JP5321574B2 - 半導体製造装置の動作方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体製造装置の動作方法及び半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5321574B2 JP5321574B2 JP2010281634A JP2010281634A JP5321574B2 JP 5321574 B2 JP5321574 B2 JP 5321574B2 JP 2010281634 A JP2010281634 A JP 2010281634A JP 2010281634 A JP2010281634 A JP 2010281634A JP 5321574 B2 JP5321574 B2 JP 5321574B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- clamp mechanism
- plating
- wafer
- cleaning liquid
- clamp
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Description
本発明は、半導体製造装置に係り、特にメッキ装置又は枚葉式洗浄装置に関するものである。
ウェハの表面を硫酸銅水溶液等のメッキ液に浸漬させ、電界を印加することにより、ウェハ表面に金属メッキ層を形成するメッキ装置が知られている。近年、めっき処理後のウェハ表面を洗浄することにより汚染を防止する方法が提案されている(例えば、特許文献1の図3参照)。
しかしながら、枚葉式のメッキ装置では、図11に示すように、ウェハ10の表面をメッキ槽21のメッキ液22に浸漬させて、クランプ機構110を回転させながらメッキ処理を行っているので、メッキ液22が飛散してしまう。この飛散したメッキ液22は外槽24の側面に当たることによりミスト50となり、クランプ機構110に付着して結晶物成長する。本発明者による調査の結果、特に、クランプ機構110の上部クランプ13と支持板14の隙間に成長することが分かった。また、Cu膜をメッキする場合、Cuを主成分とする水溶性の結晶物51が成長することが分かった。
クランプ機構で成長した結晶物51はパーティクルとなるため、定期的にクランプ機構110を分解し、クリーニングする必要があった。この定期クリーニングを行う毎にメッキ装置を停止しなければならず、稼働時間を低下させてしまうという問題があった。
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、クランプ機構の定期クリーニングが不要な半導体製造装置を提供することを目的とする。
本発明に係る半導体製造装置の動作方法は、基板表面にメッキ処理を施す半導体製造装置の動作方法であって、基板をクランプ機構に保持する工程と、前記クランプ機構を下降させて、前記基板表面を処理槽内のメッキ液に浸漬する工程と、前記クランプ機構を回転機構により回転させて、前記基板にメッキ処理を施す工程と、メッキ処理が施された前記基板に対して、第1の洗浄液噴射部により洗浄液を噴射する工程と、前記クランプ機構に対して、第2の洗浄液噴射部により前記クランプ機構の回転方向とは逆の方向に洗浄液を噴射する工程と、前記クランプ機構に対して、不活性ガス噴射部により不活性ガスを噴射する工程とを備える。
本発明は、以上説明したように、第2の洗浄液噴射部によりクランプ機構を洗浄することにより、クランプ機構の定期クリーニングが不要な半導体製造装置の動作方法を提供することができる。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。図中、同一または相当する部分には同一の符号を付してその説明を簡略化ないし省略することがある。
実施の形態1.
図1は、本実施の形態1による半導体製造装置を説明するための図である。詳細には、図1は、本実施の形態1によるメッキ装置を説明するための図である。
図1は、本実施の形態1による半導体製造装置を説明するための図である。詳細には、図1は、本実施の形態1によるメッキ装置を説明するための図である。
図1に示すように、ウェハ10を収納したカセット1がカセットステージ(図示せず)上に載置されている。メッキ装置において、搬送ロボット3によりウェハ10が搬送される。中心合わせ部2においてウェハ10の中心出しが行われ、メッキ処理部4においてウェハ10に対してメッキ処理が施される。また、リンス処理部5においてメッキ処理が施されたウェハ10の洗浄が行われる。
図2は、図1に示した半導体製造装置におけるメッキ処理部を説明するための概略断面図である。図3は、図2に示したメッキ処理部のクランプ機構とノズルを示した斜視図である。図4は、図2に示したメッキ処理部のクランプ機構とノズルを示した上面図である。図5は、クランプ機構の構成する支持板を示した図である。図6は、ノズルの配置位置を示した概略断面図である。
図2に示すように、ウェハ10は、表面を下方に向けた状態でクランプ機構11により保持される。クランプ機構11は、ウェハ10の周縁部を下方(表面側)から支持する下部クランプ12と、該下部クランプ12により支持されたウェハ10を上方(裏面側)から押圧する上部クランプ13と、下部クランプ12を側方から支持する支持板14と、支持板14の上端を固定する天板16とを有する。
下部クランプ12のウェハ支持部分にはカソード電極18が形成されている。これにより、メッキ時に、カソード電極18と接触するウェハ10にアノード電極23から電流が流れる。上部クランプ13と接触する下部クランプ12の上面には、アノード電極23を保護するためのシール部材(例えば、O−ring)19が設けられている。
下部クランプ12の外周の一部は支持板14に囲まれ、支持板14で囲まれていない部分からウェハ10の搬送を行う。この支持板14には、図示しないが、カソード電極18への電源供給ラインが埋設されている。図2〜図5に示すように、支持板14には穴15が形成されており、下部クランプ12上面を流れる洗浄液30をこの穴15から排出する。よって、穴15は、下部クランプ12上面とほぼ同じ高さに形成することが好適である。図5に示すように、支持板14は、溝部14bによって仕切られた複数の板部14aからなり、該複数の板部14aが溝部14bで屈曲する。穴15を溝部14bの近傍に形成することにより、穴15からの洗浄液30の排出効率が向上する。また、支持板14の両端には切欠部15aが形成されている。これにより、上部クランプ13と支持板14の隙間にノズル29から洗浄液30を容易に噴射可能となると共に、洗浄液30の排出効率が向上する。
上部クランプ13は、回転シャフト17を介して回転機構20に接続されている。これにより、クランプ機構11は回転可能である。また、クランプ機構11は図示しない上下駆動機構に接続されており、クランプ機構11は上下動が可能である。図2に示すように、メッキ処理後、クランプ機構11は上下駆動機構により洗浄位置まで駆動される。
メッキ槽(内槽)21にはメッキ液22としての硫酸銅水溶液が貯留されている。メッキ液22にウェハ10表面を浸漬させ、クランプ機構11によりウェハ10を回転させながら、カソード電極18とアノード電極23との間に所定の電界を印加することにより、メッキ処理が施される。メッキ槽21から外槽24にオーバーフローしたメッキ液22は、循環機構25によりメッキ槽21に戻される。なお、循環機構25は少なくともポンプを有しており、循環するメッキ液中の不純物を除去する濾過機構を更に有することが好適である。また、メッキ槽21内の底部にはアノード電極23が設けられている。
外槽24には、メッキ後のウェハ10の表面を簡易洗浄するためのノズル26が設けられている。このノズル26からウェハ10表面に対して洗浄液27としての純水が噴射される。
また、本実施の形態1では、クランプ機構11の外側にカバー28が設けられている。該カバー28には、クランプ機構11に対して洗浄液30を噴射するためのノズル29と、クランプ機構11に対して不活性ガス32を噴射するノズル31とが設けられている。ノズル29,31の数は、図2に示すように1個ずつでもよく、図4に示すように複数個ずつ設けてもよい。また、ノズル29の数と、ノズル31の数が異なっていてもよい。ノズル29,31は、例えば、直径が1/8インチの配管により構成することができる。また、ノズル29,31は、耐薬品性に優れた材質で形成されたものであることが好適である。
また、洗浄液30の供給ラインは、洗浄液27供給ラインを分岐することにより簡易に得ることができる。
洗浄液30としては、純水、メッキ液22の溶媒を用いることができるが、運用コストや取り扱い容易性の観点から純水が好適である。ノズル29からクランプ機構11に純水30を噴射することにより、メッキ時に発生するミストに起因してクランプ機構11に成長した結晶物、並びに結晶物になる前の種結晶を除去することができる。不活性ガス32としては、窒素、ヘリウム、アルゴン等を用いることができるが、運用コストの観点から窒素が好適である。ノズル29からの洗浄液30の噴射量は、洗浄性能と、シール部材19のシール性能を考慮して、例えば、3ml/secに設定することができる。
図4に示すように、ノズル29は、クランプ機構11の回転方向Aとは逆の方向に洗浄液30を噴射するように設けることが好適である。クランプ機構11が反時計回りに回転する場合、ノズル29は時計回りの方向に洗浄液30を噴射するように設けることが好適である。詳細には、ノズル29は、カバー28から回転シャフト17の方向に対して、0度〜45度の角度aだけ反時計回りの方向に向けて設けることが好適である。
さらに、図6に示すように、ノズル29は、上部クランプ13の上部エッジ部13a近傍に洗浄液30を噴射するように設けることが好適である。詳細には、ノズル29は、上部クランプ13の上面に対して0度〜60度の角度bで配置することが好適である。これにより、洗浄液30が、図7中の矢印Bで示すように、上部クランプ13の側面13bに沿って流れ落ち、下部クランプ12の上面12aを効率良く洗浄することができる。上部エッジ部13aに噴射された洗浄液30の一部は、上部クランプ13の上面を流れ、支持板14と上部クランプ13との隙間に流れ落ちることにより、該隙間を洗浄することができる。よって、上部エッジ部13a近傍に洗浄液30を噴射することにより、クランプ機構11に成長した結晶物及び種結晶を効率良く除去することができる。
次に、図7を参照して、上記メッキ処理部の変形例について説明する。
上述したメッキ処理部では、クランプ機構11を洗浄するノズル29として配管を用いている。本変形例では、配管ノズルに代えて、広範囲に洗浄液30を噴射可能な広範囲噴射ノズル34を用いている。広範囲噴射ノズル34としては、扇型ノズルや円錐型ノズルを用いることができる。このノズル34により、上部クランプ13の側面13b及び下部クランプ12の上面12a(図6)を噴射するようにすることが好適である。広範囲ノズル34を用いる場合には、配管ノズル29を用いる場合に比べて噴射圧が弱くなるため、洗浄液30の噴射量を増やすことが好適である。
次に、上記半導体製造装置の動作について説明する。
図8は、上記半導体製造装置の動作を示すフローチャートである。図9は、クランプ機構における洗浄水の流れを説明するための上面図である。
先ず、カセットステージに載置されたカセット1からウェハ10を搬送ロボット3により取り出し、取り出したウェハ10を中心合わせ部2に搬送する。中心出しを行ったウェハ10をメッキ処理部4の下部クランプ12上に搬送し(ステップS11)、上部クランプ13を下降させる。ウェハ10が下部クランプ12と上部クランプ13とにより挟まれることにより、ウェハ10がクランプ機構11により保持される(ステップS12)。
次に、クランプ機構11を下降させてウェハ10の表面をメッキ液22中に浸漬させる(ステップS13)。
続いて、クランプ機構11を回転させ、カソード18とアノード23との間に所定の電界を印加することにより、ウェハ10表面にメッキ処理を施す(ステップS14)。
メッキ処理終了後、クランプ機構11を回転させたまま、図2に示すリンス位置まで上昇させる(ステップS15)。この時の回転数は、例えば、100rpmである。
次に、クランプ機構11に対してノズル31から不活性ガス32としてのN2を噴射する(ステップS16)。この不活性ガス32のブローにより、種結晶のような簡単に除去可能な生成物が除去される。純水27噴射前のN2ブローは必須ではないが、高い洗浄性能が得られるため行うことが望ましい。
次に、クランプ機構11の回転数を、例えば、400rpmまで上げる(ステップS17)。
そして、ウェハ10の表面に対してノズル26から洗浄液27としての純水を噴射するとともに、クランプ機構11に対してノズル29から洗浄液30としての純水を噴射する(ステップS18)。このとき、ノズル31からのN232の噴射は継続して行われている。図9に示すように、上部クランプ13と支持板14の隙間に噴射された純水30は、結晶物を除去しつつ支持板14の穴15から排出されるとともに、上部クランプ13と支持板14の端部との隙間から排出される。
所定時間(例えば、1秒〜数秒程度)だけ純水27,30を噴射した後、純水27,30の噴射を停止し、ノズル31からN232のみを噴射しながら、高速スピン乾燥を行う(ステップS19)。ここで、本発明者の調査によれば、N232を噴射しない場合には、クランプ機構11に未乾燥の純水30が残り、この残った純水30にミストが溶け込み、結晶物が成長してしまうことが分かった。N232を噴射しながら乾燥を行うことで、この結晶物の成長を防止することができる。
次に、N232の噴射を停止し、クランプ機構11の回転を停止する(ステップS20)。
そして、上部クランプ13を上昇させてクランプを解除した後(ステップS21)、ウェハ10を搬送ロボット3によりリンス処理部5に搬送する(ステップS22)。
その後、リンス処理部5において水洗、乾燥を行った後、ウェハ10をカセット1に戻す。
以上説明したように、本実施の形態1では、クランプ機構11に純水30を噴射するノズル29と、クランプ機構11にN232を噴射するノズル31を設け、メッキ処理後のウェハ10表面を簡易洗浄すると共に、クランプ機構11を洗浄するようにした。これにより、クランプ機構11における結晶物の成長を防止することができる。よって、クランプ機構11の定期クリーニングが不要なメッキ装置を提供することができる。
また、クランプ機構11の支持板14に穴15を設けることにより、クランプ機構11の洗浄性能を向上させることができる。また、ノズル29から上部クランプ13の上部エッジ部13a近傍に純水30を噴射することにより、クランプ機構11の洗浄性能を向上させることができる。
なお、ノズル26,29をスキャン可能な1つのノズルで実現してもよいが、スキャン機構を設けることにより装置のコストが増大し、スループットの面からも望ましくない。一方、本実施の形態1による半導体製造装置では、クランプ機構11の洗浄と、ウェハ10表面の簡易洗浄とを同時に行っているため、スループットの低下を防止することができる。
実施の形態2.
上述した実施の形態1ではメッキ装置について説明したが、本実施の形態2では枚葉式洗浄装置について説明する。以下、実施の形態1との相違点を中心に説明する。
上述した実施の形態1ではメッキ装置について説明したが、本実施の形態2では枚葉式洗浄装置について説明する。以下、実施の形態1との相違点を中心に説明する。
図10は、本実施の形態2による半導体製造装置を説明するための概略断面図である。
図10に示すように、処理槽(内槽)41には洗浄液42が貯留されている。洗浄液42にウェハ10表面を浸漬させ、クランプ機構11によりウェハ10を回転させることにより、洗浄処理が行われる。洗浄液42としては、例えば、フッ酸、硫酸、塩酸、リン酸、硝酸等を挙げることができる。処理槽41から外槽44にオーバーフローした洗浄液42は、循環機構45により処理槽41に戻される。なお、本洗浄装置には、カソード電極及びアノード電極が設けられていない。
本実施の形態2による洗浄装置においても、ウェハ10を回転させながら洗浄処理を行うため、洗浄液42が外槽44に当たってミストとなり、クランプ機構11に結晶物が生成するため、この結晶物を除去する必要がある。また、結晶物となる前に、除去することが好適である。
上記半導体製造装置の動作について説明する。
ウェハ10をクランプ機構11により保持した後、クランプ機構11を下降させてウェハ10の表面を洗浄液42中に浸漬させる。続いて、クランプ機構11を回転させることにより、ウェハ10の洗浄処理を行う。
洗浄処理終了後、クランプ機構11を回転させたまま、図10に示すリンス位置まで上昇させる。
次に、クランプ機構11に対してノズル31からN232を噴射することにより、簡単に除去可能な結晶物が除去される。実施の形態1と同様に、純水27噴射前のN2ブローは必須ではないが、高い洗浄性能が得られるため行うことが望ましい。
次に、クランプ機構11の回転数を上げた後、ウェハ10表面に対してノズル26から純水27を噴射すると共に、クランプ機構11に対してノズル29から純水30を噴射する。
所定時間経過後、純水27,30の噴射を停止し、N232のみを噴射しながら、高速スピン乾燥を行う。その後、N232の噴射を停止し、クランプ機構11の回転を停止する。さらに、ウェハ10をリンス処理部に搬送して、水洗、乾燥を行う。
以上説明した実施の形態2においても、クランプ機構11に純水30を噴射するノズル29と、クランプ機構11にN232を噴射するノズル31を設けることにより、洗浄処理後のウェハ10の表面を簡易洗浄すると共に、クランプ機構11を洗浄するようにした。これにより、クランプ機構11における結晶物の成長を防止することができる。よって、クランプ機構11の定期クリーニングが不要なメッキ装置を提供することができる。
1 カセット、 2 中心合わせ部、 3 搬送ロボット、 4 メッキ処理部、 5 リンス処理部、 10 ウェハ(基板)、 11 クランプ機構、 12 下部クランプ、 13 上部クランプ、 14 支持板、 15 穴、 16 天板、 17 回転シャフト、 18 カソード電極、 19 シール部材、 20 回転機構、 21 メッキ槽、 22 メッキ液、 23 アノード電極、 24 外槽、 25 循環機構、 26 ノズル、 27 洗浄液、 28 カバー、 29,34 ノズル、 30 洗浄液、 31 ノズル、 32 不活性ガス、 41 処理槽、 42 洗浄液、 44 外槽、 45 循環機構。
Claims (2)
- 基板表面にメッキ処理を施す半導体製造装置の動作方法であって、
基板をクランプ機構に保持する工程と、
前記クランプ機構を下降させて、前記基板表面を処理槽内のメッキ液に浸漬する工程と、
前記クランプ機構を回転機構により回転させて、前記基板にメッキ処理を施す工程と、
メッキ処理が施された前記基板に対して、第1の洗浄液噴射部により洗浄液を噴射する工程と、
前記クランプ機構に対して、第2の洗浄液噴射部により前記クランプ機構の回転方向とは逆の方向に洗浄液を噴射する工程と、
前記クランプ機構に対して、不活性ガス噴射部により不活性ガスを噴射する工程とを備えたことを特徴とする半導体製造装置の動作方法。 - ウェハ表面にメッキ処理を施す半導体装置の製造方法であって、
ウェハをクランプ機構に保持する工程と、
前記クランプ機構を下降させて、前記ウェハ表面を処理槽内のメッキ液に浸漬する工程と、
前記クランプ機構を回転機構により回転させて、前記ウェハにメッキ処理を施す工程と、
メッキ処理が施された前記ウェハに対して、第1の洗浄液噴射部により洗浄液を噴射する工程と、
前記クランプ機構に対して、第2の洗浄液噴射部により前記クランプ機構の回転方向とは逆の方向に洗浄液を噴射する工程と、
前記クランプ機構に対して、不活性ガス噴射部により不活性ガスを噴射する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010281634A JP5321574B2 (ja) | 2010-12-17 | 2010-12-17 | 半導体製造装置の動作方法及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010281634A JP5321574B2 (ja) | 2010-12-17 | 2010-12-17 | 半導体製造装置の動作方法及び半導体装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004258313A Division JP4872199B2 (ja) | 2004-09-06 | 2004-09-06 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011089209A JP2011089209A (ja) | 2011-05-06 |
JP5321574B2 true JP5321574B2 (ja) | 2013-10-23 |
Family
ID=44107699
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010281634A Expired - Fee Related JP5321574B2 (ja) | 2010-12-17 | 2010-12-17 | 半導体製造装置の動作方法及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5321574B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114981486B (zh) * | 2020-12-22 | 2023-03-24 | 株式会社荏原制作所 | 镀覆装置、预湿处理方法以及清洗处理方法 |
KR102556645B1 (ko) * | 2021-11-04 | 2023-07-18 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 도금 장치 및 기판 세정 방법 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4766579B2 (ja) * | 1998-11-30 | 2011-09-07 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 電気化学堆積装置 |
JP2002249896A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-09-06 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置、液処理方法 |
US7087117B2 (en) * | 2002-11-15 | 2006-08-08 | Ebara Corporation | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
KR20110042245A (ko) * | 2003-01-23 | 2011-04-25 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 도금방법 |
-
2010
- 2010-12-17 JP JP2010281634A patent/JP5321574B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011089209A (ja) | 2011-05-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI458035B (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
KR101280768B1 (ko) | 기판처리장치 및 기판처리방법 | |
JP5694118B2 (ja) | 液処理装置および液処理方法 | |
JP2008034779A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
KR102276773B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
US20170316961A1 (en) | Substrate liquid processing method, substrate liquid processing apparatus, and computer-readable storage medium that stores substrate liquid processing program | |
KR102420293B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치, 및 기판 처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독가능 기억 매체 | |
KR101206923B1 (ko) | 매엽식 웨이퍼 세정 장치 | |
JP2008109058A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2007158161A (ja) | ウエハ洗浄装置及びウエハ洗浄方法 | |
JP3341727B2 (ja) | ウエット装置 | |
JP4872199B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
JP5321574B2 (ja) | 半導体製造装置の動作方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP2010114123A (ja) | 基板処理装置及び基板洗浄方法 | |
JP4325831B2 (ja) | 基板処理装置ならびに基板処理装置に備えられた回転板および周囲部材の洗浄方法 | |
JP4766836B2 (ja) | フォトマスク基板の洗浄方法 | |
KR100858240B1 (ko) | 기판 스핀 장치 | |
WO2017221639A1 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP2018125499A (ja) | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2006073753A (ja) | 基板洗浄装置 | |
KR20100060094A (ko) | 기판 이면 세정 방법 | |
JP2001316878A (ja) | 液処理装置および液処理システムならびに液処理方法 | |
WO2007072571A1 (ja) | 基板の乾燥装置および洗浄装置並びに乾燥方法および洗浄方法 | |
JP2005244130A (ja) | 基板処理法及び基板処理装置 | |
JP2005340331A (ja) | 基板の洗浄方法及び基板洗浄装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130618 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130701 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |