TWI803026B

TWI803026B - 鍍覆方法及鍍覆裝置

Info

Publication number: TWI803026B
Application number: TW110139427A
Authority: TW
Inventors: 増田泰之; 和久田陽平; 下山正; 長井瑞樹
Original assignee: 日商荏原製作所股份有限公司
Priority date: 2021-10-25
Filing date: 2021-10-25
Publication date: 2023-05-21
Also published as: TW202317817A

Abstract

［課題］本發明的目的之一為提供一種抑制基板之種層劣化的技術。［解決手段］本發明之鍍覆方法包含：係在基板固持器中保持基板之工序，且在前述基板固持器保持了前述基板之狀態下，形成保護對前述基板饋電之接點不受鍍覆液的密封空間，在前述密封空間內，前述基板與前述接點之接觸部位局部以液體被覆之工序；使保持於前述基板固持器之前述基板浸漬於鍍覆液中，並使其與陽極相對之工序；及在前述基板與前述接點之接觸部位以液體被覆的狀態下，在前述基板與前述陽極之間供給電流，來鍍覆處理前述基板之工序。

Description

鍍覆方法及鍍覆裝置

本發明係關於一種鍍覆方法及鍍覆裝置。

過去，作為可對基板實施鍍覆處理之鍍覆裝置，習知有如記載於日本特開2004-225089號公報(專利文獻1)之所謂杯式的鍍覆裝置。此種鍍覆裝置具備：貯存鍍覆液，並且配置了陽極之鍍覆槽；及配置於比陽極還上方，而保持作為陰極之基板的基板固持器(亦稱為鍍覆頭)。作為此種基板固持器係具備：用於與晶圓(基板)之外周部的接點區域接觸而饋電之複數個接點；及遮蔽複數個接點不受鍍覆液之密封墊者。

此外，如日本特開2003-27288號公報(專利文獻2)之基板保持部，係以圓筒狀之密封材包圍各接點，藉由以金屬離子不存在之導電性液體填滿密封材內部，讓氣泡容易地從圓筒狀的密封材之間抽出，並且避免鍍覆液之結晶附著於接點者。

〔先前技術文獻〕〔專利文獻〕

〔專利文獻1〕日本特開2004-225089號公報

〔專利文獻2］日本特開2003-27288號公報

以另外單元對基板進行預濕等之前處理後，將基板搬送至鍍覆槽時，基板外周部之與接點接觸的區域(接點區域)變成濕潤狀態。當欲使基板之接點區域乾燥後進行鍍覆處理時，基板外周部之圖案也會乾燥而有鍍覆不良之虞。亦即，使基板之接點區域乾燥時，到周圍之圖案開口內為止的水分被抽走，在鍍覆中有發生圖案開口內有氣泡殘留而未被鍍覆的異常之虞。

此外，在附著於接點表面之污垢、及從基板固持器之零件間隙滲出的鍍覆液附著於基板與接點之接觸部位附近的狀態下進行鍍覆處理時，接觸部位附近之種層會溶解，而產生饋電不均，有導致鍍覆膜厚之面內均勻性降低之虞。此外，接點清洗後，當在接點尚未完全乾燥之狀態(局部濕潤狀態)下進行鍍覆處理時，有可能對基板上之種層造成損害。

在記載於日本特開2003-27288號公報(專利文獻2)之基板保持部中，因為係以導電性液體填滿設於每個接點之圓筒狀的密封材內，推測即使將濕潤之基板接觸接點問題仍比較少，但需要每個接點配置圓筒狀之密封材，並在各圓筒狀之密封材內供給導電性的液體。

本發明係鑑於上述情形者，目的之一為提供一種在鍍覆處理中以簡單的構成抑制基板之種層劣化的技術。

本發明一個方面提供一種鍍覆方法，係包含：係在基板固持器中保持基板工序，且在前述基板固持器保持了前述基板之狀態下，形成保護對前述基板饋電之接點不受鍍覆液的密封空間，在前述密封空間內，前述基板與前述接點之接觸部位局部以液體被覆之工序；使保持於前述基板固持器之前述基板浸漬於鍍覆液中，並使其與陽極相對之工序；及在前述基板與前述接點之接觸部位以液體被覆的狀態下，在前述基板與前述陽極之間供給電流，來鍍覆處理前述基板之工序。

10:鍍覆槽

16:陽極

17:電阻體

20:溢流槽

30:基板固持器

31:第一保持構件

32:第二保持構件

32A:外周壁

32B:基板座部

33:密封空間

40:旋轉機構

41:旋轉軸

45:傾斜機構

46:升降機構

47:支軸

50:接點

51:接觸部

55:密封構件

55A:唇部

60:液體(純水)

61:清洗液噴嘴

71:清洗噴嘴

72:接液盤

73:清洗配管

74:導電率計

100:裝載埠

110:搬送機器人

120:對準器

200:預濕模組

300:預浸模組

400:鍍覆模組

500:清洗模組

600:自旋沖洗乾燥機

700:搬送裝置

800:控制模組

801:CPU

802:記憶部

1000:鍍覆裝置

Lp,Lp1,Lp2,Lp3:處理液

Ps:鍍覆液

Q:液體

Rp:抗蝕圖案

Sd:種層

Wf:基板

Wfb:上面

Wfa:下面

圖1係顯示一種實施形態之鍍覆裝置的整體構成之立體圖。

圖2係顯示一種實施形態之鍍覆裝置的整體構成之俯視圖。

圖3係用於說明一種實施形態之鍍覆裝置的鍍覆模組之構成的示意圖。

圖4係放大一種實施形態之基板固持器的一部分而示意顯示之剖面圖。

圖5係顯示鍍覆裝置之控制方法的流程之流程圖。

圖6係說明鍍覆裝置之控制方法的流程之說明圖。

圖7係說明鍍覆裝置之控制方法的流程之說明圖。

圖8係顯示接點清洗時使用之清洗液的液量與種層之外觀變化的關係之測量例。

圖9係說明覆蓋接點之清洗液的高度及直徑的說明圖。

圖10係顯示覆蓋接點之清洗液的導電率與種層之外觀變化的關係之測量例。

圖11係顯示覆蓋接點之清洗液的導電率與面內均勻性之關係的測量例。

圖12係說明起因於局部電池效應導致種層溶解的說明圖。

圖13係說明起因於分流電流導致種層溶解的說明圖。

以下，就本發明之實施形態的鍍覆裝置1000及鍍覆方法，參照圖式並說明。另外，圖式係為了容易瞭解特徵而示意圖示，各構成元件之尺寸比率等不限於與實際者相同。此外，一些圖式中圖示有X-Y-Z之正交座標用作參考。該正交座標中，Z方向相當於上方，-Z方向相當於下方(重力作用之方向)。

