JP7199618B1 - めっき方法、及び、めっき装置 - Google Patents

Abstract

めっき方法は、基板に導通可能に接触するコンタクト部材を含む基板ホルダを備えるめっき装置により、前記基板のめっき処理を行うめっき方法であって、前記基板ホルダが傾斜した状態で、前記基板ホルダを第１回転速度で回転させるステップと、前記コンタクト部材に液体が供給されるように、前記第１回転速度で回転する前記基板ホルダに向けて前記液体の吐出を行うステップと、前記液体の前記吐出を停止するステップと、前記液体の前記吐出を停止する前または以後の所定の時間内に、前記基板ホルダを水平位置へと傾斜の減少を開始するステップと、前記基板ホルダが前記水平位置にある状態で、前記基板ホルダを前記第１回転速度よりも速い第２回転速度で回転させるステップと、前記基板ホルダに前記基板が取り付けられた後、前記基板に前記めっき処理を行うステップと、を含む。

Description

本発明は、めっき方法、及び、めっき装置に関する。

めっき装置の一例としてカップ式の電解めっき装置が知られている。カップ式の電解めっき装置は、被めっき面を下方に向けて基板ホルダに保持された基板（例えば半導体ウェハ）をめっき液に浸漬させ、基板とアノードとの間に電圧を印加することによって、基板の表面に導電膜を析出させる（特許文献１および２参照）。

このようなめっき装置の基板ホルダには、基板に接触して給電するためのコンタクト部材が設置されている。また、基板ホルダは、めっき処理中にコンタクト部材にめっき液が接触しないようにシールするシール部材を備える。

日本国特許第７０４７２００号公報 日本国特許第７０８１０６３号公報 米国特許出願公開第２０１７／００５６９３４号明細書

コンタクト部材に汚れが存在したり、めっき液が付着していたりすると、めっき処理の際に給電ばらつきが生じ、形成されるめっきの厚さの均一性が低下する。特許文献３では、電気コンタクトに洗浄液を噴出する洗浄装置が記載されている。特許文献１および２では、コンタクト部材の全体を均一に洗浄液で濡らすことにより、めっき処理時に給電ばらつきが生じないようにしている。煩雑な作業を必要とせず、より確実に、めっき処理の際の給電ばらつきを低減できることが望ましい。

本発明は上記問題に鑑みてなされたものである。その目的の一つは、煩雑な作業を必要とせず、より確実に、めっき処理の際の給電ばらつきを低減し、基板に形成されるめっきの厚さの均一性を向上させることができるめっき方法、及び、めっき装置を提案することである。

本発明の一形態によれば、基板に導通可能に接触するコンタクト部材を含む基板ホルダを備えるめっき装置により、前記基板のめっき処理を行うめっき方法が提案される。めっき方法は、前記基板ホルダを傾斜させるステップと、前記基板ホルダが傾斜した状態で、前記基板ホルダを第１回転速度で回転させるステップと、前記コンタクト部材に液体が供給されるように、前記第１回転速度で回転する前記基板ホルダに向けて前記液体の吐出を行うステップと、前記液体の前記吐出を停止するステップと、前記液体の前記吐出を停止する前または以後の所定の時間内に、前記基板ホルダを水平位置へと傾斜の減少を開始するステップと、前記基板ホルダが前記水平位置にある状態で、前記基板ホルダを前記第１回転速度よりも速い第２回転速度で回転させるステップと、前記基板ホルダの前記第２回転速度の回転を停止するステップと、前記回転が停止された前記基板ホルダに前記基板を取り付けるステップと、取り付けられた前記基板に前記めっき処理を行うステップと、を含む。

本発明の他の一形態によれば、基板に導通可能に接触するコンタクト部材を含む基板ホルダと、制御装置とを備えるめっき装置が提供される。このめっき装置の制御装置は、前記基板ホルダを傾斜させ、前記基板ホルダが傾斜した状態で、前記基板ホルダを第１回転速度で回転させ、前記コンタクト部材に液体が供給されるように、前記第１回転速度で回転する前記基板ホルダに向けて前記液体の吐出を行い、前記液体の前記吐出を停止し、前記液体の前記吐出の停止の前または以後の所定の時間内に、前記基板ホルダを水平位置へと傾斜の減少を開始し、前記基板ホルダが前記水平位置にある状態で、前記基板ホルダを前記第１回転速度よりも速い第２回転速度で回転させ、前記基板ホルダの前記第２回転速度の回転を停止し、前記回転が停止された前記基板ホルダに前記基板を取り付け、取り付けられた前記基板に前記めっき処理を行うように構成されている。

図１は、本実施形態のめっき装置の全体構成を示す斜視図である。 図２は、本実施形態のめっき装置の全体構成を示す平面図である。 図３は、本実施形態のめっきモジュールの構成を模式的に示す縦断面図である。 図４は、本実施形態の基板ホルダを模式的に示す断面図である。 図５は、本実施形態のコンタクト部材を模式的に示す基板ホルダの断面図である。 図６は、本実施形態の制御モジュールの構成を示す概念図である。 図７は、本実施形態のめっき方法の流れを示すフローチャートである。 図８は、本実施形態におけるコンタクト部材への液体供給処理の流れを示すフローチャートである。 図９は、基板ホルダを傾斜させるステップを模式的に示す断面図である。 図１０は、基板ホルダを第１回転速度で回転させるステップを模式的に示す断面図である。 図１１は、基板ホルダへ向けて液体を吐出するステップを模式的に示す断面図である。 図１２は、基板ホルダの傾斜を減少させ、基板ホルダが水平位置にある状態を模式的に示す断面図である。 図１３は、コンタクト部材に供給された液体を模式的に示す断面図である。 図１４は、基板ホルダを第１回転速度で回転させるステップを模式的に示す断面図である。 図１５は、コンタクト部材に供給された液体を模式的に示す断面図である。 図１６は、変形例１における、基板ホルダへの液体の吐出を模式的に示す断面図である。 図１７は、変形例２における、基板ホルダへの液体の吐出を模式的に示す断面図である。 図１８は、変形例３における、基板ホルダへの液体の吐出を模式的に示す平面図である。 図１９は、変形例３における、基板ホルダへの液体の吐出を模式的に示す側面図である。

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。以下で説明する図面において、同一の又は相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。

＜めっき装置の全体構成＞
図１は、本実施形態のめっき装置１０００の全体構成を示す斜視図である。図２は、めっき装置１０００の全体構成を示す平面図である。図１および図２に示すように、めっき装置１０００は、ロードポート１００、搬送ロボット１１０、アライナ１２０、プリウェットモジュール２００、プリソークモジュール３００、めっきモジュール４００、洗浄モジュール５００、スピンリンスドライヤ６００、搬送装置７００、および、制御モジュール８００を備える。

ロードポート１００は、めっき装置１０００に図示していないＦＯＵＰなどのカセットに収納された基板を搬入したり、めっき装置１０００からカセットに基板を搬出するためのモジュールである。本実施形態では４台のロードポート１００が水平方向に並べて配置されているが、ロードポート１００の数および配置は任意である。搬送ロボット１１０は、基板を搬送するためのロボットであり、ロードポート１００、アライナ１２０、および搬送装置７００の間で基板を受け渡すように構成される。搬送ロボット１１０および搬送装置７００は、搬送ロボット１１０と搬送装置７００との間で基板を受け渡す際には、図示していない仮置き台を介して基板の受け渡しを行うことができる。

アライナ１２０は、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせるためのモジュールである。本実施形態では２台のアライナ１２０が水平方向に並べて配置されているが、アライナ１２０の数および配置は任意である。プリウェットモジュール２００は、めっき処理前の基板の被めっき面を純水または脱気水などの処理液（プリウェット液）で濡らすことで、基板表面に形成されたパターン内部の空気を処理液に置換する。プリウェットモジュール２００は、めっき時にパターン内部の処理液をめっき液に置換することでパターン内部にめっき液を供給しやすくするプリウェット処理を施すように構成される。本実施形態では２台のプリウェットモジュール２００が上下方向に並べて配置されているが、プリウェットモジュール２００の数および配置は任意である。

プリソークモジュール３００は、例えばめっき処理前の基板の被めっき面に形成したシード層表面等に存在する電気抵抗の大きい酸化膜を硫酸や塩酸などの処理液でエッチング除去してめっき下地表面を洗浄または活性化するプリソーク処理を施すように構成される。本実施形態では２台のプリソークモジュール３００が上下方向に並べて配置されているが、プリソークモジュール３００の数および配置は任意である。めっきモジュール４００は、基板にめっき処理を施す。本実施形態では、上下方向に３台かつ水平方向に４台並べて配置された１２台のめっきモジュール４００のセットが２つあり、合計２４台のめっきモジュール４００が設けられているが、めっきモジュール４００の数および配置は任意である。

洗浄モジュール５００は、めっき処理後の基板に残るめっき液等を除去するために基板に洗浄処理を施すように構成される。本実施形態では２台の洗浄モジュール５００が上下方向に並べて配置されているが、洗浄モジュール５００の数および配置は任意である。スピンリンスドライヤ６００は、洗浄処理後の基板を高速回転させて乾燥させるためのモジュールである。本実施形態では２台のスピンリンスドライヤが上下方向に並べて配置されているが、スピンリンスドライヤの数および配置は任意である。搬送装置７００は、めっき装置１０００内の複数のモジュール間で基板を搬送するための装置である。制御モジュール８００は、めっき装置１０００の複数のモジュールを制御するように構成され、例えばオペレータとの間の入出力インターフェースを備える一般的なコンピュータまたは専用コンピュータから構成することができる。

めっき装置１０００による一連のめっき処理の一例を説明する。まず、ロードポート１００にカセットに収納された基板が搬入される。続いて、搬送ロボット１１０は、ロードポート１００のカセットから基板を取り出し、アライナ１２０に基板を搬送する。アライナ１２０は、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせる。搬送ロボット１１０は、アライナ１２０で方向を合わせた基板を搬送装置７００へ受け渡す。

搬送装置７００は、搬送ロボット１１０から受け取った基板をプリウェットモジュール２００へ搬送する。プリウェットモジュール２００は、基板にプリウェット処理を施す。搬送装置７００は、プリウェット処理が施された基板をプリソークモジュール３００へ搬送する。プリソークモジュール３００は、基板にプリソーク処理を施す。搬送装置７００は、プリソーク処理が施された基板をめっきモジュール４００へ搬送する。めっきモジュール４００は、基板にめっき処理を施す。

搬送装置７００は、めっき処理が施された基板を洗浄モジュール５００へ搬送する。洗浄モジュール５００は、基板に洗浄処理を施す。搬送装置７００は、洗浄処理が施された基板をスピンリンスドライヤ６００へ搬送する。スピンリンスドライヤ６００は、基板に乾燥処理を施す。搬送装置７００は、乾燥処理が施された基板を搬送ロボット１１０へ受け渡す。搬送ロボット１１０は、搬送装置７００から受け取った基板をロードポート１００のカセットへ搬送する。最後に、ロードポート１００から基板を収納したカセットが搬出される。

＜めっきモジュールの構成＞
次に、めっきモジュール４００の構成を説明する。本実施形態における２４台のめっきモジュール４００は同一の構成であるので、１台のめっきモジュール４００のみを説明する。図３は、本実施形態のめっきモジュール４００の構成を概略的に示す縦断面図である。図３に示すように、めっきモジュール４００は、めっき液を収容するためのめっき槽４１０を備える。めっき槽４１０は、円筒状の側壁と円形の底壁とを有する容器であり、上部には円形の開口が形成されている。また、めっきモジュール４００は、めっき槽４１０の上部開口の外側に配置されたオーバーフロー槽４０５を備える。オーバーフロー槽４０５は、めっき槽４１０の上部開口から溢れためっき液を受けるための容器である。

めっきモジュール４００は、めっき槽４１０の内部を上下方向に隔てるメンブレン４２０を備える。めっき槽４１０の内部はメンブレン４２０によってカソード領域４２２とアノード領域４２４に仕切られる。カソード領域４２２とアノード領域４２４にはそれぞれめっき液が充填される。アノード領域４２４のめっき槽４１０の底面にはアノード４３０が設けられる。カソード領域４２２にはメンブレン４２０に対向して抵抗体４５０が配置される。抵抗体４５０は、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａにおけるめっき処理の均一化を図るための部材であり、多数の孔が形成された板状部材によって構成される。所望の精度でめっき処理を行うことができれば、めっき槽４１０に抵抗体４５０が配置されなくてもよい。

めっき液としては、めっき皮膜を構成する金属元素のイオンを含む溶液であればよく、その具体例は特に限定されるものではない。めっき処理の一例として、銅めっき処理を用いることができ、めっき液の一例として、硫酸銅溶液を用いることができる。また、本実施形態において、めっき液には所定の添加剤が含まれている。但し、この構成に限定されるものではなく、めっき液は添加剤を含んでいない構成とすることもできる。

アノード４３０の具体的な種類は特に限定されるものではなく、溶解アノードや不溶解アノードを用いることができる。本実施形態においては、アノード４３０として不溶解アノードを用いている。この不溶解アノードの具体的な種類は特に限定されるものではなく、白金や酸化イリジウム等を用いることができる。

また、めっきモジュール４００は、被めっき面Ｗｆ－ａを下方に向けた状態で基板Ｗｆを保持するための基板ホルダ４４０を備える。めっきモジュール４００は、基板ホルダ４４０を昇降させるための第１昇降機構４４２を備える。第１昇降機構４４２は、例えば直動式のアクチュエータなどの公知の機構によって実現することができる。また、めっきモジュール４００は、被めっき面Ｗｆ－ａの中央を垂直に伸びる仮想的な回転軸周りに基板Ｗｆが回転するように基板ホルダ４４０を回転させるための回転機構４４６を備える。回転機構４４６は、例えばモータなどの公知の機構によって実現することができる。

めっきモジュール４００は、第１昇降機構４４２を用いて基板Ｗｆをカソード領域４２２のめっき液に浸漬し、回転機構４４６を用いて基板Ｗｆを回転させながら、アノード４３０と基板Ｗｆとの間に電圧を印加することによって、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａにめっき処理を施すように構成される。

また、めっきモジュール４００は、基板ホルダ４４０を傾斜させるように構成された傾斜機構４４７を備える。傾斜機構４４７は、例えばチルト機構などの公知の機構によって実現することができる。

めっきモジュール４００は、基板ホルダ４４０の後述するコンタクト部材に液体Ｌ１を供給する液体供給装置４７０を備える。液体供給装置４７０は、基板ホルダ４４０に向けて液体Ｌ１を吐出することにより、コンタクト部材に液体Ｌ１を供給するように構成されている。コンタクト部材に供給された液体Ｌ１は、コンタクト部材の少なくとも一部を被覆するように構成される。液体供給装置４７０は、アーム４７４と、駆動機構４７６と、トレー部材４７８と、液体供給ノズル４８２とを備える。

液体Ｌ１は、コンタクト部材を保護する効果があればその組成は特に限定されない。液体Ｌ１は、所定の値以下の電気伝導度を有するか、または、脱気処理されていることが好ましい。

液体Ｌ１の電気伝導度は、５０μＳ／ｃｍ以下が好ましく、１０μＳ／ｃｍ以下がより好ましい。電気伝導度が高い液体がコンタクト部材および基板Ｗｆの周りに存在すると、コンタクト部材と基板Ｗｆの接触部分を通る電流のほかにも、当該接触部分を通らず当該液体を通って基板Ｗｆのシード層とコンタクト部材との間でシャント電流が流れ得る。この場合、シード層の銅がイオン化して溶け出す等によりシード層が薄くなって電気抵抗が増加し、給電ばらつきが生じ得る。液体Ｌ１の電気伝導度が低いと、このような給電ばらつきを抑制することができる。なお、シャント電流に関する詳細は、上述の特許文献２を参照されたい。

酸素を含む液体がコンタクト部材および基板Ｗｆの周りに存在すると、酸素がイオン化し、シード層が当該液体に溶け出す局部電池効果が起こり得る。例えば、シード層の銅が溶存酸素に電子を与え、溶存酸素から水酸化物イオンが生じると共に、銅が銅イオンとなって溶け出す。局部電池効果により、シード層が薄くなって電気抵抗が増加し、給電ばらつきが生じ得る。液体Ｌ１に脱気処理がされていると、このような給電ばらつきを抑制することができる。なお、局部電池効果に関する詳細は、上述の特許文献２を参照されたい。

これらの観点から、液体Ｌ１は、純水、イオン交換水または脱気水とすることがより好ましい。

液体供給ノズル４８２は、液体Ｌ１を吐出する。液体供給ノズル４８２は、コンタクト部材の被覆のため液体Ｌ１を吐出するほか、液体Ｌ１を洗浄液として適宜コンタクト部材を洗浄してもよい。液体供給ノズル４８２には不図示の配管が接続され、液体供給ノズル４８２は、不図示の液源から配管を介して導入され供給された液体Ｌ１を吐出する。液体供給装置４７０を用いた液体Ｌ１の供給の詳細は後述する。

液体供給装置４７０は、アーム４７４を旋回させるように構成された駆動機構４７６を備える。駆動機構４７６は、例えばモータなどの公知の機構によって実現することができる。アーム４７４は、駆動機構４７６から水平方向に伸びる板状の部材である。液体供給ノズル４８２は、アーム４７４上に保持されている。駆動機構４７６は、アーム４７４を旋回させることによって、液体供給ノズル４８２を、めっき槽４１０と基板ホルダ４４０との間の供給位置と、めっき槽４１０と基板ホルダ４４０との間から退避した退避位置と、の間で移動させるように構成されている。

液体供給装置４７０は、液体供給ノズル４８２の下方に配置されたトレー部材４７８を備える。トレー部材４７８は、液体供給ノズル４８２から吐出されてコンタクト部材に供給された後に落下した液体Ｌ１を受けるように構成されている。本実施形態では、液体供給ノズル４８２およびアーム４７４がトレー部材４７８に収容されている。駆動機構４７６は、液体供給ノズル４８２、アーム４７４、およびトレー部材４７８を共に、供給位置と退避位置との間で旋回させるように構成されている。ただし、駆動機構４７６は、液体供給ノズル４８２およびアーム４７４と、トレー部材４７８と、を別々に駆動できるようになっていてもよい。

図４は、基板ホルダ４４０を模式的に示す縦断面図である。基板ホルダ４４０は、基板Ｗｆを支持する支持部４９０と、支持部４９０とともに基板Ｗｆを挟持するためのバックプレートアッシー４９２と、バックプレートアッシー４９２から鉛直に上に伸びる回転シャフト４９１と、を備える。支持部４９０は、第１上部部材４９３と、第２上部部材４９６と、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａの外周部を支持するための支持機構４９４と、を備える。第１上部部材４９３は、第２上部部材４９６を保持する。図示の例では第1上部部材４９３は略水平方向に、第２上部部材４９６は略鉛直方向に延びているが、これらに限定されない。支持機構４９４は、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａを露出させるための開口を中央に有する環状部材であり、第２上部部材４９６によって吊り下げ保持されている。第２上部部材４９６は、支持機構４９４の環状の上面に１以上設置された柱部材とすることができる。

バックプレートアッシー４９２は、支持機構４９４とともに基板Ｗｆを挟持するための円板状のフローティングプレート４９２－２を備える。フローティングプレート４９２－２は、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａの裏面側に配置される。また、バックプレートアッシー４９２は、フローティングプレート４９２－２の上方に配置された円板状のバックプレート４９２－１を備える。また、バックプレートアッシー４９２は、フローティングプレート４９２－２を基板Ｗｆの裏面から離れる方向に付勢するためのフローティング機構４９２－４と、フローティング機構４９２－４による付勢力に抗してフローティングプレート４９２－２を基板Ｗｆの裏面に押圧するための押圧機構４９２－３と、を備える。

フローティング機構４９２－４は、フローティングプレート４９２－２からバックプレート４９２－１を貫通して上方に伸びるシャフトの上端とバックプレート４９２－１との間に取り付けられた圧縮ばねを含む。フローティング機構４９２－４は、圧縮ばねの圧縮反力によってシャフトを介してフローティングプレート４９２－２を上方へ持ち上げ、基板Ｗｆの裏面から離れる方向へ付勢させるように構成される。フローティング機構４９２－４は、以降の図では図示を省略する。

押圧機構４９２－３は、バックプレート４９２－１の内部に形成された流路を介してフローティングプレート４９２－２に流体を供給することにより、フローティングプレート４９２－２を下方に押圧するように構成される。押圧機構４９２－３は、流体が供給されているときには、フローティング機構４９２－４による付勢力よりも強い力で基板Ｗｆを支持機構４９４へ押圧する。

第１昇降機構４４２は、基板ホルダ４４０の全体を上昇および下降させる（矢印Ａ１０）。めっきモジュール４００は、第２昇降機構４４３をさらに備える。第２昇降機構４４３は、直動式のアクチュエータなどの公知の機構により駆動され、支持部４９０に対して、回転シャフト４９１およびバックプレートアッシー４９２を上昇および下降させる（矢印Ａ２０）。

図５は、基板ホルダ４４０の構成の一部を拡大して模式的に示す縦断面図である。支持機構４９４は、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａの外周部を支持するための環状の支持部材４９４－１を含む。支持部材４９４－１は、バックプレートアッシー４９２（フローティングプレート４９２－２）の下面の外周部に付き出すフランジ４９４－１ａを有する。フランジ４９４－１ａの上には環状のシール部材４９４－２が配置される。シール部材４９４－２は弾性を有する部材である。支持部材４９４－１は、シール部材４９４－２を介して基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａの外周部を支持する。基板Ｗｆをめっき処理するときには、シール部材４９４－２とフローティングプレート４９２－２とで基板Ｗｆを挟持することにより、支持部材４９４－１（基板ホルダ４４０）と基板Ｗｆとの間がシールされる。

支持機構４９４は、支持部材４９４－１の内周面に取り付けられた環状の台座４９４－３と、台座４９４－３の上面に取り付けられた環状の導電部材４９４－５と、を備える。台座４９４－３は、導電性を有する部材であり、例えばステンレスまたはその他の金属を含むことができる。導電部材４９４－５は、導電性を有する環状部材であり、例えば銅またはその他の金属を含むことができる。

支持機構４９４は、基板Ｗｆに給電するためのコンタクト部材４９４－４を備える。コンタクト部材４９４－４は、台座４９４－３の内周面にネジ等によって環状に取り付けられている。コンタクト部材４９４－４の形状は、基板Ｗｆに給電が可能なら特に限定されない。例えば、アーチ状の複数のコンタクト部材４９４－４が環状に並んで配置されてもよい。支持部材４９４－１は、台座４９４－３を介してコンタクト部材４９４－４を保持している。コンタクト部材４９４－４は、図示していない電源から基板ホルダ４４０に保持された基板Ｗｆに給電するための導電性を有する部材である。コンタクト部材４９４－４は、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａの外周部に接触する複数の基板接点４９４－４ａと、基板接点４９４－４ａよりも上方に延伸する本体部４９４－４ｂと、を有する。コンタクト部材４９４－４は、基板接点４９４－４ａを介して導通可能に基板Ｗｆに接触する。

図６は、制御モジュール８００を説明するための概念図である。制御モジュール８００は、めっきモジュール４００の動作を制御する制御装置として機能する。制御モジュール８００は、マイクロコンピュータ等のコンピュータを備えており、このコンピュータは、プロセッサとしてのＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）８０１や、一時的なまたは非一時的な記憶媒体としてのメモリ８０２、等を備えている。制御モジュール８００は、ＣＰＵ８０１が動作することで、めっきモジュール４００の被制御部を制御する。ＣＰＵ８０１は、メモリ８０２に記憶されたプログラムを実行するか、または不図示の記憶媒体に記憶されたプログラムをメモリ８０２に読み込んで実行することにより各種処理を行うことができる。プログラムは、例えば、搬送ロボット、搬送装置の搬送制御、各処理モジュールにおける処理の制御、めっきモジュール４００におけるめっき処理の制御、液体供給処理の制御を実行するプログラム、各種機器の異常を検出するプログラムを含む。記憶媒体としては、例えば、コンピュータで読み取り可能なＲＯＭ、ＲＡＭ、フラッシュメモリなどのメモリ、ハードディスク、ＣＤ－ＲＯＭ、ＤＶＤ－ＲＯＭやフレキシブルディスクなどのディスク状記憶媒体、またはソリッド・ステート・ドライブなどの公知のものが使用され得る。制御モジュール８００は、めっき装置１０００及びその他の関連装置を統括制御する図示しない上位コントローラと通信可能に構成され、上位コントローラが有するデータベースとの間でデータのやり取りをすることができる。制御モジュール８００の一部又は全部の機能は、ＡＳＩＣ等のハードウェアで構成することができる。制御モジュール８００の一部又は全部の機能は、ＰＬＣ、シーケンサ等で構成してもよい。制御モジュール８００の一部又は全部は、めっき装置の筐体の内部及び／又は外部に配置することができる。制御モジュール８００の一部又は全部は、有線及び／又は無線によりめっき装置の各部と通信可能に接続される。

図７は、本実施形態のめっき方法の流れを示すフローチャートである。このめっき方法は、制御モジュール８００の制御により行われる。

ステップＳ１１では、プリウェットモジュール２００において、被めっき面Ｗｆ－ａにシード層が設けられた基板Ｗｆにプリウェット処理が行われる。プリウェット処理では、めっき処理前の基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａを、純水または脱気水などの処理液で濡らすことで、基板表面に形成されたレジストパターン内部の空気を処理液に置換する。ステップＳ１１の後は、ステップＳ１２が行われる。

ステップＳ１２では、プリソークモジュール３００において、基板Ｗｆにプリソーク処理が行われる。プリソーク処理では、例えばシード層表面等に存在する電気抵抗の大きい酸化膜を硫酸や塩酸等の処理液でエッチング除去してめっき下地表面を洗浄または活性化する。なお、プリソーク処理後に、基板Ｗｆを純水又は脱気水などの処理液で洗浄してもよい。プリウェット処理後の基板Ｗｆはこれらの処理液で濡れており、基板Ｗｆの表面のレジストパターンの開口内はこれらの処理液で満たされる。ステップＳ１２の後は、ステップＳ１３が行われる。ステップＳ１２は、省略してもよく、めっき装置１０００はプリソークモジュール３００を備えなくともよい。

ステップＳ１３では、めっきモジュール４００において、基板Ｗｆにめっき処理が行われる。制御モジュール８００の制御により、第１昇降機構４４２および、基板ホルダ４４０を水平に移動させる不図示の水平移動機構が基板ホルダ４４０を基板Ｗｆの位置まで移動させ、ステップＳ１１またはＳ１２の処理液で濡れている基板Ｗｆが、基板ホルダ４４０に取り付けられる。このとき、基板ホルダ４４０は、後述するステップＳ１５により、コンタクト部材４９４－４に液体Ｌ１が供給され、コンタクト部材４９４－４の少なくとも一部が液体Ｌ１により被覆された状態となっている。基板ホルダ４４０に基板Ｗｆが取り付けられた後、第１昇降機構４４２により基板ホルダ４４０が下降して基板Ｗｆがめっき液に浸漬される。その後、アノード４３０と基板Ｗｆとの間に電圧が印加され、めっき処理が行われる。

本実施形態のめっき処理では、コンタクト部材４９４－４の基板接点４９４－４ａ等が液体Ｌ１で覆われているため、局部電池効果またはシャント電流に起因する給電ばらつきが抑制される。さらに、基板ホルダ４４０に基板Ｗｆが取り付けられたときに、基板Ｗｆの外周部とコンタクト部材４９４－４とが接する領域において濡れている部分と乾いている部分があると給電ばらつきの原因となるが、本実施形態では液体Ｌ１によるコンタクト部材４９４－４の均一な被覆により抑制される。また、濡れている部分と乾いている部分が生じるのを抑制するため、プリウェット処理またはプリソーク処理で濡れた基板Ｗｆを乾燥させる必要もなく、この乾燥で被めっき面Ｗｆ－ａまで乾燥してしまうことが原因のめっき不良も防止できる。加えて、基板Ｗｆの外周部とコンタクト部材４９４－４とが接する領域の局所的な汚れによる給電ばらつきも、液体Ｌ１によるコンタクト部材４９４－４の洗浄または被覆により抑制できる。ステップＳ１３の後は、ステップＳ１４が行われる。

ステップＳ１４では、めっき処理が行われた基板Ｗｆを洗浄する基板洗浄処理が行われる。めっき処理後に基板ホルダ４４０をめっき槽４１０のめっき液の液面上方に上昇させ、不図示の洗浄液ノズルから供給される洗浄液により基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａを洗浄する。このとき、基板ホルダ４４０及び／又は洗浄液ノズルを回転させ、洗浄液が基板Ｗｆに均一にかかるようにしてもよい。この基板洗浄処理により、基板Ｗｆに付着しているめっき液を回収し、適宜再利用することができる、及び／又は基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａを濡らすことにより被めっき面Ｗｆ－ａが乾燥するのを防止することができる。洗浄液は、例えば、純水、脱気水のほか、プリウェット処理、プリソーク処理、洗浄等の処理に使用される液体とすることができる。基板洗浄処理に供した基板Ｗｆは、基板ホルダ４４０から取り外され、洗浄モジュール５００およびスピンリンスドライヤ６００に順に搬送され、洗浄処理および乾燥処理に供された後、ロードポート１００のカセットに搬送される。ステップＳ１４の後は、ステップＳ１５が行われる。

ステップＳ１５において、コンタクト部材４９４－４への液体供給処理が行われる。図８は、液体供給処理の流れを示すフローチャートである。ステップＳ１５０１において、制御モジュール８００は、傾斜機構４４７を制御して、基板Ｗｆが配置されていない基板ホルダ４４０を傾斜させる。後述のステップＳ１５０３でコンタクト部材４９４－４に液体Ｌ１が供給されれば、傾斜の角度は特に限定されない。例えば、基板ホルダ４４０は、水平から３度～７度、好ましくは５度傾斜した状態まで傾斜し得る。ここで、基板ホルダ４４０の傾斜とは、基板ホルダ４４０に配置可能な基板Ｗｆの傾斜を指し、例えばフローティングプレート４９２－２の下面の、水平からの角度により表される。

図９は、ステップＳ１５０１を説明するための概念図である。傾斜機構４４７により、支持部４９０およびバックプレートアッシー４９２を含む基板ホルダ４４０全体が傾斜する。ステップＳ１５０１の後は、ステップＳ１５０２が行われる。

ステップＳ１５０２において、制御モジュール８００は、回転機構４４６を制御して、傾斜した状態の基板ホルダ４４０を第１回転速度で回転させる。以下では、ステップＳ１５０２での回転を第１回転と呼ぶ。第１回転速度は、８ｒｐｍ以上が好ましく、１０ｒｐｍ以上がより好ましい。第１回転速度が小さくなると、基板ホルダ４４０から液体Ｌ１の大部分が重力により傾斜に沿って落下し、コンタクト部材４９４－４を液体Ｌ１により十分に被覆することができない場合がある。第１回転速度は、１５ｒｐｍ以下が好ましく、１２ｒｐｍ以下がより好ましい。第１回転速度が大きくなると、シール部材４９４－２上方のコンタクト部材４９４－４が配置されている領域から、あふれた液体Ｌ１がより広い範囲に飛散し得る。この場合、液体Ｌ１がトレー部材４７８から外れめっき槽４１０に落下してめっき液を薄める等の悪影響を生じる。これらの観点から、第１回転速度は、８ｒｐｍ以上１５ｒｐｍ以下が好ましく、１０ｒｐｍ以上１２ｒｐｍ以下がより好ましい。

図１０は、ステップＳ１５０２を説明するための概念図である。図１０では、基板ホルダ４４０の第１回転を矢印Ａ３０で模式的に示した。ステップＳ１５０２の後は、ステップＳ１５０３が行われる。

ステップＳ１５０３において、制御モジュール８００は、液体供給装置４７０を制御して、基板ホルダ４７０に向けて液体Ｌ１の吐出を行う。液体Ｌ１の吐出は、コンタクト部材４９４－４に液体Ｌ１が供給されるように行われる。例えば、液体Ｌ１がコンタクト部材４９４－４に直接当たるように、コンタクト部材４９４－４に向けて液体供給ノズル４８２から液体Ｌ１が吐出される。液体Ｌ１が吐出された状態で、少なくとも１周以上、基板ホルダ４４０が第１回転速度で回転されることが好ましい。供給された液体Ｌ１は、コンタクト部材４９４－４の少なくとも一部を被覆する。

図１１は、ステップＳ１５０３を説明するための概念図である。駆動装置４７６によりアーム４７４およびトレー部材４７８が駆動されて液体供給ノズル４８２が供給位置に移動すると、コンタクト部材４９４－４に液体Ｌ１が供給されるように、液体供給ノズル４８２から液体Ｌ１が吐出される。ステップＳ１５０３の後は、ステップＳ１５０４が行われる。ステップＳ１５０３では、コンタクト部材４９４－４に液体を供給するほか、簡素な構成でコンタクト部材４９４－４を洗浄することもできる。

ステップＳ１５０４において、制御モジュール８００は、液体供給装置４７０を制御して液体Ｌ１の吐出を停止すると共に、傾斜機構４４７を制御して基板ホルダ４４０を水平位置へと傾斜の減少を開始する。ここで、基板ホルダ４４０の傾斜の減少の開始は、液体Ｌ１の吐出が停止する前または以後の所定の時間内に行われる。

液体Ｌ１の吐出を停止するステップを吐出停止ステップ、基板ホルダ４４０の傾斜の減少を開始するステップを傾斜減少ステップと呼ぶ。吐出停止ステップの後、傾斜減少ステップが行われずにある程度時間が経過すると、コンタクト部材４９４－４に接触していた液体Ｌ１が、重力により、傾斜した基板ホルダ４４０から落下し、コンタクト部材４９４－４が液体Ｌ１により十分に被覆されなくなってしまう。一方、傾斜減少ステップの後、吐出停止ステップが行われずにある程度時間が経過すると、吐出されている液体Ｌ１が基板ホルダ４４０からあふれ、トレー部材４７８から外れてめっき槽４１０へと落下し、めっき液が薄まってしまう。上記所定の時間は、これらの問題が生じないように予め設定されることが好ましい。この観点から、上記所定の時間は、２秒以下が好ましく、１秒以下がより好ましく、０．５秒以下がさらにより好ましい。吐出停止ステップと傾斜減少ステップは、略同時に行われることがさらに好ましい。

ここで、水平位置とは、所望の程度均一にめっきを形成するために十分な範囲のコンタクト部材４９４－４が液体Ｌ１により被覆されれば、傾斜の程度は特に限定されないが、例えば、基板ホルダ４４０の傾斜が１度未満等となる基板ホルダ４４０の姿勢を指す。

図１２は、ステップＳ１５０４の後、水平位置にある基板ホルダ４４０を説明するための概念図である。図１３は、図１２におけるコンタクト部材４９４－４近傍の拡大断面図である。図示の例では、フランジ４９４－１ａおよびシール部材４９４－２の上方で、台座４９４－３の内側の、コンタクト部材４９４－４が配置されている空間に、液体Ｌ１が配置されている。図示の例では、シール部材４９４－２が、コンタクト部材４９４－４と接触する液体Ｌ１を保持する液体保持部４９４Ｌとして機能している。液体保持部４９４Ｌは、コンタクト部材４９４－４に接触する液体Ｌ１を保持すれば、これに限定されない。ステップＳ１５０４の直後では、液体Ｌ１は、コンタクト部材４９４－４の一部に接触しているものの、均一に分布しておらず基板接点４９４－４ａは十分に被覆されていない場合がある。この場合、基板Ｗｆがコンタクト部材４９４－４に接して基板ホルダ４４０に取り付けられたときに、局部電池効果またはシャント電流等により給電ばらつきの原因になりえる。ステップＳ１５０４の後は、ステップＳ１５０５が行われる。

ステップＳ１５０５において、制御モジュール８００は、回転機構４４６を制御して基板ホルダ４４０の回転を停止する。ステップＳ１５０５の後は、ステップＳ１５０６が行われる。

ステップＳ１５０６において、制御モジュール８００は、第２昇降機構４４３を制御してバックプレートアッシー４９２を上昇させる。バックプレートアッシー４９２は、支持部４９０に対して上昇する。液体Ｌ１がバックプレートアッシー４９２等に接触すると、後述のステップＳ１５０７において表面張力により液体Ｌ１が不均一に分布するようになり、コンタクト部材４９４－４が均一に被覆されず、給電ばらつきの原因となる。本ステップにより、バックプレートアッシー４９２とコンタクト部材４９４－４との間の距離が大きくなり、コンタクト部材４９４－４と接触している液体Ｌ１が、バックプレートアッシー４９２の例えばフローティングプレート４９２－２と接触しにくくなる。このため、後述のステップＳ１５０７において基板ホルダ４４０を第２回転速度で回転させたときに、遠心力により、液体保持部４９４Ｌに溜められた液体Ｌ１が全周でより均一に分布し、コンタクト部材４９４－４がより均一に被覆される。なお、バックプレートアッシー４９２に限らず、コンタクト部材４９４－４に向かい合う部材をコンタクト部材４９４から離れるように移動させることができる。

ステップＳ１５０６の後は、ステップＳ１５０７が行われる。なお、所望の程度にめっきを均一に形成することができれば、ステップＳ１５０５およびステップＳ１５０６は省略してもよい。

ステップＳ１５０７において、制御モジュール８００は、回転機構４４６を制御し、基板ホルダ４４０を第２回転速度で回転させる。この回転を第２回転と呼ぶ。第２回転速度は、第１回転速度よりも大きい速度に設定される。ここで、第１回転速度および第２回転速度は、回転の向きに影響を受けず回転速度の大きさを示す正の値とする。第１回転と第２回転の向きは同じでもよいし、反対向きでもよい。

第１回転速度は、ステップＳ１５０２で説明した観点から回転速度が設定され得るが、図１３について説明したように、コンタクト部材４９４－４を液体Ｌ１で十分に被覆することができない場合がある。発明者らは、第１回転速度よりも大きい第２回転速度で基板ホルダ４４０を回転させることで、コンタクト部材４９４－４を、より均一に液体Ｌ１で覆うことができることを見出した。この観点から、第２回転速度は３０ｒｐｍ以上であることが好ましい。同様の観点、および、第２回転速度が大きすぎると非効率に電力を使用することから、例えば第２回転速度は、４０ｒｐｍ以上６０ｒｐｍ以下に設定されることがより好ましい。

図１４は、ステップＳ１５０７の基板ホルダ４４０を説明するための概念図である。ステップＳ１５０７では、水平位置にある基板ホルダ４４０が第２回転速度で回転される。第２回転を、矢印Ａ４０で模式的に示した。図示の例では、ステップＳ１５０６でバックプレートアッシー４９２が上昇されているため、コンタクト部材４９４－４近傍に部材の存在しない空間が広がっており、液体Ｌ１と他の部材との接触による液体Ｌ１の偏りを抑制できる。なお、ステップＳ１５０６が省略された場合は、バックプレートアッシー４９２が下降した状態のまま第２回転が行われ、このような場合でも液体Ｌ１の偏りを抑制する一定の効果が得られる。

図１５は、ステップＳ１５０７の後のコンタクト部材４９４－４近傍の拡大断面図である。第２回転の結果、コンタクト部材４９４－４は、より広い範囲にわたって、偏りを抑制しつつ液体Ｌ１により被覆される。例えば、環状のコンタクト部材４９４－４の全体にわたって、基板接点４９４－４ａが液体Ｌ１により被覆され得る。ステップＳ１５０７の後は、ステップＳ１５０８が行われる。

ステップＳ１５０８において、制御モジュール８００は、回転機構４４６を制御して、基板ホルダ４４０の第２回転を停止する。ステップＳ１５０８の後は、ステップＳ１３（図７）が行われる。

本実施形態のめっき装置およびめっき方法では、制御モジュール８００は、基板ホルダ４４０を傾斜させ、基板ホルダ４４０が傾斜した状態で、基板ホルダ４４０を第１回転速度で回転させ、コンタクト部材４９４－４に液体Ｌ１が供給されるように、第１回転速度で回転する基板ホルダ４４０に向けて液体Ｌ１の吐出を行い、液体Ｌ１の吐出を停止し、液体Ｌ１の吐出の停止の前または以後の所定の時間内に、基板ホルダ４４０を水平位置へと傾斜の減少を開始し、基板ホルダ４４０が水平位置にある状態で、基板ホルダ４４０を第１回転速度よりも速い第２回転速度で回転させ、基板ホルダ４４０の第２回転速度の回転を停止し、回転が停止された基板ホルダ４４０に基板Ｗｆを取り付け、取り付けられた基板Ｗｆにめっき処理を行うように構成されている。これにより、煩雑な作業を必要とせず、より確実に、めっき処理の際の給電ばらつきを低減し、基板Ｗｆに形成されるめっきの厚さの均一性を向上させることができる。

次のような変形も本発明の範囲内であり、上述の実施形態または他の変形と組み合わせることが可能である。以下の変形例において、上述の実施形態と同様の構造、機能を示す部位等に関しては、同一の符号で参照し、適宜説明を省略する。

（変形例１）
上述の実施形態のステップＳ１５０３において、液体Ｌ１は、バックプレートアッシー４９２に向けて吐出されてもよい。特に、液体供給ノズル４８２は、液体Ｌ１を、基板Ｗｆが基板ホルダ４４０に配置されたときに基板Ｗｆを押圧するプレートであるフローティングプレート４９２－２に向けて吐出することができる。

図１６は、本変形例のめっき方法によるコンタクト部材４９４－４への液体供給方法を模式的に示す断面図である。ステップＳ１５０３では、バックプレートアッシー４９２のフローティングプレート４９２－２は、コンタクト部材４９４－４に囲まれる位置に配置することができる。液体供給ノズル４８２は、バックプレートアッシー４９２の下面に向け、排出口４８２ａから液体Ｌ１を吐出し、バックプレートアッシー４９２の下面に当たって跳ね返った液体Ｌ１が本体部４９４－４ｂに向かうように構成される。バックプレートアッシー４９２の下面に当たって跳ね返った液体Ｌ１は、本体部４９４－４ｂに衝突した後、重力によって本体部４９４－４ｂから下方に流れる。これにより、液体保持部４９４Ｌに液体Ｌが流入する。あるいは、本体部４９４－４ｂおよび基板接点４９４－４ａに付着しためっき液は、液体Ｌ１とともに落下してトレー部材４７８に回収される。

本変形例によれば、上記の実施形態と同様に、煩雑な作業を必要とせず、より確実に、めっき処理の際の給電ばらつきを低減することができる。これに加えて、本変形例によれば、基板ホルダ４４０に取り付けられた金属部材（例えば導電部材４９４－５）に錆びが生じるのを抑制することができる。すなわち、コンタクト部材４９４－４に液体Ｌ１を供給する際に、コンタクト部材４９４－４の上方または側方に液体供給ノズル４８２を配置する技術では、液体供給ノズル４８２とバックプレートアッシー４９２が接触するおそれがあるので、バックプレートアッシー４９２を高い位置に退避することになる。すると、液体供給ノズル４８２から吐出されてコンタクト部材４９４－４に衝突した液体Ｌ１が飛び跳ねて金属部材（例えば導電部材４９４－５）に付着し、錆びが発生するおそれがある。液体Ｌ１の飛び跳ねが金属部材に付着しないようにするためには、液体供給ノズル４８２の配置位置、液体Ｌ１の吐出角度、液体Ｌ１の吐出強度などを精密に制御する必要があるので好ましくない。

これに対して、本変形例では、基板ホルダ４４０の下方に液体供給ノズル４８２を配置して、基板ホルダ４４０の下方から液体Ｌ１を吐出する。したがって、コンタクト部材４９４－４に囲まれる位置に空間ができるので、この空間にバックプレートアッシー４９２を配置することができる。図１６に示すように、バックプレートアッシー４９２は、コンタクト部材４９４－４より上方にある金属部材（例えば導電部材４９４－５）に対する壁となるので、液体供給ノズル４８２から吐出された液体Ｌ１が金属部材に飛び跳ねるのを抑制することができる。その結果、本変形例によれば、液体供給ノズル４８２の配置位置、液体Ｌ１の吐出角度、液体Ｌ１の吐出強度などを精密に制御する必要なく、簡単にコンタクト部材４９４－４に液体Ｌ１を供給することができる。

（変形例２）
上述の実施形態において、液体供給ノズル４８２は直進ノズルであってもよい。

図１７は、本変形例の液体供給ノズル４８２０を模式的に示す図である。図１７に示すように、液体供給ノズル４８２０は、直線状に液体Ｌ１を吐出する直進ノズルである。直進ノズルを用いることによって、コンタクト部材４９４－４の本体部４９４－４ｂの狙った位置に液体Ｌ１を吐出することができる。図示の例では、コンタクト部材４９４－４に液体Ｌ１が直接当たるように液体供給ノズル４８２０から液体Ｌ１が吐出されている。

（変形例３）
上述の実施形態において、液体Ｌ１を吐出する際の基板ホルダ４４０の回転の向き等を調整してもよい。

図１８および１９はそれぞれ、本変形例における、ステップＳ１５０３における液体Ｌ１の吐出を模式的に示す平面図および側面図である。図１８では、鉛直方向上側から見た基板ホルダ４４０を破線の円で模式的に示す。図示の例では、基板ホルダ４４０は反時計回りに回転している（矢印Ａ５０）。傾斜している基板ホルダ４４０において、傾斜の上側の端を上端Ｈｉとし、傾斜の下側の端を下端Ｌｏとする。

吐出された液体Ｌ１が基板ホルダ４４０に衝突する位置を衝突位置Ｐ１とする。基板ホルダ４４０の第１回転では、衝突位置Ｐ１において、傾斜した基板ホルダ４４０の下端Ｌｏから上端Ｈｉへ向かう向きの速度成分を有するように回転させられることが好ましい。これにより、液体Ｌ１に下向きの速度成分が与えられにくくなり、コンタクト部材４９４－４を被覆するように液体Ｌ１が液体保持部４９４Ｌに溜りやすくなる。図示の例では、基板ホルダ４４０の図中右側の半円では、基板ホルダ４４０は下端Ｌｏから上端Ｈｉへ向かう速度成分を有し、衝突位置Ｐ１は当該半円に配置されている。

また、液体Ｌ１は、衝突位置Ｐ１において、基板ホルダ４４０の回転の向きと同じ向きの速度成分を有するように吐出されることが好ましい。これにより、液体Ｌ１は液体保持部４９４Ｌへと移動しやすくなり、コンタクト部材４９４－４を覆うように液体Ｌ１がさらに溜りやすくなる。図示の例では、液体Ｌ１は、上端Ｈｉへ向かう向きの速度成分（矢印Ｖ１０）を有するように吐出されており、基板ホルダ４４０の衝突位置Ｐ１における回転の向きと同じ向きの速度成分を有するように構成されている。

液体Ｌ１は、液体供給ノズル４８２の排出口４８２ａから半扇状に広がるように吐出されることが好ましい。より具体的には、液体Ｌ１は、排出口４８２ａから上端Ｈｉ側に向かって延びる平面に沿って広がっている。したがって、吐出された液体Ｌ１は、排出口４８２ａを通る鉛直面Ｖｐの片側の空間に分布することになる。このような構成により、より多くの液体Ｌ１を液体保持部４９４Ｌに溜りやすい態様で吐出することができる。

（変形例４）
上述の実施形態において、めっきモジュール４００は、コンタクト部材４９４－４に液体Ｌ１を供給する際にめっき槽４１０内のめっき液雰囲気がめっきモジュール４００内に放出されるのを抑制するカバー部材を備えてもよい。カバー部材は、例えば基板ホルダ４４０を囲む円筒状の部材とすることができる。液体供給ノズル４８２、カバー部材、および、基板Ｗｆを洗浄するための洗浄液ノズルのうち少なくとも２つを、一体的に構成してもよい。

本発明は、以下の形態としても記載することができる。
［形態１］形態１によれば、基板に導通可能に接触するコンタクト部材を含む基板ホルダを備えるめっき装置により、前記基板のめっき処理を行うめっき方法が提案され、めっき方法は、前記基板ホルダを傾斜させるステップと、前記基板ホルダが傾斜した状態で、前記基板ホルダを第１回転速度で回転させるステップと、前記コンタクト部材に液体が供給されるように、前記第１回転速度で回転する前記基板ホルダに向けて前記液体の吐出を行うステップと、前記液体の前記吐出を停止するステップと、前記液体の前記吐出を停止する前または以後の所定の時間内に、前記基板ホルダを水平位置へと傾斜の減少を開始するステップと、前記基板ホルダが前記水平位置にある状態で、前記基板ホルダを前記第１回転速度よりも速い第２回転速度で回転させるステップと、前記基板ホルダの前記第２回転速度の回転を停止するステップと、前記回転が停止された前記基板ホルダに前記基板を取り付けるステップと、取り付けられた前記基板に前記めっき処理を行うステップと、を含む。形態１によれば、煩雑な作業を必要とせず、より確実に、めっき処理の際の給電ばらつきを低減し、基板に形成されるめっきの厚さの均一性を向上させることができる。

［形態２］形態２によれば、形態１において、前記所定の時間は、２秒以下である。形態２によれば、コンタクト部材近傍の液体保持部から液体が落下することを抑制しつつ、基板ホルダ４４０から液体があふれ、めっき液が薄まることを抑制することができる。

［形態３］形態３によれば、形態１または２において、前記第２回転速度は、３０ｒｐｍ以上である。形態３によれば、コンタクト部材をより均一に液体Ｌ１で覆い、めっき処理の際の給電ばらつきをさらに低減することができる。

［形態４］形態４によれば、形態１から３のいずれかにおいて、第１回転速度は、８ｒｐｍ以上１５ｒｐｍ以下である。形態４によれば、コンタクト部材近傍の液体保持部から液体が落下することを抑制しつつ、基板ホルダから液体が飛散し、めっき液が薄まることを抑制することができる。

［形態５］形態５によれば、形態１から４のいずれかにおいて、前記基板ホルダが前記水平位置にある状態にされた後、前記基板ホルダを前記第２回転速度で回転させる前に、前記基板ホルダにおいて前記コンタクト部材と向かい合う部材を、前記コンタクト部材から離れるように移動させるステップをさらに含む。形態５によれば、液体が他の部材と接触することで偏って分布するようになり、コンタクト部材が均一に被覆されず給電ばらつきを生じることを抑制できる。

［形態６］形態６によれば、形態１から５のいずれかにおいて、前記液体の前記吐出を行う前記ステップでは、前記液体は、前記基板が前記基板ホルダに配置されたときに前記基板を押圧するプレートに向けて吐出される。形態６によれば、液体が付着することにより、基板ホルダに取り付けられた金属部材に錆びが生じるのを抑制することができる。

［形態７］形態７によれば、形態１から６のいずれかにおいて、前記液体の前記吐出を行う前記ステップでは、前記基板ホルダは、吐出された前記液体が衝突する前記基板ホルダの衝突位置において、傾斜した前記基板ホルダの下端から上端へ向かう向きの速度成分を有するように回転させられる。形態７によれば、基板ホルダに衝突した液体に下向きの速度成分が与えられにくくなり、コンタクト部材を被覆するように液体が溜りやすくなる。

［形態８］形態８によれば、形態７において、前記液体の前記吐出を行う前記ステップでは、前記液体は、前記衝突位置において、前記基板ホルダの回転の向きと同じ向きの速度成分を有するように吐出される。形態８によれば、基板ホルダに衝突した液体はコンタクト部材へと移動しやすくなり、コンタクト部材を被覆するように液体がさらに溜りやすくなる。

［形態９］形態９によれば、形態８において、前記液体の前記吐出を行う前記ステップでは、前記液体は、排出口から、前記基板ホルダの上端側に向かって延びる平面に沿って吐出される。形態９によれば、より多くの液体をコンタクト部材近傍の液体保持部に溜りやすい態様で吐出することができる。

［形態１０］形態１０によれば、形態１から９のいずれかにおいて、前記液体は、電気伝導度が所定の値以下であるか、脱気処理されている。形態１０によれば、シャント電流または局部電池効果に起因して給電ばらつきが発生することを抑制することができる。

［形態１１］形態１１によれば、基板に導通可能に接触するコンタクト部材を含む基板ホルダと、制御装置とを備えるめっき装置が提供され、前記制御装置は、前記基板ホルダを傾斜させ、前記基板ホルダが傾斜した状態で、前記基板ホルダを第１回転速度で回転させ、前記コンタクト部材に液体が供給されるように、前記第１回転速度で回転する前記基板ホルダに向けて前記液体の吐出を行い、前記液体の前記吐出を停止し、前記液体の前記吐出の停止の前または以後の所定の時間内に、前記基板ホルダを水平位置へと傾斜の減少を開始し、前記基板ホルダが前記水平位置にある状態で、前記基板ホルダを前記第１回転速度よりも速い第２回転速度で回転させ、前記基板ホルダの前記第２回転速度の回転を停止し、前記回転が停止された前記基板ホルダに前記基板を取り付け、取り付けられた前記基板に前記めっき処理を行うように構成されている。形態１１によれば、煩雑な作業を必要とせず、より確実に、めっき処理の際の給電ばらつきを低減し、基板に形成されるめっきの厚さの均一性を向上させることができる。

以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、上記した発明の実施の形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明にはその均等物が含まれることはもちろんである。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、実施形態および変形例の任意の組み合わせが可能であり、特許請求の範囲および明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、または、省略が可能である。

４００ めっきモジュール
４１０ めっき槽
４４０ 基板ホルダ
４４２ 第１昇降機構
４４３ 第２昇降機構
４４６ 回転機構
４４７ 傾斜機構
４７０ 洗浄装置
４８２，４８２０ 液体供給ノズル
４８２ａ 排出口
４９０ 支持部
４９１ 回転シャフト
４９２ バックプレートアッシー
４９２－１ バックプレート
４９２－２ フローティングプレート
４９４ 支持機構
４９４Ｌ 液体保持部
４９４－１ 支持部材
４９４－２ シール部材
４９４－４ コンタクト部材
４９４－４ａ 基板接点
４９４－４ｂ 本体部
８００ 制御モジュール
１０００ めっき装置
Ｌ１ 液体
Ｐ１ 衝突位置
Ｗｆ 基板
Ｗｆ－ａ 被めっき面

Claims (10)

1. 基板に導通可能に接触するコンタクト部材を含む基板ホルダを備えるめっき装置により、前記基板のめっき処理を行うめっき方法であって、
   前記基板ホルダを傾斜させるステップと、
   前記基板ホルダが傾斜した状態で、前記基板ホルダを第１回転速度で回転させるステップと、
   前記コンタクト部材に液体が供給されるように、前記第１回転速度で回転する前記基板ホルダに向けて前記液体の吐出を行うステップと、
   前記液体の前記吐出を停止するステップと、
   前記液体の前記吐出を停止する前または以後の所定の時間内に、前記基板ホルダを水平位置へと傾斜の減少を開始するステップと、
   前記基板ホルダが前記水平位置にある状態で、前記基板ホルダを前記第１回転速度よりも速い第２回転速度で回転させるステップと、
   前記基板ホルダの前記第２回転速度の回転を停止するステップと、
   前記回転が停止された前記基板ホルダに前記基板を取り付けるステップと、
   取り付けられた前記基板に前記めっき処理を行うステップと、
   を含み、
   前記所定の時間は、２秒以下である、めっき方法。
2. 前記第２回転速度は、３０ｒｐｍ以上である、請求項１に記載のめっき方法。
3. 前記第１回転速度は、８ｒｐｍ以上１５ｒｐｍ以下である、請求項１に記載のめっき方法。
4. 前記基板ホルダが前記水平位置にある状態にされた後、前記基板ホルダを前記第２回転速度で回転させる前に、前記基板ホルダにおいて前記コンタクト部材と向かい合う部材を、前記コンタクト部材から離れるように移動させるステップをさらに含む、請求項１から３のいずれか一項に記載のめっき方法。
5. 前記液体の前記吐出を行う前記ステップでは、前記液体は、前記基板が前記基板ホルダに配置されたときに前記基板を押圧するプレートに向けて吐出される、請求項１から３のいずれか一項に記載のめっき方法。
6. 前記液体の前記吐出を行う前記ステップでは、前記基板ホルダは、吐出された前記液体が衝突する前記基板ホルダの衝突位置において、傾斜した前記基板ホルダの下端から上端へ向かう向きの速度成分を有するように回転させられる、請求項１から３のいずれか一項に記載のめっき方法。
7. 前記液体の前記吐出を行う前記ステップでは、前記液体は、前記衝突位置において、前記基板ホルダの回転の向きと同じ向きの速度成分を有するように吐出される、請求項６に記載のめっき方法。
8. 前記液体の前記吐出を行う前記ステップでは、前記液体は、排出口から、前記基板ホルダの上端側に向かって延びる平面に沿って吐出される、請求項７に記載のめっき方法。
9. 前記液体は、電気伝導度が５０μＳ／ｃｍ以下であるか、脱気処理されている、請求項１から３のいずれか一項に記載のめっき方法。
10. 基板に導通可能に接触するコンタクト部材を含む基板ホルダと、制御装置とを備えるめっき装置であって、前記制御装置は、
    前記基板ホルダを傾斜させ、
    前記基板ホルダが傾斜した状態で、前記基板ホルダを第１回転速度で回転させ、
    前記コンタクト部材に液体が供給されるように、前記第１回転速度で回転する前記基板ホルダに向けて前記液体の吐出を行い、
    前記液体の前記吐出を停止し、
    前記液体の前記吐出の停止の前または以後の所定の時間内に、前記基板ホルダを水平位置へと傾斜の減少を開始し、
    前記基板ホルダが前記水平位置にある状態で、前記基板ホルダを前記第１回転速度よりも速い第２回転速度で回転させ、
    前記基板ホルダの前記第２回転速度の回転を停止し、
    前記回転が停止された前記基板ホルダに前記基板を取り付け、
    取り付けられた前記基板に前記めっき処理を行うように構成されており、
    前記所定の時間は、２秒以下である、
    めっき装置。

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