。また、本実施形態では、膜厚測定部１０８は、Ｘ方向の移動と、Ｙ方向の移動のみを行っているが、これに限られるものではない。膜厚測定部１０８は、曲線上を移動してもよい。例えば、円形もしくは多角形の渦巻き状に移動してもよい。

センサ駆動部１３０は、空圧式、液圧式、電動式(例えばリニアモータ)の駆動部とすることができる。センサ駆動部１３０に要求される速度、位置精度、清浄度、電力消費量、強度、重量等から駆動方式を選択することができる。

センサ支持板１２２の、図５に示す４カ所にセンサ支持板１２２をガイドするためのガイド部９０が設けられている。図５においては、ガイド部９０は加圧部１０４に配置されているように見えるが、図５に示すガイド部９０の位置は、センサ支持板１２２上の実際の位置を、加圧部１０４上に射影して示したものに過ぎない。

図６は、ガイド部９０の概略側断面図である。ガイド部９０は、軸９２とスプライン９４とを有する。軸９２は、固定具９６により上部１２８に固定されている。スプライン９４を介して、センサ支持板１２２が軸９２に配置されている。スプライン９４はセンサ支持板１２２に固定されている。軸９２とスプライン９４が相対的に軸方向に、すなわち、上下方向に移動可能である。

スプライン９４とは一般に、軸と、軸が通過する穴のはめ合い部分に歯を設けたものである。スプライン９４は、ボールスプラインでもよい。ボールスプラインは以下の理由により使用される場合がある。軸が軸方向に移動する場合、軸方向の移動は面接触であり、滑り摩擦であるため摺動抵抗が大きい場合がある。その対策として、スプラインの歯に相当する部分にボール(鋼球)を配置し、転がり摩擦にして、摺動抵抗を大幅に低減したものをボールスプラインという。スプライン９４は、スプラインでなくてもよい。単なる丸棒、角棒と、単なる丸穴、角穴等の組み合わせでもよい。ガイド部９０の個数は、本実施形態では４個である。ガイド部９０の個数、配置、サイズは、基板の種類やサイズ等による。

シリンダ１１８とガイド部９０の配置については、図５に限定されるものではなく、例えば、センサ支持板１２２の４隅にシリンダ１１８を設け、センサ支持板１２２の中央部や周辺部にガイド部９０を設けてもよい。また、センサ支持板１２２の４隅にガイド部９０を設け、センサ支持板１２２の中央部や周辺部にシリンダ１１８を設けてもよい。さらに、シリンダ１１８とガイド部９０は、全体として水平方向に移動可能なものでもよい。そのために、例えば、シリンダ１１８とガイド部９０を水平方向に移動可能な部材に取り付け、この部材を水平方向に駆動する駆動部を設けてもよい。

図４，５の実施形態では、加圧部１０４は、板状をしているが、加圧部は板状に限られるものではなく、加圧部１０４は、ローラとローラ取付部とを有し、ローラが基板Ｗ１を水平搬送機構１０２に押圧することとしてもよい。ローラの個数は、反りが矯正できればよく、少なくとも４個あることが好ましい。ローラ取付部は、板もしくはフレームであり、移動機構１０６の軸１２４がローラ取付部に取り付けられる。この場合、移動機構１０６は、ローラ取付部とローラを介して、基板Ｗ１を加圧する。

膜厚測定部１０８は、例えば渦電流センサとすることができる。渦電流センサは、励磁コイルと検知コイルを有する。励磁コイルに高周波交流(2MHz～)を流し、交流磁界を発生させる。励磁コイルは、その近傍にある基板Ｗ１の導電性の金属表面に、交流磁界により渦電流を発生する。渦電流は交流磁界を打ち消す方向に流れる。渦電流によって発生した磁界を検知コイルによって検知する。検知コイルが検知した磁界の大きさは基板Ｗ１の膜厚に依存するので膜厚を検知することができる。渦電流センサは、磁界の大きさを、検知コイルを流れる電流または検知コイルのインピーダンスとして検知する。

膜厚測定部１０８は、渦電流センサ（すなわち、金属表面に誘起される渦電流の大きさを検知するセンサ）に限られるものではない。めっき膜の膜厚が測定できるものであれば任意の方式の膜厚測定器を利用することができる。例えば、膜厚測定部１０８として、電磁誘導式膜厚測定器（励磁コイルの先端に磁性体を近づけると、励磁コイルが磁性体をひきつけることに対する反作用（電磁誘導）がおきることを利用して、膜厚のわずかな変化に対応して、検知コイルの電圧が変化することを利用した膜厚測定器）や、電気抵抗式膜
厚測定器（４つの測定端子を金属表面に接触させて、外側２端子より電流を流しながら内側２端子間の電圧降下度合いを測定する膜厚測定器）や、磁気式膜厚測定器（ホール効果を利用した膜厚測定器）を用いることができる。

本実施形態では、基板Ｗ１はレジストを有し、膜厚測定部１０８は、レジストを有する基板Ｗ１のめっき膜の膜厚を測定する。しかし、基板Ｗ１はレジストを有しなくてもよい。基板Ｗ１がレジストを有する場合、膜厚を測定した結果、めっき膜の膜厚が薄い、および／または膜厚が不均一のため、不合格となった場合、レジストを基板に再度塗布することなく再度めっきすることができる。また、不合格となった当該基板を廃棄することなく、再度めっきすることができる。このため、コストが低減する。

図５においては、膜厚測定部１０８は４個であるが、膜厚測定部１０８ａと膜厚測定部１０８ｂの２個の膜厚測定部１０８のみでもよい。この場合、水平搬送機構１０２により、基板Ｗ１がＸ方向に搬送されることを利用して、２個の膜厚測定部１０８ａと膜厚測定部１０８ｂにより、基板Ｗ１の全体の膜厚を測定することができる。

図５に示すセンサ支持板１２２は無くてもよい。この場合、膜厚測定部１０８とセンサ駆動部１３０を、シリンダ１１８とは別箇のシリンダを介して上部フレーム１２８に直接取り付けることができる。シリンダ１１８とは別箇のシリンダは、膜厚測定部１０８とセンサ駆動部１３０を上下方向に移動させるためのものである。なお、膜厚測定部１０８を水平方向に移動させる必要がない場合は、センサ駆動部１３０は不要である。

基板Ｗ１を洗浄する洗浄装置５０において基板Ｗ１を洗浄する洗浄方法は、以下のように行われる。入口５１から基板Ｗ１を洗浄装置５０に投入する。水平搬送機構５６に基板Ｗ１が搭載された状態で、基板Ｗ１を処理エリア８２に搬送する。処理エリア８２で基板Ｗ１を洗浄および乾燥する。その後、第２搬送経路５４の水平搬送機構１０２に基板Ｗ１を搭載して出口５５まで搬送する。加圧部１０４を移動機構１０６によって水平搬送機構１０２に向かって移動させる。加圧部１０４によって基板Ｗ１を水平搬送機構１０２に押圧して、基板Ｗ１の反りを矯正する。基板Ｗ１が水平搬送機構１０２に押圧された状態で、膜厚測定部１０８を用いて基板Ｗ１のめっき膜の膜厚を測定する。測定後、基板Ｗ１を出口５５から搬出する。

以上、本発明の実施形態の例について説明してきたが、上記した発明の実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明には、その均等物が含まれることはもちろんである。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、特許請求の範囲および明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、または、省略が可能である。
以上説明したように、本発明は以下の形態を有する。
形態１
めっき処理と洗浄処理が行われた被処理物を支持する支持部と、
前記被処理物を介して前記支持部と対向可能な位置に設けられて、前記被処理物を前記支持部に押圧することが可能な加圧部と、
前記加圧部を前記支持部に向かって移動させて、前記加圧部によって前記被処理物を前記支持部に押圧する移動機構と、
前記被処理物のめっき膜の膜厚を測定する膜厚測定部とを有する、前記被処理物を洗浄する洗浄装置。
形態２
前記支持部は、前記被処理物を搬送する搬送機構であることを特徴とする形態１記載の洗浄装置。
形態３
前記加圧部はローラを有し、前記ローラが前記被処理物を前記支持部に押圧することが可能であることを特徴とする形態１または２記載の洗浄装置。
形態４
前記ローラは、少なくとも４個であることを特徴とする形態１ないし３のいずれか１項に記載の洗浄装置。
形態５
前記膜厚測定部は前記測定時に移動して、前記被処理物の複数個所で前記被処理物のめっき膜の膜厚を測定することを特徴とする形態１ないし４のいずれか１項に記載の洗浄装置。
形態６
前記膜厚測定部を複数有することを特徴とする形態１ないし５のいずれか１項に記載の洗浄装置。
形態７
前記膜厚測定部は、渦電流センサを有することを特徴とする形態１ないし６のいずれか１項に記載の洗浄装置。
形態８
前記被処理物はレジストを有し、前記膜厚測定部は、前記レジストを有する前記被処理物のめっき膜の膜厚を測定することを特徴とする形態１ないし７のいずれか１項に記載の洗浄装置。
形態９
形態１から８のいずれか１項に記載された洗浄装置を備えためっき装置。
形態１０
めっき処理と洗浄処理が行われた被処理物を支持する支持部と、前記被処理物を介して前記支持部と対向可能な位置に設けられて、前記被処理物を前記支持部に押圧することが可能な加圧部と、前記加圧部を前記支持部に向かって移動させて、前記加圧部によって前記被処理物を前記支持部に押圧する移動機構と、前記被処理物のめっき膜の膜厚を測定す
る膜厚測定部とを有する、前記被処理物を洗浄する洗浄装置において前記被処理物を洗浄する方法であって、
前記支持部に前記被処理物を搭載する工程と、
前記加圧部を前記移動機構によって前記支持部に向かって移動させて、前記加圧部によって前記被処理物を前記支持部に押圧する工程と、
前記被処理物が前記支持部に押圧された状態で、前記膜厚測定部を用いて前記被処理物のめっき膜の膜厚を測定する工程と、を有する、洗浄方法。

５０…洗浄装置
５５…出口
５６…水平搬送機構
９０…ガイド部
９２…軸
９４…スプライン
１０２…水平搬送機構
１０４…加圧部
１０６…移動機構
１０８…膜厚測定部
１１４…ローラ
１１８…シリンダ
１２２…センサ支持板
１２４…軸
１３０…センサ駆動部

Claims (9)

1. めっき処理と洗浄処理が行われた被処理物を支持する支持部と、
   前記被処理物を介して前記支持部と対向可能な位置に設けられて、前記被処理物を前記支持部に押圧することが可能な加圧部と、
   前記加圧部を前記支持部に向かって移動させて、前記加圧部によって前記被処理物を前記支持部に押圧する移動機構と、
   前記被処理物が前記支持部に押圧された状態で、前記被処理物のめっき膜の膜厚を測定する膜厚測定部とを有し、
   前記移動機構は前記加圧部を上方向に移動可能であり、
   前記支持部は、前記被処理物を搬送する搬送機構である、前記被処理物を洗浄する洗浄装置。
2. 前記加圧部はローラを有し、前記ローラが前記被処理物を前記支持部に押圧することが可能であることを特徴とする請求項１記載の洗浄装置。
3. 前記ローラは、少なくとも４個であることを特徴とする請求項２記載の洗浄装置。
   
4. 前記膜厚測定部は前記測定時に移動して、前記被処理物の複数個所で前記被処理物のめっき膜の膜厚を測定することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の洗浄装置。
5. 前記膜厚測定部を複数有することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の洗浄装置。
6. 前記膜厚測定部は、渦電流センサを有することを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の洗浄装置。
7. 前記被処理物はレジストを有し、前記膜厚測定部は、前記レジストを有する前記被処理物のめっき膜の膜厚を測定することを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の洗浄装置。
8. 請求項１から７のいずれか１項に記載された洗浄装置を備えためっき装置。
9. めっき処理と洗浄処理が行われた被処理物を支持する支持部と、前記被処理物を介して前記支持部と対向可能な位置に設けられて、前記被処理物を前記支持部に押圧することが可能な加圧部と、前記加圧部を前記支持部に向かって移動させて、前記加圧部によって前記被処理物を前記支持部に押圧する移動機構と、前記被処理物のめっき膜の膜厚を測定する膜厚測定部とを有し、前記移動機構は前記加圧部を上方向に移動可能であり、前記支持部は、前記被処理物を搬送する搬送機構である、前記被処理物を洗浄する洗浄装置において前記被処理物を洗浄する方法であって、
   前記支持部に前記被処理物を搭載する工程と、
   前記加圧部を前記移動機構によって前記支持部に向かって移動させて、前記加圧部によって前記被処理物を前記支持部に押圧する工程と、
   前記被処理物が前記支持部に押圧された状態で、前記膜厚測定部を用いて前記被処理物のめっき膜の膜厚を測定する工程と、を有する、洗浄方法。

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