CN114318440A - 镀覆方法 - Google Patents
镀覆方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114318440A CN114318440A CN202110987141.7A CN202110987141A CN114318440A CN 114318440 A CN114318440 A CN 114318440A CN 202110987141 A CN202110987141 A CN 202110987141A CN 114318440 A CN114318440 A CN 114318440A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- wetting
- plating
- plated
- module
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/34—Pretreatment of metallic surfaces to be electroplated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/001—Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/004—Sealing devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/06—Suspending or supporting devices for articles to be coated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
- C25D21/04—Removal of gases or vapours ; Gas or pressure control
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
- C25D21/10—Agitating of electrolytes; Moving of racks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
- C25D21/12—Process control or regulation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/12—Semiconductors
- C25D7/123—Semiconductors first coated with a seed layer or a conductive layer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/002—Cell separation, e.g. membranes, diaphragms
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
本发明涉及镀覆方法。本发明的课题在于防止预湿液残留在基板的边缘部。提出了一种用于对具有暴露于镀覆液的被镀覆部和作为上述被镀覆部的外侧区域的边缘部的基板实施镀覆处理的镀覆方法。上述镀覆方法包括:第一密封工序,使第一密封体与基板接触而对上述基板的上述边缘部进行密封;预湿工序,对密封后的上述基板实施预湿处理;第一密封取下工序,从预湿后的上述基板取下上述第一密封体;基板保持工序,利用具有第二密封体的基板保持件来保持上述基板;以及镀覆工序,使镀覆液作用于由上述基板保持件保持的上述基板。
Description
技术领域
本申请涉及镀覆方法。
背景技术
作为用于对基板实施镀覆处理的镀覆模块,公知有杯式的电镀模块。杯式的电镀模块具备使被镀覆面朝向下方地保持基板(例如半导体晶片)的基板保持件。基板保持件具有用于对基板施加电压的电接点、和将基板密封以使镀覆液不作用于该电接点的密封部件。在杯式的电镀模块中,使被镀覆面朝向下方地将基板浸渍于镀覆液,在基板与阳极之间施加电压,从而使导电膜在基板的表面析出。
用于处理多个基板的镀覆装置往往具备多个这样的杯式的电镀模块。在这样的例子中,多个杯式的电镀模块分别往往具有一体型的基板保持件及镀覆槽。通过将镀覆槽与基板保持件构成为一体型,能够实现装置的小型化。
专利文献1:日本特开2001-316869号公报
在镀覆装置中,在镀覆模块的镀覆处理之前,有时对基板实施预湿处理。在预湿处理中,通过利用纯水或脱气水等处理液润湿镀覆处理前的基板的被镀覆面,将形成于基板表面的图案内部的空气置换为处理液。由此,在镀覆时,通过将图案内部的处理液置换为镀覆液,容易向图案内部供给镀覆液。然而,例如在基板保持件与镀覆槽构成为一体型的装置等,在基板被基板保持件保持前进行预湿处理的情况下,有时会产生不良状况。
即,若在基板被基板保持件保持前进行预湿处理而在基板的电接点所接触的边缘部残留有预湿液,则存在当由基板保持件保持基板保持时电接点的电接触受到阻碍的担忧。另外,有时在基板保持件附着有以前的镀覆处理时的镀覆液,若在基板的边缘部残留有预湿液,则存在镀覆液进入密封区域的担忧。
发明内容
鉴于以上的实际情况,本申请的一个目的在于防止预湿液残留在基板的边缘部。
根据一个实施方式,公开一种镀覆方法,其是用于对具有暴露于镀覆液的被镀覆部和上述被镀覆部的外侧区域亦即边缘部的基板实施镀覆处理的镀覆方法,包括:第一密封工序,使第一密封体与基板接触而密封上述基板的上述边缘部;预湿工序,对密封后的上述基板实施预湿处理;第一密封取下工序,从预湿后的上述基板取下上述第一密封体;基板保持工序,利用具有第二密封体的基板保持件来保持上述基板;以及镀覆工序,使镀覆液作用于由上述基板保持件保持的上述基板。
附图说明
图1是表示本实施方式的镀覆装置的整体结构的立体图。
图2是表示本实施方式的镀覆装置的整体结构的俯视图。
图3是简要地示出本实施方式的镀覆模块的结构的纵向剖视图。
图4是简要地示出本实施方式的预湿模块的结构的纵向剖视图。
图5是从图4的上方表示第二保持部件的图。
图6是表示预湿模块进行的第一实施方式的预湿处理的图。
图7是表示预湿模块进行的第二实施方式的预湿处理的图。
图8是表示预湿模块进行的第三实施方式的预湿处理的图。
图9是表示预湿模块进行的第四实施方式的预湿处理的图。
图10是表示预湿模块进行的第五实施方式的预湿处理的图。
图11是表示预湿模块进行的第六实施方式的预湿处理的图。
图12是表示预湿模块进行的第七实施方式的预湿处理的图。
图13是表示基于镀覆装置的镀覆方法的一个例子的流程图。
图14是简要地示出变形例的预湿模块的结构的一部分的图。
附图标记说明
200…预湿模块;240、240A…预湿用基板保持件;242…第一保持部件;244...第二保持部件;245…销;246…密封体(第一密封体);247…电接点;250…驱动机构;260A~260C、260F…喷出机构;260D、260E、260G…处理液供给机构;400…镀覆模块;410…镀覆槽;440…基板保持件;441…密封体(第二密封体);800…控制模块;1000…镀覆装置;Wf…基板;Wf-a…被镀覆面;Wf-1…被镀覆部;Wf-2…边缘部。
具体实施方式
以下,参照附图对本发明的实施方式进行说明。在以下说明的附图中,对相同或相当的构成要素标注相同的附图标记并省略重复的说明。
<镀覆装置的整体结构>
图1是表示本实施方式的镀覆装置的整体结构的立体图。图2是表示本实施方式的镀覆装置的整体结构的俯视图。本实施方式的镀覆装置用于对基板实施镀覆处理。基板包括方形基板、圆形基板。如图1、2所示,镀覆装置1000具备装载/卸载模块100、输送机械臂110、对准器120、预湿模块200、预浸模块300、镀覆模块400、清洗模块500、旋转冲洗干燥模块600、输送装置700以及控制模块800。
装载/卸载模块100是用于将半导体晶片等基板搬入于镀覆装置1000或者从镀覆装置1000搬出基板的模块,搭载有用于收容基板的盒。在本实施方式中,4台装载/卸载模块100沿水平方向排列配置,但装载/卸载模块100的数量及配置是任意的。输送机械臂110是用于输送基板的机械臂,构成为在装载/卸载模块100、对准器120以及输送装置700之间交接基板。输送机械臂110及输送装置700能够在输送机械臂110与输送装置700之间交接基板时,经由未图示的临时放置台进行基板的交接。对准器120是用于使基板的定向平面(orientation flat)、凹口等的位置与规定的方向对准的模块。在本实施方式中,2台对准器120沿水平方向排列配置,但对准器120的数量及配置是任意的。
预湿模块200是用于使纯水或脱气水等处理液(预湿液)附着于镀覆处理前的基板的被镀覆面的模块。在本实施方式中,2台预湿模块200沿上下方向排列配置,但预湿模块200的数量及配置是任意的。预浸模块300是用于对镀覆处理前的基板的被镀覆面的氧化膜进行蚀刻的模块。在本实施方式中,2台预浸模块300沿上下方向排列配置,但预浸模块300的数量及配置是任意的。
镀覆模块400是用于对基板实施镀覆处理的模块。在本实施方式中,沿上下方向排列3台且沿水平方向排列4台而配置的12台镀覆模块400的组件为两组,合计设置有24台镀覆模块400,但镀覆模块400的数量及配置是任意的。
清洗模块500是用于对镀覆处理后的基板进行清洗的模块。在本实施方式中,2台清洗模块500沿上下方向排列配置,但清洗模块500的数量及配置是任意的。旋转冲洗干燥模块600是用于使清洗处理后的基板高速旋转而使其干燥的模块。在本实施方式中,2台旋转冲洗干燥模块沿上下方向排列配置,但旋转冲洗干燥模块的数量及配置是任意的。