圖1係顯示本實施形態之鍍覆裝置的整體構成立體圖。圖2係顯示本實施形態之鍍覆裝置的整體構成俯視圖。如圖1、2所示，鍍覆裝置1000具備：裝載埠100、搬送機器人110、對準器120、預濕模組200、預浸模組300、鍍覆模組400、清洗模組500、自旋沖洗乾燥器600、搬送裝置700、及控制模組800。

裝載埠100係用於將收納無圖示之FOUP(前開式晶圓傳送盒)等匣盒的基板搬入至鍍覆裝置1000，或是從鍍覆裝置1000搬出基板至匣盒的模組。本實施形態中，係在水平方向並列配置4台裝載埠100，但裝載埠100之數量及配置不拘。搬送機器人110係用於搬送基板之機器人，且構成來在裝載埠100、對準器120、及搬送裝置700之間交接基板。搬送機器人110及搬送裝置700在搬送機器人110與搬送裝置700之間交接基板時，可經由暫置台(無圖示)進行基板的交接。

對準器120係用於將基板之定向平面或凹槽等的位置對準指定方向之模組。本實施形態係在水平方向並列配置2台對準器120，但對準器120之數量及配置不拘。預濕模組200藉由將鍍覆處理前之基板的被鍍覆面以純水或脫氣水等處理液濕潤，並將形成於基板表面之圖案內部的空氣替換成處理液。預濕模組200係構成來實施預濕處理，以在鍍覆時以將圖案內部之處理液替換成鍍覆液的方式，而易於在圖案內部供給鍍覆液。本實施形態中，係在上下方向並列配置2台預濕模組200，但預濕模組200之數量及配置不拘。

預浸模組300係構成來實施預浸處理，例如以硫酸或鹽酸等處理液蝕刻除去形成於鍍覆處理前之基板的被鍍覆面之種層表面等上存在之電阻大的氧化膜，清洗或活化鍍覆基底表面。本實施形態中，係在上下方向並列配置2台預浸模組300，但預浸模組300之數量及配置不拘。鍍覆模組400對基板實施鍍覆處理。本實施形態中，有2組在上下方向並列配置3台且在水平方向並列配置4 台之12台的鍍覆模組400，而設置合計24台之鍍覆模組400，但鍍覆模組400之數量及配置不拘。

清洗模組500係構成來為了除去殘留於鍍覆處理後之基板的鍍覆液等而對基板實施清洗處理。本實施形態中，係在上下方向並列配置2台清洗模組500，但清洗模組500之數量及配置不拘。自旋沖洗乾燥器600係用於使清洗處理後之基板高速旋轉而乾燥的模組。本實施形態中，係在上下方向並列配置2台自旋沖洗乾燥器，但自旋沖洗乾燥器之數量及配置不拘。搬送裝置700係用於在鍍覆裝置1000中之複數個模組間搬送基板的裝置。控制模組800係構成來控制鍍覆裝置1000之複數個模組，例如可由具備與作業人員之間的輸入輸出介面之一般電腦或專用電腦而構成。

以下說明鍍覆裝置1000之一連串鍍覆處理的一例。首先，將收納於匣盒之基板搬入裝載埠100。繼續，搬送機器人110從裝載埠100之匣盒取出基板，並將基板搬送至對準器120。對準器120將基板之定向平面或凹槽等的位置對準指定方向。搬送機器人110將藉由對準器120對準方向之基板往搬送裝置700送交。

搬送裝置700將從搬送機器人110接收之基板往預濕模組200搬送。預濕模組200對基板實施預濕處理。搬送裝置700將實施預濕處理後之基板搬送至預浸模組300。預浸模組300對基板實施預浸處理。搬送裝置700將已實施預浸處理之基板往鍍覆模組400搬送。鍍覆模組400對基板實施鍍覆處理。

搬送裝置700將已實施鍍覆處理之基板往清洗模組500搬送。清洗模組500對基板實施清洗處理。搬送裝置700將已實施清洗處理之基板往自旋沖洗乾燥器600搬送。自旋沖洗乾燥器600對基板實施乾燥處理。搬送裝置700將已實施乾燥處理後之基板往搬送機器人110送交。搬送機器人110將從搬送裝置700所接收之基板搬送至裝載埠100的匣盒。最後，從裝載埠100將收納了基板之匣盒搬出。

另外，圖1及圖2所說明之鍍覆裝置1000的構成不過是一例，鍍覆裝置1000之構成並非限定於圖1及圖2之構成者。

繼續，就鍍覆模組400作說明。另外，由於本實施形態之鍍覆裝置1000所具有的複數個鍍覆模組400具有相同的構成，因此，就1個鍍覆模組400作說明。

圖3係用於說明本實施形態之鍍覆裝置1000的鍍覆模組400之構成的示意圖。本實施形態之鍍覆裝置1000係稱為面朝下式或杯式類型的鍍覆裝置。本實施形態之鍍覆裝置1000的鍍覆模組400主要具備：鍍覆槽10、溢流槽20、亦稱為鍍覆頭之基板固持器30、旋轉機構40、傾斜機構45、及升降機構46。但是，亦可省略傾斜機構45。

本實施形態之鍍覆槽10係藉由上方具有開口之有底的容器而構成。鍍覆槽10具有：底壁；及從該底壁之外周緣向上方延伸的外周壁；該外周壁之上部開口。在鍍覆槽10之內部貯存有鍍覆液Ps。本實施形態中，鍍覆槽10具有圓筒形狀。

鍍覆液Ps只要是含有構成鍍覆皮膜之金屬元素的離子之溶液即可，其具體例並未有特別限定者。本實施形態中，鍍覆處理之一例為使用銅鍍覆處理，鍍覆液Ps之一例為使用硫酸銅溶液。此外，本實施形態中，鍍覆液Ps中含有指定之添加劑。但是，並非限定於該構成者，鍍覆液Ps亦可不含添加劑而構成。

在鍍覆槽10之內部配置有陽極16。陽極16之具體種類並未有特別限定者，可使用溶解陽極或不溶解陽極。本實施形態中，陽極16係使用不溶解陽極。該不溶解陽極之具體種類並未有特別限定者，可使用鉑或氧化銥等。

溢流槽20藉由配置於鍍覆槽10外側之有底的容器而構成。溢流槽20暫時貯存超過鍍覆槽10上端之鍍覆液Ps。在一例中，溢流槽20之鍍覆液Ps係從溢流槽20用的排出口(無圖示)排出，而暫時貯存於儲存槽(無圖示)後，再度返回鍍覆槽10。

在比鍍覆槽10內部之陽極16還上方係配置有多孔質的電阻體17。具體而言，電阻體17藉由具有複數個孔(細孔)之多孔質的板構件而構成。比電阻體17還下方側之鍍覆液Ps通過電阻體17可流動至比電阻體17還上方側。該電阻體17係為了實現形成於陽極16與基板Wf間之電場的均勻化而設之構件。以將此種電阻體17配置於鍍覆槽10的方式，可輕易實現形成於基板Wf之鍍覆皮膜(鍍覆層)的膜厚均勻化。另外，電阻體17在本實施形態中並非必要的構成，本實施形態亦可為不具備電阻體17之構成。

如圖3所示，基板固持器30係保持作為陰極之基板Wf的構件。具體而言，基板固持器30配置於比陽極16還上方(在本實施形態中係進一步比電阻體17上方)。基板固持器30係保持基板Wf，讓基板Wf之下面Wfa與陽極16及電阻體17相對。另外，基板Wf之下面Wfa相當於被鍍覆面。

本實施形態之基板固持器30具備：第一保持構件31、第二保持構件32、接點50、及密封構件55。基板固持器30係保持基板Wf來藉由第一保持構件31及第二保持構件32夾著基板Wf。第一保持構件31保持基板Wf之上面Wfb。第二保持構件32保持基板Wf之下面Wfa的外周部。具體而言，本實施形態之第二保持構件32係經由密封構件55來保持基板Wf之下面Wfa的外周部。基板固持器 30保持基板Wf時，密封構件55與基板Wf密合，而形成保護接點50及基板Wf之接點區域(基板外周部之與接點50接觸的區域)防止鍍覆液的密封空間33。

如圖3所示，基板固持器30連接於旋轉機構40之旋轉軸41。旋轉機構40係用於使基板固持器30旋轉之機構。作為旋轉機構40，可使用馬達等習知之機構。傾斜機構45係用於使旋轉機構40及基板固持器30傾斜的機構。作為傾斜機構45，可使用活塞、汽缸等習知的傾斜機構。升降機構46藉由在上下方向延伸之支軸47而支撐。升降機構46係用於使基板固持器30、旋轉機構40、及傾斜機構45在上下方向升降的機構。作為升降機構46，可使用直動式之致動器等習知的升降機構。

執行鍍覆處理時，旋轉機構40使基板固持器30旋轉，並且升降機構46使基板固持器30移動至下方，而使基板Wf浸漬於鍍覆槽10之鍍覆液Ps中。此外，如此使基板Wf浸漬於鍍覆液Ps時，傾斜機構45必要時亦可使基板固持器30傾斜。接著，藉由通電裝置/電源(無圖示)而在陽極16與基板Wf之間經由鍍覆液Ps通過電流。藉此，在基板Wf之下面Wfa形成鍍覆皮膜。

鍍覆模組400之動作藉由控制模組800來控制。控制模組800備有微電腦，該微電腦具備：作為處理器之CPU(Central Processing Unit)801；及作為非暫時性記憶媒體之記憶部802等。控制模組800以CPU801依據記憶於記憶部802之程式的指令動作的方式，來控制鍍覆模組400的被控制部。程式例如包含：搬送機器人、搬送裝置之搬送控制、在各處理模組中之處理控制、在鍍覆模組中之鍍覆處理的控制、執行控制清洗處理之程式、及檢測各種設備異常的程式。記憶媒體可包含非揮發性及/或揮發性記憶媒體。記憶媒體例如可使用電腦可讀取之ROM、RAM、快閃記憶體等之記憶體；硬碟、CD-ROM、DVD-ROM及軟碟等碟狀記憶媒體等習知者。控制模組800係構成可與一併控制鍍覆裝置及其他相關裝置之無圖示的上層控制器通信，可在與上層控制器所具有的資料庫之間存取資料。控制模組800之一部分或全部功能可以ASIC等硬體構成。控制模組800之一部分或全部功能亦可以PLC、程序器等構成。控制模組800之一部分或全部可配置於鍍覆裝置之框體的內部及/或外部。控制模組800之一部分或全部可藉由有線及/或無線而與鍍覆裝置之各部通信。

圖4係放大基板固持器30之一部分(圖3之A1部分)而示意顯示的剖面圖。參照圖3及圖4，本實施形態之基板固持器30中配置有與基板Wf之下面Wfa的外周部之接點區域接觸，而對基板Wf進行饋電的接點50。具體而言，本實施形態之接點50係配置於基板固持器30之第二保持構件32。本實施形態之接點50在基板固持器30的周方向(具體而言，係第二保持構件32之周方向)配置複數個。各接點50具備複數個(例如4個)稱為手指的板狀電極。複數個接點50在基板固持器30之周方向均等地配置。另外，複數個接點50之數量並未有特別限定者，但本實施形態之一例為12個。複數個接點50與通電裝置(無圖示)電性連接，而將從通電裝置所供給之電饋電至基板Wf(更詳細而言，係形成於基板Wf之下面Wfa的種層Sd)。

本實施形態之鍍覆模組400如圖3及圖4所示，具備用於抑制鍍覆槽10之鍍覆液Ps接觸接點50的密封構件55。密封構件55具有朝向基板側而突出地設置之唇部55A，唇部55A與基板Wf之下面Wfa接觸。具體而言，本實施形態之密封構件55的唇部55A配置於比接點50還內側(在基板固持器30之徑方向內側)，在基板固持器30中保持基板Wf時，係夾在基板固持器30之第二保持構件32與基板Wf的下面Wfa之間。本例係將唇部55A設於密封構件55之徑方向內側的端部附近。密封構件55例如具有環形狀來沿著基板Wf之外周部。以鍍覆模組400具備此種密封構件55的方式，當基板Wf浸漬於鍍覆液Ps時，可有效抑制鍍覆液Ps接觸接點50。

如圖4所示，基板固持器30之第二保持構件32具備：外周壁32A；及在外周壁32A之下端附近突出於徑方向內側的基板座部32B。密封構件55設於第二保持構件32。因為第二保持構件32係保持密封構件55之構件，所以亦稱為密封環固持器(SRH)。另外，第二保持構件32亦可組合複數個構件而構成。例如，亦可個別地設置第二保持構件32與基板座部32B並彼此結合。唇部55A接觸於基板Wf，並如圖3所示，在基板固持器30中形成密封空間33，遮蔽/保護接點50與基板Wf(後述之接點區域的種層Sd)之接觸部位不受鍍覆液Ps。

如圖4所示，本實施形態中，係在以導電率經管理未達後述之指定臨限值的液體60覆蓋接點50之與基板Wf接觸的接觸部分(本例係前端部)之狀態下，對基板Wf實施鍍覆處理為特徵。液體60可為純水、脫氣水、其他液體(使用於預濕、預浸、清洗等之處理的液體)。具體而言，係設置在鍍覆處理後，不用從裝置拆卸接點50而可噴灑純水的清洗噴嘴71(參照圖7)；及接受清洗排液之接液盤72，並在接液盤72及/或排出清洗排液之清洗配管73內配置測量清洗排液之電傳導率(導電率)的導電率計74，並從清洗排液之導電率測量接點50的清洗度。導電率低於經實驗等決定的指定臨限值時，停止從清洗噴嘴71供給清洗液。鍍覆處理時，在接點50與基板Wf之接觸部位以導電率經管理之液體60覆蓋狀態下，在接點50與基板Wf之間流動電流。在本實施形態中，可在基板座部32B中保持用於被覆接點50與基板Wf接觸之接觸部分的液體60。此外，本實施形態中，密封構件55(圖4之例係唇部55A)係發揮抑制或防止液體60在徑方向內方滴流的角色。此外，在基板座部32B之外周側，外周壁32A係發揮管制液體60之移動的角色。因此，基板固持器30之基板座部32B、密封構件55、及外周壁32A亦可構成保持液體60之容器部(但是，液體60亦可不接觸於外周壁32A)。

按照後述之實驗，本實施形態之構成中，可從清洗噴嘴71供給13mL以上之純水，並在此期間至少使基板固持器30旋轉1周，讓純水均勻地供給至接點50。13mL之液量係用於將接點50之1根手指與基板Wf(種層Sd)的接觸部位完全濕潤所需的純水液量以12個接點部分(基板Wf之1周部分)來合算之值，換言之，係為了將基板固持器30之全部接點50與基板Wf的接觸部位完全濕潤所需的純水液量。

此外，藉由後述之實驗，瞭解到本實施形態的構成中，導電率的臨限值為50μS/cm以下時，不會對基板Wf的種層Sd造成損傷。亦即，在清洗接點50後，無須甩掉附著於接點50之液體(例如，純水)，可直接使用管理導電率達指定之臨限值以下的清洗液作為下一個基板處理用的接點與基板接觸部位的被覆液(被覆水)為特徵。藉此，可省略使接點乾燥的手續，且可防止接點50及基板Wf在濕潤半途狀態下被實施鍍覆處理。

此外，係以至鍍覆結束為止不使經預濕處理等之前處理而濕潤的基板Wf之接點區域(與接點50接觸之區域)乾燥為特徵。藉此，可抑制或防止以下之缺失。當使經前處理而濕潤之基板的接點區域乾燥時，周圍之圖案開口內的水分被抽走，在鍍覆中於圖案開口內殘留氣泡而該部分可能發生未鍍覆的異常，此外，可能在乾燥半途之基板的接點區域之種層表面氧化而發生導通不良。此外，當基板之種層與接點的接觸部位在濕潤半途時，由於起因於溶解氧所產生局部電池作用及/或分流電流(在接點50與基板Wf之種層Sd的接觸部位以外，在接點50與種層Sd之間經由液體而流動的分流)，會有種層Sd溶解、產生饋電不均、而使鍍覆膜厚之面內均勻性降低之虞。

圖12係說明起因於溶解氧之局部電池效應導致種層溶解的說明圖。考慮在充滿空氣之密封空間33(圖3)中，液體Q附著於與接點50之接觸部位附近的種層Sd之情況。此時，如該圖所示，空氣中之氧O₂溶解於液體Q，種層Sd之銅(Cu)電子通過O₂，O₂成為OH^-，並且Cu成為Cu²⁺，發生溶出液體Q之局部電池的作用，而種層Sd溶解。藉由該反應而從種層Sd溶出Cu，而種層Sd變薄，種層Sd之電阻增加，而可能發生饋電不均。該現象是因為氣液界面從種層Sd接近。

圖13係說明起因於分流電流導致種層溶解的說明圖。在密封空間33內，接點50與種層Sd之接觸部位被導電率高之液體Q(例如，鍍覆液或鍍覆液混入之液體)覆蓋時，當種層Sd之電阻及/或接點50與種層Sd之間的接觸電阻高時，藉由液體Q中之離子導電、與在種層Sd表面及接點50表面之氧化還原反應，而發生從種層Sd經由液體Q而流入接點50的分流電流Ishunt(通過接觸部位之電流Icw的分流)。分流電流Ishunt在種層Sd表面藉由Cu成為Cu²⁺並溶出液體Q中，液體Q中之Cu²⁺在接點50表面成為Cu而流動。因此，當產生分流電流時，種層Sd之Cu溶解導致種層Sd變薄，種層Sd之電阻增加，而可能發生饋電不均。該分流電流是因為覆蓋接點50與種層Sd之接觸部位的液體之導電率高。

圖5係顯示鍍覆裝置之控制方法的流程之流程圖。圖6、圖7係說明鍍覆裝置之控制方法的流程之說明圖。參照此等圖來說明本實施形態之鍍覆裝置的控制方法。

步驟S11中，係在預濕模組200中對被鍍覆面設有種層Sd之基板Wf 實施預濕處理。預濕處理中，係以純水或脫氣水等之處理液Lp1濕潤鍍覆處理前的基板之被鍍覆面的方式，而將形成於基板表面之抗蝕圖案Rp內部的空氣替換成處理液Lp1。預濕處理後之基板Wf以處理液Lp1濕潤，基板Wf表面之抗蝕圖案Rp的開口內以處理液Lp1填滿(圖6)。

步驟S12中，係在預浸模組300中對基板Wf實施預浸處理。另外，有時亦省略預浸處理。預浸處理中，例如係以硫酸或鹽酸等處理液Lp2蝕刻除去存在於形成在鍍覆處理前之基板Wf的被鍍覆面之種層Sd表面等的電阻大之氧化膜，來清洗或活化基底表面。另外，預浸處理後，亦可以純水或脫氣水等之處理液Lp3清洗基板Wf。預濕處理後之基板Wf以處理液Lp2(或Lp3)濕潤，基板Wf表面之抗蝕圖案Rp的開口內填滿處理液Lp2(或Lp3)(圖6)。以下之說明中，將處理液Lp1、Lp2、Lp3統稱為處理液Lp。

步驟S13中，係將搬送至鍍覆模組400之基板Wf安裝於亦稱為鍍覆頭的基板固持器30。此時，如圖6所示，基板Wf經處理液Lp(Lp1、Lp2、或Lp3)濕潤。基板固持器30之接點50的接觸部51被後述之步驟S15及/或S17之清洗處理時供給的液體60之被覆液覆蓋。另外，接點50之接觸部51者是指接點50接觸於基板Wf之種層Sd的部分(本例係接點50之前端部)。

步驟S14中，係使保持於基板固持器30之基板Wf浸漬於鍍覆槽10內之鍍覆液Ps中，對基板Wf實施鍍覆處理。另外，圖6之步驟S14中，係省略基板Wf之抗蝕圖案Rp。此時，因為基板固持器30之接點50與基板Wf的接觸部位以導電率經管理後之導電率低的足夠液量之液體60所被覆，所以抑制或防止藉由局部電池效應及/或分流電流而溶解種層Sd。此外，抑制或防止在乾燥半途之基板Wf的接點區域之種層Sd表面被氧化。

步驟S15中，係在鍍覆處理後，使基板固持器30上升至鍍覆槽10之鍍覆液Ps的液面上方，並藉由從清洗液噴嘴61所供給之清洗液，而以清洗液清洗基板Wf之被鍍覆面(圖7)。此時，亦可使基板固持器30及/或清洗液噴嘴61旋轉，來使清洗液均勻地施加於基板Wf。藉由該清洗處理，可回收附著於基板Wf之清洗液而適當再利用，及/或藉由濕潤基板Wf之被鍍覆面可防止被鍍覆面乾燥。清洗液例如可為純水、脫氣水、其他液體(使用於預濕、預浸、清洗等之處理的液體)。清洗所使用之清洗液回收至配置於基板Wf下方的接液盤62，並經由排液配管63而排出。亦可在接液盤62及/或排液配管63中設置導電率導電率計64，來測量所回收之清洗液(純水)的導電率。此外，亦可將回收之清洗液調整濃度後，或不調整濃度而送回鍍覆槽10再利用。清洗液噴嘴61及接液盤62例如可為當基板固持器30上升時，可移動至基板固持器30之下方，及清洗處理後從基板固持器30下方退開的構成。

步驟S16中，係從基板固持器30拆卸基板Wf。拆卸之基板Wf依序搬送至清洗模組500、自旋沖洗乾燥機600實施清洗處理及乾燥處理後，搬送至裝載埠100之匣盒(步驟S20)。

步驟S17中，係藉由從清洗噴嘴71供給之指定量的清洗液60清洗拆卸基板Wf後之基板固持器30的接點50及密封構件55。此時，係使基板固持器30至少旋轉1週，來對接點50均勻地供給純水。另外，只要對接點50至少供給1次純水時，亦可使清洗噴嘴71旋轉，亦可使基板固持器30及清洗噴嘴71兩者旋轉。本實施形態中，係可以事先濕潤基板Wf側與基板固持器30側兩者的方式，保證以足夠量之水被覆接點50與基板種層Sd的接點部分。清洗液60例如可為純水、脫氣水、其他液體(使用於預濕、預浸、清洗等之處理的液體)。於清洗經使用之清洗液60回收至配置於基板Wf下方的接液盤72，並經由排液配管73排出。事先在接液盤72及/或排液配管73中設有導電率計74，並藉由導電率計74測量所回收之清洗液(純水)的導電率(步驟S18)。導電率計74所測量之導電率提供至控制模組800。步驟S19中，係判斷所測量之清洗液的導電率是否未達臨限值。清洗液之導電率高於臨限值情況下，返回步驟S17繼續進行清洗處理。另外，清洗液之導電率未達臨限值情況下，返回步驟S13，等待將下一個基板Wf搬入鍍覆模組400，並將下一個基板Wf安裝於基板固持器30。

重複以上之處理，依序對複數片基板Wf實施鍍覆處理。另外，鍍覆處理最初之基板Wf時，或是之前鍍覆處理之基板Wf從鍍覆模組400取出的時刻經過一定時間情況下，有可能基板固持器30之接點50的接觸部51乾燥或是在乾燥半途。此外，清洗完成後經過一段時間時，可能大氣中的二氧化碳逐漸溶解於基板固持器上的清洗液中導致導電率增大，而超過臨限值。此種情況下，係在鍍覆處理基板Wf之前，實施步驟S17-S19的處理，並以液體60覆蓋基板固持器30之接點50的接觸部51，然後，以步驟S13來將濕潤之基板Wf安裝於基板固持器30。

其次，說明在步驟S19所使用之導電率的臨限值之決定方法。首先，為了防止基板Wf之種層Sd表面腐蝕，需要將基板Wf與接點50之接觸部位遠離氣液界面，但所需之距離及液量係從實驗的測量結果算出。圖8係顯示接點清洗時使用之清洗液的液量與種層之外觀變化的關係之測量例。圖9係說明覆蓋接點之清洗液的高度及直徑的說明圖。本實驗之清洗液係使用導電率為1μS/cm之純水。

圖8之表中，最上一行顯示對4支接點手指滴下之純水的液量，第二行顯示覆蓋接點之液低的高度H，第三行顯示每1片基板Wf換算之純水的液量，第四行顯示種層Sd之外觀的變化。

如圖9所示，使與鍍覆之基板Wf同樣附銅種層Sd的基板Wf接觸接點50，對4支接點手指(1個接點所含的手指)滴下圖8所示之液量的液滴(導電率為1μS/cm之液體60(純水))，並將接點50與基板Wf間以電源連接。而後，從電源以鍍覆時間量施加與鍍覆時相同的電流值(換算成每4支手指)，確認種層Sd外觀的腐蝕。

鍍覆裝置1000中係配置有多數個接點50來覆蓋基板外周，當將液體60之液量換算成每1片基板(晶圓)時，如圖8中第三行所示。此外，從接點50與基板Wf之接觸部位至氣液界面(液體60與空氣之界面)為止的最短距離H，係藉由測量圖9之液體60的液滴之剖面長度而算出。通常液滴會在水平方向濕潤擴大，並藉由重力而在垂直方向壓碎，因此成為垂直方向之長度H<水平方向的長度(液滴之直徑)R。此外，由於當液量增加時，液滴會更被壓碎，因此液量與長度H並非線形正比之關係。

從圖8所示之測量結果，基板Wf之種層Sd不發生腐蝕，從接點50與種層Sd之接觸部位至氣液界面為止的距離H至少需要1.2mm。就液量，每1片晶圓將13mL之純水均勻地塗布於接點上的方式，確認不會因鍍覆處理而對種層Sd造成損傷。本實施形態之基板固持器30的構造上，最大之液體附載量(純水不致從密封構件55之唇部55A滴落的最大量)係26mL。

其次，在基板固持器30中保持基板Wf而實施鍍覆處理，求出覆蓋接點50之液體60的導電率之臨限值。具體而言，係清洗基板固持器30之接點50，將預先混入鍍覆液來調整導電率之純水，以整個基板Wf相當於13mL的液量塗布於接點50上後，設置基板Wf而實施鍍覆處理。而後，觀察基板Wf與接點50之接觸部位附近的種層Sd之外觀。此外，測量基板外周部(r>140mm)之膜厚分布，並算出鍍覆膜厚之面內均勻性U%，確認有無因接點50造成饋電不均。

圖10係顯示覆蓋接點之清洗液(純水)的導電率與種層之外觀變化的關係之測量例。圖11係顯示覆蓋接點之清洗液(純水)的導電率與面內均勻性之關係的測量例。圖10中，第一行顯示純水之導電率，第二行顯示種層之外觀，第三行顯示基板外周部(r>140mm)之鍍覆膜厚的面內均勻性。圖11中，橫軸顯示純水之導電率，縱軸顯示基板外周部(r>140mm)之鍍覆膜厚的面內均勻性。

從圖10及圖11，在該實驗中只須將液體60之導電率管理在50μS/cm以下時，就可鍍覆而對種層Sd無損傷。另外，當導電率為80μS/cm以上，而在種層Sd上產生腐蝕時，接點50與種層Sd間之電性導通變差，且鍍覆膜厚之面內均勻性惡化。因此，只須將覆蓋接點50之液體60的導電率之臨限值設定在50μS/cm即可。另外，此等測量結果係根據本實施形態之鍍覆裝置的構成(包含鍍覆液之構成)者，只須依鍍覆裝置之構成求出適切之清洗液的液量(液量的臨限值)、最短距離H、導電率的臨限值即可。在本實施形態使用之構成中，確認係在步驟S17-S19的清洗處理中，藉由清洗以讓清洗液(純水)之導電率未達臨限值50μS/cm，而確保覆蓋接點50之純水的導電率未達50μS/cm，覆蓋接點50之純水為13mL以上，且從接點50與種層Sd之接觸部位至氣液界面為止的距離H為1.2mm以上。

採用上述實施形態時，至少可達到以下之作用效果。

(1)以另外單元對基板進行預濕等之前處理後，搬送至鍍覆槽時，基板外周部之與接點接觸的區域(接點區域)變成濕潤狀態。當欲使接觸區域乾燥再進行鍍覆處理時，基板外周部之圖案亦乾燥而有造成鍍覆不良之虞。亦即，使基板之接點區域乾燥時，到周圍之抗蝕圖案為止的水分被抽走，在鍍覆中會有發生抗蝕圖案內殘留氣泡而未鍍覆的異常之虞。採用上述實施形態時，因為係在以被覆液覆蓋基板與接點之接觸部位的狀態下進行鍍覆處理，所以在鍍覆前不需要使基板之接點區域乾燥，可抑制或防止基板外周部之圖案乾燥導致鍍覆不良。

(2)當在附著於接點表面之污垢、或從基板固持器之零件間隙滲出的鍍覆液附著於基板上與接點之接觸部位附近的狀態下進行鍍覆時，接觸部位附近之種層會溶解，而會產生饋電不均，而有導致鍍覆膜厚之面內均勻性降低之虞。採用上述實施形態時，因為係在以被覆液覆蓋基板與接點之接觸部位的狀態下進行鍍覆處理，所以可抑制污垢附著於接點表面，及/或從基板固持器之零件間隙滲出的鍍覆液附著於基板與接點的接觸部位。

(3)接點清洗後，當在接點尚未完全乾燥之狀態(局部濕潤狀態)下進行鍍覆處理時，有可能對基板上之種層造成損害。採用上述形態時，因為係在以被覆水覆蓋基板與接點之接觸部位的狀態下進行鍍覆處理，因此可抑制或防止在接點尚未完全乾燥之狀態下進行鍍覆處理，抑制或防止對基板上之種層造成損害。

(4)採用上述實施形態時，由於在清洗接點後，無須從接點甩掉水，可直接使用導電率經管理達指定之臨限值以下的清洗液(例如純水)作為下一個基板處理用的被覆水，因此可省略使接點乾燥的手續的同時，可抑制或防止接點及基板在濕潤半途狀態下實施鍍覆處理，而對基板之種層造成損害。

(5)採用上述實施形態時，係在以純水覆蓋基板與接點之接觸部位的狀態下進行鍍覆處理，至鍍覆處理結束為止不使經前處理而濕潤之基板的接點區域乾燥。藉此，可抑制或防止使基板之接點區域乾燥時，到周圍之圖案開口內為止的水分被抽走，鍍覆中發生在圖案開口內殘留氣泡而該部分未鍍覆的異常。此外，可抑制或防止乾燥半途之基板的接點區域之種層表面氧化而發生導通不良。

(6)採用上述實施形態時，由於係在以經導電率管理之比指定的臨限值低之導電率的被覆水覆蓋基板與接點之接觸部位的狀態下鍍覆處理基板，可抑制或防止藉由在接觸部位以外經由液體而流動之分流電流導致接觸部位附近的種層溶解。藉此，可抑制或防止因種層溶解造成饋電不均。

(7)採用上述實施形態時，由於係以指定量之純水被覆基板與接點之接觸部位，並在將基板與接點之接觸部位與氣液界面的距離保持在指定值以上的狀態下進行鍍覆處理，因此可抑制或防止起因於被覆水中之溶解氧濃度所產生的局部電池效應導致接觸部位附近的種層溶解。藉此，可抑制或防止因種層溶解而導致饋電不均。

(8)採用上述實施形態時，由於用於以液體被覆接點、基板接觸部位之基板固持器及其周邊不需要特別的構成，因此完全或幾乎不需要變更基板固持器的構成，可以簡單之構成以液體被覆接點、基板接觸部位。此外，因為各基板之每個鍍覆處理皆清洗基板固持器之接點，所以可始終保持接點潔淨。

〔其他實施形態〕

上述實施形態中，作為在基板上之圖案係舉抗蝕圖案為例，但圖案亦可為用於形成配線之微孔或溝渠的圖案，或是用於形成凸塊、再配線、電極墊之抗蝕層或絕緣膜的圖案，及其他定義鍍覆膜之形狀的任意圖案。

從上述實施形態至少可掌握以下的形態。

〔1〕一個形態提供一種鍍覆方法，係包含：係在基板固持器中保持基板之工序，且在前述基板固持器保持了前述基板之狀態下，形成保護對前述基板饋電之接點不受鍍覆液的密封空間，在前述密封空間內，前述基板與前述接點之接觸部位局部以液體被覆之工序；使保持於前述基板固持器之前述基板浸漬於鍍覆液中，並使其與陽極相對之工序；及在前述基板與前述接點之接觸部位以液體被覆的狀態下，在前述基板與前述陽極之間供給電流，來鍍覆處理前述基板之工序。所謂局部被覆之狀態，是表示並非以液體填滿整個密封空間，而係以被覆液覆蓋基板與接點之接觸部位的狀態。換言之，在密封空間內存在氣體(空氣)，並在覆蓋基板與接點之接觸部位的被覆液與空氣之間存在氣液界面。液體可為純水、脫氣水、其他液體(使用於預濕、預浸、清洗等處理的液體)。

採用上述形態時，因為係在以被覆液覆蓋基板與接點之接觸部位的狀態下進行鍍覆處理，所以不需要在鍍覆前使基板之接點區域乾燥，可抑制或防止基板外周部之圖案乾燥而導致鍍覆不良。

採用上述形態時，因為係在以被覆液覆蓋基板與接點之接觸部位的狀態下進行鍍覆處理，所以可抑制污垢附著於接點表面，及/或從基板固持器之零件間隙滲出的鍍覆液附著基板與接點之接觸部位。

採用上述形態時，因為係在以被覆液覆蓋基板與接點之接觸部位的狀態下進行鍍覆處理，所以可抑制在接點未完全乾燥之狀態下進行鍍覆處理，可抑制或防止對基板上之種層造成損害。

採用上述形態時，可以不需要變更或是不需要大幅變更基板固持器之構成，而以簡單的構成抑制基板之種層的劣化。

〔2〕一種實施形態係在以導電率經管理未達指定之臨限值的液體，覆蓋前述基板與前述接點之接觸部位的狀態下，鍍覆處理前述基板。

採用該形態時，由於係在以經導電率管理之導電率低的被覆液覆蓋基板與接點之接觸部位的狀態下鍍覆處理基板，因此可抑制或防止在接觸部位以外經由被覆液而流動之分流電流使接觸部位附近的種層溶解。藉此，可抑制或防止因種層溶解而造成饋電不均。

〔3〕一種實施形態係在前述基板固持器中保持前述基板的工序之前，包含以液體清洗前述基板固持器之前述接點之工序，且係清洗前述接點至使用於清洗後之液體的導電率未達指定的臨限值，並以前述導電率經管理未達前述臨限值的液體覆蓋前述接點之工序。

採用該形態時，由於在清洗接點後，無須從接點甩掉液體，可造樣使用導電率經管理達指定之臨限值以下的清洗液(純水、脫氣水、其他液體)作為下一個基板處理用之接點、基板接觸部位的被覆液，因此可省略使接點乾燥的手續，並且可抑制或防止接點及基板在濕潤半途狀態下實施鍍覆處理，而對基板之種層造成損害。此外，由於不需要為了以液體被覆接點、基板接觸部位之基板固持器及其周邊的特別構成，因此完全或幾乎不需要變更基板固持器之構成，可以簡單之構成以液體被覆接點、基板接觸部位。此外，因為各基板每個鍍覆處理皆清洗基板固持器之接點，所以可始終保持接點潔淨。

〔4〕一種實施形態係以液體清洗前述接點，讓指定量以上之液體殘留在前述接點周圍。

採用該形態時，因為在接點(特別是接點之接觸部)周圍殘留指定量以上的液體作為被覆液使用，所以可在將接點與基板(種層)之接觸部位與氣液界面之間離開指定距離(臨限值)以上的狀態下進行鍍覆處理。

〔5〕一種實施形態在清洗前述接點後，到在基板固持器中保持基板為止經過指定時間情況下，係再度清洗前述接點，並以前述導電率經管理未達臨限值之液體重新覆蓋前述接點。

採用該形態時，可抑制或防止清洗接點後隨著時間經過，大氣中之二氧化碳逐漸溶解於基板固持器上的液體，導致導電率超過臨限值。

〔6〕一種實施形態，係以前述液體覆蓋前述基板與前述接點之接觸部位，讓前述液體與前述密封空間內的空氣之間的氣液界面，與前述基板與前述接點之接觸部位的距離為指定距離值以上。

採用該形態時，由於係在將基板與接點之接觸部位與氣液界面的距離保持在指定值以上的狀態進行鍍覆處理，因此可抑制使在接觸部位附近被覆液中之溶解氧濃度降低，可抑制或防止因溶解氧之局部電池效應導致接觸部位附近的種層溶解。藉此，可抑制或防止因種層溶解造成饋電不均。

〔7〕一種實施形態在保持於前述基板固持器之前的前述基板係為濕潤。

採用該形態時，可抑制或防止因基板上之抗蝕圖案乾燥，在鍍覆中抗蝕圖案內殘留氣泡而發生未鍍覆的異常。

〔8〕一種實施形態係在前述基板固持器中保持前述基板的工序之前，包含將前述基板連同前述基板固持器之前述接點預先形成濕潤狀態之工序。

在該實施形態中，係藉由在基板固持器中保持基板的工序之前，以事先將基板與基板固持器兩者濕潤的方式，可保證以足夠量之液體被覆接點與基板種層的接點部分。

〔9〕一種實施形態係在前述基板固持器中保持前述基板的工序之前，進一步包含以液體濕潤前述基板的方式，來實施將形成於前述基板表面之圖案內部的空氣替換成液體的預濕處理之工序。

採用該形態時，藉由預濕處理，可使從基板之抗蝕圖案除去氣泡之後的基板保持於基板固持器。此外，可將保持於基板固持器之前的基板形成濕潤狀態。

〔10〕一種實施形態進一步包含：以液體清洗鍍覆處理後之前述基板之工序；及將清洗後濕潤狀態之前述基板搬送至下一個工序之工序。

採用該形態時，藉由以純水、脫氣水等之液體清洗鍍覆處理後的基板，可回收附著於基板之鍍覆液。此外，因為可將基板在濕潤狀態下搬送至下一個工序，所以可抑制或防止基板上附著微粒子。

〔11〕一種實施形態係包含：將濕潤狀態之基板搬入鍍覆模組之工序；使濕潤狀態之前述基板浸漬於鍍覆槽內的鍍覆液進行鍍覆處理之工序；將鍍覆處理後之前述基板從前述鍍覆槽撈起進行清洗之工序；及從前述鍍覆模組將清洗後濕潤狀態之前述基板搬出之工序。

採用該形態時，由於從搬入鍍覆模組的時刻至搬出的時刻為止將基板保持在濕潤狀態，因此可抑制或防止基板上之圖案乾燥而圖案開口內之液體被抽出，在鍍覆中氣泡殘留於圖案開口內，而該部分發生未鍍覆的異常。此外，可抑制或防止乾燥半途之基板的接點區域之種層表面氧化而發生導通不良。此外，由於將基板保持在濕潤狀態，因此可抑制或防止基板上附著微粒子。

〔12〕一種實施形態提供一種鍍覆裝置，係具備：基板固持器，其係用於保持基板之基板固持器，且具有：接點，其係對前述基板饋電；及密封構件，其係密封前述基板與前述基板固持器之間，並在前述基板固持器內形成保護前述接點不受鍍覆液之密封空間；鍍覆槽，其係鍍覆處理保持於前述基板固持器之前述基板；清洗噴嘴，其係以液體清洗前述基板固持器之前述接點；及控制模組；前述控制模組使前述基板接觸於藉由前述清洗噴嘴清洗而濕潤狀態的前述接點，在前述基板固持器中保持前述基板，在前述基板固持器之前述密封空間內，並在前述基板與前述接點之接觸部位以前述液體局部濕潤的狀態鍍覆處理前述基板。

〔13〕一種實施形態提供一種鍍覆裝置，係具備：前處理模組，其係以處理液處理鍍覆前之基板；鍍覆模組，其係具有：鍍覆槽，其係鍍覆處理基板；及清洗噴嘴，其係清洗鍍覆處理後之前述基板；搬送模組，其係搬送前述基板；及控制模組；前述控制模組係控制前述搬送模組，將以前述前處理模組而濕潤狀態的前述基板搬入前述鍍覆模組，並將藉由前述清洗噴嘴之清洗而濕潤狀態的鍍覆處理後之前述基板搬出。

以上，係說明本發明之實施形態，不過上述發明之實施形態係為了容易理解本發明者，而並非限定本發明者。本發明在不脫離其旨趣範圍內可變更、改良，並且本發明中當然包含其等效物。此外，在可解決上述問題之至少一部分的範圍、或是達到效果之至少一部分的範圍內，實施形態及修改例可任意組合，且申請專利範圍及說明書所記載之各構成元件可任意組合或省略。

包含日本特開2004-225089號公報(專利文獻1)、日本特開2003-27288號公報(專利文獻2)之說明書、申請專利範圍、圖式及摘要的全部揭示內容，以參照之方式全部納入本申請案。

30:基板固持器 50:接點 51:接觸部 55:密封構件 60:液體 Lp,Lp1,Lp2,Lp3:處理液 Ps:鍍覆液 Rp:抗蝕圖案 Sd:種層 Wf:基板

Claims

一種鍍覆方法，係包含：係在基板固持器中保持基板之工序，且在前述基板固持器保持了前述基板之狀態下，形成保護對前述基板饋電之接點不受鍍覆液的密封空間，使前述基板接觸於藉由被清洗的方式以導電率經管理未達指定之臨限值的液體所覆蓋之接點，而在前述密封空間內，將前述基板與前述接點之接觸部位局部以前述液體被覆之工序；使保持於前述基板固持器之前述基板浸漬於鍍覆液中，並使其與陽極相對之工序；及將前述基板與前述接點之接觸部位經以前述液體被覆的狀態下，在前述基板與前述陽極之間供給電流，來鍍覆處理前述基板之工序。
如請求項1之鍍覆方法，其中在前述基板固持器中保持前述基板的工序之前，包含以液體清洗前述基板固持器之前述接點之工序，且係清洗前述接點至使用於清洗後之液體的導電率未達指定的臨限值，並以前述導電率經管理未達前述臨限值的液體覆蓋前述接點之工序。
如請求項2之鍍覆方法，其中在以液體清洗前述接點之工序中，係以從清洗噴嘴將液體供給至配置於前述基板固持器的凹部內的前述接點而清洗的方式，讓指定量以上之液體殘留在前述接點周圍。
如請求項3之鍍覆方法，其中在清洗前述接點後，到在基板固持器中保持基板為止經過指定時間情況下，係再度清洗前述接點，並以前述導電率經管理未達臨限值之液體重新覆蓋前述接點。
如請求項1至4中任一項之鍍覆方法，其中係以前述液體覆蓋前述基板與前述接點之接觸部位，讓前述液體與前述密封空間內的空氣之間的氣液界面，與前述基板與前述接點之接觸部位的距離為指定距離值以上。
如請求項1至4中任一項之鍍覆方法，其中在保持於前述基板固持器之前的前述基板係為濕潤。
如請求項6之鍍覆方法，其中係在前述基板固持器中保持前述基板的工序之前，包含將前述基板連同前述基板固持器之前述接點預先形成濕潤狀態之工序。
如請求項6之鍍覆方法，其中係在前述基板固持器中保持前述基板的工序之前，進一步包含以液體濕潤前述基板的方式，來實施將形成於前述基板表面之圖案內部的空氣替換成液體的預濕處理之工序。
如請求項1至4中任一項之鍍覆方法，其中進一步包含：以液體清洗鍍覆處理後之前述基板之工序；及將清洗後濕潤狀態之前述基板搬送至下一個工序之工序。
一種鍍覆方法，係包含：將全面濕潤狀態之基板搬入鍍覆模組之工序，前述鍍覆模組具有：鍍覆槽，其係鍍覆處理基板；及清洗噴嘴，其係清洗鍍覆處理後之前述基板；使全面濕潤狀態之前述基板浸漬於鍍覆槽內的鍍覆液進行鍍覆處理之工序；將鍍覆處理後之前述基板從前述鍍覆槽撈起，藉由前述清洗噴嘴進行清洗之工序；及從前述鍍覆模組將清洗後濕潤狀態之前述基板搬出之工序。
一種鍍覆裝置，係具備：基板固持器，其係用於保持基板之基板固持器，且具有：接點，其係對前述基板饋電；及密封構件，其係密封前述基板與前述基板固持器之間，並在前述基板固持器內形成保護前述接點不受鍍覆液之密封空間；鍍覆槽，其係鍍覆處理保持於前述基板固持器之前述基板；清洗噴嘴，其係以液體清洗前述基板固持器之前述接點；及控制模組；前述控制模組使前述基板接觸於藉由前述清洗噴嘴清洗的方式以導電率經管理未達指定之臨限值的液體所覆蓋的狀態的前述接點，在前述基板固持器中保持前述基板，在前述基板固持器之前述密封空間內前述基板與前述接點之接觸部位局部以前述液體覆蓋的狀態鍍覆處理前述基板。
一種鍍覆裝置，係具備：前處理模組，其係以處理液處理鍍覆前之基板，且實施預濕處理及/或預浸處理的前處理模組；鍍覆模組，其係具有：鍍覆槽，其係鍍覆處理基板；及清洗噴嘴，其係清洗鍍覆處理後之前述基板；搬送模組，其係搬送前述基板；及控制模組；前述控制模組係控制前述搬送模組，將以前述前處理模組而濕潤狀態的前述基板搬入前述鍍覆模組，並將藉由前述清洗噴嘴之清洗而濕潤狀態的鍍覆處理後之前述基板搬出。