TWI837780B

TWI837780B - 鍍覆裝置及鍍覆方法

Info

Publication number: TWI837780B
Application number: TW111131451A
Authority: TW
Inventors: 辻一仁
Original assignee: 日商荏原製作所股份有限公司
Priority date: 2022-08-22
Filing date: 2022-08-22
Publication date: 2024-04-01
Also published as: TW202409358A

Abstract

本發明之鍍覆裝置具備：鍍覆槽，構成容納鍍覆液的態樣；基板固持器，構成保持基板的態樣，該基板是進行鍍覆處理的對象；旋轉機構，使前述基板固持器旋轉；升降機構，使前述基板固持器升降；及控制裝置；前述基板固持器具備：接觸構件，構成接觸前述基板而可供電的態樣；密封構件，構成將前述基板固持器與前述基板之間密封的態樣；液體保持部，內部具有前述接觸構件，該液體保持部構成在前述基板固持器與前述基板之間由前述密封構件所密封時可保持液體的態樣；及吐出口，其構成在前述液體保持部或在前述基板固持器的內部與前述液體保持部連通的空間開口，或是可配置於前述基板固持器的側邊，而吐出前述液體的態樣。

Description

鍍覆裝置及鍍覆方法

本發明係關於鍍覆裝置及鍍覆方法。

作為鍍覆裝置，已知杯式及浸漬式等電鍍裝置。杯式的電鍍裝置中，係使被鍍覆面朝下而保持於基板固持器的基板(例如半導體晶圓)浸漬於鍍覆液，藉由在基板與陽極之間施加電壓，而在基板的表面上析出導電膜(參照專利文獻1及2)。浸漬式的電鍍裝置中，係在使被鍍覆面朝向側面的狀態下進行鍍覆處理(參照專利文獻3)。

這種鍍覆裝置的基板固持器上設有用以接觸基板而供電的接觸構件。又，基板固持器具備密封構件，其在鍍覆處理中進行密封以使鍍覆液不會接觸到接觸構件。專利文獻3的電鍍裝置中，為了防止鍍覆液進入工件保持治具中容納接觸構件的密封空間內，而在密封空間中填充不含金屬鹽的液體。［先前技術文獻］［專利文獻］

［專利文獻1］日本發明專利第7047200號公報［專利文獻2］日本發明專利第7081063號公報［專利文獻3］日本發明專利第6893142號公報

［發明所欲解決之課題］

基板固持器的內部存在鍍覆液之成分等混入物，則會引起金屬成分的堆積而導致接觸構件受損，此外其會成為因基板的種子層溶解而造成供電不均、進而導致鍍覆厚度不均勻的原因。期望可進行效率良好的鍍覆處理並且抑制因為基板固持器內部的混入物而對於接觸構件等造成不良的影響。

本發明係鑒於上述問題而完成者。其目的之一係提出一種可抑制因基板固持器內部的混入物而對於接觸構件等造成不良影響的鍍覆方法及鍍覆裝置。［解決課題之手段］

根據本發明的一型態，提出一種鍍覆裝置。鍍覆裝置具備：鍍覆槽，構成容納鍍覆液的態樣；基板固持器，構成保持基板的態樣，該基板是進行鍍覆處理的對象；旋轉機構，使前述基板固持器旋轉；升降機構，使前述基板固持器升降；及控制裝置；前述基板固持器具備：接觸構件，構成接觸前述基板而可供電的態樣；密封構件，構成將前述基板固持器與前述基板之間密封的態樣；緊壓構件，與前述密封構件對向配置，構成相對前述密封構件緊壓前述基板的態樣；液體保持部，內部具有前述接觸構件，前述液體保持部構成在前述基板固持器與前述基板之間由前述密封構件所密封時可保持液體的態樣；吐出口，其構成在前述液體保持部或是在前述基板固持器內部與前述液體保持部連通的空間開口，或是可配置於前述基板固持器的側邊，而吐出前述液體的態樣。

根據本發明的另一型態，提供一種鍍覆方法。此鍍覆方法係藉由鍍覆裝置進行鍍覆處理的鍍覆方法，該鍍覆裝置具備：鍍覆槽，構成容納鍍覆液的態樣；基板固持器，構成保持基板的態樣，該基板是進行鍍覆處理的對象；旋轉機構，使前述基板固持器旋轉；及升降機構，使前述基板固持器升降；前述基板固持器具備：接觸構件，構成接觸前述基板而可供電的態樣；密封構件，構成將前述基板固持器與前述基板之間密封的態樣；液體保持部，內部具有前述接觸構件，前述液體保持部構成在前述基板固持器與前述基板之間由前述密封構件所密封時可保持液體的態樣；及吐出口，在前述液體保持部或前述基板固持器中與前述液體保持部連通的空間開口，或是可配置於前述基板固持器的側邊；該鍍覆方法包含下述步驟：將前述基板安裝於前述基板固持器的步驟；從前述吐出口吐出前述液體的步驟；使前述基板固持器旋轉以使所吐出之前述液體流動至前述液體保持部或使前述液體在前述液體保持部中均勻分布的步驟；對於已安裝的前述基板進行前述鍍覆處理的步驟。

以下參照圖式說明本發明的實施型態。以下說明的圖式中，對於相同或相當的構成要件，賦予相同的符號並省略重複的說明。

第一實施型態＜鍍覆裝置的整體構成＞圖1係顯示第一實施型態之鍍覆裝置1000的整體構成的立體圖。圖2係顯示鍍覆裝置1000的整體構成的俯視圖。如圖1及圖2所示，鍍覆裝置1000具備裝載埠100、搬運機器人110、對準器120、預濕模組200、預浸模組300、鍍覆模組400、清洗模組500、旋轉沖洗乾燥機600、搬運裝置700及控制模組800。

裝載埠100係用以使圖中未顯示的FOUP等匣盒中所收納之基板搬入鍍覆裝置1000，或是使基板從鍍覆裝置1000中搬出至匣盒的模組。本實施型態中，在水平方向上並排配置4台裝載埠100，但裝載埠100的數量及配置為任意。搬運機器人110係用以搬運基板的機器人，其構成在裝載埠100、對準器120及搬運裝置700之間收送基板的態樣。搬運機器人110及搬運裝置700，在搬運機器人110與搬運裝置700之間收送基板時，可透過圖中未顯示的暫置台進行基板的收送。

對準器120，係用以將基板的定向平面或切口等的位置對準既定方向的模組。本實施型態中，在水平方向上並排配置2台對準器120，但對準器120的數量及配置為任意。預濕模組200中，以純水或脫氣水等處理液（預濕液）將鍍覆處理前的基板之被鍍覆面潤濕，藉此將基板表面上所形成之圖案內部的空氣取代為處理液。預濕模組200構成實施預濕處理的態樣，該預濕處理係藉由在鍍覆時將圖案內部的處理液取代為鍍覆液，便於對圖案內部供給鍍覆液。本實施型態中，在上下方向上並排配置2台預濕模組200，但預濕模組200的數量及配置為任意。

預浸模組300，例如構成實施預浸處理的態樣，該預浸處理係以硫酸或鹽酸等處理液蝕刻存在於鍍覆處理前之基板被鍍覆面上所形成之種子層表面等高電阻氧化膜以將其去除，以清洗鍍覆底層表面或使其活性化。本實施型態中，在上下方向上並排配置2台預浸模組300，但預浸模組300的數量及配置為任意。預浸處理亦可省略，鍍覆裝置1000亦可不具備預浸模組。鍍覆模組400對於基板實施鍍覆處理。本實施型態中，設有兩組各12台、共24台的鍍覆模組400，各組之中在上下方向上並排配置3台且在水平方向上並排配置4台鍍覆模組400，但鍍覆模組400的數量及配置為任意。

清洗模組500構成實施清洗處理的態樣，該清洗處理係用以去除鍍覆處理後之基板上所殘留的鍍覆液等。本實施型態中，在上下方向上並排配置2台清洗模組500，但清洗模組500的數量及配置為任意。旋轉沖洗乾燥機600係用以使清洗處理後的基板高速旋轉以使其乾燥的模組。本實施型態中在上下方向上並排配置2台旋轉沖洗乾燥機，但旋轉沖洗乾燥機的數量及配置為任意。搬運裝置700係用以在鍍覆裝置1000內的多個模組間搬運基板的裝置。控制模組800係以控制鍍覆裝置1000之多個模組的方式構成，其可由例如具備與操作者之間的輸出入介面的一般電腦或專用電腦所構成。

說明以鍍覆裝置1000所進行的一連串鍍覆處理的一例。首先，匣盒中所收納的基板搬入裝載埠100。然後搬運機器人110從裝載埠100的匣盒中取出基板，將基板搬運至對準器120。對準器120，使基板的定向平面或切口等的位置對準既定方向。搬運機器人110將經過對準器120對準方向之基板收送到搬運裝置700。

搬運裝置700，將從搬運機器人110接收的基板搬運至預濕模組200。預濕模組200對於基板實施預濕處理。搬運裝置700，將經實施預濕處理的基板搬運至預浸模組300。預浸模組300對於基板實施預浸處理。搬運裝置700將經實施預浸處理的基板搬運至鍍覆模組400。鍍覆模組400對於基板實施鍍覆處理。

搬運裝置700將經實施鍍覆處理的基板搬運至清洗模組500。清洗模組500對於基板實施清洗處理。搬運裝置700將經實施清洗處理的基板搬運至旋轉沖洗乾燥機600。旋轉沖洗乾燥機600對於基板實施乾燥處理。搬運裝置700將經實施乾燥處理之基板收送到搬運機器人110。搬運機器人110將從搬運裝置700接收的基板搬運至裝載埠100上的匣盒。最後從裝載埠100搬出收納有基板的匣盒。＜鍍覆模組的構成＞

接著說明鍍覆模組400的構成。本實施型態中的24台鍍覆模組400為相同構成，因此僅說明1台鍍覆模組400。圖3係概略顯示本實施型態之鍍覆模組400之構成的縱剖面圖。如圖3所示，鍍覆模組400具備用以容納鍍覆液的鍍覆槽410。鍍覆槽410係具有圓筒狀側壁與圓形底壁的容器，在上部形成圓形的開口。又，鍍覆模組400具備配置在鍍覆槽410之上部開口外側的溢流槽405。溢流槽405係用以接收從鍍覆槽410的上部開口溢出之鍍覆液的容器。