输送装置700是用于在镀覆装置1000内的多个模块之间输送基板的装置。控制模块800是用于控制镀覆装置1000的多个模块的模块,例如能够由具备与操作员之间的输入输出接口的一般的计算机或专用计算机构成。
对镀覆装置1000进行的一系列镀覆处理的一个例子进行说明。首先,将基板搬入于装载/卸载模块100。接着,输送机械臂110从装载/卸载模块100取出基板,并将基板输送至对准器120。对准器120使定向平面、凹口等的位置与规定的方向对准。输送机械臂110将由对准器120对准了方向的基板交接给输送装置700。
输送装置700将从输送机械臂110接收到的基板输送给预湿模块200。预湿模块200对基板实施预湿处理。输送装置700将实施了预湿处理的基板输送给预浸模块300。预浸模块300对基板实施预浸处理。输送装置700将实施了预浸处理的基板输送给镀覆模块400。镀覆模块400对基板实施镀覆处理。
输送装置700将实施了镀覆处理的基板输送给清洗模块500。清洗模块500对基板实施清洗处理。输送装置700将实施了清洗处理的基板输送给旋转冲洗干燥模块600。旋转冲洗干燥模块600对基板实施干燥处理。输送装置700将实施了干燥处理的基板交接给输送机械臂110。输送机械臂110将从输送装置700接收到的基板输送给装载/卸载模块100。最后,从装载/卸载模块100搬出基板。
<镀覆模块的结构>
接下来,对镀覆模块400的结构进行说明。本实施方式中的24台镀覆模块400是相同的结构,因此仅对1台镀覆模块400进行说明。图3是简要地示出本实施方式的镀覆模块400的结构的纵向剖视图。如图3所示,镀覆模块400具备用于收容镀覆液的镀覆槽410。镀覆槽410构成为包括上表面开口的圆筒形的内槽412、和设置在内槽412的周围以便积存从内槽412的上边缘溢出的镀覆液的外槽414。
镀覆模块400具备将内槽412的内部沿上下方向隔开的隔膜420。内槽412的内部被隔膜420分隔成阴极区域422和阳极区域424。在阴极区域422和阳极区域424分别填充有镀覆液。在阳极区域424的内槽412的底面设置有阳极430。在阴极区域422配置有与隔膜420对置的电阻体450。电阻体450是用于实现基板Wf的被镀覆面Wf-a的镀覆处理的均匀化的部件。此外,在本实施方式中,示出了设置有隔膜420的一个例子,但也可以不设置隔膜420。
另外,镀覆模块400具备用于将基板Wf保持为被镀覆面Wf-a朝向下方的状态的基板保持件440。基板保持件440以使被镀覆面Wf-a的一部分(被镀覆部)Wf-1露出的状态,把持该一部分的外侧区域即边缘部Wf-2。基板保持件440具有密封边缘部Wf-2的密封体(第二密封体)441,以使镀覆液不作用于基板Wf的边缘部Wf-2。另外,基板保持件440具备用于与基板Wf的边缘部Wf-2接触而从未图示的电源向基板Wf供电的供电接点。镀覆模块400具备用于使基板保持件440升降的升降机构442。升降机构442例如能够通过马达等公知的机构来实现。通过使用升降机构442来使基板Wf浸渍于阴极区域422的镀覆液,由此使基板Wf的被镀覆部Wf-1暴露于镀覆液。镀覆模块400构成为在该状态下在阳极430与基板Wf之间施加电压,由此对基板Wf的被镀覆面Wf-a(被镀覆部Wf-1)实施镀覆处理。
此外,上述的镀覆模块400在基板Wf的被镀覆面Wf-a朝向下方的状态下实施镀覆处理,但不限定于这样的例子。作为一个例子,在镀覆模块400中,也可以在被镀覆面Wf-a朝向上方或侧方的状态下实施镀覆处理。
<预湿模块的结构>
对本实施方式的预湿模块200的结构进行说明。本实施方式中的2台预湿模块200是相同的结构,因此仅对1台预湿模块200进行说明。图4是简要地示出本实施方式的预湿模块200的结构的纵向剖视图。如图4所示,预湿模块200具备用于保持基板Wf的预湿用基板保持件240、和用于驱动预湿用基板保持件240的驱动机构250。另外,预湿模块200具有用于供给纯水或脱气水等处理液的处理液供给机构(在图4中未图示)。此外,在图4所示的例子中,预湿用基板保持件240将基板Wf保持为被镀覆面Wf-a朝向上方的状态,但不限定于这样的例子。预湿用基板保持件240也可以构成为使被镀覆面Wf-a朝向下方或水平方向地保持。另外,预湿用基板保持件240也可以使被镀覆面Wf相对于铅垂方向或水平方向倾斜地保持。作为一个例子,驱动机构250构成为能够使预湿用基板240向水平方向和铅垂方向中的至少一方移动。另外,驱动机构250可以构成为能够变更被镀覆面Wf-a的朝向,也可以构成为使基板Wf上下翻转。
预湿用基板保持件240例如具有:第一保持部件(支承体)242,具有用于支承基板Wf的被镀覆面Wf-a的背面的支承面242a;和第二保持部件244,相对于该第一保持部件242装卸自如地构成。作为一个例子,预湿用基板保持件240构成为通过未图示的驱动机构使安装于第二保持部件244的销245相对于第一保持部件242移动,通过第一保持部件242与密封体246夹持基板Wf,由此保持基板Wf。但是,不限定于这样的例子,例如预湿用基板保持件240也可以构成为通过设置于第一保持部件242的真空卡盘来保持基板。
第二保持部件244与基板Wf的被镀覆面Wf-a接触,相对于被镀覆面Wf-a形成台阶部。作为一个例子,如图4所示,由第二保持部件244形成的台阶部优选构成为越远离基板Wf的被镀覆面Wf-a而越扩径的锥状。图5是从图4的上方表示第二保持部件244的图。如图4及图5所示,第二保持部件244具有用于与基板Wf的被镀覆面Wf-a接触而密封基板Wf的边缘部Wf-2的密封体(第一密封体)246(在图5中由虚线表示)。通过密封体246,能够防止在被镀覆面Wf-a,预湿液浸入基板Wf的边缘部Wf-2。此外,在预湿液从第一保持部件242与第二保持部件244之间的间隙浸入的可能性较低的情况下,如图4所示,预湿用基板保持件240也可以不具有用于密封第一保持部件242与第二保持部件244之间的间隙的密封体。但是,不限定于这样的例子,也可以是第一保持部件242和第二保持部件244的至少一方具有用于密封第一保持部件242与第二保持部件244之间的间隙的密封体。
接着,对预湿模块200对基板Wf进行的预湿处理进行说明。图6是表示预湿模块200进行的第一实施方式的预湿处理的图。在图6所示的例子中,基板Wf被保持为被镀覆面Wf-a朝向上方。另外,在图6所示的例子中,预湿模块200具备构成为从基板Wf的上方喷出处理液的喷出机构(喷嘴)260A作为处理液供给机构。通过从喷出机构260A喷出处理液,从而向基板Wf的被镀覆面Wf-a(被镀覆部Wf-1)喷射并附着处理液。虽然没有限定,但向基板Wf的被镀覆面Wf-a喷射处理液优选伴随着基于驱动机构250(在图6中未图示)的预湿用基板保持件240(基板Wf)的旋转而进行。这样,能够使被镀覆面Wf-a上的处理液的附着的均匀性提高。另外,喷出处理液的喷出机构260A可以构成为朝向基板Wf的中心喷射处理液,也可以构成为朝向远离基板Wf的中心的规定位置喷射处理液。另外,由喷出机构260A进行的处理液的喷出可以伴随着预湿用基板保持件240和喷出机构260A的至少一方的移动而进行,以便一边变更被镀覆面Wf-a上的喷射位置一边进行。
图7是表示预湿模块200进行的第二实施方式的预湿处理的图。在图7所示的例子中,基板Wf被保持为被镀覆面Wf-a朝向上方。另外,在图7所示的例子中,预湿模块200具备构成为从基板Wf的上方喷出处理液的喷出机构260B作为处理液供给机构。喷出机构260B具有多个喷出口260Ba。作为一个例子,优选喷出机构260B具有沿着基板Wf的被镀覆面Wf-a的径向的多个喷出口260Ba,并随着基板Wf的旋转,从喷出机构260B喷出处理液。在这样的例子中,也能够对基板Wf的被镀覆面Wf-a适当地实施预湿处理。此外,由喷出机构260B进行的处理液的喷出可以伴随着预湿用基板保持件240和喷出机构260B的至少一方的移动而进行,以便一边变更被镀覆面Wf-a上的喷射位置一边进行。
图8是表示预湿模块200进行的第三实施方式的预湿处理的图。在图8所示的例子中,基板Wf被保持为被镀覆面Wf-a朝向上方。在图8所示的例子中,预湿模块200具备构成为从基板Wf的上方喷出处理液的喷出机构260C作为处理液供给机构。这里,图8所示的喷出机构260C具有多个喷出口260Ca。作为一个例子,喷出机构260C具有遍及基板Wf的被镀覆部Wf-1的整个区域地与被镀覆面Wf-a对置的多个喷出口260Ca。在这样的例子中,也能够对基板Wf的被镀覆面Wf-a适当地实施预湿处理。此外,由喷出机构260C进行的处理液的喷出可以伴随着预湿用基板保持件240和喷出机构260C的至少一方的移动而进行,以便一边变更被镀覆面Wf-a上的喷射位置一边进行。另外,在从喷出机构260C喷出处理液时,也可以使基板Wf旋转。
图9是表示预湿模块200进行的第四实施方式的预湿处理的图。在图9所示的例子中,基板Wf被保持为被镀覆面Wf-a朝向上方。在图9所示的例子中,预湿模块200的处理液供给机构260D将处理液积存于由预湿用基板保持件240的第二保持部件244(第一密封体246、台阶部)和被镀覆面Wf-a划定的槽状区域。作为一个例子,预湿模块200可以使处理液供给机构260D进行动作,以使规定量的处理液积存于槽状区域,然后,待机预定的时间,由此使处理液附着于被镀覆面Wf-a。根据这样的例子,能够以较少的处理液使处理液均匀地附着于被镀覆面Wf-a。
图10是表示预湿模块200进行的第五实施方式的预湿处理的图。在图10所示的例子中,基板Wf被保持为被镀覆面Wf-a朝向上方。在图10所示的例子中,预湿模块200具备用于收容处理液的预湿槽260Ea、用于向预湿槽260Ea供给处理液的处理液供给管线260Eb、以及用于从预湿槽260Ea排出处理液的处理液排出管线260Ec,作为处理液供给机构260E。在图10所示的例子中,使用驱动机构250(在图10中未图示),使保持基板Wf的预湿用基板保持件240浸渍在积存于预湿槽260Ea的处理液中,由此使处理液附着于基板Wf的被镀覆面Wf-1。此外,预湿模块200可以在使预湿用基板保持件240移动到预湿槽260Ea内之后,从处理液供给管线260Eb向预湿槽260Ea内供给处理液,由此使处理液附着于基板Wf。另外,预湿模块200也可以在预湿槽260Ea内积存有处理液的状态下,使预湿用基板保持件240移动到预湿槽260Ea内,由此使处理液附着于基板Wf。此外,在图10所示的例子中,预湿模块200也可以代替处理液供给管线260Eb,或者除处理液供给管线260Eb之外,具备图6~图8所示的喷出机构260A~260C的任一个。
图11是表示预湿模块200进行的第六实施方式的预湿处理的图。在图11所示的例子中,基板Wf被保持为被镀覆面Wf-a朝向下方。在图11所示的例子中,预湿模块200具备构成为从基板Wf的下方喷出处理液的喷出机构260F作为处理液供给机构。这里,图11所示的喷出机构260F具有多个喷出口260Fa。作为一个例子,喷出机构260F具有遍及基板Wf的被镀覆部Wf-1的整个区域地与被镀覆面Wf-a对置的多个喷出口260Fa。在这样的例子中,也能够对基板Wf的被镀覆面Wf-a适当地实施预湿处理。此外,由喷出机构260F进行的处理液的喷出可以伴随着预湿用基板保持件240和喷出机构260F的至少一方的移动而进行,以便一边变更被镀覆面Wf-a上的喷射位置一边进行处理液的喷出。另外,在从喷出机构260F喷出处理液时,也可以使基板Wf旋转。另外,不限定于图11所示的例子,喷出机构260F也可以如图6中说明的喷出机构260A那样具有一个喷出口。另外,喷出机构260F也可以如图7中说明的喷出机构260B那样具有沿着基板Wf的被镀覆面Wf-a的径向的多个喷出口。
图12是表示预湿模块200进行的第七实施方式的预湿处理的图。在图12所示的例子中,基板Wf被保持为被镀覆面Wf-a朝向下方。在图12所示的例子中,预湿模块200具备用于收容处理液的预湿槽260Ga、用于向预湿槽260Ga供给处理液的处理液供给管线260Gb、以及用于从预湿槽260Ga排出处理液的处理液排出管线260Gc,作为处理液供给机构260G。在图12所示的例子中,使用驱动机构250(在图12中未图示),使保持基板Wf的预湿用基板保持件240浸渍在积存于预湿槽260Ga的处理液中,由此使处理液附着于基板Wf的被镀覆面Wf-1。此外,预湿模块200可以在使预湿用基板保持件240移动到预湿槽260Ga内之后,从处理液供给管线260Gb向预湿槽260Ga内供给处理液,由此使处理液附着于基板Wf。另外,预湿模块200也可以在预湿槽260Ga内积存有处理液的状态下,使预湿用基板保持件240移动到预湿槽260Ga内,由此使处理液附着于基板Wf。另外,预湿模块200也可以在预湿槽260Ga内,使基板Wf倾斜。另外,预湿模块200也可以在使基板Wf倾斜的状态下使预湿用基板保持件240和基板Wf移动到预湿槽260Ga内。这样,能够抑制在基板Wf的被镀覆面Wf-a产生气泡。如上所述,基板Wf被预湿槽260Ea的密封体246密封,因此在这样的例子中,也能够使处理液适当地附着于基板Wf。此外,在图12所示的例子中,预湿模块200可以代替处理液供给管线260Gb,或者除处理液供给管线260Gb之外,具备以喷出口朝向上方的方式配置的图6~图8所示的喷出机构260A~260C的任一个。
如参照图6~图12所说明的那样,当通过预湿处理使处理液附着于基板Wf的被镀覆面Wf-a时,接着,预湿模块200解除预湿用基板保持件240对基板Wf的保持。由此,预湿用基板保持件240的密封体246对被镀覆面Wf-a的密封也被解除。这里,在解除预湿用基板保持件240对基板Wf的保持时,优选在通过驱动机构250使基板Wf旋转后解除基板Wf的保持。另外,预湿模块200可以代替使基板Wf旋转,或者除此之外,进行使基板Wf向水平方向或铅垂方向移动、使基板Wf倾斜、使基板Wf振动中的至少一个。这样,能够减少在预湿用基板保持件240的密封体246附近残留的处理液,从而能够抑制在被镀覆面Wf-a的密封的解除时,处理液附着于基板Wf的边缘部Wf-2。此外,如图4所示,若预湿用基板保持件240的第二保持部件244(台阶部)构成为越远离被镀覆面Wf-a而越扩径,则容易减少在密封体246附近残留的处理液。另外,如果在被镀覆面Wf-a朝向下方的状态下,解除预湿用基板保持件240对基板Wf的保持,则能够进一步抑制处理液附着于基板Wf的边缘部Wf-2。
<镀覆方法>
图13是表示基于上述镀覆装置的镀覆方法的一个例子的流程图。如图13所示,在镀覆装置中,在预湿模块200中,通过由预湿用基板保持件240保持基板Wf,使密封体(第一密封体)246与基板Wf接触而对基板Wf的边缘部Wf-2进行密封(步骤S10)。接着,对由预湿用基板保持件240保持的基板Wf实施预湿处理(步骤S20)。接着,输送装置700将完成了预湿处理的基板Wf输送给预浸模块300。此外,优选输送装置700将基板Wf以被预湿用基板保持件240保持的状态输送给预浸模块300。这样,能够防止在预浸处理中,预浸处理中的硫酸或盐酸等的处理液(预浸液)附着于基板Wf的边缘部。此外,也可以跳过预浸处理,镀覆装置1000也可以不具备预浸模块300。或者,作为一个例子,可以通过使硫酸或盐酸等与预湿模块200中的预湿液混在一起,在预湿模块200中进行预湿处理和预浸处理。然后,解除预湿用基板保持件240对基板Wf的保持,从基板Wf取下密封体246(步骤S30)。输送装置700将完成了预湿处理的基板Wf输送给镀覆模块400(步骤S40)。此时,作为一个例子,输送装置700可以以使被镀覆面Wf-a朝向下方的状态输送基板Wf。这样,能够防止预湿处理的处理液等异物附着于基板Wf的边缘部。然后,在镀覆模块400中,利用具有密封体(第二密封体)441的基板保持件440,保持基板Wf(步骤S50),使镀覆液作用于基板Wf(步骤S60)。根据这样的镀覆方法,能够利用第一密封体246对基板Wf进行密封而实施预湿处理,从而能够防止由预湿处理产生的处理液残留在基板Wf的边缘部Wf-2。
<变形例>
图14是简要地示出变形例的预湿模块的结构的一部分的图。在图14中,放大示出变形例的预湿用基板保持件240A的一部分。变形例的预湿用基板保持件240A具备与被保持的基板Wf的边缘部Wf-2接触的电接点247(电阻测定机构的一个例子)。预湿用基板保持件240A具有多个电接点247,多个电接点247通过基板Wf的导电层(例如种子层)相互电连接。然后,控制模块800测定通过两个电接点247的合成电阻,在合成电阻不在规定的允许范围内的情况下,判断为电接点247与基板Wf的导电层的连接存在异常。根据这样的变形例的预湿模块,能够在基板Wf被输送到镀覆模块400之前,检测基板Wf的缺陷。
本发明也能够记载为以下的方式。
[方式1]根据方式1,提出了用于对具有暴露于镀覆液的被镀覆部和上述被镀覆部的外侧区域亦即边缘部的基板实施镀覆处理的镀覆方法,上述镀覆方法包括:第一密封工序,使第一密封体与基板接触而对上述基板的上述边缘部进行密封;预湿工序,对通过上述第一密封工序密封后的上述基板实施预湿处理;第一密封取下工序,从预湿后的上述基板取下上述第一密封体;基板保持工序,利用具有第二密封体的基板保持件来保持上述基板;以及镀覆工序,使镀覆液作用于由上述基板保持件保持的上述基板。
根据方式1,能够防止预湿液残留在基板的边缘部。
[方式2]根据方式2,在方式1的基础上,上述第一密封取下工序包括在从上述基板取下上述第一密封体之前,使上述基板旋转的工序。
根据方式2,能够减少在第一密封体附近残留的预湿液,从而能够进一步防止预湿液残留在基板的边缘部。
[方式3]根据方式3,在方式1或2的基础上,在上述预湿工序中,在使被镀覆面朝向下方的状态下对上述基板实施预湿处理。
根据方式3,能够进一步防止预湿液残留在基板的边缘部。
[方式4]根据方式4,在方式1或2的基础上,在上述预湿工序中,在使被镀覆面朝向上方的状态下对上述基板实施预湿处理。
根据方式4,能够使用较少的预湿液,使预湿液均匀地附着于基板的被镀覆面。
[方式5]根据方式5,在方式4的基础上,上述预湿工序包括将预湿液积存于由上述第一密封体和上述基板的被镀覆面划定的槽状区域的工序。
根据方式5,能够使用较少的预湿液,使预湿液均匀地附着于基板的被镀覆面。
[方式6]根据方式6,在方式1~5的基础上,还包括通过输送模块,从实施上述预湿工序的场所以使上述被镀覆面朝向下方的状态进行输送的工序。
根据方式6,能够防止在输送中预湿液或其他异物附着于基板的边缘部。
[方式7]根据方式7,在方式1~6的基础上,上述预湿工序通过向上述基板的被镀覆面喷射预湿液而进行。
[方式8]根据方式8,在方式1~7的基础上,上述预湿工序伴随着上述基板的旋转而进行。
根据方式8,能够使预湿液更均匀地附着于基板。
[方式9]根据方式9,在方式1~8的基础上,在上述第一密封工序中,利用具有上述第一密封体的预湿用基板保持件来保持上述基板,上述预湿用基板保持件具有支承上述基板的被镀覆面的背面的支承体,由上述支承体与上述第一密封体夹持上述基板,以及/或者,通过设置于上述支承体的真空卡盘来保持上述基板。
[方式10]根据方式10,在方式9的基础上,上述预湿用基板保持件具备用于测定上述基板的上述边缘部的导电层的电阻的电阻测定机构,上述镀覆方法还包括测定由上述预湿用基板保持件保持的基板的电阻的工序。
根据方式10,能够在镀覆工序之前,检测基板的缺陷。
[方式11]根据方式11,在方式1~10的基础上,上述第一密封体对于上述基板的被镀覆面形成台阶部,该台阶部构成为越远离上述基板的被镀覆面而越扩径的锥状。
根据方式11,能够进一步防止预湿液残留在基板的边缘部。
[方式12]根据方式12,在方式1~11的基础上,在上述镀覆工序中,在使被镀覆面朝向下方的状态下,使上述基板保持件和上述基板浸渍于上述镀覆液。
根据方式12,能够进一步防止预湿液残留在基板的边缘部。
以上,对本发明的实施方式进行了说明,但上述的发明的实施方式是为了容易理解本发明,而不限定本发明。本发明当然能够在不脱离其主旨的情况下进行变更、改进,并且在本发明中包括其等效物。另外,在能够解决上述课题的至少一部分的范围或者起到效果的至少一部分的范围内,能够进行实施方式以及变形例的任意组合,能够进行权利要求书以及说明书所记载的各构成要素的任意的组合或者省略。
本申请主张基于在2020年10月9日申请的日本专利申请编号第2020-171311号的优先权。日本专利申请编号第2020-171311号的包括说明书、权利要求书、附图以及摘要的全部的公开内容通过参照而整体被本申请引用。日本特开2001-316869号公报(专利文献1)的包括说明书、权利要求书、附图以及摘要的全部的公开通过参照而整体被本申请引用。
Claims (12)
1.一种镀覆方法,是用于对具有暴露于镀覆液的被镀覆部和所述被镀覆部的外侧区域亦即边缘部的基板实施镀覆处理的镀覆方法,其中,包括:
第一密封工序,使第一密封体与基板接触而对所述基板的所述边缘部进行密封;
预湿工序,对通过所述第一密封工序密封后的所述基板实施预湿处理;
第一密封取下工序,从预湿后的所述基板取下所述第一密封体;
基板保持工序,利用具有第二密封体的基板保持件来保持所述基板;以及
镀覆工序,使镀覆液作用于由所述基板保持件保持的所述基板。
2.根据权利要求1所述的镀覆方法,其中,
所述第一密封取下工序包括在从所述基板取下所述第一密封体之前,使所述基板旋转的工序。
3.根据权利要求1或2所述的镀覆方法,其中,
在所述预湿工序中,在使被镀覆面朝向下方的状态下对所述基板实施预湿处理。
4.根据权利要求1或2所述的镀覆方法,其中,
在所述预湿工序中,在使被镀覆面朝向上方的状态下对所述基板实施预湿处理。
5.根据权利要求4所述的镀覆方法,其中,
所述预湿工序包括将预湿液积存于由所述第一密封体和所述基板的被镀覆面划定的槽状区域的工序。
6.根据权利要求1所述的镀覆方法,其中,
还包括通过输送模块,从实施所述预湿工序的场所以使所述被镀覆面朝向下方的状态进行输送的工序。
7.根据权利要求1所述的镀覆方法,其中,
所述预湿工序通过向所述基板的被镀覆面喷射预湿液而进行。
8.根据权利要求1所述的镀覆方法,其中,
所述预湿工序伴随着所述基板的旋转而进行。
9.根据权利要求1所述的镀覆方法,其中,
在所述第一密封工序中,
由具有所述第一密封体的预湿用基板保持件来保持所述基板,所述预湿用基板保持件具有支承所述基板的被镀覆面的背面的支承体,
由所述支承体与所述第一密封体夹持所述基板,以及/或者,通过设置于所述支承体的真空卡盘来保持所述基板。
10.根据权利要求9所述的镀覆方法,其中,
所述预湿用基板保持件具备测定所述基板的所述边缘部的导电层的电阻的电阻测定器,
所述镀覆方法还包括测定由所述预湿用基板保持件保持的基板的电阻的工序。
11.根据权利要求1所述的镀覆方法,其中,
在所述基板的被镀覆面形成有包括所述第一密封体的台阶部,该台阶部构成为越远离所述基板的被镀覆面而越扩径的锥状。
12.根据权利要求1所述的镀覆方法,其中,
在所述镀覆工序中,以使被镀覆面朝向下方的状态使所述基板保持件和所述基板浸渍于所述镀覆液。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020171311A JP2022063026A (ja) | 2020-10-09 | 2020-10-09 | めっき方法 |
JP2020-171311 | 2020-10-09 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114318440A true CN114318440A (zh) | 2022-04-12 |
Family
ID=81045430
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110987141.7A Pending CN114318440A (zh) | 2020-10-09 | 2021-08-26 | 镀覆方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11542619B2 (zh) |
JP (1) | JP2022063026A (zh) |
KR (1) | KR20220047505A (zh) |
CN (1) | CN114318440A (zh) |
