TWI809937B - 漏液判定方法及鍍覆裝置 - Google Patents

Abstract

提供判定對接觸構件的配置區域有無鍍覆液的漏液的技術。

漏液判定方法係包含：吐出步驟S120，其係在將被保持在基板 保持具的基板浸漬在鍍覆液進行鍍覆處理之後，對基板保持具的接觸構件吐出洗淨液；計測步驟S122，其係計測洗淨接觸構件之後的洗淨液的導電率；及判定步驟S128，其係根據對成為基準的基板保持具所預先計測的洗淨液的第一導電率、與藉由計測步驟S122被計測到的洗淨液的第二導電率的比較，判定對接觸構件的配置區域有無鍍覆液的漏液。

Description

漏液判定方法及鍍覆裝置

本案係關於漏液判定方法及鍍覆裝置。

已知杯式的電解鍍覆裝置，作為鍍覆裝置之一例。杯式的電解鍍覆裝置係使將被鍍覆面朝向下方而被保持在基板保持具的基板(例如半導體晶圓)浸漬在鍍覆液，對基板與陽極之間施加電壓，藉此使基板的表面析出導電膜。

基板保持具一般具有用以對基板供給電氣的接觸構件。此外，基板保持具係具有用以防止在使基板浸漬在鍍覆液時鍍覆液浸入至接觸構件的配置區域的密封構件。但是，有鍍覆液由密封構件與基板之間的間隙浸入而附著在接觸構件的情形。此點，在專利文獻1係揭示在鍍覆處理後洗淨接觸構件、及根據洗淨接觸構件之後的洗淨液的導電率來進行結束洗淨處理的判斷。

〔先前技術文獻〕

〔專利文獻〕

〔專利文獻1〕日本專利第7047200號公報

若鍍覆液漏液至接觸構件的配置區域，因接觸構件腐蝕、或接觸構件中的藥液成分析出或固著，有發生電阻不均、且鍍覆處理的均一性惡化之虞。因此，圖求按每個基板保持具來判定是否鍍覆液漏液至接觸構件的配置區域的技術。

因此，本案之目的之一在提供判定對接觸構件的配置區域有無鍍覆液的漏液的技術。

藉由一實施形態，揭示一種漏液判定方法，其係包含：吐出步驟，其係在將被保持在基板保持具的基板浸漬在鍍覆液進行鍍覆處理之後，對前述基板保持具的接觸構件吐出洗淨液；計測步驟，其係計測洗淨前述接觸構件之後的洗淨液的導電率；及判定步驟，其係根據對成為基準的基板保持具所預先計測的洗淨液的第一導電率、與藉由前述計測步驟被計測到的洗淨液的第二導電率的比較，判定對前述接觸構件的配置區域有無鍍覆液的漏液。

100:載入埠

S102、S104、S106、S108、S110、 S112、S114、S116、S118、S120、 S122、S124、S126、S128、S130、 S132:步驟

202、204、206、208、210、212、 214、216、218、220、222、224、 226、228、230、232:步驟

110:搬送機器人

120:對準器

300:預浸模組

400:鍍覆模組

405:溢流槽

410:鍍覆槽

420:隔膜

422:陰極區域

424:陽極區域

430:陽極

440:基板保持具

442:升降機構

446:旋轉機構

447:傾斜機構

450:阻力體

460:蓋件構件

461:側壁

461a:開口

462:底壁

464:排氣口

470:洗淨裝置

471:配管

472:基板洗淨構件

472a:基板洗淨噴嘴

474:臂

476:驅動機構

478:托架構件

480:判定構件

481:配管

482:接觸洗淨構件

482a:接觸洗淨噴嘴

484:固定托架構件

484a:底壁

484b:開口

486:電導度計

486a:感測器部

487:連結構件

487a:第一流路

487b:第二流路

487c:第三流路

488:排液管

489:噴嘴洗淨用蓋件

489a:底板托架

489a-1:傾斜面

489b:上板

489b-1:接受面

489c:側板

491:旋轉軸

492:背板組件

492-1:背板

492-2:浮板

492-3:按壓機構

492-4:浮置機構

494:支持機構

494-1:支持構件

494-1a:凸緣

494-2:密封構件

494-3:台座

494-4:接觸構件

494-4a:基板接點

494-4b:本體部

494-5:導電構件

496:柱構件

600:旋乾機

700:搬送裝置

800:控制模組

1000:鍍覆裝置

Wf:基板

Wf-a:被鍍覆面

圖1係示出本實施形態之鍍覆裝置的全體構成的斜視圖。

圖2係示出本實施形態之鍍覆裝置的全體構成的平面圖。

圖3係概略示出本實施形態之鍍覆模組的構成的縱剖面圖。

圖4係概略示出本實施形態之鍍覆模組的構成的斜視圖。

圖5係概略示出本實施形態之鍍覆模組的構成的平面圖。

圖6係概略示出固定托架構件及電導度計的構成的斜視圖。

圖7係概略示出固定托架構件及電導度計的構成的縱剖面圖。

圖8係概略示出本實施形態之鍍覆模組的構成的縱剖面圖。

圖9係將本實施形態之鍍覆模組的構成的部分放大而概略示出的縱剖面圖。

圖10係模式示出藉由本實施形態之鍍覆模組所為之接觸構件的洗淨的圖。

圖11係概略示出噴嘴洗淨用蓋件的構成的斜視圖。

圖12係概略示出噴嘴洗淨用蓋件的構成的側面圖。

圖13係示出藉由本實施形態之鍍覆模組所為之處理的流程圖。

圖14係模式示出圖13的流程圖中的洗淨液的導電率的推移的圖。

圖15係示出藉由本實施形態之鍍覆模組所為之處理的流程圖。

圖16係模式示出圖15的流程圖中的洗淨液的導電率的推移的圖。

圖17係模式示出鍍覆液的漏液判定的變形例的圖。

以下參照圖面，說明本發明之實施形態。在以下說明的圖面中，對相同或相當的構成要素係標註相同符號且省略重複說明。

<鍍覆裝置的全體構成>

對圖1係示出本實施形態之鍍覆裝置的全體構成的斜視圖。圖2係示出本實施形態之鍍覆裝置的全體構成的平面圖。如圖1、2所示，鍍覆裝置1000係具備：載入埠100、搬送機器人110、對準器120、預浸模組300、鍍覆模組400、旋乾機600、搬送裝置700及控制模組800。

