KR101102328B1 - 기판도금장치 - Google Patents

Abstract

하나의 챔버 내부에서 도금 및 세정공정을 구현할 수 있는 기판도금장치가 개시된다. 개시된 본 발명에 의한 기판도금장치는, 기판을 도금시키는 도금영역과 도금된 상기 기판을 세정시키는 세정영역을 구비하는 처리챔버 및, 상기 처리챔버 내에서 상기 기판을 도금영역과 세정영역 사이에서 이송시킴과 아울러, 상기 기판을 회전시키는 이송유닛을 포함한다. 이와 같은 구성에 의하면, 하나의 처리챔버 내부에서 기판을 도금 및 세정시킬 수 있게 되어, 기판의 대기 중 노출에 의한 산화를 방지함과 아울러 공정시간을 단축할 수 있게 된다.

도금, 구리막, 산화, 챔버, 세정, 승하강, 공정시간, 단축.

Description

기판도금장치{WAFER PLATING APPARATUS}

본 발명은 반도체 제조에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 구리배선을 위한 기판의 도금공정 및 세정공정이 하나의 처리챔버 내부에서 이루어질 수 있는 기판도금장치에 관한 것이다.

일반적으로 반도체를 구성하는 실리콘 기판상에 금속배선을 형성하기 위해, 상기 기판의 전면에 금속막을 형성하여 이 금속막을 패터닝하게 된다. 이때, 상기 기판의 전면에 형성되는 금속막은 알루미늄 또는 구리에 의해 형성된다. 이 중, 상기 구리막은 알루미늄막에 비해 녹는점이 높아 전기이동도에 대한 큰 저항력을 가짐으로써 반도체 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 비저항이 낮아 신호전달 속도를 증가시킬 수 있는 이점 때문에, 주로 채택된다.

현재, 상기 기판상에 구리 배선을 형성하기 위한 방법으로는 물리기상증착 또는 화학기상증착이 주로 채용되나, 전기 이동도에 대한 내성이 우수하고 제조비용이 저렴한 화학기상증착 즉, 전기도금이 선호된다.

상기 기판에 대한 구리 전기도금의 원리는, 전해액이 수용된 처리챔버 내에 양극의 구리판과 음극의 기판을 침지시킴으로써, 구리판으로부터 분리된 구리이온 이 상기 기판으로 이동하여 구리막을 형성한다. 이렇게 표면에 구리막이 도금된 기판은 세정조로 이동하여, 세정 및 건조공정이 SRD(Spin-Rinse-Dry)공정이 진행된다. 아울러, 상기 세정조에서 상기 기판의 에지부에 형성된 구리막을 제거하는 EBR(Edge Bead Removal)공정도 수행된다.

그런데, 상기와 같이 처리조와 세정조가 별도로 마련됨으로써, 상기 기판은 처리조와 세정조 사이를 이송된다. 그로 인해, 상기 기판이 상기 처리조에서 세정조로 이송되는 도중에, 상기 기판이 대기 중에 노출되어 구리막의 산화가 야기되어 기판의 품질을 저하시킨다.

뿐만 아니라, 상기 기판을 상기 처리조에서 세정조로 이송시키기 위한 별도의 이송유닛 및 구동수단을 구비해야 하므로, 제조비 증가 및 이송유닛 및 구동수단 구비를 위한 공간확보와 같은 문제점이 야기된다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 감안하여 안출된 것으로, 기판의 도금공정 및 세정공정을 한 공간에서 수행할 수 있는 기판도금장치를 제공하는데 있다.

본 발명의 또 다른 목적은 구조가 간단하고 소형의 기판도금장치를 제공하는데 있다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 기판도금장치는, 기판을 도금시키는 도금영역과 도금된 상기 기판을 세정시키는 세정영역을 구비하는 처리챔버 및, 상기 처리챔버 내에서 상기 기판을 도금영역과 세정영역 사이에서 이송시킴과 아울러, 상기 기판을 회전시키는 이송유닛을 포함한다.

본 발명의 바람직한 일 실시예에 의하면, 상기 도금영역의 상부에 상기 세정영역이 위치하며, 상기 이송유닛은 상기 기판을 상기 도금영역과 세정영역 사이에서 승하강시킨다.

구체적으로, 상기 도금영역에는, 음극이 인가되는 기판이 침지되는 전해액이 수용되며 상기 처리챔버의 하부를 형성하는 제 1 처리조 및, 상기 기판과 마주하도록 상기 전해액에 침지되어 양극이 인가되는 타켓부재가 마련된다. 또한, 상기 세정영역에는, 상기 처리챔버의 상부를 형성하는 제 2 처리조, 도금된 상기 기판을 세정하는 세정제를 분사하는 제 1 노즐 및, 도금된 상기 기판의 에지(edge)를 에칭하는 에칭제를 분사하는 제 2 노즐이 마련된다.

여기서, 상기 타켓부재와 기판 사이에는 상기 타켓부재로부터 발생된 금속이온을 여과하여 상기 기판으로 분배하는 필터부가 설치된다. 또한, 상기 처리챔버의 내주면에는 상기 제 1 및 제 2 노즐로부터 분사되는 상기 세정제와 에칭제의 수거를 위해 경사진 가이드벽이 설치된다.

한편, 본 발명의 다른 실시예에 의하면, 상기 도금영역과 상기 세정영역 사이에는 도어가 설치되어, 선택적으로 개폐된다.

본 발명의 다른 측면에 의한 기판도금장치는, 기판에 금속막을 형성시키는 도금유닛, 상기 도금유닛과 연통하도록 상기 도금유닛의 개방된 상부에 적층 설치되어, 상기 금속막이 형성된 기판을 세정시키는 세정유닛 및, 상기 도금유닛과 세정유닛 사이에서 상기 기판을 승하강시킴과 아울러, 상기 기판을 회전시키는 이송유닛을 포함한다.

여기서, 상기 도금유닛은, 음극이 인가되는 상기 기판이 침지되는 전해액이 수용되며, 상기 기판 출입을 위한 제 1 출입구가 상부에 마련되는 제 1 처리조 및, 상기 전해액에 침지되어, 양극 인가시 상기 전해액 상으로 금속이온을 발생시키는 타켓부재를 포함한다.

또한, 상기 세정유닛은, 상기 제 1 처리조의 제 1 출입구와 연결되는 연결구와, 상기 제 1 출입구와 마주하여 상기 기판이 출입되는 제 2 출입구를 가지는 제 2 처리조, 상기 기판의 금속막으로 세정제를 분사하는 제 1 노즐 및, 상기 기판의 금속막 에지(edge)를 에칭하는 에칭제를 분사하는 제 2 노즐을 포함한다.

한편, 상기 도금유닛과 상기 세정챔버 사이를 개폐하는 도어를 더 포함하는 다른 실시예도 가능하다.

상기와 같은 본 발명에 의한 기판도금장치는, 첫째, 하나의 챔버 내부에서 기판의 승하강 이동에 의해 기판을 도금시킨 후 세정할 수 있게 되어, 도금된 기판의 대기중에 노출됨을 방지할 수 있게 된다. 그로 인해, 상기 기판의 도금막이 세정되기 이전에 산화됨을 효과적으로 방지할 수 있게 된다.

둘째, 본 발명은 상기 기판을 도금시킨 후의 세정을 위해 상기 기판을 다른 챔버로 기판을 인출 및 이송시키는 단계가 불필요함으로써, 공정시간을 전체적으로 단축시킬 수 있게 된다.

셋째, 본 발명은 도금 및 세정공정을 하나의 챔버 내부에서 기판의 승하강 이동에 의해 구현할 수 있음으로써, 구조가 단순하고 소형의 기판도금장치를 제공할 수 있게 된다.

이하, 본 발명의 바람직한 일 실시예를 첨부하여 도면을 참고하여 설명한다.

도 1의 도시와 같이, 본 발명에 의한 기판도금장치(1)는 보관부(10), 이송로봇(20) 및 처리챔버(40)를 포함한다.

상기 보관부(10)는 도금될 기판(W)을 보관하는 곳으로써, 복수매의 기판(W)을 수용하여 낱장의 기판을 후술할 처리챔버(40)로 공급한다.

상기 이송로봇(20)은 상기 보관부(10)와 처리챔버(40) 사이에서 상기 기판(W)을 이송시킨다. 즉, 상기 이송로봇(20)은 상기 보관부(10)에 보관된 기판(W) 을 낱장으로 픽업하여 상기 처리챔버(40) 측으로 이송시킨다.

상기와 같은 보관부(10) 및 이송로봇(20)의 기술구성은 공지의 기술로부터 이해 가능하므로, 자세한 설명 및 도시를 생략한다. 또한, 설명하지 않은 참조부호 30은 기판도금장치(1)의 동작을 제어하는 제어부(30)로써, 공지의 기술로부터 이행 가능하므로 자세한 설명은 생략한다.

참고로, 본 발명에서 설명하는 기판(W)은 반도체 기판이 되는 실리콘 웨이퍼로 예시하나, 꼭 이를 한정하는 것은 아니다. 즉, 상기 기판(W)은 LCD(Liquid Crystal Display) 또는 PDP(Plasma Display Panel)와 같은 평판 디스플레이 장치용 유리기판이 채용될 수 있음은 당연하다.

상기 처리챔버(40)는 상기 이송로봇(20)에 의해 공급된 기판(W)을 도금 및 세정시킨다. 이를 위해, 상기 처리챔버(40)는 도 2의 도시와 같이, 도금영역(R1)과 세정영역(R2)으로 구분된다. 즉, 상기 처리챔버(40)는 하나의 챔버 내부에 도금유닛(50)과 세정유닛(60)이 함께 설치되는 것이다. 이하에서는, 설명의 편의를 위해 상기 도금영역(R1)에 해당하는 도금유닛(50)과 세정영역(R2)에 해당하는 세정유닛(60)으로 상기 처리챔버(40)를 구분하여 설명한다.

상기 도금유닛(50)은 상기 처리챔버(40)의 하부를 구성하며, 도금영역(R1)을 형성한다. 이러한 도금유닛(50)은 제 1 처리조(51), 타켓부재(53) 및 필터부(55)를 포함한다.

상기 제 1 처리조(51)는 상기 처리챔버(40)의 하부를 구성하여 기판(W)이 침지되는 전해액(S)을 수용한다. 또한, 상기 제 1 처리조(51)는 상기 기판(W)의 출입 을 위한 제 1 출입구(52)가 상부에 관통 형성된다. 여기서, 상기 제 1 처리조(51)에는 도시되지 않았지만, 상기 제 1 처리조(51)에는 전해액(S)의 순환을 위한 전해액공급로(미도시) 및 전해액회수로(미도시)가 형성된다.

상기 타켓부재(53)는 상기 전해액(S)이 침지되어 양극인가시 산화반응에 의해 전해액(S) 상으로 금속이온을 발생시킨다. 이를 위해, 상기 타켓부재(53)는 전류가 인가되는 양전극판(54)과 접촉되어 설치된다. 이러한 구성에 의하면, 양극이 인가된 상기 타켓부재(53)로부터 산화반응에 의해 금속이온이 발생되며, 이 금속이온은 음극이 인가되는 기판(W)으로 이동하여 환원반응에 의해 상기 기판(W)에 금속막이 형성된다.

한편, 본 실시예에서는, 상기 타켓부재(53)가 상기 기판(W)에 구리막을 형성시키기 위해 구리이온을 발생시키는 구리판인 것으로 예시한다. 이에 대응하여, 상기 구리판인 타켓부재(53)와 반응하는 전해액(S)은 황산구리액인 것으로 예시한다.

상기 필터부(55)는 상기 타켓부재(53)와 기판(W) 사이에 설치되어, 상기 타켓부재(53)로부터 발생되어 전해액(S)상으로 녹아든 금속이온을 여과하여 분배한다. 이를 위해, 상기 필터부(55)는 상기 타켓부재(53)로부터 발생된 금속이온을 1차 여과하는 제 1 필터(56)와 1차 여과된 금속이온을 기판(W)으로 골고루 분배하여 2차 여과하는 제 2 필터(57)를 포함한다.

상기와 같은 구성을 가지는 도금유닛(50)은 상기 타켓부재(53)와 제 1 및 제 2 필터(56)(57)를 지지하여 전해액(S)에 침지되는 도금조(58)를 더 포함할 수 있다. 즉, 상기 제 1 처리조(51) 내에 도금조(58)가 설치되는 것이다.

상기 세정유닛(60)은 상기 처리챔버(40)의 상부를 구성하며, 세정영역(R2)에 해당한다. 이러한 세정유닛(60)은 제 2 처리조(61), 제 1 및 제 2 노즐(67)(69)을 포함한다.

상기 제 2 처리조(61)는 상기 제 1 처리조(51)의 제 1 출입구(52)와 연통되기 위한 연결구(62)와 상기 제 1 출입구(52)와 마주하는 제 2 출입구(63)를 가진다. 즉, 상기 제 2 처리조(61)의 하부 및 상부에 연결구(62)와 제 2 출입구(63)가 관통 형성되는 것이다.

여기서, 상기 연결구(62)는 상기 제 1 처리조(51)의 외주면을 감싸도록 상기 제 1 출입구(52)로부터 이격되어 마련됨으로써, 상기 제 1 처리조(51)로부터 오버-플로우(over-flow)되는 전해액(S)을 수거함이 좋다. 그러나, 오버-플로우되는 전해액(S)을 수거할 수 있는 별도의 수거실이 마련될 경우, 상기 연결구(62)와 제 1 출입구(52)가 동일 직경을 가지고 직접 연결되는 변형예도 가능하다. 이렇게 오버-플로우된 전해액(S)은 제 2 처리조(61)의 측면에 관통되어 형성된 제 1 회수로(65)를 통해 외부로 회수된다.

또한, 상기 제 2 처리조(61)의 내주면에는 세정되는 기판(W)으로부터 세정제(C)를 수거하기 위한 가이드벽(64)이 마련된다. 이 가이드벽(64)은 소정각도 경사지게 마련된다. 상기 가이드벽(64)에 의해 가이드되어 수거된 세정제는 제 2 처리조(61)의 측면이 관통됨으로써 형성되는 제 2 회수로(66)를 통해 외부로 회수된다.

상기와 같은 구성에 의하면, 상기 제 1 및 제 2 처리조(51)(61)가 상호 연통 되어 상하 즉, 직립으로 설치됨으로써, 하나의 처리챔버(40)를 형성하게 된다.

상기 제 1 노즐(67)은 도 3의 도시와 같이, 상기 도금영역(R1)에서 표면에 금속막이 형성된 기판(W)을 세정하는 세정제(C)를 분사한다. 여기서, 상기 제 1 노즐(67)은 도 2 내지 도 4의 도시와 같이, B1 또는 B2방향으로 이동된다. 구체적으로, 상기 제 1 노즐(67)은 도 3의 도시와 같이, 기판(W)을 세정하기 위해 제 2 처리조(61)의 대략 중심을 향해 B1방향으로 진입하며, 도 4의 도시와 같이, B2방향으로 이동하여 대기위치로 원복된다. 이때, 상기 B2방향으로 제 1 노즐(67)이 이동된 위치는 상기 기판(W)의 이동을 간섭하지 않는 위치이다.

참고로, 상기 제 1 노즐(67)을 통해 분사되는 세정제(C)는 기판(W)을 린스하는 순수와 린스된 기판(W)을 건조하기 위한 건조가스를 포함한다.

상기 제 2 노즐(68)은 도 4의 도시와 같이, 세정된 기판(W)의 에지(edge)를 에칭하는 에칭제(E)를 분사한다. 이 제 2 노즐(68)은 C1방향으로 이동하여 기판(W)의 에지와 마주하며, 에지의 에칭공정이 완료되면 C2방향으로 이동하여 초기위치로 원복된다. 이때, 상기 C2방향으로 제 2 노즐(68)이 이동된 위치 또한, 상기 기판(W)의 이동을 간섭하지 않는 위치이다.

상기 이송유닛(80)은 상기 처리챔버(40)의 도금영역(R1)과 세정영역(R2) 사이로 기판(W)을 승하강시킨다. 이러한 이송유닛(80)은 척(81)과 구동부(84)를 포함한다.

상기 척(81)은 기판(W)을 지지하는 것으로서, 보다 구체적으로는 도금되지 않는 기판(W)의 후면을 지지한다. 그로 인해, 상기 기판(W)은 전면이 처리챔버(40) 의 하부를 향함으로써, 도금영역(R1)에 위치할 때에는 타켓부재(53)와 마주하고 세정영역(R2)에 위치할 때에는 제 1 및 제 2 노즐(67)(69)과 마주한다.

이러한 척(81)은 상기 기판(W)의 후면을 지지함과 아울러, 기판(W)을 회전시킨다. 이를 위해, 상기 척(81)의 중심은 축(83)과 연결되어 기판(W)을 지지한 채 승하강되거나 회전된다. 한편, 상기 척(81)과 기판(W) 사이에는 도 2의 도시와 같이, 음전극판(82)이 마련되어, 기판(W)에 음극을 인가한다. 이러한 구성에 의해, 상기 기판(W)은 정전기력에 의해 상기 척(81)에 부착된 상태로 이송 및 회전된다.

상기 구동부(84)는 상기 척(81)과 축(83)에 의해 연결되어, 기판(W)을 이송시키거나 회전시키는 구동력을 제공한다. 이러한 구동부(84)는 구체적으로 도시되어 있지 않으나, 일반적인 구동모터를 포함한다.

상기와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 기판도금장치의 도금 및 세정공정을 도 1 내지 도 4를 참고하여 설명한다.

우선, 도 1의 도시와 같이, 상기 보관부(10)로부터 보관되어 있던 기판(W)을 이송로봇(20)이 낱장으로 픽업하여 처리챔버(40)로 공급한다. 상기 처리챔버(40)로 공급된 기판(W)은 도 2의 도시와 같이, 세정영역(R2)에 해당하는 제 2 처리조(61)의 제 2 출입구(63)의 인근에서 이송유닛(80)의 척(81)에 부착된다. 상기 기판(W)의 후면을 지지하는 척(81)은 A1방향으로 하강하여, 제 1 및 제 2 처리조(51)(61)의 제 1 출입구(52)와 연결구(62)를 경유한 후, 전해액(S)에 침지된다.

그러면, 상기 기판(W)은 타켓부재(53)와 마주한 상태로 음전극판(82)에 의해 음극이 인가되며, 상기 타켓부재(53)는 양전극판(54)에 의해 양극이 인가된다. 그 로 인해, 상기 타켓부재(53)로부터 금속이온이 산화반응에 의해 산화되어 전해액(S) 상으로 녹아들며, 이 금속이온은 제 1 및 제 2 필터(56)(57)를 차례로 경유하여 기판(W)으로 이동된다. 이 후, 상기 기판(W)의 환원반응에 의해 기판(W)의 전면에 금속막이 형성됨으로써, 도금공정이 완료된다.

상기와 같이 도금공정이 완료된 기판(W)은 척(81)에 지지된 상태로, 도 3의 도시와 같이, A2방향으로 승강하여 세정영역(R2)인 제 2 처리조(61)에 위치하게 된다. 그러면, 상기 제 1 노즐(67)이 B1방향으로 이동하여 기판(W)의 대략 중앙에서 마주함으로써, 기판(W)의 금속막을 세정제(C)로 세정한다. 상기 기판(W)의 세정이 완료되면, 도 4의 도시와 같이, 상기 제 1 노즐(67)은 B2방향으로 이동하여 초기위치로 원복되며, 제 2 노즐(68)은 C1방향으로 이동하여 기판(W)의 에지와 마주하여 에칭제(E)를 분사한다. 이렇게 세정공정과 에칭공정이 완료된 기판(W)은 제 2 출입구(63)를 통해 처리챔버(40) 외부로 배출된다.

이와 같은 구성에 의하면, 하나의 처리챔버(40) 내부에서 기판(W)이 도금, 세정 및 에칭공정을 모두 수행할 수 있게 된다.

도 5를 참고하면, 본 발명의 다른 실시예에 의한 기판도금장치(1)가 개시된다. 개시된 다른 실시예에 의한 기판도금장치(1)는 보관부(10), 이송로봇(20), 처리챔버(40) 및 이송유닛(80)을 구비하며, 처리챔버(40)는 도금영역(R1)인 도금유닛(50)과 세정영역(R2)인 세정유닛(60)으로 구분된다. 또한, 상기 처리챔버(40)는 도금영역(R1)과 세정영역(R2) 사이에는 도어(90)가 설치된다.

즉, 도 5에 도시된 본 발명의 다른 실시예는 도어(90)를 제외한 기술구성이 도 1 내지 도 4를 참고하여 앞서 설명한 일 실시예에 의한 기판도금장치(1)와 유사한 기술구성을 가진다. 따라서, 본 발명이 다른 실시예를 설명함에 있어서, 일 실시예와 유사한 기술구성은 도 1 내지 도 4에 명시된 참조부호와 동일 참조부호를 부여하여 설명한다.

본 발명의 다른 실시예의 특징적 기술구성인 도어(90)에 의해 처리챔버(40)의 도금영역(R1)과 세정영역(R2) 사이가 개폐된다. 구체적으로, 도 5의 도시와 같이, 상기 기판(W)이 도금영역(R1)으로 진입하기 위해, 상기 도어(90)는 D1방향으로 이동하여 도금영역(R1)과 세정영역(R2) 사이를 개방시킨다. 상기 기판(W)의 도금이 완료되면, 도 6의 도시와 같이, 상기 기판(W)은 척(81)에 의해 A2방향으로 승강되며, 상기 도어(90)는 D2의 방향으로 이동하여 도금영역(R1)과 세정영역(R2) 사이를 폐쇄시킨다. 그로 인해, 도 6 및 도 7의 도시와 같이, 상기 기판(W)을 세정 및 에칭하는 동안에 제 1 및 제 2 노즐(67)(69)로부터 분사되는 세정제(C)와 에칭제(E)가 전해액(S)으로 유입됨이 방지된다.

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

도 1은 본 발명에 의한 기판도금장치를 개략적으로 도시한 구성도,

도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ선을 따라 절단하여 도금공정을 개략적으로 도시한 단면도,

도 3 및 도 4는 세정공정을 순차적으로 도시한 단면도,

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 의한 기판도금장치의 도금공정을 개략적으로 도시한 단면도, 그리고,

도 6 및 도 7은 다른 실시예에 의한 세정공정을 순차적으로 도시한 단면도이다.

<도면의 주요부분에 대한 부호설명>

1: 기판도금장치 10: 보관부

20: 이송로롯 30: 제어부

40: 처리챔버 50: 도금유닛

60: 세정유닛 80: 이송유닛

90: 도어

Claims (13)

1. 기판을 도금시키는 도금영역과, 상기 도금영역의 상부에 마련되어 도금된 상기 기판을 세정제로 세정시키는 세정영역을 구비하는 하나의 처리챔버; 및

   상기 처리챔버 내에서 상기 기판을 도금영역과 세정영역 사이에서 승하강 시킴과 아울러, 상기 기판을 회전시키는 이송유닛;

   을 포함하며,

   상기 처리챔버의 세정영역 내주면에는 상기 세정영역 내에서 상기 기판으로부터 분리되는 상기 세정제가 상기 도금영역으로 유입됨을 차단하도록 경사진 가이드벽이 설치되는 기판도금장치.
2. 삭제
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 도금영역에는, 음극이 인가되는 기판이 침지되는 전해액이 수용되며 상기 처리챔버의 하부를 형성하는 제 1 처리조 및, 상기 전해액에 침지되어 상기 기판과 마주하도록 양극이 인가되는 타켓부재가 마련되는 것을 특징으로 하는 기판도금장치.
4. 제 3 항에 있어서,

   상기 타켓부재와 기판 사이에는 상기 타켓부재로부터 발생된 금속이온을 여과하여 상기 기판으로 분배하는 필터부가 설치되는 것을 특징으로 하는 기판도금장치.
5. 제 3 항에 있어서,

   상기 세정영역에는, 상기 처리챔버의 상부를 형성하는 제 2 처리조, 상기 세정제를 분사하는 제 1 노즐 및, 도금된 상기 기판의 에지(edge)를 에칭하는 에칭제를 분사하는 제 2 노즐이 마련되는 것을 특징으로 하는 기판도금장치.
6. 제 5 항에 있어서,

   상기 가이드벽은 상기 제 1 및 제 2 노즐로부터 분사되는 상기 세정제와 에칭제를 동시에 회수하는 것을 특징으로 하는 기판도금장치.
7. 제 1 항, 제 3 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 도금영역과 상기 세정영역 사이에는 도어가 설치되는 것을 특징으로 하는 기판도금장치.
8. 도금영역을 형성시키는 제 1 처리조를 구비하여, 기판에 금속막을 형성시키는 도금유닛;

   상기 제 1 처리조와 연통하도록 상기 제 1 처리조의 개방된 상부에 적층 설치되는 제 2 처리조를 구비하여, 상기 금속막이 형성된 기판을 세정제로 세정시키는 세정유닛; 및

   상기 제 1 및 제 2 처리조 사이에서 상기 기판을 승하강시킴과 아울러, 상기 기판을 회전시키는 이송유닛;

   을 포함하며,

   상기 제 2 처리조의 내주면에는 상기 기판으로부터 분리되는 상기 세정제가 상기 제 1 처리조로 유입됨을 차단하도록 경사진 가이드벽이 설치되는 기판도금장치.
9. 제 8 항에 있어서,

   상기 도금유닛은,

   음극이 인가되는 상기 기판이 침지되는 전해액이 수용되고, 상기 기판 출입을 위한 제 1 출입구가 상부에 마련되는 상기 제 1 처리조; 및

   상기 전해액에 침지되어, 양극 인가시 상기 전해액 상으로 금속이온을 발생시키는 타켓부재;

   를 포함하는 기판도금장치.
10. 제 9 항에 있어서,

    상기 도금유닛은 상기 기판과 상기 타켓부재 사이에 설치되는 필터부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판도금장치.
11. 제 9 항에 있어서,

    상기 세정유닛은,

    상기 제 1 처리조의 제 1 출입구와 연결되는 연결구와, 상기 제 1 출입구와 마주하여 상기 기판이 출입되는 제 2 출입구를 가지는 상기 제 2 처리조;

    상기 기판의 금속막으로 상기 세정제를 분사하는 제 1 노즐; 및

    상기 기판의 금속막 에지(edge)를 에칭하는 에칭제를 분사하는 제 2 노즐;

    을 포함하는 기판도금장치.
12. 제 11 항에 있어서,

    상기 가이드벽은 상기 제 1 및 제 2 노즐로부터 분사되는 상기 세정제와 에칭제를 동시에 회수하도록 상기 제 2 처리조의 내주면에 형성되는 것을 특징으로 하는 기판도금장치.
13. 제 8 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 도금유닛과 상기 세정유닛 사이를 개폐하는 도어를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판도금장치.

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