TWI750018B

TWI750018B - 鍍覆裝置及基板之膜厚量測方法

Info

Publication number: TWI750018B
Application number: TW110102622A
Authority: TW
Inventors: 関正也; 富田正輝; 張紹華
Original assignee: 日商荏原製作所股份有限公司
Priority date: 2021-01-25
Filing date: 2021-01-25
Publication date: 2021-12-11
Also published as: TW202229655A

Abstract

本發明提供一種鍍覆處理時可量測基板之膜厚的技術。本發明之鍍覆裝置1000具備：鍍覆槽10；基板固持器20；旋轉機構30；接點構件50，其係配置於基板固持器並且在基板固持器之周方向配置複數個，與基板下面之外周緣接觸，在鍍覆處理時對基板饋電；線圈60，其係以在鍍覆處理時，藉由流入與基板固持器一起旋轉之接點構件的電流產生之磁場的電磁感應而產生電流之方式構成；電流感測器65，其係檢測產生於線圈之電流；及膜厚量測裝置70，其係在鍍覆處理時，依據電流感測器所檢測之電流來量測基板的膜厚。

Description

鍍覆裝置及基板之膜厚量測方法

本發明係係關於一種鍍覆裝置及基板之膜厚量測方法。

過去，可對基板實施鍍覆處理之習知鍍覆裝置有所謂杯式的鍍覆裝置（例如，參照專利文獻1）。此種鍍覆裝置具備：貯存鍍覆液並且將陽極配置於內部之鍍覆槽；配置於比陽極上方，而保持作為陰極之基板的基板固持器；及對基板實施鍍覆處理時使基板固持器旋轉之旋轉機構。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2008－19496號公報

（發明所欲解決之問題）

上述過去之鍍覆裝置在鍍覆處理時，並未形成可量測基板之膜厚的構造。

本發明係鑑於上述情況者，其一個目的為提供一種在鍍覆處理時可量測基板之膜厚的技術。（解決問題之技術手段）（樣態1）

為了達成上述目的，本發明一個樣態之鍍覆裝置具備：鍍覆槽，其係貯存鍍覆液，並且在內部配置有陽極；基板固持器，其係比前述陽極配置於上方，並保持作為陰極之基板；旋轉機構，其係於對前述基板實施鍍覆處理之鍍覆處理時，使前述基板固持器旋轉；接點構件，其係配置於前述基板固持器，並且在前述基板固持器之周方向配置複數個，與前述基板下面之外周緣接觸，在前述鍍覆處理時對前述基板饋電；線圈，其係以在前述鍍覆處理時，藉由流入與前述基板固持器一起旋轉之前述接點構件的電流產生之磁場的電磁感應而產生電流之方式構成；電流感測器，其係檢測產生於前述線圈之電流；及膜厚量測裝置，其係在前述鍍覆處理時，依據前述電流感測器所檢測之電流來量測前述基板的膜厚。

採用該樣態時，可在鍍覆處理時量測基板之膜厚。（樣態2）

上述樣態1中，前述線圈係以在前述基板固持器之徑方向且比前述基板固持器外側，在與前述基板固持器之間具有空間的方式配置。（樣態3）

上述樣態1或樣態2中，複數個前述接點構件係均等地配置於前述基板固持器之周方向，前述電流感測器亦可以檢測在前述鍍覆處理時，藉由與前述基板固持器一起旋轉之前述接點構件中最靠近前述線圈之前述接點構件的前述磁場之電磁感應而產生於前述線圈的電流之方式構成。

採用該樣態時，可量測在基板周方向之膜厚的分布。（樣態4）

為了達成上述目的，本發明一個樣態的基板之膜厚量測方法係使用鍍覆裝置，該鍍覆裝置具備：鍍覆槽，其係貯存鍍覆液，並且在內部配置有陽極；基板固持器，其係比前述陽極配置於上方，並保持作為陰極之基板；旋轉機構，其係於對前述基板實施鍍覆處理之鍍覆處理時使前述基板固持器旋轉；接點構件，其係配置於前述基板固持器，並且在前述基板固持器之周方向配置複數個，與前述基板下面之外周緣接觸，在前述鍍覆處理時對前述基板饋電；及線圈，其係以在前述鍍覆處理時，藉由流入與前述基板固持器一起旋轉之前述接點構件的電流產生之磁場的電磁感應而產生電流之方式構成；且在前述鍍覆處理時，包含檢測前述線圈上產生之電流，並依據該檢測之電流量測前述基板的膜厚。

採用該樣態時，可在鍍覆處理時量測基板之膜厚。

以下，就本發明之實施形態參照圖式加以說明。另外，圖式係為了容易理解其特徵而模式性圖示，各元件之尺寸比率等與實際者未必相同。此外，在一些圖式中，圖示有X－Y－Z之正交座標用於參考。該正交座標中，Z方向相當於上方，－Z方向相當於下方（重力作用之方向）。

圖1係顯示本實施形態之鍍覆裝置1000的整體構成立體圖。圖2係顯示本實施形態之鍍覆裝置1000的整體構成俯視圖。如圖1、2所示，鍍覆裝置1000具備：裝載埠100、搬送機器人110、對準器120、預濕模組200、預浸模組300、鍍覆模組400、清洗模組500、自旋沖洗乾燥器600、搬送裝置700、及控制模組800。

裝載埠100係用於搬入收納於鍍覆裝置1000中無圖示之FOUP（前開式晶圓傳送盒）等匣盒的基板，或是從鍍覆裝置1000搬出基板至匣盒的模組。本實施形態係在水平方向並列配置4台裝載埠100，不過，裝載埠100之數量及配置不拘。搬送機器人110係用於搬送基板之機器人，且以在裝載埠100、對準器120、及搬送裝置700之間交接基板的方式構成。搬送機器人110及搬送裝置700在搬送機器人110與搬送裝置700之間交接基板時，可經由無圖示之暫置台進行基板的交接。

對準器120係用於將基板之定向範圍或蝕刻除去形成於鍍覆處理前之基板的被鍍覆面之種層表面等存在的電阻大之氧化膜，實施清洗或活化鍍覆凹槽等的位置對準指定方向之模組。本實施形態係在水平方向並列配置2台對準器120，不過，對準器120之數量及配置不拘。預濕模組200藉由將鍍覆處理前之基板的被鍍覆面以純水或脫氣水等處理液濕潤，並將形成於基板表面之圖案內部的空氣替換成處理液。預濕模組200係以在鍍覆時藉由將圖案內部之處理液替換成鍍覆液，而實施容易在圖案內部供給鍍覆液之預濕處理的方式構成。本實施形態係在上下方向並列配置2台預濕模組200，不過預濕模組200之數量及配置不拘。

預浸模組300例如係以實施藉由硫酸或鹽酸等處理液蝕刻除去形成於鍍覆處理前之基板的被鍍覆面之種層表面等上存在之電阻大的氧化膜，清洗或活化鍍覆基底表面之預浸處理的方式構成。本實施形態係在上下方向並列配置2台預浸模組300，不過預浸模組300之數量及配置不拘。鍍覆模組400對基板實施鍍覆處理。本實施形態有2組在上下方向並列配置3台且在水平方向並列配置4台之12台的鍍覆模組400，而設置合計24台之鍍覆模組400，不過鍍覆模組400之數量及配置不拘。

清洗模組500係以為了除去殘留於鍍覆處理後之基板的鍍覆液等而對基板實施清洗處理之方式構成。本實施形態係在上下方向並列配置2台清洗模組500，不過清洗模組500之數量及配置不拘。自旋沖洗乾燥器600係用於使清洗處理後之基板高速旋轉而乾燥的模組。本實施形態係在上下方向並列配置2台自旋沖洗乾燥器，不過自旋沖洗乾燥器之數量及配置不拘。搬送裝置700係用於在鍍覆裝置1000中之複數個模組間搬送基板的裝置。控制模組800係以控制鍍覆裝置1000之複數個模組的方式構成，例如可由具備與作業人員之間的輸入輸出介面之一般電腦或專用電腦而構成。

以下說明鍍覆裝置1000之一連串鍍覆處理的一例。首先，將收納於匣盒之基板搬入裝載埠100。繼續，搬送機器人110從裝載埠100之匣盒取出基板，並將基板搬送至對準器120。對準器120將基板之定向範圍或凹槽等的位置對準指定方向。搬送機器人110將藉由對準器120對準方向之基板送交搬送裝置700。

搬送裝置700將從搬送機器人110接收之基板搬送至預濕模組200。預濕模組200對基板實施預濕處理。搬送裝置700將實施預濕處理後之基板搬送至預浸模組300。預浸模組300對基板實施預浸處理。搬送裝置700將實施預浸處理後之基板搬送至鍍覆模組400。鍍覆模組400對基板實施鍍覆處理。

搬送裝置700將實施鍍覆處理後之基板搬送至清洗模組500。清洗模組500對基板實施清洗處理。搬送裝置700將實施清洗處理後之基板搬送至自旋沖洗乾燥器600。自旋沖洗乾燥器600對基板實施乾燥處理。搬送裝置700將實施乾燥處理後之基板送交搬送機器人110。搬送機器人110將從搬送裝置700所接收之基板搬送至裝載埠100的匣盒。最後，從裝載埠100搬出收納了基板之匣盒。

另外，圖1及圖2所說明之鍍覆裝置1000的構成只不過是一例，鍍覆裝置1000之構成並非限定於圖1及圖2之構成者。

繼續，說明鍍覆模組400。另外，由於本實施形態之鍍覆裝置1000具有的複數個鍍覆模組400具有同樣的構成，因此僅就單一個鍍覆模組400作說明。

圖3係用於說明本實施形態之鍍覆裝置1000的鍍覆模組400之構成的模式圖。圖4係顯示鍍覆處理時將基板Wf浸漬於鍍覆液Ps之狀態的模式圖。本實施形態之鍍覆裝置1000係杯式的鍍覆裝置。鍍覆裝置1000之鍍覆模組400主要具備：鍍覆槽10、基板固持器20、旋轉機構30、升降機構40、接點構件50、線圈60、電流感測器65、及膜厚量測裝置70。另外，圖3及圖4中，鍍覆裝置1000之一部分構件（例如，鍍覆槽10、基板固持器20等）係模式性圖示其剖面。

本實施形態之鍍覆槽10係藉由在上方具有開口之有底的容器而構成。具體而言，鍍覆槽10具有：底部10a；及從該底部10a之外周緣向上方延伸的外周部10b；該外周部10b之上部開口。另外，鍍覆槽10之外周部10b的形狀並非特別限定者，而本實施形態之外周部10b的一例為具有圓筒形狀。

在鍍覆槽10之內部貯存有鍍覆液Ps。鍍覆液Ps只要是包含構成鍍覆皮膜之金屬元素的離子之溶液即可，其具體例並非特別限定者。本實施形態中，鍍覆處理之一例為使用銅鍍覆處理，鍍覆液Ps之一例為使用硫酸銅溶液。此外，本實施形態中，鍍覆液Ps中含有指定之添加劑。但是，並非限定於該構成者，鍍覆液Ps亦可不含添加劑而構成。

另外，在鍍覆槽10中設有：用於供給鍍覆液Ps至鍍覆槽10之供給口（無圖示）；及用於從鍍覆槽10排出鍍覆液Ps之排出口（無圖示）。從排出口所排出之鍍覆液Ps暫時貯存於貯存槽（無圖示）後，藉由泵浦（無圖示）壓送而再度從供給口供給至鍍覆槽10。

在鍍覆槽10之內部配置有陽極11。陽極11之具體種類並非特別限定者，可使用溶解陽極或不溶解陽極。本實施形態中係使用不溶解陽極作為陽極11。該不溶解陽極之具體種類並非特別限定者，可使用鉑或氧化銥等。

在鍍覆槽10內部之比陽極11上方配置有多孔質的電阻體12。具體而言，電阻體12係藉由具有複數個孔（細孔）之多孔質的板構件而構成。在比電阻體12下方側之鍍覆液Ps可通過電阻體12而流動至比電阻體12上方側。該電阻體12係為了謀求形成於陽極11與基板Wf之間的電場均勻化而設的構件。因此，藉由將電阻體12配置於鍍覆槽10中，可輕易謀求形成於基板Wf之鍍覆皮膜（鍍覆層）的膜厚均勻化。另外，電阻體12在本實施形態中並非必要的構成，鍍覆裝置1000之構成亦可不具備電阻體12。

基板固持器20係可保持作為陰極之基板Wf的構件。具體而言，基板固持器20配置於比陽極11上方（本實施形態係比電阻體12更上方）。基板固持器20係以基板Wf之下面Wfa與陽極11及電阻體12相對的方式保持基板Wf。另外，基板Wf之下面Wfa相當於被鍍覆面。

圖5（A）係放大圖3之A1部分而顯示的模式剖面圖。本實施形態之基板固持器20具有：第一保持構件21與第二保持構件22。第一保持構件21保持基板Wf之上面Wfb。第二保持構件22經由密封構件23而保持基板Wf之下面Wfa的外周緣。基板固持器20藉由第一保持構件21與第二保持構件22夾著基板Wf來保持基板Wf。另外，第一保持構件21具有圓板形狀，第二保持構件22具有概略環形狀。密封構件23係將基板Wf浸漬於鍍覆液Ps時，用於抑制鍍覆液Ps與接點構件50接觸的密封構件。密封構件23具有環形狀。

另外，上述基板固持器20之構成只不過是一例，基板固持器20只要是可保持基板Wf者即可，並非限定於上述之構成者。

再度參照圖3，基板固持器20連接於旋轉機構30之旋轉軸31。旋轉機構30係用於使基板固持器20旋轉之機構。旋轉機構30可使用馬達等熟知的機構。升降機構40藉由在上下方向延伸之支軸45而支撐。升降機構40係用於使基板固持器20及旋轉機構30在上下方向升降之機構。升降機構40可使用直動式致動器等熟知的升降機構。旋轉機構30及升降機構40藉由控制模組800來控制。

在對基板Wf實施鍍覆處理之鍍覆處理時，旋轉機構30使基板固持器20旋轉，並且升降機構40使基板固持器20移動至下方，而使基板Wf浸漬於鍍覆槽10之鍍覆液Ps中（參照圖4）。在將基板Wf浸漬於鍍覆液Ps之狀態下，藉由通電裝置（無圖示）而在陽極11與基板Wf之間流動電流。藉此，在基板Wf之下面Wfa上形成鍍覆皮膜。

鍍覆模組400之動作藉由控制模組800來控制。控制模組800備有微電腦，該微電腦具備：作為處理器之CPU（中央處理單元）801；及作為永久性記憶媒體之記憶部802等。藉由CPU801按照記憶於記憶部802之程式的指令而工作，控制模組800控制鍍覆模組400之旋轉機構30及升降機構40。

圖5（B）係顯示從上方辨識接點構件50之周邊構成的剖面（B1－B1線剖面）情況之模式剖面圖。另外，圖5（B）中省略第一保持構件21之圖示。參照圖5（A）及圖5（B），接點構件50係與基板Wf之下面Wfa的外周緣接觸，用於對基板Wf饋電的構件。接點構件50配置於基板固持器20（具體而言，本實施形態係第二保持構件22），並且在基板固持器20之周方向配置複數個。

具體而言，本實施形態之複數個接點構件50係均等地配置於基板固持器20的周方向。另外，複數個接點構件50之數量並非特別限定者，不過，本實施形態之一例係12個。複數個接點構件50與通電裝置（無圖示）電性連接，而將從通電裝置供給之電力供給至基板Wf。

繼續，說明線圈60、電流感測器65及膜厚量測裝置70。參照圖3、圖4、圖5（A）及圖5（B），本實施形態之線圈60在基板固持器20之徑方向配置於比基板固持器20外側。此外，本實施形態之線圈60係以在與基板固持器20之間具有空間的方式（亦即，不與基板固持器20接觸之方式）而配置。

線圈60經由用於保持線圈60之保持構件（無圖示）而固定於鍍覆模組400。並以即使基板固持器20旋轉時，線圈60仍不旋轉之方式構成。此外，線圈60係以當基板固持器20升降時，與基板固持器20一起升降之方式構成。具體而言，本實施形態之線圈60係經由保持構件（無圖示）而連接於升降機構40。藉此，當基板固持器20升降時，線圈60亦與基板固持器20一起升降。

此外，如圖4所示，本實施形態中，係以即使基板Wf浸漬於鍍覆液Ps時，線圈60不致浸漬於鍍覆液Ps的方式設定線圈60之配置位置。但是，並非限定於該構成者，例如，亦可為將基板Wf浸漬於鍍覆液Ps時，線圈60易浸漬於鍍覆液Ps的構成。

此外，如圖5（A）所示，本實施形態中，線圈60係以線圈60之線圈軸60a在上下方向延伸的方式配置。但是，線圈軸60a之延伸方向並非限定於此者。舉出其他例時，線圈軸60a亦可在水平方向延伸，或是亦可在對水平方向以比0°大，且比90°小之角度傾斜的方向延伸。

圖6係用於說明膜厚量測方法之模式圖。另外，圖6中，第二保持構件22、接點構件50及線圈60係圖示從與圖5（B）相同方向辨識的情況。

對基板Wf實施鍍覆處理之鍍覆處理時，藉由流入接點構件50之電流而在接點構件50的周圍產生磁場MA。鍍覆處理時，因為接點構件50與基板固持器20一起旋轉，所以該磁場MA亦與基板固持器20一起旋轉。藉由該旋轉之磁場MA的電磁感應而在線圈60上產生電流（具體而言係微弱電流）。亦即，該線圈60上產生之電流係藉由電磁感應而產生的感應電流。

具體而言，本實施形態之線圈60係以鍍覆處理時與基板固持器20一起旋轉之接點構件50中，最靠近線圈60之接點構件50的磁場MA之電磁感應而在線圈60上產生電流的方式調整其配置位置。

電流感測器65與線圈60電性連接，來檢測線圈60上產生之電流值。具體而言，本實施形態之電流感測器65係以檢測藉由在與基板固持器20一起旋轉之接點構件50中，最靠近線圈60之接點構件50的磁場MA之電磁感應而產生於線圈60的電流值之方式構成。

膜厚量測裝置70與電流感測器65電性連接。膜厚量測裝置70配置於鍍覆槽10之外部，並依據電流感測器65所檢測之電流量測形成於基板Wf之下面Wfa的鍍覆皮膜之膜厚（亦即，「基板Wf之膜厚」）。

具體而言，本實施形態之膜厚量測裝置70備有微電腦，該微電腦具備：作為處理器之CPU71、及作為永久性之記憶媒體的記憶部72等。記憶部72中記憶有程式。膜厚量測裝置70藉由CPU71按照記憶於記憶部72之程式的指令而工作來量測基板Wf之膜厚。藉由該膜厚量測裝置70量測膜厚之具體例如下。

首先，有流入接點構件50之電流值愈小（結果，藉由該電流而產生之磁場MA愈弱），而基板Wf之膜厚愈小的傾向。因而，基板Wf之膜厚愈小，則線圈60上產生之電流值愈小。因此，基板Wf之膜厚與線圈60上產生的電流值之間有彼此相關的關係。因此，本實施形態之膜厚量測裝置70係利用此種基板Wf之膜厚與線圈60上產生之電流值彼此相關的關係來量測基板Wf之膜厚。

具體而言，本實施形態之膜厚量測裝置70的記憶部72中預先記憶有規定線圈60上產生之電流值與基板Wf的膜厚之關係的資料圖。該資料圖係以線圈60上產生之電流值愈小，則基板Wf之膜厚愈小的方式來規定線圈60上產生之電流值與基板Wf之膜厚的關係。而後，膜厚量測裝置70取得電流感測器65檢測出之電流值（亦即，線圈60上產生之電流值），並從記憶部72之資料圖抽出對應於該取得之電流值的基板Wf之膜厚，而取得該抽出之基板Wf的膜厚作為基板Wf之膜厚的量測值。膜厚量測裝置70如以上地量測基板Wf之膜厚。

此外，由於本實施形態之電流感測器65如前述，係檢測以最靠近線圈60之接點構件50的磁場MA之電磁感應而在線圈60上產生的電流，因此，本實施形態之膜厚量測裝置70係量測對應於最靠近該線圈60之接點構件50的旋轉相位（θ）之基板Wf的膜厚。

例如，圖6所示之電流感測器65檢測以在旋轉相位（θ）為180°之位置的接點構件50之磁場MA的電磁感應而在線圈60上產生之電流。而後，膜厚量測裝置70依據藉由該電流感測器65檢測出之電流，量測在旋轉相位（θ）為180°之部位的基板Wf之膜厚。每當複數個接點構件50靠近線圈60時即進行該動作。藉此，膜厚量測裝置70可量測在基板Wf之周方向的膜厚分布（換言之，接點構件50每個旋轉相位的膜厚）。

另外，本實施形態的基板Wf之膜厚量測方法係藉由上述之鍍覆裝置1000來實現。因為該膜厚量測方法之說明與鍍覆裝置1000的說明重複，所以省略。

採用以上說明之本實施形態時，在鍍覆處理時可量測基板Wf之膜厚。此外，採用本實施形態時，亦可量測在基板Wf之周方向的膜厚分布。

以上，詳述了本發明之實施形態，不過本發明並非限定於該特定之實施形態者，在記載於申請專利範圍之本發明要旨的範圍內，當然可進行各種修改及變更。

10:鍍覆槽 10a:底部 10b:外周部 11:陽極 12:電阻體 20:基板固持器 21:第一保持構件 22:第二保持構件 23:密封構件 30:旋轉機構 31:旋轉軸 40:升降機構 45:支軸 50:接點構件 60:線圈 60a:線圈軸 65:電流感測器 70:膜厚量測裝置 71:CPU 72:記憶部 400:鍍覆模組 800:控制模組 801:CPU 802:記憶部 1000:鍍覆裝置 MA:磁場 Ps:鍍覆液 Wf:基板 Wfa:下面 Wfb:上面

圖1係顯示實施形態之鍍覆裝置的整體構成立體圖。圖2係顯示實施形態之鍍覆裝置的整體構成俯視圖。圖3係用於說明實施形態之鍍覆裝置的鍍覆模組之構成的模式圖。圖4係顯示在鍍覆處理時將基板浸漬於鍍覆液之狀態的模式圖。圖5（A）係放大圖3之A1部分而顯示的模式剖面圖。圖5（B）係顯示從上方辨識接點構件之周邊構成的剖面情況之模式剖面圖。圖6係用於說明實施形態之膜厚量測方法的模式圖。

10:鍍覆槽

10a:底部

10b:外周部

11:陽極

12:電阻體

20:基板固持器

21:第一保持構件

22:第二保持構件

30:旋轉機構

31:旋轉軸

40:升降機構

45:支軸

50:接點構件

60:線圈

65:電流感測器

70:膜厚量測裝置

71:CPU

72:記憶部

400:鍍覆模組

800:控制模組

801:CPU

802:記憶部

1000:鍍覆裝置

Ps:鍍覆液

Wf:基板

Wfa:下面

Claims

一種鍍覆裝置，係具備：鍍覆槽，其係貯存鍍覆液，並且在內部配置有陽極；基板固持器，其係比前述陽極配置於上方，並保持作為陰極之基板；旋轉機構，其係於對前述基板實施鍍覆處理之鍍覆處理時，使前述基板固持器旋轉；接點構件，其係配置於前述基板固持器，並且在前述基板固持器之周方向配置複數個，與前述基板下面之外周緣接觸，在前述鍍覆處理時對前述基板饋電；線圈，其係以在前述鍍覆處理時，藉由流入與前述基板固持器一起旋轉之前述接點構件的電流產生之磁場的電磁感應而產生電流之方式構成；電流感測器，其係檢測產生於前述線圈之電流；及膜厚量測裝置，其係在前述鍍覆處理時，依據前述電流感測器所檢測之電流來量測前述基板的膜厚。
如請求項1之鍍覆裝置，其中前述線圈係以在前述基板固持器之徑方向且比前述基板固持器外側，在與前述基板固持器之間具有空間的方式配置。
如請求項1或2之鍍覆裝置，其中複數個前述接點構件係均等地配置於前述基板固持器之周方向，前述電流感測器係以檢測在前述鍍覆處理時，藉由與前述基板固持器一起旋轉之前述接點構件中最靠近前述線圈之前述接點構件的前述磁場之電磁感應而產生於前述線圈的電流之方式構成。
一種基板之膜厚量測方法，係使用鍍覆裝置，該鍍覆裝置具備：鍍覆槽，其係貯存鍍覆液，並且在內部配置有陽極；基板固持器，其係比前述陽極配置於上方，並保持作為陰極之基板；旋轉機構，其係於對前述基板實施鍍覆處理之鍍覆處理時使前述基板固持器旋轉；接點構件，其係配置於前述基板固持器，並且在前述基板固持器之周方向配置複數個，與前述基板下面之外周緣接觸，在前述鍍覆處理時對前述基板饋電；及線圈，其係以在前述鍍覆處理時，藉由流入與前述基板固持器一起旋轉之前述接點構件的電流產生之磁場的電磁感應而產生電流之方式構成；其中係在前述鍍覆處理時，檢測前述線圈上產生之電流，並依據該檢測之電流量測前述基板的膜厚。