載入埠100係用以將被收納在未圖示的FOUP等匣盒的基板搬入至鍍覆裝置1000、或將基板由鍍覆裝置1000搬出至匣盒的模組。在本實施形態中 係以水平方向排列配置四台載入埠100，惟載入埠100的數量及配置為任意。搬送機器人110係用以搬送基板的機器人，構成為在載入埠100、對準器120及搬送裝置700之間收授基板。搬送機器人110及搬送裝置700係當在搬送機器人110與搬送裝置700之間收授基板時，可透過未圖示的暫置台來進行基板的收授。

對準器120係用以將基板的定向平面或凹口等的位置對合在預定的方向的模組。在本實施形態中係以水平方向排列配置二台對準器120，惟對準器120的數量及配置為任意。

預浸模組300係構成為施行例如將形成在鍍覆處理前的基板的被鍍覆面的種層表面等所存在的電阻大的氧化膜，以硫酸或鹽酸等處理液蝕刻去除而將鍍覆基底表面進行洗淨或活性化的預浸處理。在本實施形態中係以上下方向排列配置二台預浸模組300，惟預浸模組300的數量及配置為任意。鍍覆模組400係對基板施行鍍覆處理。在本實施形態中係有二個以上下方向排列配置三台且以水平方向排列配置四台的十二台鍍覆模組400的集合，設有合計二十四台鍍覆模組400，惟鍍覆模組400的數量及配置為任意。

旋乾機600係用以使洗淨處理後的基板高速旋轉而乾燥的模組。在本實施形態中係以上下方向排列配置二台旋乾機600，惟旋乾機600的數量及配置為任意。搬送裝置700係用以在鍍覆裝置1000內的複數模組間搬送基板的裝置。控制模組800係構成為控制鍍覆裝置1000的複數模組，可由例如具備與操作員之間的輸出入介面的一般電腦或專用電腦所構成。

以下說明藉由鍍覆裝置1000所為之一連串鍍覆處理之一例。首先，被收納在匣盒的基板被搬入至載入埠100。接著，搬送機器人110係由載入埠100的匣盒取出基板，且將基板搬送至對準器120。對準器120係將基板的定向平 面或凹口等的位置對合在預定的方向。搬送機器人110係將以對準器120將方向對合後的基板，對搬送裝置700進行收授。

搬送裝置700係將由搬送機器人110所收取到的基板搬送至鍍覆模組400。鍍覆模組400係對基板施行預濕處理。搬送裝置700係將已施行預濕處理的基板搬送至預浸模組300。預浸模組300係對基板施行預浸處理。搬送裝置700係將已施行預浸處理的基板搬送至鍍覆模組400。鍍覆模組400係對基板施行鍍覆處理。此外，鍍覆模組400係將已施行鍍覆處理的基板施行洗淨處理。

搬送裝置700係將已施行洗淨處理的基板搬送至旋乾機600。旋乾機600係對基板施行乾燥處理。搬送機器人110係由旋乾機600收取基板，且將已施行乾燥處理的基板搬送至載入埠100的匣盒。最後由載入埠100搬出收容有基板的匣盒。

<鍍覆模組的構成>

接著，說明鍍覆模組400的構成。本實施形態中的二十四台鍍覆模組400係相同構成，因此僅說明一個鍍覆模組400。圖3係概略示出本實施形態之鍍覆模組400的構成的縱剖面圖。如圖3所示，鍍覆模組400係具備用以收容鍍覆液的鍍覆槽410。鍍覆槽410係具有圓筒狀的側壁及圓形的底壁的容器，在上部形成有圓形的開口。此外，鍍覆模組400係具備配置在鍍覆槽410的上部開口的外側的溢流槽405。溢流槽405係用以接收由鍍覆槽410的上部開口溢出的鍍覆液的容器。

鍍覆模組400係具備：將鍍覆槽410的內部以上下方向分隔的隔膜420。鍍覆槽410的內部係藉由隔膜420而被區隔為陰極區域422與陽極區域424。在陰極區域422與陽極區域424係分別填充鍍覆液。在陽極區域424的鍍覆槽410 的底面係設置陽極430。在陰極區域422係與隔膜420相對向配置阻力體450。阻力體450係用以達成基板Wf的被鍍覆面Wf-a中的鍍覆處理均一化的構件，藉由形成有多數孔的板狀構件所構成。

此外，鍍覆模組400係具備：用以在將被鍍覆面Wf-a朝向下方的狀態下保持基板Wf的基板保持具440。鍍覆模組400係具備：用以使基板保持具440作升降的升降機構442。升降機構442係可藉由例如馬達等周知機構來實現。此外，鍍覆模組400係具備：用以以基板Wf繞著將被鍍覆面Wf-a的中央垂直伸長的假想旋轉軸作旋轉的方式使基板保持具440作旋轉的旋轉機構446。旋轉機構446係可藉由例如馬達等周知機構來實現。

鍍覆模組400係構成為使用升降機構442，將基板Wf浸漬在陰極區域422的鍍覆液，一邊使用旋轉機構446使基板Wf作旋轉，一邊在陽極430與基板Wf之間施加電壓，藉此對基板Wf的被鍍覆面Wf-a施行鍍覆處理。

此外，鍍覆模組400係具備：構成為使基板保持具440呈傾斜的傾斜機構447。傾斜機構447係可藉由例如傾斜機構等周知機構來實現。

鍍覆模組400係具備：配置在鍍覆槽410的上方的蓋件構件460；及用以進行被保持在基板保持具440的基板Wf的洗淨處理的洗淨裝置470。以下說明蓋件構件460及洗淨裝置470。

<蓋件構件>

圖4係概略示出本實施形態之鍍覆模組的構成的斜視圖。如圖4所示，蓋件構件460係具有被配置在鍍覆槽410的上方的圓筒狀的側壁461。側壁461係配置成包圍基板保持具440的升降路徑。此外，蓋件構件460係具有與側壁461 的下端相連接的底壁462。底壁462係覆蓋比鍍覆槽410的上部開口的側壁461更為外側的板狀構件。

如圖4所示，在底壁462係形成排氣口464。雖省略圖示，排氣口464係與鍍覆模組400的外部相連通。因此，鍍覆槽410內的鍍覆液霧化而生成的氣體環境(鍍覆液氣體環境)係透過排氣口464而被排出至鍍覆模組400的外部。

如圖4所示，在蓋件構件460的側壁461係形成有開口461a。該開口461a係成為用以使洗淨裝置470在側壁461的外部與內部之間移動的通路。

<洗淨裝置>

接著，說明洗淨裝置470。圖5係概略示出本實施形態之鍍覆模組的構成的平面圖。其中，在圖5中，為方便說明，省略以下說明的噴嘴洗淨用蓋件的圖示。圖5係以實線表示基板洗淨構件472及接觸洗淨構件482被配置在退避位置的狀態，以虛線表示基板洗淨構件472及接觸洗淨構件482被配置在洗淨位置的狀態。

如圖3至圖5所示，洗淨裝置470係具備：用以洗淨被保持在基板保持具440的基板Wf的被鍍覆面Wf-a的基板洗淨構件472。基板洗淨構件472係具備：複數(本實施形態中為四個)基板洗淨噴嘴472a。複數基板洗淨噴嘴472a係在基板洗淨構件472被配置在洗淨位置時，沿著基板Wf的半徑方向或與基板Wf的旋轉方向成交叉的方向作配置。在基板洗淨構件472連接有配管471。由未圖示的液源被供給的洗淨液(例如純水)係透過配管471而被送至基板洗淨構件472，且由複數基板洗淨噴嘴472a的各個吐出。

此外，洗淨裝置470係具備：用以洗淨用以供電至被保持在基板保持具440的基板Wf的接觸構件的接觸洗淨構件482。接觸洗淨構件482係具備：用 以吐出洗淨液的接觸洗淨噴嘴482a。在接觸洗淨構件482係連接有配管481。由未圖示的液源被供給的洗淨液(例如純水)係透過配管481而被送至接觸洗淨構件482，且由接觸洗淨噴嘴482a吐出。容後詳述使用接觸洗淨構件482的接觸構件的洗淨。

洗淨裝置470係具備：構成為使臂474回旋的驅動機構476。驅動機構476係可藉由例如馬達等周知機構來實現。臂474係由驅動機構476朝水平方向伸長的板狀的構件。基板洗淨構件472及接觸洗淨構件482係被保持在臂474上。驅動機構476係構成為藉由使臂474回旋，使基板洗淨構件472及接觸洗淨構件482，在鍍覆槽410與基板保持具440之間的洗淨位置及由鍍覆槽410與基板保持具440之間退避的退避位置之間移動。

如圖4及圖5所示，洗淨裝置470係具備：配置在基板洗淨構件472的下方的托架構件478。托架構件478係構成為接收由基板洗淨構件472吐出而衝撞到基板Wf的被鍍覆面Wf-a之後落下的洗淨液的容器。此外，托架構件478係構成為接收由接觸洗淨構件482吐出而衝撞到接觸構件之後落下的洗淨液。在本實施形態中，基板洗淨構件472、接觸洗淨構件482及臂474的全體被收容在托架構件478。驅動機構476係構成為使基板洗淨構件472、接觸洗淨構件482、臂474及托架構件478一起在洗淨位置與退避位置之間回旋。但是，驅動機構476亦可個別驅動基板洗淨構件472、接觸洗淨構件482及臂474、與托架構件478。

如圖4所示，在托架構件478的下方係配置有固定托架構件484。固定托架構件484係構成為由托架構件478接收落下至托架構件478的洗淨液。固定托架構件484係配置在退避位置。圖6係概略示出固定托架構件及電導度計的構成的斜視圖。圖7係概略示出固定托架構件及電導度計的構成的縱剖面圖。如圖 6及圖7所示，固定托架構件484係上表面形成開口的箱狀的構件。在固定托架構件484的底壁484a係形成有用以流通洗淨液的開口484b。底壁484a係以朝向開口484b下降的方式呈傾斜，俾使開口484b配置在最低的位置。

在固定托架構件484的下方係配置將固定托架構件484與排液管488連結的連結構件487。連結構件487係包含：由開口484b朝下方向伸長的第一流路487a、由排液管488朝上方向伸長的第二流路487b、及將第一流路487a的底部第二流路487b的頂部相連通的第三流路487c。第一流路487a的底部係位於比第二流路487b的頂部更低的位置，因此第三流路487c係由第一流路487a的底部朝向第二流路487b的頂部朝斜上方向伸長。亦即，連結構件487係具備有S字形狀的流路。落下至固定托架構件484的洗淨液係透過連結構件487及排液管488而被排出。

洗淨裝置470係具備：用以測定落下至托架構件478的洗淨液的導電率的電導度計486。具體而言，電導度計486的感測器部486a係配置在連結構件487的第一流路487a的底部。流入至連結構件487的洗淨液由於連結構件487具有S字形狀的流路，因此暫時積存在第一流路487a的底部之後，依第三流路487c及第二流路487b的順序朝單一方向流動。因此，電導度計486的感測器部486a係恆浸泡在經液體置換的洗淨液，可歷時性正確地計測洗淨液的導電率。

<基板的洗淨>

鍍覆模組400係鍍覆處理一結束，即藉由升降機構442使基板保持具440由鍍覆槽410上升，將基板保持具440配置在被蓋件構件460(側壁461)包圍的位置。鍍覆模組400係如圖5中以虛線所示將基板洗淨構件472配置在洗淨位置。藉此，基板洗淨噴嘴472a朝向基板Wf的被鍍覆面Wf-a。此外，鍍覆模組400 係藉由旋轉機構446使基板保持具440作旋轉。旋轉機構446係構成為例如使基板保持具440以1rpm~20rpm的旋轉速度旋轉。此外，鍍覆模組400係在藉由傾斜機構447使基板保持具440呈傾斜的狀態下將基板Wf的被鍍覆面Wf-a洗淨。以下說明此點。

圖8係概略示出本實施形態之鍍覆模組的構成的縱剖面圖。圖9係將本實施形態之鍍覆模組的構成的部分放大而概略示出的縱剖面圖。

如圖8所示，基板保持具440係具備：用以支持基板Wf的被鍍覆面Wf-a的外周部的支持機構494；用以連同支持機構494一起夾持基板Wf的背板組件492；及由背板組件492鉛直朝上伸長的旋轉軸491。支持機構494係在中央具有用以使基板Wf的被鍍覆面Wf-a露出的開口的環狀構件，藉由柱構件496被懸掛保持。

背板組件492係具備：用以連同支持機構494一起夾持基板Wf的圓板狀的浮板492-2。浮板492-2係配置在基板Wf的被鍍覆面Wf-a的背面側。此外，背板組件492係具備：配置在浮板492-2的上方的圓板狀的背板492-1。此外，背板組件492係具備：用以將浮板492-2朝遠離基板Wf的背面的方向彈壓的浮置機構492-4；及用以抵抗因浮置機構492-4所致之彈壓力而將浮板492-2按壓在基板Wf的背面的按壓機構492-3。

浮置機構492-4係包含被安裝在由浮板492-2貫穿背板492-1而朝上方伸長的軸的上端與背板492-1之間的壓縮彈簧。浮置機構492-4係構成為因壓縮彈簧的壓縮反作用力，透過軸而使浮板492-2朝向上方上提，且朝向遠離基板Wf的背面的方向作彈壓。

按壓機構492-3係構成為透過形成在背板492-1的內部的流路而對浮板492-2供給流體，藉此將浮板492-2朝下方按壓。按壓機構492-3係當被供給流體時，以比因浮置機構492-4所致之彈壓力更強之力，將基板Wf朝向支持機構494按壓。

如圖9所示，支持機構494係包含用以支持基板Wf的被鍍覆面Wf-a的外周部的環狀的支持構件494-1。支持構件494-1係具有：在背板組件492(浮板492-2)的下表面的外周部突出的凸緣494-1a。在凸緣494-1a之上係配置環狀的密封構件494-2。密封構件494-2係具彈性的構件。支持構件494-1係透過密封構件494-2來支持基板Wf的被鍍覆面Wf-a的外周部。藉由以密封構件494-2與浮板492-2夾持基板Wf，支持構件494-1(基板保持具440)與基板Wf之間被密封。

支持機構494係具備：被安裝在支持構件494-1的內周面的環狀的台座494-3；及被安裝在台座494-3的上表面的環狀的導電構件494-5。台座494-3係例如不銹鋼等具導電性的構件。導電構件494-5係例如銅等具導電性的環狀構件。

支持機構494係具備：用以供電至基板Wf的接觸構件494-4。接觸構件494-4係藉由螺絲等以環狀安裝在台座494-3的內周面。支持構件494-1係透過台座494-3來保持接觸構件494-4。接觸構件494-4係用以由未圖示的電源供電至被保持在基板保持具440的基板Wf之具導電性的構件。接觸構件494-4係具有：接觸基板Wf的被鍍覆面Wf-a的外周部的複數基板接點494-4a及朝比基板接點494-4a更為上方延伸的本體部494-4b。

將基板Wf鍍覆處理時，藉由以密封構件494-2與背板組件492夾持基板Wf，支持構件494-1與基板Wf之間被密封。

如圖8所示，傾斜機構447係使基板保持具440呈傾斜。藉此，被保持在基板保持具440的基板Wf亦呈傾斜。基板洗淨構件472係構成為藉由傾斜機構447呈傾斜，而且對藉由旋轉機構446作旋轉的基板Wf的被鍍覆面Wf-a吐出洗淨液。藉此，可洗淨基板Wf的被鍍覆面Wf-a的全體。

其中，在上述說明中，係示出使用基板洗淨構件472，俾以在鍍覆處理後由基板Wf的被鍍覆面Wf-a洗淨鍍覆液之例，惟非限定於此。鍍覆模組400亦可使用基板洗淨構件472供預濕處理之用。亦即，鍍覆模組400係使用基板洗淨構件472，將鍍覆處理前的基板Wf的被鍍覆面Wf-a以純水或脫氣水等處理液弄濕，藉此可將形成在基板表面的圖案內部的空氣置換為處理液。

<接觸構件的洗淨>

接著，說明被安裝在基板保持具440的接觸構件的洗淨。圖10係模式示出藉由本實施形態之鍍覆模組所為之接觸構件的洗淨的圖。如圖10所示，在本實施形態中，背板組件492(浮板492-2)係在洗淨接觸構件494-4時，配置在被接觸構件494-4包圍的位置。

接觸洗淨構件482係構成為朝向背板組件492的下表面吐出洗淨液，且將抵碰到背板組件492的下表面而彈回的洗淨液朝向本體部494-4b。抵碰到背板組件492的下表面而彈回的洗淨液係在衝撞到本體部494-4b之後，藉由重力而由本體部494-4b朝下方流動。藉此，附著在本體部494-4b及基板接點494-4a的塵土、塵埃或在密封構件494-2有漏液時，鍍覆液連同洗淨液一起落下而被回收在托架構件478。

其中，上述中係示出在基板保持具440成為水平的狀態下洗淨接觸構件494-4之例，惟非限定於此。接觸洗淨構件482亦可在藉由傾斜機構447而 使基板保持具440呈傾斜的狀態下來洗淨接觸構件494-4。此外，在上述中係示出朝向背板組件492的下表面吐出洗淨液之例，惟非限定於此。背板組件492亦可在洗淨接觸構件494-4時，配置在比被接觸構件494-4包圍的位置更高位置。此時，接觸洗淨構件482係由基板保持具440的下方朝向接觸構件的本體部494-4b吐出洗淨液。

<噴嘴洗淨用蓋件>

如圖4所示，洗淨裝置470係具備用以洗淨接觸洗淨構件482的噴嘴洗淨用蓋件。以下說明噴嘴洗淨用蓋件。圖11係概略示出噴嘴洗淨用蓋件的構成的斜視圖。圖11係示出基板洗淨構件472及接觸洗淨構件482配置在洗淨位置的狀態。圖12係概略示出噴嘴洗淨用蓋件的構成的側面圖。圖11係示出基板洗淨構件472及接觸洗淨構件482配置在退避位置的狀態。

如圖11所示，噴嘴洗淨用蓋件489係被安裝在固定托架構件484。噴嘴洗淨用蓋件489係構成為接觸洗淨構件482位於退避位置時覆蓋接觸洗淨構件482。具體而言，噴嘴洗淨用蓋件489係具有：被安裝在固定托架構件484的底板托架489a、與底板托架489a對向配置在底板托架489a的上側的上板489b、及將底板托架489a與上板489b連結的側板489c。

噴嘴洗淨用蓋件489係固定在固定托架構件484，因此托架構件478即使在洗淨位置與退避位置之間回旋移動，位置亦不會改變。因此，如圖11所示接觸洗淨構件482位於洗淨位置時，噴嘴洗淨用蓋件489並未覆蓋接觸洗淨噴嘴482a的上部。另一方面，如圖12所示，接觸洗淨構件482位於退避位置時，接觸洗淨構件482係配置在夾在底板托架489a與上板489b的位置，因此噴嘴洗淨用蓋件489(上板489b)係覆蓋接觸洗淨噴嘴482a的上部。

若接觸洗淨構件482位於退避位置時由接觸洗淨噴嘴482a吐出洗淨液，洗淨液係衝撞位於接觸洗淨噴嘴482a的正上方的上板489b而落下至接觸洗淨噴嘴482a。更具體而言，如圖12所示，上板489b係具有形成為與接觸洗淨噴嘴482a的洗淨液的吐出方向呈正交而相對向的接受面489b-1。因此，即使在接觸洗淨噴嘴482a相對鉛直方向呈傾斜作配置的情形下，由接觸洗淨噴嘴482a被吐出的洗淨液亦容易衝撞接受面489b-1而落下至接觸洗淨噴嘴482a。藉此，接觸洗淨噴嘴482a係藉由自身吐出的洗淨液予以洗淨。此外，衝撞至上板489b而落下的洗淨液係在托架構件478、固定托架構件484及連結構件487流動而由排液管488被排出。

此外，附著在上板489b的洗淨液係在托架構件478移動至洗淨位置之後落下至底板托架489a。在此，底板托架489a係具有以朝向固定托架構件484下降的方式呈傾斜的傾斜面489a-1。藉此，落下至底板托架489a的洗淨液係透過傾斜面489a-1而自然流下至固定托架構件484予以排出。

藉由本實施形態，可洗淨接觸洗淨噴嘴482a、及托架構件478與固定托架構件484的洗淨液的流路。亦即，若洗淨基板Wf的被鍍覆面Wf-a，有含有鍍覆液的洗淨液由被鍍覆面Wf-a落下而附著在接觸洗淨噴嘴482a的情形。此外，含有鍍覆液的洗淨液係有由被鍍覆面Wf-a落下而殘留在托架構件478與固定托架構件484的洗淨液的流路的情形。若含有鍍覆液的洗淨液附著在接觸洗淨噴嘴482a、或殘留在托架構件478與固定托架構件484的流路，有對後續的漏液判定造成不良影響之虞。

相對於此，藉由本實施形態，進行漏液判定之前，可使用噴嘴洗淨用蓋件489來洗淨接觸洗淨噴嘴482a、及托架構件478與固定托架構件484的洗淨液的流路，因此可使漏液判定的精度提高。

其中，在本實施形態中係示出噴嘴洗淨用蓋件489(上板489b)覆蓋接觸洗淨噴嘴482a之例，惟非限定於此。噴嘴洗淨用蓋件489(上板489b)亦可如圖12中以虛線所示，形成為除了接觸洗淨噴嘴482a之外，亦覆蓋基板洗淨噴嘴472a的上部。此時，接觸洗淨構件482及基板洗淨構件472位於退避位置時，可使洗淨液由接觸洗淨噴嘴482a及基板洗淨噴嘴472a吐出。藉此，可洗淨接觸洗淨噴嘴482a及基板洗淨噴嘴472a。

<鍍覆液的漏液的判定構件>

如圖7所示，鍍覆模組400係具備：用以判定對接觸構件494-4的配置區域有無鍍覆液的漏液的判定構件480。判定構件480係可由具備輸出入裝置、運算裝置、記憶裝置等的一般電腦所構成。判定構件480亦可實現為控制模組800的一部分。判定構件480係預先具有在對成為基準的基板保持具(無鍍覆液的漏液的基板保持具)的接觸構件吐出洗淨液時藉由電導度計486被計測到的洗淨液的導電率(第一導電率)。判定構件480係構成為根據第一導電率(基準導電率)、與對成為有無漏液的判定對象的基板保持具440藉由電導度計486被計測到的洗淨液的導電率(第二導電率)的比較，來判定對接觸構件494-4的配置區域有無鍍覆液的漏液。藉由判定構件480所為之漏液判定的具體例係使用以下的漏液判定方法的流程圖來說明。

<漏液判定方法>

說明藉由本實施形態之鍍覆模組400所為之一連串動作。圖13係示出藉由本實施形態之鍍覆模組所為之處理的流程圖。圖14係模式示出圖13的流程圖中的洗淨液的導電率的推移的圖。在圖13中，橫軸係表示時間經過，縱軸係表示藉由電導度計486被計測到的洗淨液的導電率。圖13的流程圖係示出被保持在基板保持具440的基板Wf浸漬在鍍覆槽410予以鍍覆處理後的各處理。

如圖13所示，鍍覆模組400係在鍍覆處理之後，使用驅動機構476，使托架構件478由退避位置移動至洗淨位置(步驟S102)。接著，鍍覆模組400係由基板洗淨噴嘴472a吐出洗淨液，藉此洗淨基板Wf的被鍍覆面Wf-a(步驟S104)。藉此，由於含有鍍覆液的洗淨液流至電導度計486，因此如圖14所示，洗淨液的導電率上升且之後下降。接著，鍍覆模組400係藉由電導度計486被計測到的洗淨液的導電率一小於預定的臨限值，即完成基板Wf的洗淨(步驟S106)。

鍍覆模組400係基板Wf的洗淨一完成，即回收基板Wf(步驟S108)，並且將接下來的鍍覆處理對象的基板Wf設置在基板保持具440(步驟S110)。另一方面，鍍覆模組400係基板Wf的洗淨一完成，即使用驅動機構476，使托架構件478由洗淨位置移動至退避位置(步驟S112)。鍍覆模組400係托架構件478一朝退避位置移動，即洗淨接觸洗淨噴嘴482a(步驟S114)。亦即，鍍覆模組400係在接觸洗淨噴嘴482a的正上方有噴嘴洗淨用蓋件489的狀態下由接觸洗淨噴嘴482a吐出洗淨液。藉此，衝撞至噴嘴洗淨用蓋件489的洗淨液落下至接觸洗淨噴嘴482a，因此接觸洗淨噴嘴482a被洗淨。此外，托架構件478與固定托架構件484的洗淨液的流路亦被洗淨。

鍍覆模組400係接觸洗淨噴嘴482a的洗淨一完成(步驟S116)，即使用驅動機構476，使托架構件478由退避位置移動至洗淨位置(步驟S118)。接 著，鍍覆模組400係由接觸洗淨噴嘴482a吐出洗淨液，藉此洗淨接觸構件494-4(吐出步驟S120)。其中，托架構件478位於洗淨位置時，在接觸洗淨噴嘴482a的正上方並沒有噴嘴洗淨用蓋件489，因此由接觸洗淨噴嘴482a被吐出的洗淨液被供給至接觸構件494-4。

接著，鍍覆模組400係藉由電導度計486來計測洗淨液的導電率(計測步驟S122)。接著，鍍覆模組400係依鍍覆處理對象的基板的種類來補正第一導電率(基準導電率)(步驟S124)。亦即，供給至基板的被鍍覆面的電流密度係依鍍覆處理對象的基板的種類而異。鍍覆模組400係若為供給高電流密度的基板時，如圖14所示，以第一導電率AA(基準導電率)的值變小的方式補正第一導電率(圖14中經補正的第一導電率BB)。此係為了使供漏液判定用的基準較為嚴謹的補正。另一方面，鍍覆模組400係若為供給低電流密度的基板時，以第一導電率AA(基準導電率)的值變大的方式補正第一導電率(圖14中經補正的第一導電率CC)。此係為了使供漏液判定用的基準較為鬆緩的補正。其中，基準導電率的補正亦可非為步驟S124的時序，若為執行步驟S126之前，可在任意時序執行。

接著，鍍覆模組400係使用判定構件480，比較在步驟S124中經補正的第一導電率(在本實施形態中第一導電率AA)、與在計測步驟S122中被計測到的導電率(第二導電率aa)(步驟S126)。鍍覆模組400係使用判定構件480，求出第一導電率與第二導電率的差(CGAP)，且判定該差是否大於預先設定的臨限值(判定步驟S128)。

判定構件480係若差為預先設定的臨限值以下時(判定步驟S128，No)，判定對接觸構件494-4的配置區域無鍍覆液的漏液，對在步驟S110中所設 置的接下來的鍍覆處理對象的基板Wf開始鍍覆處理(步驟S130)。另一方面，判定構件480係若差大於預先設定的臨限值時(判定步驟S128，Yes)，判定對接觸構件494-4的配置區域有鍍覆液的漏液，且輸出警報(步驟S132)，結束處理。亦即，若鍍覆液漏液至接觸構件494-4的配置區域，鍍覆液會混在朝向接觸構件494-4被吐出的洗淨液，因此藉由電導度計486所計測的第二導電率變大。因此，判定構件480係對在無鍍覆液的漏液的狀態下被計測到的第一導電率，若第二導電率大於預先設定的臨限值時，可判定對接觸構件494-4的配置區域有鍍覆液的漏液。鍍覆模組400係可藉由輸出警報，來催促基板保持具440的漏液部位的檢查、修理、替換等。

藉由本實施形態，可判定對接觸構件494-4的配置區域有無鍍覆液的漏液，因此若被判定出有漏液時，可進行基板保持具的檢查、修理、替換等。結果，可抑制因接觸構件腐蝕、或接觸構件中的藥液成分析出或固著所致之電阻不均的發生，因此可使鍍覆處理的均一性提高。

其中，在上述之實施形態中係示出判定構件480根據第一導電率與第二導電率的差來判定有無鍍覆液的漏液之例，惟非限定於此。圖15係示出藉由本實施形態之鍍覆模組所為之處理的流程圖。圖16係模式示出圖15的流程圖中的洗淨液的導電率的推移的圖。在圖15的流程圖中，步驟202至步驟222係與圖13的流程圖的步驟S102至步驟S122相同，故省略說明。

在計測步驟222中計測出洗淨液的導電率之後，鍍覆模組400係依鍍覆處理對象的基板的種類來補正第一導電率的降低率(步驟224)。亦即，供給至基板的被鍍覆面的電流密度係依鍍覆處理對象的基板的種類而異。鍍覆模組400係若為供給高電流密度的基板時，以第一導電率的降低率α的值變大的方 式補正第一導電率的降低率α的值。此係為了使供漏液判定用的基準較為嚴謹的補正。另一方面，鍍覆模組400係若為供給低電流密度的基板時，以第一導電率的降低率α的值變小的方式補正第一導電率的降低率α。此係為了使供漏液判定用的基準較為鬆緩的補正。其中，第一導電率的降低率的補正亦可非為步驟224的時序，若為執行步驟226之前，可在任意時序執行。導電率的降低率係表示平均單位時間的導電率的降低量。

接著，鍍覆模組400係使用判定構件480，來比較在步驟224中經補正的第一導電率的降低率α、與在計測步驟222中被計測到的第二導電率的降低率β(步驟226)。鍍覆模組400係使用判定構件480，求出第一導電率的降低率α與第二導電率的降低率β的差，且判定該差是否大於預先設定的臨限值(判定步驟228)。

判定構件480係若差為預先設定的臨限值以下時(判定步驟228，No)，判定對接觸構件494-4的配置區域無鍍覆液的漏液，對在步驟210中所設置的接下來的鍍覆處理對象的基板Wf開始鍍覆處理(步驟230)。另一方面，判定構件480係若差大於預先設定的臨限值時(判定步驟228，Yes)，判定對接觸構件494-4的配置區域有鍍覆液的漏液，且輸出警報(步驟232)，結束處理。

亦即，若鍍覆液漏液至接觸構件494-4的配置區域，鍍覆液會大量混在朝向接觸構件494-4被吐出的洗淨液，因此如第二導電率的降低率β所示，藉由電導度計486所計測的第二導電率緩慢降低(降低率小)。另一方面，若無鍍覆液的漏液，如第一導電率的降低率α所示，殘留些微在密封構件494-2或洗淨液的流路的鍍覆液藉由電導度計486來檢測，惟該鍍覆液流至電導度計486的下游之後，導電率會急遽降低(降低率大)。因此，判定構件480係若第一導電率的 降低率與第二導電率的降低率的差大於預先設定的臨限值時，可判定對接觸構件494-4的配置區域有鍍覆液的漏液。鍍覆模組400係可藉由輸出警報，來催促基板保持具440的漏液部位的檢查、修理、替換等。

藉由本實施形態，可判定對接觸構件494-4的配置區域有無鍍覆液的漏液，因此若被判定出有漏液時，可進行基板保持具的檢查、修理、替換等。結果，可抑制因接觸構件腐蝕、或接觸構件中的藥液成分析出或固著所致之電阻不均的發生，因此可使鍍覆處理的均一性提高。

其中，在上述之實施形態中，係示出僅一度求出第二導電率的降低率β，且與第一導電率的降低率α作比較之例，惟非限定於此。圖17係模式示出鍍覆液的漏液判定的變形例的圖。如圖17所示，判定構件480亦可在複數區間(例如2區間)求出第二導電率的降低率(例如降低率β1、β2)，且比較各自的降低率β1、β2，藉此判定有無漏液。

例如，判定構件480若兩區間的第二導電率的降低率β1、β2實質上相等(例如若兩者的差為預定的臨限值以下)，可判定對接觸構件494-4的配置區域有鍍覆液的漏液。亦即，若對接觸構件494-4的配置區域有鍍覆液的漏液，有所計測的導電率呈直線(線形)降低的傾向。另一方面，若無鍍覆液的漏液，有因些微附著在密封構件494-2等的鍍覆液而起的導電率急遽降低之後，導電率的降低變得平緩的傾向。因此，判定構件480係若導電率的降低率β1、β2實質上相等，可判定為有漏液，若導電率的降低率β1、β2實質上不相等(例如兩者的差大於預定的臨限值時)，係可判定為無漏液。

以另外其他變形例而言，例如，判定構件480係為縮短在漏液判定所耗費的時間，如上述實施形態所示，若判定出第一導電率的降低率α與第二導 電率的降低率β1的差大於臨限值時，可立即判定為有漏液。除此之外，判定構件480係若降低率α與降低率β1的差為臨限值以下時，可藉由進行比較第二導電率的降低率β1、β2的上述判定，來提高漏液判定的精度。

以上說明了幾個本發明之實施形態，惟上述之發明的實施形態係為易於理解本發明者，並非為限定本發明者。本發明當然可在未脫離其要旨的情形下進行變更、改良，並且在本發明包括其等效物。此外，在可解決上述課題的至少一部分的範圍或達成效果的至少一部分的範圍中，可進行申請專利範圍及說明書所記載的各構成要素的任意組合或省略。

以一實施形態而言，本案係揭示一種漏液判定方法，其係包含：吐出步驟，其係在將被保持在基板保持具的基板浸漬在鍍覆液進行鍍覆處理之後，對前述基板保持具的接觸構件吐出洗淨液；計測步驟，其係計測洗淨前述接觸構件之後的洗淨液的導電率；及判定步驟，其係根據對成為基準的基板保持具所預先計測的洗淨液的第一導電率、與藉由前述計測步驟被計測到的洗淨液的第二導電率的比較，判定對前述接觸構件的配置區域有無鍍覆液的漏液。

此外，以一實施形態而言，本案揭示一種漏液判定方法，其中，前述判定步驟係若前述第一導電率與前述第二導電率的差大於臨限值時，判定對前述接觸構件的配置區域有鍍覆液的漏液。

此外，以一實施形態而言，本案揭示一種漏液判定方法，其中，另外包含：補正步驟，其係依鍍覆處理對象的基板的種類來補正前述第一導電率，前述判定步驟係若藉由前述補正步驟被補正的第一導電率、與前述第二導電率的差大於臨限值時，判定對前述接觸構件的配置區域有鍍覆液的漏液。

此外，以一實施形態而言，本案揭示一種漏液判定方法，其中，前述判定步驟係若前述第一導電率的降低率、與前述第二導電率的降低率的差大於臨限值時，判定對前述接觸構件的配置區域有鍍覆液的漏液。

此外，以一實施形態而言，本案揭示一種漏液判定方法，其中，另外包含：補正步驟，其係依鍍覆處理對象的基板的種類來補正前述第一導電率的降低率，前述判定步驟係若藉由前述補正步驟被補正的第一導電率的降低率、與前述第二導電率的降低率的差大於臨限值時，判定對前述接觸構件的配置區域有鍍覆液的漏液。

此外，以一實施形態而言，本案揭示一種鍍覆裝置，其係包含：鍍覆槽，其係構成為收容鍍覆液；基板保持具，其係構成為保持將被鍍覆面朝向下方的基板的基板保持具，且具有用以對前述基板供電的接觸構件；接觸洗淨構件，其係用以朝向前述接觸構件吐出洗淨液；電導度計，其係配置在排出將前述接觸構件洗淨後的洗淨液的排出路徑；及判定構件，其係根據對成為基準的基板保持具藉由前述電導度計被預先計測到的洗淨液的第一導電率、與對前述基板保持具藉由前述電導度計被計測到的洗淨液的第二導電率的比較，判定對前述接觸構件的配置區域有無鍍覆液的漏液。

此外，以一實施形態而言，本案揭示一種鍍覆裝置，其中，前述判定構件係構成為若前述第一導電率與前述第二導電率的差大於臨限值時，判定對前述接觸構件的配置區域有鍍覆液的漏液。

此外，以一實施形態而言，本案揭示一種鍍覆裝置，其中，前述判定構件係構成為依鍍覆處理對象的基板的種類來補正前述第一導電率，若經 補正的第一導電率、與前述第二導電率的差大於臨限值，判定對前述接觸構件的配置區域有鍍覆液的漏液。

此外，以一實施形態而言，本案揭示一種鍍覆裝置，其中，前述判定構件係構成為若前述第一導電率的降低率、與前述第二導電率的降低率的差大於臨限值時，判定對前述接觸構件的配置區域有鍍覆液的漏液。

此外，以一實施形態而言，本案揭示一種鍍覆裝置，其中，前述判定構件係構成為依鍍覆處理對象的基板的種類來補正前述第一導電率的降低率，若經補正的第一導電率的降低率、與前述第二導電率的降低率的差大於臨限值，判定對前述接觸構件的配置區域有鍍覆液的漏液。

S102、S104、S106、S108、S110、S112、S114、S116、S118、S120、S122、S124、S126、S128、S130、S132:步驟

Claims (10)

1. 一種漏液判定方法，其係包含：吐出步驟，其係在將被保持在基板保持具的基板浸漬在鍍覆液進行鍍覆處理之後，對前述基板保持具的接觸構件吐出洗淨液；計測步驟，其係計測洗淨前述接觸構件之後的洗淨液的導電率；及判定步驟，其係根據對成為基準的基板保持具所預先計測的洗淨液的第一導電率、與藉由前述計測步驟被計測到的洗淨液的第二導電率的差，判定對前述接觸構件的配置區域有無鍍覆液的漏液。
2. 如請求項1之漏液判定方法，其中，前述判定步驟係若前述第一導電率與前述第二導電率的差大於臨限值時，判定對前述接觸構件的配置區域有鍍覆液的漏液。
3. 如請求項2之漏液判定方法，其中，另外包含：補正步驟，其係依鍍覆處理對象的基板的種類來補正前述第一導電率，前述判定步驟係若藉由前述補正步驟被補正的第一導電率、與前述第二導電率的差大於臨限值時，判定對前述接觸構件的配置區域有鍍覆液的漏液。
4. 如請求項1之漏液判定方法，其中，前述判定步驟係若前述第一導電率的降低率、與前述第二導電率的降低率的差大於臨限值時，判定對前述接觸構件的配置區域有鍍覆液的漏液。
5. 如請求項4之漏液判定方法，其中，另外包含：補正步驟，其係依鍍覆處理對象的基板的種類來補正前述第一導電率的降低率， 前述判定步驟係若藉由前述補正步驟被補正的第一導電率的降低率、與前述第二導電率的降低率的差大於臨限值時，判定對前述接觸構件的配置區域有鍍覆液的漏液。
6. 一種鍍覆裝置，其係包含：鍍覆槽，其係構成為收容鍍覆液；基板保持具，其係構成為保持將被鍍覆面朝向下方的基板的基板保持具，且具有用以對前述基板供電的接觸構件；接觸洗淨構件，其係用以朝向前述接觸構件吐出洗淨液；電導度計，其係配置在排出將前述接觸構件洗淨後的洗淨液的排出路徑；及判定構件，其係根據對成為基準的基板保持具藉由前述電導度計被預先計測到的洗淨液的第一導電率、與對前述基板保持具藉由前述電導度計被計測到的洗淨液的第二導電率的差，判定對前述接觸構件的配置區域有無鍍覆液的漏液。
7. 如請求項6之鍍覆裝置，其中，前述判定構件係構成為若前述第一導電率與前述第二導電率的差大於臨限值時，判定對前述接觸構件的配置區域有鍍覆液的漏液。
8. 如請求項7之鍍覆裝置，其中，前述判定構件係構成為依鍍覆處理對象的基板的種類來補正前述第一導電率，若經補正的第一導電率、與前述第二導電率的差大於臨限值，判定對前述接觸構件的配置區域有鍍覆液的漏液。
9. 如請求項6之鍍覆裝置，其中，前述判定構件係構成為若前述第一導電率的降低率、與前述第二導電率的降低率的差大於臨限值時，判定對前述接觸構件的配置區域有鍍覆液的漏液。
10. 如請求項9之鍍覆裝置，其中，前述判定構件係構成為依鍍覆處理對象的基板的種類來補正前述第一導電率的降低率，若經補正的第一導電率的降低率、與前述第二導電率的降低率的差大於臨限值，判定對前述接觸構件的配置區域有鍍覆液的漏液。