TW (1) | TW202223166A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN117716481A (zh) * | 2022-08-08 | 2024-03-15 | 株式会社荏原制作所 | 预湿模块 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11585005B2 (en) * | 2021-01-13 | 2023-02-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus and method for wafer pre-wetting |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001316869A (ja) | 2000-05-08 | 2001-11-16 | Tokyo Electron Ltd | 電解メッキ方法 |
JP4111846B2 (ja) * | 2003-03-05 | 2008-07-02 | 株式会社荏原製作所 | めっき装置 |
US8962085B2 (en) * | 2009-06-17 | 2015-02-24 | Novellus Systems, Inc. | Wetting pretreatment for enhanced damascene metal filling |
-
2020
- 2020-10-09 JP JP2020171311A patent/JP2022063026A/ja active Pending
-
2021
- 2021-08-26 CN CN202110987141.7A patent/CN114318440A/zh active Pending
- 2021-09-01 KR KR1020210116177A patent/KR20220047505A/ko active Search and Examination
- 2021-10-07 TW TW110137396A patent/TW202223166A/zh unknown
- 2021-10-08 US US17/497,252 patent/US11542619B2/en active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN117716481A (zh) * | 2022-08-08 | 2024-03-15 | 株式会社荏原制作所 | 预湿模块 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2022063026A (ja) | 2022-04-21 |
KR20220047505A (ko) | 2022-04-18 |
US11542619B2 (en) | 2023-01-03 |
TW202223166A (zh) | 2022-06-16 |
US20220112620A1 (en) | 2022-04-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN114318440A (zh) | 镀覆方法 | |
CN115135618B (zh) | 镀覆方法及镀覆装置 | |
WO2023062778A1 (ja) | プリウェット処理方法 | |
JP7162787B1 (ja) | めっき装置 | |
JP7253125B1 (ja) | めっき装置、及び、めっき方法 | |
JP7142812B1 (ja) | リーク判定方法およびめっき装置 | |
US20230167572A1 (en) | Wetting method for substrate and plating apparatus | |
JP7199618B1 (ja) | めっき方法、及び、めっき装置 | |
TWI809937B (zh) | 漏液判定方法及鍍覆裝置 | |
TWI803026B (zh) | 鍍覆方法及鍍覆裝置 | |
TWI837780B (zh) | 鍍覆裝置及鍍覆方法 | |
US11993861B2 (en) | Plating apparatus and air bubble removing method | |
JP7467782B1 (ja) | めっき装置およびめっき液排出方法 | |
KR102493757B1 (ko) | 도금 장치 | |
WO2023032191A1 (ja) | めっき方法及びめっき装置 | |
TW202400855A (zh) | 鍍覆裝置 | |
TW202311570A (zh) | 鍍覆方法及鍍覆裝置 | |
TW202317278A (zh) | 預濕處理方法 | |
JP2001316891A (ja) | 液処理装置及び電極の通電確認方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |