TW202223166A - 鍍覆方法 - Google Patents
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Abstract
本發明揭示一種鍍覆方法。本發明的課題在於防止預濕液殘留在基板的邊緣部。提出了一種用於對具有暴露於鍍覆液的被鍍覆部和作為上述被鍍覆部的外側區域的邊緣部的基板實施鍍覆處理的鍍覆方法。上述鍍覆方法包括:第一密封工序,使第一密封體與基板接觸而對上述基板的上述邊緣部進行密封;預濕工序,對密封後的上述基板實施預濕處理;第一密封取下工序,從預濕後的上述基板取下上述第一密封體;基板保持工序,利用具有第二密封體的基板保持件來保持上述基板;以及鍍覆工序,使鍍覆液作用於由上述基板保持件保持的上述基板。
Description
本發明係關於一種鍍覆方法。
作為用於對基板實施鍍覆處理的鍍覆模組,公知有杯式的電鍍模組。杯式的電鍍模組具備使被鍍覆面朝向下方地保持基板(例如半導體晶片)的基板保持件。基板保持件具有用於對基板施加電壓的電接點、和將基板密封以使鍍覆液不作用於該電接點的密封構件。在杯式的電鍍模組中,使被鍍覆面朝向下方地將基板浸漬於鍍覆液,在基板與陽極之間施加電壓,從而使導電膜在基板的表面析出。
用於處理多個基板的鍍覆裝置往往具備多個這樣的杯式的電鍍模組。在這樣的例子中,多個杯式的電鍍模組分別往往具有一體型的基板保持件及鍍覆槽。通過將鍍覆槽與基板保持件構成為一體型,能夠實現裝置的小型化。
[專利文獻1]:日本特開2001-316869號公報
在鍍覆裝置中,在鍍覆模組的鍍覆處理之前,有時對基板實施預濕處理。在預濕處理中,通過利用純水或脫氣水等處理液潤濕鍍覆處理前的基板的被鍍覆面,將形成於基板表面的圖案內部的空氣置換為處理液。由此,在鍍覆時,通過將圖案內部的處理液置換為鍍覆液,容易向圖案內部供給鍍覆液。然而,例如在基板保持件與鍍覆槽構成為一體型的裝置等,在基板被基板保持件保持前進行預濕處理的情況下,有時會產生不良狀況。
即,若在基板被基板保持件保持前進行預濕處理而在基板的電接點所接觸的邊緣部殘留有預濕液,則存在當由基板保持件保持基板保持時電接點的電接觸受到阻礙的擔憂。另外,有時在基板保持件附著有以前的鍍覆處理時的鍍覆液,若在基板的邊緣部殘留有預濕液,則存在鍍覆液進入密封區域的擔憂。
鑑於以上的實際情況,本申請的一個目的在於防止預濕液殘留在基板的邊緣部。
根據一個實施方式,提出一種鍍覆方法,其是用於對具有暴露於鍍覆液的被鍍覆部和上述被鍍覆部的外側區域亦即邊緣部的基板實施鍍覆處理的鍍覆方法,包括:第一密封工序,使第一密封體與基板接觸而密封上述基板的上述邊緣部;預濕工序,對密封後的上述基板實施預濕處理;第一密封取下工序,從預濕後的上述基板取下上述第一密封體;基板保持工序,利用具有第二密封體的基板保持件來保持上述基板;以及鍍覆工序,使鍍覆液作用於由上述基板保持件保持的上述基板。
以下,參照附圖對本發明的實施方式進行說明。在以下說明的附圖中,對相同或相當的構成要素標註相同的附圖標記並省略重複的說明。
(鍍覆裝置的整體結構)
圖1是表示本實施方式的鍍覆裝置的整體結構的立體圖。圖2是表示本實施方式的鍍覆裝置的整體結構的俯視圖。本實施方式的鍍覆裝置用於對基板實施鍍覆處理。基板包括方形基板、圓形基板。如圖1、2所示,鍍覆裝置1000具備裝載/卸載模組100、輸送機械臂110、對準器120、預濕模組200、預浸模組300、鍍覆模組400、清洗模組500、旋轉沖洗乾燥模組600、輸送裝置700以及控制模組800。