鍍覆模組400具備隔膜420，其在上下方向將鍍覆槽410的內部隔開。鍍覆槽410的內部由隔膜420劃分成陰極區域422與陽極區域424。陰極區域422與陽極區域424中分別填充有鍍覆液。陽極區域424的鍍覆槽410之底面設有陽極430。陰極區域422中，與隔膜420對向地配置有阻力體450。阻力體450係用以達成使基板Wf之被鍍覆面Wf-a上的鍍覆處理均勻化的構件，其係由形成有多個孔的板狀構件構成。只要可以預期的精度進行鍍覆處理，則鍍覆槽410內亦可不配置阻力體450。

作為鍍覆液，只要是含有構成鍍覆皮膜的金屬元素之離子的溶液即可，其具體例並未特別限定。作為鍍覆處理的一例，可使用銅鍍覆處理，作為鍍覆液的一例，可使用硫酸銅溶液。又，在本實施型態中，鍍覆液含既定的添加劑。然而，不限於此構成，鍍覆液亦可為不含添加劑的構成。

陽極430的具體種類並未特別限定，可使用溶解陽極或不溶解陽極。在本實施型態中，係使用不溶解陽極作為陽極430。此不溶解陽極的具體種類並未特別限定，可使用鉑或氧化銥等。

又，鍍覆模組400，具備基板固持器440，其在使被鍍覆面Wf-a朝下的狀態保持基板Wf。鍍覆模組400具備第1升降機構442，用以使基板固持器440升降。第1升降機構442例如可由直動式的致動器等習知機構實現。又，鍍覆模組400具備旋轉機構446，其使基板固持器440旋轉，以使基板Wf繞著在被鍍覆面Wf-a之中央垂直延伸的虛擬旋轉軸旋轉。旋轉機構446例如可藉由馬達等習知機構實現。

鍍覆模組400構成下述態樣：使用第1升降機構442使基板Wf浸漬於陰極區域422的鍍覆液，一邊使用旋轉機構446使基板Wf旋轉，一邊在陽極430與基板Wf之間施加電壓，藉此對於基板Wf的被鍍覆面Wf-a實施鍍覆處理。

圖4係示意顯示基板固持器440的縱剖面圖。基板固持器440具備：支撐部490，支撐基板Wf；背板總成492，與支撐部490一起夾持基板Wf；及旋轉軸491，從背板總成492鉛直向上延伸。支撐部490具備：第1上部構件493；第2上部構件496；及支撐機構494，用以支撐基板Wf的被鍍覆面Wf-a之外周部。第1上部構件493保持第2上部構件496。圖示的例子中，第1上部構件493在略水平方向上延伸，第2上部構件496在略鉛直方向上延伸，但不限定於此等。支撐機構494係環狀構件，其中央具有用以使基板Wf之被鍍覆面Wf-a露出的開口，前述支撐機構494由第2上部構件496懸吊保持。第2上部構件496可為柱狀構件，其在支撐機構494的環狀上表面上設置1個以上。

背板總成492具備與支撐機構494一起夾持基板Wf的圓板狀浮動板492-2。浮動板492-2配置於基板Wf之被鍍覆面Wf-a的背面側。又，背板總成492具備配置於浮動板492-2上方的圓板狀背板492-1。又，背板總成492具備：浮動機構492-4，在往基板Wf背面離開的方向上拉抬浮動板492-2；按壓機構492-3，抵抗來自浮動機構492-4的拉抬力而將浮動板492-2按壓於基板Wf的背面。

浮動機構492-4包含壓縮彈簧，其安裝於從浮動板492-2貫通背板492-1而向上延伸的軸的上端與背板492-1之間。浮動機構492-4構成下述態樣：藉由壓縮彈簧的壓縮反作用力，透過軸將浮動板492-2向上抬升，朝向從基板Wf背面離開的方向拉抬。以下的圖中適當省略浮動機構492-4的圖示。

按壓機構492-3構成下述態樣：透過形成於背板492-1內部的未圖示之流路對於浮動板492-2供給流體，藉此將浮動板492-2向下按壓。按壓機構492-3，在流體供給時，以比來自浮動機構492-4之拉抬力更強的力將基板Wf朝向支撐機構494按壓。浮動板492-2係緊壓構件，其構成下述態樣：與後述密封構件494-2(圖5)對向配置，相對於密封構件494-2緊壓基板Wf。

第1升降機構442使基板固持器440整體上升及下降(箭號A10)。鍍覆模組400更具備第2升降機構443。第2升降機構443係由直動式致動器等習知的機構所驅動，相對於支撐部490，使旋轉軸491及背板總成492上升及下降(箭號A20)。旋轉軸491上形成有用以吐出液體的吐出口60及與吐出口60連接而使液體可在其中流動的供給流路50。關於吐出口60於後段中詳述。

圖5係示意性放大顯示基板固持器440之部分構成的縱剖面圖。支撐機構494包含環狀支撐構件494-1，其用以支撐基板Wf的被鍍覆面Wf-a的外周部。支撐構件494-1具有凸緣494-1a，其突出至背板總成492(浮動板492-2)之下表面的外周部。凸緣494-1a之上配置有環狀密封構件494-2，其構成密封基板Wf的態樣。密封構件494-2係具有彈性的構件。支撐構件494-1，隔著密封構件494-2支撐基板Wf之被鍍覆面Wf-a的外周部。在對於基板Wf進行鍍覆處理時，藉由以密封構件494-2與浮動板492-2夾持基板Wf，而將支撐構件494-1(基板固持器440)與基板Wf之間密封。

支撐機構494具備：環狀台座494-3，安裝於支撐構件494-1的內周面；環狀導電構件494-5，安裝於台座494-3的上表面。台座494-3，例如係不銹鋼等具有導電性的構件。導電構件494-5係具有導電性的環狀構件，例如可含銅或其他金屬。

支撐機構494具備接觸構件494-4，其構成與基板Wf接觸而可供電的態樣。接觸構件494-4係藉由螺絲等環狀地安裝於台座494-3的內周面。支撐構件494-1隔著台座494-3保持接觸構件494-4。接觸構件494-4係具有導電性的構件，其用以從圖中未顯示的電源對於基板固持器440上保持的基板Wf供電。接觸構件494-4具有：多個基板接點494-4a，與基板Wf之被鍍覆面Wf-a的外周部接觸；及本體部494-4b，相較於基板接點494-4a更往上方延伸。

基板固持器440具備液體保持部494L，其構成下述態樣：在藉由密封構件494-2將基板Wf密封時，可保持基板固持器440內部的液體。液體保持部494L，其內部配置有接觸構件494-4。液體保持部494L可包含夾住接觸構件494-4而對向的多個側壁與在接觸構件494-4下方的底壁而構成。圖示的例子中，液體保持部494L係包含圓板狀浮動板492-2的外側面、支撐構件494-1的內側面及底面而構成。藉此，在以密封構件494-2將基板固持器440與基板Wf之間密封時，以少量的液體即可效率良好地被覆接觸構件494-4。此處，浮動板492-2的外側面存在於密封構件494-2的上方，在略鉛直方向上延伸。所謂的支撐構件494-1之底面，係指形成於在基板固持器440的徑向上往內突出之凸緣494-1a的上方並沿著凸緣494-1a延伸的面。

基板固持器440上未安裝有基板Wf時，液體會通過浮動板492-2與密封構件494-2之間隙而流下。若夾在浮動板492-2與密封構件494-2之間的基板Wf被密封，則液體保持部494L可保持液體而防止這種液體流下的情況。另外，構成液體保持部494L的底壁形成有凹部，在基板固持器440上未安裝有基板Wf時，亦可在液體保持部494L中保持少量的液體。

圖6係用以說明基板固持器440內部之空間的概念圖。基板固持器440的內部形成有用以吐出液體L1的吐出口60。吐出口60在液體保持部494L或在基板固持器440內部與液體保持部494L連通的空間開口。圖示的例中，吐出口60形成於浮動板492-2的上方，在浮動板492-2上方的內部空間S1開口。圖示的例中，吐出口60形成於旋轉軸491，但並不限定於此。吐出口60，例如亦可形成於背板492-1中位於浮動板492-2上方的位置。從吐出口60吐出液體L1，可由控制模組800控制供給流路50上設置的未圖示之閥或泵等來進行。

基板固持器440構成從吐出口60所吐出之液體L1供給至液體保持部494L的態樣。供給至液體保持部494L的液體L1被覆接觸構件494-4的至少一部分。液體L1只要有保護接觸構件494-4的效果，則其組成並無特別限定。液體L1較佳係具有以既定閾值以下或小於既定閾值的導電度等，具有以既定閾值為基準的低導電度，或是經過脫氣處理。

液體L1的導電度較佳為50μS/cm以下，更佳為10μS/cm以下。若導電度高的液體存在於接觸構件494-4及基板Wf的周圍，則會導致金屬成分堆積而成為損傷的原因。又，除了通過接觸構件494-4與基板Wf之接觸部分的電流以外，分路電流不通過該接觸部分而是通過該液體而在基板Wf的種子層與接觸構件494-4之間流動。此時具有因種子層的銅離子化而溶出等導致種子層變薄的情況。若種子層變薄而電阻增加，則會發生供電不均。若液體L1的導電度低則可抑制這種不良的影響。另外，關於分路電流的詳細內容，請參照上述的專利文獻2。

若含氧液體存在於接觸構件494-4及基板Wf的周圍，則會進行氧離子化而發生種子層在該液體中溶出的局部電池效果。例如，若種子層的銅將電子給與溶存氧，則在從溶存氧生成氫氧化物離子的同時，銅成為銅離子而溶出。因為局部電池效果，種子層會變薄而電阻增加，進而發生供電不均。若對於液體L1進行脫氣處理，可抑制這種不良的影響。另外，關於局部電池效果的詳細內容，請參照上述專利文獻2。

從此等的觀點來看，液體L1較佳為純水、離子交換水或脫氣水。

本實施型態中，在基板固持器440與基板Wf之間密封時，可將液體L保持於液體保持部494L。液體保持部494L，相較於專利文獻2中的接觸構件附近，可保持更多的液體L1，因此接觸構件494-4附近的鍍覆液等的混入物被稀釋為更低濃度。藉此，可抑制因混入物導致如上述之不良的影響。

圖7係說明控制模組800的概念圖。控制模組800發揮作為控制鍍覆模組400之動作的控制裝置之功能。控制模組800具備微電腦等的電腦，此電腦具備作為處理器的CPU(Central Processing Unit)801及作為暫存或非暫存之記憶媒體的記憶體802等。控制模組800係藉由CPU801運作而控制鍍覆模組400的被控制部。CPU801可藉由執行記憶體802中儲存的程式或是將未圖示之記憶媒體中儲存的程式讀入記憶體802中並執行以進行各種處理。程式包含例如執行運送機器人、運送裝置的運送控制、各處理模組中之處理的控制、鍍覆模組400中之鍍覆處理的控制、液體L1相關處理之控制的程式、檢測各種設備異常的程式。作為記憶媒體，例如可使用電腦可讀取之ROM、RAM、快閃記憶體等記憶體、硬碟、CD-ROM、DVD-ROM或軟碟等碟狀記憶媒體、或固態硬碟等習知者。控制模組800，構成可與統一控制鍍覆裝置1000及其他相關裝置的圖中未顯示之上位控制器通訊的態樣，其可與上位控制器所具有的資料庫之間進行資料傳輸。控制模組800的一部份或全部的功能可由ASIC等硬體構成。控制模組800的一部份或全部的功能亦可由PLC、定序器等構成。控制模組800的一部份或全部可配置於鍍覆裝置1000的框體內部及/或外部。控制模組800的一部份或全部可以有線及/或無線的方式與鍍覆裝置1000的各部連結而能夠進行通訊。

圖8至圖13係說明本實施型態之鍍覆方法，其係依時序顯示基板固持器440之狀態的縱剖面圖。此鍍覆方法係由控制模組800的控制來進行。

圖8及圖9係示意顯示將基板Wf安裝於基板固持器440的步驟。圖8係顯示基板Wf配置於支撐構件494之狀態的圖。圖示的例子中，藉由第2升降機構443，使包含浮動板492-2的背板總成492上升。藉此，在支撐構件494與浮動板492-2之間隙變寬的狀態下，基板Wf配置於支撐構件494。

圖9係顯示基板Wf被密封之狀態的圖。藉由第2升降機構443使背板總成492下降。浮動板492-2將基板Wf緊壓於支撐構件494，而將基板固持器440與基板Wf之間密封。

圖10係示意顯示吐出液體L1之步驟的圖。從浮動板492-2的上方的吐出口60所吐出之液體L1，配置於浮動板492-2的背面BS上。背面BS，係浮動板492-2中與配置有基板Wf之一側的相反側的面。如此，控制模組800構成下述態樣：在基板Wf由密封構件494-2密封時，透過吐出口60將液體L1吐出至液體保持部494L或與液體保持部494L連通的空間。藉此，可將液體L1儲存於可保持液體L1之狀態的液體保持部494L，降低混入物的濃度，而可抑制因混入物對於接觸構件494-4等造成不良的影響。又，因為係在安裝基板Wf之後，對於接觸構件494-4供給液體L1，因此對於在安裝基板Wf時鍍覆液之混入及因密封構件494-2洩漏所致的鍍覆液之混入而言，亦可有效地抑制上述不良的影響。圖示的例子中，因為吐出口60形成於浮動板492-2的上方，故可縮短至吐出口60的供給流路50而可簡易化。又，藉由構成朝向背面BS吐出液體L1的態樣，而可利用旋轉機構446對於接觸構件494-4供給液體L1。

圖11及圖12係示意顯示使基板固持器440旋轉之步驟的圖。旋轉機構446，係以與被鍍覆面Wf-a交叉的軸作為旋轉軸而使基板固持器440旋轉(箭號A30)。如圖11所示，藉由此旋轉的離心力，浮動板492-2的背面BS上的液體L1在徑向上向外流動(箭號A40)。液體L1流動至形成於浮動板492-2外側的液體保持部494L。圖12係顯示液體L1因為在旋轉中流動而到達液體保持部494L進而保持於液體保持部494L的圖。又，藉由此旋轉，可使液體L1更均勻地分布於液體保持部494L中。

圖13係示意顯示將基板固持器440浸漬於鍍覆液以進行鍍覆處理之步驟的圖。第1升降機構442，使基板固持器440往鍍覆槽410下降，至少使基板Wf浸漬於鍍覆液。一邊使基板Wf浸漬於鍍覆液，一邊在基板Wf與陽極430之間施加電壓，以進行鍍覆處理。在基板固持器440的浸漬及鍍覆處理的期間，液體L皆保持於液體保持部494L。將基板固持器440浸漬於鍍覆液以進行鍍覆處理時，亦可停止基板固持器440的旋轉，但從使所形成之鍍覆的厚度均勻的觀點來看，較佳係以既定的轉速旋轉。

圖14係示意顯示保持液體L1的液體保持部494L的基板固持器440之放大剖面圖。液體保持部494L中的液體L1之液面高度HL1較佳係在基板Wf之被鍍覆面Wf-a的高度H1與浮動板492-2之背面BS的高度H2之間。若液體L1的液面高度HL1低於高度H1，則無法充分被覆接觸構件494-4，會因為混入物而造成不良的影響。又，會因為液體L1的液面與被鍍覆面Wf-a之間的距離近，而容易因為從液面溶入的氧導致種子層氧化。若液體L1的液面高度HL1高於高度H2，除了因為液體L1的質量導致旋轉變得沒效率以外，還在將基板Wf從基板固持器440卸除時會有大量的液體L1流下，而有稀釋鍍覆液的疑慮。控制模組800較佳係構成吐出預設量之液體L1的態樣。此量較佳係以下述方式設定：在液體保持部494L中，液體L1的液面成為在基板Wf之下表面的被鍍覆面Wf-a與浮動板492-2之上表面的背面BS之間的高度。

圖15係顯示本實施型態之鍍覆方法之流程的流程圖。步驟S101中，基板Wf安裝於基板固持器440。步驟S101之後進行步驟S102。步驟S102中，液體L1吐出至作為緊壓構件的浮動板492-2之背面BS。步驟S102之後進行步驟S103。步驟S103中，基板固持器440旋轉。步驟S103之後進行步驟S104。步驟S104中，基板固持器440浸漬於鍍覆液。步驟S104之後進行步驟S105。步驟S105中，對於基板Wf進行鍍覆處理。步驟S105之後，基板Wf從基板固持器440被卸除而被運送至清洗模組500。

本實施型態的鍍覆裝置1000具備基板固持器440與旋轉機構446，基板固持器440具備：液體保持部494L，內部具有接觸構件494-4，液體保持部494L構成在藉由密封構件494-2將基板固持器440與基板Wf之間密封時，可保持液體L1的態樣；及吐出口60，構成在液體保持部494L或在基板固持器440的內部與液體保持部494L連通之空間開口，吐出液體L1的態樣。藉此可提供能夠抑制因基板固持器440內部之混入物對於接觸構件494-4等造成不良影響的鍍覆裝置1000。又，調節基板固持器440內部之液體L1的量，可有效率地進行鍍覆處理。再者，相較於從基板固持器的外部朝向接觸構件噴射液體的情況，可減少在對於接觸構件494-4供給液體L1時，液體L1流下而稀釋鍍覆液的疑慮。

本實施型態之鍍覆方法，係以上述鍍覆裝置1000所進行之鍍覆方法，其包含下述步驟：將基板Wf安裝於基板固持器440的步驟；從吐出口60吐出液體L1的步驟；使基板固持器440旋轉以使所吐出之液體L1流動至液體保持部494L或使液體L1在液體保持部494L中更均勻分布的步驟；及對於已安裝的基板Wf進行鍍覆處理的步驟。藉此可更確實地抑制因基板固持器440內部的混入物對於接觸構件494-4等造成的不良影響。

下述變形亦在本發明的範圍內，可與上述實施型態或其他變形組合。以下的變形例中，關於表示與上述實施型態相同之結構、功能的部位等，係參照相同的符號而適當省略說明。 (變形例1-1)

上述的實施型態中，亦可在作為緊壓構件的浮動板背面形成凹部。

圖16中示意顯示本變形例之浮動板492-2A的背面BS，其係背板總成492的橫剖面圖。圖示的例子中，在背面BS以旋轉對稱的方式配置有10個圓柱狀按壓機構492-3，但按壓機構492-3的形狀、個數及位置並無特別限定。

浮動板492-2A的背面BS之中央部上，以將浮動板492-2A之中心軸Ax1圍住的方式形成有凹部40A。中心軸Ax1較佳係構成與基板固持器440的旋轉軸大致一致的態樣。從吐出口60落下的液體L1暫時被保持於凹部40A。凹部40A，在由旋轉機構446進行旋轉(上述步驟S103)之前，將液體L1保持於中央部，藉此抑制旋轉時在各方向上流動的液體L1之量的偏差。藉此，液體L1更均勻地分布於液體保持部494L中。 (變形例1-2)

變形例1-1中，亦可在浮動板的背面形成放射狀凹部。

圖17係示意顯示本變形例之浮動板492-2B的背面BS，其係背板總成492的橫剖面圖。浮動板492-2B的背面BS上，除了凹部40A以外，亦形成有放射狀延伸的凹部40B。從吐出口60吐出之液體L1容易通過凹部40B上而放射狀地流動。藉此，在上述步驟S103中藉由旋轉機構446進行旋轉時，可更確實地抑制在各方向上流動的液體L1之量的偏差。

本變形例的鍍覆裝置中，浮動板492-2B的背面BS上形成有用以使液體L1流動或將其保持的凹部40A及40B。藉此可抑制在各方向上流動的液體L1之量的偏差，可使液體L1更均勻地分布於液體保持部494L中。又，可使液體L1平順地流動至液體保持部494L，而可提高處理的效率。另外，背面BS上亦可不形成凹部40A而是形成凹部40B。 (變形例1-3)

上述的實施型態中，亦可進一步藉由使基板固持器傾斜而使液體L1流動至液體保持部494L。

圖18係示意顯示用以說明本變形例之鍍覆方法的鍍覆模組400A之縱剖面圖。鍍覆模組400A具有與上述鍍覆模組400大致相同的構成，但在具備傾斜機構447此點上有所不同。傾斜機構447構成使基板固持器440傾斜的態樣，例如可藉由傾斜機構等習知的機構來實現。此處，基板固持器440的傾斜係指可配置於基板固持器440的基板Wf傾斜，其係藉由例如浮動板492-2的下表面相對於水平的角度來表示。

控制模組800，從吐出口60朝向浮動板492-2吐出液體L1之後，控制旋轉機構446及傾斜機構447，使基板固持器440旋轉，同時以浮動板492-2的背面BS相對水平傾斜的方式使基板固持器440傾斜。藉由重力，液體L1容易流動至位於傾斜下側的液體保持部494L。藉此，即使在液體L1不易藉由旋轉而流動的情況中，亦可更確實地將液體L1供給至接觸構件494-4。從使液體L1更均勻地分布於液體保持部494L之中的觀點來看，傾斜機構447較佳係使基板固持器440往不同的多個方向傾斜。

又，如圖示的例子，在已安裝有基板Wf的基板固持器440浸漬於鍍覆液時，若以傾斜機構447進行傾斜，則會因為傾斜而使氣泡朝向液面上升，因此氣泡不易殘留於被鍍覆面Wf-a。如此可防止因氣泡導致電場混亂，可降低所形成之鍍覆的厚度之均勻性。換言之，控制模組800，在避免氣泡進入被鍍覆面Wf-a而使基板固持器440傾斜時，可使液體L1流動至液體保持部494L。

圖19係顯示本變形例之鍍覆方法之流程的流程圖。此鍍覆方法係藉由控制模組800進行。步驟S201、S202及S205與上述圖15之流程圖的步驟S101、S102及S105相同，故省略說明。步驟S202之後，進行步驟S203。步驟S203中，一邊藉由傾斜機構447及旋轉機構446分別使基板固持器440傾斜及旋轉，一邊使基板固持器440浸漬於鍍覆液中。步驟S203之後，進行步驟S204。步驟S204中，傾斜機構447使基板固持器440成為位於水平位置的狀態。此處，所謂的水平位置，係基板固持器440的方向成為略水平，而使被鍍覆面Wf-a可以預期的程度均勻地形成鍍覆的程度。步驟S204之後，進行步驟S205。 (變形例1-4)

上述的實施型態中，亦可從基板固持器的外部吐出液體，並將液體配置於浮動板的背面。

圖20係示意顯示本變形例的鍍覆模組400B的縱剖面圖。鍍覆模組400B具有與上述實施型態之鍍覆模組400與大致相同的構成，但其具備基板固持器440A來代替基板固持器440，更具備液體供給裝置600，此點與上述的鍍覆模組400有所不同。基板固持器440A具有與基板固持器440大致相同的構成，但具備浮動板492-2C以代替浮動板492-2，並且未形成供給流路50及吐出口60，此點與基板固持器440有所不同。

液體供給裝置600構成對於浮動板492-2C供給液體L1的態樣。液體供給裝置600具備噴嘴610，其中形成有用以吐出液體L1的吐出口61。噴嘴610構成下述態樣：在背板492-1上升時，可從基板固持器440A的外部朝向後述凹部40C吐出液體L1。圖示的例子構成下述態樣：從噴嘴610吐出之液體L1通過第1上部構件493及配置於支撐構件494外周部的多個柱狀第2上部構件496之間而射入基板固持器440A的內部。吐出口61可較佳地配置於基板固持器440A的側邊。換言之，吐出口61較佳係配置於基板固持器440A的側邊或是可流動至基板固持器440A的側邊。又，從液體L1容易到達凹部40C的觀點來看，吐出口61較佳係在基板固持器440A的側邊並且可配置於比基板固持器440A之底面S100更上方之處，並且可配置於比浮動板492-2C的背面BS的最高到達位置更上方之處。如此，液體供給裝置600中形成有用以朝向凹部40C吐出液體L1的吐出口61。

圖21係示意顯示本變形例之浮動板492-2C的背面BS的俯視圖。浮動板492-2C具有與上述變形例之浮動板492-2A大致相同的構成，但其中形成有凹部40C以代替凹部40A，此點有所不同。凹部40C形成於浮動板40C的外周部。藉此，容易從基板固持器440A的外部將液體L1導入凹部40C。

圖22至24係用以說明本變形例之鍍覆方法，其係依照時序顯示基板固持器440A之狀態的縱剖面圖。此鍍覆方法係藉由控制模組800的控制進行。

圖22係示意顯示在基板固持器440A的內部配置液體L1之步驟的圖。第2升降機構443若使背板總成492移動而使其從密封構件494-2離開，則從噴嘴610的吐出口61朝向凹部40C吐出液體L1。此時，較佳係藉由旋轉機構446使基板固持器440A旋轉，以使液體L1盡量分布於整周。或是液體供給裝置600亦可以朝向凹部40C之不同位置吐出液體L1的方式移動。

圖23係示意顯示將基板Wf安裝於配置有液體L1之基板固持器440A上的步驟的圖。基板Wf配置於支撐構件494上，第2升降機構443使背板總成492下降，基板固持器440A與基板Wf之間因此而密封。液體L1仍配置於浮動板492-2C的凹部40C中。

圖24係示意顯示使凹部40C中存在的液體L1流動至液體保持部494L之步驟的圖。若旋轉機構446使基板固持器440A旋轉，則液體L1會藉由離心力從配置於浮動板492-2C之外周部的凹部40C往徑向外側流動，而保持於液體保持部494L。

本變形例的鍍覆裝置及鍍覆方法中，吐出液體L1的吐出口61，配置於基板固持器440A的外部，控制模組800構成從基板固持器440A外部的吐出口61朝向浮動板492-2C吐出液體L1的態樣。藉此，無須設置用以對於基板固持器440A吐出液體L1的供給流路，可以更簡易的構成將液體L1供給至基板固持器440A的內部。 (變形例1-5)

上述的實施型態中，亦可藉由吐出至基板固持器的內部之液體L1來清洗基板固持器的內部。

圖25係顯示本變形例之鍍覆模組400C的概念圖。鍍覆模組400C具有與上述變形例的鍍覆模組400A相同的構成，但其具備清洗裝置470，此點與鍍覆模組400A有所不同。清洗裝置470具備手臂474與清洗噴嘴482。

清洗噴嘴482吐出作為清洗液的液體L2。液體L2可為純水或脫氣水等，其可為與液體L1相同的組成，亦可為不同的組成。清洗噴嘴482與未圖示的配管連接，清洗噴嘴482將從未圖示的液體源透過配管導入而供給的液體L2吐出。圖示的例子中，清洗噴嘴482係以沿著平面展開的方式吐出液體L1的噴嘴，清洗噴嘴482亦可為在大致相同的方向上吐出液體L1的直進噴嘴。

清洗裝置470具備驅動機構476，其構成使手臂474旋繞之態樣。驅動機構476，例如可藉由馬達等習知的機構來實現。手臂474係從驅動機構476在水平方向上延伸的板狀構件。清洗噴嘴482保持於手臂474上。驅動機構476構成下述態樣：藉由使手臂474旋繞，使清洗噴嘴482在鍍覆槽410與基板固持器440之間的清洗位置以及從鍍覆槽410與基板固持器440之間退避的退避位置之間移動。

清洗裝置470具備配置於清洗噴嘴482下方的托盤構件478。托盤構件478構成承接從清洗噴嘴482吐出而與基板固持器440接觸後流下之液體L2的態樣。本變形例中，清洗噴嘴482及手臂474容納於托盤構件478中。驅動機構476構成使清洗噴嘴482、手臂474及托盤構件478一起在清洗位置與退避位置之間旋繞的態樣。然而，驅動機構476亦可各別驅動清洗噴嘴482及手臂474與托盤構件478。

本變形例的基板固持器440的清洗方法中，從吐出口60將液體L1吐出至未安裝有基板Wf的基板固持器440的內部後，藉由「旋轉機構446使基板固持器440旋轉」以及「傾斜機構447使基板固持器440傾斜」的至少一者來使液體L1在基板固持器440的內部流動。藉由這樣的流動，可清洗浮動板492-2的背面BS、接觸構件494-4、液體保持部494L及密封構件494-2等。清洗基板固持器440的內部後，液體L1從浮動板492-2與密封構件494-2之間流下至托盤構件478，因此可抑制其稀釋鍍覆液。另一方面，藉由清洗噴嘴482所吐出之液體L2清洗浮動板492-2中配置基板Wf之一側的面及支撐構件494。流下至托盤構件478的液體L1及液體L2通過未圖示的配管排出。另外，亦可不使用從清洗噴嘴482吐出之液體L2，而是藉由從吐出口60吐出之液體L1來進行清洗。

本變形例中，控制模組800構成下述態樣：在基板固持器440上未安裝基板Wf時，從吐出口60吐出液體L1以清洗背面BS、接觸構件494-4、液體保持部494L及密封構件494-2的至少一者。藉此，在將基板Wf卸除後，亦可抑制因為鍍覆液等混入物而損傷接觸構件494-4等。

圖26係顯示本變形例的鍍覆方法之流程的流程圖。步驟S301中，對於基板Wf進行鍍覆處理。步驟S301之後，進行步驟S302。步驟S302中，將基板Wf從基板固持器440卸除。步驟S302之後，進行步驟S303。步驟S303中，液體L1吐出至作為緊壓構件的浮動板492-2的背面BS。步驟S303之後，進行步驟S304。步驟S304中，傾斜機構447或旋轉機構446使基板固持器440分別傾斜或旋轉。步驟S304之後，處理結束。 (變形例1-6)

上述實施型態中，基板固持器的支撐構件上亦可形成用以使液體排出至基板固持器外部的傾斜面。

圖27係示意顯示本變形例的基板固持器440B的縱剖面圖。基板固持器440B具有與上述實施型態之基板固持器440大致相同的構成，但其具備支撐構件494A以代替支撐構件494，此點與基板固持器440有所不同。支撐構件494A具有與上述支撐構件494大致相同的構成，但在構成液體保持部494L之側壁的內側面上形成有傾斜面494S，此點與支撐構件494不同。傾斜面494S形成高度往徑向外側變高的態樣，相較於鉛直延伸的側面，更容易將液體L1往徑向外側排出。

圖28係示意顯示本變形例的基板固持器440B的清洗方法的縱剖面圖。在浮動板492-2下降而接觸密封構件494-2的狀態下，從吐出口60吐出液體L1之後，藉由旋轉機構446進行旋轉。位於浮動板492-2之背面BS上的液體L1，藉由旋轉的離心力在徑向上向外流動，越過液體保持部494L的傾斜面494S，從柱狀第2上部構件496之間往基板固持器440B的外側排出(箭號A50)。藉此，液體L1在徑向上平順地向外流動，可效率良好地清洗接觸構件494-4。

圖29係顯示包含本變形例之基板固持器440B的清洗方法的鍍覆方法之流程的流程圖。此鍍覆方法係由控制模組800進行。步驟S401中，對於基板Wf進行鍍覆處理。步驟S401之後，進行步驟S402。步驟S402中，將基板Wf從基板固持器440B卸除。步驟S402之後，進行步驟S403。步驟S403中，作為緊壓構件的浮動板492-2與密封構件494-2接觸。步驟S403之後，進行步驟S404。步驟S404中，對於浮動板492-2的背面BS吐出液體L1。步驟S404之後，進行步驟S405。步驟S405中，旋轉機構446使基板固持器440B旋轉。步驟S405之後，處理結束。第2實施型態

第2實施型態的鍍覆裝置，具有與上述第1實施型態的鍍覆裝置1000相同的構成，但具備鍍覆模組4000來代替鍍覆模組400，此點與鍍覆裝置1000有所不同。以下關於表示與上述實施型態相同之結構、功能的部位等，參照相同的符號，並適當省略說明。

圖30係示意顯示本實施型態的鍍覆模組4000的縱剖面圖。鍍覆模組4000具有與上述鍍覆模組400相同的構成，但其具備基板固持器4400代替基板固持器440，更具備導電度計406及托盤406T，此點與上述鍍覆模組400有所不同。

基板固持器4400具有與上述基板固持器440相同的構成，但其中形成有往液體保持部494L開口的排出口90、以及排出流路80，此點與基板固持器440不同。圖示的例子中，基板固持器4400具備支撐構件4940。支撐構件4940中，在構成液體保持部494L之側壁的支撐構件4940的內側面上形成有排出口90。藉由在基板固持器4400的內部形成排出口90，在基板Wf卸除的狀態下，可排出液體保持部494L的液體L1所包含之混入物，而可抑制混入物對於接觸構件494-4等的不良的影響。又，藉由在將基板Wf卸除之前預先將液體L1排出，可降低在卸除基板Wf時液體L1流下至鍍覆液而稀釋鍍覆液的疑慮。因為可吐出液體L1以及可將其排出，故可保持於基板固持器4400上的液體L1的量沒有限制，而可對於液體保持部494L供給更大量的液體L1，進而可抑制混入物對於接觸構件494-4等造成不良的影響。

排出流路80，通過基板固持器4400的內部，將排出口90與基板固持器4400的外部連通。藉此可適當調整以避免排出之液體L1落下至鍍覆液而稀釋鍍覆液。從排出口90排出液體L1，可藉由設置於排出流路80上的未圖示的閥或泵等來控制。圖示的例子中，排出流路80從排出口90依序通過支撐構件4940、第2上部構件496、第1上部構件493及旋轉軸491的內部，但只要可將液體L1從基板固持器4400的內部排出，則未特別限定。圖示的例子構成下述態樣：從排出流路80排出至基板固持器4400外部的液體L1通過托盤406T而被送至導電度計406以測量導電度。另外，鍍覆模組4000亦可不具備導電度計。

圖31係顯示本實施型態之鍍覆方法的一例之流程的流程圖。此鍍覆方法係由控制模組800進行。步驟S501中，基板Wf安裝於基板固持器4400上。步驟S501之後，進行步驟S502。步驟S502中，從吐出口60吐出液體L1。所吐出之液體L1被保持於液體保持部494L。此處，為了使液體L1流動至液體保持部494L，或是使液體L1在液體保持部494L中更均勻地分布，亦可藉由旋轉機構446或傾斜機構447使基板固持器4400旋轉或傾斜。步驟S502之後，進行步驟S503。

步驟S503中，藉由第1升降機構442使基板固持器4400下降，而使基板固持器4400浸漬於鍍覆液。步驟S503之後，進行步驟S504。步驟S504中，對於基板Wf進行鍍覆處理。步驟S503及S504中，液體L1保持於液體保持部494L，因此混入物的濃度降低，可抑制混入物對於接觸構件494-4等造成不良的影響。步驟S504之後，進行步驟S505。

步驟S505中，從排出口90排出液體L1。例如，可將液體L1從基板固持器4400的內部排出，而使液體L1剩下至被覆接觸構件494-4之基板接點494-4b的程度。亦可將基板固持器4400內部的液體L1全部排出。步驟S505之後，進行步驟S506。步驟S506中，從基板固持器4400將基板Wf卸除。步驟S505中，基板固持器440內部的液體L1的量減少，因此可抑制在將基板Wf卸除時液體L1流下至鍍覆液而稀釋鍍覆液。經卸除的基板Wf被運送至清洗模組500。

下述變形亦在本發明的範圍內，其可與上述實施型態或其他變形組合。以下的變形例中，關於表示與上述實施型態相同之結構、功能的部位等，參照相同的符號，並適當省略說明。 (變形例2-1)

上述實施型態中，亦可在使基板固持器4400浸漬於鍍覆液中的狀態下，進行吐出動作及排出動作。以下，將從吐出口60吐出液體L1的動作稱為吐出動作，並將從排出口90排出液體L1的動作稱為排出動作。

圖32係顯示本變形例的鍍覆方法之流程的流程圖。此鍍覆方法係由控制模組800的控制進行。步驟S601中，基板Wf安裝於基板固持器4400。步驟S601之後，進行步驟S602。步驟S602中，藉由第1升降機構442使基板固持器4400下降，而使基板固持器4400浸漬於鍍覆液。步驟S602之後，進行步驟S603。

步驟S603中，在基板固持器4400浸漬於鍍覆液的狀態下，從吐出口60吐出液體L1以及從排出口90排出液體L1。吐出動作及排出動作可進行一次以上的任意次數。在密封構件494-2及基板Wf中，若在互相接觸的該等部分上附著有異物，或是有損傷，則會在密封後發生洩漏，在將基板固持器4400浸漬於鍍覆液時，鍍覆液等會進入液體保持部494L內。本變形例中，在將基板固持器4400浸漬於鍍覆液的狀態下進行吐出動作及排出動作，藉此在浸漬後使已進入裡面之鍍覆液等混入物排出，而可減少混入物對於接觸構件494-4等造成不良的影響。

控制模組800中，在由導電度計406所測量的已排出之液體L1之導電度小於既定閾值或在其以下時，可停止吐出動作及排出動作。藉此，可根據導電度更確實地在液體保持部494L中存在之混入物濃度低的狀態下進行鍍覆處理。步驟S603之後，進行步驟S604。步驟S604中，對於基板Wf進行鍍覆處理。 (變形例2-2)

上述的實施型態中，亦可一邊進行鍍覆處理，一邊進行吐出動作及排出動作。藉此，可更確實地在進行鍍覆處理的期間降低混入物的濃度，而可抑制混入物對於接觸構件494-4等造成不良的影響。

吐出至基板固持器4400內部之液體L1的量稱為吐出量，從基板固持器4400的內部排出之液體L1的量稱為排出量。控制模組800可根據由導電度計406所測量的經排出之液體L1的導電度來控制吐出量及排出量中的至少一項。例如，若測得之液體L1的導電度的值高於既定閾值，則有混入物的濃度高而導致金屬成分堆積等不良的影響的可能性，故可同時增加吐出量及排出量。或是此情況中，亦可僅增加吐出量以提高液體保持部494L的液面而降低混入物的濃度。另外，作為吐出量或排出量，亦可控制單位時間內的吐出量或排出量。

以控制模組800控制吐出動作及排出動作的態樣並無特別限定。可同時進行吐出動作與排出動作，亦可在不同的時間進行。

控制模組800亦可構成間歇性地進行吐出動作及排出動作之至少一者的態樣。藉此，一方面可效率良好地使用液體L1，一方面可減少混入物對於接觸構件494-4等造成不良的影響。控制模組800亦可構成在鍍覆處理期間持續進行吐出動作及排出動作之至少一者的態樣。藉此，可進一步減少在鍍覆處理的期間混入物對於鍍覆處理造成不良的影響。

圖33係顯示本變形例之鍍覆方法之流程的流程圖。此鍍覆方法係由控制模組800的控制進行。步驟S701及S702與上述圖32之流程圖的步驟S601及S602相同，因此省略說明。步驟S702之後，進行步驟S703。步驟S703中，一方面對於基板Wf進行鍍覆處理，一方面從吐出口60吐出液體L1以及從排出口90排出液體L1。鍍覆處理結束後，從排出口90排出液體L1後，較佳係將基板Wf從基板固持器4400卸除。 (變形例2-3)

上述實施型態中，在將基板固持器4400浸漬於鍍覆液時，亦可使基板固持器4400中的液體L1之液面低於鍍覆槽410中的鍍覆液之液面。

圖34係示意顯示本變形例之鍍覆方法的基板固持器4400之縱剖面圖。控制模組800控制第1升降機構442或是液體L1的吐出或排出以使基板固持器4400之液體L1的液面高度HL1低於鍍覆液的液面高度HS。例如，使液體L1的液面高度HL1高於鍍覆液的液面高度HS。此情況中，亦可由第1升降機構442使基板固持器4400下降，亦可從吐出口60吐出液體L1以使液體L1的液面HL1上升。

本變形例的控制模組800構成下述態樣：使基板固持器4400浸漬於鍍覆液，以使基板固持器4400中的液體L1之液面HL1低於鍍覆液之液面HS。鍍覆槽410及基板固持器4400的內部為大氣壓，因此藉由此構成，鍍覆液的水壓高於液體L1的水壓，因此可抑制液體L1洩漏至鍍覆液而稀釋鍍覆液。再者，藉由進行基板固持器4400中的液體L1之吐出及排出，亦可將進入基板固持器4400內的鍍覆液等成分排出。如此，一方面可降低接觸構件494-4及基板Wf附近之混入物的濃度，一方面亦可抑制鍍覆液被稀釋。另外，排出口90形成於基板固持器4400內的情況，液體L1的液面亦可高於浮動板492-2的背面BS。 (變形例2-4)

上述的實施型態中，液體的排出口亦可形成於背板總成。

圖35係示意顯示本變形例的基板固持器4400A的縱剖面圖。基板固持器4400A具有與上述基板固持器4400大致相同的構成，但其中形成有排出口91及排出流路81以代替排出口90及排出流路80，此點與基板固持器4400有所不同。排出口91形成於背板492-1的基板Wf側之一面。排出流路81構成使液體L1從排出口91通過背板492-1及旋轉軸491而排出至基板固持器4400A外部的態樣。如此，藉由將排出口91形成於配置在比液體保持部494L更上側的構件上，而縮短排出流路91，可實現構成更為簡易的基板固持器4400A。如此，從可因應需求進行靈活設計的觀點來看，亦可將排出口91設置於旋轉軸491、背板總成492及構成液體保持部494L之側壁的至少一者。 (變形例2-5)

上述的實施型態中，液體的排出口亦可形成於在基板固持器內部的空間突出的位置。

圖36係示意顯示本變形例的基板固持器4400B的縱剖面圖。基板固持器4400B具有與上述基板固持器4400大致相同的構成，但其中形成有排出口92及排出流路82以代替排出口90及排出流路80，此點與基板固持器4400有所不同。排出口92，形成於管狀構件的端部，其形成於從背板492-1之基板Wf側的面突出的位置。排出流路82構成從排出口92通過背板492-1及旋轉軸491而將液體L1排出至基板固持器4400B外部的態樣。如此，藉由在基板固持器4400B內部空間中突出的位置形成排出口92，可更靈活地設計基板固持器4400B。另外，排出口92，除了背板492-1以外，亦可形成於從基板固持器4400B的任意部分突出的位置。 (變形例2-6)

上述的實施型態中，亦可從吐出口吐出從排出口排出之液體。

圖37係示意顯示本變形例的鍍覆模組4000A的縱剖面圖。鍍覆模組4000A具有與上述鍍覆模組4000大致相同的構成，但其具備基板固持器4400C以代替基板固持器4400，以及具備離子交換管柱407，此點與鍍覆模組4000有所不同。基板固持器4400C具有與板固持器4400大致相同的構成，但其具備吐出口62及供給流路51以代替吐出口60及供給流路50，此點與基板固持器4400有所不同。

吐出口62形成於構成液體保持部494L的支撐構件4940之內側面。因此，本變形例中，吐出口62及排出口90雙方皆成為往液體保持部492L開口的構成。供給流路51，從離子交換管柱407通過旋轉軸491、第1上部構件493、第2上部構件496及支撐構件4940而連接至吐出口62，而可使液體L1於其中流動。供給流路51亦可從未圖示的液體源連接出來，而可使液體L1在其中流動。

圖38係顯示本變形例中的吐出口62及排出口90之配置的概念圖。本變形例中，接觸構件494-4為弧狀，液體保持部494L中，8個接觸構件494-4並排成環狀。鄰接的2個接觸構件494-4之間配置有吐出口62或排出口90。圖示的例子中，吐出口62及排出口90沿著周方向交互配置，但只要可進行液體L1的吐出及排出，則未特別限定於此。從相同的觀點來看，吐出口62及排出口90各別的數量只要為1個以上則無特別限定。接觸構件494-4的形狀可以容易對於基板Wf進行供電的方式適當設計，並不限於圖示的例子。

回到圖37，從排出口90排出之液體L1，通過排出流路80導入離子交換管柱407。離子交換管柱407具備可使液體L1進行去離子化的離子交換樹脂。離子交換管柱407中，液體L1被送至進行離子交換而導電度降低。從離子交換管柱407排出之液體L1，通過供給流路51從吐出口62吐出。排出流路80及供給流路51構成在未通過液體保持部494L及與液體保持部494L連通的基板固持器4400C內部之空間的情況下將排出口90與吐出口62連通的流路。如此，基板固持器4000A中形成液體L1在基板固持器4400C的內部與外部之間循環的構成。

圖示的例子中，藉由離子交換管柱407來避免循環之液體L1的導電度提高。然而，鍍覆模組4000A中，除了離子交換管柱407以外，或是作為其替代，亦可追加地具備導電度計406(圖30)。此情況中亦可作為下述構成：由導電度計406測得的已排出之液體L1的導電度小於既定閾值或在其以下時，從吐出口62吐出尚未吐出至基板固持器4400C內部的全新液體L1。

本變形例之鍍覆方法中，基板固持器4400C更具備在未通過液體保持部494L及與液體保持部494L連通之基板固持器4400C內部之空間的情況下將排出口90與吐出口62連通的流路，控制模組800構成將從排出口90排出之液體L1從吐出口62吐出的態樣。藉此，一方面可效率良好地使用液體L1，一方面可減少混入物對於接觸構件494-4造成不良的影響。另外，在使液體L1循環時，吐出口62及排出口90的位置並無特別限定。亦可不經由吐出口62而是透過上述實施型態的吐出口60使液體L1循環。從縮短供給流路等因應需求進行靈活設計的觀點來看，吐出口62可配置於旋轉軸491、背板總成492及構成液體保持部494L之側壁的至少一者。 (變形例2-7)

上述的實施型態中，鍍覆模組4000亦可不具備旋轉機構446。鍍覆模組4000亦可構成浸漬式的鍍覆裝置。此情況中，如專利文獻3所述，可分別將基板Wf、阻力體450及陽極430沿著鉛直方向配置。即使不進行基板固持器4400的旋轉，亦可藉由吐出動作及排出動作，在基板固持器4400的浸漬前、浸漬中、鍍覆處理中及浸漬結束後的至少一個時間點進行接觸構件494-4等的清洗。

本發明亦可記載為以下的型態。 [型態1]根據型態1，提出一種鍍覆裝置，其包含：鍍覆槽，構成容納鍍覆液的態樣；基板固持器，構成保持基板的態樣，該基板是鍍覆處理的對象；旋轉機構，使前述基板固持器旋轉；升降機構，使前述基板固持器升降；及控制裝置；前述基板固持器具備：接觸構件，構成接觸前述基板而可供電的態樣；密封構件，構成將前述基板固持器與前述基板之間密封的態樣；緊壓構件，與前述密封構件對向配置，構成相對前述密封構件緊壓前述基板的態樣；液體保持部，內部具有前述接觸構件，前述液體保持部構成在前述基板被前述密封構件密封時，可保持液體；及吐出口，其構成在前述液體保持部或在前述基板固持器的內部與前述液體保持部連通的空間開口，或是可配置於前述基板固持器的側邊，而吐出前述液體的態樣。根據型態1，可提供一種鍍覆裝置，其可抑制基板固持器內部的混入物對於接觸構件等造成不良的影響。

[型態2]根據型態2，在型態1中，前述吐出口形成於構成前述液體保持部的側壁、以及前述基板固持器的旋轉軸及背板總成的至少一者。根據型態2，可縮短液體的供給流路等，而可因應需求進行靈活的設計。

[型態3]根據型態3，在型態1或2中，前述液體保持部係包含前述緊壓構件的外側面、支撐前述接觸構件的支撐構件之內側面及底面而構成。根據型態3，在基板被密封構件密封時，以少量的液體即可效率良好地覆蓋接觸構件。

[型態4]根據型態4，在型態1至3的任一型態中，前述控制裝置構成下述態樣：在前述基板被前述密封構件密封時，透過前述吐出口，對於與前述液體保持部或前述液體保持部連通的前述空間吐出前述液體。根據型態4，可將液體蓄積於可保持液體之狀態的液體保持部，而可抑制混入物對於接觸構件等造成不良的影響。

[型態5]根據型態5，在型態1至4的任一型態中，前述基板固持器構成可保持前述基板而使前述基板之被鍍覆面朝下的態樣，前述旋轉機構，以與前述基板配置於前述基板固持器時的前述被鍍覆面交叉的軸作為旋轉軸，使前述基板固持器旋轉。根據型態5，可利用旋轉機構，使吐出至基板固持器內部的液體流動至液體保持部，或是使其更均勻地分布於液體保持部之中。又，藉由一邊使基板固持器旋轉一邊進行鍍覆處理，可使所形成之鍍覆的厚度更為均勻。

[型態6]根據型態6，在型態5中，前述吐出口形成於前述緊壓構件的上方，前述吐出口構成對於前述緊壓構件中供前述基板配置之面的背面吐出前述液體的態樣。根據型態6，吐出口形成於緊壓構件的上方，藉此可縮短至吐出口的供給流路而簡易化。又，藉由構成對於緊壓構件的背面吐出液體的態樣，可利用旋轉機構效率良好地對於接觸構件供給液體。

[型態7]根據型態7，在型態6中，在前述緊壓構件之前述背面上形成有用以保持前述液體或使其流動的凹部。根據型態7，可效率良好地使液體流動至液體保持部，或是更均勻地使液體分布於液體保持部。

[型態8]根據型態8，在型態7中，前述凹部形成放射狀、或形成將前述緊壓構件之中心軸圍住的態樣、或是形成於前述緊壓構件的外周部。根據型態8，可更確實地使液體效率良好地流動至液體保持部，或可更均勻地使液體分布於液體保持部。

[型態9]根據型態9，在型態6至8的任一型態中，前述控制裝置構成下述態樣：在前述基板未安裝於前述基板固持器上時，從前述吐出口吐出前述液體以清洗前述背面、前述接觸構件、前述液體保持部及前述密封構件的至少一者。根據型態9，可抑制基板卸除後因混入物而導致接觸構件等損傷。

[型態10]根據型態10，在型態9中，前述液體保持部具備高度在徑向上向外變高的傾斜面，前述控制裝置構成下述態樣：在前述基板未安裝於前述基板固持器時，在使前述緊壓構件與前述密封構件接觸的狀態下，控制前述旋轉機構使前述基板固持器旋轉，藉此使前述液體從前述液體保持部越過前述傾斜面而排出至前述傾斜面的外側。根據型態10，因為液體在徑向上平順地向外流動，故可效率良好地清洗接觸構件。

[型態11]根據型態11，在型態5至10的任一型態中，前述控制裝置構成下述態樣：透過前述吐出口將前述液體吐出至前述空間後，控制前述旋轉機構使前述基板固持器旋轉，藉此使前述液體流動至前述液體保持部或使前述液體更均勻地分布於前述液體保持部中。根據型態11，在鍍覆處理時，可適當利用使形成之鍍覆的厚度更為均勻的旋轉機構，以對於接觸構件供給液體。

[型態12]根據型態12，在型態1至11的任一型態中，更具備使前述基板固持器傾斜的傾斜機構，前述控制裝置構成下述態樣：透過前述吐出口將前述液體吐出至前述空間後，控制前述傾斜機構使前述基板固持器傾斜，藉此使前述液體流動至前述液體保持部或使前述液體更均勻地分布於前述液體保持部中。根據型態12，可利用重力更確實地對於接觸構件供給液體。

[型態13]根據型態13，在型態12中，前述控制裝置構成下述態樣：在控制前述升降機構以使安裝有前述基板的前述基板固持器浸漬於前述鍍覆槽時，控制前述傾斜機構使前述基板固持器傾斜，藉此使前述液體流動至前述液體保持部。根據型態13，可在避免氣泡進入被鍍覆面的情況下浸漬基板固持器，並且使液體流動至液體保持部。

[型態14]根據型態14，在型態1至13的任一型態中，前述控制裝置構成下述態樣：在前述液體保持部中，吐出預設量的前述液體，以使前述液體的液面高度位於前述基板的下表面與前述緊壓構件的上表面之間。根據型態14，一方面可充分以液體被覆接觸構件，一方面可減少溶存氧對於種子層造成不良的影響。又，可效率良好地使基板旋轉，減少液體流下至鍍覆液而稀釋鍍覆液的疑慮。

[型態15]根據型態15，在型態1至14的任一型態中，更具備排出口，其在前述液體保持部或與前述液體保持部連通的前述空間開口，而將存在於前述液體保持部內或前述空間中的前述液體排出。根據型態15，在基板未安裝於基板固持器上的狀態下，將液體所含有的混入物排出，而可抑制混入物對於接觸構件等造成不良的影響。

[型態16]根據型態16，在型態15中，前述排出口形成於構成前述液體保持部的側壁、以及前述基板固持器的旋轉軸及背板總成的至少一者。根據型態16，可縮短排出流路等，而因應需求進行靈活的設計。

[型態17]根據型態17，在型態15或16中，前述基板固持器更具備將前述排出口與前述基板固持器的外部連通的流路。根據型態17，可適當調整以避免排出之液體流下至鍍覆液而稀釋鍍覆液。

[型態18]根據型態18，在型態15或16中，前述基板固持器更具備在不通過前述液體保持部及前述空間的情況下將前述排出口與前述吐出口連通的流路，前述控制裝置構成將從前述排出口排出之前述液體從前述吐出口吐出的態樣。根據型態18，可效率良好地使用液體並且減少混入物對於接觸構件等造成不良的影響。

[型態19]根據型態19，在型態18中，更具備配置於前述流路的離子交換樹脂及導電度計的至少一者。根據型態19，可在導電度低的狀態下將已排出之液體從吐出口吐出。

[型態20]根據型態20，在型態15至19的任一型態中，前述控制裝置構成下述態樣：在前述基板安裝於前述基板固持器的狀態下，同時進行或是在不同時間進行從前述吐出口吐出前述液體的吐出動作以及將保持於前述液體保持部的前述液體的至少一部分從前述排出口排出的排出動作。根據型態20，可保持於基板固持器的液體量未受到限制，可將更大量的液體供給至液體保持部，而可進一步抑制混入物對於接觸構件等造成不良的影響。

[型態21]根據型態21，在型態20中，前述控制裝置構成下述態樣：在安裝有前述基板的前述基板固持器浸漬於前述鍍覆液的狀態下，進行前述吐出動作及前述排出動作。根據型態21，可將因為浸漬而進入裡面的鍍覆液等混入物排出，而可減少混入物對於接觸構件等造成不良的影響。

[型態22]根據型態22，在型態21中，前述控制裝置構成下述態樣：以使前述基板固持器中之前述液體的液面低於前述鍍覆液之液面的方式，將使前述基板固持器浸漬於前述鍍覆液。根據型態22，因為鍍覆液的水壓高於基板固持器內部之液體的水壓，故可抑制該液體洩漏而稀釋鍍覆液。

[型態23]根據型態23，在型態21或22中，前述控制裝置構成下述態樣：在前述鍍覆處理正在進行的狀態下，進行前述吐出動作及前述排出動作。根據型態23，可更確實地在進行鍍覆處理的期間抑制混入物對於接觸構件等造成不良的影響。

[型態24]根據型態24，在型態20至23的任一型態中，前述控制裝置構成下述態樣：在進行了前述鍍覆處理後、前述基板卸除之前，進行前述排出動作。根據型態24，可抑制在將基板卸除時液體流下至鍍覆液而稀釋鍍覆液。

[型態25]根據型態25，在型態20至24的任一型態中，前述控制裝置構成下述態樣：間歇性地進行前述吐出動作及前述排出動作的至少一者。根據型態25，一方面可效率良好地使用液體，一方面可減少混入物對於接觸構件等造成不良的影響。

[型態26]根據型態26，在型態20至24的任一型態中，前述控制裝置構成下述態樣：在前述鍍覆處理的期間，持續進行前述吐出動作及前述排出動作的至少一者。根據型態26，可更確實地減少混入物對於接觸構件等造成不良的影響。

[型態27]根據型態27，在型態1至26的任一型態中，前述液體具有低於既定閾值的導電度，或是經過脫氣處理。根據型態27，可抑制液體所包含的離子或溶存氧等對於接觸構件等造成不良的影響。

[型態28]根據型態28，提出一種鍍覆方法，其係藉由鍍覆裝置進行鍍覆處理的鍍覆方法，該鍍覆裝置具備：鍍覆槽，構成容納鍍覆液的態樣；基板固持器，構成保持基板的態樣，該基板是進行鍍覆處理的對象；旋轉機構，使前述基板固持器旋轉；及升降機構，使前述基板固持器升降；前述基板固持器具備：接觸構件，構成接觸前述基板而可供電的態樣；密封構件，構成將前述基板固持器與前述基板之間密封的態樣；液體保持部，內部具有前述接觸構件，前述液體保持部構成在前述基板固持器與前述基板之間由前述密封構件所密封時可保持液體的態樣；及吐出口，在前述液體保持部或在前述基板固持器中與前述液體保持部連通之空間開口，或是可配置於前述基板固持器的側邊；該鍍覆方法包含：將前述基板安裝於前述基板固持器的步驟；從前述吐出口吐出前述液體的步驟；使前述基板固持器旋轉以使所吐出之前述液體流動至前述液體保持部或使前述液體在前述液體保持部中均勻分布的步驟；及對於已安裝的前述基板進行前述鍍覆處理的步驟。根據型態28，可抑制基板固持器內部的混入物對於接觸構件等造成不良的影響。

以上說明本發明的實施的型態，但上述發明的實施的型態係用以使本發明容易理解，並未限定本發明。本發明只要不脫離其主旨即可變更、改良，本發明當然包含其均等物。又，在可解決上述課題的至少一部分的範圍或是可發揮至少部分效果的範圍內，可任意組合實施型態及變形例，記載於申請專利範圍及說明書中的各構成要件可任意組合或省略。

40A,40B,40C:凹部 50,51:供給流路 60,61,62:吐出口 80,81,82:排出流路 90,91,92:排出口 100:裝載埠 110:運送機器人 120:對準器 200:預濕模組 300:預浸模組 400,400A,400B,400C,4000, 4000A:鍍覆模組 4400B:基板固持器 405:溢流槽 406:導電度計 406T:托盤 407:離子交換管柱 410:鍍覆槽 420:隔膜 422:陰極區域 424:陽極區域 430:陽極 440,440A,440B,4400,4400A, 4400B,4400C:基板固持器 442:第1升降機構 443:第2升降機構 446:旋轉機構 447:傾斜機構 450:阻力體 470:清洗裝置 474:手臂 476:驅動機構 478:托盤構件 482:清洗噴嘴 490:支撐部 491:旋轉軸 492:背板總成 492-1:背板 492-2,492-2A,492-2B,492-2C: 浮動板 492-3:按壓機構 492-4:浮動機構 493:第1上部構件 494,494A,4940:支撐機構 494L:液體保持部 494S:傾斜面 494-1:支撐構件 494-1a:凸緣 494-2:密封構件 494-3:台座 494-4:接觸構件 494-4a:基板接點 494-4b:本體部 494-5:導電構件 496:第2上部構件 500:洗淨模組 600:液體供給裝置 610:噴嘴 700:運送裝置 800:控制模組 801:CPU 802:記憶體 1000:鍍覆裝置 A10:箭號 A20:箭號 A30:箭號 A40:箭號 A50:箭號 Ax1:浮動板之中心軸 BS:浮動板的背面 H1:被鍍覆面的高度 H2:浮動板的背面的高度 HL1:所吐出之液體的液面的高度 HS:鍍覆液的液面的高度 L1,L2:液體 S1:內部空間 Wf:基板 Wf-a:被鍍覆面 S100:底面 S101~S105,S201~S205,S301~ S304,S401~405,S501~S506, S601~S604,S701~S703:步驟

圖1係顯示第1實施型態的鍍覆裝置之整體構成的立體圖。圖2係顯示第1實施型態的鍍覆裝置之整體構成的俯視圖。圖3係示意顯示第1實施型態的鍍覆模組之構成的縱剖面圖。圖4係示意顯示第1實施型態之基板固持器的縱剖面圖。圖5係示意顯示第1實施型態的接觸構件之基板固持器的縱剖面圖。圖6係示意顯示基板固持器之液體保持部的縱剖面圖。圖7係顯示第1實施型態的控制模組之構成的概念圖。圖8係說明第1實施型態之鍍覆方法的基板固持器之縱剖面圖。圖9係說明第1實施型態之鍍覆方法的基板固持器之縱剖面圖。圖10係說明第1實施型態之鍍覆方法的基板固持器之縱剖面圖。圖11係說明第1實施型態之鍍覆方法的基板固持器之縱剖面圖。圖12係說明第1實施型態之鍍覆方法的基板固持器之縱剖面圖。圖13係說明第1實施型態之鍍覆方法的基板固持器之縱剖面圖。圖14係示意顯示液體保持部的放大剖面圖。圖15係顯示第1實施型態之鍍覆方法之流程的流程圖。圖16係示意顯示變形例1-1之浮動板的俯視圖。圖17示意顯示變形例1-2之浮動板的俯視圖。圖18係說明變形例1-3之鍍覆方法的縱剖面圖。圖19係顯示變形例1-3之鍍覆方法之流程的流程圖。圖20係示意顯示變形例1-4之鍍覆模組的縱剖面圖。圖21係示意顯示變形例1-4之浮動板的俯視圖。圖22係說明變形例1-4之鍍覆方法的基板固持器之縱剖面圖。圖23係說明變形例1-4之鍍覆方法的基板固持器之縱剖面圖。圖24係說明變形例1-4之鍍覆方法的基板固持器之縱剖面圖。圖25係示意顯示變形例1-5的鍍覆模組的縱剖面圖。圖26係顯示變形例1-5之鍍覆方法之流程的流程圖。圖27係示意顯示變形例1-6之基板固持器的縱剖面圖。圖28係說明變形例1-6之鍍覆方法的基板固持器之縱剖面圖。圖29係顯示變形例1-6之鍍覆方法之流程的流程圖。圖30係示意顯示第2實施型態的鍍覆裝置的縱剖面圖。圖31係顯示第2實施型態之鍍覆方法之流程的流程圖。圖32係顯示變形例2-1之鍍覆方法之流程的流程圖。圖33係顯示變形例2-2之鍍覆方法之流程的流程圖。圖34係說明變形例2-3之鍍覆方法的鍍覆模組之縱剖面圖。圖35係示意顯示變形例2-4之基板固持器的縱剖面圖。圖36係示意顯示變形例2-5之基板固持器的縱剖面圖。圖37係示意顯示變形例2-6之鍍覆模組的縱剖面圖。圖38係顯示變形例2-6之接觸構件的概念圖。

50:供給流路 60:吐出口 440:基板固持器 442:第1升降機構 443:第2升降機構 446:旋轉機構 490:支撐部 491:旋轉軸 492:背板總成 492-1:背板 492-2:浮動板 492-3:按壓機構 492-4:浮動機構 493:第1上部構件 494:支撐機構 496:第2上部構件 A10:箭號 A20:箭號 Wf:基板 Wf-a:被鍍覆面

Claims

一種鍍覆裝置，具備：鍍覆槽，構成容納鍍覆液的態樣；基板固持器，構成保持基板的態樣，該基板是進行鍍覆處理的對象；旋轉機構，使前述基板固持器旋轉；升降機構，使前述基板固持器升降；及控制裝置；前述基板固持器具備：接觸構件，構成接觸前述基板而可供電的態樣；密封構件，構成將前述基板固持器與前述基板之間密封的態樣；緊壓構件，與前述密封構件對向配置，構成相對前述密封構件緊壓前述基板的態樣；液體保持部，內部具有前述接觸構件，前述液體保持部構成在前述基板固持器與前述基板之間由前述密封構件所密封時可保持液體的態樣；及吐出口，其構成在前述液體保持部或在前述基板固持器的內部與前述液體保持部連通之空間開口，或是可配置於前述基板固持器的側邊，而吐出前述液體的態樣；前述液體保持部係包含前述緊壓構件的外側面、以及支撐前述接觸構件的支撐構件之內側面及底面而構成。
如請求項1之鍍覆裝置，其中前述吐出口形成於構成前述液體保持部的側壁、以及前述基板固持器的旋轉軸及背板總成的至少一者；前述背板總成係包含前述緊壓構件及背板的組合體，該背板配置於，相對於前述緊壓構件，在與配置有前述基板之一側相反的一側。
如請求項1或2之鍍覆裝置，其中前述控制裝置構成下述態樣：前述基板被前述密封構件密封時，透過前述吐出口將前述液體吐出至前述液體保持部或與前述液體保持部連通的前述空間。
如請求項1或2之鍍覆裝置，其中前述基板固持器構成可保持前述基板而使前述基板之被鍍覆面朝下的態樣，前述旋轉機構，以與前述基板配置於前述基板固持器時的前述被鍍覆面交叉的軸作為旋轉軸，使前述基板固持器旋轉。
如請求項4之鍍覆裝置，其中前述吐出口形成於前述緊壓構件的上方，前述吐出口構成對於前述緊壓構件中供前述基板配置之面的背面吐出前述液體的態樣。
如請求項5之鍍覆裝置，其中在前述緊壓構件之前述背面上形成有用以保持前述液體或使其流動的凹部。
如請求項6之鍍覆裝置，其中前述凹部形成放射狀，或形成將前述緊壓構件之中心軸圍住的態樣，或是形成於前述緊壓構件的外周部。
如請求項5之鍍覆裝置，其中前述控制裝置構成下述態樣：在前述基板未安裝於前述基板固持器上時，從前述吐出口吐出前述液體以清洗前述背面、前述接觸構件、前述液體保持部及前述密封構件的至少一者。
如請求項8之鍍覆裝置，其中前述液體保持部具備高度向外變高的傾斜面；前述控制裝置構成下述態樣：在前述基板未安裝於前述基板固持器時，在使前述緊壓構件與前述密封構件接觸的狀態下，控制前述旋轉機構使前述基板固持器旋轉，藉此使前述液體從前述液體保持部越過前述傾斜面而排出至前述傾斜面的外側。
如請求項4之鍍覆裝置，其中前述控制裝置構成下述態樣：透過前述吐出口將前述液體吐出至前述空間後，控制前述旋轉機構使前述基板固持器旋轉，藉此使前述液體流動至前述液體保持部或使前述液體更均勻地分布於前述液體保持部中。
如請求項1或2之鍍覆裝置，其更具備使前述基板固持器傾斜的傾斜機構；前述控制裝置構成下述態樣：透過前述吐出口將前述液體吐出至前述空間後，控制前述傾斜機構使前述基板固持器傾斜，藉此使前述液體流動至前述液體保持部或使前述液體更均勻地分布於前述液體保持部中。
如請求項11之鍍覆裝置，其中前述控制裝置構成下述態樣：在控制前述升降機構以使安裝有前述基板的前述基板固持器浸漬於前述鍍覆槽時，控制前述傾斜機構使前述基板固持器傾斜，藉此使前述液體流動至前述液體保持部。
如請求項1或2之鍍覆裝置，其中前述控制裝置構成下述態樣：在前述液體保持部中，吐出預設量的前述液體，以使前述液體的液面高度位於前述基板的下表面與前述緊壓構件的上表面之間。
如請求項1或2之鍍覆裝置，其更具備排出口，其在前述液體保持部或與前述液體保持部連通的前述空間開口，而將存在於前述液體保持部內或前述空間中的前述液體排出。
如請求項14之鍍覆裝置，其中前述排出口形成於構成前述液體保持部的側壁、以及前述基板固持器的旋轉軸及背板總成的至少一者；前述背板總成係包含前述緊壓構件及背板的組合體，該背板配置於，相對於前述緊壓構件，在與配置有前述基板之一側相反的一側。
如請求項14之鍍覆裝置，前述基板固持器更具備將前述排出口與前述基板固持器的外部連通的流路。
如請求項14之鍍覆裝置，其中前述基板固持器更具備在不通過前述液體保持部及前述空間的情況下將前述排出口與前述吐出口連通的流路；前述控制裝置構成將從前述排出口排出之前述液體從前述吐出口吐出的態樣。
如請求項17之鍍覆裝置，其中前述基板固持器更具備配置於前述流路的離子交換樹脂及導電度計的至少一者。
如請求項14之鍍覆裝置，其中前述控制裝置構成下述態樣：在前述基板安裝於前述基板固持器的狀態下，同時進行或是在不同時間進行從前述吐出口吐出前述液體的吐出動作以及將保持於前述液體保持部的前述液體的至少一部分從前述排出口排出的排出動作。
如請求項19之鍍覆裝置，其中前述控制裝置構成下述態樣：在安裝有前述基板的前述基板固持器浸漬於前述鍍覆液的狀態下，進行前述吐出動作及前述排出動作。
如請求項20之鍍覆裝置，其中前述控制裝置構成下述態樣：以使前述基板固持器中之前述液體的液面低於前述鍍覆液之液面的方式，將使前述基板固持器浸漬於前述鍍覆液。
如請求項20之鍍覆裝置，其中前述控制裝置構成下述態樣：在前述鍍覆處理正在進行的狀態下，進行前述吐出動作及前述排出動作。
如請求項19之鍍覆裝置，其中前述控制裝置構成下述態樣：在進行了前述鍍覆處理後、前述基板卸除之前，進行前述排出動作。
如請求項19之鍍覆裝置，其中前述控制裝置構成下述態樣：間歇性地進行前述吐出動作及前述排出動作的至少一者。
如請求項19之鍍覆裝置，其中前述控制裝置構成下述態樣：在前述鍍覆處理的期間，持續進行前述吐出動作及前述排出動作的至少一者。
如請求項1或2之鍍覆裝置，其中前述液體具有50μS/cm以下的導電度，或是經過脫氣處理。
一種鍍覆方法，其係藉由鍍覆裝置進行鍍覆處理的鍍覆方法，該鍍覆裝置具備：鍍覆槽，構成容納鍍覆液的態樣；基板固持器，構成保持基板的態樣，該基板是進行鍍覆處理的對象；旋轉機構，使前述基板固持器旋轉；及升降機構，使前述基板固持器升降；前述基板固持器具備：接觸構件，構成接觸前述基板而可供電的態樣；密封構件，構成將前述基板固持器與前述基板之間密封的態樣；緊壓構件，與前述密封構件對向配置，構成相對前述密封構件緊壓前述基板的態樣；液體保持部，內部具有前述接觸構件，前述液體保持部構成在前述基板固持器與前述基板之間由前述密封構件所密封時可保持液體的態樣；吐出口，在前述液體保持部或在前述基板固持器中與前述液體保持部連通的空間開口，或是可配置於前述基板固持器的側邊；前述鍍覆方法包含：將前述基板安裝於前述基板固持器的步驟；從前述吐出口吐出前述液體的步驟；使前述基板固持器旋轉以使所吐出之前述液體流動至前述液體保持部或使前述液體在前述液體保持部中均勻分布的步驟；及對於已安裝的前述基板進行前述鍍覆處理的步驟；前述液體保持部係包含前述緊壓構件的外側面、以及支撐前述接觸構件的支撐構件之內側面及底面而構成。