CN115003865B - 基板的接液方法和镀覆装置 - Google Patents
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- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims abstract description 231
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 179
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 104
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 24
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 21
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 19
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 10
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 6
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 6
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/06—Suspending or supporting devices for articles to be coated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
- C25D21/10—Agitating of electrolytes; Moving of racks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/001—Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/004—Sealing devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/008—Current shielding devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/02—Tanks; Installations therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
- C25D21/08—Rinsing
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
- C25D21/12—Process control or regulation
- C25D21/14—Controlled addition of electrolyte components
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
- C25D5/028—Electroplating of selected surface areas one side electroplating, e.g. substrate conveyed in a bath with inhibited background plating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/08—Electroplating with moving electrolyte e.g. jet electroplating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/002—Cell separation, e.g. membranes, diaphragms
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
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- Automation & Control Theory (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
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Abstract
通过简单的构造减少附着于被镀覆面的气泡的量。基板的接液方法包括:保持步骤(102),在该步骤中,以使基板的被镀覆面与收容于镀覆槽的镀覆液的液面相向的方式通过背板保持基板的背面;供给步骤(104),在该步骤中,通过以镀覆液向上穿过配置于镀覆槽内的阻挡体的中央部的多个贯通孔的方式对镀覆槽内供给镀覆液而使镀覆液的液面的中央部鼓起;第1下降步骤(106),在该步骤中,使支承构件朝向镀覆液的液面下降,上述支承构件用于支承被保持构件保持的基板的被镀覆面的外缘部;以及第2下降步骤(108),在该步骤中,在通过供给步骤(104)而使镀覆液的液面的中央部鼓起的状态下,以由通过第1下降步骤(106)而下降的支承构件与保持构件夹持基板的方式使保持构件下降。
Description
技术领域
本申请涉及基板的接液方法和镀覆装置。
背景技术
作为镀覆装置的一个例子,公知有杯式的电镀装置。杯式的电镀装置通过使将被镀覆面朝向下方而保持于基板保持架的基板(例如半导体晶圆)浸渍于镀覆液,并在基板与阳极之间施加电压,从而在基板的表面析出导电膜。
在杯式的电镀装置中,在使基板浸渍于镀覆液时容易在被镀覆面附着有气泡,附着于被镀覆面的气泡能够对镀覆性能带来影响,因而,不优选。因此,例如专利文献1公开有:通过使基板的被镀覆面相对于水平倾斜,并从倾斜的基板的下端侧依次接液于镀覆液,从而减少附着于被镀覆面的气泡的量。
专利文献1:日本特开2008-19496号公报
然而,现有技术为了使附着于被镀覆面的气泡的量减少而恐怕导致电镀装置的构造复杂化。
即,优选在进行镀覆处理时阳极与基板的被镀覆面平行,因此,在现有技术中,需要用于在使基板接液于镀覆液时使基板倾斜并接液于镀覆液之后使基板的倾斜复原的机构。这样的机构使电镀装置的构造复杂化。
发明内容
因此,本申请的一个目的在于通过简单的构造减少附着于被镀覆面的气泡的量。
根据一实施方式,公开一种基板的接液方法,包括:保持步骤,在该步骤中,以使基板的被镀覆面与收容于镀覆槽的镀覆液的液面相向的方式通过保持构件保持基板的背面;供给步骤,在该步骤中,通过以镀覆液向上穿过配置于上述镀覆槽内的阻挡体的中央部的多个贯通孔的方式对上述镀覆槽内供给镀覆液而使镀覆液的液面的中央部鼓起;第1下降步骤,在该步骤中,使支承构件朝向上述镀覆液的液面下降,上述支承构件用于支承被上述保持构件保持的基板的被镀覆面的外缘部;以及第2下降步骤,在该步骤中,在通过上述供给步骤使镀覆液的液面的中央部鼓起的状态下,以由通过上述第1下降步骤下降了的上述支承构件与上述保持构件夹持上述基板的方式使上述保持构件下降。
附图说明
图1是表示本实施方式的镀覆装置的整体结构的立体图。
图2是表示本实施方式的镀覆装置的整体结构的俯视图。
图3是概略地示出本实施方式的镀覆模块的结构的纵剖视图,示出没有保持基板的状态。
图4是概略地示出本实施方式的镀覆模块的结构的纵剖视图,示出保持有基板的状态。
图5是概略地示出本实施方式的镀覆模块的结构的纵剖视图,示出使密封圈保持架下降的状态。
图6是概略地示出本实施方式的镀覆模块的结构的纵剖视图,示出使背板下降而使基板接液的状态。
图7是概略地示出本实施方式的镀覆模块的结构的纵剖视图,示出使背板下降而放出空气的状态。
图8是概略地示出本实施方式的镀覆模块的结构的纵剖视图,示出使背板下降并对基板进行了密封的状态。
图9是本实施方式的基板的接液方法的流程图。
具体实施方式
以下,参照附图对本发明的实施方式进行说明。在以下说明的附图中,对相同或者相当的构成要素,标注相同的附图标记并省略重复的说明。
<镀覆装置的整体结构>
图1是表示本实施方式的镀覆装置的整体结构的立体图。图2是表示本实施方式的镀覆装置的整体结构的俯视图。如图1、图2所示,镀覆装置1000具备装载口100、搬运机器人110、对准器120、预湿模块200、预浸模块300、镀覆模块400、清洗模块500、旋转冲洗干燥器600、搬运装置700和控制模块800。
装载口100是用于向镀覆装置1000搬入收纳于未图示的FOUP等盒的基板,或者从镀覆装置1000向盒搬出基板的模块。在本实施方式中,4台装载口100沿水平方向排列配置,但装载口100的数量和配置方式是任意的。搬运机器人110是用于搬运基板的机器人,且构成为在装载口100、对准器120和搬运装置700之间交接基板。搬运机器人110和搬运装置700能够在搬运机器人110与搬运装置700之间交接基板时经由未图示的临时放置台而进行基板的交接。
对准器120是用于使基板的定向平面、凹口等的位置与预定方向一致的模块。在本实施方式中,2台对准器120沿水平方向排列配置,但对准器120的数量和配置方式是任意的。预湿模块200通过利用纯水或者脱气水等处理液湿润镀覆处理前的基板的被镀覆面,将形成于基板表面的图案内部的空气置换为处理液。预湿模块200构成为实施通过在镀覆时将图案内部的处理液置换为镀覆液而容易对图案内部供给镀覆液的预湿式处理。在本实施方式中,2台预湿模块200沿上下方向排列配置,但预湿模块200的数量和配置方式是任意的。
预浸模块300构成为实施预浸处理,在该预浸处理中,利用硫酸、盐酸等处理液将例如在形成于镀覆处理前的基板的被镀覆面的晶种层表面等存在的阻挡大的氧化膜蚀刻除去并对镀覆基底表面进行清洗或者使其活性化。在本实施方式中,2台预浸模块300沿上下方向排列配置,但预浸模块300的数量和配置方式是任意的。镀覆模块400在基板实施镀覆处理。在本实施方式中,设置有两个沿上下方向以3台排列配置并且沿水平方向以4台排列配置的12台镀覆模块400的组,设置有合计24台镀覆模块400,但镀覆模块400的数量和配置方式是任意的。
清洗模块500构成为,为了除去被残留于镀覆处理后的基板的镀覆液等而在基板实施清洗处理。在本实施方式中,2台清洗模块500沿上下方向排列配置,但清洗模块500的数量和配置方式是任意的。旋转冲洗干燥器600是用于使清洗处理后的基板高速旋转而干燥的模块。在本实施方式中,2台旋转冲洗干燥器沿上下方向排列配置,但旋转冲洗干燥器的数量和配置方式是任意的。搬运装置700是用于在镀覆装置1000内的多个模块间搬运基板的装置。控制模块800构成为,控制镀覆装置1000的多个模块,能够由例如具备与操作人员之间的输入输出接口的通常的计算机或者专用计算机构成。
对由镀覆装置1000进行的一系列的镀覆处理的一个例子进行说明。首先,向装载口100搬入被收纳于盒的基板。接着,搬运机器人110从装载口100的盒取出基板,向对准器120搬运基板。对准器120使基板的定向平面、凹口等的位置与预定方向一致。搬运机器人110将通过对准器120而使方向一致的基板向搬运装置700交接。
搬运装置700将从搬运机器人110接受到的基板向预湿模块200搬运。预湿模块200对基板实施预湿式处理。搬运装置700将实施过预湿式处理的基板向预浸模块300搬运。预浸模块300对基板实施预浸处理。搬运装置700将实施过预浸处理的基板向镀覆模块400搬运。镀覆模块400对基板实施镀覆处理。
搬运装置700将实施过镀覆处理的基板向清洗模块500搬运。清洗模块500对基板实施清洗处理。搬运装置700将实施过清洗处理的基板向旋转冲洗干燥器600搬运。旋转冲洗干燥器600对基板实施干燥处理。搬运装置700将实施过干燥处理的基板向搬运机器人110交接。搬运机器人110将从搬运装置700接受到的基板向装载口100的盒搬运。最后,从装载口100搬出收纳有基板的盒。
<镀覆模块的结构>
接下来,对镀覆模块400的结构进行说明。本实施方式的24台镀覆模块400为相同的结构,因此,仅对1台镀覆模块400进行说明。
图3是概略地示出本实施方式的镀覆模块的结构的纵剖视图,且示出没有保持基板的状态。图4是概略地示出本实施方式的镀覆模块的结构的纵剖视图,且示出保持有基板的状态。如图3和图4所示,镀覆模块400具备用于收容镀覆液的镀覆槽410。另外,镀覆模块400具备基板保持架440,上述基板保持架440用于在使被镀覆面Wf-a朝向下方而与镀覆液的液面相向的状态下保持基板Wf的背面。基板保持架440具备用于从未图示的电源对基板Wf供电的供电接点。
另外,镀覆模块400具备:将镀覆槽410的内部在上下方向上隔开的隔膜420。镀覆槽410的内部由隔膜420分隔为阴极区域422和阳极区域424。在阳极区域424的镀覆槽410的底面设置有阳极430。在阴极区域422,与隔膜420相向地配置有阻挡体450。阻挡体450由形成有多个贯通孔450a的板状构件构成。多个贯通孔450a分布于与基板Wf的被镀覆面Wf-a对应的区域。各贯通孔450a使阻挡体450的上部区域与下部区域连通。阻挡体450是用于实现基板Wf的被镀覆面Wf-a的镀覆膜厚的均匀化的构件。即,供电接点设置于基板Wf的外缘部,因此,存在由于基板Wf的外缘部与中央部之间的阻挡而使基板Wf的外缘部电场集中,作为其结果,使基板Wf的外缘部的镀覆膜厚变大这种情况。在这一点上,通过在阳极430与基板Wf之间设置阻挡体450,能够抑制电场向基板Wf的外缘部集中,实现基板Wf的被镀覆面Wf-a的镀覆膜厚的均匀化。
基板保持架440具备:用于支承基板Wf的被镀覆面Wf-a的外缘部的支承构件442。支承构件442具备:密封圈保持架449,其具有与基板Wf的被镀覆面Wf-a的外缘部相向的支承面449a;环状的密封构件445,其配置于支承面449a;以及框架446,其用于将密封圈保持架449保持于未图示的基板保持架主体。
另外,基板保持架440具备:用于保持基板Wf的被镀覆面Wf-a的背面的保持构件441。保持构件441具备:背板444,其构成为对基板Wf的被镀覆面Wf-a的背面进行吸附保持;和轴体448,其安装于背板444的基板保持面的背面。背板444与未图示的真空源连接,并构成为通过从真空源的抽真空而对基板Wf的背面进行真空吸附保持。
镀覆模块400具备:升降机构443,其用于使基板保持架440升降;和旋转机构447,其用于使基板保持架440旋转,以使得基板Wf绕轴体448的假想轴线(在被镀覆面Wf-a的中央垂直地延伸的假想的旋转轴线)旋转。升降机构443和旋转机构447能够通过例如马达等公知的机构来实现。镀覆模块400构成为通过使用升降机构443将基板Wf浸渍于阴极区域422的镀覆液,并在阳极430与基板Wf之间施加电压,从而对基板Wf的被镀覆面Wf-a实施镀覆处理。
在阴极区域422和阳极区域424分别填充有镀覆液。具体而言,镀覆模块400具备镀覆液供给构件425,上述镀覆液供给构件425构成为朝向阻挡体450的下部区域的中央部供给镀覆液。镀覆液供给构件425具备:多个喷嘴426,其朝向阴极区域422的阻挡体450的下部区域的中央部开口;和供给源428,其用于经由多个喷嘴426而对阴极区域422供给镀覆液。多个喷嘴426沿着周向配置于镀覆槽410的比阻挡体450靠下部的侧壁。镀覆模块400针对阳极区域424也同样具备用于对阳极区域424供给镀覆液的机构,但省略图示。
多个喷嘴426构成为朝向阻挡体450的下部区域的中央部而向斜上方供给镀覆液。通过在镀覆槽410内填充有镀覆液之后进一步从多个喷嘴426供给镀覆液,从多个喷嘴426供给的镀覆液在阻挡体450的下部区域的中央部碰撞而形成紊流,并且形成有通过向上穿过阻挡体450的多个贯通孔450a而被整流的镀覆液的上升流。作为其结果,如图3和图4所示,镀覆液的液面的中央部鼓起。
升降机构443构成为,使密封圈保持架449和背板444单独升降。具体而言,升降机构443具备:用于使密封圈保持架449升降的第1升降构件443-1和用于使背板444升降的第2升降构件443-2。
图5是概略地示出本实施方式的镀覆模块的结构的纵剖视图,示出使密封圈保持架下降的状态。如图5所示,第1升降构件443-1构成为,使密封圈保持架449下降至用于使基板Wf的被镀覆面Wf-a接液于镀覆液的液面的接液位置。此处,接液位置是指密封构件445比镀覆液的液面的鼓起的部分LL-a(鼓起的部分LL-a的最高的部分)低并且比镀覆液的液面的没有鼓起的部分LL-b高的位置。
图6是概略地示出本实施方式的镀覆模块的结构的纵剖视图,示出使背板下降而使基板接液的状态。图7是概略地示出本实施方式的镀覆模块的结构的纵剖视图,示出使背板下降而放出空气的状态。图8是概略地示出本实施方式的镀覆模块的结构的纵剖视图,示出使背板下降而密封了基板的状态。
第2升降构件443-2以通过背板444和密封圈保持架449夹持基板Wf的方式使背板444下降。具体而言,首先,如图6所示,第2升降构件443-2使背板444下降至基板Wf的被镀覆面Wf-a的中央部与镀覆液的液面的鼓起的部分LL-a接触为止。接着,如图7所示,第2升降构件443-2以镀覆液的液面的鼓起的部分LL-a向基板Wf的被镀覆面Wf-a的外周方向扩张的方式使背板444逐渐下降。
由此,处于镀覆液的液面与基板Wf的被镀覆面Wf-a之间的空气被向被镀覆面Wf-a的外周侧按压,穿过被镀覆面Wf-a与密封构件445之间。接着,如图8所示,第2升降构件443-2通过使背板444下降至基板Wf的被镀覆面Wf-a的外缘部与密封构件445接触,由此密封被镀覆面Wf-a。在将基板Wf的被镀覆面Wf-a密封之后,第1升降构件443-1和第2升降构件443-2构成为,使基板Wf下降至用于执行镀覆处理的预定位置。
如以上那样,根据本实施方式的镀覆模块400,通过从多个喷嘴426朝向阻挡体450的下部区域供给镀覆液,能够形成经由阻挡体450的多个贯通孔450a而朝向阻挡体450的上部区域得到整流的上升流,因此,能够使镀覆液的液面的中央部高效地鼓起。另外,根据本实施方式的镀覆模块400,通过使镀覆液的液面的中央部鼓起,并且一边使鼓起的部分LL-a的镀覆液向被镀覆面Wf-a的外周方向扩张一边使基板Wf下降,能够从被镀覆面Wf-a排除能够附着于被镀覆面Wf-a的空气。作为其结果,根据本实施方式的镀覆模块400,不使用用于使基板Wf倾斜而浸渍于镀覆液的倾斜机构那样的复杂的机构,就能够通过简单的结构减少附着于基板Wf的被镀覆面Wf-a的气泡的量。
接下来,对使用了本实施方式的镀覆模块400的基板的接液方法进行说明。图9是本实施方式的基板的接液方法的流程图。
本实施方式的基板的接液方法首先如图4所示以基板Wf的被镀覆面Wf-a与镀覆液的液面相向的方式保持基板Wf的背面(保持步骤102)。保持步骤102通过使用了背板444的真空吸附来保持基板Wf的背面。
接着,如图4所示,基板的接液方法通过以使镀覆液向上穿过阻挡体450的中央部的多个贯通孔450a的方式对镀覆槽410内供给镀覆液,从而使镀覆液的液面的中央部鼓起(供给步骤104)。供给步骤104包括:从沿着周向配置于镀覆槽410的侧壁的多个喷嘴426朝向阻挡体450的下部区域的中央部供给镀覆液的步骤。由此,从多个喷嘴426供给的镀覆液在阻挡体450的下部区域的中央部碰撞而形成紊流,并且形成有通过向上穿过阻挡体450的多个贯通孔450a而被整流的上升流。作为其结果,如图4所示,镀覆液的液面的中央部鼓起。需要说明的是,保持步骤102与供给步骤104执行的顺序也可以交替,也可以同时执行。
接着,如图5所示,基板的接液方法使密封圈保持架449朝向镀覆液的液面下降(第1下降步骤106)。第1下降步骤106包括:使密封圈保持架449下降至密封构件445比镀覆液的液面的鼓起的部分LL-a低并且比镀覆液的液面的没有鼓起的部分LLb高的接液位置为止的步骤。换言之,第1下降步骤106包括:以使密封构件445位于镀覆液的液面的鼓起的部分LL-a与没有鼓起的部分LL-b之间的方式使密封圈保持架449下降的步骤。这是由于,若密封构件445比镀覆液的液面的鼓起的部分LL-a高,则无法放出附着于基板Wf的被镀覆面Wf-a的空气,若密封构件445比镀覆液的液面的没有鼓起的部分LL-b低,则镀覆液侵入密封圈保持架449的支承面449a。需要说明的是,第1下降步骤106可以在保持步骤102和供给步骤104之前执行,也可以与保持步骤102和供给步骤104同时执行。
接着,基板的接液方法在通过供给步骤104使镀覆液的液面的中央部鼓起的状态下,以通过背板444和密封圈保持架442夹持基板Wf的方式使背板444下降(第2下降步骤108)。如图6所示,第2下降步骤108包括:以使基板Wf的被镀覆面Wf-a的中央部接液于镀覆液的因供给步骤104而液面鼓起的部分LL-a的方式使背板444下降的步骤。另外,如图7和图8所示,第2下降步骤108包括:使背板444下降至基板Wf的被镀覆面Wf-a的外缘部与密封构件445接触为止的步骤。
接着,基板的接液方法以使基板Wf配置于用于执行镀覆处理的预定位置的方式使背板444和密封圈保持架442一同下降(第3下降步骤110)。若基板Wf配置于预定位置,则镀覆模块400对基板Wf实施镀覆处理。
根据本实施方式的基板的接液方法,通过使镀覆液的液面的中央部鼓起并且,一边使鼓起的部分LL-a的镀覆液向被镀覆面Wf-a的外周方向扩张一边使基板Wf下降,能够从被镀覆面Wf-a排除附着于被镀覆面Wf-a的空气。作为其结果,根据本实施方式的基板的接液方法,不使用用于使基板Wf倾斜而浸渍于镀覆液的倾斜机构那样的复杂的机构,能够通过简单的结构减少附着于基板Wf的被镀覆面Wf-a的气泡的量。
以上,对几个本发明的实施方式进行了说明,但上述的发明的实施方式是为了容易理解本发明的,不是限定本发明。本发明能够不脱离其主旨地进行变更、改进,并且本发明包括其等效物是不言而喻的。另外,能够在能够解决上述的课题的至少一部分的范围或者起到效果的至少一部分的范围内,进行权利要求书和说明书记载的各构成要素的任意的组合或者省略。
本申请中,作为一实施方式,公开一种基板的接液方法,包括:保持步骤,在该步骤中,以使基板的被镀覆面与收容于镀覆槽的镀覆液的液面相向的方式通过保持构件保持基板的背面;供给步骤,在该步骤中,通过以镀覆液向上穿过配置于上述镀覆槽内的阻挡体的中央部的多个贯通孔的方式对上述镀覆槽内供给镀覆液而使镀覆液的液面的中央部鼓起;第1下降步骤,在该步骤中,使支承构件朝向上述镀覆液的液面下降,上述支承构件用于支承被上述保持构件保持的基板的被镀覆面的外缘部;以及第2下降步骤,在该步骤中,在通过上述供给步骤使镀覆液的液面的中央部鼓起的状态下,以由通过上述第1下降步骤而下降的上述支承构件与上述保持构件夹持上述基板的方式使上述保持构件下降。
并且,本申请中,作为一实施方式,公开一种基板的接液方法,上述第1下降步骤包括如下步骤:使上述支承构件下降至以密封上述基板的被镀覆面的外缘部的方式构成的上述支承构件的密封构件比上述镀覆液的液面的鼓起的部分低并且比上述镀覆液的液面的没有鼓起的部分高的接液位置。
并且,本申请中,作为一实施方式,公开一种基板的接液方法,上述第2下降步骤包括:以使上述基板的被镀覆面的中央部接液于上述镀覆液的因上述供给步骤而液面鼓起的部分的方式使上述保持构件下降的步骤;和使上述保持构件下降至上述基板的被镀覆面的外缘部与上述密封构件接触为止的步骤。
并且,本申请中,作为一实施方式,公开一种基板的接液方法,上述供给步骤包括:从沿着周向配置于上述镀覆槽的侧壁的多个喷嘴朝向上述阻挡体的下部区域的中央部供给镀覆液的步骤。
并且,本申请中,作为一实施方式,公开一种基板的接液方法,上述保持步骤包括:使用上述保持构件吸附保持上述基板的被镀覆面的背面的步骤。
并且,本申请中,作为一实施方式,公开一种镀覆装置,包括:镀覆槽,其用于收容镀覆液;保持构件,其用于以使基板的被镀覆面与收容于上述镀覆槽的镀覆液的液面相向的方式保持基板的背面;以及支承构件,其用于对被上述保持构件保持的基板的被镀覆面的外缘部进行支承;升降机构,其用于使上述保持构件和上述支承构件单独升降;阻挡体,其为在上述镀覆槽内配置为与上述基板的被镀覆面相向的阻挡体,且形成有使上述阻挡体的下部区域与上部区域连通的多个贯通孔;以及镀覆液供给构件,其构成为朝向上述阻挡体的下部区域的中央部供给镀覆液。
并且,本申请中,作为一实施方式,公开一种镀覆装置,上述升降机构包括:第1升降构件,其使上述支承构件下降至用于使上述基板的被镀覆面接液于镀覆液的液面的接液位置;和第2升降构件,其以由通过上述第1升降构件下降至上述接液位置的上述支承构件和上述保持构件夹持基板的方式使上述保持构件下降。
并且,本申请中,作为一实施方式,公开一种镀覆装置,上述支承构件包括:密封圈保持架,其具有与上述基板的被镀覆面的外缘部相向的支承面;和密封构件,其配置于上述支承面,上述接液位置是上述密封构件比镀覆液的因从上述镀覆液供给构件供给镀覆液而液面的中央鼓起的部分低并且上述密封构件比上述镀覆液的液面的没有鼓起的部分高的位置,第2升降构件构成为,使上述保持构件下降至上述密封构件与上述基板的被镀覆面的外缘部接触为止。
并且,本申请中,作为一实施方式,公开一种镀覆装置,上述镀覆液供给构件包括:多个喷嘴,其沿着周向配置于上述镀覆槽的侧壁;和供给源,其用于从上述多个喷嘴供给镀覆液。
并且,本申请中,作为一实施方式,公开一种镀覆装置,上述多个喷嘴构成为,朝向上述阻挡体的下部区域的中央部向斜上方供给镀覆液而使上述镀覆液的液面的中央部鼓起。
并且,本申请中,作为一实施方式,公开一种镀覆装置,上述保持构件包括:构成为对上述基板的被镀覆面的背面进行吸附保持的背板。
并且,本申请中,作为一实施方式,公开一种镀覆装置,上述阻挡体是以与上述基板的被镀覆面相向的方式设置于上述镀覆槽内的板状构件,且在与上述基板的被镀覆面对应的区域形成有上述多个贯通孔。
附图标记说明
102...保持步骤;104...供给步骤;106...第1下降步骤;108...第2下降步骤;110...第3下降步骤;400...镀覆模块;410...镀覆槽;426...喷嘴;428...供给源;430...阳极;440...基板保持架;441...保持构件;442...支承构件;443...升降机构;443-1...第1升降构件;443-2...第2升降构件;444...背板;445...密封构件;449...密封圈保持架;449a...支承面;450...阻挡体;450a...贯通孔;1000...镀覆装置;LL-a...鼓起的部分;LL-b...没有鼓起的部分;Wf...基板;Wf-a...被镀覆面。
Claims (8)
1.一种基板的接液方法,其特征在于,包括:
保持步骤,在该步骤中,以使基板的被镀覆面与收容于镀覆槽的镀覆液的液面相向的方式通过保持构件保持基板的背面;
供给步骤,在该步骤中,通过以镀覆液向上穿过配置于所述镀覆槽内的阻挡体的中央部的多个贯通孔的方式对所述镀覆槽内供给镀覆液而使镀覆液的液面的中央部鼓起;
第1下降步骤,在该步骤中,使支承构件朝向所述镀覆液的液面下降,所述支承构件用于支承被所述保持构件保持的基板的被镀覆面的外缘部;以及
第2下降步骤,在该步骤中,在通过所述供给步骤使镀覆液的液面的中央部鼓起的状态下,以由通过所述第1下降步骤而下降的所述支承构件与所述保持构件夹持所述基板的方式使所述保持构件下降,
所述第1下降步骤包括如下步骤:使所述支承构件下降至以密封所述基板的被镀覆面的外缘部的方式构成的所述支承构件的密封构件比所述镀覆液的液面的鼓起的部分低并且比所述镀覆液的液面的没有鼓起的部分高的接液位置。
2.根据权利要求1所述的基板的接液方法,其特征在于,
所述第2下降步骤包括:以使所述基板的被镀覆面的中央部接液于通过所述供给步骤而所述镀覆液的液面鼓起的部分的方式使所述保持构件下降的步骤;和使所述保持构件下降至所述基板的被镀覆面的外缘部与所述密封构件接触为止的步骤。
3.根据权利要求1所述的基板的接液方法,其特征在于,
所述供给步骤包括:从沿着周向配置于所述镀覆槽的侧壁的多个喷嘴朝向所述阻挡体的下部区域的中央部供给镀覆液的步骤。
4.根据权利要求1所述的基板的接液方法,其特征在于,
所述保持步骤包括:使用所述保持构件吸附保持所述基板的被镀覆面的背面的步骤。
5.一种镀覆装置,其特征在于,包括:
镀覆槽,其用于收容镀覆液;
保持构件,其用于以使基板的被镀覆面与收容于所述镀覆槽的镀覆液的液面相向的方式保持基板的背面;
支承构件,其用于对被所述保持构件保持的基板的被镀覆面的外缘部进行支承;
升降机构,其用于使所述保持构件和所述支承构件单独升降;
阻挡体,其为在所述镀覆槽内配置为与所述基板的被镀覆面相向的阻挡体,且形成有使所述阻挡体的下部区域与上部区域连通的多个贯通孔;以及
镀覆液供给构件,其构成为朝向所述阻挡体的下部区域的中央部供给镀覆液,
所述保持构件包括:构成为对所述基板的被镀覆面的背面进行吸附保持的背板,
所述支承构件包括:以密封基板的被镀覆面的外缘部的方式构成的密封构件,
所述镀覆液供给构件包括:多个喷嘴,其沿着周向配置于所述镀覆槽的侧壁;和供给源,其用于从所述多个喷嘴供给镀覆液,
所述多个喷嘴构成为,朝向所述阻挡体的下部区域的中央部向斜上方供给镀覆液而使所述镀覆液的液面的中央部鼓起,
所述升降机构进行控制,使所述支承构件下降至所述支承构件的所述密封构件比所述镀覆液的液面的鼓起的部分低并且比所述镀覆液的液面的没有鼓起的部分高的接液位置,然后,使所述保持构件下降,以在所述接液位置利用所述支承构件和所述保持构件夹持所述基板。
6.根据权利要求5所述的镀覆装置,其特征在于,
所述升降机构包括:第1升降构件,其使所述支承构件下降至用于使所述基板的被镀覆面接液于镀覆液的液面的接液位置;和第2升降构件,其以由通过所述第1升降构件而下降至所述接液位置的所述支承构件和所述保持构件夹持基板的方式使所述保持构件下降。
7.根据权利要求6所述的镀覆装置,其特征在于,
所述支承构件包括:密封圈保持架,其具有与所述基板的被镀覆面的外缘部相向的支承面,
所述密封构件配置于所述支承面,
所述第2升降构件构成为,使所述保持构件下降至所述密封构件与所述基板的被镀覆面的外缘部接触为止。
8.根据权利要求5所述的镀覆装置,其特征在于,
所述阻挡体是以与所述基板的被镀覆面相向的方式设置于所述镀覆槽内的板状构件,且在与所述基板的被镀覆面对应的区域形成有所述多个贯通孔。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2020/049158 WO2022144988A1 (ja) | 2020-12-28 | 2020-12-28 | 基板の接液方法、およびめっき装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115003865A CN115003865A (zh) | 2022-09-02 |
CN115003865B true CN115003865B (zh) | 2024-05-31 |
Family
ID=80808945
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202080071289.XA Active CN115003865B (zh) | 2020-12-28 | 2020-12-28 | 基板的接液方法和镀覆装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230167572A1 (zh) |
JP (1) | JP6990342B1 (zh) |
KR (1) | KR102454154B1 (zh) |
CN (1) | CN115003865B (zh) |
WO (1) | WO2022144988A1 (zh) |
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- 2020-12-28 WO PCT/JP2020/049158 patent/WO2022144988A1/ja active Application Filing
- 2020-12-28 JP JP2021520452A patent/JP6990342B1/ja active Active
- 2020-12-28 CN CN202080071289.XA patent/CN115003865B/zh active Active
- 2020-12-28 US US17/761,304 patent/US20230167572A1/en active Pending
- 2020-12-28 KR KR1020227011284A patent/KR102454154B1/ko active IP Right Grant
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KR102454154B1 (ko) | 2022-10-14 |
WO2022144988A1 (ja) | 2022-07-07 |
CN115003865A (zh) | 2022-09-02 |
KR20220098342A (ko) | 2022-07-12 |
JP6990342B1 (ja) | 2022-02-03 |
JPWO2022144988A1 (zh) | 2022-07-07 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |