JP7089133B1 - めっき装置および基板洗浄方法 - Google Patents
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 430
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 429
- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims abstract description 213
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 57
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 150
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 91
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 19
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 16
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 15
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 15
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 7
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 4
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 3
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 3
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 3
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 206010016256 fatigue Diseases 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000009191 jumping Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
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-
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- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
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- C25D21/08—Rinsing
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- C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
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- C25D7/12—Semiconductors
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Abstract
Description
図1は、本実施形態のめっき装置の全体構成を示す斜視図である。図2は、本実施形態のめっき装置の全体構成を示す平面図である。図1、2に示すように、めっき装置1000は、ロードポート100、搬送ロボット110、アライナ120、プリソークモジュール300、めっきモジュール400、スピンリンスドライヤ600、搬送装置700、および、制御モジュール800を備える。
次に、めっきモジュール400の構成を説明する。本実施形態における24台のめっきモジュール400は同一の構成であるので、1台のめっきモジュール400のみを説明する。図3は、本実施形態のめっきモジュール400の構成を概略的に示す縦断面図である。図3に示すように、めっきモジュール400は、めっき液を収容するためのめっき槽410を備える。めっき槽410は、円筒状の側壁と円形の底壁とを有する容器であり、上部には円形の開口が形成されている。また、めっきモジュール400は、めっき槽410の上部開口の外側に配置されたオーバーフロー槽405を備える。オーバーフロー槽405は、めっき槽410の上部開口から溢れためっき液を受けるための容器である。
図4は、本実施形態のめっきモジュールの構成を概略的に示す斜視図である。図5Aは、本実施形態のめっきモジュールのカバー部材を模式的に示す斜視図である。図5Bは、本実施形態のめっきモジュールのカバー部材を模式的に示す平面図である。図6は、本実施形態のめっきモジュールのカバー部材を模式的に示す縦断面図である。
次に、洗浄装置470について説明する。図8は、本実施形態のめっきモジュールの構成を概略的に示す平面図である。図3、図4および図8に示すように、洗浄装置470は、基板ホルダ440に保持された基板Wfの被めっき面Wf-aを洗浄するための基板洗浄部材472を備える。基板洗浄部材472は、複数(本実施形態では4個)の基板洗浄ノズル472aを備える。複数の基板洗浄ノズル472aは、基板洗浄部材472が洗浄位置に配置されたときに、基板Wfの半径方向、または基板Wfの回転方向と交差する方向に沿って配置される。基板洗浄部材472には配管471が接続されている。図示していない液源から供給された洗浄液(例えば純水)は配管471を介して基板洗浄部材472に送られ、複数の基板洗浄ノズル472aのそれぞれから吐出される。
めっきモジュール400は、めっき処理が終了したら、昇降機構442によって基板ホルダ440をめっき槽410から上昇させ、基板ホルダ440を、カバー部材460(側壁461)に囲まれる位置に配置する。めっきモジュール400は、図8に破線で示すように基板洗浄部材472を洗浄位置に配置する。これにより、基板Wfの被めっき面Wf-aに対して基板洗浄ノズル472aが向けられる。また、めっきモジュール400は、回転機構446によって基板ホルダ440を回転させる。回転機構446は、例えば、基板ホルダ440を1rpm~20rpmの回転速度で回転させるように構成されている。また、めっきモジュール400は、傾斜機構447によって基板ホルダ440を傾斜させた状態で、基板Wfの被めっき面Wf-aを洗浄するようになっている。以下、この点について説明する。
次に、基板ホルダ440に取り付けられたコンタクト部材の洗浄について説明する。図18は、本実施形態のめっきモジュールによるコンタクト部材の洗浄を模式的に示す図である。図11を用いて説明した部材と同様の構成については説明を省略する。
次に、本実施形態の基板洗浄方法およびコンタクト洗浄方法を説明する。図22は、本実施形態の基板洗浄方法およびコンタクト洗浄方法を示すフローチャートである。図22のフローチャートは、基板ホルダ440に保持された基板Wfがめっき槽410に浸漬されてめっき処理された後の各処理を示している。また、図22のフローチャートは、図15または図16に示しためっきモジュールを用いた基板洗浄方法およびコンタクト洗浄方法を示している。
410 めっき槽
440 基板ホルダ
442 昇降機構
446 回転機構
447 傾斜機構
460 カバー部材
461 側壁
461a 開口
462 底壁
464 排気口
467 開閉機構
468-1 第1の扉
468-2 第2の扉
469-1 第1の扉駆動部材
469-2 第2の扉駆動部材
470 洗浄装置
472 基板洗浄部材
472a 基板洗浄ノズル
472b シール洗浄ノズル
476 駆動機構
478 トレー部材
482 コンタクト洗浄部材
482a コンタクト洗浄ノズル
486 電気伝導度計
488 排液管
491 回転シャフト
492 バックプレートアッシー
492-1 バックプレート
492-2 フローティングプレート
494 支持機構
494-1 支持部材
494-2 シール部材
494-4 コンタクト部材
494-4a 基板接点
494-4b 本体部
1000 めっき装置
Wf 基板
Wf-a 被めっき面
Claims (11)
- めっき液を収容するように構成されためっき槽と、
被めっき面を下方に向けた基板を保持するように構成された基板ホルダと、
前記基板ホルダを回転させるように構成された回転機構と、
前記基板ホルダを傾斜させるように構成された傾斜機構と、
基板のめっき処理後に前記基板ホルダに保持された基板の被めっき面を洗浄するための基板洗浄部材と、
を含み、
前記基板洗浄部材は、前記傾斜機構によって傾斜した基板の下端に対応する位置から上端に対応する位置へ向けて前記回転機構によって回転する基板の被めっき面に洗浄液を吐出するように構成され、
前記基板洗浄部材は、基板の洗浄時に基板の被めっき面を下から見た場合に、洗浄液に押し流されるめっき液の流れ方向と、前記基板洗浄部材により洗浄されている基板の領域の回転方向とのなす角度が、135°より大きく225°より小さくなるように配置される、
めっき装置。 - 前記基板洗浄部材を、前記めっき槽と前記基板ホルダとの間の洗浄位置と、前記めっき槽と前記基板ホルダとの間から退避した退避位置と、の間で移動させるように構成された駆動機構をさらに含む、
請求項1に記載のめっき装置。 - 前記基板洗浄部材の下方に配置され、前記基板洗浄部材から吐出されて落下した洗浄液を受けるように構成されたトレー部材をさらに含む、
請求項1または2に記載のめっき装置。 - 前記トレー部材に落下した洗浄液の電気伝導度を測定するための電気伝導度計をさらに
含む、
請求項3に記載のめっき装置。 - 前記基板洗浄部材は、前記基板洗浄部材が前記洗浄位置に配置されたときに前記基板の回転方向と交差する方向に沿って配置された複数の基板洗浄ノズルを含む、
請求項2、および請求項2を引用する請求項3、4のいずれか一項に記載のめっき装置。 - 前記基板ホルダは、前記基板ホルダと前記基板との間をシールするためのシール部材を含み、
基板洗浄部材は、前記複数の基板洗浄ノズルよりも基板の外周側に配置され、前記シール部材を洗浄するためのシール洗浄ノズルをさらに含み、
前記シール洗浄ノズルは、前記回転機構によって回転する前記シール部材の回転方向に沿う方向の速度成分を有する洗浄液を吐出するように構成される、
請求項5に記載のめっき装置。 - 前記複数の基板洗浄ノズルはそれぞれ、前記基板洗浄ノズルの先端から扇状に洗浄液を吐出するように構成されており、かつ、隣接する基板洗浄ノズルから吐出した洗浄液が互いに衝突せず基板の回転方向において部分的に重なり合うように構成されている、
請求項5または6に記載のめっき装置。 - 前記回転機構は、前記基板ホルダを1rpm~20rpmの回転速度で回転させるように構成される、
請求項1から7のいずれか一項に記載のめっき装置。 - 基板ホルダに保持された基板の下方に向いた被めっき面に対して基板洗浄ノズルを向けるステップと、
前記基板ホルダを傾斜させる傾斜ステップと、
前記基板ホルダを回転させる回転ステップと、
前記傾斜ステップによって傾斜した基板の下端に対応する位置から上端に対応する位置へ向けて前記回転ステップによって回転する基板の被めっき面に前記基板洗浄ノズルから洗浄液を吐出する基板洗浄ステップと、
基板の洗浄時に基板の被めっき面を下から見た場合に、洗浄液に押し流されるめっき液の流れ方向と、前記基板洗浄ノズルにより洗浄されている基板の領域の回転方向とのなす角度が135°より大きく225°より小さくなるように、前記基板洗浄ノズルを配置するステップと、
を含む、基板洗浄方法。 - 前記基板ホルダと前記基板との間をシールするためのシール部材に対してシール洗浄ノズルを向けるステップと、
前記回転ステップによって回転する前記シール部材の回転方向に沿う方向の速度成分を有する洗浄液を前記シール洗浄ノズルから吐出するシール洗浄ステップと、
をさらに含む、請求項9に記載の基板洗浄方法。 - 前記基板洗浄部材は、前記回転機構によって回転する基板の回転方向とは反対方向の速度成分を有する洗浄液を吐出するように構成される、
請求項1から8のいずれか一項に記載のめっき装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2021/040600 WO2023079632A1 (ja) | 2021-11-04 | 2021-11-04 | めっき装置および基板洗浄方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP7089133B1 true JP7089133B1 (ja) | 2022-06-21 |
JPWO2023079632A1 JPWO2023079632A1 (ja) | 2023-05-11 |
JPWO2023079632A5 JPWO2023079632A5 (ja) | 2023-10-03 |
Family
ID=82100065
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022521687A Active JP7089133B1 (ja) | 2021-11-04 | 2021-11-04 | めっき装置および基板洗浄方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7089133B1 (ja) |
KR (1) | KR102556645B1 (ja) |
CN (1) | CN116368268B (ja) |
WO (1) | WO2023079632A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7199618B1 (ja) * | 2022-08-02 | 2023-01-05 | 株式会社荏原製作所 | めっき方法、及び、めっき装置 |
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JP6934127B1 (ja) * | 2020-12-22 | 2021-09-08 | 株式会社荏原製作所 | めっき装置、プリウェット処理方法及び洗浄処理方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0671544B2 (ja) * | 1990-03-26 | 1994-09-14 | 日本テクノ株式会社 | 液槽における液体の攪拌方法および装置 |
JP3860111B2 (ja) * | 2002-12-19 | 2006-12-20 | 大日本スクリーン製造株式会社 | メッキ装置およびメッキ方法 |
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JP5321574B2 (ja) * | 2010-12-17 | 2013-10-23 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体製造装置の動作方法及び半導体装置の製造方法 |
-
2021
- 2021-11-04 KR KR1020227039874A patent/KR102556645B1/ko active IP Right Grant
- 2021-11-04 CN CN202180038910.7A patent/CN116368268B/zh active Active
- 2021-11-04 WO PCT/JP2021/040600 patent/WO2023079632A1/ja active Application Filing
- 2021-11-04 JP JP2022521687A patent/JP7089133B1/ja active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6934127B1 (ja) * | 2020-12-22 | 2021-09-08 | 株式会社荏原製作所 | めっき装置、プリウェット処理方法及び洗浄処理方法 |
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WO2024028973A1 (ja) * | 2022-08-02 | 2024-02-08 | 株式会社荏原製作所 | めっき方法、及び、めっき装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20230066270A (ko) | 2023-05-15 |
JPWO2023079632A1 (ja) | 2023-05-11 |
WO2023079632A1 (ja) | 2023-05-11 |
CN116368268B (zh) | 2024-02-13 |
CN116368268A (zh) | 2023-06-30 |
KR102556645B1 (ko) | 2023-07-18 |
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