裝載/卸載模組100是用於將半導體晶片等基板搬入於鍍覆裝置1000或者從鍍覆裝置1000搬出基板的模組,搭載有用於收容基板的盒。在本實施方式中,4台裝載/卸載模組100沿水平方向排列配置,但裝載/卸載模組100的數量及配置是任意的。輸送機械臂110是用於輸送基板的機械臂,構成為在裝載/卸載模組100、對準器120以及輸送裝置700之間交接基板。輸送機械臂110及輸送裝置700能夠在輸送機械臂110與輸送裝置700之間交接基板時,經由未圖示的臨時放置台進行基板的交接。對準器120是用於使基板的定向平面(orientation flat)、凹口等的位置與規定的方向對準的模組。在本實施方式中,2台對準器120沿水平方向排列配置,但對準器120的數量及配置是任意的。
預濕模組200是用於使純水或脫氣水等處理液(預濕液)附著於鍍覆處理前的基板的被鍍覆面的模組。在本實施方式中,2台預濕模組200沿上下方向排列配置,但預濕模組200的數量及配置是任意的。預浸模組300是用於對鍍覆處理前的基板的被鍍覆面的氧化膜進行蝕刻的模組。在本實施方式中,2台預浸模組300沿上下方向排列配置,但預浸模組300的數量及配置是任意的。
鍍覆模組400是用於對基板實施鍍覆處理的模組。在本實施方式中,沿上下方向排列3台且沿水平方向排列4台而配置的12台鍍覆模組400的組件為兩組,合計設置有24台鍍覆模組400,但鍍覆模組400的數量及配置是任意的。
清洗模組500是用於對鍍覆處理後的基板進行清洗的模組。在本實施方式中,2台清洗模組500沿上下方向排列配置,但清洗模組500的數量及配置是任意的。旋轉沖洗乾燥模組600是用於使清洗處理後的基板高速旋轉而使其乾燥的模組。在本實施方式中,2台旋轉沖洗乾燥模組沿上下方向排列配置,但旋轉沖洗乾燥模組的數量及配置是任意的。
輸送裝置700是用於在鍍覆裝置1000內的多個模組之間輸送基板的裝置。控制模組800是用於控制鍍覆裝置1000的多個模組的模組,例如能夠由具備與操作員之間的輸入輸出接口的一般的計算機或專用計算機構成。
對鍍覆裝置1000進行的一系列鍍覆處理的一個例子進行說明。首先,將基板搬入於裝載/卸載模組100。接著,輸送機械臂110從裝載/卸載模組100取出基板,並將基板輸送至對準器120。對準器120使定向平面、凹口等的位置與規定的方向對準。輸送機械臂110將由對準器120對準了方向的基板交接給輸送裝置700。
輸送裝置700將從輸送機械臂110接收到的基板輸送給預濕模組200。預濕模組200對基板實施預濕處理。輸送裝置700將實施了預濕處理的基板輸送給預浸模組300。預浸模組300對基板實施預浸處理。輸送裝置700將實施了預浸處理的基板輸送給鍍覆模組400。鍍覆模組400對基板實施鍍覆處理。
輸送裝置700將實施了鍍覆處理的基板輸送給清洗模組500。清洗模組500對基板實施清洗處理。輸送裝置700將實施了清洗處理的基板輸送給旋轉沖洗乾燥模組600。旋轉沖洗乾燥模組600對基板實施乾燥處理。輸送裝置700將實施了乾燥處理的基板交接給輸送機械臂110。輸送機械臂110將從輸送裝置700接收到的基板輸送給裝載/卸載模組100。最後,從裝載/卸載模組100搬出基板。
(鍍覆模組的結構)
接下來,對鍍覆模組400的結構進行說明。本實施方式中的24台鍍覆模組400是相同的結構,因此僅對1台鍍覆模組400進行說明。圖3是簡要地示出本實施方式的鍍覆模組400的結構的縱向剖視圖。如圖3所示,鍍覆模組400具備用於收容鍍覆液的鍍覆槽410。鍍覆槽410構成為包括上表面開口的圓筒形的內槽412、和設置在內槽412的周圍以便積存從內槽412的上邊緣溢出的鍍覆液的外槽414。
鍍覆模組400具備將內槽412的內部沿上下方向隔開的隔膜420。內槽412的內部被隔膜420分隔成陰極區域422和陽極區域424。在陰極區域422和陽極區域424分別填充有鍍覆液。在陽極區域424的內槽412的底面設置有陽極430。在陰極區域422配置有與隔膜420對置的電阻體450。電阻體450是用於實現基板Wf的被鍍覆面Wf-a的鍍覆處理的均勻化的構件。此外,在本實施方式中,示出了設置有隔膜420的一個例子,但也可以不設置隔膜420。
另外,鍍覆模組400具備用於將基板Wf保持為被鍍覆面Wf-a朝向下方的狀態的基板保持件440。基板保持件440以使被鍍覆面Wf-a的一部分(被鍍覆部)Wf-1露出的狀態,把持該一部分的外側區域即邊緣部Wf-2。基板保持件440具有密封邊緣部Wf-2的密封體(第二密封體)441,以使鍍覆液不作用於基板Wf的邊緣部Wf-2。另外,基板保持件440具備用於與基板Wf的邊緣部Wf-2接觸而從未圖示的電源向基板Wf供電的供電接點。鍍覆模組400具備用於使基板保持件440升降的升降機構442。升降機構442例如能夠通過馬達等公知的機構來實現。通過使用升降機構442來使基板Wf浸漬於陰極區域422的鍍覆液,由此使基板Wf的被鍍覆部Wf-1暴露於鍍覆液。鍍覆模組400構成為在該狀態下在陽極430與基板Wf之間施加電壓,由此對基板Wf的被鍍覆面Wf-a(被鍍覆部Wf-1)實施鍍覆處理。
此外,上述的鍍覆模組400在基板Wf的被鍍覆面Wf-a朝向下方的狀態下實施鍍覆處理,但不限定於這樣的例子。作為一個例子,在鍍覆模組400中,也可以在被鍍覆面Wf-a朝向上方或側方的狀態下實施鍍覆處理。
(預濕模組的結構)
對本實施方式的預濕模組200的結構進行說明。本實施方式中的2台預濕模組200是相同的結構,因此僅對1台預濕模組200進行說明。圖4是簡要地示出本實施方式的預濕模組200的結構的縱向剖視圖。如圖4所示,預濕模組200具備用於保持基板Wf的預濕用基板保持件240、和用於驅動預濕用基板保持件240的驅動機構250。另外,預濕模組200具有用於供給純水或脫氣水等處理液的處理液供給機構(在圖4中未圖示)。此外,在圖4所示的例子中,預濕用基板保持件240將基板Wf保持為被鍍覆面Wf-a朝向上方的狀態,但不限定於這樣的例子。預濕用基板保持件240也可以構成為使被鍍覆面Wf-a朝向下方或水平方向地保持。另外,預濕用基板保持件240也可以使被鍍覆面Wf相對於鉛垂方向或水平方向傾斜地保持。作為一個例子,驅動機構250構成為能夠使預濕用基板240向水平方向和鉛垂方向中的至少一方移動。另外,驅動機構250可以構成為能夠變更被鍍覆面Wf-a的朝向,也可以構成為使基板Wf上下翻轉。
預濕用基板保持件240例如具有:第一保持構件(支承體)242,具有用於支承基板Wf的被鍍覆面Wf-a的背面的支承面242a;和第二保持構件244,相對於該第一保持構件242裝卸自如地構成。作為一個例子,預濕用基板保持件240構成為通過未圖示的驅動機構使安裝於第二保持構件244的銷245相對於第一保持構件242移動,通過第一保持構件242與密封體246夾持基板Wf,由此保持基板Wf。但是,不限定於這樣的例子,例如預濕用基板保持件240也可以構成為通過設置於第一保持構件242的真空卡盤來保持基板。
第二保持構件244與基板Wf的被鍍覆面Wf-a接觸,相對於被鍍覆面Wf-a形成台階部。作為一個例子,如圖4所示,由第二保持構件244形成的台階部優選構成為越遠離基板Wf的被鍍覆面Wf-a而越擴徑的錐狀。圖5是從圖4的上方表示第二保持構件244的圖。如圖4及圖5所示,第二保持構件244具有用於與基板Wf的被鍍覆面Wf-a接觸而密封基板Wf的邊緣部Wf-2的密封體(第一密封體)246(在圖5中由虛線表示)。通過密封體246,能夠防止在被鍍覆面Wf-a,預濕液浸入基板Wf的邊緣部Wf-2。此外,在預濕液從第一保持構件242與第二保持構件244之間的間隙浸入的可能性較低的情況下,如圖4所示,預濕用基板保持件240也可以不具有用於密封第一保持構件242與第二保持構件244之間的間隙的密封體。但是,不限定於這樣的例子,也可以是第一保持構件242和第二保持構件244的至少一方具有用於密封第一保持構件242與第二保持構件244之間的間隙的密封體。
接著,對預濕模組200對基板Wf進行的預濕處理進行說明。圖6是表示預濕模組200進行的第一實施方式的預濕處理的圖。在圖6所示的例子中,基板Wf被保持為被鍍覆面Wf-a朝向上方。另外,在圖6所示的例子中,預濕模組200具備構成為從基板Wf的上方噴出處理液的噴出機構(噴嘴)260A作為處理液供給機構。通過從噴出機構260A噴出處理液,從而向基板Wf的被鍍覆面Wf-a(被鍍覆部Wf-1)噴射並附著處理液。雖然沒有限定,但向基板Wf的被鍍覆面Wf-a噴射處理液優選伴隨著基於驅動機構250(在圖6中未圖示)的預濕用基板保持件240(基板Wf)的旋轉而進行。這樣,能夠使被鍍覆面Wf-a上的處理液的附著的均勻性提高。另外,噴出處理液的噴出機構260A可以構成為朝向基板Wf的中心噴射處理液,也可以構成為朝向遠離基板Wf的中心的規定位置噴射處理液。另外,由噴出機構260A進行的處理液的噴出可以伴隨著預濕用基板保持件240和噴出機構260A的至少一方的移動而進行,以便一邊變更被鍍覆面Wf-a上的噴射位置一邊進行。
圖7是表示預濕模組200進行的第二實施方式的預濕處理的圖。在圖7所示的例子中,基板Wf被保持為被鍍覆面Wf-a朝向上方。另外,在圖7所示的例子中,預濕模組200具備構成為從基板Wf的上方噴出處理液的噴出機構260B作為處理液供給機構。噴出機構260B具有多個噴出口260Ba。作為一個例子,優選噴出機構260B具有沿著基板Wf的被鍍覆面Wf-a的徑向的多個噴出口260Ba,並隨著基板Wf的旋轉,從噴出機構260B噴出處理液。在這樣的例子中,也能夠對基板Wf的被鍍覆面Wf-a適當地實施預濕處理。此外,由噴出機構260B進行的處理液的噴出可以伴隨著預濕用基板保持件240和噴出機構260B的至少一方的移動而進行,以便一邊變更被鍍覆面Wf-a上的噴射位置一邊進行。
圖8是表示預濕模組200進行的第三實施方式的預濕處理的圖。在圖8所示的例子中,基板Wf被保持為被鍍覆面Wf-a朝向上方。在圖8所示的例子中,預濕模組200具備構成為從基板Wf的上方噴出處理液的噴出機構260C作為處理液供給機構。這裡,圖8所示的噴出機構260C具有多個噴出口260Ca。作為一個例子,噴出機構260C具有遍及基板Wf的被鍍覆部Wf-1的整個區域地與被鍍覆面Wf-a對置的多個噴出口260Ca。在這樣的例子中,也能夠對基板Wf的被鍍覆面Wf-a適當地實施預濕處理。此外,由噴出機構260C進行的處理液的噴出可以伴隨著預濕用基板保持件240和噴出機構260C的至少一方的移動而進行,以便一邊變更被鍍覆面Wf-a上的噴射位置一邊進行。另外,在從噴出機構260C噴出處理液時,也可以使基板Wf旋轉。
圖9是表示預濕模組200進行的第四實施方式的預濕處理的圖。在圖9所示的例子中,基板Wf被保持為被鍍覆面Wf-a朝向上方。在圖9所示的例子中,預濕模組200的處理液供給機構260D將處理液積存於由預濕用基板保持件240的第二保持構件244(第一密封體246、台階部)和被鍍覆面Wf-a劃定的槽狀區域。作為一個例子,預濕模組200可以使處理液供給機構260D進行動作,以使規定量的處理液積存於槽狀區域,然後,待機預定的時間,由此使處理液附著於被鍍覆面Wf-a。根據這樣的例子,能夠以較少的處理液使處理液均勻地附著於被鍍覆面Wf-a。
圖10是表示預濕模組200進行的第五實施方式的預濕處理的圖。在圖10所示的例子中,基板Wf被保持為被鍍覆面Wf-a朝向上方。在圖10所示的例子中,預濕模組200具備用於收容處理液的預濕槽260Ea、用於向預濕槽260Ea供給處理液的處理液供給管線260Eb、以及用於從預濕槽260Ea排出處理液的處理液排出管線260Ec,作為處理液供給機構260E。在圖10所示的例子中,使用驅動機構250(在圖10中未圖示),使保持基板Wf的預濕用基板保持件240浸漬在積存於預濕槽260Ea的處理液中,由此使處理液附著於基板Wf的被鍍覆面Wf-1。此外,預濕模組200可以在使預濕用基板保持件240移動到預濕槽260Ea內之後,從處理液供給管線260Eb向預濕槽260Ea內供給處理液,由此使處理液附著於基板Wf。另外,預濕模組200也可以在預濕槽260Ea內積存有處理液的狀態下,使預濕用基板保持件240移動到預濕槽260Ea內,由此使處理液附著於基板Wf。此外,在圖10所示的例子中,預濕模組200也可以代替處理液供給管線260Eb,或者除處理液供給管線260Eb之外,具備圖6~圖8所示的噴出機構260A~260C的任一個。
圖11是表示預濕模組200進行的第六實施方式的預濕處理的圖。在圖11所示的例子中,基板Wf被保持為被鍍覆面Wf-a朝向下方。在圖11所示的例子中,預濕模組200具備構成為從基板Wf的下方噴出處理液的噴出機構260F作為處理液供給機構。這裡,圖11所示的噴出機構260F具有多個噴出口260Fa。作為一個例子,噴出機構260F具有遍及基板Wf的被鍍覆部Wf-1的整個區域地與被鍍覆面Wf-a對置的多個噴出口260Fa。在這樣的例子中,也能夠對基板Wf的被鍍覆面Wf-a適當地實施預濕處理。此外,由噴出機構260F進行的處理液的噴出可以伴隨著預濕用基板保持件240和噴出機構260F的至少一方的移動而進行,以便一邊變更被鍍覆面Wf-a上的噴射位置一邊進行處理液的噴出。另外,在從噴出機構260F噴出處理液時,也可以使基板Wf旋轉。另外,不限定於圖11所示的例子,噴出機構260F也可以如圖6中說明的噴出機構260A那樣具有一個噴出口。另外,噴出機構260F也可以如圖7中說明的噴出機構260B那樣具有沿著基板Wf的被鍍覆面Wf-a的徑向的多個噴出口。
圖12是表示預濕模組200進行的第七實施方式的預濕處理的圖。在圖12所示的例子中,基板Wf被保持為被鍍覆面Wf-a朝向下方。在圖12所示的例子中,預濕模組200具備用於收容處理液的預濕槽260Ga、用於向預濕槽260Ga供給處理液的處理液供給管線260Gb、以及用於從預濕槽260Ga排出處理液的處理液排出管線260Gc,作為處理液供給機構260G。在圖12所示的例子中,使用驅動機構250(在圖12中未圖示),使保持基板Wf的預濕用基板保持件240浸漬在積存於預濕槽260Ga的處理液中,由此使處理液附著於基板Wf的被鍍覆面Wf-1。此外,預濕模組200可以在使預濕用基板保持件240移動到預濕槽260Ga內之後,從處理液供給管線260Gb向預濕槽260Ga內供給處理液,由此使處理液附著於基板Wf。另外,預濕模組200也可以在預濕槽260Ga內積存有處理液的狀態下,使預濕用基板保持件240移動到預濕槽260Ga內,由此使處理液附著於基板Wf。另外,預濕模組200也可以在預濕槽260Ga內,使基板Wf傾斜。另外,預濕模組200也可以在使基板Wf傾斜的狀態下使預濕用基板保持件240和基板Wf移動到預濕槽260Ga內。這樣,能夠抑制在基板Wf的被鍍覆面Wf-a產生氣泡。如上所述,基板Wf被預濕槽260Ea的密封體246密封,因此在這樣的例子中,也能夠使處理液適當地附著於基板Wf。此外,在圖12所示的例子中,預濕模組200可以代替處理液供給管線260Gb,或者除處理液供給管線260Gb之外,具備以噴出口朝向上方的方式配置的圖6~圖8所示的噴出機構260A~260C的任一個。
如參照圖6~圖12所說明的那樣,當通過預濕處理使處理液附著於基板Wf的被鍍覆面Wf-a時,接著,預濕模組200解除預濕用基板保持件240對基板Wf的保持。由此,預濕用基板保持件240的密封體246對被鍍覆面Wf-a的密封也被解除。這裡,在解除預濕用基板保持件240對基板Wf的保持時,優選在通過驅動機構250使基板Wf旋轉後解除基板Wf的保持。另外,預濕模組200可以代替使基板Wf旋轉,或者除此之外,進行使基板Wf向水平方向或鉛垂方向移動、使基板Wf傾斜、使基板Wf振動中的至少一個。這樣,能夠減少在預濕用基板保持件240的密封體246附近殘留的處理液,從而能夠抑制在被鍍覆面Wf-a的密封的解除時,處理液附著於基板Wf的邊緣部Wf-2。此外,如圖4所示,若預濕用基板保持件240的第二保持構件244(台階部)構成為越遠離被鍍覆面Wf-a而越擴徑,則容易減少在密封體246附近殘留的處理液。另外,如果在被鍍覆面Wf-a朝向下方的狀態下,解除預濕用基板保持件240對基板Wf的保持,則能夠進一步抑制處理液附著於基板Wf的邊緣部Wf-2。
(鍍覆方法)
圖13是表示基於上述鍍覆裝置的鍍覆方法的一個例子的流程圖。如圖13所示,在鍍覆裝置中,在預濕模組200中,通過由預濕用基板保持件240保持基板Wf,使密封體(第一密封體)246與基板Wf接觸而對基板Wf的邊緣部Wf-2進行密封(步驟S10)。接著,對由預濕用基板保持件240保持的基板Wf實施預濕處理(步驟S20)。接著,輸送裝置700將完成了預濕處理的基板Wf輸送給預浸模組300。此外,優選輸送裝置700將基板Wf以被預濕用基板保持件240保持的狀態輸送給預浸模組300。這樣,能夠防止在預浸處理中,預浸處理中的硫酸或鹽酸等的處理液(預浸液)附著於基板Wf的邊緣部。此外,也可以跳過預浸處理,鍍覆裝置1000也可以不具備預浸模組300。或者,作為一個例子,可以通過使硫酸或鹽酸等與預濕模組200中的預濕液混在一起,在預濕模組200中進行預濕處理和預浸處理。然後,解除預濕用基板保持件240對基板Wf的保持,從基板Wf取下密封體246(步驟S30)。輸送裝置700將完成了預濕處理的基板Wf輸送給鍍覆模組400(步驟S40)。此時,作為一個例子,輸送裝置700可以以使被鍍覆面Wf-a朝向下方的狀態輸送基板Wf。這樣,能夠防止預濕處理的處理液等異物附著於基板Wf的邊緣部。然後,在鍍覆模組400中,利用具有密封體(第二密封體)441的基板保持件440,保持基板Wf(步驟S50),使鍍覆液作用於基板Wf(步驟S60)。根據這樣的鍍覆方法,能夠利用第一密封體246對基板Wf進行密封而實施預濕處理,從而能夠防止由預濕處理產生的處理液殘留在基板Wf的邊緣部Wf-2。
(變形例)
圖14是簡要地示出變形例的預濕模組的結構的一部分的圖。在圖14中,放大示出變形例的預濕用基板保持件240A的一部分。變形例的預濕用基板保持件240A具備與被保持的基板Wf的邊緣部Wf-2接觸的電接點247(電阻測定機構的一個例子)。預濕用基板保持件240A具有多個電接點247,多個電接點247通過基板Wf的導電層(例如種晶層)相互電連接。然後,控制模組800測定通過兩個電接點247的合成電阻,在合成電阻不在規定的允許範圍內的情況下,判斷為電接點247與基板Wf的導電層的連接存在異常。根據這樣的變形例的預濕模組,能夠在基板Wf被輸送到鍍覆模組400之前,檢測基板Wf的缺陷。
本發明也能夠記載為以下的方式。
[方式1]根據方式1,提出了用於對具有暴露於鍍覆液的被鍍覆部和上述被鍍覆部的外側區域亦即邊緣部的基板實施鍍覆處理的鍍覆方法,上述鍍覆方法包括:第一密封工序,使第一密封體與基板接觸而對上述基板的上述邊緣部進行密封;預濕工序,對通過上述第一密封工序密封後的上述基板實施預濕處理;第一密封取下工序,從預濕後的上述基板取下上述第一密封體;基板保持工序,利用具有第二密封體的基板保持件來保持上述基板;以及鍍覆工序,使鍍覆液作用於由上述基板保持件保持的上述基板。
根據方式1,能夠防止預濕液殘留在基板的邊緣部。
[方式2]根據方式2,在方式1的基礎上,上述第一密封取下工序包括在從上述基板取下上述第一密封體之前,使上述基板旋轉的工序。
根據方式2,能夠減少在第一密封體附近殘留的預濕液,從而能夠進一步防止預濕液殘留在基板的邊緣部。
[方式3]根據方式3,在方式1或2的基礎上,在上述預濕工序中,在使被鍍覆面朝向下方的狀態下對上述基板實施預濕處理。
根據方式3,能夠進一步防止預濕液殘留在基板的邊緣部。
[方式4]根據方式4,在方式1或2的基礎上,在上述預濕工序中,在使被鍍覆面朝向上方的狀態下對上述基板實施預濕處理。
根據方式4,能夠使用較少的預濕液,使預濕液均勻地附著於基板的被鍍覆面。
[方式5]根據方式5,在方式4的基礎上,上述預濕工序包括將預濕液積存於由上述第一密封體和上述基板的被鍍覆面劃定的槽狀區域的工序。
根據方式5,能夠使用較少的預濕液,使預濕液均勻地附著於基板的被鍍覆面。
[方式6]根據方式6,在方式1~5的基礎上,還包括通過輸送模組,從實施上述預濕工序的場所以使上述被鍍覆面朝向下方的狀態進行輸送的工序。
根據方式6,能夠防止在輸送中預濕液或其他異物附著於基板的邊緣部。
[方式7]根據方式7,在方式1~6的基礎上,上述預濕工序通過向上述基板的被鍍覆面噴射預濕液而進行。
[方式8]根據方式8,在方式1~7的基礎上,上述預濕工序伴隨著上述基板的旋轉而進行。
根據方式8,能夠使預濕液更均勻地附著於基板。
[方式9]根據方式9,在方式1~8的基礎上,在上述第一密封工序中,利用具有上述第一密封體的預濕用基板保持件來保持上述基板,上述預濕用基板保持件具有支承上述基板的被鍍覆面的背面的支承體,由上述支承體與上述第一密封體夾持上述基板,以及/或者,通過設置於上述支承體的真空卡盤來保持上述基板。
[方式10]根據方式10,在方式9的基礎上,上述預濕用基板保持件具備用於測定上述基板的上述邊緣部的導電層的電阻的電阻測定機構,上述鍍覆方法還包括測定由上述預濕用基板保持件保持的基板的電阻的工序。
根據方式10,能夠在鍍覆工序之前,檢測基板的缺陷。
[方式11]根據方式11,在方式1~10的基礎上,上述第一密封體對於上述基板的被鍍覆面形成台階部,該台階部構成為越遠離上述基板的被鍍覆面而越擴徑的錐狀。
根據方式11,能夠進一步防止預濕液殘留在基板的邊緣部。
[方式12]根據方式12,在方式1~11的基礎上,在上述鍍覆工序中,在使被鍍覆面朝向下方的狀態下,使上述基板保持件和上述基板浸漬於上述鍍覆液。
根據方式12,能夠進一步防止預濕液殘留在基板的邊緣部。
以上,對本發明的實施方式進行了說明,但上述的發明的實施方式是為了容易理解本發明,而不限定本發明。本發明當然能夠在不脫離其主旨的情況下進行變更、改進,並且在本發明中包括其等效物。另外,在能夠解決上述課題的至少一部分的範圍或者起到效果的至少一部分的範圍內,能夠進行實施方式以及變形例的任意組合,能夠進行發明申請範圍以及說明書所記載的各構成要素的任意的組合或者省略。
本申請主張基於在2020年10月9日申請的日本專利申請編號第2020-171311號的優先權。日本專利申請編號第2020-171311號的包括說明書、發明申請範圍、附圖以及摘要的全部的公開內容通過參照而整體被本申請引用。日本特開2001-316869號公報(專利文獻1)的包括說明書、發明申請範圍、附圖以及摘要的全部的公開通過參照而整體被本申請引用。
100:裝載/卸載模組
110:輸送機械臂
120:對準器
200:預濕模組
240、240A:預濕用基板保持件
242:第一保持構件
242a:支承面
244:第二保持構件
245:銷
246:密封體(第一密封體)
247:電接點
250:驅動機構
260A~260C、260F:噴出機構
260D、260E、260G:處理液供給機構
260Ca:噴出口
260Ea:預濕槽
260Eb:處理液供給管線
260Ec:處理液排出管線
260Fa:噴出口
260Ga:預濕槽
260Gb:處理液供給管線
260Gc:處理液排出管線
300:預浸模組
400:鍍覆模組
410:鍍覆槽
412:內槽
414:外槽
420:隔膜
422:陰極區域
424:陽極區域
430:陽極
440:基板保持件
441:密封體(第二密封體)
442:升降機構
450:電阻體
500:清洗模組
600:旋轉沖洗乾燥模組
700:輸送裝置
800:控制模組
1000:鍍覆裝置
S10~S60:步驟
Wf:基板
Wf-a:被鍍覆面
Wf-1:被鍍覆部
Wf-2:邊緣部
圖1係表示本實施方式的鍍覆裝置的整體結構的立體圖。
圖2係表示本實施方式的鍍覆裝置的整體結構的俯視圖。
圖3係簡要地示出本實施方式的鍍覆模組的結構的縱向剖視圖。
圖4係簡要地示出本實施方式的預濕模組的結構的縱向剖視圖。
圖5係從圖4的上方表示第二保持構件的圖。
圖6係表示預濕模組進行的第一實施方式的預濕處理的圖。
圖7係表示預濕模組進行的第二實施方式的預濕處理的圖。
圖8係表示預濕模組進行的第三實施方式的預濕處理的圖。
圖9係表示預濕模組進行的第四實施方式的預濕處理的圖。
圖10係表示預濕模組進行的第五實施方式的預濕處理的圖。
圖11係表示預濕模組進行的第六實施方式的預濕處理的圖。
圖12係表示預濕模組進行的第七實施方式的預濕處理的圖。
圖13係表示基於鍍覆裝置的鍍覆方法的一個例子的流程圖。
圖14係簡要地示出變形例的預濕模組的結構的一部分的圖。
S10~S60:步驟
Claims (12)
- 一種鍍覆方法,是用於對具有暴露於鍍覆液的被鍍覆部和所述被鍍覆部的外側區域亦即邊緣部的基板實施鍍覆處理,包括: 第一密封工序,使第一密封體與基板接觸而對所述基板的所述邊緣部進行密封; 預濕工序,對通過所述第一密封工序密封後的所述基板實施預濕處理; 第一密封取下工序,從預濕後的所述基板取下所述第一密封體; 基板保持工序,利用具有第二密封體的基板保持件來保持所述基板;以及 鍍覆工序,使鍍覆液作用於由所述基板保持件保持的所述基板。
- 如請求項1所述的鍍覆方法,其中所述第一密封取下工序包括在從所述基板取下所述第一密封體之前,使所述基板旋轉的工序。
- 如請求項1或2所述的鍍覆方法,其中在所述預濕工序中,係在使被鍍覆面朝向下方的狀態下對所述基板實施預濕處理。
- 如請求項1或2所述的鍍覆方法,其中在所述預濕工序中,係在使被鍍覆面朝向上方的狀態下對所述基板實施預濕處理。
- 如請求項4所述的鍍覆方法,其中所述預濕工序包括將預濕液積存於由所述第一密封體和所述基板的被鍍覆面所劃定的槽狀區域的工序。
- 如請求項1所述的鍍覆方法,其中還包括: 通過輸送模組,從實施所述預濕工序的場所以使所述被鍍覆面朝向下方的狀態進行輸送的工序。
- 如請求項1所述的鍍覆方法,其中所述預濕工序係通過向所述基板的被鍍覆面噴射預濕液而進行。
- 如請求項1所述的鍍覆方法,其中所述預濕工序係伴隨著所述基板的旋轉而進行。
- 如請求項1所述的鍍覆方法,其中在所述第一密封工序中,係由具有所述第一密封體的預濕用基板保持件來保持所述基板,所述預濕用基板保持件具有支承所述基板的被鍍覆面的背面的支承體,由所述支承體與所述第一密封體夾持所述基板,以及/或者,通過設置於所述支承體的真空卡盤來保持所述基板。
- 如請求項9所述的鍍覆方法,其中所述預濕用基板保持件具備測定所述基板的所述邊緣部的導電層的電阻的電阻測定器,所述鍍覆方法還包括測定由所述預濕用基板保持件保持的基板的電阻的工序。
- 如請求項1所述的鍍覆方法,其中在所述基板的被鍍覆面形成有包括所述第一密封體的台階部,該台階部構成為越遠離所述基板的被鍍覆面而越擴徑的錐狀。
- 如請求項1所述的鍍覆方法,其中在所述鍍覆工序中,以使被鍍覆面朝向下方的狀態使所述基板保持件和所述基板浸漬於所述鍍覆液。
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