CN114981485B - 镀覆装置以及镀覆液的搅拌方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及镀覆装置以及镀覆液的搅拌方法。本发明提供一种无需使用搅棒,就能够搅拌镀覆液的技术。镀覆装置(1000)具备保持件盖(50),该保持件盖(50)配置于基板保持件(30),并在基板保持件旋转的情况下与基板保持件一起旋转,保持件盖具有浸渍于镀覆液且位于比基板的被镀覆面靠下方的位置的下表面,在保持件盖的下表面设置有沿相对于保持件盖的旋转方向交叉的方向延伸的至少一个盖槽。
Description
技术领域
本发明涉及镀覆装置以及镀覆液的搅拌方法。
背景技术
以往,作为能够对基板实施镀覆处理的镀覆装置,公知有所谓的杯式的镀覆装置(例如,参照专利文献1)。这样的镀覆装置具备:镀覆槽,存积镀覆液,并且在内部配置有阳极;基板保持件,保持作为阴极的基板;以及旋转机构,使基板保持件旋转。
另外,以往,公知有如下技术:为了搅拌镀覆槽的镀覆液,对形成于基板表面的通孔供给充分的金属离子,从而在镀覆槽配置搅棒,该搅棒通过与基板的表面平行地往复运动来搅拌镀覆液(例如,参照专利文献2、专利文献3)。
专利文献1:日本特开2008-19496号公报
专利文献2:日本特开2009-155726号公报
专利文献3:美国专利第7390383号说明书
在上述专利文献1所例示的杯式的镀覆装置中,考虑将例如专利文献2、专利文献3所例示的搅棒配置于镀覆槽。然而,在该情况下,在搅棒的往复运动方向的两端附近,存在搅棒的移动速度变慢的情况,在该情况下,存在形成于基板的镀膜的均匀性降低的担忧。或者,在搅棒瞬间停止的情况下,存在在基板上形成电场的影子的担忧,在这种情况下,存在镀膜的均匀性降低的担忧。
另外,在将上述那样的搅棒配置于镀覆槽的情况下,也存在镀覆装置大型化的可能性。
发明内容
本发明是鉴于上述状况而完成的,其目的之一在于提供一种无需使用搅棒,就能够搅拌镀覆液的技术。
(方式1)
为了实现上述目的,本发明的一个方式所涉及的镀覆装置具备:镀覆槽,存积镀覆液,并且在内部配置有阳极;基板保持件,配置在比上述阳极靠上方的位置,保持作为阴极的基板;旋转机构,使上述基板保持件旋转;以及保持件盖,配置于上述基板保持件,并在上述基板保持件旋转的情况下与上述基板保持件一起旋转,上述保持件盖具有浸渍于上述镀覆液且位于比上述基板的被镀覆面靠下方的位置的下表面,在上述保持件盖的上述下表面设置有沿相对于上述保持件盖的旋转方向交叉的方向延伸的至少一个盖槽。
根据该方式,在通过基板保持件旋转而保持件盖旋转的情况下,能够利用设置有盖槽的保持件盖的下表面,来搅拌镀覆液。由此,无需使用搅棒,就能够搅拌镀覆液。其结果,能够抑制伴随使用搅棒的镀膜的均匀性的降低、镀覆装置的大型化。
(方式2)
在上述方式1中,上述保持件盖可以在仰视观察时具有环形形状。
(方式3)
上述方式1或2可以还具备紊流产生部件,该紊流产生部件配置于上述镀覆槽的上述内部的比上述基板靠下方且比上述阳极靠上方的部位,使从比上述基板靠下方侧朝向上述基板流动的上述镀覆液产生紊流。
根据该方式,紊流产生部件使镀覆液产生紊流,由此能够有效地搅拌镀覆液。
(方式4)
在上述方式3中,上述紊流产生部件可以具有将上述紊流产生部件的下端与上述紊流产生部件的上端连通,且供朝向上述基板的上述镀覆液流动的内部流路,上述内部流路在仰视观察上述紊流产生部件时,具有阿基米德螺旋形状。
根据该方式,能够在基板保持件旋转时,尽可能地抑制阳极与基板之间的电场被保持件盖阻碍,并且能够搅拌镀覆液。
(方式5)
在上述方式4中,可以在上述内部流路设置有使在上述内部流路流动的上述镀覆液产生紊流的突起。
根据该方式,与在内部流路没有设置突起的情况相比,能够使在内部流路流动的镀覆液有效地产生紊流。由此,能够更有效地搅拌镀覆液。
(方式6)
在上述方式4或5中,上述紊流产生部件可以构成为在对上述基板实施镀覆处理的镀覆处理时,上述紊流产生部件的上述上端在与上述基板的上述被镀覆面之间具有间隙,并且位于比上述保持件盖的上述下表面靠上方的位置。
根据该方式,例如,与紊流产生部件的上端位于比保持件盖的下表面靠下方的位置的情况相比,能够减小间隙的间隔,从而使在该间隙流动的镀覆液的流速有效地上升。其结果,能够有效地搅拌镀覆液。
(方式7)
为了实现上述目的,本发明的一个方式所涉及的镀覆液的搅拌方法是上述方式1~6中任一方式所涉及的镀覆装置的上述镀覆液的搅拌方法,包括:在对上述基板实施镀覆处理的镀覆处理时,在上述保持件盖的上述下表面浸渍于上述镀覆液的状态下,利用上述旋转机构,使上述基板保持件旋转。
根据该方式,无需使用搅棒,就能够搅拌镀覆液。由此,能够抑制伴随使用搅棒的镀膜的均匀性的降低、镀覆装置的大型化。
附图说明
图1是表示实施方式所涉及的镀覆装置的整体结构的立体图。
图2是表示实施方式所涉及的镀覆装置的整体结构的俯视图。
图3是用于对实施方式所涉及的镀覆装置的镀覆模块的结构进行说明的示意图。
图4是实施方式所涉及的基板浸渍于镀覆液的状态下的基板的周边结构的示意图。
图5是实施方式所涉及的保持件盖的示意性仰视图。
图6是实施方式所涉及的紊流产生部件的示意性仰视图。
图7是表示实施方式所涉及的紊流产生部件的周边的镀覆液的流动的状况的示意性剖视图。
图8(A)是实施方式的变形例1所涉及的保持件盖的示意性仰视图。图8(B)是实施方式的变形例2所涉及的保持件盖的示意性仰视图。
图9(A)是实施方式的变形例3所涉及的紊流产生部件的示意性剖视图。图9(B)是实施方式的变形例4所涉及的紊流产生部件的示意性剖视图。
图10(A)是实施方式的变形例5所涉及的紊流产生部件的示意性剖视图。图10(B)是实施方式的变形例6所涉及的紊流产生部件的示意性剖视图。
图11(A)是实施方式的变形例7所涉及的紊流产生部件的示意性剖视图。图11(B)是实施方式的变形例8所涉及的紊流产生部件的示意性剖视图。
图12是实施方式的变形例9所涉及的紊流产生部件的示意性剖视图。
具体实施方式
以下,参照附图对本发明的实施方式进行说明。此外,在以下的实施方式、实施方式的变形例中,往往对相同或对应的结构标注相同的附图标记并适当省略说明。另外,附图是为了容易理解物品的特征而示意性地图示的,各构成要素的尺寸比率等不限于与实际的相同。另外,在几个附图中,作为参考用,图示了X-Y-Z的正交坐标。该正交坐标中的,Z方向相当于上方,-Z方向相当于下方(重力作用的方向)。
图1是表示本实施方式的镀覆装置1000的整体结构的立体图。图2是表示本实施方式的镀覆装置1000的整体结构的俯视图。如图1及图2所示,镀覆装置1000具备装载口100、输送机械臂110、对准器120、预湿模块200、预浸模块300、镀覆模块400、清洗模块500、旋转冲洗干燥模块600、输送装置700以及控制模块800。
装载口100是用于将收容于未图示的FOUP等盒的基板搬入于镀覆装置1000或者从镀覆装置1000向盒搬出基板的模块。在本实施方式中,4台装载口100沿水平方向排列配置,但装载口100的数量及配置是任意的。输送机械臂110是用于输送基板的机械臂,构成为在装载口100、对准器120以及输送装置700之间交接基板。输送机械臂110及输送装置700能够在输送机械臂110与输送装置700之间交接基板时,经由临时放置台(未图示)进行基板的交接。
对准器120是用于使基板的定向平面、凹口等的位置与规定的方向对准的模块。在本实施方式中,2台对准器120沿水平方向排列配置,但对准器120的数量及配置是任意的。预湿模块200通过利用纯水或脱气水等处理液润湿镀覆处理前的基板的被镀覆面,将在基板表面形成的图案内部的空气置换为处理液。预湿模块200构成为实施通过在镀覆时将图案内部的处理液置换为镀覆液而容易向图案内部供给镀覆液的预湿处理。在本实施方式中,2台预湿模块200沿上下方向排列配置,但预湿模块200的数量及配置是任意的。
预浸模块300例如构成为实施利用硫酸、盐酸等处理液对在镀覆处理前的基板的被镀覆面形成的种子层表面等存在的电阻大的氧化膜进行蚀刻除去而对镀覆基底表面进行清洗或活化的预浸处理。在本实施方式中,2台预浸模块300沿上下方向排列配置,但预浸模块300的数量及配置是任意的。镀覆模块400对基板实施镀覆处理。在本实施方式中,沿上下方向排列3台且沿水平方向排列4台而配置的12台镀覆模块400的组件为两组,合计设置有24台镀覆模块400,但镀覆模块400的数量及配置是任意的。
清洗模块500构成为为了除去镀覆处理后的基板上残留的镀覆液等而对基板实施清洗处理。在本实施方式中,2台清洗模块500沿上下方向排列配置,但清洗模块500的数量及配置是任意的。旋转冲洗干燥模块600是用于使清洗处理后的基板高速旋转而使其干燥的模块。在本实施方式中,2台旋转冲洗干燥模块600沿上下方向排列配置,但旋转冲洗干燥模块的数量及配置是任意的。输送装置700是用于在镀覆装置1000内的多个模块之间输送基板的装置。控制模块800构成为控制镀覆装置1000的多个模块,例如能够由具备与操作人员之间的输入输出接口的一般的计算机或专用计算机构成。
对镀覆装置1000进行的一系列镀覆处理的一个例子进行说明。首先,将收容于盒的基板搬入于装载口100。接着,输送机械臂110从装载口100的盒取出基板,并将基板输送至对准器120。对准器120使基板的定向平面、凹口等的位置与规定的方向对准。输送机械臂110将由对准器120对准了方向的基板交接给输送装置700。
输送装置700将从输送机械臂110接收到的基板输送给预湿模块200。预湿模块200对基板实施预湿处理。输送装置700将实施了预湿处理的基板输送给预浸模块300。预浸模块300对基板实施预浸处理。输送装置700将实施了预浸处理的基板输送给镀覆模块400。镀覆模块400对基板实施镀覆处理。
输送装置700将实施了镀覆处理的基板输送给清洗模块500。清洗模块500对基板实施清洗处理。输送装置700将实施了清洗处理的基板输送给旋转冲洗干燥模块600。旋转冲洗干燥模块600对基板实施干燥处理。输送装置700将实施了干燥处理的基板交接给输送机械臂110。输送机械臂110将从输送装置700接收到的基板输送给装载口100的盒。最后,将收容基板的盒从装载口100搬出。
此外,在图1、图2中说明的镀覆装置1000的结构只不过是一个例子,镀覆装置1000的结构不限定于图1、图2的结构。
接着,对镀覆模块400进行说明。此外,本实施方式所涉及的镀覆装置1000所具有的多个镀覆模块400具有相同的结构,因此对一个镀覆模块400进行说明。
图3是用于对本实施方式所涉及的镀覆装置1000的镀覆模块400的结构进行说明的示意图。本实施方式所涉及的镀覆装置1000是杯式的镀覆装置。本实施方式所涉及的镀覆装置1000的镀覆模块400主要具备镀覆槽10、溢流槽20、基板保持件30、旋转机构40、升降机构45、保持件盖50以及紊流产生部件60。此外,在图3中,示意性地图示了镀覆槽10、溢流槽20以及基板保持件30的截面。
本实施方式所涉及的镀覆槽10由在上方具有开口的有底的容器构成。具体而言,镀覆槽10具有底壁部10a和从该底壁部10a的外周缘向上方延伸的外周壁部10b,该外周壁部10b的上部开口。此外,镀覆槽10的外周壁部10b的形状没有特别限定,本实施方式所涉及的外周壁部10b作为一个例子,具有圆筒形状。
在镀覆槽10的内部存积有镀覆液Ps。作为镀覆液Ps,只要是含有构成镀膜的金属元素的离子的溶液即可,其具体例没有特别限定。在本实施方式中,作为镀覆处理的一个例子,使用镀铜处理,作为镀覆液Ps的一个例子,使用硫酸铜溶液。另外,在本实施方式中,在镀覆液Ps含有规定的添加剂。但是,不限定于该结构,镀覆液Ps也能够形成为不含添加剂的构成。
在镀覆槽10的内部配置有阳极11。阳极11的具体种类没有特别限定,能够使用溶解阳极、不溶解阳极。在本实施方式中,作为阳极11,使用不溶解阳极。该不溶解阳极的具体种类没有特别限定,能够使用铂、氧化铱等。
在镀覆槽10的内部,在比阳极11靠上方配置有隔膜12。具体而言,隔膜12配置在阳极11与基板Wf(阴极)之间的部位。作为一个例子,本实施方式所涉及的隔膜12经由保持部件10d,与镀覆槽10的外周壁部10b连接。另外,本实施方式所涉及的隔膜12配置为隔膜12的面方向成为水平方向。
镀覆槽10的内部被隔膜12在上下方向分割成两部分。将被划分为比隔膜12靠下方侧的区域称为阳极室13。将比隔膜12靠上方侧的区域称为阴极室14。上述的阳极11配置于阳极室13。
隔膜12由允许金属离子通过,并且抑制镀覆液Ps中含有的添加剂通过的膜构成。即,在本实施方式中,阴极室14的镀覆液Ps含有添加剂,但阳极室13的镀覆液Ps不含添加剂。但是,不限定于该结构,例如,阳极室13的镀覆液Ps也可以含有添加剂。然而,在这种情况下,阳极室13的添加剂的浓度也比阴极室14的添加剂的浓度低。隔膜12的具体种类没有特别限定,能够使用公知的隔膜。若列举该隔膜12的具体例,例如能够使用电解隔膜,作为该电解隔膜的具体例,例如,株式会社Yuasa Membrane Systems制的镀覆用电解隔膜,或者使用离子交换膜等。
如本实施方式那样,镀覆装置1000具备隔膜12,由此能够抑制由于阳极侧的反应而导致镀覆液Ps中含有的添加剂的成分进行分解或反应,由此,能够抑制由于该添加剂的成分的分解或反应而导致生成对镀覆造成不良影响的成分。
在镀覆槽10设置有用于对阳极室13供给镀覆液Ps的阳极用供给口15。另外,在镀覆槽10设置有用于将阳极室13的镀覆液Ps从阳极室13排出的阳极用排出口16。从阳极用排出口16排出的镀覆液Ps在之后暂时存积于阳极用的贮槽(未图示)后,从阳极用供给口15被再次供给至阳极室13。
在镀覆槽10设置有用于对阴极室14供给镀覆液Ps的阴极用供给口17。具体而言,在本实施方式所涉及的镀覆槽10的外周壁部10b中的与阴极室14对应的部分的一部分设置有向镀覆槽10的中心侧突出的突出部10c,在该突出部10c设置有阴极用供给口17。
溢流槽20配置于镀覆槽10的外侧,由有底的容器构成。溢流槽20是为了暂时存积超过镀覆槽10的外周壁部10b的上端的镀覆液Ps(即,从镀覆槽10溢流的镀覆液Ps)而设置的槽。从阴极用供给口17供给至阴极室14的镀覆液Ps在流入到溢流槽20之后,从溢流槽20用的排出口(未图示)排出,暂时存积于阴极用的贮槽(未图示)。然后,镀覆液Ps从阴极用供给口17被再次供给至阴极室14。
在本实施方式中,在镀覆槽10的内部的比阳极11靠上方配置有多孔的电阻体18。具体而言,电阻体18设置于阴极室14。另外,本实施方式所涉及的电阻体18设置于突出部10c的上端附近部位。电阻体18由具有多个孔(细孔)的多孔性的板部件构成。比电阻体18靠下方侧的镀覆液Ps构成为能够经过电阻体18,流动至比电阻体18靠上方侧。该电阻体18是为了实现在阳极11与基板Wf之间形成的电场的均匀化而设置的部件。这样,镀覆装置1000具有电阻体18,由此能够有效地实现在基板Wf的被镀覆面Wfa形成的镀膜(镀层)的膜厚的均匀化(即,镀膜的均匀性)。
但是,上述的电阻体18在本实施方式中不是必须的结构,镀覆装置1000也能够形成为不具备电阻体18的结构。
另外,在本实施方式中,在阳极室13配置有阳极掩膜19。本实施方式所涉及的阳极掩膜19配置为阳极掩膜19的上表面与隔膜12的下表面接触。但是,阳极掩膜19的配置部位只要是阳极室13即可,不限定于图3所示的部位。若列举其他例子,则阳极掩膜19也可以以在与隔膜12之间具有空间的方式配置于比隔膜12靠下方侧的部位。阳极掩膜19具有供在阳极11与基板Wf之间流动的电气通过的开口部19a。这样,镀覆装置1000具备阳极掩膜19,由此能够使基板Wf的镀膜的面内均匀性提高。
基板保持件30是用于保持作为阴极的基板Wf的部件。基板Wf配置于比阳极11靠上方的位置。基板保持件30保持基板Wf以使基板Wf的被镀覆面Wfa朝向下方。具体而言,本实施方式所涉及的基板保持件30具有第一保持部件31和第二保持部件32。第一保持部件31保持基板Wf的上表面。第二保持部件32保持基板Wf的被镀覆面Wfa的外周缘部。基板保持件30以由第一保持部件31和第二保持部件32夹持基板Wf的方式保持基板Wf。
旋转机构40是用于使基板保持件30旋转的机构。具体而言,旋转机构40与基板保持件30连接,接受控制模块800的指令,至少在对基板Wf实施镀覆处理的镀覆处理时,使基板保持件30旋转。作为旋转机构40,能够使用旋转马达等公知的机构。此外,图3所图示的“R”是基于旋转机构40的基板保持件30的旋转方向的一个例子。旋转机构40与升降机构45连接。升降机构45由沿上下方向延伸的支轴46支承。升降机构45是用于使基板保持件30及旋转机构40在上下方向升降的机构。作为升降机构45,能够使用直动式的致动器等公知的升降机构。
在镀覆处理时,旋转机构40使基板保持件30旋转,并且升降机构45使基板保持件30向下方移动,使基板Wf浸渍于镀覆槽10的镀覆液Ps。此外,此时,后述的保持件盖50的下表面50a也浸渍于镀覆液Ps。接下来,通过通电装置,使电气在阳极11与基板Wf之间流动。由此,在基板Wf的被镀覆面Wfa形成镀膜。
镀覆模块400的动作由控制模块800控制。控制模块800具备微型计算机,该微型计算机具备作为处理器的CPU(Central Processing Unit:中央处理器)801、作为非暂时性存储介质的存储部802等。在控制模块800中,基于存储于存储部802的程序的指令,CPU801控制镀覆模块400的动作。
此外,在本实施方式中,一个控制模块800作为统一控制镀覆模块400的被控制部的控制装置发挥功能,但不限定于该结构。例如,控制模块800可以具备多个控制装置,该多个控制装置分别单独地控制镀覆模块400的各个被控制部。
接着,对保持件盖50进行说明。图4是基板Wf浸渍于镀覆液Ps的状态下的基板Wf的周边结构的示意图。此外,在图4中,省略了溢流槽20的图示。图5是保持件盖50的示意性仰视图。此外,在图5也一并图示了保持件盖50的一部分(A2部分)的示意性立体图。参照图4及图5,保持件盖50配置于基板保持件30。保持件盖50构成为在基板保持件30旋转的情况下与基板保持件30一起旋转。
具体而言,如图4所示,本实施方式所涉及的保持件盖50与第二保持部件32的至少下表面32a连接。更具体而言,保持件盖50与第二保持部件32的下表面32a以及外周面32b连接。在镀覆处理时,保持件盖50的至少下表面50a浸渍于镀覆液Ps。另外,保持件盖50的下表面50a位于比基板Wf的被镀覆面Wfa靠下方的位置。
参照图4及图5,本实施方式所涉及的保持件盖50在仰视观察时,配置于基板保持件30的第二保持部件32,以使保持件盖50的下表面50a包围基板Wf的被镀覆面Wfa的周围。具体而言,本实施方式所涉及的保持件盖50的下表面50a具有在中央部具有开口部53的环形形状。
如图5所示,在保持件盖50的下表面50a设置有至少一个盖槽51。具体而言,本实施方式所涉及的盖槽51作为一个例子,设置有多个。盖槽51沿与保持件盖50的旋转方向(或者周向)交叉的方向延伸。具体而言,本实施方式所涉及的盖槽51朝向保持件盖50的径向延伸。
在本实施方式中,多个盖槽51在与相邻的盖槽51之间具有一定的间隔,整体设置于保持件盖50的下表面50a的周向。另外,本实施方式所涉及的盖槽51的槽壁部52由直线状的平面构成。
该盖槽51是为了在保持件盖50旋转的情况下,对镀覆液Ps赋予离心力,赋予从镀覆槽10的内侧(中心侧)朝向外侧(外周侧)的流动而设置的(该镀覆液Ps的流动的状况在后述的图7中例示)。即,在保持件盖50旋转的情况下,存在于保持件盖50的盖槽51的镀覆液Ps被赋予离心力,由此经过盖槽51而朝向外侧流动。由此,在镀覆槽10的径向上从内侧朝向外侧的镀覆液Ps的流动被加速。其结果,存在于基板Wf与电阻体18之间的镀覆液Ps被搅拌。
如以上那样,根据本实施方式,在保持件盖50随着基板保持件30的旋转而旋转的情况下,能够利用设置有盖槽51的保持件盖的下表面50a,来搅拌镀覆液Ps。由此,无需使用搅棒,就能够搅拌镀覆液Ps。其结果,能够抑制伴随使用搅棒的镀膜的均匀性的降低、镀覆装置1000的大型化。
另外,根据本实施方式,与将搅棒配置在电阻体18与基板Wf之间的情况相比,能够减小电阻体18与基板Wf之间的距离。由此,能够有效地实现镀膜的均匀性。另外,能够有效地抑制镀覆装置1000的大型化。
接着,对紊流产生部件60进行说明。参照图3及图4,紊流产生部件60配置于镀覆槽10的镀覆液Ps的内部的比基板Wf靠下方且比阳极11靠上方的部位。具体而言,本实施方式所涉及的紊流产生部件60配置于阴极室14,并且经由连接部件70与电阻体18的上表面连接。但是,利用连接部件70的紊流产生部件60的连接方法不限定于图4所示的方法。若列举其他一例,则例如,连接部件70也可以构成为将阴极室14中的镀覆槽10的外周壁部10b的内周面与紊流产生部件60的外周面连接。
紊流产生部件60是构成为使从比基板Wf靠下方侧朝向基板Wf流动的镀覆液Ps(具体而言,在本实施方式中,从比电阻体18靠下方侧经过电阻体18而朝向基板Wf流动的镀覆液Ps)产生紊流的部件。具体而言,本实施方式所涉及的紊流产生部件60具有以下的结构。
图6是紊流产生部件60的示意性仰视图。图7是表示紊流产生部件60的周边的镀覆液Ps的流动的状况的示意性剖视图。此外,在图7中,省略了溢流槽20的图示。参照图4、图6以及图7,本实施方式所涉及的紊流产生部件60具有供经过电阻体18而朝向基板Wf的镀覆液Ps流动的内部流路61。
如图4所示,本实施方式所涉及的内部流路61构成为将紊流产生部件60的下端60a(即,与阳极11、电阻体18对置的部位)与紊流产生部件60的上端60b(即,与基板Wf对置的部位)连通。另外,如图6所示,本实施方式所涉及的内部流路61在仰视观察紊流产生部件60时,具有“阿基米德螺旋形状”。此外,这样的具有阿基米德螺旋形状的内部流路61构成为相邻的内部流路61彼此的间隔相等。
图6图示了将基板Wf的被镀覆面Wfa的任意一点投影到紊流产生部件60而得的投影点P1。该投影点P1在基板Wf旋转的情况下,描绘圆形的轨迹C1。在如本实施方式那样内部流路61具有阿基米德螺旋形状的情况下,在基板Wf旋转一圈时,投影点P1仅在从投影点P2到投影点P3的部分,与紊流产生部件60中的内部流路61以外的部位重叠。由此,根据本实施方式,在基板保持件30旋转时,能够尽可能地抑制阳极11与基板Wf之间的电场被保持件盖50阻碍,并且能够搅拌镀覆液Ps。
另外,如图4所示,本实施方式所涉及的紊流产生部件60构成为在对基板Wf实施镀覆处理的镀覆处理时,紊流产生部件60的上端60b在与基板Wf的被镀覆面Wfa之间具有间隙80,并且位于比保持件盖50的下表面50a靠上方的位置。
如图7所示,已经过电阻体18的镀覆液Ps在紊流产生部件60的内部流路61流动之后,朝向基板Wf流动。如上述那样,根据本实施方式,保持件盖50旋转,由此从镀覆槽10的内侧(中心侧)朝向外侧(外周侧)的流动被加速。因此,在紊流产生部件60的内部流路61流动后的镀覆液Ps在紊流产生部件60的上端60b与基板Wf的被镀覆面Wfa之间的间隙80流动,由此沿着基板Wf的被镀覆面Wfa在镀覆槽10的径向上从内侧朝向外侧猛烈地流动。然后,镀覆液Ps在基板保持件30与镀覆槽10的外周壁部10b之间的部分流动,越过镀覆槽10的外周壁部10b的上端而流入到溢流槽20。
如图7所示,本实施方式所涉及的紊流产生部件60在紊流产生部件60的上端60b,使镀覆液Ps产生紊流。具体而言,在紊流产生部件60与基板Wf之间流动的镀覆液Ps与紊流产生部件60的上端60b碰撞,由此在该上端60b使镀覆液Ps产生紊流。
另外,在本实施方式所涉及的内部流路61设置有突起62,该突起62构成为使在内部流路61流动的镀覆液Ps产生紊流。具体而言,本实施方式所涉及的突起62设置于内部流路61中的流路壁部60c(径向上朝向外侧的流路壁部)的下端。该突起62的截面形状没有特别限定,在本实施方式中作为一个例子,为矩形。通过在内部流路61流动的镀覆液Ps的一部分与突起62碰撞,从而使该镀覆液Ps产生紊流。
这样,根据本实施方式,能够通过紊流产生部件60,使朝向基板Wf流动的镀覆液Ps产生紊流。由此,能够有效地搅拌镀覆液Ps。
另外,根据本实施方式,由于在内部流路61设置有突起62,因此与在内部流路61没有设置突起62的情况相比,能够使在内部流路61流动的镀覆液Ps有效地产生紊流。由此,能够更有效地搅拌镀覆液Ps。
此外,突起62不仅设置于流路壁部60c,还可以设置于与流路壁部60c相反侧的流路壁部60d(径向上朝向内侧的流路壁部)。或者,突起62也可以不设置于流路壁部60c,而仅设置于流路壁部60d。
另外,根据本实施方式,紊流产生部件60的上端60b在与被镀覆面Wfa之间具有间隙80且位于比保持件盖50的下表面50a靠上方的位置,因此例如,与紊流产生部件60的上端60b位于比保持件盖50的下表面50a靠下方的位置的情况相比,能够减小间隙80的间隔(上下方向的距离)。由此,能够使在该间隙80流动的镀覆液Ps的流速有效地上升,因此能够有效地搅拌镀覆液Ps。
该间隙80的间隔的具体数值没有特别限定,若列举从镀覆液Ps的搅拌的观点出发优选的数值例,则例如优选为15mm以下,更优选为10mm以下,进一步优选为5mm以下。
此外,本实施方式所涉及的镀覆液的搅拌方法由上述的镀覆装置1000来实现。即,本实施方式所涉及的镀覆液的搅拌方法包括:在进行对浸渍于镀覆液Ps的基板Wf实施镀覆处理的镀覆处理时,在保持件盖50的下表面50a浸渍于镀覆液Ps的状态下,利用旋转机构40使基板保持件30旋转。该镀覆液的搅拌方法的详细内容与上述镀覆装置1000的说明重复,因此省略。利用本实施方式所涉及的镀覆液的搅拌方法,也能够起到与上述镀覆装置1000同样的作用效果。
(变形例1)
保持件盖50的结构不限定于上述图5等中说明的结构。以下,对保持件盖50的变形例进行说明。图8(A)是实施方式的变形例1所涉及的保持件盖50A的示意性仰视图。本变形例所涉及的保持件盖50A在仰视观察时,盖槽51A的槽壁部52A为圆弧状这一点上,与图5所示的保持件盖50不同。在本变形例中,也能够起到与上述实施方式所涉及的保持件盖50同样的作用效果。
(变形例2)
图8(B)是实施方式的变形例2所涉及的保持件盖50B的示意性仰视图。本变形例所涉及的保持件盖50B在盖槽51A仅设置于保持件盖50B的下表面50a的一部分这一点上,与图8(A)所示的保持件盖50A不同。具体而言,本变形例所涉及的盖槽51A作为一个例子,在仰视观察保持件盖50B时,仅设置于保持件盖50B的夹着中心线L1的一侧。在本变形例中,也能够起到与上述变形例1所涉及的保持件盖50A同样的作用效果。
此外,本变形例所涉及的保持件盖50B也可以具有上述盖槽51来代替盖槽51A。另外,上述变形例1及变形例2所涉及的保持件盖是保持件盖50的变形例的一个例子,保持件盖50的变形例不限定于上述。
(变形例3)
在上述实施方式中,紊流产生部件60的截面形状不限定于图4等例示的结构。以下,对紊流产生部件60的变形例进行说明。
图9(A)是实施方式的变形例3所涉及的紊流产生部件60A的示意性剖视图。此外,该图9(A)针对本变形例所涉及的紊流产生部件60A,示意性地图示了相当于图4的A1部分的部位的放大截面(这在后述的图9(B)~图12也是同样的)。
本变形例所涉及的紊流产生部件60A在突起62不仅设置于流路壁部60c(径向上朝向外侧的流路壁部),还设置于流路壁部60d(径向上朝向内侧的流路壁部)这一点、以及这些突起62设置于紊流产生部件60的上下方向的中央部这一点上,与图4所示的实施方式所涉及的紊流产生部件60不同。
另外,紊流产生部件60A在流路壁部60c中的突起62与上端60b之间的部分及突起62与下端60a之间的部分具有曲面形状这一点、流路壁部60d中的突起62与上端60b之间的部分及突起62与下端60a之间的部分成为相对于水平方向倾斜的倾斜面这一点、以及突起62的前端具有尖的形状这一点上,与图4所示的紊流产生部件60不同。
根据本变形例,能够利用流路壁部60c的突起62和流路壁部60d的突起62,使紊流有效地产生。
(变形例4)
图9(B)是实施方式的变形例4所涉及的紊流产生部件60B的示意性剖视图。本变形例所涉及的紊流产生部件60B主要在流路壁部60d中的突起62与上端60b之间的部分以及突起62与下端60a之间的部分具有曲面形状这一点上,与图9(A)所示的紊流产生部件60A不同。另外,紊流产生部件60B在上端60b及下端60a具有尖的形状这一点上,也与图9(A)所示的紊流产生部件60A不同。
在本变形例中,也能够起到与变形例3所涉及的紊流产生部件60A同样的作用效果。
(变形例5)
图10(A)是实施方式的变形例5所涉及的紊流产生部件60C的示意性剖视图。本变形例所涉及的紊流产生部件60C主要在流路壁部60d未设置有突起62,而流路壁部60d成为沿上下方向延伸的平面这一点上、和流路壁部60c中的突起62与上端60b之间的部分及突起62与下端60a之间的部分成为倾斜面这一点上,与图9(B)所示的紊流产生部件60B不同。
根据本变形例,能够利用流路壁部60c的突起62,使紊流有效地产生。
(变形例6)
图10(B)是实施方式的变形例6所涉及的紊流产生部件60D的示意性剖视图。本变形例所涉及的紊流产生部件60D主要在流路壁部60d中的突起62与上端60b之间的部分以及突起62与下端60a之间的部分具有曲面形状这一点上,与图9(A)所示的紊流产生部件60A不同。在本变形例中,也能够起到与变形例3所涉及的紊流产生部件60A同样的作用效果。
(变形例7)
图11(A)是实施方式的变形例7所涉及的紊流产生部件60E的示意性剖视图。本变形例所涉及的紊流产生部件60E主要在突起62设置于流路壁部60c中的上下方向的中央部这一点、和在流路壁部60c中的突起62与上端60b之间的部分及突起62与下端60a之间的部分分别设置有台阶63这一点上,与图4所示的紊流产生部件60不同。在本变形例中,也能够利用流路壁部60c的突起62,使紊流有效地产生。
(变形例8)
图11(B)是实施方式的变形例8所涉及的紊流产生部件60F的示意性剖视图。本变形例所涉及的紊流产生部件60F主要在流路壁部60c的突起62设置于流路壁部60d的上下方向的中央部这一点、和该突起62的基端部(与流路壁部60c的边界部)为曲面64这一点上,与图4所示的紊流产生部件60不同。在本变形例中,也能够起到与紊流产生部件60同样的作用效果。
(变形例9)
图12是实施方式的变形例9所涉及的紊流产生部件60G的示意性剖视图。本变形例所涉及的紊流产生部件60G在流路壁部60c不具备突起62,其结果,流路壁部60c成为平坦的平面这一点上,与图4所示的紊流产生部件60不同。在本变形例中,也如图7所说明的那样,能够利用紊流产生部件60G的上端60b,使紊流产生。
此外,上述变形例3~变形例9所涉及的紊流产生部件是紊流产生部件60的变形例的一个例子,紊流产生部件60的变形例不限定于上述。
以上,对本发明的实施方式、变形例进行了详细叙述,但本发明不限定于上述特定的实施方式、变形例,在权利要求书所记载的本发明的主旨的范围内,能够进行进一步的各种变形·变更。
附图标记说明
10…镀覆槽;11…阳极;18…电阻体;30…基板保持件;40…旋转机构;50…保持件盖;50a…下表面;51…盖槽;60…紊流产生部件;60a…下端;60b…上端;61…内部流路;60c、60d…流路壁部;62…突起;80…间隙;Wf…基板;Wfa…被镀覆面;Ps…镀覆液。
Claims (6)
1.一种镀覆装置,其中,具备:
镀覆槽,存积镀覆液,并且在内部配置有阳极;
基板保持件,配置于比所述阳极靠上方的位置,对作为阴极的基板进行保持;
旋转机构,使所述基板保持件旋转;以及
保持件盖,配置于所述基板保持件,在所述基板保持件旋转的情况下与所述基板保持件一起旋转,
所述保持件盖具有浸渍于所述镀覆液且位于比所述基板的被镀覆面靠下方的位置的下表面,
在所述保持件盖的所述下表面设置有沿相对于所述保持件盖的旋转方向交叉的方向延伸的至少一个盖槽,
所述镀覆装置还具备紊流产生部件,所述紊流产生部件配置于所述镀覆槽的所述内部的比所述基板靠下方且比所述阳极靠上方的部位,使从比所述基板靠下方侧朝向所述基板流动的所述镀覆液产生紊流。
2.根据权利要求1所述的镀覆装置,其中,
在仰视观察时,所述保持件盖具有环形形状。
3.根据权利要求1所述的镀覆装置,其中,
所述紊流产生部件具有将所述紊流产生部件的下端与所述紊流产生部件的上端连通,供朝向所述基板的所述镀覆液进行流动的内部流路,
在仰视观察所述紊流产生部件时,所述内部流路具有阿基米德螺旋形状。
4.根据权利要求3所述的镀覆装置,其中,
在所述内部流路设置有突起,所述突起使在所述内部流路流动的所述镀覆液产生紊流。
5.根据权利要求3或4所述的镀覆装置,其中,
所述紊流产生部件构成为在进行对所述基板实施镀覆处理的镀覆处理时,所述紊流产生部件的所述上端在与所述基板的所述被镀覆面之间具有间隙且位于比所述保持件盖的所述下表面靠上方的位置。
6.一种镀覆液的搅拌方法,是权利要求1~5中任一项所述的镀覆装置的所述镀覆液的搅拌方法,其中,
包括如下工序:在进行对所述基板实施镀覆处理的镀覆处理时,在所述保持件盖的所述下表面浸渍于所述镀覆液的状态下,利用所述旋转机构使所述基板保持件旋转。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2020/047645 WO2022137277A1 (ja) | 2020-12-21 | 2020-12-21 | めっき装置及びめっき液の撹拌方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114981485A CN114981485A (zh) | 2022-08-30 |
CN114981485B true CN114981485B (zh) | 2023-03-28 |
Family
ID=76650045
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202080027302.1A Active CN114981485B (zh) | 2020-12-21 | 2020-12-21 | 镀覆装置以及镀覆液的搅拌方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220396896A1 (zh) |
JP (1) | JP6899041B1 (zh) |
KR (1) | KR102333344B1 (zh) |
CN (1) | CN114981485B (zh) |
WO (1) | WO2022137277A1 (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP6944091B1 (ja) * | 2021-03-10 | 2021-10-06 | 株式会社荏原製作所 | めっき装置及び気泡除去方法 |
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- 2020-12-21 US US17/605,477 patent/US20220396896A1/en active Pending
- 2020-12-21 CN CN202080027302.1A patent/CN114981485B/zh active Active
- 2020-12-21 JP JP2021517503A patent/JP6899041B1/ja active Active
- 2020-12-21 KR KR1020217031345A patent/KR102333344B1/ko active IP Right Grant
- 2020-12-21 WO PCT/JP2020/047645 patent/WO2022137277A1/ja active Application Filing
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JP6899041B1 (ja) | 2021-07-07 |
JPWO2022137277A1 (zh) | 2022-06-30 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |